JP2000223427A - Method of detecting abnormality of heater of semiconductor manufacture device - Google Patents
Method of detecting abnormality of heater of semiconductor manufacture deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、加熱炉
を備えたCVD装置等の半導体製造装置におけるヒータ
異常検出方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting a heater abnormality in a semiconductor manufacturing apparatus such as a CVD apparatus having a heating furnace.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば、CVD装置にあっては、加熱炉
である反応室にシリコンウェハ等の基板を収容し、反応
室内を所定の温度に制御しつつ反応ガスを供給して、基
板上に薄膜を形成する半導体製造を行う。かかる半導体
製造においては加熱炉内の温度条件が極めて重要であ
り、この温度制御の精度が基板品質に大きく影響する。2. Description of the Related Art For example, in a CVD apparatus, a substrate such as a silicon wafer is accommodated in a reaction chamber, which is a heating furnace, and a reaction gas is supplied while controlling the temperature of the reaction chamber at a predetermined temperature. Semiconductor manufacturing for forming a thin film is performed. In such semiconductor manufacturing, the temperature conditions in the heating furnace are extremely important, and the accuracy of this temperature control greatly affects the substrate quality.
【0003】温度制御の精度を維持するためには、ヒー
タコイルの断線、ショート、温度センサ等の故障が生じ
ないことが必要である。半導体製造時の加熱温度は、通
常500℃〜1300℃までの高温に及び、昼夜問わ
ず、連続運転されるのが普通である為、ヒータの寿命
は、1、2年と短い。10年以上も前には、加熱炉にシ
リコンウェハ等の基板を収容し、加熱炉内を所定の温度
に加熱しつつ反応ガスを供給して基板上に薄膜を形成し
ている途中で、ヒータが寿命に達し、ヒータコイルが断
線したような場合には、100枚以上ものシリコンウェ
ハを無駄にし、多大な損失を生じることがあった。これ
を防止する為に、近年、専用のヒータ断線検知装置、専
用の過電流防止機能装置を取り付けるということがなさ
れるようになってきている。[0003] In order to maintain the accuracy of temperature control, it is necessary that breakage of the heater coil, short circuit, and failure of the temperature sensor and the like do not occur. The heating temperature at the time of manufacturing a semiconductor generally ranges from 500 ° C. to 1300 ° C., and the heater is usually operated continuously regardless of day and night. Therefore, the life of the heater is as short as one or two years. More than 10 years ago, a heater such as a silicon wafer was housed in a heating furnace, and a heating gas was supplied to the heating furnace while heating the inside of the heating furnace to a predetermined temperature to form a thin film on the substrate. In the case where the heater coil has reached the end of its service life and the heater coil is disconnected, 100 or more silicon wafers are wasted and a great loss may occur. In order to prevent this, in recent years, a dedicated heater disconnection detection device and a dedicated overcurrent prevention function device have been attached.
【0004】図33はかかる従来のCVD装置を示す全
体構成図である。図33において、加熱部5内には、筒
状の反応管8が立設され、この反応管8内に加熱物保持
部であるウェハボート6が複数の加熱物であるウェハ7
を搭載して挿入されている。ウェハ7は図示しないウェ
ハカセットから移載装置によりボート6に移載される。FIG. 33 is an overall configuration diagram showing such a conventional CVD apparatus. In FIG. 33, a tubular reaction tube 8 is provided upright in a heating unit 5, and a wafer boat 6 serving as a heating object holding unit is provided with a plurality of wafers 7 serving as heating objects in the reaction tube 8.
Is loaded and inserted. The wafer 7 is transferred from the wafer cassette (not shown) to the boat 6 by the transfer device.
【0005】加熱部5の外周側壁には、加熱部5内を上
部よりUゾーン、CUゾーン、CLゾーン、Lゾーンの
4ゾーンに分けて各ゾーンを加熱する発熱部(ヒータ)
11,12,13,14が設けられ、また、各発熱部に
対向する加熱部5の外周側壁には、各ゾーンの温度を検
出するUゾーンの温度検出熱電対1、CUゾーンの温度
検出熱電対2、CLゾーンの温度検出熱電対3、Lゾー
ンの温度検出熱電対4が設けられている。ボート6は、
その下部にキャップ9が設けられ、このキャップ端部が
エレベータ10に支持されている。On the outer peripheral side wall of the heating unit 5, a heating unit (heater) for heating each zone by dividing the inside of the heating unit 5 into four zones of a U zone, a CU zone, a CL zone, and an L zone from the top.
11, 12, 13 and 14 are provided, and on the outer peripheral side wall of the heating section 5 opposed to each heating section, a temperature detection thermocouple 1 of a U zone for detecting a temperature of each zone, and a temperature detection thermocouple of a CU zone are provided. A pair 2, a temperature detection thermocouple 3 in the CL zone, and a temperature detection thermocouple 4 in the L zone are provided. Boat 6
A cap 9 is provided at a lower portion thereof, and the end of the cap 9 is supported by the elevator 10.
【0006】発熱部11,12,13,14には、それ
ぞれ電力ケーブル15,16,17,18が電源入力部
24よりブレーカ23を介して接続されている。各電力
ケーブル15,16,17,18には、それぞれ電力制
御用のサイリスタ19,20,21,22が設けられ、
各電力ケーブル15,16,17,18における各サイ
リスタ19,20,21,22と各発熱部11,12,
13,14との間には各発熱部のヒータ断線検知用電流
センサ27,28,29,30が設けられ、また各サイ
リスタ19,20,21,22とブレーカ23との間に
は、過電流検知用電流センサ31,32,33,34が
設けられている。Power cables 15, 16, 17, and 18 are connected to the heat generating units 11, 12, 13, and 14 from a power input unit 24 via a breaker 23. Each power cable 15, 16, 17, 18 is provided with a thyristor 19, 20, 21, 22 for power control, respectively.
Each thyristor 19,20,21,22 in each power cable 15,16,17,18 and each heating part 11,12,
13 and 14, current sensors 27, 28, 29 and 30 for detecting a heater disconnection of each heat generating portion are provided, and an overcurrent is provided between each of the thyristors 19, 20, 21 and 22 and the breaker 23. Detection current sensors 31, 32, 33, and 34 are provided.
【0007】サイリスタ19〜22は温度調節器25の
出力側に接続されている。温度調節器25の入力側には
熱電対1〜4の出力部が接続されている。また、温度調
節器は25は上位コントローラ26に接続されている。
ヒータ断線検知用電流センサ27,28,29.30は
ヒータ断線検知装置35に接続され、過電流検知用電流
センサ31,32,33,34は過電流防止装置36に
接続され、過電流防止装置36はブレーカ23に接続さ
れている。[0007] The thyristors 19 to 22 are connected to the output side of the temperature controller 25. The output side of the thermocouples 1 to 4 is connected to the input side of the temperature controller 25. The temperature controller 25 is connected to a host controller 26.
The heater disconnection detecting current sensors 27, 28, 29.30 are connected to the heater disconnection detecting device 35, and the overcurrent detecting current sensors 31, 32, 33, 34 are connected to the overcurrent preventing device 36, and the overcurrent preventing device is connected. 36 is connected to the breaker 23.
【0008】以上の構成において、温度調節器25は熱
電対1〜4から温度を読み取り、制御演算を行い、ヒー
タ出力値を決定し、サイリスタ19〜22を制御し、こ
れにより、電力ケーブル15〜18により供給される各
ゾーンのヒータ11〜14への電力を制御する。ウェハ
7はボート6によって保持され、エレベータ10によっ
て反応管8内に挿入される。キャップ9は熱保持の為に
使用される。上位コントローラ26は、温度調節器25
及び、その他の図示しないガスコントローラ、メカコン
トローラ、圧力コントローラ等を通信接続し、プロセス
イベント制御を行う。In the above configuration, the temperature controller 25 reads the temperature from the thermocouples 1 to 4, performs a control operation, determines the heater output value, controls the thyristors 19 to 22, and thereby controls the power cables 15 to 18 controls the power supplied to the heaters 11 to 14 in each zone. The wafer 7 is held by a boat 6 and inserted into a reaction tube 8 by an elevator 10. The cap 9 is used for heat retention. The host controller 26 includes a temperature controller 25
Further, a gas controller, a mechanical controller, a pressure controller, and the like (not shown) are connected through communication to perform process event control.
【0009】ヒータ断線検知用電流センサ27,28,
29.30は各発熱部11,12,13,14へ流れる
電流を検出する。ヒータ断線検知装置35は各電流セン
サ27,28,29,30の電流値に基づいてヒータ断
線を検知する。また、過電流検知用センサ31,32,
33,34はブレーカ23より各サイリスタ19,2
0,21,22へ流れる電流を検出する。過電流防止装
置36は各電流センサ31,32,33,34の電流値
に基づいて過電流が検知された場合にインターロック信
号を発生してブレーカ23を断し、電源入力を断つ。The current sensors 27, 28,
29.30 detects the current flowing to each of the heat generating units 11, 12, 13, and 14. The heater disconnection detecting device 35 detects the heater disconnection based on the current values of the current sensors 27, 28, 29, 30. Also, the overcurrent detection sensors 31, 32,
33, 34 are each thyristors 19, 2 from the breaker 23.
The current flowing to 0, 21, 22 is detected. When an overcurrent is detected based on the current values of the current sensors 31, 32, 33, and 34, the overcurrent prevention device 36 generates an interlock signal, cuts off the breaker 23, and cuts off the power input.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の半
導体製造装置におけるヒータ異常検出においては、異常
検出のための複数の専用装置を取り付けている為、ま
た、これに伴い監視コントローラを複数必要とし、ユー
ザインタフェースが複数必要になる等の経済的な無駄が
生じ、コスト性、メンテナンス性も良くなかった。As described above, in the heater abnormality detection in the conventional semiconductor manufacturing apparatus, since a plurality of dedicated devices for detecting the abnormality are attached, a plurality of monitoring controllers are required. As a result, economic waste such as the necessity of a plurality of user interfaces occurs, and the cost performance and the maintainability are not good.
【0011】そこで、本発明の目的は、従来技術の問題
点の経済的な無駄及び、コスト性、メンテナンス性が良
くないという問題点を解決し、(例えば集中管理を行う
ことにより、)低コストで、ヒータ断線予知、断線検
知、短絡検知(過電流防止)を行うことができる半導体
製造装置のヒータ異常検出方法を提供することにある。An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, such as the economic waste and the poor cost and maintainability, and to reduce the cost (for example, by performing centralized management). Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for detecting a heater abnormality in a semiconductor manufacturing apparatus capable of performing heater disconnection prediction, disconnection detection, and short circuit detection (overcurrent prevention).
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明に係る半導体製造装置のヒータ異常検出
方法は、反応室に基板が未だ搬入されていない基板処理
プロセス開始前のスタンバイ状態において、反応室のヒ
ータ異常を検出するためのヒータ異常検出ステップを設
けたものである。In order to solve the above-mentioned problems, a method of detecting a heater abnormality in a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is performed in a standby state before starting a substrate processing process in which a substrate has not yet been carried into a reaction chamber. And a heater abnormality detecting step for detecting a heater abnormality in the reaction chamber.
【0013】また、この発明において、前記スタンバイ
状態は、ウェハカセットからウェハボートへのウェハ移
載状態としたものである。In the present invention, the standby state is a state where a wafer is transferred from a wafer cassette to a wafer boat.
【0014】更に、この発明において、前記ヒータ異常
検出ステップは、反応室温度のPID制御におけるI出
力値が適正であるか否かを判断するステップとしたもの
である。Further, in the present invention, the heater abnormality detecting step is a step of judging whether or not the I output value in the PID control of the reaction chamber temperature is appropriate.
【0015】また、この発明において、前記ヒータ異常
検出ステップは、ヒータ出力値を変動させ、それによる
反応室内の温度変動に基づいて異常を判断するようにし
たものである。Further, in the present invention, the heater abnormality detecting step varies the heater output value, and determines the abnormality based on the resulting temperature fluctuation in the reaction chamber.
【0016】更に、この発明においては、前記温度変動
後、反応室内の温度がスタンバイ状態の間に変動前の状
態に戻るように温度制御を行うようにしたものである。Further, in the present invention, after the temperature change, the temperature is controlled so that the temperature in the reaction chamber returns to the state before the change during the standby state.
【0017】また、この発明において、前記ヒータ異常
検出ステップにおける判断は、反応室内の温度変動が所
定の値に達するまでの時間に基づいて行われるようにし
たものである。Further, in the present invention, the determination in the heater abnormality detecting step is made based on a time until the temperature fluctuation in the reaction chamber reaches a predetermined value.
【0018】更に、この発明において、前記所定の値に
達するまでの時間が基準値よりも長い場合は、ヒータ断
線と判断するようにしたものである。Further, in the present invention, if the time required to reach the predetermined value is longer than a reference value, it is determined that the heater is disconnected.
【0019】また、この発明において、前記所定の値に
達するまでの時間が基準値よりも短い場合は、ヒータ短
絡と判断するようにしたものである。In the present invention, if the time required to reach the predetermined value is shorter than a reference value, it is determined that the heater is short-circuited.
【0020】更に、この発明は、複数ゾーンのヒータを
有する装置において、いずれか一つのゾーンに対して、
上述したヒータ異常検出方法を用いるようにしたもので
ある。Further, according to the present invention, in an apparatus having a multi-zone heater, any one of the zones may be provided.
The above-described heater abnormality detection method is used.
【0021】また、この発明において、前記ヒータ異常
検出ステップは、ヒータを流れる電流値に基づき、異常
の有無を判定するようにしたものである。In the present invention, the step of detecting a heater abnormality determines the presence or absence of an abnormality based on a current value flowing through the heater.
【0022】更に、この発明において、前記電流値が基
準値よりも小さい場合は、ヒータ断線と判断するように
したものである。Further, in the present invention, if the current value is smaller than the reference value, it is determined that the heater is disconnected.
【0023】また、この発明において、前記電流値が基
準値よりも大きい場合は、ヒータ短絡と判断するように
したものである。Further, in the present invention, when the current value is larger than the reference value, it is determined that the heater is short-circuited.
【0024】更に、この発明において、前記ヒータ異常
有無の判断のために用いられる前記検出値の基準値はス
タンバイ状態の温度に応じて複数設定されるものであ
る。Further, in the present invention, a plurality of reference values of the detection value used for determining the presence / absence of the abnormality of the heater are set according to the temperature in a standby state.
【0025】[0025]
【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明の
実施の形態を図を用いて説明する。図1は実施の形態1
を示す全体構成図である。図1において、図33と同一
符号は図33と同一物または相当物を示しており、ここ
での説明を省略する。図1では、図33に示されるCV
D装置に対して、ヒータ断線検知用電流センサ27,2
8,29,30、ヒータ断線検知装置35、過電流検知
用電流センサ31,32,33,34、及び過電流防止
装置36の設備が除去された構成とされている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows Embodiment 1
FIG. 1, the same reference numerals as those in FIG. 33 denote the same or corresponding components as in FIG. 33, and a description thereof will be omitted. In FIG. 1, the CV shown in FIG.
For the D device, the heater disconnection detection current sensors 27, 2
8, 29, 30, the heater disconnection detection device 35, the overcurrent detection current sensors 31, 32, 33, 34, and the overcurrent prevention device 36 are eliminated.
【0026】以上の構成において、温度調節器25Aは
熱電対1,2,3,4から温度を読み取り、制御演算を
行い、ヒータ出力値を決定し、サイリスタ19,20,
21,22を制御することにより、ヒータの発熱部1
1,12,13,14への電力供給を制御して、反応室
(反応管8内)の温度制御を行う。加熱物であるウェハ
7は、図示しないウェハカセットからウェハボート6に
移載され、ボート6によって保持され、エレベータ10
によって、反応管8に挿入される。In the above configuration, the temperature controller 25A reads the temperature from the thermocouples 1, 2, 3, and 4 and performs a control operation to determine a heater output value.
By controlling the heaters 21 and 22, the heater 1
By controlling power supply to 1, 12, 13, and 14, the temperature of the reaction chamber (in the reaction tube 8) is controlled. The wafer 7 as a heating object is transferred from a wafer cassette (not shown) to a wafer boat 6 and held by the boat 6, and the elevator 10
Is inserted into the reaction tube 8.
【0027】上位コントローラ26Aは、温度調節器2
5A、及び図示しないその他のガスコントローラ、メカ
コントローラ、圧力コントローラ等を通信接続し、プロ
セスイベント制御を行う。また、上位コントローラ26
Aは、温度調節器25Aが熱電対1〜4から読み取る温
度、及び温度調節器25Aが内部演算した結果のI(積
分要素)出力値を用いて、ヒータ断線検知、過電流防止
を行う。その際、インターロック信号により、ブレーカ
23をオフし、電源入力部24を断つ。The host controller 26A includes a temperature controller 2
5A and other gas controllers, mechanical controllers, pressure controllers, and the like (not shown) are connected by communication to perform process event control. Also, the upper controller 26
A performs heater disconnection detection and overcurrent prevention using the temperature read from the thermocouples 1 to 4 by the temperature controller 25A and the I (integral element) output value obtained as a result of internal calculation by the temperature controller 25A. At that time, the breaker 23 is turned off and the power input unit 24 is cut off by the interlock signal.
【0028】図2は温度調節器の詳細を示すブロック図
である。温度調節器25Aは、CPU250、メモリ
(プログラム用)251、メモリ(ワーク用)252、
ADコンバータ(熱電対用)253、MUX(熱電対用
マルチプレクサ)254、上位コントローラ26Aとの
通信に使う通信制御ユニット256より構成され、サイ
リスタ点弧パルス、インターロック信号を必要に応じて
発生させる。FIG. 2 is a block diagram showing details of the temperature controller. The temperature controller 25A includes a CPU 250, a memory (for a program) 251, a memory (for a work) 252,
It comprises an AD converter (for thermocouple) 253, a MUX (thermocouple multiplexer) 254, and a communication control unit 256 used for communication with the host controller 26A, and generates a thyristor firing pulse and an interlock signal as required.
【0029】温度調節器25Aは、PB、I、Dを定数
として、次に示すPID演算を行う。 偏差=設定温度値−実測温度値 PID出力値=P出力値+I出力値+D出力値 P出力値=100×偏差÷PB (1) I出力値=100÷PB÷I×偏差時間積分値 D出力値=100÷PB×D×偏差時間微分値The temperature controller 25A performs the following PID calculation using PB, I, and D as constants. Deviation = Set temperature value−Measured temperature value PID output value = P output value + I output value + D output value P output value = 100 × deviation ÷ PB (1) I output value = 100 ÷ PB ÷ I × deviation time integration value D output Value = 100 ÷ PB x D x deviation time derivative
【0030】図3は上位コントローラの詳細を示すブロ
ック図である。上位コントローラ26Aは、CPU26
0、メモリ(プログラム用)261、メモリ(ワーク
用)262、外部記憶ユニット263、表示制御ユニッ
ト264、表示機器265、通信制御ユニット266よ
り構成され、インターロック信号を必要に応じて発生さ
せる。FIG. 3 is a block diagram showing details of the host controller. The upper controller 26A is provided with the CPU 26
0, a memory (for a program) 261, a memory (for a work) 262, an external storage unit 263, a display control unit 264, a display device 265, and a communication control unit 266, and generate an interlock signal as needed.
【0031】図4は、上位コントローラ26により、従
来より行われている1バッチプロセス処理シーケンス図
を示す。上位コントローラ26は、温度調節器25及
び、その他の図示しないガスコントローラ、メカコント
ローラ、圧力コントローラ等を通信接続し、プロセスイ
ベント制御を行う。ウェハ7は反応管8中に流入される
ガス、反応管中圧力、温度条件によりウェハ処理され
る。ウェハ7の移載は、メカコントローラが行い、ガス
コントローラはガス流量を制御し、圧力コントローラは
圧力を制御する。そして温度調節器25は温度を制御す
る。FIG. 4 is a sequence diagram of one batch process conventionally performed by the host controller 26. The host controller 26 connects the temperature controller 25 and other gas controllers (not shown), a mechanical controller, a pressure controller, and the like via communication, and performs process event control. The wafer 7 is processed according to the gas flowing into the reaction tube 8, the pressure in the reaction tube, and the temperature. The transfer of the wafer 7 is performed by a mechanical controller, a gas controller controls a gas flow rate, and a pressure controller controls a pressure. Then, the temperature controller 25 controls the temperature.
【0032】これらの分散コントローラを、集中管理
し、ユーザインターフェースを持つのが上位コントロー
ラであり、分散コントローラに対して処理イベントの指
示を時間管理の下で行う。It is the host controller that centrally manages these distributed controllers and has a user interface, and instructs the distributed controllers on processing events under time management.
【0033】図4において、スタンバイ状態(スタンバ
イレシピRUN中)(1)では、各分散コントローラが
準備完了状態にあり、反応管内には未だボートが挿入さ
れていない。その間に、プロダクトウェハのロット投入
指示が行われる。ロット投入指示は、ホストコンピュー
タから投入ロット情報を送ることにより、或いは、オペ
レータが投入ロット情報を入力することにより行われ
る。そして、プロセスレシピRUNが指示される。この
プロセスレシピRUN指示も、ロット投入指示と同様
に、ホストコンピュータが指示を送るか、或いは、オペ
レータが指示入力することにより行われる。In FIG. 4, in the standby state (during standby recipe RUN) (1), each dispersion controller is in a ready state, and no boat has been inserted into the reaction tube. In the meantime, a product wafer lot input instruction is issued. The lot input instruction is performed by sending input lot information from the host computer or by inputting the input lot information by the operator. Then, the process recipe RUN is instructed. This process recipe RUN instruction is also performed by the host computer sending the instruction or by the operator inputting the instruction, similarly to the lot input instruction.
【0034】投入ロット情報に基づき、ウェハをカセッ
トよりボートに移載(プロダクトウェハチャージ)した
後、ボートアップイベントをメカコントローラに指示す
ることにより、ボートが反応管内に挿入される(2)。
その後、必要な場合は、温度を徐々に上げるというラン
ピングイベントを温度コントローラに指示する(3)。
ランピング完了後、ガス流入、圧力調整により、ウェハ
プロセス処理が行われ(4)、処理終了後、ランピング
イベントを温度コントローラに指示する(5)。After the wafer is transferred from the cassette to the boat based on the input lot information (product wafer charge), the boat is inserted into the reaction tube by instructing the mechanical controller to perform a boat up event (2).
Thereafter, if necessary, a ramping event of gradually increasing the temperature is instructed to the temperature controller (3).
After the completion of the ramping, a wafer process is performed by gas inflow and pressure adjustment (4). After the completion of the processing, a ramping event is instructed to the temperature controller (5).
【0035】ランピング終了後(6)、ボートダウン開
始イベントをメカコントローラに指示する(7)ことに
より、ボートが反応管から取り出される。ボートダウン
完了後(8)、ボートに積まれたウェハは、移載棚の所
定の位置に運び出される(プロダクトウェハディスチャ
ージ)。以上のプロセスレシピが完了すると、再びスタ
ンバイ状態となる(9)。After the ramping is completed (6), a boat down start event is instructed to the mechanical controller (7), so that the boat is taken out of the reaction tube. After the boat down is completed (8), the wafers loaded on the boat are carried out to a predetermined position on the transfer shelf (product wafer discharge). When the above process recipe is completed, the process returns to the standby state (9).
【0036】この発明の実施の形態では、スタンバイ状
態時に、図5に示されるように、温度診断イベント1、
温度診断イベント2を設けて、ウェハプロセス処理に影
響を与えないようにし、過電流(ヒータ短絡)防止、ヒ
ータ短絡、断線検知を行う。In the embodiment of the present invention, in the standby state, as shown in FIG.
A temperature diagnosis event 2 is provided so as not to affect the wafer process processing, to prevent overcurrent (short circuit of the heater), short circuit of the heater, and disconnection detection.
【0037】温度診断イベント1は、スタンバイ温度状
態において、温度調節器がPID温度制御しているとき
のIの値と、予め取得していたIの値との差(比率)に
基づいて、段階的に異常の度合いを検知しようとするも
のである。The temperature diagnosis event 1 is performed based on the difference (ratio) between the value of I when the temperature controller controls the PID temperature and the value of I obtained in advance in the standby temperature state. It is intended to detect the degree of abnormality abnormally.
【0038】すなわち、I出力値は、PID制御演算結
果のI出力値のことであり、既述の(1)式で表され
る。温度安定期には、偏差がほぼ0の為、P出力値が
0、D出力値が0となり、I出力値は安定したものとな
る。温度診断イベント1での用い方として、まず、スタ
ンバイ温度で、I出力値を取得する。各ゾーン毎の、上
限1、属性、上限2、属性、下限1、属性、下限2、属
性をセットする。異常時には、I出力値が適正値ではな
くなることを利用して、この値に基づいて異常を検知す
るものである。That is, the I output value refers to the I output value of the result of the PID control operation, and is represented by the above-described equation (1). In the temperature stable period, since the deviation is almost 0, the P output value becomes 0, the D output value becomes 0, and the I output value becomes stable. As a method for use in the temperature diagnosis event 1, first, an I output value is obtained at the standby temperature. The upper limit 1, the attribute, the upper limit 2, the attribute, the lower limit 1, the attribute, the lower limit 2, and the attribute are set for each zone. In the event of an abnormality, an abnormality is detected based on this value, utilizing the fact that the I output value is no longer an appropriate value.
【0039】温度診断イベント1の場合、ボートは反応
管に未挿入の状態であり、また、ウェハ移載時間に比較
すると、ヒータ短絡検知(過電流防止)、ヒータ断線検
知、又はこれらの予知時間は短いので、全体のシーケン
ス時間が延びるということは無いという特徴を持つ。こ
の方法は、スタンバイ時でなく、プロセス時の温度安定
状態でも、使おうと思えば使えるが、ボート(ウェハ装
着状態)が反応管に挿入されていると、ウェハの熱容量
が変化した場合などでは、ヒータの温度安定出力値であ
る、I出力値が異なってくる為、正確な異常測定はでき
なくなる。また、温度過渡履歴によっては、各ゾーンの
I出力値には、多少のばらつきがある為、温度診断イベ
ント1を使用した場合よりも、若干正確性に欠ける。In the case of the temperature diagnosis event 1, the boat is not inserted into the reaction tube, and when compared with the wafer transfer time, the detection of the heater short-circuit (prevention of overcurrent), the detection of the heater disconnection, or the prediction time for these. Is short, so that the entire sequence time is not extended. This method can be used even if the temperature is stable during the process, not during standby, if you want to use it. However, if the heat capacity of the wafer changes when the boat (wafer mounted state) is inserted into the reaction tube, Since the I output value, which is the temperature stable output value of the heater, differs, accurate abnormal measurement cannot be performed. Further, depending on the temperature transition history, the I output value of each zone has some variation, so that the I output value is slightly less accurate than when the temperature diagnosis event 1 is used.
【0040】一方、温度診断イベント2は、固定したあ
るヒータ出力に対して、所定のチェック温度に達するか
否か、または所定の温度に達するまでの時間(正常時の
それと比較することによって)に基づいて、異常の度合
いを検知しようとするものである。温度診断イベント2
の場合、ボートは反応管に未挿入の状態であり、ボート
やウェハの熱容量の影響を受けない。1ゾーン毎に、所
定の固定ヒータ出力値を出力し、その過渡温度を観察す
るというやり方の為、チェックの為の時間を要する。On the other hand, the temperature diagnosis event 2 is based on whether or not a predetermined check temperature is reached for a fixed heater output or the time until the predetermined temperature is reached (by comparing with a normal heater output). Based on this, the degree of abnormality is to be detected. Temperature diagnosis event 2
In this case, the boat is not inserted into the reaction tube, and is not affected by the heat capacity of the boat or the wafer. A method of outputting a predetermined fixed heater output value for each zone and observing a transient temperature thereof requires time for checking.
【0041】例えば1ゾーンのチェックに15分要する
とすると、4ゾーンの場合60分要することになる。こ
れはウェハ移載時間に比較すると、同じか長いくらいで
あり、装置スループットに影響が出る場合がある。温度
調節器においては、温度診断イベント2中でない場合
は、通常の制御演算処理を行うが、温度診断イベント2
中には、固定ヒータ出力値を使って制御するという特徴
を持つ。この方法は、例えば、Uゾーン100%、他ゾ
ーン0%のようにして温度観察するのは、ゾーン間の熱
干渉による影響が無いようにする為であり、例えば、全
ゾーン100%出力にして温度観察すると、ゾーン間の
熱干渉によりヒータに異常があるのか無いのか判定がで
きなくなってしまう。For example, if it takes 15 minutes to check one zone, it takes 60 minutes for four zones. This is about the same or longer than the wafer transfer time, and may affect the apparatus throughput. When the temperature controller is not in the temperature diagnosis event 2, normal control calculation processing is performed.
Some of them have a feature that control is performed using a fixed heater output value. In this method, the temperature observation is performed, for example, in the U zone 100% and the other zone 0% in order to prevent the influence of the thermal interference between the zones. When the temperature is observed, it becomes impossible to determine whether or not the heater has an abnormality due to thermal interference between zones.
【0042】温度診断イベント2の使い方として、ま
ず、スタンバイ温度で固定されたヒータ出力により、チ
ェック温度を超える時間を取得する。各ゾーン毎の上限
時間、属性、下限時間、属性をセットする。異常時には
チェック温度を超える時間が適正値ではなくなることを
利用している。リミット温度は安全確保の為にあり、リ
ミット温度を超えると、通常の制御状態(PID制御)
に戻され、スタンバイ温度に戻される。As a method of using the temperature diagnosis event 2, first, a time exceeding the check temperature is obtained from the heater output fixed at the standby temperature. Set the upper limit time, attribute, lower limit time, and attribute for each zone. In the event of an abnormality, the fact that the time exceeding the check temperature is not an appropriate value is used. The limit temperature is for ensuring safety. When the temperature exceeds the limit temperature, the normal control state (PID control)
And returned to standby temperature.
【0043】ここで、温度診断イベント1、温度診断イ
ベント2は、どちらか一方のみ使用するようにしても良
いし、両方使用するようにしても良い。また、通常は温
度診断イベント1のみを行い、特定の場合に、温度診断
イベント2を用いるようにしても良い。なお、これは例
えば属性でエラーイベントジャンプを指定しておくと共
に、エラーイベントジャンプ先として温度診断イベント
2を定義しておき、エラーイベントが生じたときに、異
常と思われるゾーンのみの診断をもう一度行い、エラー
検出の信頼性を高めるというような使い方ができる。こ
の組み合わせケースでは、装置スループットに影響が出
ない。Here, either one of the temperature diagnosis event 1 and the temperature diagnosis event 2 may be used, or both may be used. Ordinarily, only the temperature diagnosis event 1 may be performed, and in a specific case, the temperature diagnosis event 2 may be used. In this case, for example, an error event jump is specified by an attribute, and a temperature diagnosis event 2 is defined as an error event jump destination, and when an error event occurs, diagnosis of only a zone considered to be abnormal is performed again. To increase the reliability of error detection. In this combination case, the device throughput is not affected.
【0044】この2つのヒータ異常検出方法は、電流検
出器を用いないので、コストがかからないが、精度的に
は温度を通した間接測定を利用したものなので、電流検
出器を用いたものより良くはないが、簡易的なものとし
て使えることを特徴とする。Although the two heater abnormality detection methods do not use a current detector and thus do not require a cost, they use indirect measurement through temperature in terms of accuracy, and are therefore better than those using a current detector. There is no, but it can be used as a simple one.
【0045】上述のイベントを実行するため、上位コン
トローラは、スタンバイ状態において、図6,図8に示
されるように、スタンバイ温度500℃、スタンバイ温
度600℃、スタンバイ温度1000℃のようにスタン
バイ温度の数値入力を行うための温度アラーム条件テー
ブルを持つ。これらの図に示されるように、温度アラー
ム条件テーブルには、2つの診断方法に対応した2種類
がある。2種類(温度アラーム条件テーブルT1、温度
アラーム条件テーブルT2)の各々の温度アラーム条件
テーブルは、例えば10個のスタンバイ温度対応テーブ
ルより構成される。In order to execute the above-mentioned event, in the standby state, as shown in FIGS. 6 and 8, the higher-level controller sets the standby temperature to 500 ° C., the standby temperature 600 ° C., and the standby temperature 1000 ° C. It has a temperature alarm condition table for inputting numerical values. As shown in these figures, there are two types of temperature alarm condition tables corresponding to the two diagnostic methods. Each of the two types of temperature alarm condition tables (temperature alarm condition table T1 and temperature alarm condition table T2) includes, for example, ten standby temperature correspondence tables.
【0046】スタンバイ温度を複数(10種類)用意し
たのは、加熱部(ヒータ)の各ゾーン発熱部11〜14
は、温度によって、抵抗が変化するという特性がある
為、同一電圧においても、実測電流値は異なり、過渡温
度特性が異なってくるので、複数のスタンバイ温度を持
つことにより、きめ細かい設定が可能となるようにした
ためである。The reason why a plurality of (ten types) of standby temperatures are prepared is that each zone heating section 11 to 14 of the heating section (heater) is prepared.
Has a characteristic that the resistance changes depending on the temperature, so even at the same voltage, the measured current value is different and the transient temperature characteristic is different, so by having a plurality of standby temperatures, fine setting is possible. That's because.
【0047】図6は温度アラーム条件テーブルT1を示
し、図7は温度アラーム条件テーブルT1対応I値履歴
を示す図である。また、図8は温度アラーム条件テーブ
ルT2を示し、図9は正常時の温度アラーム条件テーブ
ルT2対応温度履歴を示す図であり、図10は異常時の
温度アラーム条件テーブルT2対応温度履歴を示す図で
ある。図6や図8は各テーブルT1,T2を上位コント
ローラの編集画面上において示している。FIG. 6 shows the temperature alarm condition table T1, and FIG. 7 shows the I value history corresponding to the temperature alarm condition table T1. 8 shows a temperature alarm condition table T2, FIG. 9 shows a temperature history corresponding to the normal temperature alarm condition table T2, and FIG. 10 shows a temperature history corresponding to the abnormal temperature alarm condition table T2. It is. 6 and 8 show the tables T1 and T2 on the editing screen of the host controller.
【0048】図6において、温度アラーム条件テーブル
T1中のスタンバイ温度対応テーブルには、各ゾーン毎
に上限1、属性、上限2、属性、下限1、属性、下限
2、属性が定義できる。ここで、上限1(断線基準)と
下限2(短絡基準)は重度のアラームを発生すべき限度
を定義し、上限2(断線予知基準)と下限1(短絡予知
基準)とは軽度アラームを発生すべき限度を定義してい
る。また、属性にはインターロック信号、アラーム発
生、ブザー鳴動、リセット、エラーイベントジャンプ等
が定義でき、適正範囲を外れた際の動作イベントを示
す。In FIG. 6, an upper limit 1, an attribute, an upper limit 2, an attribute, a lower limit 1, an attribute, a lower limit 2, and an attribute can be defined for each zone in the standby temperature correspondence table in the temperature alarm condition table T1. Here, upper limit 1 (disconnection criterion) and lower limit 2 (short circuit criterion) define a limit at which a severe alarm should be generated, and upper limit 2 (disconnection prediction criterion) and lower limit 1 (short circuit prediction criterion) generate a slight alarm. It defines the limits to be set. The attributes can define an interlock signal, an alarm occurrence, a buzzer sound, a reset, an error event jump, and the like, and indicate an operation event when the value is out of an appropriate range.
【0049】ここで、リセットとは、リセットパターン
に移行することを意味する。リセットパターンには、例
えば、「温度を200℃に降下する」というように、何
か異常が生じたときのエラー処理が既述される。インタ
ーロックとは、例えば、強制的にヒータのブレーカをオ
フするというように、一つの事象を発生させることを指
す。また、アラーム発生とは画面表示をアラーム表示に
することを意味し、ブザー鳴動とは音による通知を意味
する。実施の形態では、重度アラームにインターロック
信号発生、軽度アラームについてアラーム発生としてい
るが、これらは適宜組み合わせることができることはい
うまでもない。Here, "reset" means shifting to a reset pattern. In the reset pattern, for example, an error process when an abnormality occurs, such as “drop the temperature to 200 ° C.”, has already been described. The interlock refers to, for example, generating an event such as forcibly turning off a breaker of a heater. The occurrence of an alarm means that the screen display is changed to an alarm display, and the sounding of a buzzer means a sound notification. In the embodiment, an interlock signal is generated for the severe alarm and an alarm is generated for the mild alarm. However, it is needless to say that these can be appropriately combined.
【0050】上述したテーブルは、図6に示される編集
画面上での編集操作により編集され、編集後はセーブす
ることにより、これらが外部記憶装置に保持される。ダ
ウンロードは、表示中のテーブルをシステム中のカレン
ト温度アラーム条件テーブルT1とすることを意味し、
アップロードは、システム中のカレント温度アラーム条
件テーブルT1を表示することを意味する。温度アラー
ム条件テーブルT1によれば、後述するようにヒータ断
線予知及び、断線検知、過電流防止機能を集中管理で
き、ユーザへの素早い通知と、装置の安全性能が向上で
きる。The above-mentioned tables are edited by the editing operation on the editing screen shown in FIG. 6, and after editing, they are saved and stored in the external storage device. Downloading means that the displayed table is used as the current temperature alarm condition table T1 in the system,
Uploading means displaying the current temperature alarm condition table T1 in the system. According to the temperature alarm condition table T1, the heater disconnection prediction, disconnection detection, and overcurrent prevention functions can be centrally managed as described later, and prompt notification to the user and the safety performance of the device can be improved.
【0051】図7に示される各ゾーンのI値履歴グラフ
は、上位コントローラにおいて示され、温度診断イベン
ト1中の上限1、上限2、下限1、下限2を表示し、温
度調節器が内部演算した結果のI出力値を過去履歴を含
めてリアルタイム表示し、異常が無いか否かを目視確認
できる。これによる動作は後述する。The I value history graph of each zone shown in FIG. 7 is shown in the upper controller, and displays the upper limit 1, the upper limit 2, the lower limit 1, and the lower limit 2 in the temperature diagnosis event 1, and the temperature controller performs internal calculation. The I output value obtained as a result is displayed in real time including the past history, and whether or not there is any abnormality can be visually checked. The operation by this will be described later.
【0052】図8に示される温度アラーム条件テーブル
T2において、温度アラーム条件テーブルT2中の複数
のスタンバイ温度対応テーブルには、各ゾーン毎のチェ
ック温度、固定ヒータ出力値、上限時間、属性、下限時
間、属性が定義され、属性には、インターロック信号、
アラーム発生、ブザー鳴動、リセット、エラーイベント
ジャンプ等が定義され、適正範囲を外れた際の動作イベ
ントを示す。In the temperature alarm condition table T2 shown in FIG. 8, a plurality of standby temperature correspondence tables in the temperature alarm condition table T2 include a check temperature, a fixed heater output value, an upper limit time, an attribute, and a lower limit time for each zone. , Attributes are defined, and attributes include interlock signals,
Alarm generation, buzzer sounding, reset, error event jump, etc. are defined, and indicate an operation event when the value goes out of an appropriate range.
【0053】各スタンバイ温度対応テーブルにおいて、
リミット温度は、安全確保の為にあり、リミット温度を
超えると、通常の制御状態に戻される。例えば、図中の
スタンバイ温度500℃のテーブルの場合、500℃の
スタンバイ温度で、このイベントが動作することを意味
し、例えば、CH1のヒータゾーンの異常をチェックす
る場合は、CH1(U)ゾーン40%、CH2(L)ゾ
ーン0%、CH3(CU)ゾーン0%、CH4(CL)
ゾーン0%の固定ヒータ出力値を出力することを意味す
る。その際のチェック温度は、500+50=550℃
であり、リミット温度は500+50+50=600℃
である。上限時間はイベント開始後、全ゾーンが温度安
定していると判断した時からの時間を示す。下限時間に
ついても同様である。In each standby temperature correspondence table,
The limit temperature is for ensuring safety. When the temperature exceeds the limit temperature, the normal control state is returned. For example, in the case of the table with the standby temperature of 500 ° C. in the drawing, this event operates at the standby temperature of 500 ° C. For example, when checking the abnormality of the heater zone of CH1, the CH1 (U) zone 40%, CH2 (L) zone 0%, CH3 (CU) zone 0%, CH4 (CL)
This means that a fixed heater output value of zone 0% is output. The check temperature at that time is 500 + 50 = 550 ° C
And the limit temperature is 500 + 50 + 50 = 600 ° C
It is. The upper limit time indicates the time from when it is determined that the temperature of all zones is stable after the start of the event. The same applies to the lower limit time.
【0054】図9に示す各ゾーンの温度アラーム条件テ
ーブルT2対応温度履歴グラフにおいて、正常動作時に
は、CH1(U)ゾーン40%、CH2(L)ゾーン0
%、CH3(CU)ゾーン0%、CH4(CL)ゾーン
0%出力で、CH1ゾーンの温度が上昇していき、CH
2〜4の温度が下降していく。そしてCH1ゾーンの温
度が、チェック温度を超えるのは、上限時間と下限時間
の間である。リミット温度を超えた場合には、通常のP
ID制御に戻るために500℃に向けて、温度が回復す
る。In the temperature history graph corresponding to the temperature alarm condition table T2 of each zone shown in FIG. 9, during normal operation, the CH1 (U) zone is 40% and the CH2 (L) zone is 0.
%, CH3 (CU) zone 0%, CH4 (CL) zone 0% output, the temperature of CH1 zone rises,
The temperatures of 2 to 4 decrease. Then, the temperature of the CH1 zone exceeds the check temperature between the upper limit time and the lower limit time. If the temperature exceeds the limit temperature, the normal P
The temperature recovers towards 500 ° C. to return to ID control.
【0055】図10に示す異常時を表す各ゾーンの温度
アラーム条件テーブルT2対応温度履歴グラフ図につい
て、図11のヒータ抵抗線概略図を用いて説明する。C
H1ゾーン、CH2ゾーン、CH3ゾーン、CH4ゾー
ンと4つのゾーンのうち、一つのゾーン、例えばCH1
ゾーンに注目する。1ゾーン内のヒータが例えば図11
に示す並列回路を持つものとすると、異常時には、図1
0において、のような温度挙動を示す場合があ
る。The temperature history graph corresponding to the temperature alarm condition table T2 of each zone indicating the abnormal time shown in FIG. 10 will be described with reference to the schematic diagram of the heater resistance line in FIG. C
One of four zones, H1 zone, CH2 zone, CH3 zone, CH4 zone, for example, CH1
Pay attention to the zones. The heater in one zone is, for example, as shown in FIG.
Assuming that it has a parallel circuit shown in Fig.
At 0, the following temperature behavior may be exhibited.
【0056】は図11(a)に示すように、抵抗線
A、Bに短絡による過電流が流れ、チェック温度に上限
時間よりも、短い時間で到達する例であり、は図11
(b)に示すように、抵抗線A断線により、下限時間よ
りも長い時間で、チェック温度に到達する例を示してい
る。この場合は、そのゾーンのヒータが断線する可能性
がある。は図11(c)に示すように、抵抗線A及び
Bの断線により、チェック温度に到達できない例であ
る。熱干渉により、近接CH2ゾーンのヒータ熱によ
り、CH1熱電対検出温度が500℃として見えていた
が、実は、断線していたというような場合が判断でき
る。FIG. 11A shows an example in which an overcurrent due to a short circuit flows through the resistance wires A and B to reach the check temperature in a shorter time than the upper limit time as shown in FIG.
As shown in (b), an example is shown in which the check temperature is reached in a time longer than the lower limit time due to the disconnection of the resistance wire A. In this case, the heater in that zone may be disconnected. FIG. 11C shows an example in which the check temperature cannot be reached due to disconnection of the resistance wires A and B as shown in FIG. Due to the heat interference, the detected temperature of the CH1 thermocouple was seen as 500 ° C. due to the heat of the heater in the adjacent CH2 zone.
【0057】以下、この発明の実施の形態1における、
処理動作をフローチャートを用いて説明する。図12は
上位コントローラの温度診断イベント切り替え監視処理
フローチャートを示す。この処理は、図19に示される
上位コントローラのメイン処理ルーチンのサブルーチン
として設けられ、ステップS1において温度診断イベン
ト1処理を行い、ステップS2において、温度診断イベ
ント2処理を行って、このサブルーチン動作を終了す
る。Hereinafter, in Embodiment 1 of the present invention,
The processing operation will be described with reference to a flowchart. FIG. 12 is a flowchart of the temperature diagnosis event switching monitoring process of the host controller. This processing is provided as a subroutine of the main processing routine of the upper controller shown in FIG. 19. In step S1, temperature diagnosis event 1 processing is performed. In step S2, temperature diagnosis event 2 processing is performed. I do.
【0058】これらイベント時間は、内部タイマを用い
て制御され、タイムアップ時に次のイベントに応じた指
示を温度調節器に通信回線を用いて送信する。なお、温
度診断イベント1,2について、常時はイベント1のみ
を実行し、イベント1に異常があったような場合にイベ
ント2を行うという用い方をしても良いことは上述した
通りである。These event times are controlled using an internal timer, and when the time is up, an instruction corresponding to the next event is transmitted to the temperature controller using a communication line. As described above, for the temperature diagnosis events 1 and 2, only the event 1 may be executed at all times, and the event 2 may be executed when the event 1 has an abnormality, as described above.
【0059】図13は図12で示した温度診断イベント
1の処理の内容を詳細に示したフローチャートである。
この処理では、まず、ステップS11において、温度診
断イベント1開始時間か否かが判断される。開始時間の
場合は、ステップS12において、平均化開始フラグを
0にセットし、ステップS13において温度診断イベン
ト1中フラグを1にセットする。FIG. 13 is a flowchart showing the details of the processing of the temperature diagnosis event 1 shown in FIG.
In this process, first, in step S11, it is determined whether or not it is the temperature diagnosis event 1 start time. In the case of the start time, the averaging start flag is set to 0 in step S12, and the flag during the temperature diagnosis event 1 is set to 1 in step S13.
【0060】ここで、平均化開始フラグは後述する上位
コントローラの温度診断イベント1チェック処理(図2
0)において、第1回目の処理とそれ以後の処理とで処
理を異ならせるためである。また、温度診断イベント1
中フラグは、上位コントローラのメイン処理(図19)
において、イベント1中であるか否かを判断する際に使
用される。Here, the averaging start flag is used for checking the temperature diagnosis event 1 of the host controller described later (FIG. 2).
This is because the processing is different between the first processing and the subsequent processing. In addition, temperature diagnosis event 1
The middle flag indicates the main processing of the upper controller (FIG. 19)
Is used to determine whether or not the event 1 is being performed.
【0061】一方、ステップS11において、温度診断
イベント1の開始時間でないと判断された場合は、ステ
ップS14に進み、ここで該イベント1のイベント時間
が終了したか否かが判断される。終了したと判断された
場合は、ステップS15に進んで、ここで図20の処理
で平均化演算したI値の最終結果を外部記憶装置に履歴
として蓄積する。これは後で履歴データとして用いるこ
とができる。また、ステップS16において、温度診断
イベント1中フラグを0として、上位コントローラのメ
イン処理においてイベント時間が終了したことを判断さ
せる。On the other hand, if it is determined in step S11 that the time is not the start time of the temperature diagnosis event 1, the process proceeds to step S14, where it is determined whether or not the event time of the event 1 has ended. If it is determined that the process has been completed, the process proceeds to step S15, where the final result of the I value averaged in the process of FIG. 20 is stored as a history in the external storage device. This can be used later as historical data. In step S16, the flag during the temperature diagnosis event 1 is set to 0, and it is determined that the event time has ended in the main processing of the host controller.
【0062】図14は図12で示した温度診断イベント
2処理の内容を詳細に示したフローチャートである。こ
の処理では、まず、ステップS21において、温度診断
イベント2の開始時間か否かが判断され、開始時間と判
断された場合は、ステップS22に進んで温度安定状態
のチェック処理が行われる。これは、ヒータ異常を検出
するための前提条件として、反応室内温度が過度状態で
なく、安定化していることを開始条件とするために行わ
れる処理である。FIG. 14 is a flowchart showing the details of the temperature diagnosis event 2 processing shown in FIG. In this process, first, in step S21, it is determined whether or not the time is the start time of the temperature diagnosis event 2, and if it is determined that the time is the start time, the process proceeds to step S22 to perform a temperature stable state check process. This is a process performed as a precondition for detecting a heater abnormality, as a start condition that the temperature in the reaction chamber is stable without being in an excessive state.
【0063】そして、ステップS23において、各ゾー
ンが全て温度安定状態と判断されると、ステップS24
に進み、ここで温度診断イベント2を開始することを温
度調節器に通信電文により通知する。この電文には、後
述する各ゾーンの固定ヒータ出力値と、固定ヒータ出力
値制御指定が含まれる。これにより、温度調節器のメイ
ン処理に割り込みがかかり、後述の図15に示される処
理が開始される。そして、ステップS25において温度
診断イベント2中フラグを1にセットする。このフラグ
は図19に示される上位コントローラのメイン処理にお
いて用いられる。一方、ステップS23において、温度
が安定していないと判断された場合は、ステップS2
4,25の処理をスキップして処理を終了する。If it is determined in step S23 that all zones are in the temperature stable state, step S24
Then, the temperature controller is notified of the start of the temperature diagnosis event 2 by a communication message. This message includes a fixed heater output value of each zone described later and a fixed heater output value control designation. This interrupts the main processing of the temperature controller, and the processing shown in FIG. 15 described below is started. Then, the flag during the temperature diagnosis event 2 is set to 1 in step S25. This flag is used in the main processing of the host controller shown in FIG. On the other hand, if it is determined in step S23 that the temperature is not stable, the process proceeds to step S2.
The processing of steps 4 and 25 is skipped and the processing ends.
【0064】また、ステップS21において、温度診断
イベント2の開始時でないと判断された場合は、ステッ
プS26に進んで、温度診断イベント2の終了時間か否
かが判断され、終了している場合は、ステップS27に
て温度イベント2の終了であることを温度調節器に通信
電文により通知して、図15の割り込み処理を開始さ
せ、ステップS28により温度診断イベント2中フラグ
を0にセットし、処理を終了する。ステップS26にお
いて、温度診断イベント2の終了時でない場合は、その
まま図14の処理を終了する。If it is determined in step S21 that the time is not the start of the temperature diagnosis event 2, the process proceeds to step S26, where it is determined whether or not the end time of the temperature diagnosis event 2 has been reached. In step S27, the end of the temperature event 2 is notified by a communication message to the temperature controller to start the interrupt processing of FIG. 15, and the flag in the temperature diagnosis event 2 is set to 0 in step S28, and To end. If it is not the end of the temperature diagnosis event 2 in step S26, the processing in FIG.
【0065】図15は、上位コントローラからの通知に
より開始される温度調節器割り込みフローチャートを示
す。まず、ステップS31において、電文が温度診断イ
ベント2の開始か否かが判断され、ステップS32にお
いて後述する図16(a)の固定ヒータ出力値制御開始
処理が行われる。一方、ステップS31において、電文
が温度診断イベント2の開始でないと判断された場合
は、ステップS33に進み、温度診断イベント2の終了
か否かが判断される。そして、終了の場合はステップS
34に進み、後述する図16(b)の固定ヒータ出力値
制御終了処理が行われる。ステップS33において、温
度診断イベント2の終了でないと判断された場合は、そ
のまま該割り込み処理を終了し、従って温度診断イベン
ト2が続行されることとなる。FIG. 15 shows a flowchart of the temperature controller interrupt started by notification from the host controller. First, in step S31, it is determined whether or not the message is the start of the temperature diagnosis event 2, and in step S32, a fixed heater output value control start process of FIG. On the other hand, if it is determined in step S31 that the message is not the start of the temperature diagnosis event 2, the process proceeds to step S33 to determine whether the temperature diagnosis event 2 is completed. And if it is finished, step S
Proceeding to 34, the fixed heater output value control end processing of FIG. If it is determined in step S33 that the temperature diagnosis event 2 is not to be ended, the interrupt processing is ended, and the temperature diagnosis event 2 is continued.
【0066】図16(a),(b)は図15で示した処
理のステップS32とステップS34の処理内容をそれ
ぞれ示すフローチャートである。図16(a)の処理
(ステップS32の処理)においては、まず、ステップ
S41において、固定ヒータ出力値制御フラグを1にセ
ットし、ステップS42において、各ゾーンの固定ヒー
タ出力値をテーブルにセットする。FIGS. 16A and 16B are flowcharts respectively showing the processing contents of steps S32 and S34 of the processing shown in FIG. In the process of FIG. 16A (the process of step S32), first, in step S41, the fixed heater output value control flag is set to 1, and in step S42, the fixed heater output value of each zone is set in the table. .
【0067】図16(b)の処理(ステップS34の処
理)においては、まず、ステップS51において、固定
ヒータ出力値制御フラグを0にセットし、ステップS5
2において、各ゾーンの固定ヒータ出力値0%をテーブ
ルにセットする。In the processing of FIG. 16B (processing of step S34), first, in step S51, the fixed heater output value control flag is set to 0, and in step S5
In step 2, a fixed heater output value of 0% for each zone is set in a table.
【0068】図17は温度調節器のメイン処理を示すメ
インフローチャートである。まず、動作開始の初期化の
ため、ステップS61において、固定ヒータ出力値制御
フラグを0にセットし、ステップS62において、各ゾ
ーンの固定ヒータ出力値0%をテーブルにセットし、ス
テップS63において、各ゾーンのリミット温度0℃を
テーブルにセットする。FIG. 17 is a main flowchart showing the main processing of the temperature controller. First, for initialization of the operation start, the fixed heater output value control flag is set to 0 in step S61, the fixed heater output value 0% of each zone is set in a table in step S62, and in step S63, Set the zone limit temperature 0 ° C on the table.
【0069】ステップS64において、固定ヒータ出力
値制御フラグが「1」か否かが判断され、「1」の場合
は、ステップS65において、テーブルにセットされた
固定ヒータ出力値に対応したサイリスタゲートパルス信
号を出力する。そしてステップS66において、温度を
検知して、検知された温度を上位コントローラに通知す
る。この通知された温度は後述する図18に示す処理に
おいて受信され、これら温度は後述する上位コントロー
ラの処理(図21)において使用される。In step S64, it is determined whether the fixed heater output value control flag is "1". If it is "1", in step S65, a thyristor gate pulse corresponding to the fixed heater output value set in the table is set. Output a signal. In step S66, the temperature is detected, and the detected temperature is notified to the host controller. The notified temperatures are received in the processing shown in FIG. 18 described later, and these temperatures are used in the processing of the higher-level controller (FIG. 21) described later.
【0070】一方、ステップS64において、制御フラ
グが「1」でないと判断された場合は、ステップS67
において、制御演算(PID演算)を行って、ヒータ出
力値を算出し、ステップS68において、制御演算結果
のヒータ出力値に対応した、サイリスタゲートパルス信
号を出力し、ステップS66に進む。なお、これらの処
理には、通常のウェハ処理における制御が含まれてい
る。On the other hand, if it is determined in step S64 that the control flag is not "1", the process proceeds to step S67.
, A control operation (PID operation) is performed to calculate a heater output value, and in step S68, a thyristor gate pulse signal corresponding to the heater output value as a result of the control operation is output, and the process proceeds to step S66. Note that these processes include control in normal wafer processing.
【0071】図18は上位コントローラにおける温度調
節器からの電文受信処理を示すフローチャートである。
ステップS71において、受信電文が温度であると判断
された場合は、ステップS72において、温度テーブル
に各ゾーンの受信した温度値をセットし、処理を終了す
る。ステップS71において、受信電文が温度でないと
判断された場合は、該処理を直ちに終了する。FIG. 18 is a flowchart showing processing for receiving a message from the temperature controller in the host controller.
If it is determined in step S71 that the received message is a temperature, in step S72, the received temperature value of each zone is set in the temperature table, and the process ends. If it is determined in step S71 that the received message is not at the temperature, the process is immediately terminated.
【0072】図19は上位コントローラのメインフロー
チャートを示す。上位コントローラのメイン動作として
は、まず、初期化のため、ステップS81において、温
度診断イベント1中フラグを0にセットし、ステップS
82において、温度診断イベント2中フラグを0にセッ
トする。FIG. 19 shows a main flowchart of the host controller. As a main operation of the host controller, first, for initialization, in step S81, the flag during the temperature diagnosis event 1 is set to 0, and in step S81,
At 82, the flag during the temperature diagnosis event 2 is set to 0.
【0073】以下、ステップS83〜ステップS87は
電源オフがあるまで繰り返される永久ループルーチンで
ある。まず、ステップS83において、図12に示した
イベント切り替え監視処理を行い、ステップS84にお
いて、温度診断イベント1中フラグが「1」であるか否
かが判断される。フラグが「1」の場合は、ステップS
85において、温度診断イベント1チェック処理が行わ
れる。この処理については、図20において後述する。Steps S83 to S87 are a permanent loop routine that is repeated until the power is turned off. First, in step S83, the event switching monitoring process shown in FIG. 12 is performed, and in step S84, it is determined whether the flag during the temperature diagnosis event 1 is “1”. If the flag is “1”, step S
At 85, a temperature diagnosis event 1 check process is performed. This processing will be described later with reference to FIG.
【0074】そして、次にステップS86において、温
度診断イベント2中フラグが「1」であるか否かが判断
され、「1」の場合は、ステップS87において、温度
診断イベント2チェック処理が行われる。この処理につ
いては、図21において後述する。ステップS84又は
ステップS86において、フラグが「1」でない場合
は、ステップS83に戻り、同様の処理を繰り返す。Then, in step S86, it is determined whether or not the flag during the temperature diagnosis event 2 is "1". If the flag is "1", the temperature diagnosis event 2 check processing is performed in step S87. . This processing will be described later with reference to FIG. If the flag is not “1” in step S84 or step S86, the process returns to step S83, and the same processing is repeated.
【0075】次に、図20を用いて、上位コントローラ
による温度診断イベント1チェック処理について説明す
る。まず、ステップS91において、温度安定状態のチ
ェック処理を行う。これは、反応室の温度の安定状態で
ヒータ異常の判断処理を開始するという前提条件であ
る。そして、ステップS92において、各ゾーン全て温
度が安定状態にあることが判断されると、ステップS9
3に進み、ここで、平均化開始フラグが「0」か否かが
判断され、「0」の場合は、ステップS94にて、I平
均値にカレント(現在の)I出力値をセットし、ステッ
プS95において、平均化開始フラグを「1」にセット
し処理を終了する。Next, the temperature diagnosis event 1 check processing by the host controller will be described with reference to FIG. First, in step S91, a process for checking a stable temperature state is performed. This is a prerequisite for starting the heater abnormality determination process in a stable state of the temperature of the reaction chamber. If it is determined in step S92 that the temperatures of all the zones are in a stable state, the process proceeds to step S9.
Then, it is determined whether or not the averaging start flag is “0”. If the averaging start flag is “0”, the current (current) I output value is set to the I average value in step S94. In step S95, the averaging start flag is set to "1", and the process ends.
【0076】一方、ステップS93において、平均化開
始フラグが「0」でない場合は、ステップS96に進
み、ここで、I平均値にカレントI出力値を加えて2で
割るというI値の平均値算出を行う。次に、ステップS
97に進み、温度アラーム条件テーブルT1のスタンバ
イ温度に対応した条件内容をチェックするためにスタン
バイ温度をサーチし、ステップS98に進む。On the other hand, if the averaging start flag is not "0" in step S93, the flow advances to step S96 to calculate the average value of the I value by adding the current I output value to the I average value and dividing by two. I do. Next, step S
The process proceeds to step S97, where the standby temperature is searched to check the contents of the condition corresponding to the standby temperature in the temperature alarm condition table T1, and the process proceeds to step S98.
【0077】ステップS98では、I平均値が温度アラ
ーム条件テーブルの上限1以上か否かが判断され、上限
1以上でない場合は、ステップS99において、I平均
値が上限2以上であるか否かが判断され、上限2以上で
ない場合は、ステップS100に進み、I平均値が温度
アラーム条件の下限1以上であるか否かが判断され、下
限1以上でない場合はステップS101において、下限
2以上であるか否かが判断される。ステップS101の
処理の後、また、各ステップS98,ステップS99,
ステップS101の判断結果が肯定的であった場合及び
ステップS101の処理後は重度又は軽度の異常がある
として、ステップS102に進む。一方、ステップS1
00の判断結果が肯定的であった場合(上限2より小さ
く下限1以上の場合)は異常なしとしてステップS10
2を介さず、処理を終了する。At step S98, it is determined whether or not the I average value is not less than the upper limit 1 of the temperature alarm condition table. If not, at step S99, whether or not the I average value is not less than the upper limit 2 is determined. If it is determined that it is not equal to or more than the upper limit 2, the process proceeds to step S100, and it is determined whether or not the I average value is equal to or more than the lower limit 1 of the temperature alarm condition. Is determined. After the process of step S101, each of steps S98, S99,
When the result of the determination in step S101 is affirmative and after the processing in step S101, it is determined that there is a serious or mild abnormality, and the process proceeds to step S102. On the other hand, step S1
If the determination result of step 00 is affirmative (ie, less than the upper limit 2 and not less than the lower limit 1), there is no abnormality and step S10
The processing is terminated without going through step 2.
【0078】そして、ステップS102において、ステ
ップS98〜ステップS101により判断された4つの
パターン判断結果(上限1以上の場合(断線)、上限1
より小さく上限2以上の場合(断線予知)、下限1より
小さく下限2以上の場合(短絡予知)、及び下限2以下
の場合(短絡))により、それぞれについて定められた
所定の属性についての処理が行われる。属性は、例え
ば、既述のように上限1以上(断線)と下限2以下(短
絡)を重度異常、上限1より小さく上限2以上の場合
(断線予知)と下限1より小さく下限2以上の場合(短
絡予知)を軽度異常、上限2より小さく下限1以上を正
常とし、これらに対して、例えば異常時に、インターロ
ック信号、アラーム発生、ブザー鳴動、リセット、エラ
ーイベントジャンプ等を適宜適用することができ、適正
範囲を外れた際の動作イベントが示される。Then, in step S102, the four pattern determination results determined in steps S98 to S101 (if the upper limit is 1 or more (disconnection), the upper limit 1
When the value is smaller than the upper limit 2 or more (disconnection prediction), when the value is smaller than the lower limit 1 and is 2 or more (short-circuit prediction), and when the value is 2 or less (short-circuit), the processing for the predetermined attribute determined for each is performed. Done. For example, as described above, the attribute is a serious abnormality when the upper limit is 1 or more (disconnection) and the lower limit 2 or less (short circuit), when the upper limit is 1 and the upper limit is 2 or more (disconnection prediction), and when the lower limit is 1 and the lower limit is 2 or more. (Shorting prediction) is assumed to be slightly abnormal, and lower than 1 and lower than 1 is considered normal. For example, an interlock signal, alarm generation, buzzer sounding, reset, error event jump, etc. are appropriately applied to these when abnormal. And an operation event when the value is out of the appropriate range.
【0079】次に、図21を用いて、上位コントローラ
による温度診断イベント2チェック処理について説明す
る。まず、本サブルーチンのスタート時におけるステッ
プS111において、温度診断イベント2中フラグが
「1」であるか否かの再判断が行われ、「1」の場合は
ステップS112に進み、ここで温度アラーム条件テー
ブルT2のスタンバイ温度に対応した条件内容をチェッ
クするために、スタンバイ温度をサーチする。Next, the temperature diagnostic event 2 check processing by the host controller will be described with reference to FIG. First, in step S111 at the start of this subroutine, it is determined again whether or not the flag during the temperature diagnosis event 2 is “1”. If “1”, the process proceeds to step S112, where the temperature alarm condition is set. The standby temperature is searched to check the contents of the condition corresponding to the standby temperature in the table T2.
【0080】次にステップS113において、カレント
温度がチェック温度より大きいか否かが判断され、大き
い場合は、ステップS114において、上限時間がカレ
ント時間より大きい、すなわちカレント時間が未だ上限
時間に達していないか否かが判断され、上限時間がカレ
ント時間より大きくない場合は、ステップS115にお
いて、カレント時間が下限時間より大きい、すなわちカ
レント時間が下限時間を過ぎているか否かが判断され
る。Next, in step S113, it is determined whether or not the current temperature is higher than the check temperature. If it is higher, in step S114, the upper limit time is longer than the current time, that is, the current time has not yet reached the upper limit time. If the upper limit time is not longer than the current time, it is determined in step S115 whether the current time is longer than the lower limit time, that is, whether the current time has passed the lower limit time.
【0081】なお、ステップS113において、カレン
ト温度がチェック温度より大きくない場合は、次にステ
ップS115の処理が行われ、ステップS115の処理
の後、或いはステップS114において、上限時間がカ
レント時間より大きいと判断された場合は、ステップS
116において、図20と同様に、定義属性対応処理が
行われる。この処理は、ステップS113〜ステップS
115において、判断される3つのパターン(カレント
温度がチェック温度より大きく且つ上限時間がカレント
時間より大きい場合(図10)、カレント温度がチェ
ック温度より大きく且つカレント時間が下限時間より大
きい場合(図10)、カレント温度がチェック温度以
下であり且つカレント時間が下限時間より大きい場合
(図10))に対応して定められている所定の対応処
理である。If the current temperature is not higher than the check temperature in step S113, the process in step S115 is performed. If the upper limit time is longer than the current time after the process in step S115 or in step S114. If determined, step S
At 116, similarly to FIG. 20, a definition attribute correspondence process is performed. This processing is performed in steps S113 to S113.
At 115, three patterns to be determined (when the current temperature is higher than the check temperature and the upper limit time is longer than the current time (FIG. 10), when the current temperature is higher than the check temperature and the current time is longer than the lower limit time (FIG. 10) ), And is a predetermined corresponding process that is defined corresponding to the case where the current temperature is equal to or lower than the check temperature and the current time is longer than the lower limit time (FIG. 10).
【0082】そして、ステップS117において、カレ
ント温度がリミット温度より大きいか否かが判断され、
大きい場合はステップS118において、温度診断イベ
ント2の終了を温度調節器に通知し、また、ステップS
119において、温度診断イベント2中フラグを「0」
にセットし、処理を終了する。ステップS115におい
て、カレント時間が下限時間よりも大きくない場合、或
いはステップS117において、カレント温度がリミッ
ト温度より大きくない場合も処理を終了する。Then, in step S117, it is determined whether or not the current temperature is higher than the limit temperature.
If it is larger, in step S118, the end of the temperature diagnosis event 2 is notified to the temperature controller.
At 119, the flag during the temperature diagnosis event 2 is set to “0”.
And the process ends. If the current time is not greater than the lower limit time in step S115, or if the current temperature is not greater than the limit temperature in step S117, the process ends.
【0083】以上に詳述したように、実施の形態1によ
れば、集中管理により、低コストで、ヒータ断線検知、
過電流防止を行うことができる。なお、例えば500℃
や600℃等の所定の安定したプロセス温度下におい
て、ヒータ出力値の経時変化を記録し、それが徐々に上
動変動するような場合を検出することによっても、その
変動より断線予知などを行うこともできる。As described in detail above, according to the first embodiment, heater disconnection detection,
Overcurrent can be prevented. In addition, for example, 500 ° C.
At a predetermined stable process temperature such as 600 ° C. or 600 ° C., the temporal change in the heater output value is recorded, and a case where the heater output value gradually fluctuates is detected. You can also.
【0084】実施の形態2.実施の形態1では、所定の
ヒータ出力に対する温度変動、或いはI値出力変動より
ヒータの異常を検出するようにしたが、実施の形態2で
はヒータへの電流値を検出することにより異常を検出す
るようにしたものである。従って、実施の形態2におけ
るプロセス処理シーケンスは実施の形態1において用い
た図5において、例えば温度診断イベント1を用いた場
合と同様なシーケンスを用いることができる。以下、実
施の形態2について説明する。なお、実施の形態2にお
いて、実施の形態1と同一符号は、それらと同一物又は
相当物を示している。Embodiment 2 In the first embodiment, the abnormality of the heater is detected from the temperature fluctuation with respect to the predetermined heater output or the I value output fluctuation. In the second embodiment, the abnormality is detected by detecting the current value to the heater. It is like that. Therefore, in the process processing sequence in the second embodiment, the same sequence as that in the case of using the temperature diagnosis event 1 in FIG. 5 used in the first embodiment can be used. Hereinafter, Embodiment 2 will be described. In the second embodiment, the same reference numerals as those in the first embodiment denote the same or corresponding components.
【0085】図22は実施の形態2におけるCVD装置
の全体構成を示す図であり、実施の形態1に対して、電
流センサ27,28,29,30が各ゾーンにおけるヒ
ータ(発熱部11,12,13,14)への電力ケーブ
ル15,16,17,18に設けられている点が異なっ
ている。FIG. 22 is a diagram showing the overall structure of a CVD apparatus according to the second embodiment. In the first embodiment, the current sensors 27, 28, 29, and 30 are different from the first embodiment in that heaters (heating units 11, 12) are provided in each zone. , 13, 14) are provided on the power cables 15, 16, 17, 18 respectively.
【0086】また、図23は温度調節器の全体構成を示
す図であり、図22に示した各電流センサからの入力イ
ンタフェース部として、AMP257、整流回路25
8、マルチプレクサ259、ADコンバータ260が設
けられている。FIG. 23 is a diagram showing the overall configuration of the temperature controller. An AMP 257 and a rectifier circuit 25 serve as input interfaces from the current sensors shown in FIG.
8, a multiplexer 259, and an AD converter 260.
【0087】図24は上位コントローラ編集画面におけ
る電流アラーム条件テーブルを示している。上位コント
ローラは、図24に示されるように、温度帯0〜99
℃、温度帯100〜199℃、温度帯200〜299℃
のように、温度帯の数値入力が行える電流アラーム条件
テーブルを持つ。電流アラーム条件テーブルは、20個
の温度帯対応テーブルより構成される。これらは、加熱
部(ヒータ)の各ゾーン発熱部は、温度によって抵抗が
変化するという特性があり、同一電圧においても許容電
流値は異なってくる為、複数の温度帯を持つことによ
り、きめこまかい設定を可能としたものである。FIG. 24 shows a current alarm condition table on the upper controller editing screen. As shown in FIG.
° C, temperature range 100-199 ° C, temperature range 200-299 ° C
And has a current alarm condition table in which numerical values of the temperature zone can be input. The current alarm condition table is composed of 20 temperature zone correspondence tables. These have the characteristic that the resistance of each zone heating section of the heating section (heater) changes depending on the temperature, and the allowable current value differs even at the same voltage. Is made possible.
【0088】そして、個々の温度帯対応テーブルには、
各ゾーン毎の、固定ヒータ出力値、上限1、属性、上限
2、属性、下限1、属性、下限2、属性が定義でき、属
性はインターロック信号、アラーム発生、ブザー鳴動、
リセット等が定義でき、適正範囲を外れた際の動作イベ
ントを示す。これにより、ユーザへの素早い通知と、装
置の安全性能が向上される。これらについては、実施の
形態1で説明したことと同じであり、ここでの説明を省
略する。Then, in each temperature zone correspondence table,
For each zone, fixed heater output value, upper limit 1, attribute, upper limit 2, attribute, lower limit 1, attribute, lower limit 2, attribute can be defined, and attributes are interlock signal, alarm occurrence, buzzer sound,
A reset or the like can be defined, and indicates an operation event when the value goes out of an appropriate range. Thereby, quick notification to the user and the safety performance of the device are improved. These are the same as those described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
【0089】図25は上位コントローラの各ゾーン電流
履歴グラフを示している。電流検知イベント中の上限
1,上限2、下限1、下限2を表示し、電流データを過
去履歴を含めてリアルタイム表示し、異常が無いか否か
を黙視確認することができる。FIG. 25 shows each zone current history graph of the host controller. The upper limit 1, the upper limit 2, the lower limit 1, and the lower limit 2 during the current detection event are displayed, the current data is displayed in real time including the past history, and it is possible to silently check whether there is any abnormality.
【0090】以下、実施の形態2における処理動作を図
26〜図32を用いて説明する。図26は上位コントロ
ーラにおいて行われる電流検知イベントへの切り替え監
視処理を示すフローチャートであり、実施の形態1の図
12及び図13に対応している。まず、ステップS12
1において、電流検知イベントの開始時間か否かが判断
され、開始時間の場合は、ステップS122において、
固定ヒータ出力値制御が開始され、及び電流検知モード
であることを温度調節器に通知する。この通知により、
後述の図27の処理が割り込みにより開始される。ステ
ップS123では電流検知イベント中フラグを「1」に
セットして処理を終了する。Hereinafter, the processing operation according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 26 is a flowchart showing a switching monitoring process to a current detection event performed by the host controller, and corresponds to FIGS. 12 and 13 of the first embodiment. First, step S12
In step S1, it is determined whether or not the current time is the start time of the current detection event.
The fixed heater output value control is started, and the temperature controller is notified that the current detection mode is set. With this notice,
The processing of FIG. 27 described later is started by interruption. In step S123, the current detection event in-progress flag is set to “1”, and the process ends.
【0091】一方、ステップS121において、電流検
知イベントの開始時間でない場合には、ステップS12
4に進み、電流検知イベントの終了時間か否かが判断さ
れる。終了時間の場合は、ステップS125に進み、固
定ヒータ出力値制御終了、及び電流検知モードを止める
ことを温度調節器に通知する。ステップS126では、
電流検知イベント中フラグを「0」にセットする。On the other hand, in step S121, if it is not the start time of the current detection event, step S12
Proceeding to 4, it is determined whether or not it is the end time of the current detection event. If it is the end time, the process proceeds to step S125 to notify the temperature controller that the fixed heater output value control has been completed and the current detection mode is to be stopped. In step S126,
The current detection event in-progress flag is set to “0”.
【0092】図27は、図26の処理における通知が上
位コントローラよりあった場合の温度調節器の割り込み
処理を示すフローチャートである。まず、ステップS1
31において、電文が固定ヒータ出力制御開始、及び電
流検知モードの開始についてのものであるか否かが判断
され、肯定結果の場合はステップS132に進み、ここ
で後述の図28(a)に示す固定ヒータ出力値制御開
始、及び電流検知モード開始処理が行われる。FIG. 27 is a flowchart showing the interrupt processing of the temperature controller when the notification in the processing of FIG. 26 is received from the upper controller. First, step S1
At 31, it is determined whether or not the message is about the start of the fixed heater output control and the start of the current detection mode. If the result is affirmative, the process proceeds to step S132, where the process is shown in FIG. The fixed heater output value control start and the current detection mode start processing are performed.
【0093】一方、ステップS131において、否定結
果の場合は、ステップS133において、電文が固定ヒ
ータ出力値制御終了、及び電流検知モード終了であるか
否かが判断される。そして、肯定結果の場合はステップ
S134において、図28(b)に示す固定ヒータ出力
値制御終了、及び電流検知モード終了処理が行われる。
ステップS133における判断が否定結果の場合は、処
理をそのまま終了する。On the other hand, in the case of a negative result in step S131, it is determined in step S133 whether or not the message is the end of the fixed heater output value control and the end of the current detection mode. If the result is affirmative, in step S134, the fixed heater output value control end and the current detection mode end processing shown in FIG. 28B are performed.
If the determination in step S133 is negative, the process ends.
【0094】図28(a)は図27のステップS132
の処理を示すフローチャートを示している。まず、ステ
ップS141において、固定ヒータ出力値制御フラグを
「1」にセットし、ステップS142において、各ゾー
ンの固定ヒータ出力値をテーブルにセットする。そし
て、ステップS143において、電流検知モードフラグ
を「1」にセットして処理を終了する。FIG. 28A shows step S132 in FIG.
3 is a flowchart showing the processing of FIG. First, in step S141, the fixed heater output value control flag is set to "1", and in step S142, the fixed heater output value of each zone is set in a table. Then, in step S143, the current detection mode flag is set to “1”, and the process ends.
【0095】図28(b)は図27のステップS134
の処理を示すフローチャートを示している。まず、ステ
ップS151において、固定ヒータ出力値制御フラグを
「0」にセットし、ステップS152において、各ゾー
ンの固定ヒータ出力値0%をテーブルにセットする。そ
して、ステップS153において、電流検知モードフラ
グを「0」にセットして処理を終了する。FIG. 28B is a flowchart showing step S134 in FIG.
3 is a flowchart showing the processing of FIG. First, in step S151, the fixed heater output value control flag is set to "0", and in step S152, the fixed heater output value of each zone is set to 0% in the table. Then, in step S153, the current detection mode flag is set to “0”, and the process ends.
【0096】図29は温度調節器のメイン処理を示すメ
インフローチャートである。まず、動作開始の初期化の
ため、ステップS161において、固定ヒータ出力値制
御フラグを0にセットし、ステップS162において、
各ゾーンの固定ヒータ出力値0%をテーブルにセット
し、ステップS163において、電流検知モードフラグ
を「0」にセットする。FIG. 29 is a main flowchart showing the main processing of the temperature controller. First, in order to initialize the operation start, the fixed heater output value control flag is set to 0 in step S161, and in step S162,
The fixed heater output value of 0% for each zone is set in the table, and in step S163, the current detection mode flag is set to “0”.
【0097】ステップS164において、固定ヒータ出
力値制御フラグが「1」か否かが判断され、「1」の場
合は、ステップS165において、テーブルにセットさ
れた固定ヒータ出力値に対応したサイリスタゲートパル
ス信号を出力する。そしてステップS166において、
電流検知モードフラグが「1」であるか否かが判断さ
れ、「1」の場合はステップS167において、電流を
検知して検知した電流値を上位コントローラに通知す
る。この通知された電流値は後述する図30に示す処理
において受信される。ステップS167の処理後、或い
は、ステップS166において、電流検知モードフラグ
が「1」でない場合は、ステップS168に進み、温度
検知と検知した温度の上位コントローラへの通知が行わ
れる。この温度は通常の反応室の温度制御のモニタ温度
として使用される。In step S164, it is determined whether the fixed heater output value control flag is "1". If it is "1", in step S165, a thyristor gate pulse corresponding to the fixed heater output value set in the table is set. Output a signal. Then, in step S166,
It is determined whether or not the current detection mode flag is “1”. If the current detection mode flag is “1”, in step S167, the current is detected and the detected current value is notified to the host controller. The notified current value is received in a process shown in FIG. 30 described later. After the process of step S167, or when the current detection mode flag is not “1” in step S166, the process proceeds to step S168, and temperature detection and notification of the detected temperature to the upper controller are performed. This temperature is used as a monitor temperature for normal temperature control of the reaction chamber.
【0098】一方、ステップS164において、制御フ
ラグが「1」でないと判断された場合は、ステップS1
69において、制御演算(PID演算)を行って、ヒー
タ出力値を算出し、ステップS170において、制御演
算結果のヒータ出力値に対応した、サイリスタゲートパ
ルス信号を出力し、上述のステップS166に進む。な
お、これらの処理は通常のウェハ処理における制御が含
まれている。On the other hand, if it is determined in step S164 that the control flag is not "1", the process proceeds to step S1.
At 69, a control operation (PID operation) is performed to calculate a heater output value, and at step S170, a thyristor gate pulse signal corresponding to the heater output value of the control operation result is output, and the process proceeds to step S166. Note that these processes include control in normal wafer processing.
【0099】図30は上位コントローラにおける温度調
節器からの電文受信処理を示すフローチャートである。
ステップS171において、受信電文が温度であると判
断された場合は、ステップS172において、温度テー
ブルに各ゾーンの受信した温度値をセットする。ステッ
プS172の後、或いはステップS171において受信
電文が温度でないと判断された場合は、ステップS17
3において、受信電文が電流であるか否かが判断され
る。受信電文が電流と判断された場合は、ステップS1
74において電流テーブルに各ゾーンの受信した電流値
をセットし処理を終了する。受信電文が電流と判断され
なかった場合はそのまま処理を終了する。FIG. 30 is a flowchart showing processing for receiving a message from the temperature controller in the host controller.
If it is determined in step S171 that the received message is temperature, in step S172, the received temperature value of each zone is set in the temperature table. After step S172, or when it is determined in step S171 that the received message is not temperature, step S17
At 3, it is determined whether the received message is a current. If the received message is determined to be current, step S1
At 74, the received current value of each zone is set in the current table, and the process ends. If the received message is not determined to be a current, the process is terminated.
【0100】図31は上位コントローラのメインフロー
チャートを示す。上位コントローラのメイン動作として
は、まず、初期化のため、ステップS181において、
電流検知イベント中フラグを0にセットする。以下、ス
テップS182〜ステップS185は電源オフがあるま
で繰り返される永久ループルーチンである。FIG. 31 shows a main flowchart of the host controller. As a main operation of the host controller, first, for initialization, in step S181,
Set the current detection event flag to 0. Hereinafter, steps S182 to S185 are a permanent loop routine that is repeated until the power is turned off.
【0101】まず、ステップS182において、図26
に示したイベント切り替え監視処理を行い、ステップS
183において、電流検知イベント中フラグが「1」で
あるか否かが判断される。フラグが「1」の場合は、ス
テップS184において、電流検知チェック処理が行わ
れる。この処理については、図32において後述する。
そして、ステップS185において、得られた電流値を
履歴データとして蓄積(記憶)する処理が行われる。First, in step S182, FIG.
Perform the event switching monitoring process shown in FIG.
In 183, it is determined whether or not the current detection event in-progress flag is “1”. If the flag is “1”, a current detection check process is performed in step S184. This processing will be described later with reference to FIG.
Then, in step S185, a process of storing (storing) the obtained current value as history data is performed.
【0102】図32は、上位コントローラで行われる電
流検知チェック処理(図31のステップS184の処
理)を示すサブルーチンフローチャートである。まず、
ステップS191において、電流検知イベント中フラグ
が「1」であるか否かが判断され、「1」の場合はステ
ップS192において、温度テーブルの温度を参照し、
電流アラーム条件テーブルの温度帯に対応した条件内容
をチェックするために温度帯をサーチする。FIG. 32 is a subroutine flowchart showing a current detection check process (the process of step S184 in FIG. 31) performed by the host controller. First,
In step S191, it is determined whether or not the current detection event in-progress flag is “1”. If the flag is “1”, in step S192, the temperature in the temperature table is referred to.
The temperature zone is searched to check the content of the condition corresponding to the temperature zone in the current alarm condition table.
【0103】そして、ステップS193〜ステップS1
96の処理により異常内容(属性)対応処理を行う。ま
ず、ステップS193において、電流テーブルの電流値
が上限1以上であるか否かが判断され、上限1以上でな
い場合は、ステップS194において、電流テーブルの
電流値が上限2以上であるか否かが判断される。ここ
で、上限2以上でない場合は、ステップS195に進
み、電流テーブルの電流値が下限1以上であるか否かが
判断され、下限1以上でない場合はステップS196に
おいて、下限2以上であるか否かが判断される。ステッ
プS193、ステップS194,ステップS196の判
断結果が肯定的であった場合、及びステップS196の
処理の後は、重度又は軽度の異常があるとして、ステッ
プS197に進む。一方、ステップS195の判断結果
が肯定的であった場合(上限2より小さく下限1以上の
場合)は正常として、ステップS197を介さず処理を
終了する。Then, steps S193 to S1
At step 96, an abnormal content (attribute) handling process is performed. First, in step S193, it is determined whether or not the current value in the current table is equal to or more than the upper limit 1. If not, it is determined in step S194 whether or not the current value in the current table is equal to or more than the upper limit 2. Is determined. If the current value is not equal to or greater than the upper limit 2, the process proceeds to step S195, and it is determined whether the current value in the current table is equal to or greater than the lower limit 1. If not, the process proceeds to step S196 to determine whether the current value is equal to or greater than the lower limit 2. Is determined. When the determination result of step S193, step S194, or step S196 is affirmative, or after the process of step S196, it is determined that there is a serious or mild abnormality, and the process proceeds to step S197. On the other hand, if the result of the determination in step S195 is affirmative (if it is smaller than the upper limit 2 and equal to or larger than the lower limit 1), it is determined to be normal, and the process ends without step S197.
【0104】そして、ステップS197において、ステ
ップS193〜ステップS196により判断された4つ
のパターン判断結果(上限1以上の場合(短絡)、上限
1より小さく上限2以上の場合(短絡予知)、下限1よ
り小さく下限2以上の場合(断線予知)、及び下限2以
下の場合(断線))により、それぞれについて定められ
た所定の属性についての処理が行われる。In step S197, the four pattern determination results determined in steps S193 to S196 (when the upper limit is 1 or more (short circuit), when the upper pattern is smaller than the upper limit 1 and 2 or more (short circuit prediction), Depending on the case where the value is smaller than the lower limit 2 (disconnection prediction) and the case where the value is smaller than or equal to the lower limit 2 (disconnection), processing is performed on the predetermined attribute determined for each.
【0105】属性は、例えば、既述のように上限1以上
(短絡)と下限2以下(断線)を重度異常、上限1より
小さく上限2以上の場合(短絡予知)と下限1より小さ
く下限2以上の場合(断線予知)を軽度異常、上限2よ
り小さく下限1以上を正常とし、これらに対して、例え
ば異常時に、インターロック信号、アラーム発生、ブザ
ー鳴動、リセット、エラーイベントジャンプ等を適宜適
用することができ、適正範囲を外れた際の動作イベント
が示される。As described above, for example, as described above, the upper limit of 1 or more (short circuit) and the lower limit of 2 or less (disconnection) are severe abnormalities. In the above cases (disconnection prediction), a slight abnormality is set, and a lower limit of 1 or more is set to normal, which is smaller than the upper limit 2 and an interlock signal, an alarm, a buzzer sounds, a reset, an error event jump, etc. are appropriately applied in the case of an abnormality. And an operation event when the value is out of the appropriate range is indicated.
【0106】以上のように、実施の形態2では、プロセ
ス処理において、スタンバイ状態時に、電流検知イベン
トを設けて、ウェハプロセス処理に影響を与えないよう
にし、過電流防止、ヒータ断線検知を行うことができ
る。このとき、ボートは反応管に未挿入の状態であり、
また、ウェハ移載時間に比較すると、過電流(ヒータ断
線)、ヒータ断線検知時間は短いので、全体のシーケン
ス時間が延びるということはない。As described above, in the second embodiment, in the process processing, the current detection event is provided in the standby state so as not to affect the wafer process processing, and the overcurrent prevention and the heater disconnection detection are performed. Can be. At this time, the boat has not been inserted into the reaction tube,
In addition, since the overcurrent (heater disconnection) and the heater disconnection detection time are shorter than the wafer transfer time, the entire sequence time is not extended.
【0107】温度調節器においては、電流検知イベント
中でない場合は、通常の制御演算処理を行うが、電流検
知イベント中には、固定ヒータ出力値を使って制御する
という特徴を持ち、また、電流検知イベント中以外は、
温度データのみモニタできるような仕組みを有し、性能
面の向上が図られている。The temperature controller performs a normal control operation when the current detection event is not in progress. However, the temperature controller has a feature that control is performed using a fixed heater output value during the current detection event. Except during the detection event,
It has a mechanism that allows only temperature data to be monitored, thereby improving performance.
【0108】なお、例えば500℃や600℃等の所定
の安定したプロセス温度下において、ヒータ電流値の経
時変化を記録し、それが徐々に上動変動するような場合
を検出するようにすれば、その変動より断線予知などを
行うこともできる。It is to be noted that, at a predetermined stable process temperature such as 500 ° C. or 600 ° C., the change with time of the heater current value is recorded, and it is possible to detect a case where the heater current value gradually fluctuates. The disconnection can be predicted from the fluctuation.
【0109】[0109]
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、この発
明によれば、反応室に基板が未だ搬入されていない基板
処理プロセス開始前のスタンバイ状態において、反応室
のヒータ異常を検出するためのヒータ異常検出ステップ
を設けるようにしたため、低コストで、ヒータ断線予知
及び、断線検知、過電流防止を行うことができる半導体
製造装置のヒータ異常検出方法を提供することができる
という効果を奏する。As is apparent from the above description, according to the present invention, in the standby state before the start of the substrate processing process in which the substrate has not yet been carried into the reaction chamber, it is possible to detect a heater abnormality in the reaction chamber. Since the heater abnormality detection step is provided, it is possible to provide a heater abnormality detection method for a semiconductor manufacturing apparatus that can perform heater disconnection prediction, disconnection detection, and overcurrent prevention at low cost.
【図1】実施の形態1における全体構成を示すブロック
図である。FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration according to a first embodiment.
【図2】実施の形態1の温度調節器の詳細を示すブロッ
ク図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating details of a temperature controller according to the first embodiment.
【図3】上位コントローラの詳細を示すブロック図であ
る。FIG. 3 is a block diagram showing details of a host controller.
【図4】従来のプロセス処理シーケンスを示すタイムチ
ャートである。FIG. 4 is a time chart showing a conventional process processing sequence.
【図5】この発明のプロセス処理シーケンスを示すタイ
ムチャートである。FIG. 5 is a time chart showing a process processing sequence of the present invention.
【図6】温度アラーム条件テーブルT1を示す図であ
る。FIG. 6 is a diagram showing a temperature alarm condition table T1.
【図7】温度アラーム条件テーブルT1対応I値履歴グ
ラフである。FIG. 7 is an I value history graph corresponding to a temperature alarm condition table T1.
【図8】温度アラーム条件テーブルT2を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing a temperature alarm condition table T2.
【図9】温度アラーム条件テーブルT2対応温度履歴グ
ラフ(正常時)である。FIG. 9 is a temperature history graph corresponding to a temperature alarm condition table T2 (in a normal state).
【図10】温度アラーム条件テーブルT2対応温度履歴
グラフ(異常時)である。FIG. 10 is a temperature history graph corresponding to a temperature alarm condition table T2 (when abnormal).
【図11】1ゾーンについての温度アラーム条件テーブ
ルT2対応温度履歴説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of a temperature history corresponding to a temperature alarm condition table T2 for one zone.
【図12】上位コントローラのイベント切り替え機能処
理フローチャートである。FIG. 12 is a flowchart of an event switching function process of the upper controller.
【図13】上位コントローラのイベント切り替え機能処
理詳細フローチャートである。FIG. 13 is a detailed flowchart of an event switching function process of a host controller.
【図14】上位コントローラのイベント切り替え機能処
理詳細フローチャートである。FIG. 14 is a detailed flowchart of an event switching function process of a host controller.
【図15】温度調節器処理割り込みフローチャートであ
る。FIG. 15 is a flowchart of a temperature controller processing interrupt.
【図16】温度調節器処理サブルーチンフローチャート
である。FIG. 16 is a flowchart of a temperature controller processing subroutine.
【図17】温度調節器処理メインフローチャートであ
る。FIG. 17 is a temperature controller processing main flowchart.
【図18】上位コントローラ電文受信処理フローチャー
トである。FIG. 18 is a flowchart of a host controller message reception process.
【図19】上位コントローラメイン処理フローチャート
である。FIG. 19 is a flowchart of a main controller main process.
【図20】上位コントローラサブルーチン処理フローチ
ャートである。FIG. 20 is a flowchart of a higher-order controller subroutine process.
【図21】上位コントローラサブルーチン処理フローチ
ャートである。FIG. 21 is a flowchart of a higher-level controller subroutine process.
【図22】実施の形態2における全体構成を示すブロッ
ク図である。FIG. 22 is a block diagram showing an overall configuration according to the second embodiment.
【図23】実施の形態2における温度調節器の詳細を示
すブロック図である。FIG. 23 is a block diagram illustrating details of a temperature controller according to the second embodiment.
【図24】電流アラーム条件テーブルである。FIG. 24 is a current alarm condition table.
【図25】各ゾーン電流履歴グラフである。FIG. 25 is a graph of each zone current history.
【図26】上位コントローラのイベント切り替え機能処
理フローチャートである。FIG. 26 is a flowchart of an event switching function process of the upper controller.
【図27】温度調節器割り込みフローチャートである。FIG. 27 is a temperature controller interrupt flowchart.
【図28】温度調節器処理サブルーチンフローチャート
である。FIG. 28 is a flowchart of a temperature controller processing subroutine.
【図29】温度調節器処理メインフローチャートであ
る。FIG. 29 is a main flowchart of a temperature controller process.
【図30】上位コントローラ電文受信処理フローチャー
トである。FIG. 30 is a flowchart of a host controller message reception process.
【図31】上位コントローラメイン処理フローチャート
である。FIG. 31 is a flowchart of a main controller main process.
【図32】上位コントローラサブルーチン処理フローチ
ャートである。FIG. 32 is a flowchart of a higher-level controller subroutine process.
【図33】従来の半導体製造装置の全体構成を示すブロ
ック図である。FIG. 33 is a block diagram showing an overall configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
1〜4 熱電対 7 ウェハ 8 反応管 11〜14 加熱部(ヒータ) 19〜22 サイリスタ 23 ブレーカ 25A,25B 温度調節器 26A,26B 上位コントローラ 27A〜30A 電流センサ 1-4 thermocouple 7 wafer 8 reaction tube 11-14 heating unit (heater) 19-22 thyristor 23 breaker 25A, 25B temperature controller 26A, 26B host controller 27A-30A current sensor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 和夫 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 横川 和弘 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Fターム(参考) 5F045 BB08 DP19 EC02 EK22 GB01 GB15 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on front page (72) Inventor Kazuo Tanaka 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Kazuhiro Yokogawa 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric F term in the company (reference) 5F045 BB08 DP19 EC02 EK22 GB01 GB15
Claims (13)
板処理プロセス開始前のスタンバイ状態において、反応
室のヒータ異常を検出するためのヒータ異常検出ステッ
プを設けてなる半導体製造装置のヒータ異常検出方法。In a standby state before a substrate processing process in which a substrate has not yet been carried into a reaction chamber, a heater abnormality detection step for detecting a heater abnormality in the reaction chamber is provided. Method.
からウェハボートへのウェハ移載状態である請求項1記
載の半導体製造装置のヒータ異常検出方法。2. The method according to claim 1, wherein the standby state is a state in which a wafer is transferred from a wafer cassette to a wafer boat.
温度のPID制御におけるI出力値が適正であるか否か
を判断するステップである請求項1または請求項2記載
の半導体製造装置のヒータ異常検出方法。3. The heater abnormality of a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the heater abnormality detection step is a step of judging whether or not an I output value in the PID control of the reaction chamber temperature is appropriate. Detection method.
出力値を変動させ、それによる反応室内の温度変動に基
づいて異常を判断する請求項1または請求項2記載の半
導体製造装置のヒータ異常検出方法。4. The method according to claim 1, wherein the heater abnormality detecting step varies a heater output value and determines abnormality based on a temperature variation in the reaction chamber. .
ンバイ状態の間に変動前の状態に戻るように温度制御を
行う請求項4記載の半導体製造装置のヒータ異常検出方
法。5. The method according to claim 4, wherein the temperature control is performed so that the temperature in the reaction chamber returns to the state before the change during the standby state after the temperature change.
断は、反応室内の温度変動が所定の値に達するまでの時
間に基づいて行われる請求項4または請求項5記載の半
導体製造装置のヒータ異常検出方法。6. The heater abnormality detecting method for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein the determination in the heater abnormality detecting step is performed based on a time until the temperature fluctuation in the reaction chamber reaches a predetermined value. .
値よりも長い場合は、ヒータ断線と判断する請求項6記
載の半導体製造装置のヒータ異常検出方法。7. The method according to claim 6, wherein if the time required to reach the predetermined value is longer than a reference value, it is determined that the heater is disconnected.
値よりも短い場合は、ヒータ短絡と判断する請求項6記
載または請求項7記載の半導体製造装置のヒータ異常検
出方法。8. The method according to claim 6, wherein if the time required to reach the predetermined value is shorter than a reference value, it is determined that the heater is short-circuited.
て、いずれか一つのゾーンに対して、請求項1乃至請求
項8のいずれかに記載のヒータ異常検出方法を用いる半
導体製造装置のヒータ異常検出方法。9. A heater abnormality detecting method for a semiconductor manufacturing apparatus using the heater abnormality detecting method according to claim 1 for an apparatus having a plurality of zone heaters for any one of the zones. .
タを流れる電流値に基づき、異常の有無を判定する請求
項1または請求項2記載の半導体製造装置のヒータ異常
検出方法。10. The heater abnormality detection method for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the heater abnormality detection step determines the presence or absence of an abnormality based on a current value flowing through the heater.
は、ヒータ断線と判断する請求項10記載の半導体製造
装置のヒータ異常検出方法。11. The method according to claim 10, wherein when the current value is smaller than a reference value, it is determined that the heater is disconnected.
は、ヒータ短絡と判断する請求項10または請求項11
記載の半導体製造装置のヒータ異常検出法方。12. If the current value is larger than a reference value, it is determined that the heater is short-circuited.
A method for detecting a heater abnormality in a semiconductor manufacturing apparatus as described in the above.
いられる前記検出値の基準値はスタンバイ状態の温度に
応じて複数設定される請求項3または請求項5乃至請求
項12のいずれかに記載の半導体製造装置のヒータ異常
検出方法。13. The apparatus according to claim 3, wherein a plurality of reference values of the detection value used for determining the presence / absence of the abnormality in the heater are set in accordance with a temperature in a standby state. Heater abnormality detection method for a semiconductor manufacturing apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11025511A JP2000223427A (en) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | Method of detecting abnormality of heater of semiconductor manufacture device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11025511A JP2000223427A (en) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | Method of detecting abnormality of heater of semiconductor manufacture device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000223427A true JP2000223427A (en) | 2000-08-11 |
Family
ID=12168098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11025511A Pending JP2000223427A (en) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | Method of detecting abnormality of heater of semiconductor manufacture device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000223427A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049429A (en) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus |
JP2014011322A (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Tokyo Electron Ltd | Program, heat treatment equipment and operation detection method of heat treatment equipment |
JP2015162638A (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社日立国際電気 | substrate processing apparatus and substrate processing method |
US12085338B2 (en) | 2019-06-12 | 2024-09-10 | Kokusai Electric Corporation | Heater, temperature control system, and processing apparatus |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP11025511A patent/JP2000223427A/en active Pending
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