Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

DE4434053C2 - Referenzspannungserzeugungsschaltung für Halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents

Referenzspannungserzeugungsschaltung für Halbleiterspeichervorrichtung

Info

Publication number
DE4434053C2
DE4434053C2 DE4434053A DE4434053A DE4434053C2 DE 4434053 C2 DE4434053 C2 DE 4434053C2 DE 4434053 A DE4434053 A DE 4434053A DE 4434053 A DE4434053 A DE 4434053A DE 4434053 C2 DE4434053 C2 DE 4434053C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
power supply
electrode
reference voltage
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4434053A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4434053A1 (de
Inventor
Jun Nakai
Yuto Ikeda
Takeshi Kajimoto
Yuichiro Komiya
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE4434053A1 publication Critical patent/DE4434053A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4434053C2 publication Critical patent/DE4434053C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Referenzspan­ nungserzeugungsschaltung für eine Halbleiterspeichervorrichtung.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich genauer auf eine Refe­ renzspannungserzeugungsschaltung, die in einer Halbleitervor­ richtung wie einem dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) verwendet wird und eine Referenzspannung zum Erhalten ei­ ner internen Stromversorgungsspannung (Int.Vcc) aus einer exter­ nen Stromversorgungsspannung (Ext.Vcc) erzeugt.
Fig. 8 ist ein Blockschaltbild, das ein Beispiel eines herkömm­ lichen DRAM zeigt. Wie in Fig. 8 gezeigt ist, weist der DRAM eine Zustandserkennungsschaltung 1, eine Takterzeugungsschal­ tung 2, ein Gatter 3, einen Zeilen- und Spaltenadreßpuffer 4, einen Zeilendekoder 5, einen Spaltendekoder 6, eine Lese-Auf­ frisch-Verstärker- und Eingabe-/Ausgabe-Steuerschaltung 7, ein Speicherzellenfeld 8, einen Eingabepuffer 9, einen Ausgabepuffer 10, eine Erniedrigungsschaltung 11 für eine interne Spannung und eine Null-Leistung-An-Rücksetzschaltung 15 auf. Der derart auf­ gebaute DRAM führt einen vorgeschriebenen Betrieb als Reaktion auf ein Spaltenadreßtaktsignal/CAS ("/" bezeichnet ein inver­ tiertes Signal), ein Zeilenadreßtaktsignal/RAS und ein Schreib- Freigabesignal/WE zur Speicherung von Daten in einer vorge­ schriebenen Speicherzelle in dem Speicherzellenfeld 8, die Zei­ len- und Spaltenadressen entspricht, die durch Adreßsignale A0 bis A11 bezeichnet sind, und zum Auslesen von darin gespeicherten Daten aus. Zu spei­ chernde Daten werden an eine Speicherzelle im Speicherzellen­ feld 8 über den Eingabepuffer 9 angelegt, und auszulesende Daten werden über den Ausgabepuffer 10 geliefert. Die Erniedrigungs­ schaltung 11 für eine interne Spannung wandelt eine externe Stromversorgungsspannung (Ext.Vcc) in eine interne Stromversor­ gungsspannung (Int.Vcc) herunter. Die Null-Leistung-An-Rück­ setzsignalerzeugungsschaltung 15 erzeugt ein Null-Leistung-An- Rücksetzsignal auf ein Anschalten der Stromversorgung.
Fig. 9 ist eine schematische Darstellung, die ein Beispiel der Erniedrigungsschaltung für eine interne Spannung, die in Fig. 8 gezeigt ist, zeigt. Wie in Fig. 9 gezeigt ist, weist die Ernied­ rigungsschaltung 11 für eine interne Spannung eine Referenzspan­ nungserzeugungsschaltung 12, eine Stromspiegelschaltung 13 und einen Treiber 14 auf. Die Referenzspannungserzeugungsschal­ tung 12 erzeugt als Reaktion auf die externe Stromversorgungs­ spannung Ext.Vcc eine Referenzspannung und liefert die Referenz­ spannung an die Stromspiegelschaltung 13. Die Stromspiegelschal­ tung 13 weist Transistoren Tr11 bis Tr14 und eine Konstantstrom­ quelle J1 auf. Durch eine Ausgabe der Stromspiegelschaltung 13 wird der Treiber 14 getrieben. Der Treiber 14 weist einen Tran­ sitor Tr15 auf und ist mit einer Konstantstromquelle J2 verbun­ den.
Der Betrieb der Erniedrigungsschaltung 11 für eine interne Span­ nung, die in Fig. 9 gezeigt ist, wird nun beschrieben. Wenn eine von einem Knoten N1 gelieferte interne Stromversorgungsspannung höher als eine Referenzspannung, die von der Referenzspannungs­ erzeugungsschaltung 12 geliefert wird, wird, ist der Wert eines durch den Transistor Tr14 fließenden Stromes größer als der Wert eines durch den Transistor Tr13 fließenden Stromes. Als Folge wird das Potential an einem Knoten N2 erhöht, so daß der Transi­ stor Tr15 des Treibers 14 leicht leitend oder nicht-leitend ge­ macht wird. Das resultiert in einer Abnahme oder einem Stop des Stromflusses bzw. der Stromversorgung vom Transistor Tr15 zum Knoten N1, was die interne Stromversorgungsspannung auf dasselbe Niveau wie die Referenzspannung reduziert.
Umgekehrt ist, wenn eine interne Stromversorgungsspannung nied­ riger als eine Referenzspannung wird, der Wert eines durch den Transistor Tr14 fließenden Stromes kleiner als der des durch den Transistor Tr13 fließenden Stromes, so daß ein Potential am Kno­ ten N2 reduziert wird, was den Transistor Tr15 leitend macht. Dieses liefert genügend Stromfluß vom Transistor Tr15 zum Knoten N1, was die interne Stromversorgungsspannung auf dasselbe Niveau wie die Referenzspannung anhebt.
Aus der EP 0 564 280 A2 ist eine Referenzspannungserzeugungs­ schaltung für eine Halbleiterspeichereinrichtung bekannt, die eine Referenzspannung erzeugt, die in einen Komparator eingege­ ben wird, der eine interne Versorgungsspannung ausgibt. Falls die interne Versorgungsspannung niedriger als die Referenzspan­ nung ist, wird von einer weiteren Referenzspannungserzeugungs­ schaltung ein Signal ausgegeben, durch welches ein Treibertran­ sistor derart angesteuert wird, daß die externe Stromversor­ gungsspannung direkt als die interne Stromversorgungsspannung ausgegeben wird. Das erfolgt rein statisch auf das oben be­ schriebene Unterschreiten hin und nicht mittels einer am Anschalten der Stromversorgung orientierten Steuerung.
Aus IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 27, No. 7, Juli 1992, Seiten 1020-1026, insbesondere Fig. 6, ist eine Referenz­ spannungserzeugungsschaltung für eine Halbleiterspeichereinrich­ tung bekannt, bei der eine Reihenschaltung eines Widerstandes und eines MOS-Transistors zur Bestimmung der Referenzspannung verwendet wird.
Fig. 10 ist eine schematische Darstellung, die ein Beispiel der in Fig. 9 gezeigten Referenzspannungserzeugungsschaltung zeigt. Wie in Fig. 10 gezeigt ist, wird die externe Stromversorgungs­ spannung Ext.Vcc an die Source eines p-Kanal-Transistors Tr1 über einen Widerstand R1 angelegt. Das Drain des Transistors Tr1 ist mit dem Drain und dem Gate eines n-Kanal-Transistors Tr2 verbunden. Die Source des Transistors Tr2 ist auf Masse gelegt. Eine Verbindung des Widerstandes R1 und der Source des Transi­ stors Tr1 ist mit dem Gate eines p-Kanal-Transistors Tr3 ver­ bunden. Die Source des Transistors Tr3 wird mit der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc versorgt, und die Drain des Transistors Tr3 ist mit dem Gate des Transistors Tr1 und dem Drain eines n-Kanal-Transistors Tr4 verbunden. Das Gate des Transistors Tr4 wird mit der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc versorgt, und die Source des Transistors Tr4 ist auf Masse gelegt.
Das Drain des Transistors Tr2 ist mit dem Gate eines n-Kanal- Transistors Tr6 verbunden. Das Drain des Transistors Tr6 ist mit dem Drain und mit dem Gate eines p-Kanal-Transistors Tr5 und dem Gate eines p-Kanal-Transistors Tr7 verbunden, und seine Source ist auf Masse gelegt. Die Sources des Transistors Tr5 und des Transistors Tr7 werden mit der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc versorgt. Das Drain des Transistors Tr7 ist mit der Source eines p-Kanal-Transistors Tr8, der eine kleine Stromtrei­ berfähigkeit aufweist, verbunden. Das Drain und Gate des Transi­ stors Tr8 sind auf Masse gelegt. Eine Referenzspannung wird von einer Verbindung des Drains des Transistors Tr7 und der Source des Transistors Tr8 geliefert.
Es wird nun die Beschreibung des Betriebes der herkömmlichen Re­ ferenzspannungserzeugungsschaltung gegeben, die in Fig. 10 ge­ zeigt ist. Wenn die externe Stromversorgungsspannung Ext.Vcc auf ein gewisses (bestimmtes) Niveau nach dem Anschalten der Strom­ versorgung ansteigt, fließt ein Strom I=Vtp/R durch den Wider­ stand R1 und die Transistoren Tr1 und Tr2, wobei Vtp eine Schwellspannung des Transistors Tr3 und R einen Widerstandswert des Widerstands R1 darstellt. Ein solcher Stromfluß verursacht einen Stromfluß durch die Transistoren Tr3 und Tr4. Das Leiten des Transistors Tr2 macht auch den Transistor Tr6 leitend, und ein Strom fließt auch durch die Transistoren Tr5 und Tr6. Dieses macht den Transistor Tr7 leitend, und ein Strom fließt durch die Transistoren Tr7 und Tr8, so daß eine Referenzspannung von der Verbindung der Transistoren Tr7 und Tr8 geliefert wird.
Fig. 11 ist ein Graph, der die Anstiegscharakteristiken der ex­ ternen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc und der internen Strom­ versorgungsspannung Int.Vcc, die basierend auf der Referenzspan­ nung von der Referenzspannungserzeugungsschaltung geliefert wird, zeigt. Bei der in Fig. 10 gezeigten herkömmlichen Refe­ renzspannungserzeugungsschaltung fließt, wenn die externe Strom­ versorgungsspannung Ext.Vcc ein gewisses (bestimmtes) Niveau auf das Anschalten der Stromversorgung hin erreicht, ein Strom I=Vtn/R, so daß die Referenzspannung schnell ansteigt und die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc ebenfalls schnell an­ steigt, wie in Fig. 11 gezeigt ist, was ein unerwünschtes Sper­ ren (Latch-up) verursacht.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Referenzspan­ nungserzeugungsschaltung zu ermöglichen, die eine Referenzspan­ nung erzeugt, die der Anstiegscharakteristik einer externen Strom­ versorgungsspannung folgt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Referenzspannungserzeu­ gungsschaltung nach Anspruch 1.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen ge­ kennzeichnet.
Die Referenzspannungserzeugungsschaltung nach einer Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung weist auf: Eine erste Schaltung mit einem Widerstand, einem ersten Transistor eines ersten Lei­ tungstyps und einem zweiten Transistor eines zweiten Leitungs­ typs, die zwischen einer Stromversorgung und einer Erde (Masse) verbunden bzw. geschaltet sind; und eine Stromspiegelschaltung, die einen dritten und einen vierten Transistor des ersten Lei­ tungstyps aufweist, wobei die ersten Elektroden des dritten und des vierten Transistors mit der Stromversorgung verbunden sind; einen fünften Transistor des zweiten Leitungstyps, dessen Einga­ beelektrode mit einer ersten Elektrode des in der ersten Schal­ tung enthaltenen zweiten Transistors verbunden ist, dessen erste Elektrode mit einer zweiten Elektrode des in der Stromspiegel­ schaltung enthaltenen dritten Transistors verbunden ist und des­ sen zweite Elektrode auf Erde (Masse) gelegt ist; einen sechsten Transistor des ersten Leitungstyps, dessen Eingabeelektrode auf Erde (Masse) gelegt ist, dessen erste Elektrode mit einer zwei­ ten Elektrode des in der Stromspiegelschaltung enthaltenen vier­ ten Transistors verbunden ist und eine Referenzspannung liefert und dessen zweite Elektrode auf Erde (Masse) gelegt ist; und eine Steuerschaltung zum Steuern der von der ersten Elektrode des sechsten Transistors gelieferten Referenzspannung auf das Anschalten der Stromversorgung hin, so daß sie der Anstiegscha­ rakteristik der Stromversorgung folgt.
Die von der Stromspiegelschaltung auf das Anschalten der Strom­ versorgung hin gelieferte Referenzspannung wird so gesteuert, daß sie den Anstiegscharakteristiken der Stromversorgung folgt, wodurch ein unerwünschtes Verriegeln (Latch-up) nicht stattfin­ den kann, wenn eine interne Stromversorgungsspannung eines DRAM erzeugt wird.
Bevorzugterweise weist die Steuerschaltung ein Steuerelement auf, das die Leitung bzw. Leitfähigkeit des sechsten Transistors als Reaktion auf die Anstiegscharakteristiken der Stromversor­ gung steuert. Das Steuerelement weist einen siebten Transistor des ersten Leitungstyps auf, der zwischen eine Eingabeelektrode des fünften Transistors und die Stromversorgung verbunden bzw. geschaltet ist, und der während eines vorbestimmten Zeitraums nach dem Anschalten der Stromversorgung leitet, um die Stromver­ sorgungsspannung an die Eingabeelektrode des fünften Transistors zu liefern.
Das Steuerelement weist weiter einen achten Transistor des zwei­ ten Leitungstyps auf, der zwischen einer Eingabeelektrode des in der Stromspiegelschaltung enthaltenen vierten Transistors und Erde (Masse) verbunden bzw. geschaltet ist, und der während ei­ nes vorbestimmten Zeitraums nach dem Anschalten der Stromversor­ gung leitet, um den vierten Transistor leitend zu machen.
Bevorzugterweise weist die Steuerschaltung einen neunten Transi­ stor des ersten Leitungstyps auf, dessen erste Elektrode mit ei­ ner Spannung, die der Hälfte der Stromversorgungsspannung ent­ spricht, versorgt wird, dessen zweite Elektrode mit der ersten Elektrode des sechsten Transistors verbunden ist, und der wäh­ rend eines vorbestimmten Zeitraums nach dem Anschalten der Stromversorgung leitet, um eine Referenzspannung zu liefern, die als Reaktion auf den Anstieg der Hälfte der Stromversorgungs­ spannung ansteigt.
Bevorzugterweise weist die Steuerschaltung einen zehnten und einen elften Transistor des ersten Leitungstyps auf, die in Reihe zwischen die Stromversorgung und die erste Elektrode des sechsten Transistors geschaltet sind, und die während eines vor­ bestimmten Zeitraumes nach dem Anschalten der Stromversorgung leiten, um an die erste Elektrode des sechsten Transistors eine Spannung anzulegen, die um eine Schwellspannung des elften Tran­ sistors niedriger als die Stromversorgungsspannung ist.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Schaltung ent­ sprechend einer Ausführungsform;
Fig. 2 einen Graph, der Anstiegscharakteristiken einer externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc und ei­ ner internen Stromversorgungsspannung Int.Vcc zeigt, die basierend auf einer in der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform erzeugten Referenzspan­ nung erzeugt werden;
Fig. 3 einen Graph, der eine Verbesserung der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform zeigt;
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer Schaltung, die eine andere Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung zeigt;
Fig. 5 einen Graph, der den Betrieb der in Fig. 4 gezeig­ ten Ausführungsform zeigt;
Fig. 6 eine schematische Darstellung einer Schaltung nach einer weiteren Ausführungsform;
Fig. 7 eine schematische Darstellung, die den Hauptteil einer Schaltung einer abermals weiteren Ausfüh­ rungsform zeigt;
Fig. 8 ein Blockschaltbild, das ein Beispiel eines her­ kömmlichen DRAM zeigt;
Fig. 9 eine schematische Darstellung, die ein Beispiel der in Fig. 8 gezeigten Erniedrigungsschaltung für eine interne Spannung zeigt;
Fig. 10 eine schematische Darstellung einer herkömmlichen Referenzspannungserzeugungsschaltung; und
Fig. 11 einen Graph, der Anstiegscharakteristiken der in­ ternen Stromversorgungsspannung Int.Vcc zeigt, die aus der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc, basierend auf einer Referenzspannung, die von der in Fig. 10 gezeigten Referenzspannungserzeugungsschaltung erzeugt wird, erzeugt wird.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Schaltung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist die Referenzspannungserzeugungsschaltung ver­ gleichbar zu der in Fig. 10 gezeigten herkömmlichen Schaltung aufgebaut, ausgenommen das Vorsehen eines p-Kanal-Transistors Tr9. Das Gate des Transistors Tr9 wird mit einem Null-Leistung- An-Rücksetzsignal ZPOR versorgt, das ein L(logisch niedrig)-Ni­ veau nur während eines vorbestimmten Zeitraums nach dem Anschal­ ten der Stromversorgung erreicht, und das auf ein H(logisch hoch) -Niveau ansteigt, nachdem der Zeitraum abgelaufen bzw. ver­ strichen ist. Das Null-Leistung-An-Rücksetzsignal ZPOR wird von der Null-Leistung-An-Rücksetzsignalerzeugungsschaltung 15 ge­ liefert, die in dem in Fig. 8 gezeigten DRAM vorgesehen ist. Das Drain des Transistors Tr9 wird mit der externen Stromversor­ gungsspannung Ext.Vcc versorgt, und die Source des Transistors Tr9 ist mit dem Drain des Transistors Tr1 und dem Gate des Tran­ sistors Tr2 verbunden.
Fig. 2 ist ein Graph, der die Anstiegscharakteristik in der in­ ternen Stromversorgungsspannung Int.Vcc zeigt, die basierend auf einer Referenzspannung, die in der in Fig. 1 gezeigten Ausfüh­ rungsform erzeugt wird, und der externen Stromversorgungsspan­ nung Ext.Vcc erzeugt wird.
Bei der in Fig. 1 gezeigten Referenzspannungserzeugungsschaltung erreicht auf das Anschalten der Stromversorgung hin das Null- Leistung-An-Rücksetzsignal ZPOR ein L-Niveau. Der Transistor Tr9 wird dann leitend, und die externe Stromversorgungsspannung Ext.Vcc wird am Knoten a bzw. b angelegt. Als eine Folge wird der Transistor Tr6 leitend, wodurch ein Stromfluß durch die Transistoren Tr5 und Tr6 und derart durch die Transistoren Tr7 und Tr8 verursacht wird, so daß eine Referenzspannung ansteigt, wobei sie dem Anstieg der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc folgt. Das Null-Leistung-An-Rücksetzsignal ZPOR erreicht nach einem vorbestimmten Zeitraum ein H-Niveau, wodurch der Transistor Tr9 nicht-leitend wird. Nachdem die externe Stromver­ sorgungsspannung Ext.Vcc ein gewisses (bestimmtes) Niveau er­ reicht hat, arbeitet die Schaltung vergleichbar zu der oben er­ wähnten herkömmlichen Schaltung aus Fig. 10.
Daher steigt bei der vorliegenden Ausführungsform, wenn die ex­ terne Stromversorgungsspannung Ext.Vcc nach dem Anschalten der Stromversorgung ansteigt, wie es in Fig. 2 durch die gestri­ chelte Linie gezeigt ist, die Referenzspannung dem Anstieg der externen Stromversorgungsspannung glatt bzw. angepaßt folgend an. Demzufolge steigt die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc, die basierend auf der Referenzspannung erzeugt wird, ebenfalls dem Anstieg der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc glatt folgend an, wie durch die durchgezogene Linie in Fig. 2 dargestellt ist, und sie wird nach einem vorbestimmten Zeitraum konstant.
Fig. 3 ist ein Graph, der eine Verbesserung der in Fig. 1 ge­ zeigten Ausführungsform zeigt. Bei der Ausführungsform aus Fig. 1 wird das Gate des Transistors Tr9 mit dem Null-Leistung- An-Rücksetzsignal ZPOR versorgt, welches auf das Anschalten der Stromversorgung hin ein L-Niveau erreicht, und das nach einem vorbestimmten Zeitraum H wird. Als ein Ergebnis überschießt (überschwingt) die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc, wie durch die durchgezogene Linie in Fig. 2 gezeigt ist. Falls je­ doch das Gate des Transistors Tr9 mit der Referenzspannung ver­ sorgt wird, wird die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc nicht überschwingen, wie in Fig. 3 gezeigt ist.
Fig. 4 ist eine schematische Darstellung einer Schaltung einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und Fig. 5 ist ein Graph, der ein Leistung-An-Rücksetzsignal POR zeigt, das in der Ausführungsform aus Fig. 4 verwendet wird.
Die in Fig. 4 gezeigte Ausführungsform entspricht der in Fig. 10 gezeigten herkömmlichen Schaltung, wobei ein n-Kanal-Transistor TR10 hinzugefügt ist. Das Drain des n-Kanal-Transistors Tr10 ist mit dem Drain und dem Gate des Transistors Tr5 verbunden, und seine Source ist auf Masse gelegt. Das Gate des Transistors Tr10 wird mit dem Leistung-An-Rücksetzsignal POR versorgt. Das Lei­ stung-An-Rücksetzsignal POR ist eine Inversion (entgegengesetzte Polarität) des bei Fig. 1 beschriebenen Null-Leistung-An- Rücksetzsignals ZPOR. Wie in Fig. 5 gezeigt, ist das Leistung- An-Rücksetzsignal POR auf einem H-Niveau für einen vorbestimmten Zeitraum nach dem Anschalten der Stromversorgung und wird nach dem vorbestimmten Zeitraum L. Auf das Anschalten der Stromver­ sorgung hin leitet der Transistor Tr10, wodurch das Gate des Transistors Tr7 auf ein L-Niveau gebracht wird. Dies ermöglicht dem Transistor Tr7 zu leiten, so daß die Referenzspannung glatt ansteigt, wobei sie dem Anstieg der externen Stromversorgungs­ spannung Ext.Vcc folgt. Darum, wenn die interne Stromversor­ gungsspannung Int.Vcc aus der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc basierend auf der die in der vorliegenden Ausführungs­ form erzeugten Referenzspannung erzeugt wird, kann die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc glatt ansteigen, wobei sie dem Anstieg der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc folgt, wo­ durch ein unerwünschtes Verriegeln (Latch-up) verhindert wird.
Bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform wird das Null-Lei­ stung-An-Rücksetzsignal, das auf das Anschalten der Stromversor­ gung hin ein Masseniveau erreicht, an das Gate des n-Kanal-Tran­ sistors Tr9 angelegt, wodurch der Knoten b auf das Niveau der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc gebracht wird, um so den Transistor Tr6 leitend zu machen bzw. zur Leitung zu zwin­ gen. Bei diesem Verfahren bleibt der Transistor Tr9 nur bzw. ausschließlich leitend (d. h. volle Leitfähigkeit), da sein Gate auf einem Massenivau ist, wodurch ein Potential auf dem Niveau der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc an das Gate des Transistors Tr6 angelegt wird. Dieses ermöglicht dem Transistor Tr6 vollständig zu leiten, so daß ein Durchführstrom zwischen dem Anschluß der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc und Masse durch den Transistor Tr9 und dem Transistor Tr6 fließt. Im Gegensatz dazu wird bei der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform das Gate des Transistors Tr6 nicht auf dem Niveau der externen Stromversorgungsspannung Ext.Vcc festgelegt, so daß ein Durch­ führstrom nicht durch den Transistor Tr6 fließen wird. Obwohl auch in dieser Ausführungsform ein Durchführstrom durch die Transistoren Tr7 und Tr8 fließt, wird der Betrag derselben durch die kleine Stromtreiberfähigkeit des Transistors Tr8 nicht zu groß.
Fig. 6 ist eine schematische Darstellung einer Schaltung nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei dieser Ausführungsform sind die Source und das Drain eines p-Ka­ nal-Transistors Tr11 zwischen den Ausgabeanschluß der Refe­ renzspannung und eine 1/2Vcc-Leitung verbunden bzw. geschaltet, und das Gate desselben wird mit dem Null-Leistung-An-Rücksetzsi­ gnal ZPOR versorgt. Der Transistor Tr11 leitet, wenn das Null- Leistung-An-Rücksetzsignal ZPOR auf das Anschalten der Stromver­ sorgung hin L wird, so daß 1/2Vcc als die Referenzspannung ge­ liefert wird, wodurch ein Durchführstrom am Fließen wie in der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform gehindert wird. Zusätzlich kann ein Überschwingen, wie es bei der in Fig. 1 gezeigten Aus­ führungsform stattfindet, verhindert werden, da 1/2Vcc als die Referenzspannung geliefert wird. Anstelle von Vcc können VBL oder VCP verwendet werden.
Fig. 7 ist eine schematische Darstellung, die eine weitere Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bei der in Fig. 7 gezeigten Ausführungsform werden die Transistoren Tr12 und Tr13 anstelle des Transistors Tr11 aus Fig. 6 verwendet, welche in Reihe zwischen den Anschluß für die externe Stromversorgungs­ spannung Ext.Vcc und den Ausgabeanschluß für die Referenzspan­ nung geschaltet bzw. verbunden sind. Das Gate des Transistors Tr12 wird mit dem Null-Leistung-An-Rücksetzsignal ZPOR versorgt, und das Gate des Transistors Tr13 ist auf Masse gelegt.
Bei dieser Ausführungsform leitet der Transistor Tr12 durch das Null-Leistung-An-Rücksetzsignal ZPOR auf das Anschalten der Stromversorgung hin, so daß eine Spannung, die um eine Schwell­ spannung des Transistors Tr13 niedriger als die externe Strom­ versorgungsspannung Ext.Vcc ist, als die Referenzspannung gelie­ fert wird. Diese Ausführungsform hat außerdem den Vorteil, daß ein Anfangswert der Referenzspannung willkürlich bzw. frei durch das Verhältnis der Transistoren Tr12 und Tr8 eingestellt werden kann.
Wie oben beschrieben ist, wird entsprechend den Ausführungsfor­ men die Referenzspannung, die von der Stromspiegelschaltung auf das Anschalten der Stromversorgung hin geliefert wird, so ge­ steuert, daß sie den Anstiegscharakteristiken der Stromversor­ gung folgt, wodurch kein unerwünschtes Verriegeln stattfindet, wenn die Schaltung zur Erzeugung einer internen Stromversor­ gungsspannung eines DRAM verwendet wird.

Claims (7)

1. Referenzspannungserzeugungsschaltung für eine Halbleiter­ speichervorrichtung mit
einer ersten Schaltung, bei der ein Widerstand (R1) und ein er­ ster Transistor (Tr1) eines ersten Leitungstyps und ein zweiter Transistor (Tr2) zweiten Leitungstyps zwischen eine Stromver­ sorgung und Masse verbunden sind,
einer Stromspiegelschaltung mit einem dritten und einem vierten Transistor (Tr5, Tr7) des ersten Leitungstyps, wobei die ersten Elektroden des dritten und des vierten Transistor mit der Strom­ versorgung verbunden sind;
einem fünften Transistor (Tr6) des zweiten Leitungstyps, dessen Eingabeelektrode mit einer ersten Elektrode des in der ersten Schaltung enthaltenen zweiten Transistors (Tr2) verbunden ist, dessen erste Elektrode mit einer zweiten Elektrode des in der Strom­ spiegelschaltung enthaltenen dritten Transistors (Tr5) verbunden ist und dessen zweite Elektrode auf Masse gelegt ist;
einem sechsten Transistor (Tr8) des ersten Leitungstyps, dessen Eingabeelektrode auf Masse gelegt ist, dessen erste Elektrode mit einer zweiten Elektrode des in der Stromspiegelschaltung enthaltenen vierten Transistors (Tr7) verbunden ist und eine Referenz­ spannung liefert und dessen zweite Elektrode auf Masse gelegt ist; und
einem Steuermittel (Tr9; Tr10; Tr11; Tr12; Tr13) zur Steuerung der von der ersten Elektrode des sechsten Transistors (Tr8) gelieferten Referenzspannung auf das Anschalten der Stromversorgung hin, so daß die Referenzspan­ nung der Anstiegscharakteristik der Stromversorgung folgt.
2. Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß das Steuermittel ein Steuerelement (Tr9; Tr10; Tr11; Tr12; Tr13) aufweist, das den sechsten Transistor so steuert, daß er als Reaktion auf die An­ stiegscharakteristiken der Stromversorgung leitet.
3. Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß das Steuermittel einen siebten Transistor (Tr9) des ersten Leitungstyps als ein Steuerelement aufweist, der zwischen die Eingabeelektrode des fünften Transistors (Tr6) und die Stromversorgung verbunden ist und für einen vorbestimmten Zeitraum nach dem Anschalten der Strom­ versorgung zum Anlegen einer Stromversorgungsspannung an die Eingabeelektrode des fünften Transistors leitet.
4. Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß das Steuermittel einen achten Transistor (Tr10) des zweiten Leitungstyps als ein Steuerelement aufweist, der zwischen eine Eingabeelektrode des in der Stromspiegelschaltung enthaltenen vierten Transistors (Tr7) und Masse verbunden ist und für einen vorbestimmten Zeitraum nach dem Anschalten der Stromversorgung zum Leitendmachen des vierten Transistors (Tr7) leitet.
5. Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß das Steuermittel einen neunten Transistor (Tr11) des ersten Leitungstyps als ein Steuerelement aufweist, dessen erste Elektrode mit einer Spannung versorgt wird, die der Hälfte der Stromversorgungsspannung ent­ spricht, dessen zweite Elektrode mit der ersten Elektrode des sechsten Transistors (Tr8) verbunden ist, und der für einen vorbe­ stimmten Zeitraum nach dem Anschalten der Stromversorgung zum Liefern einer Referenzspannung leitet, die als Reaktion auf den Anstieg der Spannung, die der Hälfte der Stromversorgungsspan­ nung entspricht, ansteigt.
6. Referenzspannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß das Steuermittel einen zehnten und einen elften Transistor (Tr12, Tr13) des ersten Leitungstyps als ein Steuerelement aufweist, die in Reihe zwischen die Stromversorgung und die er­ ste Elektrode des sechsten Transistors (Tr8) verbunden sind, wobei der zehnte Transistor für einen vorbestimmten Zeitraum nach dem Anschalten der Stromversorgung zum Liefern einer Spannung, die um eine Schwellspannung des elften Transistors niedriger als die Stromversorgungsspannung ist, an die erste Elektrode des sech­ sten Transistors (Tr8) leitet.
7. Referenzspannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprü­ che 2 bis 6, gekennzeichnet durch ein Steuersignalerzeugungsmittel (15) zum Erzeugen eines Steuer­ signals zum Leitendmachen des Steuerelementes für einen vorbe­ stimmten Zeitraum nach dem Anschalten der Stromversorgung.
DE4434053A 1993-10-29 1994-09-23 Referenzspannungserzeugungsschaltung für Halbleiterspeichervorrichtung Expired - Fee Related DE4434053C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5272038A JPH07130170A (ja) 1993-10-29 1993-10-29 基準電圧発生回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4434053A1 DE4434053A1 (de) 1995-05-04
DE4434053C2 true DE4434053C2 (de) 1996-08-01

Family

ID=17508261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4434053A Expired - Fee Related DE4434053C2 (de) 1993-10-29 1994-09-23 Referenzspannungserzeugungsschaltung für Halbleiterspeichervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5530397A (de)
JP (1) JPH07130170A (de)
KR (1) KR950012456A (de)
DE (1) DE4434053C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19747124C2 (de) * 1996-10-24 2000-02-24 Lg Semicon Co Ltd Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3650186B2 (ja) * 1995-11-28 2005-05-18 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置および比較回路
US5805010A (en) * 1996-12-03 1998-09-08 Powerchip Semiconductor Corp. Low-current source circuit
JP3117128B2 (ja) * 1997-01-31 2000-12-11 日本電気株式会社 基準電圧発生回路
JPH1116395A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US6181628B1 (en) 1998-06-29 2001-01-30 Cypress Semiconductor Corp. Power-on-reset circuit with analog delay and high noise immunity
JP2001210076A (ja) 2000-01-27 2001-08-03 Fujitsu Ltd 半導体集積回路および半導体集積回路の内部電源電圧発生方法
US6748545B1 (en) * 2000-07-24 2004-06-08 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for selecting between a voltage specified by a processor and an alternate voltage to be supplied to the processor
KR100344222B1 (ko) * 2000-09-30 2002-07-20 삼성전자 주식회사 능동저항소자를 사용한 기준전압 발생회로
JP2002118451A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Fujitsu Ltd 定電流ドライバ回路
US6385109B1 (en) * 2001-01-30 2002-05-07 Motorola, Inc. Reference voltage generator for MRAM and method
KR100818710B1 (ko) * 2006-11-21 2008-04-01 주식회사 하이닉스반도체 전압펌핑장치
US7924188B2 (en) 2007-06-08 2011-04-12 Panasonic Corporation Rapid recovery circuit
JP5045294B2 (ja) * 2007-07-30 2012-10-10 富士通セミコンダクター株式会社 カスコードカレントミラー回路を有する内部電源回路
KR101108101B1 (ko) * 2010-10-12 2012-02-24 주식회사 에이디텍 전원공급장치의 소프트 스타트 회로
CN103235632B (zh) * 2013-04-15 2015-01-21 无锡普雅半导体有限公司 一种低压跟随的开环电压调整电路
CN113364277B (zh) * 2021-06-30 2022-07-08 芯天下技术股份有限公司 电荷泵电路及其控制方法、存储器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4495425A (en) * 1982-06-24 1985-01-22 Motorola, Inc. VBE Voltage reference circuit
FR2651881B1 (fr) * 1989-09-12 1994-01-07 Sgs Thomson Microelectronics Sa Circuit de detection de seuil de temperature.
US5155384A (en) * 1991-05-10 1992-10-13 Samsung Semiconductor, Inc. Bias start-up circuit
KR940004026Y1 (ko) * 1991-05-13 1994-06-17 금성일렉트론 주식회사 바이어스의 스타트업회로
JP2748950B2 (ja) * 1991-12-25 1998-05-13 日本電気株式会社 パワーオンリセット回路
KR950008453B1 (ko) * 1992-03-31 1995-07-31 삼성전자주식회사 내부전원전압 발생회로
JP2799535B2 (ja) * 1992-10-16 1998-09-17 三菱電機株式会社 基準電流発生回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19747124C2 (de) * 1996-10-24 2000-02-24 Lg Semicon Co Ltd Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
KR950012456A (ko) 1995-05-16
DE4434053A1 (de) 1995-05-04
JPH07130170A (ja) 1995-05-19
US5530397A (en) 1996-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4434053C2 (de) Referenzspannungserzeugungsschaltung für Halbleiterspeichervorrichtung
DE4439661C2 (de) Wortleitungstreiberschaltkreis für eine Halbleiterspeichereinrichtung
DE4435787C2 (de) Halbleitervorrichtung mit der Möglichkeit reduzierten Stromverbrauchs
DE4332452C2 (de) Halbleitervorrichtung mit einem Boostmittel und Verfahren zum Festklemmen einer Spannung
DE10239515B4 (de) Halbleiterspeicher-Steuerverfahren und Halbleiterspeichervorrichtung
DE4126474C2 (de)
DE69227432T2 (de) Spannungsgenerator für eine Speicher-Anordnung
DE4115082C2 (de) Halbleitereinrichtung mit einer Spannungswandlerschaltung zum Umwandeln einer extern angelegten Betriebsspannung in eine vorbestimmte Spannung, insb. einer Speichereinrichtung sowie entsprechendes Betriebsverfahren für diese Halbleitereinrichtung
DE10237995B4 (de) Interne Spannungserzeugungsschaltung, zugehöriges Halbleiterspeicherbauelement und Leistungszufuhrverfahren
DE4437757C2 (de) Referenzspannungserzeugungsschaltung
DE69511661T2 (de) Referenzschaltung
DE4128918C2 (de) Leseverstärker für nichtflüchtige Halbleiterspeichereinrichtungen
DE4331895C2 (de) Schaltung zum Halten einer Spannung
DE4205040A1 (de) Halbleitervorrichtung mit interner spannungsabsenkungsschaltung
DE69600091T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit interner Leistungsversorgungsschaltung zum Konstanthalten des Ausgangspegels gegen Lastschwankungen
DE4337499A1 (de) Ringoszillator und Konstantspannungserzeugungsschaltung
DE69934853T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE4305864C2 (de) Ausgabepufferschaltung
DE69118049T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer Leistungserhöhungsschaltung
DE69411335T2 (de) Verstärkerschaltung des Flipflop-Typs
DE4236456C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Betriebsverfahren dafür
DE68915136T2 (de) Integrierte Halbleiterspeicherschaltung.
DE69319273T2 (de) Testverfahren für integrierte Halbleiter-Schaltung
DE4004771C2 (de)
DE4227462C2 (de) Mikrocomputer

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee