JP2000158156A - レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材 - Google Patents
レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材Info
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Abstract
内部に形成された透明部材を提供する。 【解決手段】 レーザ光源からレーザビームを出射す
る。レーザ光源から出射したレーザビームを、集光点に
おけるビーム断面が、該レーザビームの光軸に垂直な第
1の方向に長い形状となるように、かつ集光点が被加工
部材の内部に位置するように前記レーザビームを集光
し、集光点及びその近傍にクラックを発生させる。
Description
ーキング方法及びマーキング装置に関し、特に透明な被
加工部材の内部にマーキングを行うマーキング方法及び
マーキング装置に関する。
て、例えば透明ガラス基板等の被加工部材の表面にマー
キングする方法が知られている。この方法によると、被
加工部材の表面に微細な割れが発生し、その破片が製造
ラインに混入する場合がある。また、マーキングされた
位置の近傍に「デブリ」と称される付着物が堆積するた
め、この付着物を除去するための洗浄を行う必要があ
る。
く、その内部にレーザ光を集光し、被加工部材の内部に
マーキングを行う方法が、特開平3−124486号公
報に開示されている。この方法によると、被加工部材の
表面が損傷を受けないため、微細な割れの発生、及びデ
ブリの付着を防止できる。
4486号公報に開示された方法によると、レ−ザビー
ムの集光点及びその近傍においてレーザビームのエネル
ギ密度が被加工部材の破壊閾値を超え、被加工部材の微
小な部分が破壊されることによりマークが形成される。
微小なマークを二次元もしくは三次元に配列させること
により、文字及び図形を描くことができる。配列部分の
ピッチを狭めることにより、文字及び図形のコントラス
トを高めることができる。
成される微小なマークの形状を制御することは困難であ
る。このため、各マークの形状が不規則になる。相互に
隣接するマークが接触すると、被加工部材の機械的強度
が低下するため、マークを離散的に配置することが好ま
しい。マークの形状が不規則である場合に、マーク同士
が接触しないようにするためには、ある程度のマージン
を見込んで配列のピッチを大きくする必要がある。
クの形状の制御性を高めることが可能なマーキング方法
及びマーキング装置を提供することである。
ることが容易なマークを内部に形成された透明部材を提
供することである。
と、レーザ光源からレーザビームを出射する工程と、前
記レーザ光源から出射したレーザビームを、集光点にお
けるビーム断面が、該レーザビームの光軸に垂直な第1
の方向に長い形状となるように、かつ集光点が被加工部
材の内部に位置するように前記レーザビームを集光し、
集光点及びその近傍にクラックを発生させる工程とを有
するマーキング方法が提供される。
的性質が変化する。光学的性質の変化した部分は、レー
ザビームの光軸に沿った線状形状を有する。この線状の
部分から第1の方向に、面状のクラックが延びる。光学
的性質の変化した線状の部分と面状のクラックが、視認
される。
を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射した
レーザビームのビーム断面の形状を、該レーザビームの
光軸に垂直な第1の方向に長い形状に整形するビーム整
形手段と、前記ビーム整形手段で整形されたレーザビー
ムを集光する集光手段と、前記集光手段による集光位置
が前記被加工部材の内部に位置するように該被加工部材
を保持する保持手段とを有するマーキング装置が提供さ
れる。
ザビームを集光すると、集光点におけるレーザビームの
断面は、第1の方向に直交する方向に長い形状となる。
これにより、上述のように線状部分と面状のクラックを
有するマークを形成することができる。
前記透明部材中に形成されたマークであって、周囲とは
光学的性質の異なる線状部分と、該線状部分から相互に
反対方向に延びた一対の面状のクラックとを含むマーク
とを有するマーキングされた部材が提供される。
ことができる。特に、面状のクラックに沿った仮想平面
に交差する方向から、視認し易い。
被加工部材内にレーザビームを集光することによって形
成したマークの形状について説明する。
すマークの形状は、紙面に垂直な方向からレーザビーム
を照射した場合のものである。レーザビームの集光点及
びその近傍に、レーザビームの光軸に沿って光学的性質
の変化した線状部分50が形成される。線状部分50か
ら複数の面状のクラック51が放射状に延びる。クラッ
ク51の延びる方向及びその数は不規則である。クラッ
ク51が、それに隣接するマークのクラック51に接触
しないようにするためには、クラック51の延びる最大
の長さをLとしたとき、相互に隣接する線状部分50の
間隔を2Lよりも大きくしなければならない。
法で用いるマーキング装置の概略図を示す。レーザ光源
1が、レーザビーム2をパルス的に出射する。レーザ光
源1として、例えばNd:YAGレーザ、Nd:YLF
レーザ等の固体レーザを用いることができる。レーザビ
ーム2は、これらのレーザの基本波でもよいし、高次の
高調波でもよい。レーザビーム2の光軸をz軸とするx
yz直交座標系を考える。レーザビーム2のビーム断面
2aの形状は、ほぼ円形である。
ム形状を整形する。ビーム整形器3の具体的な構成例に
ついては、後に図5を参照して説明する。整形されたレ
ーザビーム4のビーム断面4aは、x軸方向に長い形状
を有する。集光光学系5が、レーザビーム4を集光す
る。集光光学系5は、例えば凸レンズである。
持されている。集光光学系5により集光されたレーザビ
ーム6が、被加工部材7に入射する。保持台8は、レー
ザビーム6の集光点が被加工部材7の内部に位置するよ
うに、被加工部材7を保持する。なお、保持台8は、被
加工部材7をxy面内で移動させることができる。
のビーム断面は、x軸方向に長い形状を有する。このた
め、zx面内における集光光学系5の実効的な開口数
(NA)が、yz面内における開口数よりも大きくな
る。開口数の大きな面内においては、レーザビーム6が
より微小な領域に集光される。従って、集光点における
レーザビーム6のビーム断面6aは、y軸方向に長い形
状になる。
密度が、被加工部材7の光学的損傷(optical damage)も
しくは光学的絶縁破壊(optical breakdown) のしきい値
を超えると、被加工部材7の集光点及びその近傍に微小
なマークが形成される。レーザビーム6をパルス的に照
射する毎に被加工部材7をxy面内で移動させる。この
ようにして、被加工部材7の内部に、二次元的に配列し
たマークを形成することができる。
をy軸に沿って見た正面図、及びz軸に沿って見た平面
図を示す。マーク10がx軸に沿って配列している。各
マーク10は、柱状部分10Aと面状部分10Bとから
構成される。柱状部分10Aは、z軸に沿って延びてい
る。面状部分10Bは、yz面に平行な面状のクラック
であり、柱状部分10Aからy軸の正及び負の方向に延
びている。面状部分10Bがy軸に沿って延びているの
は、図1に示したように、集光点におけるレーザビーム
6のビーム断面6aがy軸方向に長い形状を有するため
と考えられる。
に平行な方向からでは視認しにくいが、yz面に対して
斜めの方向、特にz軸からx軸方向に傾いた方向から容
易に視認することができる。マーク10をxy面内に分
布するように配置することにより、文字や図形等の模様
を描くことができる。
面の形状を制御することにより、マーク10の形状を制
御することが可能になる。面状部分10Bは、x軸方向
には延びていない。このため、マーク10をx軸に沿っ
て狭いピッチで配列させることができる。マーク10を
狭いピッチで配列させることにより、マーク10で形成
される模様のコントラストを高めることができる。
法を説明するための被加工部材7とレーザビーム6との
位置関係を示す概略図である。図1に示す第1の実施例
では、被加工部材7にレーザビーム6を垂直入射させ
た。第2の実施例では、レーザビーム6を被加工部材7
に斜め入射させる。
法線20が、zx面内でx軸の負の方向に傾いている。
このとき、レーザビーム6の入射面がzx面に平行にな
る。第1の実施例の場合と同様に、集光光学系5により
集光された直後のビーム断面6bは、x軸方向に長い形
状を有する。集光点におけるビーム断面6aは、y軸方
向に長い形状を有する。
θ2 、空気の屈折率をn1 、被加工部材7の屈折率をn
2 とすると、
見た正面図を示し、図4(B)は、被加工部材7の法線
方向から見た平面図を示す。マーク21は、第1の実施
例の場合と同様に、線状部分21Aと面状部分21Bに
より構成される。
なわち、線状部分21Aは被加工部材7の表面に対して
斜めに配置される。このため、線状部分21Aが、被加
工部材7の表面に到達しにくくなり、被加工部材7の内
部に再現性良く線状部分21Aを形成することが可能に
なる。
軸方向に延びる。すなわち、線状部分21Aと被加工部
材7の表面の法線とを含む第1の仮想平面に直交し、か
つ線状部分21Aを含む第2の仮想平面に沿って延び
る。すべての面状部分21Bは、相互にほぼ平行に配置
される。面状部分21Bが表面に向かって延びないた
め、クラックが被加工部材7の表面まで到達することも
ない。また、面状部分21Bがx軸方向に延びないた
め、x軸を被加工部材7の表面に垂直投影した像の延在
する方向に、マーク21を比較的狭いピッチで配列させ
ることができる。
が被加工部材7の表面に対して傾いているため、法線方
向から見たときの視認性を高めることができる。視認性
向上の十分な効果を得るためには、被加工部材7の表面
に対するレーザビーム6の入射角を5°以上とすること
が好ましく、10°以上とすることがより好ましい。ま
た、入射角を大きくすると、表面反射による損失が大き
くなるため、入射角を80°以下とすることが好まし
い。なお、被加工部材7を水または被加工部材7に近い
屈折率を有する液体中で加工する場合には、入射角を8
0°以上としてもよい。
の第1の構成例を示す。ビーム整形器3は、プリズム3
0を含んで構成される。プリズム30に、円形のビーム
断面を有するレーザビーム2が垂直入射する。プリズム
30の出射側の面で屈折することにより、プリズム30
から出射したレーザビーム4a及び4bのビーム断面は
楕円状になる。例えば、レーザビーム4aは基本波であ
り、レーザビーム4bは2倍高調波である。
を、図1に示す集光光学系5に入射させる。基本波もし
くは高次の高調波のいずれか一つのみを利用しているた
め、光学系の波長分散を考慮する必要がない。このた
め、集光光学系5の設計、及び被加工部材7と集光点と
の位置合わせを容易に行うことができる。
成例を示す。ビーム整形器3は、凹シリンドリカルレン
ズ31及び凸シリンドリカルレンズ32を含んで構成さ
れる。凹シリンドリカルレンズ31及び凸シリンドリカ
ルレンズ32は、その光軸がz軸に一致し、柱面の母線
がy軸に平行になるように配置されている。円形のビー
ム断面を有するレーザビーム2が凹シリンドリカルレン
ズ31に入射する。凹シリンドリカルレンズ31によ
り、zx面内で発散するレーザビーム2aが得られる。
レーザビーム2aが凸シリンドリカルレンズ32に入射
し、zx面内で収束される。凸シリンドリカルレンズ3
2を透過したレーザビーム4は、x軸方向に長いビーム
断面を有する平行光線束になる。
成例を示す。ビーム整形器3は、凹レンズ33、凸レン
ズ34、及び部分遮光板35を含んで構成されている。
凹レンズ33、凸レンズ34は、その光軸がz軸に一致
するように配置され、部分遮光板35は、z軸に直交す
るように配置されている。部分遮光板35には、x軸方
向に長い窓36が設けられている。
が凹レンズ33に入射し、発散レーザビーム2bが得ら
れる。発散レーザビーム2bが凸レンズ34に入射し、
レーザビーム2cが得られる。レーザビーム2cは平行
光線束である。レーザビーム2cが部分遮光板35で整
形され、窓36の形状に対応したビーム断面を有するレ
ーザビーム4が得られる。
光学系5の出射側に配置し、レーザビーム6のビーム断
面を整形してもよい。すなわち、図1においては、ビー
ム整形器3で整形したレーザビーム4を集光光学系5で
集光する場合を説明したが、最初に集光光学系5で収束
レーザビームを形成し、その後ビーム整形器3でビーム
断面を整形してもよい。
を示したが、その他のアナモルフィック光学系を用いて
もよい。
ーキングを行った結果について説明する。使用したレー
ザビームは、Nd:YLFの第2高調波(波長523.
5nm)である。1ショットあたりのレーザビームのエ
ネルギは0.5mJ、パルス幅は約15nsである。ビ
ーム整形器3として、第1の構成例のものを使用した。
集光光学系5として、焦点距離28mmのカメラ用レン
ズを用いた。被加工部材7へのレーザビームの入射角は
45°とした。
マーキングを行ったところ、図4に示すような斜めの面
状部分21Bを有するマーク21を形成することができ
た。形成されたクラックは、ガラス板の表面まで到達せ
ず、内部にのみ形成されていた。また、ガラス板の法線
方向から、このマークを容易に視認することができた。
を二次元的に分布させるには、被加工部材7を、その表
面に平行な面内で移動させればよい。また、レーザビー
ム6をy軸方向に走査することによって、マークをy軸
方向に分布させてもよい。レーザビーム6の走査は、例
えばガルバノミラーやポリゴンミラーを用いて行うこと
ができる。この場合、被加工部材7は、y軸に直交する
一次元方向にのみ移動させればよい。
ビーム6を斜め入射させると、レーザビーム6が被加工
部材7の表面で屈折する。屈折の影響を回避もしくは軽
減するために、被加工部材7を水中に浸漬させてマーキ
ングを行ってもよい。一般的に、水は、空気よりも、被
加工部材7の屈折率に近い屈折率を有する。このため、
屈折によるレーザビームの進行方向の変化角を小さくす
ることができる。なお、水中に浸漬させる代わりに、空
気よりも、被加工部材7の屈折率に近い屈折率を有する
液体中に浸漬させてもよい。
法で使用するマーキング装置の概略断面図を示す。図1
に示す整形されたレーザビーム4が集光光学系5に入射
する。集光光学系5によって収束されたレーザビーム6
が台形プリズム40に垂直入射する。台形プリズム40
の出射側の面は、レーザビーム6の光軸に対して斜めに
配置されている。被加工部材7が、台形プリズム40の
出射側の面に微小な間隙を隔てて配置されている。この
間隙内には、屈折率調整液が充填されている。
加工部材7の間の屈折率差を小さくしておくと、台形プ
リズム40から出射したレーザビームは大きく屈折する
ことなく、被加工部材7の内部に集光される。
にマーキングする場合を説明したが、その他の透明部材
にマーキングすることも可能である。例えば、PMMA
基板にマーキングすることも可能であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
レーザビームのビーム形状を整形することにより、被加
工部材に形成するマークの形状を制御することができ
る。これにより、マークの配列ピッチを狭くすることが
でき、描かれた模様のコントラストを高めることができ
る。また、レーザビームを斜め入射することにより、表
面の法線方向から見たときの模様の視認性を高めること
ができる。
ーキング装置の概略図である。
側面図及び平面図である。
ーキング装置の概略図である。
側面図及び平面図である。
図である。
ーキング装置の概略図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 レーザ光源からレーザビームを出射する
工程と、 前記レーザ光源から出射したレーザビームを、集光点に
おけるビーム断面が、該レーザビームの光軸に垂直な第
1の方向に長い形状となるように、かつ集光点が被加工
部材の内部に位置するように前記レーザビームを集光
し、集光点及びその近傍にクラックを発生させる工程と
を有するマーキング方法。 - 【請求項2】 前記クラックを発生させる工程が、 前記レーザ光源から出射したレーザビームのビーム断面
が、ビーム断面内における前記第1の方向に相当する方
向に直交する第2の方向に長い形状になるようにレーザ
ビームを整形する工程と、 整形されたレーザビームを、前記集光点に集光する工程
とを含む請求項1に記載のマーキング方法。 - 【請求項3】 前記レーザビームが、前記被加工部材の
表面に対して斜めに入射し、前記第1の方向が前記レー
ザビームの入射面とほぼ直交する請求項1または2に記
載のマーキング方法。 - 【請求項4】 前記レーザビームの入射角が5°以上で
ある請求項3に記載のマーキング方法。 - 【請求項5】 前記クラックを発生させる工程におい
て、前記被加工部材を液体に浸漬させた状態で、該被加
工部材にレーザビームを照射する請求項3または4に記
載のマーキング方法。 - 【請求項6】 レーザビームを出射するレーザ光源と、 前記レーザ光源から出射したレーザビームのビーム断面
の形状を、該レーザビームの光軸に垂直な第1の方向に
長い形状に整形するビーム整形手段と、 前記ビーム整形手段で整形されたレーザビームを集光す
る集光手段と、 前記集光手段による集光位置が前記被加工部材の内部に
位置するように該被加工部材を保持する保持手段とを有
するマーキング装置。 - 【請求項7】 前記保持手段が、前記被加工部材の表面
に対して前記レーザビームが斜めに入射するように該被
加工部材を保持する請求項6に記載のマーキング装置。 - 【請求項8】 前記保持手段が、前記レーザビームのビ
ーム断面内における前記第1の方向に相当する方向をレ
ーザビームの入射面内に含むように、前記被加工部材を
保持する請求項7に記載のマーキング装置。 - 【請求項9】 透明部材と、 前記透明部材中に形成されたマークであって、周囲とは
光学的性質の異なる線状部分と、該線状部分から相互に
反対方向に延びた一対の面状のクラックとを含むマーク
とを有するマーキングされた部材。 - 【請求項10】 前記透明部材が平坦な主表面を有し、 前記マークが前記主表面よりも深い位置に形成されてお
り、前記線状部分が該主表面に対して傾いており、前記
面状部分が、前記線状部分と前記主表面の法線とを含む
第1の仮想平面に直交し、かつ前記線状部分を含む第2
の仮想平面に沿って形成されている請求項9に記載のマ
ーキングされた部材。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP33621798A JP3178524B2 (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材 |
PCT/JP1999/006605 WO2000030798A1 (fr) | 1998-11-26 | 1999-11-26 | Procede et appareil de marquage au laser, et objet ainsi marque |
EP99972570A EP1080821A4 (en) | 1998-11-26 | 1999-11-26 | METHOD AND DEVICE FOR LASER MARKING AND AN OBJECT MARKED BY THIS METHOD OR THIS DEVICE |
US09/581,536 US6322958B1 (en) | 1998-11-26 | 1999-11-26 | Laser marking method and apparatus, and marked member |
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KR10-2000-7008109A KR100433896B1 (ko) | 1998-11-26 | 1999-11-26 | 레이저 마킹방법과 장치 및 마킹된 부재 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33621798A JP3178524B2 (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材 |
Publications (2)
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JP2000158156A true JP2000158156A (ja) | 2000-06-13 |
JP3178524B2 JP3178524B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=18296855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (6)
Country | Link |
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US (1) | US6322958B1 (ja) |
EP (1) | EP1080821A4 (ja) |
JP (1) | JP3178524B2 (ja) |
KR (1) | KR100433896B1 (ja) |
TW (1) | TW479024B (ja) |
WO (1) | WO2000030798A1 (ja) |
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US8716110B2 (en) | 2000-09-13 | 2014-05-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
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US9543207B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8519511B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-08-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8518801B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-08-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8518800B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-08-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8551865B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-10-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting an object to be processed |
US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8598015B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-12-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8361883B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-01-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US8802543B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-08-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8314013B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-11-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor chip manufacturing method |
US8304325B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-11-06 | Hamamatsu-Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8268704B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
US9548246B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9287177B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9142458B2 (en) | 2002-03-12 | 2015-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US7749867B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
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US8409968B2 (en) | 2002-12-03 | 2013-04-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate via modified region formation and subsequent sheet expansion |
US8450187B2 (en) | 2002-12-03 | 2013-05-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
US8263479B2 (en) | 2002-12-03 | 2012-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for cutting semiconductor substrate |
US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
US8247734B2 (en) | 2003-03-11 | 2012-08-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
US8685838B2 (en) | 2003-03-12 | 2014-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US8551817B2 (en) | 2003-09-10 | 2013-10-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
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JP2008229722A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーマーキング方法、レーザーマーキング装置 |
JP2023015179A (ja) * | 2019-03-26 | 2023-01-31 | ウシオ電機株式会社 | 改質装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6322958B1 (en) | 2001-11-27 |
KR20010034366A (ko) | 2001-04-25 |
EP1080821A1 (en) | 2001-03-07 |
JP3178524B2 (ja) | 2001-06-18 |
KR100433896B1 (ko) | 2004-06-04 |
EP1080821A4 (en) | 2007-05-02 |
WO2000030798A1 (fr) | 2000-06-02 |
TW479024B (en) | 2002-03-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010321 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080413 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090413 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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