Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2000061377A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法

Info

Publication number
JP2000061377A
JP2000061377A JP23758098A JP23758098A JP2000061377A JP 2000061377 A JP2000061377 A JP 2000061377A JP 23758098 A JP23758098 A JP 23758098A JP 23758098 A JP23758098 A JP 23758098A JP 2000061377 A JP2000061377 A JP 2000061377A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
nozzle
developing solution
discharge nozzle
processing liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP23758098A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3970432B2 (ja
Inventor
Masahiro Mimasaka
昌宏 美作
Koji Uchitani
耕二 内谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP23758098A priority Critical patent/JP3970432B2/ja
Publication of JP2000061377A publication Critical patent/JP2000061377A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3970432B2 publication Critical patent/JP3970432B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを低下させることなく、処理液
吐出ノズルの吐出口からの処理液の落下による処理の不
均一および処理不良の発生を防止することができる基板
処理装置および基板処理方法を提供することである。 【解決手段】 一方の待機ポット6内に洗浄吸引ユニッ
ト16を設け、他方の待機ポット7内に吸引ユニット1
7を設ける。待機ポット6内の洗浄吸引ユニット16に
より現像液吐出ノズル11の先端部を洗浄した後、基板
保持部1に静止状態で保持された基板100外の一方側
の位置から基板100上を通過して基板100外の他方
側の位置まで現像液吐出ノズル11を移動させつつ基板
100上に現像液を供給する。待機ポット7内の吸引ユ
ニット17により現像液吐出ノズル11のスリット状吐
出口15の現像液を吸引により除去した後、現像液吐出
ノズル11を待機ポット7から待機ポット6に戻す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理液を吐出する
処理液吐出ノズルを備えた基板処理装置および基板処理
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板上に形成された感光性膜に現像処理を行うために現
像装置が用いられる。
【0003】例えば、回転式の現像装置は、基板を水平
に保持して鉛直軸の周りで回転させる回転保持部と、基
板の表面に現像液を供給する現像液吐出ノズルとを備え
る。現像液吐出ノズルは、水平面内で回動自在に設けら
れたノズルアームの先端に取り付けられており、基板の
上方位置と基板外の待機位置との間を移動することがで
きる。
【0004】現像処理時には、現像液吐出ノズルが待機
位置から基板の上方位置に移動した後、基板上のフォト
レジスト等の感光性膜に現像液を供給する。供給された
現像液は、基板の回転によって基板の全面に塗り広げら
れ、感光性膜と接触する。表面張力により基板上に現像
液を保持した状態(液盛り)で一定時間基板を静止させ
ることにより感光性膜の現像が行われる。現像液の供給
が終了すると、現像液吐出ノズルはノズルアームの回動
により基板の上方から外れた待機位置に移動する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の回転式の
現像装置では、回転する基板に吐出開始時の現像液が当
たることにより基板上の感光性膜が大きな衝撃を受け
る。その衝撃で現像液中に気泡が生じ、感光性膜の表面
に残留する微小な気泡が現像欠陥となる場合がある。ま
た、吐出開始時の現像液による衝撃で感光性膜が損傷す
るおそれもある。
【0006】そこで、本発明者は、スリット状吐出口を
有する現像液吐出ノズルから現像液を吐出しながら基板
上の一端から他端へ現像液吐出ノズルを直線状に移動さ
せることにより、現像液の供給の初期段階における基板
上の現像液の流動を抑えつつ基板上に均一な衝撃力で現
像液を供給する現像方法を提案している。
【0007】この現像方法においては、スリット状吐出
口を有する現像液吐出ノズルから現像液を吐出しながら
現像液吐出ノズルを基板外の一方側の位置から基板上を
通過して基板外の他方側の位置まで移動させることによ
り基板上に現像液を供給し、基板上に現像液を液盛りす
る。その後、現像液吐出ノズルは、基板外の他方側の位
置から現像液が液盛りされた基板の上方を通って上記と
逆方向に移動し、基板外の一方側の位置に戻る。この動
作を繰り返すことにより、順次搬入される基板に対して
現像処理を順次行うことができる。
【0008】しかしながら、基板上への現像液の供給後
に現像液吐出ノズルを基板外の他方側の位置から基板外
の一方側の位置に戻す際に、現像液吐出ノズルのスリッ
ト状吐出口に残存した現像液が液盛り中の基板上に落下
し、現像均一性が損なわれたり、現像不良が発生するこ
とがある。これを防止するためには、基板上に液盛りさ
れた現像液による現像処理が終了した後に、現像液吐出
ノズルを基板外の他方側の位置から基板外の一方側の位
置に戻すことが考えられる。しかしながら、その場合、
1枚の基板の現像工程に要する時間が長くなり、スルー
プットが低下する。
【0009】本発明の目的は、スループットを低下させ
ることなく、処理液吐出ノズルの吐出口からの処理液の
落下による処理の不均一および処理不良の発生を防止す
ることができる基板処理装置および基板処理方法を提供
することである。
【0010】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持手
段と、処理液を吐出する吐出口を有する処理液吐出ノズ
ルと、基板保持手段に静止状態で保持された基板外の一
方側の位置から基板上を通過して基板外の他方側の位置
まで処理液吐出ノズルを移動させる移動手段と、基板保
持手段に保持された基板外の他方側の位置に配設され、
処理液吐出ノズルの吐出口の処理液を除去する除去手段
とを備えたものである。
【0011】本発明に係る基板処理装置においては、基
板保持手段に静止状態で保持された基板外の一方側の位
置から基板上を通過して基板外の他方側の位置まで処理
液吐出ノズルを移動させつつ処理液吐出ノズルから処理
液を吐出することにより、静止した基板上に処理液が供
給される。その後、基板外の他方側の位置に配設された
除去手段により処理液吐出ノズルの吐出口の処理液が除
去される。
【0012】それにより、処理液吐出ノズルが基板外の
他方側の位置から基板外の一方側の位置へ戻る際に処理
液吐出ノズルの吐出口の処理液が基板上に落下すること
が防止される。したがって、基板上に処理液が供給され
た状態で、処理液吐出ノズルを基板外の他方側の位置か
ら基板の上方を経由して基板外の一方側の位置に戻すこ
とができる。その結果、スループットを低下させること
なく、処理液吐出ノズルの吐出口からの処理液の落下に
よる処理の不均一および処理不良の発生を防止すること
ができる。
【0013】第2の発明に係る基板処理装置は、第1の
発明に係る基板処理装置の構成において、除去手段は、
処理液吐出ノズルの吐出口の処理液を吸引する吸引部を
備えたものである。
【0014】この場合、基板外の他方側の位置で処理液
吐出ノズルの吐出口の処理液が吸引部により吸引され
る。それにより、処理液吐出ノズルの吐出口の処理液が
除去される。
【0015】第3の発明に係る基板処理装置は、第1ま
たは第2の発明に係る基板処理装置の構成において、基
板保持手段に保持された基板外の一方側の位置に配設さ
れ、処理液吐出ノズルに洗浄液を吐出するとともに処理
液吐出ノズルに吐出された洗浄液を吸引する洗浄手段を
さらに備えたものである。
【0016】この場合、基板外の一方側の位置で洗浄手
段により処理液吐出ノズルに洗浄液が吐出されることに
より処理液吐出ノズルが洗浄されるとともに、処理液吐
出ノズルに吐出された洗浄液が吸引される。それによ
り、処理液吐出ノズルの吐出口およびその周辺に付着し
た処理液を除去することができる。したがって、基板保
持手段により静止状態で保持された基板上に処理液吐出
ノズルの吐出口から新鮮な処理液を均一に供給すること
ができる。
【0017】第4の発明に係る基板処理方法は、基板保
持手段に静止状態で保持された基板外の一方側の位置か
ら基板上を通過して基板外の他方側の位置まで処理液吐
出ノズルを移動させつつ基板上に処理液を供給する工程
と、基板保持手段に保持された基板外の他方側の位置で
処理液吐出ノズルの吐出口の処理液を除去する工程とを
備えたものである。
【0018】本発明に係る基板処理方法においては、基
板保持手段に静止状態で保持された基板外の一方側の位
置から基板上を通過して基板外の他方側の位置まで処理
液吐出ノズルを移動させつつ処理液吐出ノズルから処理
液を吐出することにより、静止した基板上に処理液が供
給される。その後、基板外の他方側の位置で処理液吐出
ノズルの吐出口の処理液が除去される。
【0019】それにより、処理液吐出ノズルが基板外の
他方側の位置から基板外の一方側の位置へ戻る際に処理
液吐出ノズルの吐出口の処理液が基板上に落下すること
が防止される。したがって、基板上に処理液が供給され
た状態で、処理液吐出ノズルを基板外の他方側の位置か
ら基板の上方を経由して基板外の一方側の位置に戻すこ
とができる。その結果、スループットを低下させること
なく、処理液吐出ノズルの吐出口からの処理液の落下に
よる処理の不均一および処理不良の発生を防止すること
ができる。
【0020】第5の発明に係る基板処理方法は、第4の
発明に係る基板処理方法において、処理液吐出ノズルの
吐出口の処理液を除去する工程は、処理液吐出ノズルの
吐出口の処理液を吸引する工程を含むものである。
【0021】この場合、基板外の他方側の位置で処理液
吐出ノズルの吐出口の処理液が吸引される。それによ
り、処理液吐出ノズルの吐出口の処理液が除去される。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板処理装置
および基板処理方法の一例として現像装置および現像方
法について説明する。
【0023】図1は本発明の一実施例における現像装置
の平面図、図2は図1の現像装置の主要部のX−X線断
面図、図3は図1の現像装置の主要部のY−Y線断面図
である。
【0024】図2および図3に示すように、現像装置
は、基板100を水平姿勢で吸引保持する基板保持部1
を備える。基板保持部1は、モータ2の回転軸3の先端
部に固定され、鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成さ
れている。基板保持部1の周囲には、基板100を取り
囲むように円形の内側カップ4が上下動自在に設けられ
ている。また、内側カップ4の周囲には、正方形の外側
カップ5が設けられている。
【0025】図1に示すように、外側カップ5の両側に
はそれぞれ待機ポット6,7が配置され、外側カップ5
の一方の側部側にはガイドレール8が配設されている。
また、ノズルアーム9がアーム駆動部10によりガイド
レール8に沿って走査方向Aおよびその逆方向に移動可
能に設けられている。外側カップ5の他方の側部側に
は、純水を吐出する純水吐出ノズル12が矢印Rの方向
に回動可能に設けられている。
【0026】ノズルアーム9には、下端部にスリット状
吐出口15を有する現像液吐出ノズル11がガイドレー
ル8と垂直に取り付けられている。これにより、現像液
吐出ノズル11は、待機ポット6の位置から基板100
上を通過して待機ポット7の位置まで走査方向Aに沿っ
て直線状に平行移動可能となっている。
【0027】待機ポット6内には洗浄吸引ユニット16
が設けられ、待機ポット7内には吸引ユニット17が設
けられている。図3に示すように、洗浄吸引ユニット1
6は、アスピレータ等の吸引源20および洗浄液として
純水を供給する純水供給源21に接続されている、ま
た、吸引ユニット17は、アスピレータ等の吸引源22
に接続されている。
【0028】図2に示すように、現像液吐出ノズル11
には、現像液供給系14により現像液が供給される。制
御部13は、モータ2の回転動作、アーム駆動部10に
よる現像液吐出ノズル11の走査、現像液吐出ノズル1
1からの現像液の吐出、および洗浄吸引ユニット16お
よび吸引ユニット17の動作を制御する。
【0029】本実施例では、基板保持部1が基板保持手
段に相当し、アーム駆動部10が移動手段に相当し、モ
ータ2が駆動手段に相当し、制御部13が制御手段に相
当する。また、洗浄吸引ユニット16が洗浄手段に相当
し、吸引ユニット17が吸引手段に相当する。
【0030】図4に示すように、スリット状吐出口15
は現像液吐出ノズル11の走査方向Aと垂直に配置され
る。スリット状吐出口15のスリット幅tは0.05〜
1.0mmであり、本実施例では0.2mmである。ま
た、スリット状吐出口15の吐出幅Lは、処理対象とな
る基板100の直径と同じかまたはそれよりも大きく設
定され、直径8インチの基板100を処理する場合に
は、本実施例では210mmに設定される。
【0031】現像液吐出ノズル11は、底面が基板10
0の表面に対して平行な状態を保つように走査方向Aに
走査される。スリット状吐出口15と基板100の表面
との間隔は、0.2〜5mm、より好ましくは0.5〜
2mmであり、本実施例では1.5mmである。
【0032】図5は洗浄吸引ユニット16の一部の斜視
図である。図5に示すように、洗浄吸引ユニット16
は、断面ほぼV字形のノズル収納部16aを有し、ノズ
ル収納部16aの底面に複数の吸引口18および複数の
純水吐出口19が設けられている。複数の吸引口18は
図3の吸引源20に接続され、複数の純水吐出口19は
図3の純水供給源21に接続されている。
【0033】現像液吐出ノズル11の先端部が洗浄吸引
ユニット16のノズル収納部16a内に位置すると、図
3の純水供給源21から供給される純水が純水吐出口1
9から吐出されるとともに、図3の吸引源20により吸
引口18を通して現像液吐出ノズル11に吐出された純
水が吸引される。それにより、現像液吐出ノズル11の
スリット状吐出口15およびその周囲に付着した現像液
が除去される。
【0034】図6は吸引ユニット17の一部の斜視図、
図7は現像液吐出ノズル11および吸引ユニット17の
断面図である。
【0035】図6に示すように、吸引ユニット17は、
断面ほぼV字形のノズル収納部17aを有し、ノズル収
納部17aの底面に複数の吸引口23が設けられてい
る。複数の吸引口23は、図3の吸引源22に接続され
ている。
【0036】図7に示すように、現像液吐出ノズル11
の先端部が吸引ユニット17のノズル収納部17a内に
位置すると、図3の吸引源22により吸引口23を通し
て現像液吐出ノズル11のスリット状吐出口15の現像
液が吸引される。それにより、現像液吐出ノズル11の
スリット状吐出口15の現像液が除去される。
【0037】次に、図8および図9を参照しながら図1
の現像装置の動作を説明する。図8(a)に示すよう
に、基板100は基板保持部1により静止状態で保持さ
れている。待機時には、現像液吐出ノズル11は、待機
ポット6内の位置P0に待機している。このとき、現像
液吐出ノズル11の先端部は洗浄吸引ユニット16のノ
ズル収納部16a内に位置している。それにより、洗浄
吸引ユニット16により現像液吐出ノズル11の先端部
が純水により洗浄される。
【0038】現像処理時には、現像液吐出ノズル11が
上昇した後、走査方向Aに移動し、外側カップ5内の走
査開始位置P1で下降する。
【0039】その後、現像液吐出ノズル11は、走査開
始位置P1から所定の走査速度で走査を開始する。この
時点では、現像液吐出ノズル11からまだ現像液の吐出
は行わない。本実施例では、走査速度は10〜500m
m/秒とする。
【0040】現像液吐出ノズル11の走査開始後、現像
液吐出ノズル11のスリット状吐出口15が基板100
上に到達する前に、吐出開始位置P2にて所定の流量で
現像液吐出ノズル11による現像液の吐出を開始する。
本実施例では、現像液の流量は1.2L/分とする。
【0041】現像液吐出ノズル11は、現像液を吐出し
ながら吐出開始位置P2から基板100上を走査方向A
に直線状に移動する(図9参照)。これにより、基板1
00の全面に現像液が連続的に供給される。供給された
現像液は、表面張力により基板100上に保持(液盛
り)される。
【0042】現像液吐出ノズル11が基板100上を通
過した後、基板100上から外れた吐出停止位置P3で
現像液吐出ノズル11による現像液の吐出を停止させ
る。そして、現像液吐出ノズル11が外側カップ5内の
走査停止位置P4に到達した時点で現像液吐出ノズル1
1の走査を停止させる。
【0043】その後、現像液吐出ノズル11は、走査停
止位置P4で上昇した後、他方の待機ポット7の位置P
5まで移動し、待機ポット7内に下降する。このとき、
現像液吐出ノズル11の先端部は吸引ユニット17のノ
ズル収納部17a内に位置する。それにより、吸引ユニ
ット17により現像液吐出ノズル11のスリット状吐出
口15の現像液が吸引により除去される。
【0044】図8(b)に示すように、液盛り終了後、
静止状態の基板100上に現像液が供給された状態を所
定時間維持する。それにより、基板100上の感光性膜
の現像が進行する。この間に、現像液吐出ノズル11
は、待機ポット7から基板100の上方を通過して待機
ポット6に戻る。
【0045】その後、例えば回転数1000rpm程度
で基板100を回転させ、洗浄用の純水吐出ノズル12
から純水を基板100に供給し、現像の進行を停止させ
るとともに純水でリンス処理を行う。
【0046】最後に、純水吐出ノズル12による純水の
供給を停止し、基板100を例えば4000rpmで回
転させ、基板100から純水を振り切り、基板100を
乾燥させる。その後、基板100の回転を停止し、現像
処理を終了する。
【0047】本実施例の現像装置では、基板100上に
現像液が供給された後、待機ポット7内の吸引ユニット
17により現像液吐出ノズル11のスリット状吐出口1
5の現像液が吸引により除去される。そのため、基板1
00上への現像液の液盛り中に現像液吐出ノズル11を
待機ポット7から基板100の上方を経由して待機ポッ
ト6に戻しても、現像液吐出ノズル11のスリット状吐
出口15から現像液が基板100上に落下することがな
い。したがって、基板100への現像液の液盛り中に現
像液吐出ノズル11を待機ポット7から基板100の上
方を経由して待機ポット6に戻すことができる。その結
果、スループットを低下させることなく、現像液の落下
による現像不均一および現像不良の発生を防止すること
ができる。
【0048】また、現像液吐出ノズル11による現像液
の供給前に待機ポット6内の洗浄吸引ユニット16によ
り現像液吐出ノズル11の先端部が洗浄されるので、静
止状態の基板100上に新鮮な現像液を均一に供給する
ことができる。
【0049】さらに、本実施例の現像装置では、現像液
吐出ノズル11が静止した基板100上に到達する前に
現像液の吐出が開始されるので、吐出開始時の現像液が
基板100に衝撃を与えることが回避される。それによ
り、現像液中の気泡の発生が抑制され、現像欠陥の発生
が防止される。
【0050】また、現像液吐出ノズル11の移動中に空
気に接触するスリット状吐出口15付近の現像液が基板
100外に廃棄され、現像液吐出ノズル11が基板10
0上に到達した時点で現像液吐出ノズル11から新しい
現像液が静止した基板100上に供給される。それによ
り、変質した現像液により現像欠陥が発生することが防
止されるとともに、現像液が乾燥することで発生するパ
ーティクルが基板100上の感光性膜の表面に付着する
ことが防止される。
【0051】さらに、現像液吐出ノズル11が静止した
基板100上をスリット状吐出口15と基板100の上
面とが近接した状態で水平方向に直線状に平行移動し、
スリット状吐出口15に形成された帯状の現像液が基板
100の表面に連続的に接触するので、基板100の表
面に衝撃が加わることなく基板100の全面に現像液が
均一に供給される。
【0052】また、現像液吐出ノズル11が基板100
上を通過するまで現像液の供給が続けられるので、吐出
停止時の衝撃による液盛り中の現像液への悪影響が防止
される。その結果、現像欠陥の発生が抑制されるととも
に、現像後の感光性膜パターンの線幅均一性が向上す
る。
【0053】また、現像液吐出ノズル11が基板100
上を通り過ぎた後に現像液の吐出が停止されるので、吐
出停止時の現像液の液だれにより基板100上の感光性
膜に衝撃が加わることが防止される。したがって、現像
欠陥の発生や感光性膜パターンの線幅均一性の劣化が防
止される。
【0054】なお、上記実施例では、本発明をスリット
状吐出口を有する現像液吐出ノズルを用いた現像装置お
よび現像方法に適用した場合を説明したが、本発明は、
他の現像液吐出ノズルを用いた現像装置および現像方法
にも適用することができる。
【0055】また、上記実施例では、本発明を現像装置
および現像方法に適用した場合を説明したが、本発明
は、レジスト液等の塗布液を吐出する塗布液吐出ノズル
を備えた塗布装置および塗布方法など、他の基板処理装
置および基板処理方法にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における現像装置の平面図で
ある。
【図2】図1の現像装置の主要部のX−X線断面図であ
る。
【図3】図1の現像装置の主要部のY−Y線断面図であ
る。
【図4】現像液吐出ノズルのスリット状吐出口を示す図
である。
【図5】洗浄吸引ユニットの一部の斜視図である。
【図6】吸引ユニットの一部の斜視図である。
【図7】現像液吐出ノズルおよび吸引ユニットの断面図
である。
【図8】図1の現像装置の動作を説明するための図であ
る。
【図9】基板上での現像液吐出ノズルの走査を示す平面
図である。
【符号の説明】
1 基板保持部 8 ガイドレール 9 ノズルアーム 10 ノズル駆動部 11 現像液吐出ノズル 13 制御部 14 現像液供給系 15 スリット状吐出口 16 洗浄吸引ユニット 16a,17a ノズル収納部 17 吸引ユニット 18,23 吸引口 19 純水吐出口 20,22 吸引源 21 純水供給源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H096 AA25 GA31 4F041 AA06 AB01 BA05 BA57 BA60 CA02 CA22 CA28 4F042 CC03 CC08 EB24 EB29 5F046 LA03 LA07

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を保持する基板保持手段と、 処理液を吐出する吐出口を有する処理液吐出ノズルと、 前記基板保持手段に静止状態で保持された基板外の一方
    側の位置から前記基板上を通過して基板外の他方側の位
    置まで前記処理液吐出ノズルを移動させる移動手段と、 前記基板保持手段に保持された基板外の前記他方側の位
    置に配設され、前記処理液吐出ノズルの前記吐出口の処
    理液を除去する除去手段とを備えたことを特徴とする基
    板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記除去手段は、前記処理液吐出ノズル
    の前記吐出口の処理液を吸引する吸引部を備えたことを
    特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記基板保持手段に保持された基板外の
    前記一方側の位置に配設され、前記処理液吐出ノズルに
    洗浄液を吐出するとともに前記処理液吐出ノズルに吐出
    された洗浄液を吸引する洗浄手段をさらに備えたことを
    特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 基板保持手段に静止状態で保持された基
    板外の一方側の位置から基板上を通過して基板外の他方
    側の位置まで処理液吐出ノズルを移動させつつ基板上に
    処理液を供給する工程と、 前記基板保持手段に保持された基板外の前記他方側の位
    置で前記処理液吐出ノズルの前記吐出口の処理液を除去
    する工程とを備えたことを特徴する基板処理方法。
  5. 【請求項5】 前記処理液吐出ノズルの前記吐出口の処
    理液を除去する工程は、前記処理液吐出ノズルの前記吐
    出口の処理液を吸引する工程を含むことを特徴とする請
    求項4記載の基板処理方法。
JP23758098A 1998-08-24 1998-08-24 基板処理装置および基板処理方法 Expired - Fee Related JP3970432B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23758098A JP3970432B2 (ja) 1998-08-24 1998-08-24 基板処理装置および基板処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23758098A JP3970432B2 (ja) 1998-08-24 1998-08-24 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000061377A true JP2000061377A (ja) 2000-02-29
JP3970432B2 JP3970432B2 (ja) 2007-09-05

Family

ID=17017434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23758098A Expired - Fee Related JP3970432B2 (ja) 1998-08-24 1998-08-24 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3970432B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009060111A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Semes Co Ltd 基板現像方法及びこれを行うための装置
KR100906714B1 (ko) 2009-04-03 2009-07-07 세메스 주식회사 기판 현상 방법 및 장치
CN101697065B (zh) * 2003-12-26 2012-07-04 东京毅力科创株式会社 显影装置及显影方法
JP2013243284A (ja) * 2012-05-22 2013-12-05 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
JP2013243283A (ja) * 2012-05-22 2013-12-05 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
US8905051B2 (en) 2011-06-15 2014-12-09 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2017092243A (ja) * 2015-11-10 2017-05-25 株式会社Screenホールディングス 膜処理ユニットおよび基板処理装置
US9927760B2 (en) 2012-05-22 2018-03-27 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Development processing device
CN108717251A (zh) * 2018-04-19 2018-10-30 德淮半导体有限公司 清洗装置及方法,显影系统及方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101697065B (zh) * 2003-12-26 2012-07-04 东京毅力科创株式会社 显影装置及显影方法
KR100897351B1 (ko) * 2007-08-31 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 현상 방법 및 장치
JP2011151418A (ja) * 2007-08-31 2011-08-04 Semes Co Ltd 基板現像方法及びこれを行うための装置
US8303197B2 (en) 2007-08-31 2012-11-06 Semes Co., Ltd. Method of developing a substrate and apparatus for performing the same
JP2009060111A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Semes Co Ltd 基板現像方法及びこれを行うための装置
KR100906714B1 (ko) 2009-04-03 2009-07-07 세메스 주식회사 기판 현상 방법 및 장치
US8905051B2 (en) 2011-06-15 2014-12-09 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2013243284A (ja) * 2012-05-22 2013-12-05 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
JP2013243283A (ja) * 2012-05-22 2013-12-05 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
US9927760B2 (en) 2012-05-22 2018-03-27 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Development processing device
US10960426B2 (en) 2012-05-22 2021-03-30 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Development processing device
JP2017092243A (ja) * 2015-11-10 2017-05-25 株式会社Screenホールディングス 膜処理ユニットおよび基板処理装置
US11004702B2 (en) 2015-11-10 2021-05-11 SCREEN Holdings Co., Ltd. Film processing unit and substrate processing apparatus
US12119242B2 (en) 2015-11-10 2024-10-15 SCREEN Holdings Co., Ltd. Film processing method
CN108717251A (zh) * 2018-04-19 2018-10-30 德淮半导体有限公司 清洗装置及方法,显影系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3970432B2 (ja) 2007-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100224462B1 (ko) 세정장치 및 세정방법
JP2008290031A (ja) ノズル洗浄装置
JP3694641B2 (ja) 基板処理装置、現像処理装置及び現像処理方法
JP2004055607A (ja) 基板処理装置
JP3612196B2 (ja) 現像装置、現像方法および基板処理装置
JP3665715B2 (ja) 現像方法及び現像装置
KR100283442B1 (ko) 현상장치및현상방법
JP3970432B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3177728B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP3580664B2 (ja) 現像装置および現像方法
JP3401141B2 (ja) 基板の現像処理方法および装置
JP3616725B2 (ja) 基板の処理方法及び処理装置
JP2008016781A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP3573445B2 (ja) 現像装置及び洗浄装置
JP3425895B2 (ja) 回転式基板乾燥装置および乾燥方法
JP4011040B2 (ja) 現像装置および現像方法
JP4024351B2 (ja) 現像装置
JPH11244760A (ja) 基板処理装置
JP3585704B2 (ja) 現像装置および現像方法
JP2000068188A (ja) 現像装置および現像方法
JP4198219B2 (ja) 現像装置
JP3559182B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH09139375A (ja) 基板端縁処理装置
JP3453022B2 (ja) 現像装置
JP4352084B2 (ja) 現像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040416

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041026

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041124

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20041203

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20050204

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070427

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees