JP2000266465A - Apparatus and method for drying substrate - Google Patents
Apparatus and method for drying substrateInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示器用基板等の
FPD(Flat Panel Display)用基
板、フォトマスク用基板および半導体基板などの各種の
基板に付着した処理液を除去して基板を乾燥させる基板
乾燥装置および基板乾燥方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention removes a processing liquid attached to various substrates such as a flat panel display (FPD) substrate such as a substrate for a liquid crystal display, a photomask substrate, and a semiconductor substrate and dries the substrate. The present invention relates to a substrate drying apparatus and a substrate drying method.
【0002】[0002]
【従来の技術】その主面に処理液が付着した基板を乾燥
させる基板乾燥装置として、例えば実公平8―3001
号公報に開示されたものが知られている。この基板乾燥
装置は、処理液である純水洗浄液が付着しローラコンベ
アによって搬送される基板の主面に、基板の搬送方向に
沿って配置された2つのエアナイフから層状に気体を吹
き付けることによって、基板の主面から純水洗浄液を吹
き飛ばして除去し基板を乾燥させる。また、上述の2つ
のエアナイフには給気ファンに流路接続された給気路か
ら分岐した2つの分岐管がそれぞれ流路接続されてい
る。このように基板乾燥装置に給気ファンが設けられず
に、上記の給気路が工場設備として設置された気体供給
設備と流路接続される構成も一般的である。2. Description of the Related Art As a substrate drying apparatus for drying a substrate having a processing liquid adhered to its main surface, for example, Japanese Utility Model Publication No. 8-30001
The one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-260, 1993 is known. This substrate drying device sprays a gas in a layer form from two air knives arranged along the transport direction of the substrate onto the main surface of the substrate to which the pure water cleaning liquid that is the processing liquid is attached and transported by the roller conveyor, The pure water cleaning solution is blown off from the main surface of the substrate and removed, and the substrate is dried. The two air knives are connected to two branch pipes branched from an air supply passage connected to the air supply fan. As described above, a configuration is also common in which the air supply path is connected to gas supply equipment installed as factory equipment without using an air supply fan in the substrate drying apparatus.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述の給気ファンまた
は気体供給設備からの2つのエアナイフへの気体の供給
量が十分でない場合に、基板の搬送方向における基板の
後端部に付着した処理液を十分に除去できないという問
題が発生する。この問題を解決するために、基板乾燥装
置に給気能力の高い給気ファンを設置することが考えら
れるが、装置コストが増大したり、装置が大型化するな
どの別の問題が発生する。また、気体供給設備からの基
板乾燥装置への気体の供給量を増加させることも考えら
れるが、この場合は、液晶表示器などの製品を生産する
上での製品コストが増大するなどの別の問題が発生す
る。When the gas supply from the air supply fan or the gas supply equipment to the two air knives is not sufficient, the processing liquid adhered to the rear end of the substrate in the substrate transport direction. Is not sufficiently removed. In order to solve this problem, it is conceivable to install an air supply fan having a high air supply capacity in the substrate drying apparatus. However, other problems such as an increase in apparatus cost and an increase in the size of the apparatus occur. It is also conceivable to increase the amount of gas supplied from the gas supply equipment to the substrate drying apparatus. In this case, however, another cost such as an increase in product cost in producing a product such as a liquid crystal display is increased. Problems arise.
【0004】本発明の目的は、上述のような点に鑑み、
給気ファンや気体供給設備などの気体供給源から2つの
エアナイフに供給する気体の総量を増加させることな
く、基板の後端に付着した処理液を十分に除去すること
のできる基板乾燥装置を提供することにある。また、本
発明の別の目的は、気体供給源から少なくとも2つのエ
アナイフに供給する気体の総量を増加させることなく、
基板の後端に付着した処理液を十分に除去することので
きる基板乾燥方法を提供することにある。In view of the above, an object of the present invention is to provide
Provided is a substrate drying apparatus capable of sufficiently removing a processing liquid attached to a rear end of a substrate without increasing the total amount of gas supplied to two air knives from a gas supply source such as an air supply fan or a gas supply facility. Is to do. It is another object of the present invention to increase the total amount of gas supplied from a gas supply to at least two air knives.
An object of the present invention is to provide a substrate drying method capable of sufficiently removing a processing liquid attached to a rear end of a substrate.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、請求項1に係る発明は、処理液が付着した基板の
主面に気体を層状に吹き付けて基板を乾燥させる基板乾
燥装置において、その主面に処理液が付着した基板をそ
の主面に沿った所定の搬送方向に搬送する搬送手段と、
搬送手段によって搬送される基板の主面に気体を層状に
吹き付ける第1エアナイフと、第1エアナイフより前記
搬送方向の下流側であって前記搬送方向における基板の
長さ寸法よりも小さい寸法だけ離間した位置に配置さ
れ、搬送手段によって搬送される基板の前記主面に気体
を層状に吹き付ける第2エアナイフと、気体供給源に流
路接続された主供給管から分岐し、第1エアナイフに流
路接続される第1主管と、第1主管に介設され第1主管
に流れる気体の流量を切り替える第1流量切替手段と、
前記主供給管から分岐し、第2エアナイフに流路接続さ
れる第2主管と、第2主管に介設され第2主管に流れる
気体の流量を切り替える第2流量切替手段と、第1エア
ナイフによる気体の第1吹付け位置に対する基板の位置
を検出する第1位置検出手段と、第2エアナイフによる
気体の第2吹付け位置に対する基板の位置を検出する第
2位置検出手段と、第1吹付け位置を前記基板の後端が
通過したことを第1位置検出手段により検出してから、
第2吹付け位置を基板の後端が通過したことを第2位置
検出手段により検出するまでの基板後端処理時間におい
て、第1流量切替手段によって第1主管に流れる気体の
量を減少させるとともに、第2流量切替手段によって第
2主管に流れる気体の量を増加可能に切り替えて、第1
主管における気体の量の減少分を第2主管に追加供給す
る流量制御手段とを備えたことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate drying apparatus for drying a substrate by spraying a gas in a layered manner on a main surface of a substrate to which a processing liquid is attached. Transport means for transporting the substrate having the processing liquid attached to its main surface in a predetermined transport direction along the main surface;
A first air knife that blows gas in a layered manner onto a main surface of a substrate conveyed by the conveyance means, and is separated from the first air knife downstream of the first air knife by a dimension smaller than a length dimension of the substrate in the conveyance direction. A second air knife, which is disposed at a position and sprays gas in a layered manner on the main surface of the substrate conveyed by the conveying means, and a branch from a main supply pipe connected to a gas supply source and connected to a first air knife. A first main pipe, a first flow switching means interposed in the first main pipe and switching a flow rate of gas flowing through the first main pipe;
A second main pipe branched from the main supply pipe and connected to the second air knife in a flow path; a second flow rate switching unit interposed in the second main pipe and switching a flow rate of gas flowing through the second main pipe; and a first air knife. First position detecting means for detecting the position of the substrate with respect to the first gas blowing position, second position detecting means for detecting the position of the substrate with respect to the second gas blowing position by the second air knife, and first blowing After the first position detecting means detects that the rear end of the substrate has passed the position,
In the substrate rear end processing time until the second position detecting means detects that the rear end of the substrate has passed the second spray position, the amount of gas flowing through the first main pipe is reduced by the first flow rate switching means. The amount of gas flowing through the second main pipe is switched by the second flow rate switching means so as to be increased.
Flow rate control means for additionally supplying a reduced amount of gas in the main pipe to the second main pipe.
【0006】また、請求項2に係る発明は、上記の第1
流量切替手段が、第1主管に介設された第1主管開閉用
バルブと、第1主管開閉用バルブを迂回するように第1
主管に流路接続され第1主管が流す気体の量より少ない
量の気体を流す第1バイパス管とを有することを特徴と
する。[0006] The invention according to claim 2 is based on the first aspect.
The flow rate switching means includes a first main pipe opening / closing valve provided in the first main pipe and a first main pipe opening / closing valve bypassing the first main pipe opening / closing valve.
A first bypass pipe connected to the main pipe and flowing a smaller amount of gas than the first main pipe.
【0007】さらに、請求項3に係る発明は、上記の第
1バイパス管に第1バイパス管開閉用バルブが設けられ
ていることを特徴とする。Further, the invention according to claim 3 is characterized in that the first bypass pipe is provided with a first bypass pipe opening / closing valve.
【0008】またさらに、請求項4に係る発明は、上記
の第1流量切替手段が、第1主管に介設され第1主管に
流れる気体の量を調節可能な第1流量調節バルブを有す
ることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, the first flow rate switching means has a first flow rate control valve interposed in the first main pipe and capable of adjusting the amount of gas flowing through the first main pipe. It is characterized by.
【0009】また、請求項5に係る発明は、上記の第2
流量切替手段が、第2主管に介設された第2主管開閉用
バルブと、第2主管開閉用バルブを迂回するように第2
主管に流路接続され第2主管が流す気体の量より少ない
量の気体を流す第2バイパス管とを有することを特徴と
する。[0009] The invention according to claim 5 is the above-mentioned second aspect.
The flow rate switching means includes a second main pipe opening / closing valve provided in the second main pipe and a second main pipe opening / closing valve bypassing the second main pipe opening / closing valve.
A second bypass pipe connected to the main pipe and flowing a smaller amount of gas than the second main pipe.
【0010】さらに、請求項6に係る発明は、上記の第
2バイパス管に第2バイパス管開閉用バルブが設けられ
ていることを特徴とする。Further, the invention according to claim 6 is characterized in that the second bypass pipe is provided with a second bypass pipe opening / closing valve.
【0011】またさらに、請求項7に係る発明は、上記
の第2流量切替手段が、第2主管に介設され第2主管に
流れる気体の量を調節可能な第2流量調節バルブを有す
ることを特徴とする。Further, in the invention according to claim 7, the second flow rate switching means has a second flow rate control valve interposed in the second main pipe and capable of adjusting the amount of gas flowing through the second main pipe. It is characterized by.
【0012】請求項8に係る発明は、気体供給源に流路
接続された主供給管からそれぞれ分岐した少なくとも2
つの分岐管にそれぞれ流路接続され、基板の搬送方向に
おける基板の長さ寸法よりも小さい寸法だけ互いに離間
するとともに前記搬送方向に沿って配置された少なくと
も2つのエアナイフによって、搬送される基板の主面に
気体を層状にそれぞれ吹き付けて基板に付着した処理液
を除去する基板乾燥方法において、搬送される基板の後
端が前記搬送方向の上流側に配置された第1エアナイフ
による気体の第1吹付け位置を通過し、前記基板の後端
が第1エアナイフより下流側に配置された第2エアナイ
フによる気体の第2吹付け位置を通過するまでの間にお
いて、第1エアナイフへの気体の供給量を減少させて、
この気体の量の減少分を第2エアナイフに追加供給して
第2エアナイフからの気体の吐出量を増加させることを
特徴とする。[0012] The invention according to claim 8 is that at least two branches branched from the main supply pipe connected to the gas supply source.
Each of the branch pipes is connected to one of the branch pipes, and is separated from each other by a dimension smaller than the length of the substrate in the direction of transport of the substrate. In a substrate drying method for removing a processing liquid adhered to a substrate by spraying a gas onto the surface in a layered manner, a rear end of the substrate to be transported is first blown by a first air knife disposed upstream in the transport direction. Gas supply amount to the first air knife until the rear end of the substrate passes the second air knife blowing position by the second air knife disposed downstream of the first air knife after passing through the application position. To reduce
The amount of decrease in the amount of gas is additionally supplied to the second air knife to increase the amount of gas discharged from the second air knife.
【0013】また、請求項9に係る発明は、第1吹付け
位置および第2吹付け位置が搬送される基板の主面上に
あるときに、第1エアナイフからの気体の吐出量と第2
エアナイフからの気体の吐出量とをほぼ同等とすること
を特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, when the first spraying position and the second spraying position are on the main surface of the substrate to be conveyed, the discharge amount of the gas from the first air knife and the second spraying position are determined.
The discharge amount of gas from the air knife is made substantially equal.
【0014】さらに請求項10に係る発明は、搬送され
る基板の前端が第1吹付け位置を通過し、前記基板の前
端が第2吹付け位置に達するまでの間において、第2エ
アナイフへの気体の供給量を減少させることを特徴とす
る。According to a tenth aspect of the present invention, the second air knife is supplied to the second air knife until the front end of the conveyed substrate passes through the first spray position and the front end of the substrate reaches the second spray position. It is characterized in that the supply amount of gas is reduced.
【0015】またさらに、請求項11に係る発明は、第
2エアナイフへの気体供給量の減少分を第1エアナイフ
に追加供給して第1エアナイフからの気体の吐出量を増
加させることを特徴とする。Still further, the invention according to claim 11 is characterized in that the amount of gas supply from the first air knife is increased by additionally supplying the reduced amount of gas supply to the second air knife to the first air knife. I do.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。図1はこの発明
の第1実施形態を示す模式図である。図1において、基
板洗浄装置1は、液晶表示器用の矩形状基板Wの主面に
処理液である洗浄液を供給して基板Wを洗浄するもので
ある。基板乾燥装置2は、基板洗浄装置1によって洗浄
された基板Wの主面に付着した洗浄液を除去するもので
ある。Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, a substrate cleaning apparatus 1 cleans a substrate W by supplying a cleaning liquid as a processing liquid to a main surface of a rectangular substrate W for a liquid crystal display. The substrate drying device 2 removes the cleaning liquid attached to the main surface of the substrate W cleaned by the substrate cleaning device 1.
【0017】基板洗浄装置1には、洗浄液CLが供給さ
れる基板Wの周囲を覆う略箱型の洗浄槽11が設けられ
ている。この洗浄槽11の上流側側面には、基板Wを洗
浄槽11に搬入するための搬入口12が形成され、下流
側側面には基板Wを洗浄槽11から搬出するための搬出
口13が形成されている。また、洗浄槽11の底面は漏
斗状であり、この底面中央付近には、基板Wに供給され
た洗浄液CLおよび洗浄槽11内の雰囲気を洗浄槽11
外へ排出するための排出口14が形成されている。The substrate cleaning apparatus 1 is provided with a substantially box-shaped cleaning tank 11 that covers the periphery of the substrate W to which the cleaning liquid CL is supplied. A carry-in port 12 for carrying the substrate W into the cleaning tank 11 is formed on the upstream side surface of the cleaning tank 11, and a carry-out port 13 for carrying out the substrate W from the cleaning tank 11 is formed on the downstream side surface. Have been. The bottom surface of the cleaning tank 11 is funnel-shaped, and near the center of the bottom surface, the cleaning liquid CL supplied to the substrate W and the atmosphere in the cleaning tank 11 are filled with the cleaning tank 11.
A discharge port 14 for discharging to the outside is formed.
【0018】洗浄槽11の内部には、基板Wをほぼ水平
に支持しつつその主面に沿った搬送方向(図1において
右方向)に例えば100cm/minの搬送速度で搬送
する複数の搬送ローラ15が互いに平行に前記搬送方向
に沿って配列されている。この複数の搬送ローラ15の
上方には、基板Wの上側主面に洗浄液CLを供給する複
数のノズル16が洗浄槽11に固定された図示しない取
付部材によって配置されている。各ノズル16には、基
板洗浄装置1外に工場設備として設置された洗浄液供給
源LSに流路接続された洗浄液供給管17が、それぞれ
流路接続されている。Inside the cleaning tank 11, a plurality of transport rollers for transporting the substrate W in a transport direction (rightward in FIG. 1) along its main surface at a transport speed of, for example, 100 cm / min while supporting the substrate W substantially horizontally. 15 are arranged in parallel with each other along the transport direction. Above the plurality of transport rollers 15, a plurality of nozzles 16 for supplying the cleaning liquid CL to the upper main surface of the substrate W are arranged by a mounting member (not shown) fixed to the cleaning tank 11. The cleaning liquid supply pipes 17 connected to the cleaning liquid supply source LS installed as factory equipment outside the substrate cleaning apparatus 1 are connected to the respective nozzles 16 by flow paths.
【0019】基板洗浄装置1の下流側には基板乾燥装置
2が隣接配置されている。基板乾燥装置2は、乾燥処理
される基板Wの周囲を覆う乾燥槽21を備えている。こ
の乾燥槽21の上流側側面は、洗浄槽11の下流側側面
と当接している。また、乾燥槽21の上流側側面には、
乾燥槽12内に基板Wを搬入するための搬入口22が洗
浄槽11の搬出口13と連通するように形成されてい
る。乾燥槽21の下流側側面には、乾燥槽21内から基
板Wを搬出するための搬出口23が形成されている。乾
燥槽21の底面は漏斗状であり、この底面中央付近に
は、基板Wから除去された洗浄液および乾燥槽21内の
雰囲気を乾燥槽21外へ排出するための排出口24が形
成されている。A substrate drying device 2 is disposed downstream of the substrate cleaning device 1. The substrate drying device 2 includes a drying tank 21 that covers the periphery of the substrate W to be dried. The upstream side surface of the drying tank 21 is in contact with the downstream side surface of the cleaning tank 11. Also, on the upstream side surface of the drying tank 21,
A carry-in port 22 for carrying the substrate W into the drying tank 12 is formed so as to communicate with the carry-out port 13 of the cleaning tank 11. On the downstream side surface of the drying tank 21, an outlet 23 for unloading the substrate W from the inside of the drying tank 21 is formed. The bottom of the drying tank 21 has a funnel shape, and a discharge port 24 for discharging the cleaning liquid removed from the substrate W and the atmosphere in the drying tank 21 to the outside of the drying tank 21 is formed near the center of the bottom. .
【0020】乾燥槽21の内部には、基板Wをほぼ水平
に支持しつつその主面に沿った搬送方向(図1において
右方向)に例えば100cm/minの搬送速度で搬送
する複数の搬送ローラ25が互いに平行に前記搬送方向
に沿って配列されている。複数の搬送ローラ25の上方
には、第1エアナイフAK1および第2エアナイフAK
2が乾燥槽21の上部内面に固定された図示しない取付
部材によって基板の搬送方向に沿って互いに平行に配置
されている。また、図1に示すように第1エアナイフA
K1および第2エアナイフAK2は、鉛直方向に対して
例えば10度から50度の範囲内で傾斜しているととも
に、図4に示すように搬送方向と直交する方向に対して
例えば5度から50度の範囲内で傾斜している。Inside the drying tank 21, there are provided a plurality of transport rollers for transporting the substrate W at a transport speed of, for example, 100 cm / min in a transport direction (rightward in FIG. 1) along its main surface while supporting the substrate W substantially horizontally. 25 are arranged in parallel with each other along the transport direction. Above the plurality of transport rollers 25, a first air knife AK1 and a second air knife AK
Numerals 2 are arranged in parallel with each other in the substrate transport direction by a mounting member (not shown) fixed to the upper inner surface of the drying tank 21. Also, as shown in FIG.
The K1 and the second air knife AK2 are inclined within a range of, for example, 10 degrees to 50 degrees with respect to the vertical direction, and also, for example, 5 degrees to 50 degrees with respect to a direction orthogonal to the transport direction as shown in FIG. It is inclined within the range.
【0021】第1エアナイフAK1および第2エアナイ
フAK2は、同じ構造であり、搬送される基板Wの上主
面と対向する先端には、基板の搬送方向と直交する基板
の幅寸法よりも若干大きな長さ寸法を有するスリット状
の吐出口が形成されている。The first air knife AK1 and the second air knife AK2 have the same structure, and have a tip slightly opposite to the upper main surface of the substrate W to be transported, which is slightly larger than the width of the substrate orthogonal to the substrate transport direction. A slit-shaped discharge port having a length dimension is formed.
【0022】第1エアナイフAK1および第2エアナイ
フAK2には、基板乾燥装置21外に工場設備として設
置された気体供給源ASに流路接続された主供給管LS
からそれぞれ分岐した第1主管L1、第2主管L2がそ
れぞれ流路接続されている。主供給管LSには、主供給
管LS内を流れる気体を清浄にするフィルタFLが介設
されている。The first air knife AK1 and the second air knife AK2 are provided with a main supply pipe LS connected to a gas supply source AS installed as factory equipment outside the substrate drying apparatus 21.
The first main pipe L1 and the second main pipe L2, each of which is branched from, are connected to the respective flow paths. A filter FL for purifying gas flowing in the main supply pipe LS is interposed in the main supply pipe LS.
【0023】第1主管L1および第2主管L2には流量
切換部3が介設されている。流量切換部3は、第1主管
L1に介設された第1流量切換部31と第2主管L2に
介設された第2流量切換部32とから構成される。第1
流量切換部31は、第1主管L1に介設された開閉バル
ブV11と、この開閉バルブV11を迂回するように第
1主管L1に流路接続されたバイパス管L11を備えて
いる。また、バイパス管L11には開閉バルブV12が
介設されている。The first main pipe L1 and the second main pipe L2 are provided with a flow rate switching section 3. The flow switching unit 3 includes a first flow switching unit 31 provided in the first main pipe L1 and a second flow switching unit 32 provided in the second main pipe L2. First
The flow rate switching unit 31 includes an on-off valve V11 provided on the first main pipe L1 and a bypass pipe L11 connected to the first main pipe L1 so as to bypass the on-off valve V11. An opening / closing valve V12 is provided in the bypass pipe L11.
【0024】バイパス管L11の配管径は、第1主管L
1の配管径よりも小さく、その結果、バイパス管L11
内を流れる気体の量は、第1主管L1内を流れる気体の
量よりも少なくなる。具体的には、第1主管L1は、例
えば300L/min(リットル/分)以下の量の気体
を流すことが可能であり、バイパス管L11は例えば1
0L/min以下の量の気体を流すことが可能である。The pipe diameter of the bypass pipe L11 is the first main pipe L
1, and as a result, the bypass pipe L11
The amount of gas flowing in the inside becomes smaller than the amount of gas flowing in the first main pipe L1. Specifically, the first main pipe L1 is capable of flowing gas of, for example, 300 L / min (liter / minute) or less, and the bypass pipe L11 is, for example, 1 L / min.
It is possible to flow gas at an amount of 0 L / min or less.
【0025】第2流量切換部32は、第2主管L2に介
設された開閉バルブV21と、この開閉バルブV21を
迂回するように第2主管L2に流路接続されたバイパス
管L21を備えている。バイパス管L21には開閉バル
ブV22が介設されている。バイパス管L21の配管径
は、第2主管L2の配管径よりも小さく、その結果、バ
イパス管L21内を流れる気体の量は、第2主管L2内
を流れる気体の量よりも少なくなる。具体的には、第2
主管L2は、例えば600L/min(リットル/分)
以下の量の気体を流すことが可能であり、バイパス管L
21は例えば300L/min以下の量の気体を流すこ
とが可能である。図1において、開閉バルブV11およ
び開閉バルブV22はそれぞれ開状態であり、開閉バル
ブV12および開閉バルブV21は閉状態である。な
お、図1および後述する各図において、各バルブの開閉
状態を明瞭にするために、開状態にあるバルブは黒塗り
で図示され、閉状態にあるバルブは白抜きで図示されて
いる。The second flow rate switching section 32 includes an on-off valve V21 interposed in the second main pipe L2, and a bypass pipe L21 connected to the second main pipe L2 so as to bypass the on-off valve V21. I have. An open / close valve V22 is interposed in the bypass pipe L21. The pipe diameter of the bypass pipe L21 is smaller than the pipe diameter of the second main pipe L2. As a result, the amount of gas flowing in the bypass pipe L21 is smaller than the amount of gas flowing in the second main pipe L2. Specifically, the second
The main pipe L2 is, for example, 600 L / min (liter / minute).
The following amount of gas can flow, and the bypass pipe L
For example, the gas 21 can flow a gas of 300 L / min or less. In FIG. 1, the open / close valve V11 and the open / close valve V22 are each in an open state, and the open / close valve V12 and the open / close valve V21 are in a closed state. In FIG. 1 and each of the drawings described later, in order to clarify the open / closed state of each valve, the valve in the open state is shown in black, and the valve in the closed state is shown in white.
【0026】第1エアナイフAK1による気体a1の吹
付け位置である第1吹付け位置p1の下方および第2エ
アナイフAK2による気体a2の吹付け位置である第2
吹付け位置p2の下方には、第1センサPS1および第
2センサPS2が搬送方向に沿って配置されている。第
1センサPS1および第2センサPS2は共に振り子式
のセンサであり、支点を中心に揺動自在な振り子部とこ
の振り子部の変位を検出する検出部とから構成されてい
る。直立状態にある振り子部が、搬送される基板Wの前
端Fによって押し倒される位置に第1センサPS1およ
び第2センサPS2の高さ位置が設定されている。The first air knife AK1 blows the gas a1 below the first spray position p1 and the second air knife AK2 blows the gas a2.
Below the blowing position p2, a first sensor PS1 and a second sensor PS2 are arranged along the transport direction. Each of the first sensor PS1 and the second sensor PS2 is a pendulum-type sensor, and includes a pendulum unit that can swing around a fulcrum and a detection unit that detects displacement of the pendulum unit. The height position of the first sensor PS1 and the second sensor PS2 is set at a position where the pendulum in the upright state is pushed down by the front end F of the substrate W to be transported.
【0027】上述のように各センサPS1、PS2の高
さ位置が設定されているので、搬送される基板Wの前端
Fが、その自重によって直立状態にある各センサPS
1、PS2の振り子部の先端と接触し振り子部を押し倒
すことによって、各センサPS1、PS2の振り子部が
支点を中心に傾斜し傾斜状態となる。この傾斜状態は、
振り子部の先端が基板の下側主面に接触している間は維
持される。各検出部は、各振り子部の直立状態から傾斜
状態への変位をそれぞれ検出し、基板Wの前端Fが各セ
ンサPS1、PS2上を通過したことをそれぞれ検出す
る。Since the height positions of the sensors PS1 and PS2 are set as described above, the front end F of the substrate W to be transported is placed in an upright state by its own weight.
1. By touching the tip of the pendulum part of PS2 and pushing down the pendulum part, the pendulum part of each of the sensors PS1 and PS2 inclines about the fulcrum and becomes in an inclined state. This inclined state
It is maintained while the tip of the pendulum part is in contact with the lower main surface of the substrate. Each detecting unit detects the displacement of each pendulum unit from the upright state to the inclined state, and detects that the front end F of the substrate W has passed over each of the sensors PS1 and PS2.
【0028】また、基板Wの搬送に連れて、基板Wの後
端Rが各センサPS1、PS2上を通過すると、各セン
サPS1、PS2の各振り子部の先端と基板Wの下側主
面とが接触しなくなり、傾斜状態にある各振り子部がそ
の自重によってそれぞれ直立状態に復帰する。この傾斜
状態から直立状態への各振り子部の変位を各検出部がそ
れぞれ検出し、基板Wの後端Rが各センサPS1、PS
2上を通過したことをそれぞれ検出する。When the rear end R of the substrate W passes over the sensors PS1 and PS2 as the substrate W is transported, the front ends of the pendulums of the sensors PS1 and PS2 and the lower main surface of the substrate W Are no longer in contact with each other, and each pendulum in the inclined state returns to the upright state by its own weight. Each detecting unit detects the displacement of each pendulum from the inclined state to the upright state, and the rear end R of the substrate W is connected to each of the sensors PS1 and PS.
2 is detected.
【0029】第1センサPS1には、第1信号線SL1
の一方端が電気的に接続され、第2センサPS2には、
第2信号線SL2の一方端が電気的に接続されている。
第1信号線SL1および第2信号線SL2の他方端はそ
れぞれ流量制御部4に電気的に接続されている。流量制
御部4は、基板乾燥装置2などを統括的に制御するマイ
クロコンピュータを含む制御装置内に設けられている。
流量制御部4は、第1センサPS1および第2センサP
S2から第1信号線SL1および第2信号線SL2を介
して送信される信号に基づいて、各開閉バルブV11,
V12,V21,V22にその開閉動作を指示する信号
を送信する。流量制御部4は、制御装置とは別個のロジ
ック回路によって構成しても良い。The first sensor PS1 has a first signal line SL1
Is electrically connected to the second sensor PS2.
One end of the second signal line SL2 is electrically connected.
The other ends of the first signal line SL1 and the second signal line SL2 are electrically connected to the flow control unit 4, respectively. The flow control unit 4 is provided in a control device including a microcomputer that controls the substrate drying device 2 and the like.
The flow control unit 4 includes a first sensor PS1 and a second sensor P
Based on signals transmitted from S2 via the first signal line SL1 and the second signal line SL2, each of the open / close valves V11,
A signal for instructing the opening / closing operation is transmitted to V12, V21, and V22. The flow control unit 4 may be configured by a logic circuit separate from the control device.
【0030】次に、上述の基板洗浄装置1および基板乾
燥装置2の動作について説明する。図1に示すように、
洗浄槽11の搬入口12から搬入された基板Wは、洗浄
槽11内を複数の搬送ローラ15によってほぼ水平に支
持されつつその主面に沿った方向に搬送される。基板W
が洗浄槽11内に搬入されたことを図示しないセンサが
検知すると、洗浄液供給源LSから洗浄液供給管17を
介して複数のノズル16にそれぞれ供給された洗浄液
が、複数のノズル16の吐出口から搬送される基板Wの
上側主面に向けてそれぞれ吐出される。複数のノズル1
6からそれぞれ吐出された洗浄液は、基板Wの上側主面
に供給され、基板Wの上側主面が洗浄される。基板Wに
供給され基板Wから流れ落ちた洗浄液は、排出口14か
ら洗浄槽11外に排出される。洗浄処理を終えた基板W
は、搬出口13を介して基板乾燥装置2に向けて搬出さ
れる。Next, the operation of the above-described substrate cleaning apparatus 1 and substrate drying apparatus 2 will be described. As shown in FIG.
The substrate W loaded from the loading port 12 of the cleaning tank 11 is transported in a direction along the main surface thereof while being supported substantially horizontally by the plurality of transport rollers 15 in the cleaning tank 11. Substrate W
When a sensor (not shown) detects that the cleaning liquid has been carried into the cleaning tank 11, the cleaning liquid supplied to the plurality of nozzles 16 from the cleaning liquid supply source LS via the cleaning liquid supply pipe 17 respectively flows from the discharge ports of the plurality of nozzles 16. The liquid is discharged toward the upper main surface of the substrate W to be transported. Multiple nozzles 1
The cleaning liquids respectively discharged from 6 are supplied to the upper main surface of the substrate W, and the upper main surface of the substrate W is cleaned. The cleaning liquid supplied to the substrate W and flowing down from the substrate W is discharged from the discharge port 14 to the outside of the cleaning tank 11. Substrate W after cleaning process
Is carried out toward the substrate drying apparatus 2 through the carry-out port 13.
【0031】基板洗浄装置1から搬出され、その上側主
面に洗浄液が付着した基板Wは、搬入口22を介して基
板乾燥装置2の乾燥槽21内に搬入される。図2には、
乾燥槽21内に搬入された基板Wの前端Fが第1吹付け
位置p1に達する前の状態を示す模式図である。また、
図4(a)は図2に示す状態を説明するための平面図で
ある。図2に示すように、基板Wの前端Fが第1吹付け
位置p1に達する前においては、第1センサPS1およ
び第2センサPS2の振り子部は共に直立状態である。
このとき、第1センサPS1および第2センサPS2
は、振り子部が直立状態であることを示すOFF信号を
第1信号線SL1および第2信号線SL2を介して流量
制御部4にそれぞれ送信する。これらのOFF信号を受
信した流量制御部4は、開閉バルブV11を開状態に、
開閉バルブV12を閉状態に、開閉バルブV21を閉状
態に、開閉バルブV22を開状態にするように各開閉バ
ルブV11,V12,V21,V22に信号を送信す
る。The substrate W carried out of the substrate cleaning apparatus 1 and having the cleaning liquid adhered to the upper main surface thereof is carried into the drying tank 21 of the substrate drying apparatus 2 through the carry-in port 22. In FIG.
FIG. 3 is a schematic diagram showing a state before a front end F of a substrate W carried into a drying tank 21 reaches a first spraying position p1. Also,
FIG. 4A is a plan view for explaining the state shown in FIG. As shown in FIG. 2, before the front end F of the substrate W reaches the first blowing position p1, the pendulum portions of the first sensor PS1 and the second sensor PS2 are both in an upright state.
At this time, the first sensor PS1 and the second sensor PS2
Transmits an OFF signal indicating that the pendulum is in the upright state to the flow controller 4 via the first signal line SL1 and the second signal line SL2. Upon receiving these OFF signals, the flow control unit 4 opens and closes the on-off valve V11,
A signal is transmitted to each of the on-off valves V11, V12, V21, and V22 so that the on-off valve V12 is closed, the on-off valve V21 is closed, and the on-off valve V22 is opened.
【0032】流量制御部4からの信号を受けた開閉バル
ブV11は開状態に、開閉バルブV12は閉状態に、開
閉バルブV21は閉状態に、開閉バルブV22は開状態
となる。その結果、気体供給源ASから主供給管LSに
供給され、第1主管L1側に分岐した気体は、バイパス
管L11へ分岐することなく第1エアナイフAK1に気
体が供給される。また、第2主管L2側に分岐した気体
は、バイパス管L21へ分岐した後、再び第2主管L2
に戻り第2エアナイフAK2に供給される。上述のよう
に第1主管L1およびバイパス管L21は、300L/
min以下の量の気体を流すことが可能であるので、気
体供給源ASから主供給管LSに例えば600L/mi
nの量の気体が供給されると、主供給管LSから第1主
管L1側へ300L/minの量の気体が分岐し、第2
主管L2側へ300L/minの量の気体が分岐する。
そして、第1エアナイフAK1および第2エアナイフA
K2からそれぞれ同等量(約300L/min)の気体
が吐出される。Upon receiving the signal from the flow controller 4, the open / close valve V11 is opened, the open / close valve V12 is closed, the open / close valve V21 is closed, and the open / close valve V22 is open. As a result, the gas supplied from the gas supply source AS to the main supply pipe LS and branched to the first main pipe L1 side is supplied to the first air knife AK1 without branching to the bypass pipe L11. Further, the gas branched to the second main pipe L2 side is branched to the bypass pipe L21 and then again to the second main pipe L2.
Is returned to the second air knife AK2. As described above, the first main pipe L1 and the bypass pipe L21 have a capacity of 300 L /
min or less, it is possible to flow the gas from the gas supply source AS to the main supply pipe LS, for example, 600 L / mi.
When the gas of n amount is supplied, the gas of 300 L / min is branched from the main supply pipe LS to the first main pipe L1 side,
The gas at a rate of 300 L / min branches to the main pipe L2 side.
Then, the first air knife AK1 and the second air knife A
The same amount (about 300 L / min) of gas is discharged from K2.
【0033】そして、複数の搬送ローラ25によって基
板Wが搬送され、図1および図4(b)に示すように、
第1吹付け位置p1および第2吹付け位置p2が基板W
の上側主面上に位置することとなる。このとき、搬送さ
れる基板Wの搬送方向と直交する幅方向にわたって、各
エアナイフAK1,AK2から搬送方向と逆方向に向け
て層状に気体a1,a2がそれぞれ吹き付けられて、基
板Wの上側主面に付着した洗浄液が主面上から搬送方向
の上流側に向けて吹き飛ばされて除去される。また、各
センサPS1,PS2の振り子部は共に傾斜状態とな
り、流量制御部4にそれぞれON信号が送信される。こ
の状態においても各エアナイフAK1,AK2からそれ
ぞれ同等量の気体が吐出される状態が継続される。Then, the substrate W is transported by the plurality of transport rollers 25, as shown in FIGS. 1 and 4 (b).
The first spray position p1 and the second spray position p2 correspond to the substrate W
Are located on the upper main surface. At this time, gases a1 and a2 are blown in layers from the respective air knives AK1 and AK2 in a direction opposite to the transport direction over a width direction orthogonal to the transport direction of the substrate W to be transported. The cleaning liquid adhering to the main surface is blown off from the main surface toward the upstream side in the transport direction and is removed. Further, the pendulum portions of the sensors PS1 and PS2 are both in the inclined state, and an ON signal is transmitted to the flow control unit 4, respectively. Also in this state, the state where the same amount of gas is discharged from each of the air knives AK1 and AK2 is continued.
【0034】次に、図3および図4(c)に示すように
基板Wの後端Rが第1吹付け位置p1を通過し、第2吹
付け位置p2を通過するまでの基板後端処理時間におけ
る動作について説明する。この基板後端処理時間におい
て、第1センサPS1の振り子部はその先端が基板Wの
下側主面と接触していないのでその自重で直立状態に変
位している。第1センサPS1の検出部は振り子部が直
立状態であることを検出し、第1センサPS1から流量
制御部4にOFF信号が送信される。一方、第2センサ
PS2の振り子部はその先端が基板Wの下側主面と接触
し続けているので傾斜状態を維持している。第2センサ
PS2の検出部は振り子部が傾斜状態であることを検出
し、第2センサPS2から流量制御部4にON信号が送
信される。Next, as shown in FIGS. 3 and 4C, the rear end processing of the substrate W until the rear end R of the substrate W passes through the first blowing position p1 and passes through the second blowing position p2. The operation at time will be described. During the substrate rear end processing time, the pendulum portion of the first sensor PS1 is displaced in an upright state by its own weight because the front end thereof is not in contact with the lower main surface of the substrate W. The detection unit of the first sensor PS1 detects that the pendulum unit is in the upright state, and an OFF signal is transmitted from the first sensor PS1 to the flow control unit 4. On the other hand, the tip of the pendulum of the second sensor PS2 is kept in contact with the lower main surface of the substrate W, so that the pendulum is maintained in an inclined state. The detector of the second sensor PS2 detects that the pendulum is in an inclined state, and an ON signal is transmitted from the second sensor PS2 to the flow controller 4.
【0035】第1センサPS1からOFF信号を、第2
センサPS2からON信号をそれぞれ受信した流量制御
部4は、図3に示すように開閉バルブV11を閉状態
に、開閉バルブV12を開状態に、開閉バルブV21を
開状態に、開閉バルブV22を閉状態にそれぞれ設定す
る。その結果、気体供給源ASから主供給管LSに供給
され第1主管L1側に分岐した気体は、バイパス管L1
1に分岐した後、再び第1主管に戻り第1エアナイフA
K1に供給される。これに対し、第2主管L2側に分岐
した気体は、バイパス管21に分岐することなく第2エ
アナイフAK2に供給される。上述のようにバイパス管
L11は10L/min以下の量しか気体を流すことが
できないので、図3に示す状態では主供給管LSから第
1主管L1側に分岐する気体の量は10L/minとな
る。これに対し、第2主管L2は600L/minの量
の気体を流すことが可能であるので、第1主管L1での
気体の減少分である290L/minが第2主管L2側
に追加供給されて、第2主管L2内には590L/mi
nの量の気体が流れる。そして、第1エアナイフAK1
からの気体の吐出量は約10L/minに減少し、第2
エアナイフAK2からの気体の吐出量は約590L/m
inに増加する。The OFF signal from the first sensor PS1 is output to the second sensor PS1.
The flow controller 4 receiving the ON signals from the sensors PS2 respectively closes the open / close valve V11, opens the open / close valve V12, opens / closes the open / close valve V21, and closes the open / close valve V22 as shown in FIG. Set each state. As a result, the gas supplied from the gas supply source AS to the main supply pipe LS and branched to the first main pipe L1 side is supplied to the bypass pipe L1.
After branching to No. 1, the air returns to the first main pipe again and the first air knife A
It is supplied to K1. On the other hand, the gas branched to the second main pipe L2 side is supplied to the second air knife AK2 without branching to the bypass pipe 21. As described above, since the bypass pipe L11 can flow gas only at an amount of 10 L / min or less, in the state shown in FIG. 3, the amount of gas branched from the main supply pipe LS to the first main pipe L1 is 10 L / min. Become. On the other hand, since the second main pipe L2 can flow gas at a rate of 600 L / min, 290 L / min, which is a decrease in gas in the first main pipe L1, is additionally supplied to the second main pipe L2 side. 590L / mi in the second main pipe L2.
A quantity n of gas flows. And the first air knife AK1
The discharge rate of gas from is reduced to about 10 L / min.
The discharge amount of gas from the air knife AK2 is about 590 L / m
increase to in.
【0036】上述のように基板後端処理時間において
は、基板Wの後端部に第2エアナイフAK2から多量に
気体が吐出され、基板Wの後端部に付着した洗浄液が十
分に除去される。また、第1エアナイフAK1に供給す
る気体の量を減少させ、この減少分を第2エアナイフA
K2に追加供給するので、気体供給源ASから第1エア
ナイフAK1および第2エアナイフAK2に供給する気
体の総量は例えば600L/minと一定である。さら
に、第1エアナイフAK1から少量の気体が吐出されて
いるので、第1エアナイフAK1内に基板Wから飛散し
た洗浄液の飛沫が第1エアナイフAK1内に浸入するこ
とを防止でき、第1エアナイフAK1が汚染されること
による基板の再汚染を防止できる。As described above, during the substrate rear end processing time, a large amount of gas is discharged from the second air knife AK2 to the rear end of the substrate W, and the cleaning liquid attached to the rear end of the substrate W is sufficiently removed. . Further, the amount of gas supplied to the first air knife AK1 is reduced, and the reduced amount is used as the second air knife A1.
Since the gas is additionally supplied to K2, the total amount of gas supplied from the gas supply source AS to the first air knife AK1 and the second air knife AK2 is constant at, for example, 600 L / min. Further, since a small amount of gas is discharged from the first air knife AK1, it is possible to prevent the cleaning liquid splashed from the substrate W into the first air knife AK1 from entering the first air knife AK1. Re-contamination of the substrate due to contamination can be prevented.
【0037】基板後端処理時間は、基板Wの後端Rが第
2吹付け位置p2を通過するまで継続される。すなわ
ち、図4(d)に示すように基板Wの後端Rが第2吹付
け位置p2を通過すると、第2センサPS2の振り子部
が基板Wの下側主面に接触しなくなるので、その自重で
直立状態に変位する。その結果、図2に示すように第1
センサPS1および第2センサPS2が共に直立状態と
なり、上述したように第1エアナイフAK1および第2
エアナイフAK2からほぼ同等量(約300L/mi
n)の気体を吐出しつつ、図4(d)に示すように次に
乾燥処理すべき基板W2を待機する状態となる。The substrate rear end processing time is continued until the rear end R of the substrate W passes through the second spray position p2. That is, as shown in FIG. 4D, when the rear end R of the substrate W passes through the second spray position p2, the pendulum of the second sensor PS2 does not contact the lower main surface of the substrate W. It is displaced upright by its own weight. As a result, as shown in FIG.
The sensor PS1 and the second sensor PS2 are both in the upright state, and the first air knife AK1 and the second
Almost the same amount (about 300 L / mi) from the air knife AK2
While discharging the gas of n), as shown in FIG. 4D, a state is established in which the substrate W2 to be dried next is on standby.
【0038】次に流量切換部3の変形例について図5を
用いて説明する。図5において図1における符号と同じ
符号が付されている部材は、図1に図示される部材と同
じ部材を示し、その詳細な説明は省略する。なお、図5
においてc1,c2,c3,c4は、第1主管L1およ
び第2主管L2との各接続部である。Next, a modified example of the flow rate switching unit 3 will be described with reference to FIG. In FIG. 5, the members denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same members as the members illustrated in FIG. 1, and the detailed description thereof will be omitted. FIG.
, C1, c2, c3, and c4 are connection portions with the first main pipe L1 and the second main pipe L2.
【0039】図5(a)に示すように、バイパス管L1
2,L22に開閉バルブを設けず流量切換を開閉バルブ
V11,V21のみで行う構成でも良い。具体的には、
上述の基板後端処理時間(図4(c))において開閉バ
ルブV11を閉状態とし、開閉バルブV21を開状態と
する。また、図4(a)(b)(d)に示す状態におい
ては、開閉バルブV11を開状態とし、開閉バルブV2
1を閉状態とする。As shown in FIG. 5A, the bypass pipe L1
2. A configuration may be adopted in which the flow rate is switched only by the open / close valves V11 and V21 without providing the open / close valve in L22. In particular,
During the above-described substrate rear end processing time (FIG. 4C), the open / close valve V11 is closed and the open / close valve V21 is opened. In the states shown in FIGS. 4A, 4B, and 4D, the open / close valve V11 is opened and the open / close valve V2 is opened.
1 is closed.
【0040】図5(b)に示すように、第1主管L1に
バイパス管を設ける代わりに第1主管L1にスローリー
ク機能付のバルブV13を介設させても良い。バブル1
3は閉状態において少量(例えば10L/min)の気
体を流すことが可能なバルブである。具体的には、上述
の基板後端処理時間(図4(c))においてバルブV1
3を閉状態とし、開閉バルブV21を開状態に、開閉バ
ルブ22を閉状態とする。また、図4(a)(b)
(d)に示す状態においては、バルブV13を開状態と
し、開閉バルブV21を閉状態に、開閉バルブ22を開
状態とする。As shown in FIG. 5B, instead of providing a bypass pipe in the first main pipe L1, a valve V13 with a slow leak function may be provided in the first main pipe L1. Bubble 1
Reference numeral 3 denotes a valve that can flow a small amount of gas (for example, 10 L / min) in a closed state. Specifically, during the above-described substrate rear end processing time (FIG. 4C), the valve V1
3 is closed, the on-off valve V21 is opened, and the on-off valve 22 is closed. 4 (a) and 4 (b)
In the state shown in (d), the valve V13 is opened, the open / close valve V21 is closed, and the open / close valve 22 is open.
【0041】図5(c)に示すように第1主管L1およ
び第2主管L2にそれぞれ流量調節機能付のバルブ1
4,24をそれぞれ介設させても良い。このバルブ1
4,24は、流量制御部4からの電気信号に基づいてバ
ルブ14,24内のオリフィス径の開度を変更しバルブ
14,24内を流れる気体の量を調節できるものであ
る。具体的には、上述の基板後端処理時間(図4
(c))においてバルブ14内のオリフィス径が小さく
なるように開度を変更し、バルブV24内のオリフィス
径が大きくなるように開度を変更する。また、図4
(a)(b)(d)に示す状態においては、バルブV1
4内のオリフィス径とバルブV24内のオリフィス径と
が同等となるようにそれぞれの開度を変更する。As shown in FIG. 5 (c), the first main pipe L1 and the second main pipe L2 each have a valve 1 having a flow control function.
4 and 24 may be interposed respectively. This valve 1
Numerals 4 and 24 change the opening of the orifice diameters in the valves 14 and 24 based on an electric signal from the flow control unit 4 and can adjust the amount of gas flowing in the valves 14 and 24. Specifically, the above-described substrate rear end processing time (FIG. 4)
In (c)), the opening is changed so that the orifice diameter in the valve 14 becomes smaller, and the opening is changed so that the orifice diameter in the valve V24 becomes larger. FIG.
(A) In the state shown in (b) and (d), the valve V1
The respective opening degrees are changed so that the orifice diameter in 4 and the orifice diameter in the valve V24 become equal.
【0042】また、図3に示す第1実施形態で、基板後
端処理時間において、開閉バルブ11,12を共に閉状
態とし、第1エアナイフAK1からの気体の吐出を停止
しても良い。Further, in the first embodiment shown in FIG. 3, during the substrate rear end processing time, both of the open / close valves 11 and 12 may be closed to stop the gas discharge from the first air knife AK1.
【0043】次に、図6(a)に示すように基板Wの前
端Rが第1吹付け位置p1を通過し、第2吹付け位置p
2を通過するまでの基板前端処理時間における変形例に
ついて説明する。この基板前端処理時間において図6
(b)に示すように開閉バルブ21,22を共に閉状態
として第2エアナイフAK2からの気体の吐出を停止す
る。そして、開閉バルブ11を開状態に、開閉バルブV
12を閉状態にして第2エアナイフAK2からのみ例え
ば約300L/minの量の気体を吐出する。Next, as shown in FIG. 6A, the front end R of the substrate W passes through the first blowing position p1 and the second blowing position p.
A modified example in the substrate front end processing time until passing through No. 2 will be described. In this substrate front end processing time, FIG.
As shown in (b), the opening and closing valves 21 and 22 are both closed, and the discharge of gas from the second air knife AK2 is stopped. Then, the open / close valve 11 is opened, and the open / close valve V
12 is closed, and a gas of, for example, about 300 L / min is discharged only from the second air knife AK2.
【0044】また、図5(c)に示す流量切換部3を用
いて、さらに第1主管L1の配管径および第2主管L2
の配管径を共に例えば600L/minの量の気体を流
すことが可能な配管径に設定しても良い。そして、バル
ブ24のオリフィス径を小さくしバルブ14のオリフィ
ス径を大きくするようにバルブ24,14のオリフィス
の開度をそれぞれ変更すると、第1主管L1には多量
(例えば590L/min)の気体が流れ、第2主管L
2には少量(例えば10L/min)の気体が流れる。
その結果、第1エアナイフAK1からは多量の気体が基
板Wの前端部に向けて吐出されて基板Wの前端部に付着
した洗浄液が効率良く除去される。また、第2エアナイ
フAK2から少量の気体が吐出され、第2エアナイフA
K2内の汚染が防止できる。Further, using the flow rate switching section 3 shown in FIG. 5C, the pipe diameter of the first main pipe L1 and the second main pipe L2
May be set to a pipe diameter capable of flowing a gas of, for example, an amount of 600 L / min. Then, when the opening degrees of the orifices of the valves 24 and 14 are respectively changed so as to reduce the orifice diameter of the valve 24 and increase the orifice diameter of the valve 14, a large amount (for example, 590 L / min) of gas flows into the first main pipe L1. Flow, second main pipe L
A small amount (for example, 10 L / min) of gas flows through 2.
As a result, a large amount of gas is discharged from the first air knife AK1 toward the front end of the substrate W, and the cleaning liquid attached to the front end of the substrate W is efficiently removed. Also, a small amount of gas is discharged from the second air knife AK2 and the second air knife A
Contamination in K2 can be prevented.
【0045】本発明は、上述の各実施形態に限定される
ものではない。例えば基板乾燥装置2によって基板Wの
主面から除去する処理液は、現像液、エッチング液、剥
離液等の各種の処理液でもよい。上述の各実施形態にお
いては、複数の搬送ローラ15,16によって基板Wは
水平に支持されつつ搬送されるが、基板Wの搬送方向に
向かって左右に傾斜させた傾斜姿勢で基板Wの主面に沿
った方向に基板Wを搬送しても良い。この場合、各エア
ナイフAK1,AK2のスリット状の吐出口と基板Wの
主面との間隔を一定にするために、各エアナイフを基板
Wとそれぞれ平行に設置するのが好ましい。また、基板
の主面に沿って鉛直方向に基板を搬送させても良い。さ
らに、各エアナイフAK1,AK2が基板Wの搬送方向
と直交する方向と平行に配置しても良い。また、各エア
ナイフAK1,AK2を搬送方向と直交する方向に対
し、互いに異なる方向に傾斜させて、平面視でハの字状
に配置しても良い。さらに、各エアナイフAK1,AK
2を基板Wの下主面側に配置して下側主面に付着した処
理液を除去する構成でも良いし、両主面側にそれぞれ配
置する構成でも良い。気体供給源ASとして例えば給気
ファンなどを基板乾燥装置2に設置しても良い。また、
各センサPS1,PS2は光学式のセンサでも良い。乾
燥処理する基板は略円形の半導体ウエハでも良い。The present invention is not limited to the above embodiments. For example, the processing liquid removed from the main surface of the substrate W by the substrate drying device 2 may be various processing liquids such as a developing liquid, an etching liquid, and a stripping liquid. In each of the above-described embodiments, the substrate W is transported while being horizontally supported by the plurality of transport rollers 15 and 16. However, the main surface of the substrate W is tilted left and right in the transport direction of the substrate W. The substrate W may be transported in the direction along. In this case, it is preferable that the air knives are installed in parallel with the substrate W in order to make the distance between the slit-shaped discharge ports of the air knives AK1 and AK2 and the main surface of the substrate W constant. Further, the substrate may be transported vertically along the main surface of the substrate. Further, each of the air knives AK1 and AK2 may be arranged in parallel with a direction orthogonal to the transport direction of the substrate W. Further, each of the air knives AK1 and AK2 may be inclined in directions different from each other with respect to a direction orthogonal to the transport direction, and may be arranged in a C shape in plan view. Furthermore, each air knife AK1, AK
2 may be arranged on the lower main surface side of the substrate W to remove the processing liquid attached to the lower main surface, or may be arranged on both main surface sides. For example, an air supply fan or the like may be installed in the substrate drying device 2 as the gas supply source AS. Also,
Each of the sensors PS1 and PS2 may be an optical sensor. The substrate to be dried may be a substantially circular semiconductor wafer.
【0046】[0046]
【発明の効果】以上詳細に説明した如く、請求項1また
は請求項8に係る発明によれば、基板後端処理時間にお
いて、第1エアナイフに供給する気体の量を減少させ、
この気体の量の減少分を第2エアナイフに追加供給して
第2エアナイフからの吐出量を増加させることができる
ので、第1エアナイフおよび第2エアナイフに供給する
気体の総量を増加させることなく、基板の後端部に付着
した処理液を十分に除去することができる。As described above in detail, according to the first or eighth aspect of the present invention, the amount of gas supplied to the first air knife is reduced during the substrate rear end processing time,
Since the reduced amount of the gas can be additionally supplied to the second air knife to increase the discharge amount from the second air knife, without increasing the total amount of gas supplied to the first air knife and the second air knife, The processing liquid attached to the rear end of the substrate can be sufficiently removed.
【0047】また請求項2から請求項7のいずれかに係
る発明によれば、第1エアナイフおよび第2エアナイフ
への気体の供給量を簡単な構成で切り替えることができ
る。According to the invention of any one of claims 2 to 7, the amount of gas supply to the first air knife and the second air knife can be switched with a simple configuration.
【0048】さらに請求項9に係る発明によれば、第1
吹付け位置および第2吹付け位置が基板の主面上にある
ときに、第1エアナイフおよび第2エアナイフからの気
体の吐出量をほぼ同等とすることができるので、均一な
乾燥処理が可能となる。Further, according to the ninth aspect of the present invention, the first
When the spray position and the second spray position are on the main surface of the substrate, the discharge amounts of the gas from the first air knife and the second air knife can be made substantially equal, so that a uniform drying process can be performed. Become.
【0049】またさらに、請求項10に係る発明によれ
ば、第1吹付け位置のみが基板の主面上にあるときに第
2エアナイフへの気体の供給量を減少させるので、気体
の使用量が減少し、製品の生産コストを削減できる。According to the tenth aspect of the present invention, when only the first spraying position is on the main surface of the substrate, the amount of gas supplied to the second air knife is reduced. And production costs of products can be reduced.
【0050】さらに請求項11に係る発明によれば、第
2エアナイフへの気体供給量の減少分を第1エアナイフ
に供給し第1エアナイフからの気体の吐出量を増加させ
ることができるので、第1エアナイフおよび第2エアナ
イフに供給する気体の総量を増加させることなく、第1
エアナイフによって基板の前端部に付着した処理液の除
去効率が向上できる。Further, according to the eleventh aspect of the present invention, the reduced amount of gas supply to the second air knife can be supplied to the first air knife to increase the amount of gas discharged from the first air knife. Without increasing the total amount of gas supplied to the first air knife and the second air knife,
The removal efficiency of the processing liquid attached to the front end of the substrate can be improved by the air knife.
【図1】この発明の第1実施形態を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】第1実施形態において第1吹付け位置に基板の
前端が到達する前の状態を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a state before a front end of a substrate reaches a first spraying position in the first embodiment.
【図3】第1実施形態において基板後端処理時間の状態
を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a state of a substrate rear end processing time in the first embodiment.
【図4】第1実施形態において、各吹付け位置と基板と
の位置関係を説明するための平面図である。FIG. 4 is a plan view for explaining a positional relationship between each spraying position and a substrate in the first embodiment.
【図5】流量切換部の変形例を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a modification of the flow switching unit.
【図6】基板前端処理時間における変形例を説明するた
めの説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a modification in the substrate front end processing time.
1 基板洗浄装置 2 基板乾燥装置 3 流量切換部 4 流量制御部 15、25 搬送ローラ W,W1,W2 基板 AK1 第1エアナイフ AK2 第2エアナイフ AS 気体供給源 LS 主供給管 L1 第1主管 L11,L12,L21,L22 バイパス管 L2 第2主管 p1 第1吹付け位置 p2 第2吹付け位置 PS1 第1センサ PS2 第2センサ V11,V12,V21,V22 開閉バルブ V13,V14,V24 バルブ F 基板の前端 R 基板の後端 REFERENCE SIGNS LIST 1 substrate cleaning device 2 substrate drying device 3 flow rate switching unit 4 flow rate control unit 15, 25 transport roller W, W1, W2 substrate AK1 first air knife AK2 second air knife AS gas supply source LS main supply pipe L1 first main pipe L11, L12 , L21, L22 Bypass pipe L2 Second main pipe p1 First blowing position p2 Second blowing position PS1 First sensor PS2 Second sensor V11, V12, V21, V22 Open / close valve V13, V14, V24 Valve F Front end of substrate Back end of board
Claims (11)
に吹き付けて基板を乾燥させる基板乾燥装置において、 その主面に処理液が付着した基板をその主面に沿った所
定の搬送方向に搬送する搬送手段と、 搬送手段によって搬送される基板の主面に気体を層状に
吹き付ける第1エアナイフと、 第1エアナイフより前記搬送方向の下流側であって前記
搬送方向における基板の長さ寸法よりも小さい寸法だけ
離間した位置に配置され、搬送手段によって搬送される
基板の前記主面に気体を層状に吹き付ける第2エアナイ
フと、 気体供給源に流路接続された主供給管から分岐し、第1
エアナイフに流路接続される第1主管と、 第1主管に介設され第1主管に流れる気体の流量を切り
替える第1流量切替手段と、 前記主供給管から分岐し、第2エアナイフに流路接続さ
れる第2主管と、 第2主管に介設され第2主管に流れる気体の流量を切り
替える第2流量切替手段と、 第1エアナイフによる気体の第1吹付け位置に対する基
板の位置を検出する第1位置検出手段と、 第2エアナイフによる気体の第2吹付け位置に対する基
板の位置を検出する第2位置検出手段と、 第1吹付け位置を前記基板の後端が通過したことを第1
位置検出手段により検出してから、第2吹付け位置を基
板の後端が通過したことを第2位置検出手段により検出
するまでの基板後端処理時間において、第1流量切替手
段によって第1主管に流れる気体の量を減少させるとと
もに、第2流量切替手段によって第2主管に流れる気体
の量を増加可能に切り替えて、第1主管における気体の
量の減少分を第2主管に追加供給する流量制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板乾燥装置。1. A substrate drying apparatus for drying a substrate by spraying a gas onto the main surface of the substrate to which the processing liquid has adhered in a layered manner, wherein the substrate having the processing liquid attached to the main surface is transported along the main surface in a predetermined manner. Transport means for transporting the substrate in a direction, a first air knife for blowing gas in a layered manner on a main surface of the substrate transported by the transport means, and a length of the substrate in the transport direction downstream of the first air knife in the transport direction. A second air knife disposed at a position separated by a dimension smaller than the dimension and spraying a gas in a layered manner on the main surface of the substrate conveyed by the conveying means, and branching from a main supply pipe connected to a gas supply source in a flow path. , First
A first main pipe connected to the air knife, a first flow switching means interposed in the first main pipe for switching a flow rate of gas flowing through the first main pipe, a branch from the main supply pipe, and a flow path to the second air knife A second main pipe connected to the second main pipe; second flow rate switching means interposed between the second main pipe and switching a flow rate of gas flowing through the second main pipe; and detecting a position of the substrate with respect to a first spray position of gas by the first air knife. First position detecting means, second position detecting means for detecting a position of the substrate relative to a second blowing position of the gas by the second air knife, and first detecting that the rear end of the substrate has passed the first blowing position.
In the substrate rear end processing time from the detection by the position detection means to the detection of the passage of the rear end of the substrate by the second position by the second position detection means, the first main pipe is switched by the first flow rate switching means. The amount of gas flowing through the second main pipe is reduced by switching the amount of gas flowing through the second main pipe by the second flow switching means while the amount of gas flowing through the first main pipe is increased. Control means;
A substrate drying apparatus comprising:
た第1主管開閉用バルブと、第1主管開閉用バルブを迂
回するように第1主管に流路接続され第1主管が流す気
体の量より少ない量の気体を流す第1バイパス管とを有
することを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥装置。2. The first main pipe connected to the first main pipe so as to bypass the first main pipe opening / closing valve and the first main pipe opening / closing valve provided in the first main pipe. The substrate drying apparatus according to claim 1, further comprising a first bypass pipe through which a smaller amount of gas flows than the first gas.
ルブが設けられていることを特徴とする請求項2に記載
の基板乾燥装置。3. The substrate drying apparatus according to claim 2, wherein the first bypass pipe is provided with a first bypass pipe opening / closing valve.
第1主管に流れる気体の量を調節可能な第1流量調節バ
ルブを有することを特徴とする請求項1に記載の基板乾
燥装置。4. The substrate according to claim 1, wherein the first flow rate switching means has a first flow rate control valve interposed in the first main pipe and capable of adjusting the amount of gas flowing through the first main pipe. Drying equipment.
た第2主管開閉用バルブと、第2主管開閉用バルブを迂
回するように第2主管に流路接続され第2主管が流す気
体の量より少ない量の気体を流す第2バイパス管とを有
することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか
に記載の基板乾燥装置。5. The second main pipe connected to the second main pipe so as to bypass the second main pipe opening / closing valve and a second main pipe opening / closing valve provided in the second main pipe. The substrate drying apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a second bypass pipe through which a smaller amount of gas flows than the first gas.
ルブが設けられていることを特徴とする請求項5に記載
の基板乾燥装置。6. The substrate drying apparatus according to claim 5, wherein a valve for opening and closing the second bypass pipe is provided in the second bypass pipe.
第2主管に流れる気体の量を調節可能な第2流量調節バ
ルブを有することを特徴とする請求項1から請求項4の
いずれかに記載の基板乾燥装置。7. The apparatus according to claim 1, wherein the second flow rate switching means has a second flow rate control valve interposed in the second main pipe and capable of adjusting the amount of gas flowing through the second main pipe. The substrate drying apparatus according to any one of the above.
それぞれ分岐した少なくとも2つの分岐管にそれぞれ流
路接続され、基板の搬送方向における基板の長さ寸法よ
りも小さい寸法だけ互いに離間するとともに前記搬送方
向に沿って配置された少なくとも2つのエアナイフによ
って、搬送される基板の主面に気体を層状にそれぞれ吹
き付けて基板に付着した処理液を除去する基板乾燥方法
において、 搬送される基板の後端が前記搬送方向の上流側に配置さ
れた第1エアナイフによる気体の第1吹付け位置を通過
し、前記基板の後端が第1エアナイフより下流側に配置
された第2エアナイフによる気体の第2吹付け位置を通
過するまでの間において、第1エアナイフへの気体の供
給量を減少させて、この気体の量の減少分を第2エアナ
イフに追加供給して第2エアナイフからの気体の吐出量
を増加させることを特徴とする基板乾燥方法。8. A flow path connected to at least two branch pipes each branched from a main supply pipe connected to a gas supply source, and separated from each other by a dimension smaller than the length of the substrate in the substrate transport direction. A substrate drying method for removing a processing liquid adhered to the substrate by spraying gas in a layered manner on a main surface of the substrate to be transported by at least two air knives arranged along the transport direction. The rear end of the substrate passes through a first spray position of the gas by the first air knife disposed on the upstream side in the transport direction, and the rear end of the substrate is formed by the second air knife disposed on the downstream side of the first air knife. The gas supply amount to the first air knife is reduced until the second air knife passes the second blowing position, and the reduced amount of the gas is supplied to the second air knife. A method for drying a substrate, characterized by increasing the amount of gas discharged from a second air knife by additionally supplying.
送される基板の主面上にあるときに、第1エアナイフか
らの気体の吐出量と第2エアナイフからの気体の吐出量
とをほぼ同等とすることを特徴とする請求項8に記載の
基板乾燥方法。9. The discharge amount of gas from the first air knife and the discharge amount of gas from the second air knife when the first spray position and the second spray position are on the main surface of the substrate to be conveyed. 9. The method for drying a substrate according to claim 8, wherein
を通過し、前記基板の前端が第2吹付け位置に達するま
での間において、第2エアナイフへの気体の供給量を減
少させることを特徴とする請求項8または請求項9に記
載の基板乾燥方法。10. A supply amount of gas to a second air knife is reduced until a front end of a substrate to be conveyed passes through a first spray position and the front end of the substrate reaches a second spray position. The substrate drying method according to claim 8, wherein the substrate is dried.
を第1エアナイフに追加供給して第1エアナイフからの
気体の吐出量を増加させることを特徴とする請求項10
に記載の基板乾燥方法。11. The discharge amount of gas from the first air knife is increased by additionally supplying a decrease in the amount of gas supply to the second air knife to the first air knife.
3. The method for drying a substrate according to item 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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1999
- 1999-03-17 JP JP11072157A patent/JP2000266465A/en active Pending
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