JP2000277434A - 窒化物系化合物半導体及びその製造方法 - Google Patents
窒化物系化合物半導体及びその製造方法Info
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- JP2000277434A JP2000277434A JP7689099A JP7689099A JP2000277434A JP 2000277434 A JP2000277434 A JP 2000277434A JP 7689099 A JP7689099 A JP 7689099A JP 7689099 A JP7689099 A JP 7689099A JP 2000277434 A JP2000277434 A JP 2000277434A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低キャリア濃度で高電子移動度を有する窒化
物系化合物半導体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体を、Ｇａ、Ａｌ、
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ及びランタノイドのうちの少なく
とも１つを所定の濃度でドーピングして結晶成長させた
ＩｎＮ層１３、２３、３３、４３又は５３を有する構成
とする。
物系化合物半導体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体を、Ｇａ、Ａｌ、
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ及びランタノイドのうちの少なく
とも１つを所定の濃度でドーピングして結晶成長させた
ＩｎＮ層１３、２３、３３、４３又は５３を有する構成
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低キャリア濃度で
高電子移動度を有する窒化物系化合物半導体及びその製
造方法に関する。
高電子移動度を有する窒化物系化合物半導体及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物系化合物半導体であるＩｎＮは、
理論的に１０００ｃｍ2／Ｖｓ以上の高い移動度を有す
る半導体であり［Ｓ．Ｎ．Ｍｏｈａｍｍａｄ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥ
Ｅ ８３（１９９５）１３０６］、その高い移動度を用
いることで優れた特性を有するヘテロ構造電界効果トラ
ンジスタ等の電子デバイスが得られると考えられる。
理論的に１０００ｃｍ2／Ｖｓ以上の高い移動度を有す
る半導体であり［Ｓ．Ｎ．Ｍｏｈａｍｍａｄ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥ
Ｅ ８３（１９９５）１３０６］、その高い移動度を用
いることで優れた特性を有するヘテロ構造電界効果トラ
ンジスタ等の電子デバイスが得られると考えられる。
【０００３】一般に、窒化物系化合物半導体ＩｎＮは、
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法：Ｍｅｔａｌ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ）［Ａ．Ｙａｍａｍｏｔｏ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｃｒ
ｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １８９／１９０（１９９
８）ｐ．４６１］、又はプラズマ励起した窒素を用いた
分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）［Ｓ．Ｍ．Ｄｏｎｏｖａ
ｎ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔ
ｅｒｉａｌｓ ２６（１９９７）ｐ．１２９２］などの
結晶成長法で成長されている。
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法：Ｍｅｔａｌ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ）［Ａ．Ｙａｍａｍｏｔｏ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｃｒ
ｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １８９／１９０（１９９
８）ｐ．４６１］、又はプラズマ励起した窒素を用いた
分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）［Ｓ．Ｍ．Ｄｏｎｏｖａ
ｎ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔ
ｅｒｉａｌｓ ２６（１９９７）ｐ．１２９２］などの
結晶成長法で成長されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな成長法で成長したＩｎＮ膜は、窒素空孔などに起因
した１×１０19ｃｍ-3から１×１０20ｃｍ-3程度のキャ
リア濃度を有しており、数百ｃｍ2／Ｖｓ程度の移動度
しか得られず、結晶性及び電気的特性に優れた窒化物系
化合物半導体ＩｎＮの結晶成長が困難である。
うな成長法で成長したＩｎＮ膜は、窒素空孔などに起因
した１×１０19ｃｍ-3から１×１０20ｃｍ-3程度のキャ
リア濃度を有しており、数百ｃｍ2／Ｖｓ程度の移動度
しか得られず、結晶性及び電気的特性に優れた窒化物系
化合物半導体ＩｎＮの結晶成長が困難である。
【０００５】このため、窒化物系化合物半導体ＩｎＮを
用いた電子デバイスは全く実用化されるに至っていない
のが現状である。
用いた電子デバイスは全く実用化されるに至っていない
のが現状である。
【０００６】本発明は、こうした従来技術の課題を解決
するものであり、低キャリア濃度で高電子移動度を有す
る窒化物系化合物半導体及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
するものであり、低キャリア濃度で高電子移動度を有す
る窒化物系化合物半導体及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物系化合物
半導体は、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ及びラン
タノイドのうちの少なくとも１つを所定の濃度でドーピ
ングして結晶成長させたＩｎＮ層を有しており、そのこ
とにより上記目的が達成される。
半導体は、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ及びラン
タノイドのうちの少なくとも１つを所定の濃度でドーピ
ングして結晶成長させたＩｎＮ層を有しており、そのこ
とにより上記目的が達成される。
【０００８】また、本発明の窒化物系化合物半導体の製
造方法は、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ又はランタノイ
ドを１×１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下の濃
度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長させる工程を包
含しており、そのことにより上記目的が達成される。
造方法は、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ又はランタノイ
ドを１×１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下の濃
度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長させる工程を包
含しており、そのことにより上記目的が達成される。
【０００９】また、本発明の窒化物系化合物半導体の製
造方法は、Ｓｉを１×１０16ｃｍ-3以上、１×１０18ｃ
ｍ-3以下の濃度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長さ
せる工程を包含しており、そのことにより上記目的が達
成される。
造方法は、Ｓｉを１×１０16ｃｍ-3以上、１×１０18ｃ
ｍ-3以下の濃度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長さ
せる工程を包含しており、そのことにより上記目的が達
成される。
【００１０】前記ランタノイドが、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ、Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕのうちの少なくとも１つである
構成とすることができる。
Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ、Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕのうちの少なくとも１つである
構成とすることができる。
【００１１】以下に、本発明の作用について説明する。
【００１２】本発明の窒化物系化合物半導体は、ＩｎＮ
層が、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ及びランタノイドの
うちの少なくとも１つを所定の濃度でドーピングして結
晶成長させたものであるため、結晶成長の際に結合力が
弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を結合力の強いＧａ、Ａｌ又は
ランタノイドとＮの結合に置換することで、窒素空孔の
生成が抑えられており、又結晶成長の際に窒素空孔が
Ｐ、Ａｓ又はＳｂで置換されキャリアの生成が抑えられ
ているため、窒化物系化合物半導体を低キャリア濃度で
高電子移動度を有するものとすることが可能となる。ま
た、ＩｎＮ層が、Ｓｉを所定の濃度でドーピングして結
晶成長させたものとする場合には、結晶性の改善により
キャリア濃度を下げることが可能である。
層が、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ及びランタノイドの
うちの少なくとも１つを所定の濃度でドーピングして結
晶成長させたものであるため、結晶成長の際に結合力が
弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を結合力の強いＧａ、Ａｌ又は
ランタノイドとＮの結合に置換することで、窒素空孔の
生成が抑えられており、又結晶成長の際に窒素空孔が
Ｐ、Ａｓ又はＳｂで置換されキャリアの生成が抑えられ
ているため、窒化物系化合物半導体を低キャリア濃度で
高電子移動度を有するものとすることが可能となる。ま
た、ＩｎＮ層が、Ｓｉを所定の濃度でドーピングして結
晶成長させたものとする場合には、結晶性の改善により
キャリア濃度を下げることが可能である。
【００１３】より詳しくは、窒化物系化合物半導体Ｉｎ
Ｎのキャリア濃度は、例えば、図２の実験結果に示すよ
うに、ＩＩＩ族元素であるＧａのドーピング濃度に依存
する。もともと、アンドープのＩｎＮのキャリア濃度が
１×１０20ｃｍ-3程度ある場合、Ｇａのドーピングによ
ってＩｎＮのキャリア濃度は減少する。これは、結合力
が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を、結合力の強いＧａ−Ｎ結
合に置換することで、窒素空孔の生成が抑えられたため
である。
Ｎのキャリア濃度は、例えば、図２の実験結果に示すよ
うに、ＩＩＩ族元素であるＧａのドーピング濃度に依存
する。もともと、アンドープのＩｎＮのキャリア濃度が
１×１０20ｃｍ-3程度ある場合、Ｇａのドーピングによ
ってＩｎＮのキャリア濃度は減少する。これは、結合力
が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を、結合力の強いＧａ−Ｎ結
合に置換することで、窒素空孔の生成が抑えられたため
である。
【００１４】図２に示す実験結果から、Ｇａのドーピン
グ濃度を１×１０17ｃｍ-3以上にすると、ＩｎＮのキャ
リア濃度を下げることが可能である。
グ濃度を１×１０17ｃｍ-3以上にすると、ＩｎＮのキャ
リア濃度を下げることが可能である。
【００１５】但し、Ｇａのドーピング濃度を１×１０20
ｃｍ-3以上に増やした場合、キャリア濃度も下がるが膜
質もＩｎＧａＮ混晶状態になるため、ドーピングのレベ
ルを超えてしまう。従って、ドーピング濃度の上限とし
ては、１×１０20ｃｍ-3以下にすることが望ましい。
ｃｍ-3以上に増やした場合、キャリア濃度も下がるが膜
質もＩｎＧａＮ混晶状態になるため、ドーピングのレベ
ルを超えてしまう。従って、ドーピング濃度の上限とし
ては、１×１０20ｃｍ-3以下にすることが望ましい。
【００１６】尚、Ｇａと同じＩＩＩ族元素であるＡｌを
用いても上記と同様の結果が得られる。
用いても上記と同様の結果が得られる。
【００１７】このように、Ｇａ又はＡｌを１×１０17ｃ
ｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下のドーピング濃度で、
窒化物系化合物半導体ＩｎＮを結晶成長することによ
り、低キャリア濃度で高電子移動度を有するＩｎＮの結
晶成長が可能となる。具体的には、例えば、キャリア濃
度が１×１０18ｃｍ-3以下で、高電子移動度が１０００
ｃｍ2／Ｖｓ以上のＩｎＮが得られた。
ｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下のドーピング濃度で、
窒化物系化合物半導体ＩｎＮを結晶成長することによ
り、低キャリア濃度で高電子移動度を有するＩｎＮの結
晶成長が可能となる。具体的には、例えば、キャリア濃
度が１×１０18ｃｍ-3以下で、高電子移動度が１０００
ｃｍ2／Ｖｓ以上のＩｎＮが得られた。
【００１８】また、ドーピングをＧａ又はＡｌのＩＩＩ
族元素に変えて、Ｖ族元素であるＰ、Ａｓ又はＳｂを用
いても、上記図２と同様の結果が得られる。即ち、Ｐ、
Ａｓ又はＳｂを１×１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ
-3以下のドーピング濃度で、窒化物系化合物半導体Ｉｎ
Ｎを結晶成長することにより、窒素空孔をＰ、Ａｓ又は
Ｓｂで置換することでキャリアの生成が抑えられたた
め、低キャリア濃度で高電子移動度を有するＩｎＮの結
晶成長が可能となる。
族元素に変えて、Ｖ族元素であるＰ、Ａｓ又はＳｂを用
いても、上記図２と同様の結果が得られる。即ち、Ｐ、
Ａｓ又はＳｂを１×１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ
-3以下のドーピング濃度で、窒化物系化合物半導体Ｉｎ
Ｎを結晶成長することにより、窒素空孔をＰ、Ａｓ又は
Ｓｂで置換することでキャリアの生成が抑えられたた
め、低キャリア濃度で高電子移動度を有するＩｎＮの結
晶成長が可能となる。
【００１９】また、ドーピングをＧａ又はＡｌのＩＩＩ
族元素に変えて、ランタノイドを用いても、上記図２と
同様の結果が得られる。即ち、ランタノイドを１×１０
17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下のドーピング濃度
で、窒化物系化合物半導体ＩｎＮを結晶成長することに
より、結合力が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を結合力の強い
ランタノイド−Ｎ結合に置換することで窒素空孔の生成
が抑えられたため、低キャリア濃度で高電子移動度を有
するＩｎＮの結晶成長が可能となる。
族元素に変えて、ランタノイドを用いても、上記図２と
同様の結果が得られる。即ち、ランタノイドを１×１０
17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下のドーピング濃度
で、窒化物系化合物半導体ＩｎＮを結晶成長することに
より、結合力が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を結合力の強い
ランタノイド−Ｎ結合に置換することで窒素空孔の生成
が抑えられたため、低キャリア濃度で高電子移動度を有
するＩｎＮの結晶成長が可能となる。
【００２０】ランタノイドが、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちの少なくとも１つである構
成にすると、これらの元素の窒化物は、バンドギャップ
が２ｅＶ前後の半導体であり、ＩｎＮの有している特性
を損なわない。
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちの少なくとも１つである構
成にすると、これらの元素の窒化物は、バンドギャップ
が２ｅＶ前後の半導体であり、ＩｎＮの有している特性
を損なわない。
【００２１】また、窒化物系化合物半導体ＩｎＮのキャ
リア濃度は、例えば、図３の実験結果に示すように、Ｓ
ｉのドーピング濃度に依存する。これは、Ｓｉのドーピ
ングによるＩｎＮの結晶性改善の効果と考えられる。
リア濃度は、例えば、図３の実験結果に示すように、Ｓ
ｉのドーピング濃度に依存する。これは、Ｓｉのドーピ
ングによるＩｎＮの結晶性改善の効果と考えられる。
【００２２】図３に示す実験結果から、Ｓｉのドーピン
グ濃度を１×１０16ｃｍ-3以上にすると、ＩｎＮのキャ
リア濃度を下げることが可能である。また、Ｓｉのドー
ピングによるキャリア生成を１×１０18ｃｍ-3以下にす
ることが望ましいため、Ｓｉのドーピング濃度を１×１
０18ｃｍ-3以下にすることが望ましい。
グ濃度を１×１０16ｃｍ-3以上にすると、ＩｎＮのキャ
リア濃度を下げることが可能である。また、Ｓｉのドー
ピングによるキャリア生成を１×１０18ｃｍ-3以下にす
ることが望ましいため、Ｓｉのドーピング濃度を１×１
０18ｃｍ-3以下にすることが望ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に基づいて具体的に説明する。
面に基づいて具体的に説明する。
【００２４】（実施形態１）本発明の実施形態１による
窒化物系化合物半導体は、例えば、図１の断面図に示す
ように、（０００１）サファイア基板１１上に、膜厚２
０ｎｍの低温成長ＧａＮバッファ層１２、Ｇａ濃度５×
１０19ｃｍ-3、膜厚１μｍのＧａ添加ＩｎＮ層１３、及
びＩｎ電極１４が、順次積層された構造を有する。
窒化物系化合物半導体は、例えば、図１の断面図に示す
ように、（０００１）サファイア基板１１上に、膜厚２
０ｎｍの低温成長ＧａＮバッファ層１２、Ｇａ濃度５×
１０19ｃｍ-3、膜厚１μｍのＧａ添加ＩｎＮ層１３、及
びＩｎ電極１４が、順次積層された構造を有する。
【００２５】このような層構造を形成するための結晶成
長の方法としては、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
法）、プラズマ励起した窒素を用いた分子線エピタキシ
ー法（ＭＢＥ法）などを用いることができる。より詳し
くは、ＭＢＥ法は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎ
ｃｙ Ｏｓｉｌｌａｔｏｒ：無線周波発振器）−励起Ｍ
ＢＥ法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ ＲｅｓｏｎａｎｃｅＲｅａｃｔｏｒ：電子サイクロ
トロン共鳴反応器）−励起ＭＢＥ法などを用いることが
できる。
長の方法としては、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
法）、プラズマ励起した窒素を用いた分子線エピタキシ
ー法（ＭＢＥ法）などを用いることができる。より詳し
くは、ＭＢＥ法は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎ
ｃｙ Ｏｓｉｌｌａｔｏｒ：無線周波発振器）−励起Ｍ
ＢＥ法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ ＲｅｓｏｎａｎｃｅＲｅａｃｔｏｒ：電子サイクロ
トロン共鳴反応器）−励起ＭＢＥ法などを用いることが
できる。
【００２６】本実施形態１では、例えば、ＲＦ−励起Ｍ
ＢＥ法により結晶成長を行い各層を形成した。
ＢＥ法により結晶成長を行い各層を形成した。
【００２７】具体的には、まず真空中で基板温度８００
℃にて１０分間程度基板１１の洗浄を行う。次に、基板
温度を５５０℃に設定し、窒素流量１ｓｃｃｍ、プラズ
マ電力３００Ｗの条件で窒素ラジカルを基板１１に照射
し、結晶成長を良くするための１時間程度表面の窒化を
行い、その後基板１１上にＧａＮ低温バッファ層１２を
結晶成長させる。次に、同じ基板温度でＧａＮ低温バッ
ファ層１２上にＧａ添加ＩｎＮ層１３を結晶成長させ
る。Ｇａ添加ＩｎＮ層１３上にＩｎ電極１４を形成し、
ホール測定を行った結果、キャリア濃度８×１０16ｃｍ
-3、移動度１５００ｃｍ2／Ｖｓの窒化物系化合物半導
体が得られた。
℃にて１０分間程度基板１１の洗浄を行う。次に、基板
温度を５５０℃に設定し、窒素流量１ｓｃｃｍ、プラズ
マ電力３００Ｗの条件で窒素ラジカルを基板１１に照射
し、結晶成長を良くするための１時間程度表面の窒化を
行い、その後基板１１上にＧａＮ低温バッファ層１２を
結晶成長させる。次に、同じ基板温度でＧａＮ低温バッ
ファ層１２上にＧａ添加ＩｎＮ層１３を結晶成長させ
る。Ｇａ添加ＩｎＮ層１３上にＩｎ電極１４を形成し、
ホール測定を行った結果、キャリア濃度８×１０16ｃｍ
-3、移動度１５００ｃｍ2／Ｖｓの窒化物系化合物半導
体が得られた。
【００２８】より詳しくは、窒化物系化合物半導体Ｉｎ
Ｎのキャリア濃度は、例えば、図２の実験結果に示すよ
うに、ＩＩＩ族元素であるＧａのドーピング濃度に依存
する。もともと、アンドープのＩｎＮのキャリア濃度が
１×１０20ｃｍ-3程度ある場合、Ｇａのドーピングによ
ってＩｎＮのキャリア濃度は減少する。これは、結合力
が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を、結合力の強いＧａ−Ｎ結
合に置換することで、窒素空孔の生成が抑えられたため
である。
Ｎのキャリア濃度は、例えば、図２の実験結果に示すよ
うに、ＩＩＩ族元素であるＧａのドーピング濃度に依存
する。もともと、アンドープのＩｎＮのキャリア濃度が
１×１０20ｃｍ-3程度ある場合、Ｇａのドーピングによ
ってＩｎＮのキャリア濃度は減少する。これは、結合力
が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を、結合力の強いＧａ−Ｎ結
合に置換することで、窒素空孔の生成が抑えられたため
である。
【００２９】図２に示す実験結果から、Ｇａのドーピン
グ濃度を１×１０17ｃｍ-3以上にすると、ＩｎＮのキャ
リア濃度を下げることができる。
グ濃度を１×１０17ｃｍ-3以上にすると、ＩｎＮのキャ
リア濃度を下げることができる。
【００３０】但し、Ｇａのドーピング濃度を１×１０20
ｃｍ-3以上に増やした場合、キャリア濃度も下がるが膜
質もＩｎＧａＮ混晶状態になるため、ドーピングのレベ
ルを超えてしまう。従って、ドーピング濃度の上限とし
ては、１×１０20ｃｍ-3以下にすることが望ましい。
ｃｍ-3以上に増やした場合、キャリア濃度も下がるが膜
質もＩｎＧａＮ混晶状態になるため、ドーピングのレベ
ルを超えてしまう。従って、ドーピング濃度の上限とし
ては、１×１０20ｃｍ-3以下にすることが望ましい。
【００３１】（実施形態２）本発明の実施形態２よる窒
化物系化合物半導体は、上述した実施形態１におけるＧ
ａ添加ＩｎＮ層１３が、Ａｌ添加ＩｎＮ層２３である点
で相違し、その他の構成は図１に示す上記実施形態１の
場合と同様とするものである。
化物系化合物半導体は、上述した実施形態１におけるＧ
ａ添加ＩｎＮ層１３が、Ａｌ添加ＩｎＮ層２３である点
で相違し、その他の構成は図１に示す上記実施形態１の
場合と同様とするものである。
【００３２】尚、結晶成長の方法としては、ＭＯＶＰＥ
法、ＲＦ−励起ＭＢＥ法、ＥＣＲ−励起ＭＢＥ法などを
用いることができるが、ここでは、例えば、ＭＯＶＰＥ
法により結晶成長を行い各層を形成した。
法、ＲＦ−励起ＭＢＥ法、ＥＣＲ−励起ＭＢＥ法などを
用いることができるが、ここでは、例えば、ＭＯＶＰＥ
法により結晶成長を行い各層を形成した。
【００３３】具体的には、まず水素雰囲気中で基板温度
１１００℃にて基板１１の洗浄を１０分間程度行う。次
に、基板温度を５５０℃に設定し、基板１１上にＧａＮ
低温バッファ層１２を結晶成長させる。次に、基板温度
を６００℃に設定し、ＧａＮ低温バッファ層１２上に、
例えばＡｌ濃度１×１０20ｃｍ-3、膜厚１μｍのＡｌ添
加ＩｎＮ層２３を結晶成長させる。Ａｌ添加ＩｎＮ層２
３上にＩｎ電極１４を形成し、ホール測定を行った結
果、キャリア濃度１×１０-7ｃｍ-3、移動度１２００ｃ
ｍ2／Ｖｓの窒化物系化合物半導体が得られた。
１１００℃にて基板１１の洗浄を１０分間程度行う。次
に、基板温度を５５０℃に設定し、基板１１上にＧａＮ
低温バッファ層１２を結晶成長させる。次に、基板温度
を６００℃に設定し、ＧａＮ低温バッファ層１２上に、
例えばＡｌ濃度１×１０20ｃｍ-3、膜厚１μｍのＡｌ添
加ＩｎＮ層２３を結晶成長させる。Ａｌ添加ＩｎＮ層２
３上にＩｎ電極１４を形成し、ホール測定を行った結
果、キャリア濃度１×１０-7ｃｍ-3、移動度１２００ｃ
ｍ2／Ｖｓの窒化物系化合物半導体が得られた。
【００３４】尚、本実施形態２は、上述した実施形態１
の場合と同様にＩＩＩ族元素を用いるものであるので、
図２を用いて説明した上記と同様の結果が得られる。
の場合と同様にＩＩＩ族元素を用いるものであるので、
図２を用いて説明した上記と同様の結果が得られる。
【００３５】即ち、本発明の実施形態２による窒化物系
化合物半導体の製造方法によれば、Ａｌを１×１０17ｃ
ｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下の濃度でドーピングし
てＩｎＮ層を結晶成長させる工程を包含しているので、
結晶成長の際に結合力が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を結合
力の強いＡｌ−Ｎ結合に置換することで窒素空孔の生成
を抑えることができる。従って、窒化物系化合物半導体
を低キャリア濃度で高電子移動度を有するものとするこ
とができる。
化合物半導体の製造方法によれば、Ａｌを１×１０17ｃ
ｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下の濃度でドーピングし
てＩｎＮ層を結晶成長させる工程を包含しているので、
結晶成長の際に結合力が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部を結合
力の強いＡｌ−Ｎ結合に置換することで窒素空孔の生成
を抑えることができる。従って、窒化物系化合物半導体
を低キャリア濃度で高電子移動度を有するものとするこ
とができる。
【００３６】（実施形態３）本発明の実施形態３による
窒化物系化合物半導体は、上述した実施形態１における
Ｇａ添加ＩｎＮ層１３が、Ｐ、Ａｓ又はＳｂ添加ＩｎＮ
層３３である点で相違し、その他の構成は図１に示す上
記実施形態１の場合と同様とするものである。
窒化物系化合物半導体は、上述した実施形態１における
Ｇａ添加ＩｎＮ層１３が、Ｐ、Ａｓ又はＳｂ添加ＩｎＮ
層３３である点で相違し、その他の構成は図１に示す上
記実施形態１の場合と同様とするものである。
【００３７】尚、結晶成長の方法としては、ＭＯＶＰＥ
法、ＲＦ−励起ＭＢＥ法、ＥＣＲ−励起ＭＢＥ法などを
用いることができるが、ここでは、例えば、ＭＯＶＰＥ
法により結晶成長を行い各層を形成し、濃度１×１０19
ｃｍ-3、膜厚１μｍＰのＡｓ又はＳｂ添加ＩｎＮ層３３
を有する構成とした。
法、ＲＦ−励起ＭＢＥ法、ＥＣＲ−励起ＭＢＥ法などを
用いることができるが、ここでは、例えば、ＭＯＶＰＥ
法により結晶成長を行い各層を形成し、濃度１×１０19
ｃｍ-3、膜厚１μｍＰのＡｓ又はＳｂ添加ＩｎＮ層３３
を有する構成とした。
【００３８】表１は、Ｐ、Ａｓ又はＳｂを同一濃度の添
加量で形成したＩｎＮ層のホール測定の結果を示してお
り、ＩｎＮ層３３にＰを添加した場合、キャリア濃度
３．４×１０17ｃｍ-3、移動度１１００ｃｍ2／Ｖｓが
得られ、Ａｓを添加した場合、キャリア濃度５．０×１
０17ｃｍ-3、移動度１０５０ｃｍ2／Ｖｓが得られ、Ｓ
ｂを添加した場合、キャリア濃度６．８×１０17ｃ
ｍ-3、移動度１０２０ｃｍ2／Ｖｓが得られ、いずれの
場合においても低キャリア濃度で高電子移動度を有する
窒化物系化合物半導体が得られた。
加量で形成したＩｎＮ層のホール測定の結果を示してお
り、ＩｎＮ層３３にＰを添加した場合、キャリア濃度
３．４×１０17ｃｍ-3、移動度１１００ｃｍ2／Ｖｓが
得られ、Ａｓを添加した場合、キャリア濃度５．０×１
０17ｃｍ-3、移動度１０５０ｃｍ2／Ｖｓが得られ、Ｓ
ｂを添加した場合、キャリア濃度６．８×１０17ｃ
ｍ-3、移動度１０２０ｃｍ2／Ｖｓが得られ、いずれの
場合においても低キャリア濃度で高電子移動度を有する
窒化物系化合物半導体が得られた。
【００３９】
【表１】
【００４０】即ち、本発明の実施形態３による窒化物系
化合物半導体の製造方法によれば、Ｐ、Ａｓ又はＳｂを
１×１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下の濃度で
ドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長させる工程を包含し
ているので、結晶成長の際に窒素空孔をＰ、Ａｓ又はＳ
ｂで置換してキャリアの生成を抑えることができる。従
って、窒化物系化合物半導体を低キャリア濃度で高電子
移動度を有するものとすることができる。
化合物半導体の製造方法によれば、Ｐ、Ａｓ又はＳｂを
１×１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下の濃度で
ドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長させる工程を包含し
ているので、結晶成長の際に窒素空孔をＰ、Ａｓ又はＳ
ｂで置換してキャリアの生成を抑えることができる。従
って、窒化物系化合物半導体を低キャリア濃度で高電子
移動度を有するものとすることができる。
【００４１】（実施形態４）本発明の実施形態４による
窒化物系化合物半導体は、上述した実施形態１における
Ｇａ添加ＩｎＮ層１３が、ランタノイド添加ＩｎＮ層４
３である点で相違し、その他の構成は図１に示す上記実
施形態１の場合と同様とするものである。
窒化物系化合物半導体は、上述した実施形態１における
Ｇａ添加ＩｎＮ層１３が、ランタノイド添加ＩｎＮ層４
３である点で相違し、その他の構成は図１に示す上記実
施形態１の場合と同様とするものである。
【００４２】尚、結晶成長の方法としては、ＭＯＶＰＥ
法、ＲＦ−励起ＭＢＥ法、ＥＣＲ−励起ＭＢＥ法などを
用いることができるが、ここでは、例えば、ＭＯＶＰＥ
法により結晶成長を行い各層を形成し、濃度１×１０19
ｃｍ-3、膜厚１μｍのランタノイド添加ＩｎＮ層４３を
有する構成とした。
法、ＲＦ−励起ＭＢＥ法、ＥＣＲ−励起ＭＢＥ法などを
用いることができるが、ここでは、例えば、ＭＯＶＰＥ
法により結晶成長を行い各層を形成し、濃度１×１０19
ｃｍ-3、膜厚１μｍのランタノイド添加ＩｎＮ層４３を
有する構成とした。
【００４３】表２は、ランタノイドであるＰｒ、Ｎｄ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ又はＹｂを同一濃度の添
加量で形成したＩｎＮ層のホール測定の結果を示してお
り、ＩｎＮ層４３にいずれのランタノイドを添加した場
合においても、低キャリア濃度で高電子移動度を有する
窒化物系化合物半導体が得られた。
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ又はＹｂを同一濃度の添
加量で形成したＩｎＮ層のホール測定の結果を示してお
り、ＩｎＮ層４３にいずれのランタノイドを添加した場
合においても、低キャリア濃度で高電子移動度を有する
窒化物系化合物半導体が得られた。
【００４４】
【表２】
【００４５】即ち、本発明の実施形態４による窒化物系
化合物半導体の製造方法によれば、ランタノイドを１×
１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下の濃度でドー
ピングしてＩｎＮ層を結晶成長させる工程を包含してい
るので、結晶成長の際に結合力が弱いＩｎ−Ｎ結合の一
部を結合力の強いランタノイド−結合に置換することで
窒素空孔の生成を抑えることができ、キャリアの生成を
抑えることができる。従って、窒化物系化合物半導体を
低キャリア濃度で高電子移動度を有するものとすること
ができる。また、これらのランタノイド元素の窒化物
は、バンドギャップが２ｅＶ前後の半導体であるので、
ＩｎＮの有している特性を損なわないという効果を奏す
る。
化合物半導体の製造方法によれば、ランタノイドを１×
１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下の濃度でドー
ピングしてＩｎＮ層を結晶成長させる工程を包含してい
るので、結晶成長の際に結合力が弱いＩｎ−Ｎ結合の一
部を結合力の強いランタノイド−結合に置換することで
窒素空孔の生成を抑えることができ、キャリアの生成を
抑えることができる。従って、窒化物系化合物半導体を
低キャリア濃度で高電子移動度を有するものとすること
ができる。また、これらのランタノイド元素の窒化物
は、バンドギャップが２ｅＶ前後の半導体であるので、
ＩｎＮの有している特性を損なわないという効果を奏す
る。
【００４６】尚、表２では、ランタノイドが、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ又はＹｂである場合
の結果を示したが、これ以外のランタノイドでも同様の
効果が確認されている。
ｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ又はＹｂである場合
の結果を示したが、これ以外のランタノイドでも同様の
効果が確認されている。
【００４７】（実施形態５）本発明の実施形態５による
窒化物系化合物半導体は、上述した実施形態１における
Ｇａ添加ＩｎＮ層１３が、Ｓｉ添加ＩｎＮ層５３である
点で相違し、その他の構成は図１に示す上記実施形態１
の場合と同様とするものである。
窒化物系化合物半導体は、上述した実施形態１における
Ｇａ添加ＩｎＮ層１３が、Ｓｉ添加ＩｎＮ層５３である
点で相違し、その他の構成は図１に示す上記実施形態１
の場合と同様とするものである。
【００４８】尚、結晶成長の方法としては、ＭＯＶＰＥ
法、ＲＦ−励起ＭＢＥ法、ＥＣＲ−励起ＭＢＥ法などを
用いることができるが、ここでは、例えば、ＲＦ−励起
ＭＢＥ法により結晶成長を行い各層を形成し、濃度１×
１０18ｃｍ-3、膜厚１μｍのＳｉ添加ＩｎＮ層５３を有
する構成とした。
法、ＲＦ−励起ＭＢＥ法、ＥＣＲ−励起ＭＢＥ法などを
用いることができるが、ここでは、例えば、ＲＦ−励起
ＭＢＥ法により結晶成長を行い各層を形成し、濃度１×
１０18ｃｍ-3、膜厚１μｍのＳｉ添加ＩｎＮ層５３を有
する構成とした。
【００４９】具体的には、窒化物系化合物半導体ＩｎＮ
のキャリア濃度は、例えば、図３の実験結果に示すよう
に、Ｓｉのドーピング濃度に依存する。これは、Ｓｉの
ドーピングによるＩｎＮの結晶性改善の効果と考えられ
る。
のキャリア濃度は、例えば、図３の実験結果に示すよう
に、Ｓｉのドーピング濃度に依存する。これは、Ｓｉの
ドーピングによるＩｎＮの結晶性改善の効果と考えられ
る。
【００５０】図３に示す実験結果から、Ｓｉのドーピン
グ濃度を１×１０16ｃｍ-3以上にすると、ＩｎＮのキャ
リア濃度を下げることができる。また、Ｓｉのドーピン
グによるキャリア生成を１×１０18ｃｍ-3以下にするこ
とが望ましいため、Ｓｉのドーピング濃度を１×１０18
ｃｍ-3以下にすることが望ましい。
グ濃度を１×１０16ｃｍ-3以上にすると、ＩｎＮのキャ
リア濃度を下げることができる。また、Ｓｉのドーピン
グによるキャリア生成を１×１０18ｃｍ-3以下にするこ
とが望ましいため、Ｓｉのドーピング濃度を１×１０18
ｃｍ-3以下にすることが望ましい。
【００５１】Ｓｉ添加ＩｎＮ層５３上にＩｎ電極１４を
形成し、ホール測定を行った結果、キャリア濃度５×１
０17ｃｍ-3、移動度１０００ｃｍ2／Ｖｓの窒化物系化
合物半導体が得られた。
形成し、ホール測定を行った結果、キャリア濃度５×１
０17ｃｍ-3、移動度１０００ｃｍ2／Ｖｓの窒化物系化
合物半導体が得られた。
【００５２】尚、上述した各実施形態は、本発明の窒化
物系化合物半導体及びその製造方法の一例を示している
にすぎず、本発明はこれらの具体手的構成に限定される
ものでない。
物系化合物半導体及びその製造方法の一例を示している
にすぎず、本発明はこれらの具体手的構成に限定される
ものでない。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化物系
化合物半導体によれば、ＩｎＮ層が、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、
Ａｓ、Ｓｂ及びランタノイドのうちの少なくとも１つを
所定の濃度でドーピングして結晶成長させたものである
ため、結晶成長の際に結合力が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部
を結合力の強いＧａ、Ａｌ又はランタノイドとＮの結合
に置換することで、窒素空孔の生成を抑えられており、
又結晶成長の際に窒素空孔がＰ、Ａｓ又はＳｂで置換さ
れキャリアの生成が抑えられているため、窒化物系化合
物半導体を低キャリア濃度で高電子移動度を有するもの
とすることができる。また、ＩｎＮ層が、Ｓｉを所定の
濃度でドーピングして結晶成長させたものとする場合に
は、結晶性の改善によりキャリア濃度を下げることがで
きる。
化合物半導体によれば、ＩｎＮ層が、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、
Ａｓ、Ｓｂ及びランタノイドのうちの少なくとも１つを
所定の濃度でドーピングして結晶成長させたものである
ため、結晶成長の際に結合力が弱いＩｎ−Ｎ結合の一部
を結合力の強いＧａ、Ａｌ又はランタノイドとＮの結合
に置換することで、窒素空孔の生成を抑えられており、
又結晶成長の際に窒素空孔がＰ、Ａｓ又はＳｂで置換さ
れキャリアの生成が抑えられているため、窒化物系化合
物半導体を低キャリア濃度で高電子移動度を有するもの
とすることができる。また、ＩｎＮ層が、Ｓｉを所定の
濃度でドーピングして結晶成長させたものとする場合に
は、結晶性の改善によりキャリア濃度を下げることがで
きる。
【００５４】具体的には、例えば、キャリア濃度が１×
１０18ｃｍ-3以下で、高電子移動度が１０００ｃｍ2／
Ｖｓ以上の窒化物系化合物半導体が得られた。従って、
例えば、ヘテロ接合電界効果トランジスタなどの高速電
子デバイスへ応用することができる。
１０18ｃｍ-3以下で、高電子移動度が１０００ｃｍ2／
Ｖｓ以上の窒化物系化合物半導体が得られた。従って、
例えば、ヘテロ接合電界効果トランジスタなどの高速電
子デバイスへ応用することができる。
【００５５】また、本発明の窒化物系化合物半導体の製
造方法によれば、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ又はラン
タノイドを１×１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以
下の濃度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長させる工
程を包含しているので、結晶成長の際に結合力が弱いＩ
ｎ−Ｎ結合の一部を結合力の強いＧａ、Ａｌ又はランタ
ノイドとＮの結合に置換することで窒素空孔の生成を抑
えることができ、又結晶成長の際に窒素空孔をＰ、Ａｓ
又はＳｂで置換してキャリアの生成を抑えることができ
る。また、Ｓｉを１×１０16ｃｍ-3以上、１×１０18ｃ
ｍ-3以下の濃度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長さ
せる工程を包含しているので、結晶性の改善によりキャ
リア濃度を下げることができる。従って、窒化物系化合
物半導体を低キャリア濃度で高電子移動度を有するもの
とすることができる。
造方法によれば、Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ又はラン
タノイドを１×１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以
下の濃度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長させる工
程を包含しているので、結晶成長の際に結合力が弱いＩ
ｎ−Ｎ結合の一部を結合力の強いＧａ、Ａｌ又はランタ
ノイドとＮの結合に置換することで窒素空孔の生成を抑
えることができ、又結晶成長の際に窒素空孔をＰ、Ａｓ
又はＳｂで置換してキャリアの生成を抑えることができ
る。また、Ｓｉを１×１０16ｃｍ-3以上、１×１０18ｃ
ｍ-3以下の濃度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長さ
せる工程を包含しているので、結晶性の改善によりキャ
リア濃度を下げることができる。従って、窒化物系化合
物半導体を低キャリア濃度で高電子移動度を有するもの
とすることができる。
【００５６】上記ランタノイドが、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちの少なくとも１つである構
成にすると、これらの元素の窒化物は、バンドギャップ
が２ｅＶ前後の半導体であるので、ＩｎＮの有している
特性を損なわないという効果を奏する。
Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちの少なくとも１つである構
成にすると、これらの元素の窒化物は、バンドギャップ
が２ｅＶ前後の半導体であるので、ＩｎＮの有している
特性を損なわないという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１〜実施形態５による窒化物
系化合物半導体の構成例を示す断面図である。
系化合物半導体の構成例を示す断面図である。
【図２】ＧａをドープしたＩｎＮ層におけるキャリア濃
度とＧａドーピング濃度との関係を表すグラフである。
度とＧａドーピング濃度との関係を表すグラフである。
【図３】ＳｉをドープしたＩｎＮ層におけるキャリア濃
度とＧａドーピング濃度との関係を表すグラフである。
度とＧａドーピング濃度との関係を表すグラフである。
１１ 基板 １２ 低温成長ＧａＮバッファ層 １３ Ｇａ添加ＩｎＮ層 １４ Ｉｎ電極 ２３ Ａｌ添加ＩｎＮ層 ３３ Ｐ、Ａｓ又はＳｂ添加ＩｎＮ層 ４３ ランタノイド添加ＩｎＮ層 ５３ Ｓｉ添加ＩｎＮ層
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ及び
ランタノイドのうちの少なくとも１つを所定の濃度でド
ーピングして結晶成長させたＩｎＮ層を有する窒化物系
化合物半導体。 - 【請求項２】 Ｇａ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ又はランタ
ノイドを１×１０17ｃｍ-3以上、１×１０20ｃｍ-3以下
の濃度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成長させる工程
を包含する窒化物系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項３】 Ｓｉを１×１０16ｃｍ-3以上、１×１０
18ｃｍ-3以下の濃度でドーピングしてＩｎＮ層を結晶成
長させる工程を包含する窒化物系化合物半導体の製造方
法。 - 【請求項４】 前記ランタノイドが、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ、Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕのうちの少なくとも１つ
である請求項１又は請求項２記載の窒化物系化合物半導
体及びその製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07689099A JP3549151B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07689099A JP3549151B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277434A true JP2000277434A (ja) | 2000-10-06 |
| JP3549151B2 JP3549151B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=13618247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07689099A Expired - Fee Related JP3549151B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3549151B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011222964A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Ngk Insulators Ltd | 半導体素子用エピタキシャル基板および半導体素子 |
| JP2012049465A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物系化合物半導体、窒化物系化合物半導体素子、およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP07689099A patent/JP3549151B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011222964A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Ngk Insulators Ltd | 半導体素子用エピタキシャル基板および半導体素子 |
| JP2012049465A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物系化合物半導体、窒化物系化合物半導体素子、およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3549151B2 (ja) | 2004-08-04 |
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