JP2000227771A - カラーｅｌ表示装置 - Google Patents
カラーｅｌ表示装置Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素毎に異なる色を発光する発光層を有する
カラーＥＬ表示装置において、隣接する画素間で色が混
じってしまい色純度が悪化することを防ぎ、高集積化を
行っても色純度の高いカラーＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 発光領域７の水平方向にコンデンサ５の
一部を配置し、発光領域の水平方向の間隔を確保する。
発光層を蒸着する際のメタルマスクの合わせずれが生じ
ても、水平方向の距離が確保されているので異なる色同
士が混ざりにくい。また、発光領域の垂直方向にもコン
デンサ５の一部もしくは、ＴＦＴ４、６が配置されてい
る。従って、デルタ配列において列方向に隣接する画素
に対しても色純度が高い。
カラーＥＬ表示装置において、隣接する画素間で色が混
じってしまい色純度が悪化することを防ぎ、高集積化を
行っても色純度の高いカラーＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】 発光領域７の水平方向にコンデンサ５の
一部を配置し、発光領域の水平方向の間隔を確保する。
発光層を蒸着する際のメタルマスクの合わせずれが生じ
ても、水平方向の距離が確保されているので異なる色同
士が混ざりにくい。また、発光領域の垂直方向にもコン
デンサ５の一部もしくは、ＴＦＴ４、６が配置されてい
る。従って、デルタ配列において列方向に隣接する画素
に対しても色純度が高い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（TFT）を用いてエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素
子を駆動するアクティブ型のカラーＥＬ表示装置に関す
る。
（TFT）を用いてエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素
子を駆動するアクティブ型のカラーＥＬ表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、自ら発光するため液晶
表示装置で必要なバックライトが要らず薄型化に最適で
あると共に、視野角にも制限が無いため、次世代の表示
装置としてその実用化が大きく期待されている。
表示装置で必要なバックライトが要らず薄型化に最適で
あると共に、視野角にも制限が無いため、次世代の表示
装置としてその実用化が大きく期待されている。
【０００３】このような有機ＥＬ素子を用いた表示装置
において、カラー表示を実現する方法として、現在３つ
の方法が提案されている。
において、カラー表示を実現する方法として、現在３つ
の方法が提案されている。
【０００４】第１の方法は、ＲＧＢの３原色毎に発光層
に異なる発光材料を使用することにより、ＲＧＢ光を各
々直接発光する各画素を独立に形成する方法、第２の方
法は、発光層による白色発光を実現しそれをカラーフィ
ルタで３原色に分ける方法、そして第３の方法は、青色
発光層からの光を色変換層（CCM）で３原色に変換する
方法である。これら３つの方法のうち、第２及び第３の
方法ではカラーフィルタや色変換層を用いるため光の損
失があるが、第１の方法では必要な光を直接発光させる
ため効率が最も良い。
に異なる発光材料を使用することにより、ＲＧＢ光を各
々直接発光する各画素を独立に形成する方法、第２の方
法は、発光層による白色発光を実現しそれをカラーフィ
ルタで３原色に分ける方法、そして第３の方法は、青色
発光層からの光を色変換層（CCM）で３原色に変換する
方法である。これら３つの方法のうち、第２及び第３の
方法ではカラーフィルタや色変換層を用いるため光の損
失があるが、第１の方法では必要な光を直接発光させる
ため効率が最も良い。
【０００５】ところで、有機ＥＬ表示装置の駆動方式と
しては、単純マトリクスを使用するパッシブ型とTFTを
使用するアクティブ型の２種類があり、アクティブ型に
おいては一般に図８に示す回路構成が用いられている。
しては、単純マトリクスを使用するパッシブ型とTFTを
使用するアクティブ型の２種類があり、アクティブ型に
おいては一般に図８に示す回路構成が用いられている。
【０００６】図８は、１画素当たりの回路構成を示して
おり、有機ＥＬ素子２０と、ドレインに表示信号Dataが
印加され、ゲートに印加される選択信号Sc anによりオ
ンオフするスイッチング用の第１のTFT２１と、TFT２１
のオン時に供給される表示信号Dataにより充電され、TF
T２１のオフ時には充電電圧Vhを保持するコンデンサ２
２と、ドレインが駆動電源電圧COMに接続され、ソース
が有機ＥＬ素子２０の陽極に接続されると共に、ゲート
にコンデンサ２２からの保持電圧Vhが供給されることに
より有機ＥＬ素子２０を駆動する第２のTFT２３とによ
って構成されている。
おり、有機ＥＬ素子２０と、ドレインに表示信号Dataが
印加され、ゲートに印加される選択信号Sc anによりオ
ンオフするスイッチング用の第１のTFT２１と、TFT２１
のオン時に供給される表示信号Dataにより充電され、TF
T２１のオフ時には充電電圧Vhを保持するコンデンサ２
２と、ドレインが駆動電源電圧COMに接続され、ソース
が有機ＥＬ素子２０の陽極に接続されると共に、ゲート
にコンデンサ２２からの保持電圧Vhが供給されることに
より有機ＥＬ素子２０を駆動する第２のTFT２３とによ
って構成されている。
【０００７】選択信号Scanは、選択された１水平走査期
間（１Ｈ）中Ｈレベルになり、これによってTFT２１が
オンすると、表示信号Dataがコンデンサ２２の一端に供
給され、表示信号Dataに応じた電圧Vhがコンデンサ２２
に充電される。この電圧Vhは、ScanがＬレベルになって
TFT２１がオフになっても、１垂直走査（１Ｖ）期間コ
ンデンサ２２に保持され続ける。そして、この電圧Vhが
TFT２３のゲートに供給されているので、電圧Vhに応じ
た輝度でＥＬ素子が発光するように制御される。
間（１Ｈ）中Ｈレベルになり、これによってTFT２１が
オンすると、表示信号Dataがコンデンサ２２の一端に供
給され、表示信号Dataに応じた電圧Vhがコンデンサ２２
に充電される。この電圧Vhは、ScanがＬレベルになって
TFT２１がオフになっても、１垂直走査（１Ｖ）期間コ
ンデンサ２２に保持され続ける。そして、この電圧Vhが
TFT２３のゲートに供給されているので、電圧Vhに応じ
た輝度でＥＬ素子が発光するように制御される。
【０００８】そこで、このようなアクティブ型のＥＬ表
示装置において、上述した第１の方法によりカラー表示
を実現する従来構成について、以下説明する。
示装置において、上述した第１の方法によりカラー表示
を実現する従来構成について、以下説明する。
【０００９】図５は従来構成を示す平面図、図６は図５
におけるＣ−Ｃ線に沿った断面図であり、ＲＧＢの３画
素を示している。
におけるＣ−Ｃ線に沿った断面図であり、ＲＧＢの３画
素を示している。
【００１０】図において、５０は表示信号DATAを供給す
るドレインライン、５１は電源電圧COMを供給する電源
ライン、５２は選択信号Scanを供給するゲートラインで
あり、５３が図８の第１のTFT２１、５４が図８のコン
デンサ２２、５５が図８の第２のTFT２３、５６が画素
電極を構成するEＬ素子２０の陽極を表している。陽極
５６は平坦化絶縁膜６０上に各画素毎に分離して形成さ
れており、その上にホール輸送層６１，発光層６２，電
子輸送層６３，陰極６４が順に積層されることにより、
ＥＬ素子が形成されている。そして、陽極５６から注入
されたホールと陰極６４から注入された電子とが発光層
６２の内部で再結合することにより光が放たれ、この光
が図６の矢印で示すように透明な陽極側から外部へ放射
される。また、発光層６２は陽極５６とほぼ同様の形状
に画素毎に分離して形成され、更にＲＧＢ毎に異なる発
光材料を使用することにより、ＲＧＢの各光が各ＥＬ素
子から発光される。尚、６５は透明なガラス基板、６６
はゲート絶縁膜、６７は層間絶縁膜である。
るドレインライン、５１は電源電圧COMを供給する電源
ライン、５２は選択信号Scanを供給するゲートラインで
あり、５３が図８の第１のTFT２１、５４が図８のコン
デンサ２２、５５が図８の第２のTFT２３、５６が画素
電極を構成するEＬ素子２０の陽極を表している。陽極
５６は平坦化絶縁膜６０上に各画素毎に分離して形成さ
れており、その上にホール輸送層６１，発光層６２，電
子輸送層６３，陰極６４が順に積層されることにより、
ＥＬ素子が形成されている。そして、陽極５６から注入
されたホールと陰極６４から注入された電子とが発光層
６２の内部で再結合することにより光が放たれ、この光
が図６の矢印で示すように透明な陽極側から外部へ放射
される。また、発光層６２は陽極５６とほぼ同様の形状
に画素毎に分離して形成され、更にＲＧＢ毎に異なる発
光材料を使用することにより、ＲＧＢの各光が各ＥＬ素
子から発光される。尚、６５は透明なガラス基板、６６
はゲート絶縁膜、６７は層間絶縁膜である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の第１のＴＦＴ５
３、コンデンサ５４、第２のＴＦＴ５５、陽極５６の配
置は、集積度が充分考慮されておらず、さらなる高集積
化が望まれる。
３、コンデンサ５４、第２のＴＦＴ５５、陽極５６の配
置は、集積度が充分考慮されておらず、さらなる高集積
化が望まれる。
【００１２】また、一般に、カラー表示装置ではＲＧＢ
の３原色の配列として、図７（ａ）に示すストライプ配
列か図７（ｃ）に示すデルタ配列を採用している。一
方、上述したように、ＲＧＢの各色の光を独立したＥＬ
素子から直接発光させるためには、ＲＧＢ毎に使用する
発光材料を変える必要がある。そこで、例えば、図７
（ａ）に示すストライプ配列を採用した場合には、図７
（ｂ）に示すようなメタルマスク７０を用い、まず、Ｒ
のみの発光材料をホール輸送層上に蒸着してＲの発光層
を形成し、次に、メタルマスク７０を１画素分水平方向
にずらしてＧのみの発光材料をホール輸送層上に蒸着し
てＧの発光層を形成し、最後に、メタルマスク７０を更
に１画素分水平方向にずらしてＢのみの発光材料をホー
ル輸送層上に蒸着してＢの発光層を形成すればよい。図
７（ｃ）に示すデルタ配列の場合も、図７（ｄ）に示す
メタルマスクを用いて、同様の方法で形成することがで
きる。
の３原色の配列として、図７（ａ）に示すストライプ配
列か図７（ｃ）に示すデルタ配列を採用している。一
方、上述したように、ＲＧＢの各色の光を独立したＥＬ
素子から直接発光させるためには、ＲＧＢ毎に使用する
発光材料を変える必要がある。そこで、例えば、図７
（ａ）に示すストライプ配列を採用した場合には、図７
（ｂ）に示すようなメタルマスク７０を用い、まず、Ｒ
のみの発光材料をホール輸送層上に蒸着してＲの発光層
を形成し、次に、メタルマスク７０を１画素分水平方向
にずらしてＧのみの発光材料をホール輸送層上に蒸着し
てＧの発光層を形成し、最後に、メタルマスク７０を更
に１画素分水平方向にずらしてＢのみの発光材料をホー
ル輸送層上に蒸着してＢの発光層を形成すればよい。図
７（ｃ）に示すデルタ配列の場合も、図７（ｄ）に示す
メタルマスクを用いて、同様の方法で形成することがで
きる。
【００１３】このような方法において、メタルマスクの
寸法精度やメタルマスクをずらす時の合わせ精度が良く
ないと、隣接する画素間で色が混じってしまい色純度が
悪化するという問題がある。今後、さらなる高集積化を
実施すると、メタルマスクの合わせ精度が問題となる恐
れがある。
寸法精度やメタルマスクをずらす時の合わせ精度が良く
ないと、隣接する画素間で色が混じってしまい色純度が
悪化するという問題がある。今後、さらなる高集積化を
実施すると、メタルマスクの合わせ精度が問題となる恐
れがある。
【００１４】そこで、本発明は、さらなる高集積化を実
現した画素配置を提供するとともに、高集積化を行って
もメタルマスクの合わせ精度が問題となりにくいカラー
ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
現した画素配置を提供するとともに、高集積化を行って
もメタルマスクの合わせ精度が問題となりにくいカラー
ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、陽極と陰極間
に発光層を有するＥＬ素子を、薄膜トランジスタを用い
て駆動するアクティブ型のカラーＥＬ表示装置におい
て、各画素の発光領域の水平／垂直の比を、画素ピッチ
の水平／垂直の比より小さくしたことを特徴とする。
また、本発明は、陽極と陰極間に発光層を有するＥＬ素
子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタと、該薄
膜トランジスタへ供給する電圧を保持するコンデンサと
を備えたアクティブ型のカラーＥＬ表示装置において、
各画素の発光領域の水平方向に前記コンデンサを配置し
たことを特徴とする。
に発光層を有するＥＬ素子を、薄膜トランジスタを用い
て駆動するアクティブ型のカラーＥＬ表示装置におい
て、各画素の発光領域の水平／垂直の比を、画素ピッチ
の水平／垂直の比より小さくしたことを特徴とする。
また、本発明は、陽極と陰極間に発光層を有するＥＬ素
子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタと、該薄
膜トランジスタへ供給する電圧を保持するコンデンサと
を備えたアクティブ型のカラーＥＬ表示装置において、
各画素の発光領域の水平方向に前記コンデンサを配置し
たことを特徴とする。
【００１６】また、本発明は、陽極と陰極間に発光層を
有するＥＬ素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジ
スタと、該薄膜トランジスタへ供給する電圧を保持する
コンデンサとを備えたアクティブ型のカラーＥＬ表示装
置において、各画素の発光領域の水平方向に前記薄膜ト
ランジスタを配置したことを特徴とする。
有するＥＬ素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジ
スタと、該薄膜トランジスタへ供給する電圧を保持する
コンデンサとを備えたアクティブ型のカラーＥＬ表示装
置において、各画素の発光領域の水平方向に前記薄膜ト
ランジスタを配置したことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明によるカラーＥＬ
表示装置の一実施形態を示す平面図であり、ＲＧＢの３
画素分を示している。また、図２は図１におけるＡ−Ａ
線に沿った断面図である。本実施形態は、図７（ａ）の
ストライプ配列の例である。
表示装置の一実施形態を示す平面図であり、ＲＧＢの３
画素分を示している。また、図２は図１におけるＡ−Ａ
線に沿った断面図である。本実施形態は、図７（ａ）の
ストライプ配列の例である。
【００１８】各画素の駆動回路は、図８に示す回路と全
く同一であって、図５，６の従来例と異なる点はパター
ン配置である。
く同一であって、図５，６の従来例と異なる点はパター
ン配置である。
【００１９】図１，２において、１は表示信号DATAを供
給するアルミニウムより成るドレインライン、２は電源
電圧COMを供給するアルミニウムより成る電源ライン、
３は選択信号Scanを供給するクロムより成るゲートライ
ンであり、４が図８の第１のTFT２１、５が図８のコン
デンサ２２、６が図８の第２のTFT２３、そして、７がI
TOより成り画素電極を構成するEＬ素子２０の陽極を表
している。尚、図１において、点線はクロム、一点鎖線
はITO、ドレインライン１及び電源ライン２以外の実線
はポリシリコン薄膜を表している。
給するアルミニウムより成るドレインライン、２は電源
電圧COMを供給するアルミニウムより成る電源ライン、
３は選択信号Scanを供給するクロムより成るゲートライ
ンであり、４が図８の第１のTFT２１、５が図８のコン
デンサ２２、６が図８の第２のTFT２３、そして、７がI
TOより成り画素電極を構成するEＬ素子２０の陽極を表
している。尚、図１において、点線はクロム、一点鎖線
はITO、ドレインライン１及び電源ライン２以外の実線
はポリシリコン薄膜を表している。
【００２０】まず、第２のTFT６は以下のようにして形
成する。即ち、透明なガラス基板８上にクロムのゲート
電極９を形成し、その上にゲート絶縁膜１０を成膜す
る。次にゲート絶縁膜１０の上にポリシリコン薄膜１１
を成膜し、これを層間絶縁膜１２で覆った上にドレイン
ライン１及び電源ライン２を形成する。更に、平坦化絶
縁膜１３を積層し、その上にITOにて成る陽極７を形成
する。そして、ポリシリコン薄膜１１のドレイン領域を
電源ライン２にコンタクトし、ソース領域を陽極７にコ
ンタクトする。
成する。即ち、透明なガラス基板８上にクロムのゲート
電極９を形成し、その上にゲート絶縁膜１０を成膜す
る。次にゲート絶縁膜１０の上にポリシリコン薄膜１１
を成膜し、これを層間絶縁膜１２で覆った上にドレイン
ライン１及び電源ライン２を形成する。更に、平坦化絶
縁膜１３を積層し、その上にITOにて成る陽極７を形成
する。そして、ポリシリコン薄膜１１のドレイン領域を
電源ライン２にコンタクトし、ソース領域を陽極７にコ
ンタクトする。
【００２１】第１のTFT４の構造も第２のTFT６と同一で
あり、また第１のTFT４に接続されるコンデンサ５はゲ
ート絶縁膜を挟んだクロム電極とポリシリコン薄膜から
構成されている。
あり、また第１のTFT４に接続されるコンデンサ５はゲ
ート絶縁膜を挟んだクロム電極とポリシリコン薄膜から
構成されている。
【００２２】更に、図６の従来例と同様、陽極７は平坦
化絶縁膜１３上に各画素毎に分離して形成されており、
その上にホール輸送層１４，発光層１５，電子輸送層１
６，陰極１７が順に積層されることにより、ＥＬ素子が
形成されている。そして、陽極７から注入されたホール
と陰極１７から注入された電子とが発光層１５の内部で
再結合することにより光が放たれ、この光が矢印で示す
ように透明な陽極側から外部へ放射される。また、発光
層１５は陽極７とほぼ同様の形状に画素毎に分離して形
成され、更にＲＧＢ毎に異なる発光材料を使用すること
により、ＲＧＢの各光が各ＥＬ素子から発光される。
化絶縁膜１３上に各画素毎に分離して形成されており、
その上にホール輸送層１４，発光層１５，電子輸送層１
６，陰極１７が順に積層されることにより、ＥＬ素子が
形成されている。そして、陽極７から注入されたホール
と陰極１７から注入された電子とが発光層１５の内部で
再結合することにより光が放たれ、この光が矢印で示す
ように透明な陽極側から外部へ放射される。また、発光
層１５は陽極７とほぼ同様の形状に画素毎に分離して形
成され、更にＲＧＢ毎に異なる発光材料を使用すること
により、ＲＧＢの各光が各ＥＬ素子から発光される。
【００２３】ここで、ホール輸送層１４，電子輸送層１
６，陰極１７の材料として、例えば、、MTDATA，Alq3，
MgIn合金が用いられ、また、Ｒ，Ｇ，Ｂの各々の発光層
１５としては、DCM系をドーパントとして含むAlq、キナ
クリドンをドーパントとして含むAlq、ジスチリルアリ
ーレン系をドーパントとして含むDPVBi系を使用してい
る。
６，陰極１７の材料として、例えば、、MTDATA，Alq3，
MgIn合金が用いられ、また、Ｒ，Ｇ，Ｂの各々の発光層
１５としては、DCM系をドーパントとして含むAlq、キナ
クリドンをドーパントとして含むAlq、ジスチリルアリ
ーレン系をドーパントとして含むDPVBi系を使用してい
る。
【００２４】本実施形態では、図に示したように、画素
電極である陽極７の水平方向に第２のTFT６とコンデン
サの一部を配置したので、図５，６の従来例に比べ画素
電極の形状を縦長にすることができる。上述したよう
に、画素電極７と発光層１５とはほぼ同一の形状に形成
されているので、画素の発光領域は画素電極とほぼ同一
の形状となる。よって、この場合、発光領域の水平方向
の寸法及び垂直方向の寸法を各々EH及びEVとし、画素ピ
ッチの水平方向の寸法及び垂直方向の寸法を各々PH及び
PVとすると、EH／EV＜PH／PVとなる。
電極である陽極７の水平方向に第２のTFT６とコンデン
サの一部を配置したので、図５，６の従来例に比べ画素
電極の形状を縦長にすることができる。上述したよう
に、画素電極７と発光層１５とはほぼ同一の形状に形成
されているので、画素の発光領域は画素電極とほぼ同一
の形状となる。よって、この場合、発光領域の水平方向
の寸法及び垂直方向の寸法を各々EH及びEVとし、画素ピ
ッチの水平方向の寸法及び垂直方向の寸法を各々PH及び
PVとすると、EH／EV＜PH／PVとなる。
【００２５】そこで、ＲＧＢの各発光層をメタルマスク
をずらしながら成膜する際、メタルマスクをずらす水平
方向の余裕度が従来より増すこととなり、同様の精度で
成膜しても色が混じってしまう可能性は少なくなる。
尚、第２のTFT６の代わりに第１のTFT４を、陽極７の水
平方向に配置してもよい。
をずらしながら成膜する際、メタルマスクをずらす水平
方向の余裕度が従来より増すこととなり、同様の精度で
成膜しても色が混じってしまう可能性は少なくなる。
尚、第２のTFT６の代わりに第１のTFT４を、陽極７の水
平方向に配置してもよい。
【００２６】ところで、発光層を蒸着する工程におい
て、メタルマスク７０、７１開口部の直下のみならず、
若干他の領域に発光層が蒸着される、いわゆる回り込み
という現象が生じる。回り込みが生じたり、メタルマス
クそのものの寸法精度に誤差が合ったりすると、隣接す
る画素間で色が混じってしまい色純度が悪化するという
問題がある。特に、デルタ配列では、行方向、列方向い
ずれの方向に隣接する画素も、互いに異なる色の画素で
あるので、上述した問題は更に顕著になる。
て、メタルマスク７０、７１開口部の直下のみならず、
若干他の領域に発光層が蒸着される、いわゆる回り込み
という現象が生じる。回り込みが生じたり、メタルマス
クそのものの寸法精度に誤差が合ったりすると、隣接す
る画素間で色が混じってしまい色純度が悪化するという
問題がある。特に、デルタ配列では、行方向、列方向い
ずれの方向に隣接する画素も、互いに異なる色の画素で
あるので、上述した問題は更に顕著になる。
【００２７】本実施形態において、コンデンサ５は、一
部が発光領域の水平方向に配置され、連続的に発光領域
の垂直方向まで延在している。これによって、各画素の
発光領域の垂直方向にコンデンサの少なくとも一部、ま
たは薄膜トランジスタを配置したので、同様に、画素間
の垂直方向に余裕ができ、メタルマスクの合わせ精度が
低くても高精細にすることができ、高精細な表示におい
ても色純度を良好に保つことができるようになる。
部が発光領域の水平方向に配置され、連続的に発光領域
の垂直方向まで延在している。これによって、各画素の
発光領域の垂直方向にコンデンサの少なくとも一部、ま
たは薄膜トランジスタを配置したので、同様に、画素間
の垂直方向に余裕ができ、メタルマスクの合わせ精度が
低くても高精細にすることができ、高精細な表示におい
ても色純度を良好に保つことができるようになる。
【００２８】次に、他の実施形態について図３，４を参
照して説明する。
照して説明する。
【００２９】図３は、他の実施形態を示す平面図であ
り、図４は図３におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図であ
る。図１，２と同一構成には同一番号を付しており、こ
の実施形態が上述の実施形態と異なる点はパターン配置
のみである。
り、図４は図３におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図であ
る。図１，２と同一構成には同一番号を付しており、こ
の実施形態が上述の実施形態と異なる点はパターン配置
のみである。
【００３０】即ち、図３，４において、４が図８の第１
のTFT２１、５が図８のコンデンサ２２、６が図８の第
２のTFT２３、そして、７がITOより成り画素電極を構成
するEＬ素子２０の陽極を表している。特に、図４にお
いては、コンデンサ５がゲート絶縁膜１０を挟んでクロ
ム電極５００とポリシリコン薄膜５０１から構成されて
いることが明確に示されている。
のTFT２１、５が図８のコンデンサ２２、６が図８の第
２のTFT２３、そして、７がITOより成り画素電極を構成
するEＬ素子２０の陽極を表している。特に、図４にお
いては、コンデンサ５がゲート絶縁膜１０を挟んでクロ
ム電極５００とポリシリコン薄膜５０１から構成されて
いることが明確に示されている。
【００３１】この実施形態では、図に示したように、画
素電極である陽極７の水平方向にコンデンサ５を配置し
たので、図５，６の従来例に比べ画素電極の形状を縦長
にすることができる。よって、この場合も上述した実施
形態同様、発光領域の水平方向の寸法及び垂直方向の寸
法を各々EH及びEVとし、画素ピッチの水平方向の寸法及
び垂直方向の寸法を各々PH及びPVとすると、EH／EV＜PH
／PVとなる。
素電極である陽極７の水平方向にコンデンサ５を配置し
たので、図５，６の従来例に比べ画素電極の形状を縦長
にすることができる。よって、この場合も上述した実施
形態同様、発光領域の水平方向の寸法及び垂直方向の寸
法を各々EH及びEVとし、画素ピッチの水平方向の寸法及
び垂直方向の寸法を各々PH及びPVとすると、EH／EV＜PH
／PVとなる。
【００３２】そこで、ＲＧＢの各発光層をメタルマスク
をずらしながら成膜する際、メタルマスクをずらす水平
方向の余裕度が従来より増し、同様の精度で成膜しても
色が混じってしまう可能性が少なくなる。
をずらしながら成膜する際、メタルマスクをずらす水平
方向の余裕度が従来より増し、同様の精度で成膜しても
色が混じってしまう可能性が少なくなる。
【００３３】また、本実施形態は、コンデンサ５を発光
領域の水平方向に配置し、第１のTFT４及び第２のTFT６
両方を発光領域の垂直方向に配置したものである。コン
デンサ５によって発光領域の画素間水平方向の間隔を確
保するとともに、二つのTFT４、６によって発光領域の
画素間垂直方向を確保し、第１の実施形態同様、回り込
みによる色のにじみをも防止できる。
領域の水平方向に配置し、第１のTFT４及び第２のTFT６
両方を発光領域の垂直方向に配置したものである。コン
デンサ５によって発光領域の画素間水平方向の間隔を確
保するとともに、二つのTFT４、６によって発光領域の
画素間垂直方向を確保し、第１の実施形態同様、回り込
みによる色のにじみをも防止できる。
【００３４】上記発光領域の間隔を確保するために配置
する構成は、コンデンサでなくてももちろんよい。しか
し、コンデンサは、容量が面積に比例し、コンデンサの
容量が大きければ表示信号Dataに応じた電圧Vhを確実に
保持することができるので、コンデンサの面積を大きく
して、必要な間隔を確保することができる。従って、コ
ンデンサ５を配置することで間隔を調整することがもっ
とも効率が良い。
する構成は、コンデンサでなくてももちろんよい。しか
し、コンデンサは、容量が面積に比例し、コンデンサの
容量が大きければ表示信号Dataに応じた電圧Vhを確実に
保持することができるので、コンデンサの面積を大きく
して、必要な間隔を確保することができる。従って、コ
ンデンサ５を配置することで間隔を調整することがもっ
とも効率が良い。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、アクティブ型のカラー
ＥＬ表示装置において、隣接間の色が混じり合って色純
度が悪化することを防止できるようになり、高精細な表
示においても色純度を良好に保つことができるようにな
る。
ＥＬ表示装置において、隣接間の色が混じり合って色純
度が悪化することを防止できるようになり、高精細な表
示においても色純度を良好に保つことができるようにな
る。
【００３６】即ち、各画素の発光領域の水平／垂直の比
を、画素ピッチの水平／垂直の比より小さくしたので、
画素内の水平方向に余裕ができ、メタルマスクをずらす
合わせ精度が低くても高精細にすることができる。
を、画素ピッチの水平／垂直の比より小さくしたので、
画素内の水平方向に余裕ができ、メタルマスクをずらす
合わせ精度が低くても高精細にすることができる。
【００３７】また、各画素の発光領域の水平方向にコン
デンサの少なくとも一部、または薄膜トランジスタを配
置したので、同様に、画素内の水平方向に余裕ができ、
メタルマスクをずらす合わせ精度が低くても高精細にす
ることができる。
デンサの少なくとも一部、または薄膜トランジスタを配
置したので、同様に、画素内の水平方向に余裕ができ、
メタルマスクをずらす合わせ精度が低くても高精細にす
ることができる。
【００３８】本発明は、デルタ配列にももちろん適用で
きるが、上記の効果は、ストライプ配列で特に効果的で
ある。
きるが、上記の効果は、ストライプ配列で特に効果的で
ある。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態を示す断面図である。
【図５】従来のカラーＥＬ表示装置の構造を示す平面図
である。
である。
【図６】従来のカラーＥＬ表示装置の構造を示す断面図
である。
である。
【図７】カラーＥＬ表示装置におけるカラー配列を説明
するための図である。
するための図である。
【図８】アクティブ型カラーＥＬ表示装置の回路構成を
示す図である。
示す図である。
【符号の説明】 １，５０ ドレインライン ２，５１ 電源ライン ３，５２ ゲートライン ４，２１，５３ 第１のTFT ５，２２，５４ コンデンサ ６，２３，５５ 第２のTFT ７，５６ 陽極 ２０ ＥＬ素子 １４ ホール輸送層 １５ 発光層 １６ 電子輸送層 １７ 陰極
Claims (7)
- 【請求項１】 陽極と陰極間に発光層を有するＥＬ素子
を用いるカラーＥＬ表示装置において、各画素の発光領
域の水平／垂直の比を、画素ピッチの水平／垂直の比よ
り小さくしたことを特徴とするカラーＥＬ表示装置。 - 【請求項２】 陽極と陰極間に発光層を有するＥＬ素子
と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタと、該薄膜
トランジスタへ供給する電圧を保持するコンデンサとを
備えたアクティブ型のカラーＥＬ表示装置において、各
画素の発光領域の水平方向に前記コンデンサの少なくと
も一部を配置したことを特徴とするカラーＥＬ表示装
置。 - 【請求項３】 前記コンデンサは発光領域の水平方向及
び垂直方向に配置されていることを特徴とする請求項２
に記載のカラーＥＬ表示装置。 - 【請求項４】 前記コンデンサは、発光領域の水平方向
から垂直方向の隣接領域まで連続的に延在して配置され
ていることを特徴とする請求項３に記載のカラーＥＬ表
示装置。 - 【請求項５】 陽極と陰極間に発光層を有するＥＬ素子
と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタと、該薄膜
トランジスタへ供給する電圧を保持するコンデンサとを
備えたアクティブ型のカラーＥＬ表示装置において、各
画素の発光領域の水平方向に前記薄膜トランジスタを配
置したことを特徴とするカラーＥＬ表示装置。 - 【請求項６】 前記発光層にＲＧＢ毎に異なる発光材料
を使用することにより、前記ＥＬ素子が各々ＲＧＢ光を
直接発光することを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
かに記載のカラーＥＬ表示装置。 - 【請求項７】 画素が行列状に配置され、同色の画素は
互いに列方向に隣接しているストライプ配列であること
を特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のカラー
ＥＬ表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11281789A JP2000227771A (ja) | 1998-12-01 | 1999-10-01 | カラーｅｌ表示装置 |
| US09/451,454 US6433486B1 (en) | 1998-12-01 | 1999-11-30 | Color electroluminescence display device |
| US10/175,978 US6995517B2 (en) | 1998-12-01 | 2002-06-20 | Color electroluminescence display device |
| US11/328,207 US7315131B2 (en) | 1998-12-01 | 2006-01-09 | Color electroluminescence display device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34186098 | 1998-12-01 | ||
| JP10-341860 | 1998-12-01 | ||
| JP11281789A JP2000227771A (ja) | 1998-12-01 | 1999-10-01 | カラーｅｌ表示装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005044490A Division JP2005209656A (ja) | 1998-12-01 | 2005-02-21 | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2005044491A Division JP2005166687A (ja) | 1998-12-01 | 2005-02-21 | カラーｅｌ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000227771A true JP2000227771A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=26554329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11281789A Pending JP2000227771A (ja) | 1998-12-01 | 1999-10-01 | カラーｅｌ表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6433486B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000227771A (ja) |
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| JP2002202737A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nec Corp | 発光素子の製造方法、発光素子 |
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