DE69920159T2 - Strommessvorrichtung und telefonendgerät unter verwendung einer solchen strommessvorrichtung - Google Patents

Description

• Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Strommessvorrichtung zum Liefern einer Ausgangsspannung, proportional zu einem an einer Ausgangsklemme zu messenden Strom, wobei die genannte Strommessvorrichtung eine erste Feldeffektanordnung und eine zweite Feldeffektanordnung aufweist.
• Die vorliegende Erfindung bezieht sich ebenfalls auf eine Spannungsmessvorrichtung und ein Telefonendgerät, wobei eine Strommessvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
• Eine Strommessvorrichtung der eingangs beschriebenen Art ist aus der noch nicht überprüften Japanischen Patentanmeldung Nr. 59-221672 bekannt.
• Derartige Strommessvorrichtungen werden häufig in Applikationen verwendet, in denen eine Spannung geschaffen werden soll, die einen Strom darstellt, der in einem Teil einer elektronischen Schaltungsanordnung fließt. Ein Beispiel einer derartigen Applikation ist ein Telefonendgerät, wobei es vorteilhaft ist, dass mehrere Übertragungsparameter von dem Leitungsstrom abhängig gemacht werden. Beispiele derartiger Parameter sind die Verstärkung des Mikrophons und Ohrstückverstärker. Auch die Steuerung der Nebentonbalance kann von dem DC-Leitungsstrom abhängig gemacht werden um eine einwandfreie Nebentonunterdrückung aller Leitungslängen zu gewährleisten.
• In der Strommessvorrichtung nach der oben genannten Japanischen Patentanmeldung wird der zu messende Strom der Source-Elektrode einer ersten Feldeffektanordnung zugeführt. Die Drain-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung ist mit der Source-Elektrode einer zweiten Feldeffektanordnung verbunden. Die Drain-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung ist mit einer Speiseschaltung verbunden. Die Gate-Elektroden der ersten und der zweiten Feldeffektanordnung sind mit einer entsprechenden Bezugsspannung verbunden.
• Die Spannung an der Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung wird sich mit dem zu messenden Strom ändern, weil die zweite Feldeffektanordnung den Gate-Source-Wert auf einen Wert einstellen wird, der dem Eingangsstrom entspricht. Diese Source-Spannung wird einer Source-Folgerschaltung zugeführt, die das Ausgangssignal an der Ausgangsklemme verfügbar macht.
• Weil die Beziehung zwischen der Gate-Source-Spannung und dem Drain-Strom einer Feldeffektanordnung nicht linear ist, wird die Beziehung zwischen dem zu messenden Strom und der Ausgangsspannung auch nicht linear sein. Im Allgemeinen ist eine derartige nicht lineare Beziehung in einer derartigen Messvorrichtung unerwünscht.
• Es ist nun u. a. eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Strommessvorrichtung der eingangs beschriebenen Art zu schaffen, wobei eine lineare Beziehung zwischen dem zu messenden Strom und der Ausgangsspannung erhalten wird.
• Um diese Aufgabe zu erfüllen weist die vorliegende Erfindung das Kennzeichen auf, dass die Strommessvorrichtung einen Stromfühlwiderstand aufweist mit einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss, wobei eine Gate-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung mit dem ersten Anschluss des Stromfühlwiderstandes gekoppelt ist, wobei eine Source-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung mit einem zweiten Anschluss des Stromfühlwiderstandes gekoppelt ist, wobei eine Drain-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung mit einer Stromkopplungsanordnung gekoppelt ist um dafür zu sorgen, dass ein Strom, der von dem Drain-Strom der ersten Feldeffektanordnung abhängig ist, in der zweiten Feldeffektanordnung fließt, und eine Ausgangskopplungsanordnung zum Liefern einer Ausgangsspannung zu einem Ausgangsanschluss, wobei diese Spannung von der Spannung zwischen einer Gate-Elektrode und einer Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung hergeleitet wird.
• Durch Umwandlung der Spannung an einem Stromfühlwiderstand in einen Drain-Strom der ersten Feldeffektanordnung und durch Umwandlung dieses Drain-Stromes in eine Source-Gate-Spannung einer zweiten Feldeffektanordnung, wird eine Ausgangsspannung erhalten, die zu der Spannung an dem Stromfühlwiderstand proportional ist. Die nicht lineare Beziehung zwischen der Gate-Source-Spannung und dem Drain-Strom der ersten Feldeffektanordnung wird durch die gleiche Nichtlinearität der zweiten Feldeffektanordnung kompensiert.
• Eine Ausführungsform der Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung weist das Kennzeichen auf, dass die Strommessvorrichtung eine Offsetspannungsquelle aufweist zum Ausgleichen der Gate-Spannung der ersten Feldeffektanordnung gegenüber der Source-Spannung der ersten Feldeffektanordnung.
• Durch Ausgleich der Gate-Spannung der ersten Feldeffektanordnung gegenüber der Source-Spannung der ersten Feldeffektanordnung wird es möglich, Ströme zu messen, die zu Spannungen an dem Fühlwiderstand führen, die niedriger sind als die Schwellenspannung der ersten Feldeffektanordnung. Wenn die Offsetspannung auf eine geeignete Art und Weise selektiert wird, ist es möglich, Ströme mit Werten startend bei 0 zu messen.
• Eine weitere Ausführungsform der Anordnung nach der vorliegenden Erfindung weist das Kennzeichen auf, dass die Strommessvorrichtung eine weitere Offsetquelle hat zum Ausgleichen der Ausgangsspannung der Strommessvorrichtung gegenüber der Spannung zwischen der Gate- und der Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung.
• Diese zusätzliche Maßnahme ermöglicht es, dass eine Ausgangsspannung erhalten wird, die unabhängig ist von dem Wert der Offsetspannung. Dies ermöglicht es, eine Offsetspannung zu verwenden, die mit der Temperatur variieren darf. Diese Art von Offsetspannungen kann auf einfache Weise an einer integrierten Schaltung erzeugt werden.
• Noch eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Kennzeichen auf, dass die Stromkopplungsanordnung eine Kaskode-Feldeffektanordnung aufweist, die zwischen der Drain-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung und der Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung vorgesehen ist, wobei die Gate-Elektrode der Kaskode-Feldeffektanordnung mit einer Bezugsquelle gekoppelt ist.
• Die Einführung der Kaskode-Feldeffektanordnung führt dazu, dass die Ausgangsimpedanz der ersten Feldeffektanordnung drastisch gesteigert wird. Dies führt zu einem verringerten Einfluss der Speisespannung auf den Drain-Strom der ersten Feldeffektanordnung. Dies hat eine verbesserte Genauigkeit der Messvorrichtung zur Folge.
• Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im vorliegenden Fall näher beschrieben. Es zeigen:
• 1 eine erste Ausführungsform der Strommessvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung,
• 2 eine zweite Ausführungsform der Strommessvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung mit einer verbesserten Genauigkeit,
• 3 eine bevorzugte Ausführungsform der Strommessvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung,
• 4 eine alternative Ausführungsform der Strommessvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung,
• 5 ein Blockschaltbild eines Telefonendgeräts nach der vorliegenden Erfindung.
• In der Strommessvorrichtung nach 1 ist eine erste Klemme V_H mit einer ersten Klemme eines Widerstandes 2 mit einem Wert R sowie mit einer Source-Klemme eines P-MOS-Transistors 4 verbunden. Weiterhin ist die erste Klemme des Widerstandes 2 mit der Massenklemme des P-MOS-Transistors verbunden. Eine zweite Klemme V_L ist mit einer zweiten Klemme des Widerstandes 2 verbunden und mit einer positiven Klemme einer Offset-Quelle 6, die eine Offsetspannung V_B liefert. Eine zweite Klemme der Offset-Quelle 6 ist mit einer Gate-Klemme des P-MOS-Transistors 4 verbunden.
• Eine Drain-Klemme des P-MOS-Transistors 4 ist mit einem Eingang einer Stromkopplungsanordnung 5 verbunden, die in diesem Fall eine einfache Verbindung aufweist. Der Ausgang der Stromkopplungsanordnung 4 ist mit der Source-Elektrode und mit der Masse-Elektrode eines P-MOS-Transistors 10 und mit einer positiven Klemme einer weiteren Offset-Quelle 8 verbunden.
• Eine Drain-Klemme des P-MOS-Transistors 10 und eine Gate-Klemme des P-MOS-Transistors sind mit einer Erdklemme verbunden.
• Der zu messende Strom wird von dem Messwiderstand 2 transportiert. Die Source-Gate-Spannung des P-MOS-Transistors 4 entspricht I·R + V_B. Wenn vorausgesetzt wird, dass der Schwellenwert des P-MOS-Transistors 4 dem Wert V_T entspricht und dass vorausgesetzt wird, dass der P-MOS-Transistor 4 in dem gesättigten Gebiet arbeitet, und zwar derart, dass der Drain-Strom im Wesentlichen unabhängig ist von der Drain-Spannung, dann kann für den Drain-Strom I_D des P-MOS-Transistors 4 Folgendes geschrieben werden:

  
• In (1) ist b₀ die Transkonduktanzkonstante des P-MOS-Transistors, W ist die Breite des MOS-Transistors und L ist die Länge des P-MOS-Transistors. V_GS ist die Gate-Source-Spannung und V_T ist die Schwellenspannung des P-MOS-Transistors. Der Drain-Strom des P-MOS-Transistors 4 wird in die Source-Klemme des P-MOS-Transistors 10 forciert. Dieser Strom wird einen Spannungsabfall V_GS' an dem P-MOS-Transistor 10 verursachen. Die Eigenschaften des P-MOS-Transistors 10 sind derart gewählt worden, dass sie den Eigen schaften des P-MOS-Transistors 4 entsprechen. Für die Beziehung zwischen dem Drain-Strom des P-Mos-Transistors und dem Spannungsabfall V_GS' lässt sich Folgendes finden:

  
• Weil der Drain-Strom des P-MOS-Transistors 4 und der Source-Strom des P-MOS-Transistors 10 einander gleich sind, können (1) und (2) gleichgesetzt werden. Folglich wird für V_GS' Folgendes gefunden: (VSG' – VT) = (I·R + VB – VT); I·R + VB > VT → VSG' = I· R+VB; I·R+VB> VT (3)
• Die Ausgangsspannung V₀ der Strommessschaltung nach 1 entspricht dem Wert V_SG' – V_B. Die Anwendung von (3) ergibt für V₀ einen Wert I·R, wenn I·R + V_B > V_T ist. Folglich wird zwischen der Ausgangsspannung V₀ und dem Strom I eine lineare Beziehung gefunden. Wenn V_B größer ist als V_T, können alle Werte von I größer als 0 gemessen werden. Aus dem Obenstehenden ist ersichtlich, dass das Ausgangssignal V_O unabhängig ist von temperaturabhängigen Eigenschaften bo und V_T der beiden P-MOS-Transistoren. Eine Voraussetzung dazu ist, dass die Eigenschaften der P-MOS-Transistoren 4 und 10 einander entsprechen. Diese Bedingung wird im Allgemeinen erfüllt, wenn die beiden P-MOS-Transistoren auf derselben Lehre integriert sind und wenn sie mit Sorgfalt aneinander angepasst sind.
• Wenn im voraus bekannt ist, dass I·R immer größer ist als V_T, kann auf die Offsetspannungsquellen 6 und 8 verzichtet werden. Wenn es toleriert werden kann, dass die Ausgangsspannung V_O einen Offset gegenüber dem Wert I·R hat, kann auf die Offsetspannung 8 verzichtet werden.
• Wenn der Widerstand R entfernt wird (oder wenn dieser einen höheren Wert erhält), kann die Schaltungsanordnung nach 1 auch als eine Spannungsmessvorrichtung verwendet werden zum Herleiten einer Spannung, die zu einer Spannungsdifferenz zwischen den Klemmen V_H und V_L proportional ist.
• Obenstehend wurde vorausgesetzt, dass der Drain-Strom der P-MOS-Transistoren unabhängig ist von der Drain-Source-Spannung. In der Praxis ist dies nicht ganz der Fall.
• 2 zeigt eine Ausführungsform der Anordnung nach der vorliegenden Erfindung, wobei der Einfluss der Drain-Source-Spannung der P-MOS-Transistoren wesentlich verringert worden ist. In der Anordnung nach 2 umfasst die Stromkopplungs anordnung 13 eine Kaskodeschaltung zum Erhalten einer Stromquelle mit einer zugenommenen Aisgangsimpedanz.
• Die Drain-Elektrode des P-MOS-Transistors 4 ist mit einer Source-Klemme eines P-MOS-Transistors 15 und mit einer Gate-Klemme eines P-MOS-Transistors 11 verbunden. Eine Drain-Klemme des P-MOS-Transistors 11 ist mit einer Gate-Klemme des P-MOS-Transistors 15 verbunden. Die Drain-Klemme des P-MOS-Transistors 15 ist mit der Source-Klamme des P-MOS-Transistors 10 sowie mit einem Eingang eines Puffers 18 verbunden. Der Ausgang des Puffers 18 bildet den Ausgang der Strommessanordnung.
• Die Kombination des P-MOS-Transistors 11 und 15 klemmt die Drain-Spannung des P-MOS-Transistors 4 auf einen Wert, der der Gate-Source-Spannung des P-MOS-Transistors 11 entspricht. Wegen der Reihenschaltung aus dem P-MOS-Transistor 15 und dem P-MOS-Transistor 4 wird eine Stromquelle mit einer hohen Ausgangsimpedanz erhalten. Diese Ausgangsimpedanz wird weiter verbessert, weil die Kombination der P-MOS-Transistoren 11 und 15 als eine Steuerschaltung wirkt, die versucht, die Spannung an der Drain-Klemme des P-MOS-Transistors 4 konstant zu halten.
• Bei der bevorzugten Ausführungsform der Strommessvorrichtung nach 3 werden die Offsetquellen 6 und 8 eingeführt. Die Offsetquellen 6 und 8 werden durch die P-MOS-Transistoren 12 und 26 gebildet, die über eine Fließstromquelle 31 gekoppelt sind. Die Drain-Source-Strecke des P-MOS-Transistors 12 ist zwischen der Klemme V_L und der Gate-Klemme des P-MOS-Transistors 4 vorgesehen. Die Gate-Klemme des P-MOS-Transistors ist mit der Drain-Klemme desselben genannten Transistors verbunden. Die Offsetspannung V_B (Offsetquelle 6) wird nun zwischen der Source-Klemme und der Gate-Klemme des P-MOS-Transistors 12 erzeugt.
• Die Source-Elektrode des P-MOS-Transistors 26 ist mit der Fließstromquelle 31 verbunden und die Gate-Klemme und die Drain-Klemme des P-MOS-Transistors 26 sind nach Erde verbunden.
• Die Fließstromquelle 31 wird durch eine Kombination zweier N-Mos-Transistoren 20 und 30 und zwei P-MOS-Transistoren 22 und 28 gebildet. Die Drain-Klemme des N-MOS-Transistors 20 ist mit der Gate-Klemme des N-MOS-Transistors 20 und mit der Gate-Klemme des N-MOS-Transistors 30 verbunden. Die Source-Klemme des N-MOS-Transistors 20 ist mit der Source-Klemme des P-MOS-Transistors 22 verbunden und die Source-Klemme des N-MOS-Transistors 30 ist mit der Source-Klemme des P- MOS-Transistors 28 verbunden. Die Drain-Klemme des P-MOS-Transistors 22 ist mit der Gate-Klemme des P-MOS-Transistors 22, mit der Gate-Klemme des P-MOS-Transistors 28 und mit der Source-Klemme eines P-MOS-Transistors 24 verbunden. Von dem P-MOS-Transistor 24 ist die Gate-Klemme mit der Drain-Klemme verbunden. Die beiden Klemmen sind nach Erde verbunden.
• Ein Vormagnetisierungsstrom I, der von einer Vormagnetisierungsstromquelle 18 geliefert wird, wird in einen Stromspiegel hinein forciert, der P-MOS-Transistoren 16 und 14 umfasst. Der an der Drain-Klemme des P-MOS-Transistors 14 gelieferte Ausgangsstrom des Stromspiegels fließt in die Reihenschaltung aus dem N-MOS-Transistor 20, dem P-MOS-Transistor 22 und dem P-MOS-Transistor 24. Weil die Transistoren 30, 28 und 26 derart gewählt werden, dass sie dieselben Eigenschaften haben wie die Transistoren 20, 22 bzw. 26, werden an den Klemmen der Transistoren 26 und 24 die gleichen Spannungen vorhanden sein. Dies wird dafür sorgen, dass durch die Reihenschaltung aus den Transistoren 26, 28 und 30 und durch den Transistor 12 ein gleicher Strom I fließt. Folglich wird an den Transistoren 11 und 26 eine gleiche Spannung V_B erzeugt.
• Die Wirkungsweise der Kombination aus den Transistoren 4, 20, 12 und 14 wurde bereits anhand der 1 und 2 erläutert. Die Spannung an dem P-MOS-Transistor 10 ist gleich VH – VL + VB.
• Durch die Rückkopplungsschleife um einen Operationsverstärker 32 und einer Source-Folgerschaltung mit einem N-MOS-Transistor 34 und einem Widerstand 36 wird erhalten, dass die Spannung zwischen den Eingangsklemmen des Operationsverstärkers im Wesentlichen 0 ist. Weil die Spannung an dem P-MOS-Transistor 26 dem Wert V_B entspricht, ist der Ausgang des Source-Folgers gleich (V_H – V_L + V_B) – V_B = V_H – V_L.
• In der alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nach 4 sind die Stromkopplungsmittel 5 der Schaltungsanordnung nach 1 nun durch Stromkopplungsmittel 41 ersetzt worden, die einen Stromspiegel enthalten, der aus N-MOS-Transistoren 40 und 42 besteht. Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach 4 entspricht der Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach 1. Der Operationsverstärker 32 ist vorgesehen um der Schaltungsanordnung mit entsprechenden Treiberfähigkeiten zu versehen.
• Die Spannung an dem Widerstand 2 wird durch den P-MOS-Transistor 4 in einen Strom umgewandelt. Dieser Strom wird durch den N-MOS-Transistor 40 zu dem N-MOS-Transistor 42 gespiegelt, der den gespiegelten Strom zu dem P-MOS-Transistor durchlässt. Auf gleiche Weise wie in Bezug auf 1 beschrieben, wird eine Spannung, die zu der Spannung V_H – V_L proportional ist, an dem P-MOS-Transistor 10 entwickelt. Es hat sich herausgestellt, dass die Ausgangsspannung V_O gegenüber Erde gegenüber der Spannung V_H – V_L invertiert ist und einen Offsetwert V_B aufweist. Wenn dies Probleme in den nachfolgenden Schaltungsanordnungen verursacht, kann ein einfacher Inverter benutzt werden zum Invertieren der Ausgangsspannung V_O.
• Wenn das Ausgangssignal V_O' der Schaltungsanordnung nach 4 zwischen der Gate-Elektrode des P-MOS-Transistors 4 und der Drain-Elektrode des P-MOS-Transistors 10 entnommen wird, wird die Offsetspannung völlig eliminiert, wenn die P-MOS-Transistoren 4 und 10 aneinander angepasst werden und die P-MOS-Transistoren 40 und 42 aneinander angepasst werden.
• In dem Telefonendgerät 50 nach 5 ist die Telefonleitung mit einem Zweiweggleichrichter 52 verbunden, der eine einpolige Spannung schafft, ungeachtet wie die Leitung mit dem Telefonendgerät 50 verbunden ist. Eine erste Klemme des Zweiweggleichrichters 52 ist mit einer ersten Klemme eines Widerstandes 54 und mit einer Source-Klemme eines P-MOS-Transistors 58 verbunden. Eine zweite Klemme des Widerstandes 54 ist mit einer ersten Klemme einer integrierten Schaltung 60 sowie mit einer Gate-Klemme des P-MOS-Transistors 58 verbunden. Eine Drain-Klemme des P-MOS-Transistors 58 ist mit einem zweiten Eingang der integrierten Schaltung 60 und mit einer ersten Klemme eines Strommesswiderstandes 56 verbunden. Eine zweite Klemme des Strommesswiderstandes 56 ist mit einer dritten Klemme der integrierten Schaltung 60 und mit einer Speiseklemme eines Tastenfeldcontrollers 70 verbunden.
• Wenn das Telefonendgerät nicht aufgelegt ist wird die integrierte Schaltung 60 über den Widerstand 54 mit einer Speisespannung versehen. Wenn das Telefonendgerät abgenommen wird, was durch Schließung des Kontaktes 75 detektiert wird, sorgt ein Controller 66 in der integrierten Schaltung 60 dafür, dass die Gate-Spannung des P-MOS-Transistors verringert wird, wodurch der P-MOS-Transistor 58 leitend wird. Dies sorgt dafür, dass zusätzliche Elemente der integrierten Schaltung 60 und der Tastenfeldcontroller mit einer Speisespannung versehen werden.
• Eine Strommessvorrichtung 64, die mit der zweiten und der dritten Klemme der integrierten Schaltung 60 verbunden ist, umfasst eine Schaltungsanordnung nach 1, 2 oder 3 ermittelt den Leitungsstrom aus der Spannung an dem Strommesswiderstand 56.
• In Reaktion auf den Wert des Leitungsstromes setzt der Controller 66 einige Parameter der Leitungsschnittstelle auf einen entsprechenden Wert. Diese Parameter können die Verstärkung sein, die für das Mikrophon 74 verwendet wird, und die Verstärkung für das Ohrstück 72, aber diese Parameter werden ebenfalls dazu verwendet, eine optimale Nebentonunterdrückung zu erzielen. Diese Verstärkungswerte werden bei abnehmendem Leitungsstrom zunehmen, weil ein niedrigerer Leitungsstrom auf eine längere Leitung mit mehr DC-Widerstand, aber auch mit einer größeren Dämpfung für das Audiosignal hinweist.
• Die Tastenfeldschnittstelle 70 ist vorgesehen zum Decodieren der von dem Tastenfeld erhaltenen Signale und zum Erzeugen von DTMF-Signalen, wie diese zum Wählen und für andere Signalisierungszwecke benutzt werden.
• 2

18

Puffer

• 5

62

Leitung

64

Strommessvorrichtung

66

Controller

68

Speisung

Claims (9)

1. Strommessvorrichtung zum Schaffen einer Ausgangsspannung, proportional zu einem an einem Ausgangsanschluss zu messenden Strom, wobei die genannte Strommessvorrichtung eine erste Feldeffektanordnung und eine zweite Feldeffektanordnung aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldeffektanordnungen aufeinander abgestimmt sind und die Strommessvorrichtung einen Stromfühlwiderstand aufweist mit einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss, wobei eine Gate-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung mit dem ersten Anschluss des Stromfühlwiderstandes gekoppelt ist, wobei eine Source-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung mit einem zweiten Anschluss des Stromfühlwiderstandes gekoppelt ist, wobei eine Drain-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung mit einer Stromkopplungsanordnung gekoppelt ist um dafür zu sorgen, dass ein Strom, der von dem Drain-Strom der ersten Feldeffektanordnung abhängig ist, in der zweiten Feldeffektanordnung fließt, und eine Ausgangskopplungsanordnung zum Liefern einer Ausgangsspannung zu einem Ausgangsanschluss, wobei diese Spannung von der Spannung zwischen einer Gate-Elektrode und einer Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung hergeleitet wird.
2. Strommessvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Strommessvorrichtung eine Offsetspannungsquelle aufweist zum Ausgleichen der Gate-Spannung der ersten Feldeffektanordnung gegenüber der Source-Spannung der ersten Feldeffektanordnung.
3. Strommessvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Strommessvorrichtung eine weitere Offsetquelle hat zum Ausgleichen der Ausgangsspannung der Strommessvorrichtung gegenüber der Spannung zwischen der Gate- und der Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung.
4. Strommessvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromkopplungsanordnung eine Kaskode-Feldeffektanordnung aufweist, die zwischen der Drain-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung und der Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung vorgesehen ist, wobei die Gate-Elektrode der Kaskode-Feldeffektanordnung mit einer Bezugsquelle gekoppelt ist.
5. Spannungsmessvorrichtung zum Liefern einer Ausgangsspannung an einem Ausgangsanschluss, wobei diese Spannung einer Spannung zwischen einem ersten und einem zweiten Eingangsanschluss proportional ist, wobei die genannte Spannungsmessanordnung ein erste und eine zweite Feldeffektanordnung aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldeffektanordnungen aneinander angepasst sind und wobei eine Gate-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung mit dem ersten Eingangsanschluss gekoppelt ist, wobei eine Source-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung mit dem zweiten Eingang gekoppelt ist, wobei eine Drain-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung mit einer Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung gekoppelt ist, wobei eine Drain-Elektrode und eine Gate-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung mit einer Bezugsspannung gekoppelt ist, wobei die Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung mit dem Ausgangsanschluss gekoppelt ist.
6. Spannungsmessvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsmessvorrichtung eine Offsetspannungsquelle aufweist zum Ausgleichen der Gate-Spannung der ersten Feldeffektanordnung gegenüber der Source-Spannung der ersten Feldeffektanordnung.
7. Spannungsmessvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Strommessvorrichtung eine weitere Offsetquelle aufweist zum Ausgleichen der Ausgangsspannung der Strommessvorrichtung gegenüber der Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung.
8. Spannungsmessanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung eine Kaskode-Feldeffektanordnung aufweist, die zwischen der Drain-Elektrode der ersten Feldeffektanordnung und der Source-Elektrode der zweiten Feldeffektanordnung gekoppelt ist, wobei die Gate-Elektrode der Kaskode-Feldeffektanordnung mit einer Bezugsquelle gekoppelt ist.
9. Telefonendgerät mit einer Strommessvorrichtung nach einem der Ansprüche 1-4.