JP2000267294A - 露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】将来的に基板の通常の回路パターン内に、部分
的に高密度・高細線パターンが混在する構成となって
も、高い生産性を維持し、あわせて比較的安価な露光装
置を提供することを課題とする。 【解決手段】高密度・高細線パターンＷａの部分をマス
キングしたマスクＭにより全面一括露光し、回路を形成
する一括露光機構４と、前記高密度・高細線パターンの
部分を、より解像力の優れた光学系により部分露光し、
回路を形成する部分露光機構７（１７）と、を兼備する
露光装置として構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板、
液晶基板、フラットディスプレイなどの各種基板を露光
するための露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線板などの基板を使用する電
子機器は、情報化時代に伴って多量情報の高速処理が求
められ、多機能化、小型化、高速化が強く要請されてい
る。前記プリント配線板は、単なる配線処理の合理化か
ら始まり、電子部品を実装し電子機器の主要部品とな
り、今日では多機能化、小型化、高速化を支える中心部
品となっており、その構成も多層化、高密度化が要求さ
れている。したがって、このような要求を満たすために
は、露光装置は、散乱光より平行光に、また、プリント
配線板とマスクの整合方法も目視位置合わせから自動位
置合わせ方法に代わり、さらに、装置全体が手動露光装
置より自動露光装置へと発展している。

【０００３】また、プリント配線板の回路パターンの再
現性（解像力）を決定する要素としては、光源を含む光
学系、感光剤、露光量制御、マスクと基板の密着度、現
像処理、エッチング処理など多岐にわたるが、なかでも
光源を含む光学系の占める比重は大きい。一般的に言っ
て、散乱光の手動装置では、その解像力は、基板に形成
する回路パターンのラインアンドスペースが１２０μｍ
程度が限界となっており、パターンと基板の位置合わせ
精度は人的要素に左右された。そして、平行光光学系の
自動露光装置では、ラインアンドスペースが１００μｍ
以下の解像力、パターンと基板の位置合わせ精度を±２
０μｍ以下に実現している。なお、解像力を決定する諸
要素を改良することで、前記自動露光装置では、３０μ
ｍのラインアンドスペースを実現できる可能性があると
されている。将来の技術動向として、量産レベルで２０
０５年には３０μｍ程度、２０１０年には２０μｍ程度
（最先端レベルでは５μｍ〜１０μｍ程度）のラインア
ンドスペースを実現できる技術レベルが要求されるとの
予測も行われている。

【０００４】一方、投影露光装置やレーザ露光装置は、
ＩＣチップのステップアンドリピートで知られるよう
に、微小面積を１μｍ以下の解像力で露光処理する能力
をもっているが、数十ｃｍ角のプリント配線板の露光作
業に利用することはまれで、量産向きではない。その理
由としては、小面積（数ｍｍ〜数十ｍｍ）を精緻に再現
する解像力（５０〜０．１μｍ）に優れる余り、露光処
理面積が広いプリント配線板などの基板の露光作業を行
う際に処理時間が長くかかってしまい、極めて高価な装
置とならざるおえない。

【０００５】したがって、従来は数十ｃｍ角のプリント
配線板など大型の基板は、散乱光または平行光光学系の
露光装置で全面一括露光処理して量産している。そし
て、小型で高密度なＴＡＢ用フレキシブル基板やＩＣチ
ップなどは投影露光機能やレーザ露光装置を利用して生
産しているのが現状である。さらに、大型の基板で高密
度・高細線を備えるものには、高額のレーザ装置を使用
しテスト的に作っているのが実状で、事実上、量産機で
この要請に答えられる経済的な露光装置は存在していな
い。

【０００６】また、電子機器のもう一方を支える実装部
品の改良も進み、その代表である半導体技術は技術革新
が最も激しい分野である。そのため、ＩＣチップは、か
つてのワイヤーボンディング法で数１０ピンを作製して
いたが、６４ＭＤＲＡＭの時代になり数１００〜１００
０ピンを越える必要性が生まれ、フリブチップ化、モジ
ュール化の方向へ、ＬＧＡ（ＬＡＮＤ，ＧＲＩＤ，ＡＲ
ＲＡＹ），ＭＣＭ（ＭＵＬＴＩ，ＣＨＩＰ，ＭＯＤＵＬ
Ｅ）の方向へ進んでいる。

【０００７】このように、基板の高密度化、細線化の改
良にもかかわらず、それ以上に実装部品の高密度化が一
段と進んでいるのが現状である。したがって、将来的に
は、基板上に３０μｍから１００μｍ程度のラインアン
ドスペースの部分と、１μｍから３０μｍ程度のライン
アンドスペースの部分とが混在している回路パターンの
基板を作製できれば、実装部品の搭載条件を大きく緩和
し、電子機器の多機能化、小型化、高速化に貢献できる
ものとなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の露光装
置では、プリント配線板などの基板に、現在露光作業で
形成する通常回路パターンのランアンドスペースと、Ｉ
Ｃチップなどの実装部品を搭載する部分となる高密度・
高細線パターンのライアンドスペースとが混在するよう
な製品を生産することができなかった。

【０００９】本発明は、前述の問題点を解決すべく創案
されたもので、将来的に基板の通常の回路パターン内
に、部分的に高密度・高細線パターンが混在する構成と
なっても、高い生産性を維持し、あわせて比較的安価な
露光装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、本発明は、高密度・高細線パターンの部分をマスキ
ングしたマスクにより全面一括露光し、回路を形成する
一括露光機構と、前記高密度・高細線パターンの部分
を、より解像力の優れた光学系により部分露光し、回路
を形成する部分露光機構と、を兼備する露光装置として
構成した。

【００１１】なお、部分露光機構は、露光装置に基板が
搬入されてから露光作業が終了して搬出される基板搬送
経路内に配置され、露光装置の構成により配置位置を異
にしている。その例としては、基板の搬入位置、基板と
マスクの整合位置、基板の搬出位置などである。また、
露光装置の構成で予備位置決め機構を備える場合は、そ
の予備位置決め機構の位置に配置しても良い。

【００１２】また、基板の高密度・高細線パターンの部
分を部分露光機構で露光する場合は、その部分露光機構
が移動手段によりＸ，Ｙ方向に移動して部分露光する
か、また、基板側をＸ，Ｙ方向に移動して部分露光する
構成のどちらの構成であっても良い。

【００１３】さらに、 前記一括露光機構は、平行光光
学系を使用することや、前記部分露光機構は、レンズ投
影露光装置またはレーザ直接描画装置で構成すると都合
が良い。 〔発明の詳細な説明〕

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。図１は、露光装置の全体の構成
を示す斜視図、図２は、露光装置の部分露光機構を示す
原理図、図３はワークとマスクの位置合わせを行う状態
を示す原理図、図４は、露光ステージに搬送されたワー
クの状態を示す原理図、図５（ａ），（ｂ）は、露光装
置の部分露光機構の配置を示す原理図、図６は、他の構
成の部分露光機構を示す原理図、図７（ａ），（ｂ）
は、他の形態の露光装置を示す原理図、図８（ａ），
（ｂ）は、他の形態の露光装置の構成を示す原理図およ
び斜視図である。

【００１５】なお、露光装置は、基板の一例であるであ
るプリント配線板（以下ワークという）の高密度・高細
線パターンの部分露光処理を、全面一括露光処理より先
に行う構成のもを代表として説明する。また、部分露光
機構は、露光装置にワークを搬入してから露光作業を終
了して搬出するまでのワーク搬送経路内に配置されてい
れば良く、はじめに、その一例として位置決め機構の位
置に設置される構成を説明する。

【００１６】図１で示すように、露光装置１は、整合機
構である予備位置決め機構２および位置決め機構３と、
一括露光機構４と、露光ステージ５と、位置決め機構２
の位置に配置された部分露光機構７とを備えている。そ
して、露光装置１は、予備位置決め機構２から露光ステ
ージ５までをワークＷがハンドラ（図示せず）や下焼枠
６を移動させる移動テーブル１１（図４参照）などの搬
送手段により搬送されるように構成されている。

【００１７】図１で示すように、予備位置決め機構２
は、搬入されたワークＷを載置支持するための送りロー
ラ２ａと、ワークＷの各端面を押動してそのワークＷを
中心位置側に予備位置決めを行うための押動部２ｂとを
備えている。

【００１８】図３で示すように、ワークＷは、所定の位
置に高密度・高細線パターン（１μｍから３０μｍ程
度）Ｗａと、全面一括露光できる全体の回路パターン
（３０μｍ〜１００μｍ程度）ＷＰとが形成されるよう
に設計されている。そのため、ワークＷは、全体マスク
Ｍとの全面一括露光を行うための位置決めマークＡＷを
備えると共に、高密度・高細線パターンＷａの位置決め
を行うための部分位置決めマークａｗを備えている。ま
た、全体マスクＭは、一括露光用のマスクパターンＭＰ
と、ワークＷの高密度・高細線パターンＷａの形成部分
をマスキングしている部分遮光部Ｍａと、ワークＷとの
整合を行うための位置決めマークＡＭを備えている。

【００１９】図１および図２で示すように、部分露光機
構７は、その一例であるレーザ直接描画装置について説
明する。図１および図２で示すように、部分露光機構７
は、解像力の優れた光学系（７Ａ〜７Ｆ）を備えてお
り、紫外波長のレーザ光を発振する光源部としてのレー
ザ発振部７Ａと、このレーザ発振部７Ａからのレーザ光
を所定光行路方向に反射するために所定位置に配置され
る反射鏡７Ｂと、レーザ光の光行路中に配置した電子シ
ャッタ７Ｃと、レーザ光の光行路中に配置したポリゴン
ミラー７Ｄと、このポリゴンミラー７Ｄからのレーザ光
の照射位置を調整する調整手段としてのｆθレンズ７Ｅ
と、このｆθレンズ７Ｅからのレーザ光を集光するシリ
ンドリカルレンズ７Ｆと、高密度・高細線パターンＷａ
をワークＷに露光するための部分マスクである記憶手段
７Ｍと、高密度・高細線パターンＷａの位置決め作業を
行う撮像手段としてのＣＣＤカメラ９Ａとを備えてい
る。

【００２０】そして、部分露光機構７は、部分露光位置
合わせ装置１０により光照射位置を移動できるように構
成されている。なお、部分露光マスクは、レーザ直接描
画装置では、ワークＷの高密度・高細線パターンＷａの
配線に沿ってレーザ光を移動させて露光作業を行うた
め、メモリなどの記憶手段７Ｍに相当する。

【００２１】部分露光位置合わせ装置１０は、案内レー
ル１０ａ，１０ａと、この案内レール１０ａ，１０ａ上
を移動する支持脚１０ｂ，１０ｂと、この支持脚１０
ｂ，１０ｂの上端部分に沿って移動し、かつ、その支持
脚１０ｂ，１０ｂに支持される支持アーム１０ｃ，１０
ｃと、前記部分露光機構７を収納するハウジング１２を
支持アーム１０ｃ，１０ｃに沿って移動させる駆動部
（図示せず）から構成されている。部分露光位置合わせ
装置１０の駆動源は、サーボモータやパルスモータなど
の精密送り作業を制御できるものが使用されている。

【００２２】図１で示すように、位置決め機構３は、そ
の一例であるアライメントテーブルについて説明する。
位置決め機構３は、ワークＷを載置支持するアライメン
トテーブル３Ａと、このアライメントテーブル３Ａの上
方に配置したＣＣＤカメラ３Ｂとから構成されている。
アライメントテーブル３Ａは、水平方向で一方向（Ｘ方
向）に移動するＸ方向駆動機構３ａと、Ｘ方向駆動機構
３ａの移動方向に直交する方向（Ｙ方向）に移動するＹ
方向駆動機構３ｂと、水平面で回転方向に移動するθ方
向駆動機構３ｃと、各方向駆動機構３ａ，３ｂ，３ｃを
上下方向に移動するＺ方向駆動機構３ｄとから構成され
ている。

【００２３】図１で示すように、一括露光機構４は、平
行光光学系（４ａ〜４ｅ）が使用されており、放電灯４
ａと、この放電灯４ａに設けた楕円反射鏡４ｂからなる
光源部４Ａと、光源部４Ａからの照射光を所定方向に反
射するための平面反射鏡４ｃと、平面反射鏡４ｃからの
光の照度分布を調整して均等化するためのフライアイレ
ンズ４ｄと、このフライアイレンズ４ｄからの照射光を
ワークＷ側に平行光として反射するための反射鏡４ｅと
から構成されている。

【００２４】なお、図１および図４で示すように、露光
ステージ５には、マスクＭを備える上焼枠６Ａが移動自
在に配置されている。上焼枠６Ａは、アライメントテー
ブル３Ａと露光ステージ５の間を移動できるように設け
られている。そして、上焼枠６Ａは、露光ステージ５の
位置およびアライメントテーブル３Ａの位置で、必要に
応じて上下方向に移動できるように構成されている。ま
た、図面で示す構成の露光装置１では、露光ステージ５
とアライメントテーブル３Ａ間を２台の下焼枠６が移動
経路を上下に異ならせ上焼枠６Ａと移動テーブル１１に
より移動することで、その下焼枠６に載置支持したワー
クを搬送するように構成されている。なお、上焼枠６Ａ
は、一台が露光ステージ５とアライメントテーブル３Ａ
間を往復移動している。

【００２５】つぎに、露光装置１の作用を説明する。は
じめに、図１で示すように、露光装置１に搬入されるワ
ークＷは、予備位置決め機構２に搬入される。予備位置
決め機構２は、ワークＷを送りローラ２ａ上に載置し、
押動部２ｂがそのワークＷの中心方向に移動させること
で、ワークＷの各端面が押されて予備位置決め作業が行
われる。

【００２６】予備位置決め作業が終了すると、部分露光
機構７が作動する。部分露光機構７は、はじめに、部分
露光位置合わせ装置１０によりワークＷの高密度・高細
線パターンＷａに光照射できるように移動する。この動
作はあらかじめワークＷの高密度・高細線パターンＷａ
の配置が分かっていることから、制御装置の記憶手段
（図示せず）に入力して設定されている。

【００２７】図２で示すように、移動した部分露光機構
７は、ＣＣＤカメラ９Ａを使用して適正な位置合わせを
行う。高密度・高細線パターンＷａの位置合わせを行う
場合は、ワークＷの部分位置決めマークａｗと、部分マ
スク（記憶手段７Ｍ）との整合作業を行う。レーザ直接
描画装置では、部分マスクを記憶手段７Ｍとしているた
め、ＣＣＤカメラ９Ａで読み込んだワークＷの部分位置
決めマークａｗと，あらかじめ記憶している記憶手段７
Ｍの整合位置とが指定精度範囲内になれば良い。このと
き、位置決め作業では部分露光位置合わせ装置１０を介
して行う。なお、部分的な露光処理のための位置決め作
業は、ワークＷのスルーホールなどをワークＷの位置決
めマークａｗの代わりとして使用しても良い。

【００２８】部分露光機構７は、部分マスク（記憶手
段）７Ｍと高密度・高細線パターンＷａの位置決めが済
むと、記憶手段７Ｍに記憶している部分マスクのパター
ンの信号を電子シャッタ７Ｃの開閉動作の信号に変換
し、レーザ発振部７Ａから紫外波長のレーザ光を発振す
る。そして、各反射鏡７Ｂと電子シャッタ７Ｃを介して
ポリゴンミラー７Ｄにレーザ光を導き、そのポリゴンミ
ラー７Ｄからｆθレンズ７Ｅおよびシリンドリカルレン
ズ７Ｆにより紫外波長レーザを調整して高密度・高細線
パターンＷａが形成される部分に光照射することで部分
露光を行う。なお、レーザ光により部分露光を行ってい
る場合は、部分露光位置合わせ装置１０により部分露光
機構７がＸ，Ｙ方向に必要に応じて移動している。さら
に、高密度・高細線パターンＷａが複数存在する場合
は、その全ての部分を露光処理する。

【００２９】高密度・高細線パターンＷａの部分的な露
光処理が終了すると、つぎに、図１で示すようにワーク
Ｗはハンドラ（図示せず）などの搬送手段により矢印ａ
で示すようにアライメントテーブル３Ａに搬送される。
そして、図１および図３で示すように、ワークＷと全体
マスクＭとの位置合わせ作業が行われる。位置合わせ作
業は、ＣＣＤカメラ３Ｂを介して、ワークＷおよび全体
マスクＭに設けた全体位置決めマークＡＷ，ＡＭを整合
させ、必要に応じてアライメントテーブル３Ａを作動さ
せて行われる。なお、すでにアライメントテーブル３Ａ
上には、下焼枠６が支持されており、下焼枠６上にワー
クＷが載置支持された状態で、かつ、上焼枠６Ａがワー
クＷの直上に配置された状態で行われる。位置合わせ作
業が終了すると、上焼枠６Ａと下焼枠６が合体すること
でワークＷを挟持し、下焼枠６ごと矢印ｂで示すように
露光ステージ５に搬送する。

【００３０】そして、図１で示すように、露光ステージ
５の反射鏡４ｅの直下にワークＷが移動すると光源部４
Ａから光照射が行われワークＷの全体が露光される。な
お、図４で示すように、ワークＷの高密度・高細線パタ
ーンＷａの位置には、マスクＭに設けた部分遮光部Ｍａ
により光源部４Ａからの光線が照射されないようになっ
ている。ワークＷの全体露光作業が終了するとワークＷ
は、下焼枠６に載置された状態で、一旦アライメントテ
ーブル３Ａ側に移動テーブル（図４参照）によって搬送
された後、ハンドラ（図示せず）により矢印ｃ側に搬出
される。

【００３１】なお、ワークＷは、ワークＷの予備位置決
め機構、部分露光機構、位置決め機構、一括露光機構な
どで常に各作業が行われていることになる。また、特
に、予備位置決め機構の位置に部分露光機構が設けられ
ることで、ワークＷの各ステージの作業時間のバランス
がとれるため都合が良い。また、ワークＷの裏面の露光
が必要な場合は、ワークＷが搬出される位置に反転機構
を設け、ワークＷの裏面も前記したように露光作業を行
うように構成すれば良い。

【００３２】なお、ワーク搬送経路内とは、ワークＷが
露光装置１に搬入される搬入位置から各作業位置（予備
位置決め機構位置、位置決め機構位置）および露光され
たワークＷの搬出位置までの間をいう、そのため、各作
業位置との間の搬送位置も含むものである。したがっ
て、図５で示す露光装置の各位置に部分露光機構７を配
置する構成としても良い。なお、図５（ａ），（ｂ）で
示す露光装置は、図１で示す露光装置と同じ構成である
予備位置決め機構２、位置決め機構３、露光ステージ５
および搬出位置を直線的に示している。

【００３３】図５（ａ）で示すように、位置決め機構３
の位置に部分露光機構７を移動自在に設ける構成として
も良い。そして、部分露光機構７は、部分露光作業が終
了すると、位置決め機構３の位置から案内ガイド１０ａ
（図１参照）を介してアライメントテーブル３Ａ（図１
参照）の位置から、位置決め作業の邪魔にならないスペ
ースへ移動して退避する構成としている。また、図５
（ｂ）で示すように、部分露光機構７は、全体露光が終
了して搬出位置に設ける構成としても良い。

【００３４】なお、図示していないが、ワーク搬送経路
内である予備位置決め機構２と位置決め機構の間に新た
に部分露光機構を設けることや、位置決め機構３と露光
ステージ５の間に部分露光機構を新たに設ける構成であ
っても構わない。

【００３５】また、図１、図２および図５で示す部分露
光機構７は、前記したレーザ露光装置以外の例えば微細
露光が可能なレンズ投影露光装置であっても良い。レン
ズ投影露光装置が部分露光機構である場合を、図６を参
照して示す。なお、部分露光位置合わせ装置１０は、同
じ構成であるため、説明を省略する。

【００３６】図６で示すように、部分露光機構１７は、
解像力の優れた光学系（７ａ〜７ｇ）を備えており、放
電灯７ａと、この放電灯７ａに設けた反射鏡７ｂからな
る光源部８と、光源部８からの光線を所定方向に反射す
るための平面反射鏡７ｃと、この平面反射鏡からの反射
光の照度分布を調整して均等化する光調整手段としての
フライアイレンズ７ｄと、このフライアイレンズ７ｄか
らの照射光の向きを変える平面反射鏡７ｅと、この平面
反射鏡７ｅから反射される照射光の照度分布を整えるコ
ンデンサレンズ７ｆと、このコンデンサレンズ７ｆの直
下に配置される部分マスクｍと、この部分マスクｍから
の照射光を調整して透過する投影結合レンズ７ｇと、ワ
ークＷの高密度・高細線パターンＷａと部分マスクｍの
位置合わせを行う撮像手段９とから構成されている。

【００３７】撮像手段９は、２次ＣＣＤセンサ９ａ，９
ｂと、照明光源９ｃ，９ｄと、１次ＣＣＤセンサ９ｆ
と、この１次ＣＣＤセンサ９ｆに入射するレーザ光を照
射する半導体レーザ９ｅとから構成されている。

【００３８】したがって、図６で示す部分露光機構１７
が、図１で示す予備位置決め機構２の位置に設置された
場合は、つぎのような作用を有する。図１および図６で
示すように、ワークＷが予備位置決めされると、部分露
光位置合わせ装置１０により高密度・高細線パターンＷ
ａが形成される部分に部分露光機構１７の光照射位置を
移動する。そして、撮像手段９により高密度・高細線パ
ターンＷａと部分マスクｍとの位置合わせ作業を、図６
で示すように、２次ＣＣＤセンサ９ａ，９ｂおよび１次
ＣＣＤセンサ９ｆを介して行う。

【００３９】このとき、図６で示すように、部分位置決
めマークａｗが、部分マスクｍの適正位置になるために
は、あらかじめ２次ＣＣＤセンサ９ａ，９ｂおよび１次
ＣＣＤセンサ９ｆ側に記憶している部分マスクｍの整合
位置と、読み込んだ部分位置決めマークａｗとが指定精
度範囲内になれば良い。そして、位置決め作業では部分
露光位置合わせ装置１０を介して行う。部分位置決め作
業が完了すると、光源部８からフライアイレンズ７ｄ、
コンデンサレンズ７ｆなどを介して露光作業が行われ
る。高密度・高細線パターンＷａが複数存在する場合
は、部分露光位置合わせ装置１０により移動して位置決
め作業、部分露光作業を繰り返すことになる。

【００４０】つぎに、図７および図８を参照して露光装
置の各構成の配置が異なる場合（露光位置で位置決め作
業を行う「内合せ方式」および、露光位置以外で位置決
め作業を行う「外合わせ方式」）について説明する。な
お、部分露光機構７（１７）の構成は変わらないため、
同じ符号を付して説明を省略する。また、整合機構は、
位置決め機構のみを図面では記載しているが、位置決め
機構に隣接させて予備位置決め機構を備える構成であっ
ても良い。

【００４１】図７（ａ）で示すように、露光装置２１
は、位置決め機構２３と一括露光機構２４とが同一の作
業位置に配置されている。そして、一括露光機構２４
は、位置決め機構２３の直上に配置された放電灯２４ａ
および、その放電灯２４ａに設けた反射鏡２４ｂと、所
定位置に設けたＣＣＤカメラ２３Ｂとを備えている。さ
らに、一括露光機構２４の光照射経路には、ワークＷに
当接する上焼枠２６Ａ（図示しないマスクを有する）が
配置されている（各種反射鏡、フライアイレンズなどは
省略して図示せず）。

【００４２】そして、ワークＷの搬入位置Ａである搬送
路位置２２には、部分露光機構７が部分露光位置合わせ
装置１０を介して設けられている。また、ワークＷは、
搬送路位置２２から位置決め機構２３にハンドラやコン
ベヤなどの搬送手段（図示せず）により搬送される。し
たがって、あらかじめ部分露光作業を行い、つぎに、高
密度・高細線パターンＷａに一括露光機構２４からの照
射光が当たらないようにしてワークＷを全面一括露光し
ている。なお、図７（ａ）では、ワークの搬入位置Ａに
部分露光機構７（１７）を設けているが、露光位置Ｂ以
外の搬出位置Ｃに部分露光機構７（１７）を設ける構成
としても良い。

【００４３】また、図７（ｂ）で示すように、露光装置
３１は、位置決め機構３３の位置と、一括露光機構３４
の位置が異なるように構成されている（各種反射鏡、フ
ライアイレンズなどは省略して図示せず）。そして、部
分露光機構７（１７）は位置決め機構３３の位置に部分
露光位置合わせ装置１０を介して設けられている。した
がって、位置決め機構３３のＣＣＤカメラ３３Ｂを介し
てワークＷは位置決めされ（図３参照）、部分露光機構
７（１７）により部分露光作業が行われる。そして、つ
ぎに、一括露光機構３４の位置にワークＷは搬送され、
下焼枠３６の上昇により上焼枠３６Ａと真空密着された
状態で全面一括露光が行われる。なお、図７（ｂ）で
は、ワークの位置決め機構３３の位置に部分露光機構７
（１７）を設けた構成としているが、露光位置Ｂ以外の
搬出位置Ｃに部分露光機構７（１７）を設ける構成とし
ても良い。また、図７では、平行光光学系を使用する露
光装置の構成としているが、散乱光を使用する構成とし
ても良い。

【００４４】さらに、図８（ａ）で示すように、ワーク
Ｗの両面を露光する露光装置４１は、搬入部の位置で、
ワークＷの両面に部分露光ができるように部分露光機構
７（１７），７（１７）を設けている。したがって、部
分露光位置合わせ装置１０を介して部分露光作業が終了
したワークＷは、位置決め機構４３（三点ロケータ方
式）によりＣＣＤカメラ４３Ｂを介して位置決めされ、
一括露光機構４４により平行光が各反射鏡４４ｃ、４４
ｅおよびフライアイレンズ４４ｄを介して照射され、ワ
ークＷの高密度・高細線パターンＷａ（図３参照）以外
の全体の回路パターンＷＰ（図３参照）位置が全面一括
露光される。

【００４５】また、図８（ｂ）で示すように、ワークＷ
の露光向きが垂直あるいは傾斜角度を備える露光装置５
１では、ワークＷの一括露光機構５４、５４に隣接させ
て部分露光機構７（１７）、７（１７）が設けられてい
る。したがって、一括露光機構置により高密度・高細線
パターン以外でワークＷの全体の回路パターンＷＰ（図
３参照）が全面一括露光され、その後、高密度・高細線
パターンＷａ（図３参照）の部分露が行われる構成とし
ている。もちろん、ワークＷの片面露光作業で足りるも
のであれば、一括露光機構５４および部分露光機構７
（１７）は、ワークＷの片側のみに配置される構成とな
る。

【００４６】なお、以上で説明した位置決め機構ではア
ライメントテーブルの構成を主として説明したが、３点
ロケータ方式の構成であっても良い。３点ロケータ方式
では、ワークの各端面の内３方向を押動してワークを所
定位置に位置決めするように構成される。また、部分露
光機構は、部分露光位置合わせ装置により光照射位置を
移動させる構成としているが、ワークＷ側が移動するよ
うにＸ，Ｙ方向に移動する移動機構を備える構成として
も構わない。

【００４７】そして、露光装置のワーク搬送経路内に設
けられる部分露光機構は、光源部から反射鏡などを介し
てワークの高密度・高細線パターンに光照射し、部分露
光位置合わせ装置を介して光照射位置を移動する構成と
している。そのため、部分露光機構は、ワークの搬入位
置、ワークの予備位置決め機構の位置、位置決め機構の
位置、露光後の搬出位置、あるいは、各機構間位置に配
置する場合に都合が良い。さらに、ワークは、ロールツ
ウロールの形態であっても、枚葉の形態であっても対応
できる。また、ワークの露光状態は、水平、垂直、傾斜
状態であっても対応することができる。

【００４８】

【発明の効果】前記したように本発明の露光装置は、以
下のように優れた効果を発揮する。 露光装置は、基板の全面一括露光を行う一括露光機
構と、高密度・高細線パターンの部分を部分露光する部
分露光機構とを兼備した構成としている。そのため、従
来全くなかった解像力の大幅に異なるラインアンドスペ
ースを備える基板を、一体の露光工程で作製することが
でき、プリント配線板などの基板の新しい用途を展開す
ることができる。また、ワークの全体の回路パターン内
に高密度・高細線パターンが混在しても作業時間を短縮
して露光作業を行うことができる。さらに、露光装置の
構成がコンパクトになるため、クリーンルームなどの限
られた作業スペースで使用する際に都合が良い。また，
露光装置がコンパクトになることで装置を製造する場合
についても製造コストを抑えることができる。

【００４９】 露光装置は、一括露光機構の構成を平
行光光学系を使用することで、全面一括露光する基板の
解像力を高めることができるため、製造する基板の精度
を向上することができる。なお、露光装置は、位置決め
機構と一括露光機構が異なる作業位置に配置される場合
や、位置決め機構と一括露光機構とが同じ作業位置に配
置される場合であっても、ワーク搬入経路内に部分露光
機構を設ける構成とすれば、露光装置全体の構成がコン
パクトになり、作業時間も短縮することができる。

【００５０】 露光装置は、部分露光機構を予備位置
決め機構の位置に設けた構成とすることで、その後の位
置決め作業、全体露光作業での各作業処理時間のバラン
スが良くワークのスループットの向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の露光装置の全体の構成を示す斜視図で
ある。

【図２】本発明の露光装置の部分露光機構を示す原理図
である。

【図３】本発明のワークとマスクの位置合わせを行う状
態を示す原理図である。

【図４】本発明の露光ステージに搬送されたワークの状
態を示す原理図である。

【図５】（ａ），（ｂ）は、本発明の露光装置の部分露
光機構の配置を示す原理図である。

【図６】本発明の他の構成の部分露光機構を示す原理図
である。

【図７】（ａ），（ｂ）は、本発明の他の形態の露光装
置を示す原理図である。

【図８】（ａ），（ｂ）は、本発明の他の形態の露光装
置の構成を示す原理図および斜視図である。

【符号の説明】

１ 露光装置 ２ 予備位置決め機構（整合機構） ３ 位置決め機構（整合機構） ４ 一括露光機構 ７ レーザ直接描画装置（部分露光機構） １７ レンズ投影露光装置（部分露光機構） Ｍ 全体マスク ｍ 部分マスク Ｍａ 部分遮光部 ＭＰ マスクパターン Ｗ ワーク（基板） Ｗａ 高密度・高細線パターン ＷＰ 全体の回路パターン

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高密度・高細線パターンの部分をマスキ
   ングしたマスクにより全面一括露光し、回路を形成する
   一括露光機構と、前記高密度・高細線パターンの部分
   を、より解像力の優れた光学系により部分露光し、回路
   を形成する部分露光機構と、を兼備することを特徴とす
   る露光装置。
2. 【請求項２】 前記一括露光機構は、平行光光学系であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 【請求項３】 前記部分露光機構は、レンズ投影露光装
   置またはレーザ直接描画装置であることを特徴とする請
   求項１または２に記載の露光装置。