JP2000290265A - オキサゾリジン−２−オン類の製造方法 - Google Patents
オキサゾリジン−２−オン類の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オキサゾリジン−２−オン類を収率よく、そ
してその光学活性体を収率よく、高光学純度で製造する
こと 【解決手段】 １，３−ジオキソラン−２−オン類とイ
ソシアネート類とを、フッ素塩存在下反応させることを
特徴とする下記式（３） 【化１】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、水素原子、直
鎖, 分岐もしくは環状のアルキル基、置換もしくは無置
換のアリール基などを意味する。）で表されるオキサゾ
リジン−２−オン類の製造方法
してその光学活性体を収率よく、高光学純度で製造する
こと 【解決手段】 １，３−ジオキソラン−２−オン類とイ
ソシアネート類とを、フッ素塩存在下反応させることを
特徴とする下記式（３） 【化１】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、水素原子、直
鎖, 分岐もしくは環状のアルキル基、置換もしくは無置
換のアリール基などを意味する。）で表されるオキサゾ
リジン−２−オン類の製造方法
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は医薬、農薬などの合
成中間体として有用なオキサゾリジン−２−オン類の新
規製造方法に関する。
成中間体として有用なオキサゾリジン−２−オン類の新
規製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】オキサゾリジン−２−オン類は、古くか
ら知られている産業上有用な化合物である。とりわけ医
薬分野における有用性は高く、この化合物を合成中間体
とした医薬品が近年数多く開発されている。それ故、こ
の化合物の製造方法に関する報告は数多く多種多様であ
るが、その中で効率的な製造方法と言えるものの一つと
して１，３−ジオキソラン−２−オン類から環変換によ
りオキサゾリジン−２−オン類へ導く方法が挙げられ
る。この方法は、原料である１，３−ジオキソラン−２
−オン類の前駆体が比較的入手容易な１，２−ジオール
類であり、その入手容易な１，２−ジオール類から少な
い工程数でオキサゾリジン−２−オン類に変換できる点
で効率的な製造方法と言える。殊に、１，３−ジオキソ
ラン−２−オン類に塩化リチウム存在下、エチレンカー
ボネートあるいはプロピレンカーボネートとイソシアネ
ート誘導体を反応させる方法（Chem. Ber., 93, 1975
(1960)）が知られている。
ら知られている産業上有用な化合物である。とりわけ医
薬分野における有用性は高く、この化合物を合成中間体
とした医薬品が近年数多く開発されている。それ故、こ
の化合物の製造方法に関する報告は数多く多種多様であ
るが、その中で効率的な製造方法と言えるものの一つと
して１，３−ジオキソラン−２−オン類から環変換によ
りオキサゾリジン−２−オン類へ導く方法が挙げられ
る。この方法は、原料である１，３−ジオキソラン−２
−オン類の前駆体が比較的入手容易な１，２−ジオール
類であり、その入手容易な１，２−ジオール類から少な
い工程数でオキサゾリジン−２−オン類に変換できる点
で効率的な製造方法と言える。殊に、１，３−ジオキソ
ラン−２−オン類に塩化リチウム存在下、エチレンカー
ボネートあるいはプロピレンカーボネートとイソシアネ
ート誘導体を反応させる方法（Chem. Ber., 93, 1975
(1960)）が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法は、低活性の塩化リチウムを用いる関係上苛酷な条件
下反応させる必要がある。そして、原料として光学活性
な１，３−ジオキソラン−２−オン類を用いると得られ
る目的物の光学純度が有意に低下する。
法は、低活性の塩化リチウムを用いる関係上苛酷な条件
下反応させる必要がある。そして、原料として光学活性
な１，３−ジオキソラン−２−オン類を用いると得られ
る目的物の光学純度が有意に低下する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、下記式
（１）で表される１，３−ジオキソラン−２−オン類と
下記式（２）で表されるイソシアネート類とをフッ素塩
存在下反応させることにより収率よく、そして光学活性
体を用いた場合には、光学純度を損なうことなく下記式
（３）で表されるオキサゾリジン−２−オン類を製造で
きることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は下記式（１）
（１）で表される１，３−ジオキソラン−２−オン類と
下記式（２）で表されるイソシアネート類とをフッ素塩
存在下反応させることにより収率よく、そして光学活性
体を用いた場合には、光学純度を損なうことなく下記式
（３）で表されるオキサゾリジン−２−オン類を製造で
きることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は下記式（１）
【化７】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、水素原子、直鎖, 分
岐もしくは環状のアルキル基、アルコキシ基, 置換アミ
ノ基あるいはアルキルチオ基を有する直鎖もしくは分岐
のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、ま
たは置換もしくは無置換のアリール基を意味する。）で
表される１，３−ジオキソラン−２−オン類あるいはそ
の光学活性体と下記式（２）
岐もしくは環状のアルキル基、アルコキシ基, 置換アミ
ノ基あるいはアルキルチオ基を有する直鎖もしくは分岐
のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、ま
たは置換もしくは無置換のアリール基を意味する。）で
表される１，３−ジオキソラン−２−オン類あるいはそ
の光学活性体と下記式（２）
【化８】 （式中Ｒ5は、水素原子、直鎖,分岐もしくは環状のアル
キル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、ハロゲノ
スルホニル基、トリアルキルシリル基、置換もしくは無
置換のアリールスルホニル基、または置換もしくは無置
換の芳香族基を意味する。）で表されるイソシアネート
類とを、フッ素塩存在下反応させることを特徴とする下
記式（３）
キル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、ハロゲノ
スルホニル基、トリアルキルシリル基、置換もしくは無
置換のアリールスルホニル基、または置換もしくは無置
換の芳香族基を意味する。）で表されるイソシアネート
類とを、フッ素塩存在下反応させることを特徴とする下
記式（３）
【化９】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、前掲と同じ基
を意味する。）で表されるオキサゾリジン−２−オン類
あるいはその光学活性体の製造方法に関する。
を意味する。）で表されるオキサゾリジン−２−オン類
あるいはその光学活性体の製造方法に関する。
【０００５】式（１）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3および
Ｒ4で表される基の具体例としては、水素原子、メチル,
エチル,イソプロピル,シクロプロピル,シクロヘキシル
基などの直鎖,分岐もしくは環状のアルキル基、メトキ
シメチル,メトキシエチル,ベンジルオキシメチル基など
のアルコキシアルキル基、ジメチルアミノメチル,ピペ
リジノエチル,モルホリノエチル,Ｎ−ベンジルオキシカ
ルボニルピペラジノメチル,Ｎ−メチルピペラジノメチ
ル,Ｎ−エトキシカルボニルメチルピペラジノメチル基
などの置換アミノアルキル基、メチルチオメチル,メチ
ルチオエチル基などのアルキルチオアルキル基、ベンジ
ル,メチルベンジル,メトキシベンジル基などの置換もし
くは無置換のアラルキル基、フェニル,トリル,メトキシ
フェニル基などの置換もしくは無置換のアリール基が挙
げられる。そのうち好ましい基は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ4
の低級アルキル基、メトキシメチル基、ベンジルオキシ
メチル基、ベンジル基である。
Ｒ4で表される基の具体例としては、水素原子、メチル,
エチル,イソプロピル,シクロプロピル,シクロヘキシル
基などの直鎖,分岐もしくは環状のアルキル基、メトキ
シメチル,メトキシエチル,ベンジルオキシメチル基など
のアルコキシアルキル基、ジメチルアミノメチル,ピペ
リジノエチル,モルホリノエチル,Ｎ−ベンジルオキシカ
ルボニルピペラジノメチル,Ｎ−メチルピペラジノメチ
ル,Ｎ−エトキシカルボニルメチルピペラジノメチル基
などの置換アミノアルキル基、メチルチオメチル,メチ
ルチオエチル基などのアルキルチオアルキル基、ベンジ
ル,メチルベンジル,メトキシベンジル基などの置換もし
くは無置換のアラルキル基、フェニル,トリル,メトキシ
フェニル基などの置換もしくは無置換のアリール基が挙
げられる。そのうち好ましい基は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ4
の低級アルキル基、メトキシメチル基、ベンジルオキシ
メチル基、ベンジル基である。
【０００６】式（２）において、Ｒ5で表される基の具
体例としては、水素原子、メチル,エチル,イソプロピ
ル,シクロプロピル基などの直鎖,分岐もしくは環状のア
ルキル基、ベンジル,メチルベンジル,メトキシベンジル
基などの置換もしくは無置換のアラルキル基、クロロス
ルホニル基などのハロゲノスルホニル基、トリメチルシ
リル基などのトリアルキルシリル基、ベンゼンスルホニ
ル,ｏ−トルエンスルホニル,p−トルエンスルホニル，
４−クロロベンゼンスルホニル基などの置換もしくは無
置換のアリールスルホニル基、フェニル,シアノフェニ
ル,トリル,メトキシフェニル基などの置換もしくは無置
換のアリール基、ナフタレン,アントラセンのような多
環式芳香族基、またフリル,チエニル,ピリジル,ピリミ
ジル,キノリル,ベンゾフリル,ベンゾチエニルのような
芳香族複素環基が挙げられる。そのうち好ましい基は、
水素原子、Ｃ1〜Ｃ4の低級アルキル基、ベンジル基、フ
ェニル基、シアノフェニル基、ナフチル基、チエニル基
である。
体例としては、水素原子、メチル,エチル,イソプロピ
ル,シクロプロピル基などの直鎖,分岐もしくは環状のア
ルキル基、ベンジル,メチルベンジル,メトキシベンジル
基などの置換もしくは無置換のアラルキル基、クロロス
ルホニル基などのハロゲノスルホニル基、トリメチルシ
リル基などのトリアルキルシリル基、ベンゼンスルホニ
ル,ｏ−トルエンスルホニル,p−トルエンスルホニル，
４−クロロベンゼンスルホニル基などの置換もしくは無
置換のアリールスルホニル基、フェニル,シアノフェニ
ル,トリル,メトキシフェニル基などの置換もしくは無置
換のアリール基、ナフタレン,アントラセンのような多
環式芳香族基、またフリル,チエニル,ピリジル,ピリミ
ジル,キノリル,ベンゾフリル,ベンゾチエニルのような
芳香族複素環基が挙げられる。そのうち好ましい基は、
水素原子、Ｃ1〜Ｃ4の低級アルキル基、ベンジル基、フ
ェニル基、シアノフェニル基、ナフチル基、チエニル基
である。
【０００７】本反応に用いられるイソシアネート類
（２）の量は１，３−ジオキソラン−２−オン類（１）
に対して０．５当量以上であり、好ましくは０.８〜１.
５当量、さらに好ましくは０.９〜１.１当量である。
（２）の量は１，３−ジオキソラン−２−オン類（１）
に対して０．５当量以上であり、好ましくは０.８〜１.
５当量、さらに好ましくは０.９〜１.１当量である。
【０００８】本反応に用いられるフッ素塩としては、フ
ッ素の四級アンモニウム塩、フッ素のアルカリ金属塩ま
たはフッ素のアルカリ土類金属塩が好ましく、特に好ま
しくはフッ素のアルカリ金属塩またはフッ素のアルカリ
土類金属塩である。なお、それらを単独で用いても２種
類以上の混合物で用いても、さらには適当な担体に担持
したものを用いても同様に反応を行うことができる。フ
ッ素の四級アンモニウム塩としては、テトラメチルアン
モニウムフルオライド、テトラエチルアンモニウムフル
オライド、テトラブチルアンモニウムフルオライド、テ
トラオクチルアンモニウムフルオライド、ベンジルトリ
メチルアンモニウムフルオライドなどが挙げられる。フ
ッ素のアルカリ金属塩としてはフッ化ナトリウム、フッ
化カリウム、フッ化セシウムが挙げられ、フッ素のアル
カリ土類金属塩としてはフッ化マグネシウム、フッ化カ
ルシウムが挙げられる。また、担体として用いることの
できるものとしては、ゼオライト、アルミナ、シリカゲ
ル、モレキュラーシーブスおよびそれらを修飾したもの
などが挙げられる。
ッ素の四級アンモニウム塩、フッ素のアルカリ金属塩ま
たはフッ素のアルカリ土類金属塩が好ましく、特に好ま
しくはフッ素のアルカリ金属塩またはフッ素のアルカリ
土類金属塩である。なお、それらを単独で用いても２種
類以上の混合物で用いても、さらには適当な担体に担持
したものを用いても同様に反応を行うことができる。フ
ッ素の四級アンモニウム塩としては、テトラメチルアン
モニウムフルオライド、テトラエチルアンモニウムフル
オライド、テトラブチルアンモニウムフルオライド、テ
トラオクチルアンモニウムフルオライド、ベンジルトリ
メチルアンモニウムフルオライドなどが挙げられる。フ
ッ素のアルカリ金属塩としてはフッ化ナトリウム、フッ
化カリウム、フッ化セシウムが挙げられ、フッ素のアル
カリ土類金属塩としてはフッ化マグネシウム、フッ化カ
ルシウムが挙げられる。また、担体として用いることの
できるものとしては、ゼオライト、アルミナ、シリカゲ
ル、モレキュラーシーブスおよびそれらを修飾したもの
などが挙げられる。
【０００９】フッ素塩の量は、反応基質の１，３−ジオ
キソラン−２−オン類（１）に対して０．００１〜１０
当量が好ましく、特に好ましくは０.０１〜１当量であ
る。０．００１当量以下では反応の進行が非常に遅く、
１０当量を越えて使用してもよいが経済的でない。ま
た、溶媒によっては過剰のフッ素塩が不溶となるため撹
拌が困難となる。
キソラン−２−オン類（１）に対して０．００１〜１０
当量が好ましく、特に好ましくは０.０１〜１当量であ
る。０．００１当量以下では反応の進行が非常に遅く、
１０当量を越えて使用してもよいが経済的でない。ま
た、溶媒によっては過剰のフッ素塩が不溶となるため撹
拌が困難となる。
【００１０】本反応を行う際に用いられる溶媒として
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シドなどの非プロトン性極性溶媒、ジグライム、トリグ
ライム、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタ
ン、ｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、ク
ロロホルム、ジクロロエタン等の塩素系溶媒ならびにこ
れらの混合溶媒等が挙げられるが、好ましい溶媒は、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
である。
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シドなどの非プロトン性極性溶媒、ジグライム、トリグ
ライム、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタ
ン、ｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、ク
ロロホルム、ジクロロエタン等の塩素系溶媒ならびにこ
れらの混合溶媒等が挙げられるが、好ましい溶媒は、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
である。
【００１１】反応温度は、加熱下５０℃〜溶媒の還流温
度までで、好ましくは１００℃〜１５０℃である。反応
終了後は、フッ素の金属塩等の不溶物を濾去、過剰の溶
媒を減圧下に留去し、残渣を蒸留、再結晶、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー等の精製処理をすることによ
り、目的とするオキサゾリジン−２−オン類（３）ある
いはその光学活性体が得られる。
度までで、好ましくは１００℃〜１５０℃である。反応
終了後は、フッ素の金属塩等の不溶物を濾去、過剰の溶
媒を減圧下に留去し、残渣を蒸留、再結晶、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー等の精製処理をすることによ
り、目的とするオキサゾリジン−２−オン類（３）ある
いはその光学活性体が得られる。
【００１２】
【実施例】以下に実施例により本発明を具体的に述べ
る。しかし本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
る。しかし本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
【００１３】実施例１ （Ｒ）−３−フェニル−５−メトキシメチルオキサゾリ
ジン−２−オンの製造：フェニルイソシアネート１８．
０ｇ（０．１５１ ｍｏｌ）をジメチルスルホキシド１
００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．２９ｇ（１５．
１ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメチル−１，３
−ジオキソラン−２−オン２０．０ｇ（０．１５１ ｍ
ｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アルゴン気流
下１４０℃で９時間撹拌する。不溶物を瀘去し、瀘液を
減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製して標題の（Ｒ）−３−フェニル−
５−メトキシメチルオキサゾリジン−２−オン２９．９
ｇ（収率９５．４％、光学純度９８％ｅｅ）を得た。
ジン−２−オンの製造：フェニルイソシアネート１８．
０ｇ（０．１５１ ｍｏｌ）をジメチルスルホキシド１
００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．２９ｇ（１５．
１ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメチル−１，３
−ジオキソラン−２−オン２０．０ｇ（０．１５１ ｍ
ｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アルゴン気流
下１４０℃で９時間撹拌する。不溶物を瀘去し、瀘液を
減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製して標題の（Ｒ）−３−フェニル−
５−メトキシメチルオキサゾリジン−２−オン２９．９
ｇ（収率９５．４％、光学純度９８％ｅｅ）を得た。
【００１４】実施例２ （Ｒ）−３−フェニル−５−メトキシメチルオキサゾリ
ジン−２−オンの製造：フェニルイソシアネート１８．
０ｇ（０．１５１ ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．２９ｇ
（１５．１ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメチル
−１，３−ジオキソラン−２−オン２０．０ｇ（０．１
５１ ｍｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アル
ゴン気流下１４０℃で８時間撹拌する。不溶物を瀘去
し、瀘液を減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製して標題の（Ｒ）−３−
フェニル−５−メトキシメチルオキサゾリジン−２−オ
ン２８．７ｇ（収率９１．７％、光学純度９８％ｅｅ）
を得た。
ジン−２−オンの製造：フェニルイソシアネート１８．
０ｇ（０．１５１ ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．２９ｇ
（１５．１ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメチル
−１，３−ジオキソラン−２−オン２０．０ｇ（０．１
５１ ｍｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アル
ゴン気流下１４０℃で８時間撹拌する。不溶物を瀘去
し、瀘液を減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製して標題の（Ｒ）−３−
フェニル−５−メトキシメチルオキサゾリジン−２−オ
ン２８．７ｇ（収率９１．７％、光学純度９８％ｅｅ）
を得た。
【００１５】実施例３ （Ｓ）−３−フェニル−５−メチルオキサゾリジン−２
−オンの製造：フェニルイソシアネート２３．３ｇ
（０．１９６ ｍｏｌ）をジメチルスルホキシド１００
ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．９８ｇ（１９．６
ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メチル−１，３−ジオキソラ
ン−２−オン２０．０ｇ（０．１９６ｍｏｌ、光学純度
９９％ｅｅ）を順次加え、アルゴン気流下１４０℃で８
時間撹拌する。不溶物を瀘去し、瀘液を減圧下濃縮した
後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製して標題の（Ｓ）−３−フェニル−５−メチルオキ
サゾリジン−２−オン３２．０ｇ（収率９２．１％、光
学純度９９％ｅｅ）を得た。
−オンの製造：フェニルイソシアネート２３．３ｇ
（０．１９６ ｍｏｌ）をジメチルスルホキシド１００
ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．９８ｇ（１９．６
ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メチル−１，３−ジオキソラ
ン−２−オン２０．０ｇ（０．１９６ｍｏｌ、光学純度
９９％ｅｅ）を順次加え、アルゴン気流下１４０℃で８
時間撹拌する。不溶物を瀘去し、瀘液を減圧下濃縮した
後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製して標題の（Ｓ）−３−フェニル−５−メチルオキ
サゾリジン−２−オン３２．０ｇ（収率９２．１％、光
学純度９９％ｅｅ）を得た。
【００１６】実施例４ （Ｒ）−３−（２−ナフチル）−５−メトキシメチルオ
キサゾリジン−２−オンの製造：２−ナフチルイソシア
ネート２５．６ｇ（０．１５１ ｍｏｌ）をジメチルス
ルホキシド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．２
９ｇ（１５．１ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメ
チル−１，３−ジオキソラン−２−オン２０．０ｇ
（０．１５１ ｍｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加
え、アルゴン気流下１４０℃で８時間撹拌する。不溶物
を瀘去し、瀘液を減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製して標題の（Ｒ）
−３−（２−ナフチル）−５−メトキシメチルオキサゾ
リジン−２−オン３４．０ｇ（収率８７．３％、光学純
度９８％ｅｅ）を得た。
キサゾリジン−２−オンの製造：２−ナフチルイソシア
ネート２５．６ｇ（０．１５１ ｍｏｌ）をジメチルス
ルホキシド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．２
９ｇ（１５．１ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメ
チル−１，３−ジオキソラン−２−オン２０．０ｇ
（０．１５１ ｍｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加
え、アルゴン気流下１４０℃で８時間撹拌する。不溶物
を瀘去し、瀘液を減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製して標題の（Ｒ）
−３−（２−ナフチル）−５−メトキシメチルオキサゾ
リジン−２−オン３４．０ｇ（収率８７．３％、光学純
度９８％ｅｅ）を得た。
【００１７】実施例５ （Ｒ）−５−ベンジルオキシメチル−３−（４−シアノ
フェニル）オキサゾリジン−２−オンの製造：４−シア
ノフェニルイソシアネート１３．８ｇ（９６．０６ ｍ
ｍｏｌ）をジメチルスルホキシド１００ｍＬに溶解し、
フッ化セシウム1．４６ｇ（９．６０６ｍｍｏｌ）、
（Ｓ）−４−ベンジルオキシメチル−１，３−ジオキソ
ラン−２−オン２０．０ｇ（９６．０６ ｍｍｏｌ、光
学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アルゴン気流下１４０
℃で８時間撹拌する。不溶物を瀘去し、瀘液を減圧下濃
縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製して標題の（Ｒ）−５−ベンジルオキシメチ
ル−３−（４−シアノフェニル）オキサゾリジン−２−
オン２３．１ｇ（収率７８．０％、光学純度９８％ｅ
ｅ）を得た。
フェニル）オキサゾリジン−２−オンの製造：４−シア
ノフェニルイソシアネート１３．８ｇ（９６．０６ ｍ
ｍｏｌ）をジメチルスルホキシド１００ｍＬに溶解し、
フッ化セシウム1．４６ｇ（９．６０６ｍｍｏｌ）、
（Ｓ）−４−ベンジルオキシメチル−１，３−ジオキソ
ラン−２−オン２０．０ｇ（９６．０６ ｍｍｏｌ、光
学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アルゴン気流下１４０
℃で８時間撹拌する。不溶物を瀘去し、瀘液を減圧下濃
縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製して標題の（Ｒ）−５−ベンジルオキシメチ
ル−３−（４−シアノフェニル）オキサゾリジン−２−
オン２３．１ｇ（収率７８．０％、光学純度９８％ｅ
ｅ）を得た。
【００１８】実施例６ （Ｒ）−３−（６−ベンジルオキシ−２−ナフチル）−
５−メトキシメチルオキサゾリジン−２−オンの製造：
６−ベンジルオキシ−２−ナフチルイソシアネート４
１．７ｇ（０．１５１ ｍｏｌ）をジメチルスルホキシ
ド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．２９ｇ（１
５．１ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメチル−
１，３−ジオキソラン−２−オン２０．０ｇ（０．１５
１ ｍｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アルゴ
ン気流下１４０℃で８時間撹拌する。不溶物を瀘去し、
瀘液を減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製して標題の（Ｒ）−３−（６
−ベンジルオキシ−２−ナフチル）−５−メトキシメチ
ルオキサゾリジン−２−オン４５．２ｇ（収率８２．２
３％、光学純度９８％ｅｅ）を得た。
５−メトキシメチルオキサゾリジン−２−オンの製造：
６−ベンジルオキシ−２−ナフチルイソシアネート４
１．７ｇ（０．１５１ ｍｏｌ）をジメチルスルホキシ
ド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム２．２９ｇ（１
５．１ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメチル−
１，３−ジオキソラン−２−オン２０．０ｇ（０．１５
１ ｍｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アルゴ
ン気流下１４０℃で８時間撹拌する。不溶物を瀘去し、
瀘液を減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製して標題の（Ｒ）−３−（６
−ベンジルオキシ−２−ナフチル）−５−メトキシメチ
ルオキサゾリジン−２−オン４５．２ｇ（収率８２．２
３％、光学純度９８％ｅｅ）を得た。
【００１９】実施例７ （Ｒ）−５−ベンジルオキシメチル−３−（２−チエニ
ル）オキサゾリジン−２−オンの製造：２−チエニルイ
ソシアネート１２．０ｇ（９６．０６ ｍｍｏｌ）をジ
メチルスルホキシド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウ
ム1．４６ｇ（９．６０６ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−ベ
ンジルオキシメチル−１，３−ジオキソラン−２−オン
２０．０ｇ（９６．０６ ｍｍｏｌ、光学純度９８％ｅ
ｅ）を順次加え、アルゴン気流下１４０℃で９時間撹拌
する。不溶物を瀘去し、瀘液を減圧下濃縮した後、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して
標題の（Ｒ）−５−ベンジルオキシメチル−３−（２−
チエニル）オキサゾリジン−２−オン２２．３ｇ（収率
８０．３％、光学純度９８％ｅｅ）を得た。
ル）オキサゾリジン−２−オンの製造：２−チエニルイ
ソシアネート１２．０ｇ（９６．０６ ｍｍｏｌ）をジ
メチルスルホキシド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウ
ム1．４６ｇ（９．６０６ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−ベ
ンジルオキシメチル−１，３−ジオキソラン−２−オン
２０．０ｇ（９６．０６ ｍｍｏｌ、光学純度９８％ｅ
ｅ）を順次加え、アルゴン気流下１４０℃で９時間撹拌
する。不溶物を瀘去し、瀘液を減圧下濃縮した後、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して
標題の（Ｒ）−５−ベンジルオキシメチル−３−（２−
チエニル）オキサゾリジン−２−オン２２．３ｇ（収率
８０．３％、光学純度９８％ｅｅ）を得た。
【００２０】実施例８ （Ｒ）−３−（ｎ−ブチル）−５−メトキシメチルオキ
サゾリジン−２−オンの製造：ｎ−ブチルイソシアネー
ト１１．３ｇ（０．１１４ ｍｏｌ）をジメチルスルホ
キシド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム１．７２ｇ
（１１．４ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメチル
−１，３−ジオキソラン−２−オン１５．０ｇ（０．１
１４ ｍｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アル
ゴン気流下１４０℃で９時間撹拌する。不溶物を瀘去
し、瀘液を減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製して標題の（Ｒ）−３−
（ｎ−ブチル）−５−メトキシメチルオキサゾリジン−
２−オン１８．７ｇ（収率８７．６％、光学純度９８％
ｅｅ）を得た。
サゾリジン−２−オンの製造：ｎ−ブチルイソシアネー
ト１１．３ｇ（０．１１４ ｍｏｌ）をジメチルスルホ
キシド１００ｍＬに溶解し、フッ化セシウム１．７２ｇ
（１１．４ ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−４−メトキシメチル
−１，３−ジオキソラン−２−オン１５．０ｇ（０．１
１４ ｍｏｌ、光学純度９８％ｅｅ）を順次加え、アル
ゴン気流下１４０℃で９時間撹拌する。不溶物を瀘去
し、瀘液を減圧下濃縮した後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製して標題の（Ｒ）−３−
（ｎ−ブチル）−５−メトキシメチルオキサゾリジン−
２−オン１８．７ｇ（収率８７．６％、光学純度９８％
ｅｅ）を得た。
【００２１】
【発明の効果】本発明方法によれば、目的とするオキサ
ゾリジン−２−オン類（３）あるいはその光学活性体を
収率よく、そしてその光学活性体の場合には、光学純度
を損なうことなく製造することができる。
ゾリジン−２−オン類（３）あるいはその光学活性体を
収率よく、そしてその光学活性体の場合には、光学純度
を損なうことなく製造することができる。
Claims (6)
- 【請求項１】 下記式（１） 【化１】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、水素原子、直鎖, 分
岐もしくは環状のアルキル基、アルコキシ基, 置換アミ
ノ基あるいはアルキルチオ基を有する直鎖もしくは分岐
のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、ま
たは置換もしくは無置換のアリール基を意味する。）で
表される１，３−ジオキソラン−２−オン類と下記式
（２） 【化２】 （式中Ｒ5は、水素原子、直鎖, 分岐もしくは環状のア
ルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、ハロゲ
ノスルホニル基、トリアルキルシリル基、置換もしくは
無置換のアリールスルホニル基、または置換もしくは無
置換の芳香族基を意味する。）で表されるイソシアネー
ト類とを、フッ素塩存在下反応させることを特徴とする
下記式（３） 【化３】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、前掲と同じ基
を意味する。）で表されるオキサゾリジン−２−オン類
の製造方法。 - 【請求項２】 下記式（１ａ） 【化４】 （式中Ｒ11、Ｒ21、Ｒ31およびＲ41は、水素原子、Ｃ1
〜Ｃ4の低級アルキル基、メトキシメチル基、ベンジル
オキシメチル基またはベンジル基を意味する。）で表さ
れる１，３−ジオキソラン−２−オン類と下記式（２
ａ） 【化５】 （式中Ｒ51は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ4の低級アルキル基、
ベンジル基、フェニル基、シアノフェニル基、ナフチル
基またはチエニル基を意味する。）で表されるイソシア
ネート類とを、フッ素塩存在下反応させることを特徴と
する下記式（３ａ） 【化６】 （式中Ｒ11、Ｒ21、Ｒ31、Ｒ41およびＲ51は、前掲と同
じ基を意味する。）で表されるオキサゾリジン−２−オ
ン類の製造方法。 - 【請求項３】 フッ素塩がフッ素のアルカリ金属塩また
はアルカリ土類金属塩である請求項１または２記載のオ
キサゾリジン−２−オン類の製造方法。 - 【請求項４】 フッ素塩がフッ化セシウムまたはフッ化
カリウムである請求項１〜３記載のオキサゾリジン−２
−オン類の製造方法。 - 【請求項５】 反応溶媒がＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドまたはジメチルスルホキシドである請求項１〜４記載
のオキサゾリジン−２−オン類の製造方法。 - 【請求項６】 光学活性な１，３−ジオキソラン−２−
オン類を用い、光学活性なオキサゾリジン−２−オン類
を製造する請求項１〜５のいずれかに記載のオキサゾリ
ジン−２−オン類の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9752999A JP3740886B2 (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | オキサゾリジン−２−オン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9752999A JP3740886B2 (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | オキサゾリジン−２−オン類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000290265A true JP2000290265A (ja) | 2000-10-17 |
| JP3740886B2 JP3740886B2 (ja) | 2006-02-01 |
Family
ID=14194791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9752999A Expired - Fee Related JP3740886B2 (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | オキサゾリジン−２−オン類の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3740886B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7074785B2 (en) | 2001-09-17 | 2006-07-11 | Bayer Cropscience Ag | Δ1-pyrrolines used as pesticides |
| WO2008120655A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Institute Of Medicinal Molecular Design, Inc. | Ｉ型１１βヒドロキシステロイド脱水素酵素阻害活性を有するオキサゾリジノン誘導体 |
| CN104370939A (zh) * | 2014-10-14 | 2015-02-25 | 上海交通大学 | 一种手性二氢吡咯类化合物的制备方法 |
-
1999
- 1999-04-05 JP JP9752999A patent/JP3740886B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7074785B2 (en) | 2001-09-17 | 2006-07-11 | Bayer Cropscience Ag | Δ1-pyrrolines used as pesticides |
| WO2008120655A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Institute Of Medicinal Molecular Design, Inc. | Ｉ型１１βヒドロキシステロイド脱水素酵素阻害活性を有するオキサゾリジノン誘導体 |
| JPWO2008120655A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-15 | 株式会社医薬分子設計研究所 | Ｉ型１１βヒドロキシステロイド脱水素酵素阻害活性を有するオキサゾリジノン誘導体 |
| US7998992B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-08-16 | Institute Of Medicinal Molecular Design, Inc. | Oxazolidinone derivative having inhibitory activity on 11β-hydroxysteroid dehydrogenase type 1 |
| CN104370939A (zh) * | 2014-10-14 | 2015-02-25 | 上海交通大学 | 一种手性二氢吡咯类化合物的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3740886B2 (ja) | 2006-02-01 |
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