JP2000305276A - 露光方法および装置 - Google Patents
露光方法および装置Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 投影光学系の限界分解能以下の微細パターン
を解像する。 【解決手段】 投影光学系の解像度より高い分解能を持
った基板吸着ステージを用いるとともに、１工程内の露
光を複数回に分け、各露光毎の露光量の積算が最適露光
量となるように露光し、かつ各露光毎に基板上への投影
像を前記投影光学系の限界分解能の範囲内でずらして露
光する。
を解像する。 【解決手段】 投影光学系の解像度より高い分解能を持
った基板吸着ステージを用いるとともに、１工程内の露
光を複数回に分け、各露光毎の露光量の積算が最適露光
量となるように露光し、かつ各露光毎に基板上への投影
像を前記投影光学系の限界分解能の範囲内でずらして露
光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク上の
パターンを吸着ステージ上の基板に露光転写するための
露光方法および装置に関するものであり、特にパターン
密度が低く尚かつ微細パターンを露光転写する必要のあ
る液晶表示素子などの露光に適用して好適な露光方法お
よび装置に関するものである。
パターンを吸着ステージ上の基板に露光転写するための
露光方法および装置に関するものであり、特にパターン
密度が低く尚かつ微細パターンを露光転写する必要のあ
る液晶表示素子などの露光に適用して好適な露光方法お
よび装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の露光方法としては投影光学系に関
係せずフォトレジスト（感光剤）を塗布された基板を機
械的に基板吸着ステージに位置決めし真空吸着し、予め
マスク吸着ステージに吸着保持されたマスク上のアライ
メントマークと基板上のアライメントマークを位置合わ
せし１回の露光で適正露光量を与えていた。或いは基板
上にアライメントマークが無い第一工程ではアライメン
トマークによる位置合わせは行わずに１回の露光で適正
露光量を与えていた。
係せずフォトレジスト（感光剤）を塗布された基板を機
械的に基板吸着ステージに位置決めし真空吸着し、予め
マスク吸着ステージに吸着保持されたマスク上のアライ
メントマークと基板上のアライメントマークを位置合わ
せし１回の露光で適正露光量を与えていた。或いは基板
上にアライメントマークが無い第一工程ではアライメン
トマークによる位置合わせは行わずに１回の露光で適正
露光量を与えていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では基板上に転写できる解像度はフォトマスク上の
パターンを基板に投影する光学系の性能に大きく依存し
てしまう。従って、より微細なパターンを転写しようと
すると少なくともより高解像度の投影光学系を装備しな
ければならない。また、液晶表示素子は年々大型化して
いる。それに伴い露光面積の拡張も迫られている。投影
光学系の大型化と高解像度とを両立させることは極めて
困難である。
来例では基板上に転写できる解像度はフォトマスク上の
パターンを基板に投影する光学系の性能に大きく依存し
てしまう。従って、より微細なパターンを転写しようと
すると少なくともより高解像度の投影光学系を装備しな
ければならない。また、液晶表示素子は年々大型化して
いる。それに伴い露光面積の拡張も迫られている。投影
光学系の大型化と高解像度とを両立させることは極めて
困難である。
【０００４】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、投影光学系の解像度以上の、す
なわち投影光学系の限界分解能（解像限界）以下の微細
パターンを解像し得る露光方法を提供することを目的と
する。
鑑みてなされたもので、投影光学系の解像度以上の、す
なわち投影光学系の限界分解能（解像限界）以下の微細
パターンを解像し得る露光方法を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、投影光学系の解像度より高い分解能を持
った基板吸着ステージを用いるとともに、１工程内の露
光を複数回に分け、各露光毎の露光量の積算が最適露光
量となるように露光し、かつ各露光毎に基板上への投影
像を前記投影光学系の限界分解能の範囲内でずらして露
光することを特徴とする。
め本発明では、投影光学系の解像度より高い分解能を持
った基板吸着ステージを用いるとともに、１工程内の露
光を複数回に分け、各露光毎の露光量の積算が最適露光
量となるように露光し、かつ各露光毎に基板上への投影
像を前記投影光学系の限界分解能の範囲内でずらして露
光することを特徴とする。
【０００６】
【作用】通常、より微細なパターンを露光転写するには
投影光学系の分解能付近の線幅パターンが限界である。
本発明はこの投影光学系の限界分解能以下の線幅のパタ
ーンを露光転写させるための露光方法を提供するもので
ある。
投影光学系の分解能付近の線幅パターンが限界である。
本発明はこの投影光学系の限界分解能以下の線幅のパタ
ーンを露光転写させるための露光方法を提供するもので
ある。
【０００７】従来は１回の露光で基板上にフォトマスク
のパターンを転写露光していた。従って投影光学系の分
解能以上に線幅の狭い（すなわち投影光学系の限界分解
能以下の線幅の）パターンを転写露光することは出来な
かった。フォトマスク上のアライメントマークと基板吸
着ステージ上の基板のアライメントマークを位置合わせ
し、フォトマスク上のパターンを基板上に投影し転写露
光する露光装置は、基板吸着ステージの駆動分解能はア
ライメントマークの高い位置合わせ精度を実現するため
投影光学系の分解能以上の性能を持っている。本発明の
露光方法では従来の１回の露光転写を２回以上に分け、
尚かつ各露光ではマスクと基板を僅かだけ故意にずらし
各露光で重なり合った部分の積算露光量が適正になるよ
うに露光する。このときに故意にずらす量は投影光学系
の限界分解能以内とすることで投影光学系の限界線幅以
下の線幅のみ適正露光量を与える。この基板を現像処理
することで適正露光量を与えられた部分のみ選択的に感
光剤が残り（ポジレジストの場合で、ネガレジストの場
合は選択的に感光剤が剥離される）、投影光学系の限界
分解能以下の線幅を得ることが可能となる。
のパターンを転写露光していた。従って投影光学系の分
解能以上に線幅の狭い（すなわち投影光学系の限界分解
能以下の線幅の）パターンを転写露光することは出来な
かった。フォトマスク上のアライメントマークと基板吸
着ステージ上の基板のアライメントマークを位置合わせ
し、フォトマスク上のパターンを基板上に投影し転写露
光する露光装置は、基板吸着ステージの駆動分解能はア
ライメントマークの高い位置合わせ精度を実現するため
投影光学系の分解能以上の性能を持っている。本発明の
露光方法では従来の１回の露光転写を２回以上に分け、
尚かつ各露光ではマスクと基板を僅かだけ故意にずらし
各露光で重なり合った部分の積算露光量が適正になるよ
うに露光する。このときに故意にずらす量は投影光学系
の限界分解能以内とすることで投影光学系の限界線幅以
下の線幅のみ適正露光量を与える。この基板を現像処理
することで適正露光量を与えられた部分のみ選択的に感
光剤が残り（ポジレジストの場合で、ネガレジストの場
合は選択的に感光剤が剥離される）、投影光学系の限界
分解能以下の線幅を得ることが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい第１の実施の形
態では、投影光学系の解像度以上の分解能を持った基板
吸着ステージを具備し、露光領域を走査しながら投影露
光する走査型液晶用露光装置で、１工程内の露光を２回
の露光で各露光毎の露光量の積算が最適露光量となるよ
うに露光し、往路のｌ回目露光と復路の２回目露光とで
フォトマスクと感光剤を塗布された基板とを投影光学系
の限界分解能以下の寸法ずらして露光する。
態では、投影光学系の解像度以上の分解能を持った基板
吸着ステージを具備し、露光領域を走査しながら投影露
光する走査型液晶用露光装置で、１工程内の露光を２回
の露光で各露光毎の露光量の積算が最適露光量となるよ
うに露光し、往路のｌ回目露光と復路の２回目露光とで
フォトマスクと感光剤を塗布された基板とを投影光学系
の限界分解能以下の寸法ずらして露光する。
【０００９】上記の露光方法で露光された基板を現像す
ることによって大幅にスループットを損なうことなく投
影光学の限界分解能以下のパターンを形成する。
ることによって大幅にスループットを損なうことなく投
影光学の限界分解能以下のパターンを形成する。
【００１０】また、本発明の好ましい第２の実施の形態
では、１工程内の露光を２回に分けて行い、第２回目の
露光で使用するフォトマスクは第１回目のフォトマスク
の基準位置に対し投影光学系の限界分解能以下の配置ず
れを持たせる。２回の露光で重なり合った部分が最適露
光量が得られ、現像することによって投影光学系の限界
分解能以下のパターンを形成することができる。
では、１工程内の露光を２回に分けて行い、第２回目の
露光で使用するフォトマスクは第１回目のフォトマスク
の基準位置に対し投影光学系の限界分解能以下の配置ず
れを持たせる。２回の露光で重なり合った部分が最適露
光量が得られ、現像することによって投影光学系の限界
分解能以下のパターンを形成することができる。
【００１１】幸いに液晶表示素子は微細加工を必要とす
るが加工密度は半導体素子に比べれば極めて低い。従っ
て本発明の露光方法は液晶表示素子のようなパターンを
描画するには最適であり、より高解像度の投影光学系に
変更することなく既存の投影光学系の解像度以上のパタ
ーンを転写露光するための露光方法を提供出来る。
るが加工密度は半導体素子に比べれば極めて低い。従っ
て本発明の露光方法は液晶表示素子のようなパターンを
描画するには最適であり、より高解像度の投影光学系に
変更することなく既存の投影光学系の解像度以上のパタ
ーンを転写露光するための露光方法を提供出来る。
【００１２】以下、図面を用いて本発明の実施の形態を
説明する。 （第１の実施の形態）前述の手段に従い２回の露光で投
影光学系の限界分解能以下の線幅を得る場合について述
べる。露光装置（例えば１対１の走査型投影光学）の投
影光学系の限界分解能（例えば３．５μｍ）付近の線幅
（例えば４μｍ）を持ったフォトマスクをマスクステー
ジに吸着固定する。感光剤（ポジレジスト）を塗布され
た基板を基板吸着ステージに吸着固定し、第２工程以降
であればフォトマスク上のアライメントマークと基板上
のアライメントマークを高精度に位置合わせを行う。次
に適正露光量の１／２の露光量を与えるようにフォトマ
スク上のパターンを基板に露光転写する（往路の露光転
写）。走査型投影光学系の露光装置ではこのときの走査
速度は適正露光時の２倍となる。図１はこの露光で往路
の第１回目の露光が完了した際のパターンと断面の露光
量分布である。往路の走査露光方向に対して逆方向であ
る復路の第２回目の露光を行う前に投影光学系の分解能
よりも高い分解能を持った基板吸着ステージをＸまたは
Ｙ方向にそれぞれ故意に２μｍ駆動し適正露光量の１／
２の露光量を与えるようにフォトマスク上のパターンを
基板に露光転写する。復路の走査速度も適正露光時の２
倍となる。図２は往路の第１回目の露光とこの復路の第
２回目の露光で転写されたパターンとそのＡ−Ａ’断面
の露光量分布である。適正露光量が得られたのは投影光
学系の限界分解能（例えば３．５μｍ）以下の所望のパ
ターン線幅の部分（２μｍ）である。ここで選択的に適
正露光された基板を露光装置より搬出し次に感光剤の現
像処理を実施する。
説明する。 （第１の実施の形態）前述の手段に従い２回の露光で投
影光学系の限界分解能以下の線幅を得る場合について述
べる。露光装置（例えば１対１の走査型投影光学）の投
影光学系の限界分解能（例えば３．５μｍ）付近の線幅
（例えば４μｍ）を持ったフォトマスクをマスクステー
ジに吸着固定する。感光剤（ポジレジスト）を塗布され
た基板を基板吸着ステージに吸着固定し、第２工程以降
であればフォトマスク上のアライメントマークと基板上
のアライメントマークを高精度に位置合わせを行う。次
に適正露光量の１／２の露光量を与えるようにフォトマ
スク上のパターンを基板に露光転写する（往路の露光転
写）。走査型投影光学系の露光装置ではこのときの走査
速度は適正露光時の２倍となる。図１はこの露光で往路
の第１回目の露光が完了した際のパターンと断面の露光
量分布である。往路の走査露光方向に対して逆方向であ
る復路の第２回目の露光を行う前に投影光学系の分解能
よりも高い分解能を持った基板吸着ステージをＸまたは
Ｙ方向にそれぞれ故意に２μｍ駆動し適正露光量の１／
２の露光量を与えるようにフォトマスク上のパターンを
基板に露光転写する。復路の走査速度も適正露光時の２
倍となる。図２は往路の第１回目の露光とこの復路の第
２回目の露光で転写されたパターンとそのＡ−Ａ’断面
の露光量分布である。適正露光量が得られたのは投影光
学系の限界分解能（例えば３．５μｍ）以下の所望のパ
ターン線幅の部分（２μｍ）である。ここで選択的に適
正露光された基板を露光装置より搬出し次に感光剤の現
像処理を実施する。
【００１３】現像された基板は適正露光量を与えられた
部分（２μｍ）のみが選択的に感光剤が残り、適正露光
量以下の部分は感光剤が剥離される。図３は現像後の感
光剤のパターンを示す。
部分（２μｍ）のみが選択的に感光剤が残り、適正露光
量以下の部分は感光剤が剥離される。図３は現像後の感
光剤のパターンを示す。
【００１４】このようにして投影光学系の分解能より高
い分解能を持った基板吸着ステージを具備する走査型露
光装置を使用し、往路と復路の２回の露光で適正露光量
が得られるように、尚かつ往路と復路でマスクと基板を
ずらして露光することによって投影光学系の限界分解能
以下の線幅パターンを得ることが出来る。また、１工程
の露光に要する時間は２回の走査露光時間は適正露光時
と同一であり、復路露光する直前の基板吸着ステージを
ＸまたはＹ方向に２μｍ駆動する時間が余分に要する時
間である。従って大幅なスループット低下を防ぐことも
可能である。
い分解能を持った基板吸着ステージを具備する走査型露
光装置を使用し、往路と復路の２回の露光で適正露光量
が得られるように、尚かつ往路と復路でマスクと基板を
ずらして露光することによって投影光学系の限界分解能
以下の線幅パターンを得ることが出来る。また、１工程
の露光に要する時間は２回の走査露光時間は適正露光時
と同一であり、復路露光する直前の基板吸着ステージを
ＸまたはＹ方向に２μｍ駆動する時間が余分に要する時
間である。従って大幅なスループット低下を防ぐことも
可能である。
【００１５】（第２の実施の形態）第１の実施の形態で
は第２回目の露光前に基板吸着ステージを駆動しフォト
マスク上のパターンをずらして基板に露光転写したが、
第２回目用にパターン形成されたフォトマスクを用意す
ることも可能である。前述第１の実施の形態のように４
μｍのフォトマスク上パターンで基板上に２μｍの線幅
を形成する場合について述べる。第１回目の露光用フォ
トマスクのパターンに対し、第２回目の露光用フォトマ
スクパターンは基本的には第１回目用と同様に４μｍの
パターンで形成しておく。但し、アライメントマークに
対してはＸおよびＹ方向に対し２μｍだけ予めずらして
配置しておく。また、２回の露光で重なり合った部分形
状を修正するようなパターンにしておくと良い（図４参
照）。
は第２回目の露光前に基板吸着ステージを駆動しフォト
マスク上のパターンをずらして基板に露光転写したが、
第２回目用にパターン形成されたフォトマスクを用意す
ることも可能である。前述第１の実施の形態のように４
μｍのフォトマスク上パターンで基板上に２μｍの線幅
を形成する場合について述べる。第１回目の露光用フォ
トマスクのパターンに対し、第２回目の露光用フォトマ
スクパターンは基本的には第１回目用と同様に４μｍの
パターンで形成しておく。但し、アライメントマークに
対してはＸおよびＹ方向に対し２μｍだけ予めずらして
配置しておく。また、２回の露光で重なり合った部分形
状を修正するようなパターンにしておくと良い（図４参
照）。
【００１６】露光装置のマスクステージに第１回目の露
光用フォトマスクをマスクステージに吸着固定してお
く。感光剤を塗布された基板を基板吸着ステージに吸着
固定し、フォトマスク上のアライメントマークと基板上
のアライメントマークを高精度に位置合わせを行う。次
に適正露光量の１／２の露光量を与えるようにフォトマ
スク上のパターンを基板に露光転写する。第２回目の露
光を行う前にマスクステージ上の第１回目用フォトマス
クを取り外し（Ｕｎｌｏａｄし）、第２回目用フォトマ
スクをマスクステージ上に装着（ｌｏａｄ）し吸着固定
する。第２回目用フォトマスク上のアライメントマーク
と基板吸着ステージ上の基板上のアライメントマークを
高精度に位置合わせを行う。適正露光量の１／２の露光
量を与えるようにフォトマスク上のパターンを基板に露
光転写する。図５は第１回目の露光とこの第２回目の露
光で転写されたパターンとその断面の露光量分布であ
る。適正露光量が得られたのは２回の露光で重なり合っ
た部分のみで、この部分は投影光学系の限界分解能以下
の所望のパターン線幅の部分（２μｍ）である。ここで
選択的に適正露光された基板を露光装置より搬出し次に
感光剤の現像処理を実施する。後は第１の実施の形態と
同様に適正露光量を与えられた分のみが感光剤が残る。
図６は現像後の残された感光剤のパターンを示す。
光用フォトマスクをマスクステージに吸着固定してお
く。感光剤を塗布された基板を基板吸着ステージに吸着
固定し、フォトマスク上のアライメントマークと基板上
のアライメントマークを高精度に位置合わせを行う。次
に適正露光量の１／２の露光量を与えるようにフォトマ
スク上のパターンを基板に露光転写する。第２回目の露
光を行う前にマスクステージ上の第１回目用フォトマス
クを取り外し（Ｕｎｌｏａｄし）、第２回目用フォトマ
スクをマスクステージ上に装着（ｌｏａｄ）し吸着固定
する。第２回目用フォトマスク上のアライメントマーク
と基板吸着ステージ上の基板上のアライメントマークを
高精度に位置合わせを行う。適正露光量の１／２の露光
量を与えるようにフォトマスク上のパターンを基板に露
光転写する。図５は第１回目の露光とこの第２回目の露
光で転写されたパターンとその断面の露光量分布であ
る。適正露光量が得られたのは２回の露光で重なり合っ
た部分のみで、この部分は投影光学系の限界分解能以下
の所望のパターン線幅の部分（２μｍ）である。ここで
選択的に適正露光された基板を露光装置より搬出し次に
感光剤の現像処理を実施する。後は第１の実施の形態と
同様に適正露光量を与えられた分のみが感光剤が残る。
図６は現像後の残された感光剤のパターンを示す。
【００１７】このようにして投影光学系の分解能より小
さなズレを持たせた２枚のフォトマスクを２回の露光で
適正露光量が得られるように露光することによって投影
光学系の限界分解能以下の線幅パターンを得ることが出
来る。
さなズレを持たせた２枚のフォトマスクを２回の露光で
適正露光量が得られるように露光することによって投影
光学系の限界分解能以下の線幅パターンを得ることが出
来る。
【００１８】（第３の実施の形態）図７は第１回目用の
パターンと第２回目用のパターンの形状を異ならせた例
を示す。この場合も２回の露光で重なり合った部分のみ
が現像され、図８に示すような、投影光学系の限界分解
能以下の線幅パターンを得ることができる。
パターンと第２回目用のパターンの形状を異ならせた例
を示す。この場合も２回の露光で重なり合った部分のみ
が現像され、図８に示すような、投影光学系の限界分解
能以下の線幅パターンを得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば既
存の露光装置の投影光学系の限界分解能以下の線幅を形
成することが可能になる。特に第１の実施の形態のよう
に往路、復路の間でずらすことによって大幅なスループ
ット低下にならない。これによって高価な露光装置を準
備することなく、また新たに投影光学系を作ることなく
より微細なパターンを形成することが可能になる。
存の露光装置の投影光学系の限界分解能以下の線幅を形
成することが可能になる。特に第１の実施の形態のよう
に往路、復路の間でずらすことによって大幅なスループ
ット低下にならない。これによって高価な露光装置を準
備することなく、また新たに投影光学系を作ることなく
より微細なパターンを形成することが可能になる。
【図１】 第１の実施の形態での第１回目（往路）の露
光の状態を示す図である。
光の状態を示す図である。
【図２】 第１の実施の形態での第２回目（復路）の露
光の状態を示す図である。
光の状態を示す図である。
【図３】 第１の実施の形態での現像後の状態を示す図
である。
である。
【図４】 第２の実施の形態の第１回目のフォトマスク
パターンと第２回目のフォトマスクパターンを示す図で
ある。
パターンと第２回目のフォトマスクパターンを示す図で
ある。
【図５】 第２の実施の形態の第１回目および第２回目
の露光後の状態を示す図である。
の露光後の状態を示す図である。
【図６】 第２の実施の形態での現像後の状態を示す図
である。
である。
【図７】 第３の実施の形態の第１回目および第２回目
の露光後の状態を示す図である。
の露光後の状態を示す図である。
【図８】 第３の実施の形態での現像後の状態を示す図
である。
である。
Claims (5)
- 【請求項１】 投影光学系と該投影光学系の解像度より
高い分解能を持った基板吸着ステージとを具備する露光
装置における露光方法であって、 １工程内の露光を複数回に分け、各露光毎にフォトマス
クと感光剤を塗布された基板との相対位置を前記投影光
学系の限界分解能の範囲内でずらし、前記各露光毎の露
光量の積算が最適露光量となるように露光することを特
徴とする露光方法。 - 【請求項２】 投影光学系と該投影光学系の解像度以上
の分解能を持った基板吸着ステージを具備し、露光領域
を走査しながら投影露光する走査型露光装置を用い、１
工程内の露光を２回の露光で各露光毎の露光量の積算が
最適露光量となるように露光し、往路のｌ回目露光と復
路の２回目露光とでフォトマスクと感光剤を塗布された
基板とを前記投影光学系の限界分解能以下の寸法ずら
し、往復２回の露光で二重に露光された部分を現像する
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項３】 投影光学系と該投影光学系の解像度より
高い分解能を持った基板吸着ステージとを具備する露光
装置における露光方法であって、 １工程内の露光を複数回に分け、各露光毎にパターンの
位置が前記投影光学系の限界分解能以下の寸法ずらした
フォトマスクを用い、前記各露光毎の露光量の積算が最
適露光量となるように露光することを特徴とする露光方
法。 - 【請求項４】 投影光学系と該投影光学系の解像度以上
の分解能を持った基板吸着ステージを具備し、露光領域
を走査しながら投影露光する走査型露光装置を用い、１
工程内の露光を２回に分けて行い、第２回目の露光で使
用するフォトマスクは第１回目のフォトマスクの基準位
置に対し投影光学系の限界分解能以下の配置ずれを持た
せたものであることを特徴とする露光方法。 - 【請求項５】 投影光学系の解像度以上の分解能を持っ
た基板吸着ステージを具備し、露光領域を走査しながら
投影露光する走査型露光装置であって、 １工程内の露光を２回の露光で各露光毎の露光量の積算
が最適露光量となるように露光する露光量制御手段と、 同一露光領域を往復２回、往路のｌ回目露光と復路の２
回目露光とでフォトマスクと感光剤を塗布された基板と
を前記投影光学系の限界分解能以内の所定寸法だけずら
して走査させるステージ制御手段とを具備することを特
徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115428A JP2000305276A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 露光方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115428A JP2000305276A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 露光方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002236371A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 凹凸パターン層の製造方法、およびこの方法を用いて製造される液晶ディスプレイおよびカラーフィルタ |
| JP2010145785A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法及びインプリント用モールドの製造方法 |
| JP2010224569A (ja) * | 2000-12-05 | 2010-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 凹凸パターン層の製造方法、およびこの方法を用いて製造される液晶ディスプレイおよびカラーフィルタ |
-
1999
- 1999-04-22 JP JP11115428A patent/JP2000305276A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002236371A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 凹凸パターン層の製造方法、およびこの方法を用いて製造される液晶ディスプレイおよびカラーフィルタ |
| JP2010224569A (ja) * | 2000-12-05 | 2010-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 凹凸パターン層の製造方法、およびこの方法を用いて製造される液晶ディスプレイおよびカラーフィルタ |
| JP4633858B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2011-02-16 | 大日本印刷株式会社 | 凹凸パターン層の製造方法、およびこの方法を用いて製造される液晶ディスプレイおよびカラーフィルタ |
| JP4633297B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2011-02-16 | 大日本印刷株式会社 | 凹凸パターン層の製造方法、およびこの方法を用いて製造される液晶ディスプレイおよびカラーフィルタ |
| JP2010145785A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法及びインプリント用モールドの製造方法 |
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