JP3949363B2

JP3949363B2 - 芳香族縮環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子

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Publication number: JP3949363B2
Application number: JP2000290626A
Authority: JP
Inventors: 達也五十嵐
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 1999-10-26
Filing date: 2000-09-25
Publication date: 2007-07-25
Anticipated expiration: 2020-09-25
Also published as: US7083864B2; US6635364B1; US20040048102A1; JP2001192651A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、芳香族縮環化合物、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子用材料および発光素子に関し、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア等の分野に好適に使用できる発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。例えば、有機化合物の蒸着により有機薄膜を形成する発光素子が知られている（アプライドフィジックスレターズ，５１巻，９１３頁，１９８７年）。この文献に記載された発光素子はトリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料（アミン化合物）と積層させることにより、従来の単層型素子に比べて発光特性を大幅に向上させている。
近年、有機ＥＬ素子をフルカラーディスプレイへと適用することが活発に検討されているが、高性能フルカラーディスプレイを開発する為には青・緑・赤、それぞれの発光素子の特性を向上する必要が有る。例えば、青色発光素子においては、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」（エヌ・ティー・エス社）ｐ３８に記載のジスチリルアリーレン化合物（ＤＰＶＢｉ）などが広範に検討されているが、色純度、耐久性、発光輝度、効率の点で問題があり、改良が望まれていた。
【０００３】
有機発光素子において高輝度発光を実現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層している素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面積化等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。しかしながら、従来の塗布方式で作製した素子では特に青色発光素子では、発光輝度、発光効率の点で蒸着方式で作製した素子に劣っており、新規青色発光材料の開発が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、発光特性、耐久性が良好な発光素子およびそれを可能にする発光素子用材料の提供にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この課題は下記手段によって達成された。
［１］下記一般式（１）で表される化合物からなる発光素子材料。
【０００６】
【化９】

【０００７】
式中、Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ はアリーレン基を表し、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² は置換基または水素原子を表す。Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環ヘテロアリール構造である。Ａｒはアリーレン基またはヘテロアリーレン基を表す。
［２］下記一般式（２）で表される化合物からなる発光素子材料。
【０００８】
【化１０】

【０００９】
式中、Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ はアリーレン基を表し、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² は置換基または水素原子を表す。Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環ヘテロアリール構造である。Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は水素原子または置換基を表す。
［３］Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² の少なくとも一つがフェナントレン構造、４環以上の縮環アリール構造または３環以上の縮環ヘテロアリール構造であることを特徴とする［１］，［２］に記載の発光素子材料。
［４］Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ がフェナントリレン基または４環以上の縮環アリーレン基であることを特徴とする［１］，［２］，［３］に記載の発光素子材料。
［５］Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² が縮環アリール基であることを特徴とする［１］，［２］，［３］，［４］に記載の発光素子材料。
［６］Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² が３環以上の縮環アリール基であることを特徴とする［１］，［２］，［３］，［４］に記載の発光素子材料。
［７］Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² がフェナントレン基、４環以上の縮環アリール基であることを特徴とする［１］，［２］，［３］，［４］に記載の発光素子材料。
［８］炭素原子、水素原子のみから構成されるている［１］，［２］，［３］，［４］，［５］，［６］，［７］に記載の発光素子材料。
［９］一般式（３）で表される化合物。
【００１０】
【化１１】

【００１１】
式中、Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹³は置換基を表す。Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵，Ｒ¹⁶は水素原子または置換基を表す。ｑ¹¹，ｑ¹²，ｑ¹³ は０〜９の整数を表す。
［１０］［９］に記載の一般式（３）で表される化合物から成る発光素子材料。
［１１］一般式（４）で表される化合物。
【００１２】
【化１２】

【００１３】
式中、Ｒ⁴¹，Ｒ⁴²，Ｒ⁴³は置換基を表す。Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，Ｒ⁴⁶は水素原子または置換基を表す。ｑ⁴¹，ｑ⁴²，ｑ⁴³ は０〜９の整数を表す。
［１２］［１１］に記載の一般式（４）で表される化合物から成る発光素子材料。
［１３］一般式（５）で表される化合物。
【００１４】
【化１３】

【００１５】
式中、Ｒ⁵¹は置換基を表し、Ｒ⁵⁴，Ｒ⁵⁵，Ｒ⁵⁶ は水素原子または置換基を表す。Ａｒ⁵¹はアンスリル基、フェナントリル基、または、ピレニル基を表し、Ａｒ⁵²はフェナントリル基、または、ピレニル基を表す。ｑ⁵¹ は０〜９の整数を表す。
［１４］［１３］に記載の一般式（５）で表される化合物から成る発光素子材料。
［１５］一般式（６）で表される発光素子材料。
【００１６】
【化１４】

【００１７】
式中、Ｒ⁶¹，Ｒ⁶² は水素原子または置換基を表す。Ａｒ⁶¹，Ａｒ⁶²，Ａｒ⁶³，Ａｒ⁶⁴ は縮環アリール基を表す。
［１６］一般式（７）で表される化合物。
【００１８】
【化１５】

【００１９】
式中、Ｒ⁷¹，Ｒ⁷²，Ｒ⁷³，Ｒ⁷⁴は置換基を表し、Ｒ⁷⁵，Ｒ⁷⁶ は水素原子または置換基を表す。ｑ⁷¹，ｑ⁷²，ｑ⁷³，ｑ⁷⁴ は０〜９の整数を表す。
［１７］［１６］に記載の一般式（７）で表される化合物から成る発光素子材料。
［１８］一般式（８）で表される化合物。
【００２０】
【化１６】

【００２１】
式中、Ｒ⁸¹，Ｒ⁸²，Ｒ⁸³，Ｒ⁸⁴は置換基を表し、Ｒ⁸⁵，Ｒ⁸⁶ は水素原子または置換基を表す。ｑ⁸¹，ｑ⁸²，ｑ⁸³，ｑ⁸⁴ は０〜９の整数を表す。
［１９］［１８］に記載の一般式（８）で表される化合物から成る発光素子材料。
［２０］一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも一層が［１］，［２］，［３］，［４］，［５］，［６］，［７］，［８］，［１０］，［１２］，［１４］，［１５］，［１７］，［１９］に記載の発光素子材料を少なくとも一種含有する層であることを特徴とする発光素子。
［２１］［１］，［２］，［３］，［４］，［５］，［６］，［７］，［８］，［１０］，［１２］，［１４］，［１５］，［１７］，［１９］に記載の発光素子材料を含む層を塗布プロセスで成膜することを特徴とする［２０］に記載の有機発光素子。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２３】
【化１７】

【００２４】
一般式（１）について説明する。
Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ はアリーレン基を表す。アリーレン基の炭素数は６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１６がさらに好ましい。アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられ、これらのアリーレン基はさらに置換基を有していても良い。
【００２５】
アリーレン基上の置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特
【００２６】
に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好
【００２７】
ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００２８】
Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹は好ましくはフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ビフェニレン基、４環以上のアリーレン基（例えばピレニレン基、ペリレニレン基）、であり、より好ましくは、フェニレン基、ナフチレン基、フェナントレン基、４環以上のアリーレン基であり、さらに好ましくは、フェニレン基、フェナントリレン基、ピレニレン基であり、特に好ましくは、ピレニレン基である。
【００２９】
Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² は置換基または水素原子を表す。置換基としては、前記Ａｒ¹¹上の置換基で説明した基が挙げられる。Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² として好ましくは水素原子、アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、アルケニル基であり、より好ましくは、水素原子、アリール基、ヘテロアリール基であり、さらに好ましくは水素原子、アリール基であり、特に好ましくは、水素原子、ピレニル基である。
【００３０】
Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環ヘテロアリール構造である。Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² の少なくとも一つが縮環アリール構造であることが好ましい。縮環アリール構造としては、好ましくは、ナフタレン構造、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、ペリレン構造、より好ましくは、ナフタレン構造、アントラセン構造、ピレン構造、フェナントレン構造であり、さらに好ましくは、フェナントレン構造、４環以上のアリール構造であり、特に好ましくは、ピレン構造である。
【００３１】
縮環ヘテロアリール構造としては、好ましくはキノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造であり、より好ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。
【００３２】
Ａｒはアリーレン基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜１６、例えばフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントレン基、ピレニレン基、トリフェニレン基などが挙げられる。）、ヘテロアリーレン基（ヘテロ原子として好ましくは窒素原子、硫黄原子、酸素原子、より好ましくは窒素原子、好ましくは炭素数２〜３０より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好ましくは炭素数３〜１６、例えばピリジレン基、ピラジレン基、チオフェニレン基、キノリレン基、キノキサリレン基、トリアジレン基などが挙げられる）を表し、これらの基は置換基を有していても良い。置換基としては例えば、前記Ａｒ¹¹上の置換基で説明した基が挙げられる。Ａｒはフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、ピレニレン基、トリフェニレン基であることが好ましく、フェニレン基であることがより好ましく、無置換（Ａｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹は置換されている）フェニレン基、アルキル置換フェニレン基であることがさらに好ましい。
【００３３】
一般式（１）で表される化合物の好ましい形態は、一般式（２）で表される化合物、一般式（６）で表される化合物であり、より好ましい形態は、一般式（３）で表される化合物、一般式（４）で表される化合物、一般式（５）で表される化合物、一般式（７）で表される化合物、一般式（８）で表される化合物であり、さらに好ましい形態は一般式（３）で表される化合物である。また、本発明の化合物は、炭素原子、水素原子のみから構成されている化合物が好ましい。
【００３４】
【化１８】

【００３５】
【化１９】

【００３６】
【化２０】

【００３７】
【化２１】

【００３８】
【化２２】

【００３９】
【化２３】

【００４０】
【化２４】

【００４１】
一般式（２）について説明する。一般式（２）のＡｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² 基は一般式（１）で説明したＡｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² 基とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は水素原子または置換基を表す。置換基としては、前記Ａｒ¹¹上の置換基で説明した基が挙げられる。Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基である。
【００４２】
一般式（１），（２）で表される化合物はＡｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹，Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² の少なくとも一つがフェナントレン構造、４環以上の縮環アリール構造または３環以上の縮環ヘテロアリール構造の化合物が好ましく、フェナントレン構造、ピレン構造がより好ましい。また、一般式（１），（２）で表される化合物はＡｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² が縮環アリール基または水素原子である化合物が好ましく、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² が３環以上の縮環アリール基または水素原子であることがより好ましく、Ａｒ¹²，Ａｒ²²，Ａｒ³² がフェナントレン構造、４環以上の縮環アリール構造、水素原子であることが更に好ましい。また、一般式（１），（２）で表される化合物はＡｒ¹¹，Ａｒ²¹，Ａｒ³¹ がフェナントリレン基または４環以上の縮環アリーレン基である化合物が好ましい。
【００４３】
一般式（１），（２）で表される化合物は、炭素原子、水素原子のみから構成されている化合物が好ましい。
【００４４】
一般式（３）について説明する。Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹³は置換基を表す。置換基としては、前記Ａｒ¹¹上の置換基で説明した基が挙げられる。Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹³は好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、さらに好ましくは、アリール基である。
【００４５】
ｑ¹¹，ｑ¹²，ｑ¹³ は０〜９の整数を表す。ｑ¹¹，ｑ¹²，ｑ¹³ は好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０，１である。
【００４６】
Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵，Ｒ¹⁶ は前記Ｒ¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４７】
一般式（４）について説明する。Ｒ⁴¹，Ｒ⁴²，Ｒ⁴³は前記Ｒ¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ⁴⁴，Ｒ⁴⁵，Ｒ⁴⁶は前記Ｒ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。ｑ⁴¹，ｑ⁴²，ｑ⁴³ は０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０，１である。
【００４８】
一般式（５）について説明する。Ｒ⁵¹は前記Ｒ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ⁵⁴，Ｒ⁵⁵，Ｒ⁵⁶ は前記Ｒ¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ａｒ⁵¹はアンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基を表し、Ａｒ⁵²はフェナントリル基、ピレニル基を表す。Ａｒ⁵¹はフェナントリル基、ピレニル基が好ましく、ピレニル基がより好ましい。Ａｒ⁵²はピレニル基が好ましい。ｑ⁵¹ は０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０，１である。
【００４９】
一般式（６）について説明する。Ｒ⁶¹，Ｒ⁶² は前記Ｒ¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ａｒ⁶¹，Ａｒ⁶²，Ａｒ⁶³，Ａｒ⁶⁴ は縮環アリール基を表し、好ましくはフェナントリル基、４環以上のアリール基であり、より好ましくは、フェナントリル基、ピレニル基である。
【００５０】
一般式（７）について説明する。Ｒ⁷¹，Ｒ⁷²，Ｒ⁷³，Ｒ⁷⁴は前記Ｒ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ⁷⁵，Ｒ⁷⁶ は前記Ｒ¹と同じであり、好ましい範囲も同じである。ｑ⁷¹，ｑ⁷²，ｑ⁷³，ｑ⁷⁴ は０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０，１である。
【００５１】
一般式（８）について説明する。Ｒ⁸¹，Ｒ⁸²，Ｒ⁸³，Ｒ⁸⁴は前記Ｒ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ⁸⁵，Ｒ⁸⁶ は前記Ｒ¹と同じであり、好ましい範囲も同じである。ｑ⁸¹，ｑ⁸²，ｑ⁸³，ｑ⁸⁴ は０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０，１である。
【００５２】
本発明の化合物は低分子化合物であっも良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式（１）〜一般式（８）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【００５３】
本発明の化合物は、その蛍光スペクトルのλｍａｘ（最大発光波長）が４００〜５００ｎｍであることが好ましく、４００〜４８０ｎｍであることがより好ましく、４００〜４６０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００５４】
次に本発明の化合物の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００５５】
【化２５】

【００５６】
【化２６】

【００５７】
【化２７】

【００５８】
【化２８】

【００５９】
【化２９】

【００６０】
【化３０】

【００６１】
【化３１】

【００６２】
【化３２】

【００６３】
次に、本発明の化合物の製造方法について述べる。本発明の化合物は、種々の公知の芳香族炭素炭素結合生成反応を利用して合成可能であり、例えば、ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｉｓＲｅａｃｔｉｏｎＧｕｉｄｅ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．社）ｐ．６１７〜ｐ．６４３、及び、ＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅＯｒｇａｎｉｃＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ（ＶＣＨ社）ｐ．５〜ｐ．１０３などに記載されている手法を利用して合成することができる。パラジウム触媒存在下炭素炭素結合を生成する合成法好ましく、ホウ酸誘導体とアリールハライド誘導体をパラジウム触媒存在下合成する手法がさらに好ましい。
【００６４】
ホウ酸誘導体としては、置換または無置換のアリールホウ酸誘導体（例えば、１，４−フェニルジホウ酸、４，４′−ビフェニルジホウ酸、ピレンホウ酸誘導体、フェナントレンホウ酸誘導体等が挙げられる）、ヘテロアリールホウ酸誘導体（例えばピリジルジホウ酸などが挙げられる）などが挙げられる。
【００６５】
アリールハライド誘導体のハロゲン原子は、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、特に好ましくは臭素原子である。
【００６６】
パラジウム触媒としては、特に限定しないが、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン、パラジウムカーボン、酢酸パラジウム、パラジウムジクロライド（ｄｐｐｆ）（ｄｐｐｆ：１，１’−ビスジフェニルホスフィノフェロセン）などが挙げられる。トリフェニルホスフィンなどの配位子を同時に添加しても良い。
【００６７】
本反応は、塩基を用いたほうが好ましい。用いる塩基の種類は特に限定しないが、例えば、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、トリエチルアミンなどが挙げられる。用いる塩基の量は特に限定しないが、ホウ酸（エステル）部位に対して、好ましくは０．１〜２０当量、特に好ましくは１〜１０当量である。
【００６８】
本反応は溶媒を用いた方が好ましい。用いる溶媒は特に限定しないが、例えば、エタノール、水、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、トルエン、テトラヒドロフラン及びそれらの混合溶媒を用いることができる。
【００６９】
次に、本発明の化合物を含有する発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形態など特に問わないが、本発明の化合物からの発光を利用するもの、または本化合物を電荷輸送材料として利用する物が好ましい。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
【００７０】
本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法が好ましい。
【００７１】
本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【００７２】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００７３】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【００７４】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【００７５】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、また、一重項励起子、または、三重項励起子のいずれから発光する物であっても良い。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体、本発明の化合物等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【００７６】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン膜、本発明の化合物等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【００７７】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、本発明の化合物等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００７８】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法を適用できる。
【００７９】
【実施例】
以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
（１−１）の合成
ピレンホウ酸エステルａ１．０ｇ、１，３，５−トリブロモベンゼン０．２９ｇ、炭酸ナトリウム０．６ｇ、トリフェニルホスフィン０．０５ｇ、パラジウムカーボン０．０５ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル２０ｍｌ、水２０ｍｌを加え還流攪拌した。６時間後、反応溶液をクロロホルム２００ｍｌ、水２００ｍｌで希釈し、セライトろ過した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、再結晶で精製し（クロロホルム／メタノール）（１−１）０．５ｇを得た。（１−１）の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍａｘは４８０ｎｍであった。化合物のガラス転移点（Ｔｇ）を測定したところ、１６４℃であった。
【００８０】
【化３３】

【００８１】
（１−２）の合成
フェナントレンホウ酸エステル１．５ｇ、１，３，５−トリブロモベンゼン０．４７ｇ、炭酸ナトリウム１．６ｇ、トリフェニルホスフィン０．０７ｇ、パラジウムカーボン０．０７ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル３０ｍｌ、水３０ｍｌを加え還流攪拌した。６時間後、反応溶液をクロロホルム２００ｍｌ、一規定塩酸水２００ｍｌで希釈し、セライトろ過した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル系）で精製した後、再結晶で精製し（クロロホルム／メタノール）（１−２）１．０ｇを得た。ＭＳスペクトルを測定し、（１−２）の構造を確認した。（１−２）の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍａｘは３８０ｎｍであった。
【００８２】
【化３４】

【００８３】
（１−３９）の合成
ピレンホウ酸エステル１．０ｇ、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン０．２８ｇ、炭酸ナトリウム０．８８ｇ、トリフェニルホスフィン０．０５ｇ、パラジウムカーボン０．０５ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル３０ｍｌ、水３０ｍｌを加え還流攪拌した。６時間後、反応溶液をクロロホルム２００ｍｌ、一規定塩酸水２００ｍｌで希釈し、セライトろ過した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、再結晶で精製し（クロロホルム／メタノール）（１−３９）０．４ｇを得た。ＭＳスペクトルを測定し（１−３９）の構造を確認した。
【００８４】
【化３５】

【００８５】
（１−４０）の合成
フェナントレンホウ酸エステル１．１５ｇ、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン０．３５ｇ、炭酸ナトリウム０．９６ｇ、トリフェニルホスフィン０．０７ｇ、パラジウムカーボン０．０７ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル３０ｍｌ、水３０ｍｌを加え還流攪拌した。６時間後、室温に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体をクロロホルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカーボンを除去した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、再結晶で精製し（クロロホルム／メタノール）（１−４０）０．５ｇを得た。ＭＳスペクトル測定により（１−４０）の構造を確認した。（１−４０）の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍａｘは４４０ｎｍであった。
【００８６】
【化３６】

【００８７】
（１−３５）の合成
１，３，５−トリブロモベンゼン２５ｇにジエチルエーテル２５０ｍｌを加え、窒素気流下 −７８℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）５２ｍｌを滴下し、室温に昇温した。アンスロン１５．４ｇを分割添加し、加熱還流下３時間攪拌した。室温に冷却した溶液に酢酸エチル５００ｍｌ、一規定塩酸水３００ｍｌを加え、有機層を分取した。有機層を飽和食塩水３００ｍｌで洗浄した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製し中間体Ａ１．５ｇを得た。
ピレンホウ酸エステル０．８４ｇ、化合物Ａ０．５ｇ、炭酸ナトリウム０．５１ｇ、トリフェニルホスフィン０．０５ｇ、パラジウムカーボン０．０５ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル３０ｍｌ、水３０ｍｌを加え還流攪拌した。６時間後、室温に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体をクロロホルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカーボンを除去した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、再結晶で精製し（クロロホルム／メタノール）（１−３５）０．３ｇを得た。ＭＳスペクトル測定により（１−３５）の構造を確認した。
【００８８】
【化３７】

【００８９】
（１−３７）の合成
１，３，５−トリブロモベンゼン１０ｇにジエチルエーテル１５０ｍｌを加え、窒素気流下 −７８℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）４１．７ｍｌを滴下し、室温に昇温した。アンスロン１３．０ｇを分割添加し、加熱還流下３時間攪拌した。ジエチルエーテルを蒸留除去し、トルエン２００ｍｌ、パラトルエンスルホン酸０．１ｇを加え加熱還流下３時間攪拌した。室温に冷却した溶液にクロロホルム３００ｍｌ、水３００ｍｌを加え、有機層を分取、濃縮した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、晶析し（クロロホルム／ヘキサン）、中間体Ｂ２．０ｇを得た。
ピレンホウ酸エステル０．２７ｇ、化合物Ｂ０．４ｇ、炭酸ナトリウム０．１７ｇ、トリフェニルホスフィン０．０５ｇ、パラジウムカーボン０．０５ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル３０ｍｌ、水３０ｍｌを加え還流攪拌した。６時間後、室温に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体をクロロホルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカーボンを除去した。カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル系 → クロロホルム系）で精製した後、再結晶で精製し（クロロホルム／メタノール）（１−３７）０．１ｇを得た。ＭＳスペクトル測定により（１−３７）の構造を確認した。
【００９０】
【化３８】

【００９１】
比較例１
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、ジスチリル化合物ｂを２０ｎｍ蒸着し、この上にアゾール化合物ｃを４０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸着した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。その結果、色度値（０．１５，０．２０）の青緑色発光が得られ、最高輝度１１３０ｃｄ／ｍ² の輝度が得られた。窒素雰囲気下１日放置したところ、膜面の白濁が観察された。
【００９２】
【化３９】

【００９３】
比較例２
化合物ｂの替わりに化合物ｄを用い、比較例１と同様に素子作製した。有機薄膜が白濁し、素子評価不可であった。
比較例３
化合物ｂの替わりに化合物ｅを用い、比較例１と同様に素子作製した。有機膜が白濁し、素子評価不可であった。
【００９４】
実施例１
化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−１）を用い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、（０．１７，０．３１）の青緑色発光を得、最高輝度１２７４０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有機膜は透明であった。
実施例２
化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−８）を用い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、（０．１６，０．２０）の青緑色発光を得、最高輝度６１１０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有機膜は透明であった。
実施例３
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、ジスチリル化合物ｂと本発明の化合物（１−１）を２０ｎｍ共蒸着し（ジスチリル化合物ｂ：（１−１）＝５０：１）、この上にアゾール化合物ｃを４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に金属蒸着評価した。その結果、（０．１６，０．２０）の青緑色発光を得、最高輝度１１９００ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有機膜は透明であった。
実施例４
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）４０ｍｇ、ＰＢＤ（ｐ−ｔ−ブチルフェニル−ビフェニル−１，２，４，−オキサジアゾール）１２ｍｇ、本発明の化合物（１−２１）１ｍｇをジクロロエタン３ｍｌに溶解し、洗浄した基板上にスピンコートした（２０００ｒｐｍ，５ｓｅｃ）。比較例１と同様に陰極を蒸着、評価したところ、（０．１７，０．２０）の青緑色発光を得、最高輝度２７１０ｃｄ／ｍ²が得られた。
実施例５
化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−２７）を用い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、（０．１６，０．２２）の青色発光を得、最高輝度６１７０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有機膜は透明であった。
【００９５】
実施例６
化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−４０）を用い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、（０．１８，０．１８）の青色発光を得、最高輝度７５５０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有機膜は透明であった。
実施例７
化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−３５）を用い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、（０．２０，０．２８）の青緑色発光を得、最高輝度３９８０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有機膜は透明であった。
実施例８
化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−３４）を用い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、（０．１９，０．２２）の青色発光を得、最高輝度２７１０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有機膜は透明であった。
実施例９
化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−４０）を用い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、（０．１８，０．１８）の青色発光を得、最高輝度３２４０ｃｄ／ｍ²を得た。窒素雰囲気下１日放置しても有機膜は透明であった。
実施例１０
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−２）、化合物ｆを１０対１の比率で２０ｎｍ共蒸着した。この上にアゾール化合物ｃを４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した。その結果、色度値（０．６０，０．３９）の赤色発光が得られ、最高輝度１８７００ｃｄ／ｍ² が得られた。外部量子効率を算出したところ１２．０％であった。
同様に、本発明のその他の化合物含有ＥＬ素子を作製・評価したところ、本発明の化合物がＥＬ素子材料として高機能（輝度、耐久性、成膜性）を有することが確認できた。
【００９６】
【発明の効果】
本発明の化合物は有機ＥＬ用材料として使用可能であり、また、本発明の化合物は医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、カラーフィルター用染料、色変換フィルター等にも適用可能である。

Claims

一般式（３）で表される化合物。

式中、Ｒ¹¹，Ｒ¹²，Ｒ¹³は置換基を表す。Ｒ¹⁴，Ｒ¹⁵，Ｒ¹⁶は水素原子または置換基を表す。ｑ¹¹，ｑ¹²，ｑ¹³ は０〜９の整数を表す。
請求項１に記載の一般式（３）で表される化合物から成る発光素子材料。
下記一般式（４）で表される化合物から成る発光素子材料。

式中、Ｒ ⁴¹ ，Ｒ ⁴² ，Ｒ ⁴³ は置換基を表す。Ｒ ⁴⁴ ，Ｒ ⁴⁵ ，Ｒ ⁴⁶ は水素原子または置換基を表す。ｑ ⁴¹ ，ｑ ⁴² ，ｑ ⁴³ は０〜９の整数を表す。
一般式（５）で表される化合物。

式中、Ｒ⁵¹は置換基を表し、Ｒ⁵⁴，Ｒ⁵⁵，Ｒ⁵⁶ は水素原子または置換基を表す。Ａｒ⁵¹ はフェナントリル基、または、ピレニル基を表し、Ａｒ⁵²はフェナントリル基、または、ピレニル基を表す。ｑ⁵¹ は０〜９の整数を表す。
一般式（７）で表される化合物。

式中、Ｒ⁷¹，Ｒ⁷²，Ｒ⁷³，Ｒ⁷⁴は置換基を表し、Ｒ⁷⁵，Ｒ⁷⁶ は水素原子または置換基を表す。ｑ⁷¹，ｑ⁷²，ｑ⁷³，ｑ⁷⁴ は０〜９の整数を表す。
請求項５に記載の一般式（７）で表される化合物から成る発光素子材料。
一般式（８）で表される化合物。

式中、Ｒ⁸¹，Ｒ⁸²，Ｒ⁸³，Ｒ⁸⁴は置換基を表し、Ｒ⁸⁵，Ｒ⁸⁶ は水素原子または置換基を表す。ｑ⁸¹，ｑ⁸²，ｑ⁸³，ｑ⁸⁴ は０〜９の整数を表す。
請求項７に記載の一般式（８）で表される化合物から成る発光素子材料。
一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも一層が請求項２、３、６、または８に記載の発光素子材料を少なくとも一種含有する層であることを特徴とする発光素子。
請求項２、３、６、または８に記載の発光素子材料を含む層を塗布プロセスで成膜することを特徴とする請求項９に記載の有機発光素子。