DE4031637C2 - Anordnung zum Messen einer Verschiebung zwischen zwei Objekten - Google Patents
Anordnung zum Messen einer Verschiebung zwischen zwei ObjektenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zum Messen einer
Verschiebung zwischen zwei Objekten, z. B. eines Spal
tabstands zwischen den beiden Objekten. Eine solche An
ordnung ist beispielsweise zum Messen einer Verschie
bung zwischen einer Maske und einem Plättchen bzw. ei
ner Scheibe für deren Relativausrichtung in einer Be
lichtungsvorrichtung für die Halbleiterherstellung an
wendbar.
Bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung, z. B. ei
nes großintegrierten Schaltkreises (VLSI) wird mittels
einer Belichtungsvorrichtung das Schaltungsmuster der
Anordnung auf ein Plättchen oder eine Scheibe übertra
gen. Im Fall einer Röntgenbelichtungsvorrichtung wird
das Plättchen speziell durch eine das Schaltungsmuster
aufweisende Maske hindurch mit Röntgenstrahlung be
strahlt; damit wird das Bild des Musters auf das Plätt
chen übertragen. Zum Übertragen des Schaltungsmusters
auf das Plättchen müssen die Maske und das Plättchen,
die einander zugewandt sind, in ihrer Gegenüberstel
lungsrichtung mit einem vorgesehenen Spalt oder Zwi
schenraum zwischen ihnen aufeinander ausgerichtet wer
den.
Eine Anordnung zur Durchführung von Ausrichtung, Spalt
einstellung und Relativausrichtung mit ziemlich hoher
Genauigkeit sind z. B. in der DE-OS 37 15 864 bzw. JP-OS
62-261003 beschrieben. Bei der betreffenden Anordnung
erfolgt die Relativausrichtung
nach der optischen Überlagerungsstörungsmethode
unter Verwendung von eindimensionalen
Beugungsgittern. Bei dieser Methode ist die Maske mit einem
eindimensionalen Beugungsgitter und einem Fenster ver
sehen, während das Plättchen mit einer Reflexionsfläche
und einem anderen eindimensionalen Beugungsgitter ver
sehen ist.
Zunächst erfolgt dabei die Ausrichtung bzw. Ausfluchtung.
Dabei werden zwei Laser-Lichtstrahlen jeweils der Fre
quenzen f1 und f2 in Richtung der ±1-Ordnung auf das
eindimensionale Beugungsgitter der Maske geworfen. Beim
Durchtritt durch dieses Beugungsgitter der Maske werden
diese Lichtstrahlen gebeugt, von der Reflexionsfläche des
Plättchens reflektiert und wiederum durch das eindimensio
nale Beugungsgitter der Maske hindurch übertragen und da
durch gebeugt. Daraufhin werden die Lichtstrahlen
in gebeugte Interferenzlichtstrahlen IM geändert, die so
mit eindimensional verteilt erscheinen. Die durch das
Fenster der Maske hindurchfallenden Lichtstrahlen fallen
andererseits durch das eindimensionale Beugungsgitter des
Plättchens und werden durch dieses Beugungsgitter gebeugt,
um sodann wiederum durch das Fenster der Maske hindurch
zutreten und damit als gebeugte, eindimensional verteilte
Interferenzlichtstrahlen IW aufzutreten.
Die Phasendifferenz ΔΦX zwischen den Lichtstrahlen der
Ordnungen IM(0, 0) und IW(0, 0) aus den gebeugten Inter
ferenzlichtstrahlen IM und IW wird detektiert. Da die
Phasendifferenz ΔΦX einer Verschiebung bzw. einem Versatz
zwischen Maske und Plättchen entspricht, kann die Ver
schiebung durch Berechnung bestimmt werden. Maske und
Plättchen werden auf der Grundlage der so bestimmten
Verschiebung ausgerichtet oder in Flucht gebracht.
Anschließend erfolgt die Spalt- oder Abstandseinstellung
zwischen Maske und Plättchen. Dabei fällt - wie bei der
Ausrichtung - der Lichtstrahl mit der Frequenz f1 in
Richtung der +1-Ordnung ein, während der Lichtstrahl der
Frequenz f2 in Richtung der +3-Ordnung einfällt. Daraufhin
wird ein Lichtstrahl der Ordnung IW (-2, 0)
gemessen, der gebeugt und zur Interferenz auf dem
gleichen Strahlengang für die Ausrichtung gebracht
ist. Die Phasendifferenz ΔΦZ zwischen den Licht
strahlen der Ordnungen IW (-2, 0) und IM (0, 0) wird
detektiert. Da die Phasendifferenz ΔΦZ dem Spaltabstand
zwischen Maske und Plättchen entspricht,
kann der Abstand durch Berechnung bestimmt werden. Auf
der Grundlage dieses bestimmten Abstands wird der vorbe
stimmte Spalt zwischen Maske und Plättchen eingestellt.
Genauer gesagt: ein Spalt z läßt sich wie folgt aus
drücken:
z = Zp²/πλ.
In obiger Gleichung bedeuten: Z = 1/8·(ΔΦZ + 2X), X = 2πΔ x/p,
mit p = Teilungsabstand des Beugungsgitters und
λ = Wellenlänge des Lichts.
Verschiebung und Spalt bzw. Abstand können somit entspre
chend der Phasendifferenz gemessen werden, und Ausrichtung
und Spalteinstellung können auf der Grundlage der Meßwerte
durchgeführt werden.
Bei dieser Methode sind auf Maske und Plättchen jeweils
eindimensionale Beugungsgitter geformt, die eine Vielzahl
paralleler, unter einem rechten Winkel zur Ausrichtungs
richtung verlaufender Streifen aufweisen, so daß die ge
beugten Lichtstrahlen eindimensional in der Ausrichtungs
richtung verteilt werden. Außerdem weichen die jeweiligen
Beugungsgitter von Maske und Plättchen in der Richtung
senkrecht zur Ausrichtungsrichtung voneinander ab, so daß
der gebeugte Lichtstrahl der Ordnung IW (-2, 0) in dichter
Nähe zum gebeugten Lichtstrahl der Ordnung IM (0, 0), der
gleichzeitig mit ersterem erzeugt wird, auftritt. Insbe
sondere werden dabei diese beiden gebeugten Lichtstrahlen
mit einem sehr kleinen gegenseitigen Abstand von etwa
100 µm emittiert, wobei sie einander teilweise überlappen
und miteinander interferieren. Infolgedessen kann der ge
beugte Lichtstrahl der Ordnung IW (-2, 0) nicht selektiv
und getrennt vom gebeugten Lichtstrahl der Ordnung IW (0, 0)
erfaßt werden. Wenn der mit dem Licht
strahl der Ordnung IW (-2, 0) interferierende Lichtstrahl
der Ordnung IW (-2, 0) erfaßt wird, kann daher der Abstand
oder Spalt zwischen Maske und Plättchen nicht mit hoher
Genauigkeit eingestellt werden.
Ausrichtung und Spalteinstellung werden häufig gleichzeitig
vorgenommen. Da die Einfallsrichtung des Lichtstrahls für
Ausrichtung von der Einfallsrichtung des Lichtstrahls für
Spalteinstellung - wie erwähnt - verschieden ist, müssen
ein Lichtstrahl der Frequenz f1 und zwei Lichtstrahlen
der Frequenz f2 gleichzeitig auf die Beugungsgitter auf
gestrahlt werden. Bei dieser Beleuchtungsmethode
ergibt sich die Phasendifferenz ΔΦZ zwischen den Licht
strahlen der Ordnungen IM (0, 0) und IW (-2, 0) zu:
ΔΦZ = {sin2 × 3sin(8Z - 2X)}/
{cos2 × 3cos(8Z - 2X)}.
{cos2 × 3cos(8Z - 2X)}.
In diesem Fall enthält die Phasendifferenz ΔΦZ die Ver
schiebung X, so daß weitere komplizierte Berechnungen durch
geführt werden müssen, um aus der Phasendifferenz ΔΦZ Infor
mationen für die Spalteinstellung zu gewinnen. Hierdurch
wird unweigerlich der Aufbau der Anordnung kompliziert;
außerdem vergrößern sich Meßfehler.
Wenn drei Lichtstrahlen auf das Beugungsgitter des Plättchens
gerichtet werden, ergibt sich die Phasendifferenz ΔΦZ
zwischen den Lichtstrahlen der Ordnungen IM (0, 0) und
IW (-2, 0) zu:
ΔΦX = {sin2 × sin(8Z - 2X)/3}/
(cos2 × cos(8Z - 2X)/3}.
(cos2 × cos(8Z - 2X)/3}.
Dies ist eine den Spalt z beinhaltende Funktion, und
ein Verschiebungsmeßsignal wird auch durch den Spalt
beeinflußt. Verschiebungs- und Spalt- oder Abstandsmes
sung können daher nicht unabhängig voneinander durchge
führt werden, so daß sich die Vorrichtung und die Ar
beitsgänge komplizieren und die Meßfehler zunehmen.
Weiterhin ist aus der DE-OS 24 51 994 eine Anordnung
mit einem zweikoordinatig geteilten Gitter zur Aufspal
tung und Rückmischung von Lichtbündeln bekannt.
Die DE-OS 24 51 333 beschreibt eine Anordnung bei der
Lichtbündel unterschiedlicher Frequenz durch ein beweg
tes Gitter erzeugt werden und die in zwei Koordinaten
richtungen geteilte Gitter aufweist.
Aus der DE 38 16 247 A1 ist ein System zur Entfernungs
messung bekannt, bei dem eine Relativ-Bewegungsstrecke
von zwei relativ sich bewegenden Objekten gemessen
wird. Bei diesem System sind zwei Beugungsgitter für
ein bewegliches Objekt, nämlich einen in X- oder Y-Richtung
verfahrbaren Tisch ("X- bzw. Y-Tisch") vorge
sehen. Außerdem sind zwei eindimensionale Beugungsgit
ter einem ortsfesten Objekt zugeordnet. Ein Lichtstrahl
fällt bei diesem bekannten System auf die entsprechen
den Beugungsgitter ein, und der Abstand, um den der X- bzw.
Y-Tisch verfahren ist, wird aufgrund von Stärke
und Phase einer bestimmten Komponenten des nacheinander
durch die Beugungsgitter gebeugten Lichtstrahles be
rechnet.
Schließlich ist aus der DE 37 02 203 eine Anordnung zum
Messen von Relativbewegungen zwischen mehreren Gegen
ständen unter Ausnutzung von Beugungs- und Interfe
renzerscheinungen von Wellen an Beugungsgittern be
kannt. Bei dieser Anordnung wird ein Beugungsgitter an
einem Objekt vorgesehen, wodurch gebeugte Wellen ent
stehen. Die Phase jeder der gebeugten Wellen wird ge
messen, und es wird die Phasendifferenz der gebeugten
Wellen ermittelt.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anord
nung zum Messen einer Verschiebung zu schaffen, bei der
zu erfassende gebeugte Interferenzlichtstrahlen selek
tiv und getrennt ermittelt werden können, ohne daß drei
Lichtstrahlen unabhängig auf Beugungsgitter von zwei
Objekten gerichtet zu werden brauchen, so daß die Ver
schiebung zwischen den beiden Objekten unabhängig von
der Größe eines Spalts oder Zwischenraums zwischen ih
nen mit hoher Genauigkeit gemessen werden kann.
Diese Aufgabe wird von einer Anordnung mit den Merkmalen
des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß
gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich
aus den Unteransprüchen.
Jedes der entsprechenden Paare von
Bereichen von erstem und zweitem Objekt weist mindestens ein
Beugungsgitter auf, so daß der emittierte Lichtstrahl nach
der Übertragung zu den paarigen Bereichen in zwei
dimensional verteilte gebeugte Lichtstrahlen geändert
wird. Infolgedessen erscheinen die gebeugten Interferenz
lichtstrahlen, die durch die entsprechenden Paare von Be
reichen von erstem und zweitem Objekt gebeugt und zur
Interferenz miteinander gebracht werden, zweidimensional
verteilt.
Demzufolge werden die beiden Lichtstrahlen spezieller
Ordnung der gebeugten Interferenzlichtstrahlen, die für
die Verschiebungsmessung benutzt werden, in einem ver
gleichsweise großen Abstand voneinander emittiert. Diese
einzelnen Lichtstrahlen spezieller Ordnung können mithin
selektiv und unabhängig voneinander, d. h. getrennt von den
anderen Lichtstrahlen erfaßt werden, so daß die Ver
schiebung zwischen Maske und Plättchen unabhängig vom
Spaltabstand zwischen ihnen gemessen werden kann.
Weiterhin werden auch die beiden Lichtstrahlen spezieller
Ordnung der für die Spaltmessung benutzten gebeugten
Interferenzlichtstrahlen in einem vergleichsweise großen
Abstand voneinander emittiert. Diese einzelnen Lichtstrah
len spezieller Ordnung können somit getrennt gewählt bzw.
erfaßt werden, so daß der Spaltabstand zwischen Maske und
Plättchen ungeachtet der Verschiebung zwischen ihnen ge
messen werden kann.
Die spezielle oder spezifischen Ordnung des zur Gewinnung
des ersten Schwebungssignals erfaßten Licht
strahls kann derjenigen des Lichtstrahls, der zur Gewinnung
des zweiten Schwebungssignals erfaßt wird, gleich oder
davon verschieden sein.
Einer der beiden Lichtstrahlen spezieller Ordnung für die
Verschiebungsmessung kann mit dem einen der beiden Licht
strahlen spezieller Ordnung für Spaltmessung identisch
sein.
Ein zweidimensionales Beugungsgitter mit einem Schach
brettmuster wird als Beugungsgitter zur Änderung des
emittierten Lichtstrahls in die zweidimensional verteilten
gebeugten Lichtstrahlen benutzt. In diesem Fall ist das
"Schachbrettmuster" nicht auf ein solches mit quadratischen
Karos beschränkt, sondern braucht lediglich ein solches
aus rechteckigen "Karos" zu sein.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der Er
findung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische perspektivische Darstellung
einer Anordnung gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung, die zum Ausrichten oder Ausfluchten
einer Maske und eines Plättchens in einer Röntgen
belichtungsvorrichtung benutzt wird,
Fig. 2 eine schematische perspektivische Darstellung
von auf Maske und Plättchen geformten Beugungs
gittern,
Fig. 3 eine schematische Darstellung zur Verdeutlichung
der optischen Überlagerungsstörungsmethode,
Fig. 4 eine graphische Darstellung der zweidimensionalen
Verteilung von gebeugten Interferenzlichtstrahlen
die durch Beugungsgitter gebeugt und zur Inter
ferenz miteinander gebracht sind,
Fig. 5 eine schematische perspektivische Darstellung von
Beugungsgittern einer Maske und eines Plättchens
bei einer ersten Abwandlung der Ausführungsform
nach Fig. 2,
Fig. 6 eine graphische Darstellung der zweidimensio
nalen Verteilung von gebeugten Interferenzlicht
strahlen, die durch die Beugungsgitter nach
Fig. 5 gebeugt und zur Interferenz miteinander
gebracht sind,
Fig. 7 eine schematische perspektivische Darstellung an
derer Beugungsgitter von Maske und Plättchen ge
mäß einer zweiten Abwandlung der Ausführungsform
nach Fig. 2,
Fig. 8 eine graphische Darstellung der zweidimensio
nalen Verteilung von gebeugten Interferenzlicht
strahlen, die durch die Beugungsgitter nach
Fig. 7 gebeugt und zur Interferenz miteinander
gebracht sind,
Fig. 9 bis 12 schematische Darstellungen von Beugungs
gittern für zweidimensionale Verteilung
der gebeugten Lichtstrahlen,
Fig. 13a bis 16a schematische Darstellungen von Kombi
nationen von Beugungsgittern, die in zwei Be
reichen der Maske und zwei Bereichen des
Plättchens angeordnet sind, und
Fig. 17 eine schematische Darstellung einer Abwandlung
bezüglich der Einfallsart der einfallenden oder
auftreffenden Lichtstrahlen.
Im folgenden ist anhand der Fig. 1 bis 4 eine erste Aus
führungsform der Erfindung beschrieben.
Fig. 1 veranschaulicht eine Relativausrichtungsanordnung
gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung, die für
Ausrichtung oder Ausfluchtung und Spalteinstellung zwi
schen einer Maske und einem Plättchen in einer Röntgen
belichtungsvorrichtung geeignet ist. Es sei im folgenden
vorausgesetzt, daß eine Richtung in einer waagerechten
Ebene die x-Richtung, eine Richtung senkrecht zur x-Rich
tung innerhalb der waagerechten Ebene die y-Richtung und
die lotrechte Richtung die z-Richtung sind. Bei der be
schriebenen Ausführungsform werden Maske und Plättchen, z. B. eine
Halbleiterscheibe, in x-Richtung aufeinander ausgerichtet.
Die Relativausrichtung- oder -justieranordnung weist
eine in x-Richtung verschiebbare Plättchen-Bühne 14 auf,
mit welcher ein Betätigungselement oder Stelltrieb 15 für
ihre Antriebsverschiebung verbunden ist. Auf der Bühne 14
befindet sich ein Plättchen 16, über welchem eine Maske
17 unter Einhaltung eines vorbestimmten Spaltabstands in
z-Richtung zwischen beiden angeordnet ist. Die Maske 17
wird mittels eines Maskenhalters 18 gehalten, der mit einem
Betätigungselement bzw. Stelltrieb 19, z. B. einer piezo
elektrischen Vorrichtung zum Verschieben des Halters 18
in z-Richtung verbunden ist.
Gemäß Fig. 2 sind Bereiche 11, 12 und 13 in vorbestimmten
Positionen auf der Maske 17 definiert oder festgelegt,
während Bereiche 21, 22 und 23 in vorbestimmten Positionen,
den betreffenden Maskenbereichen gegenüberstehend, auf
dem Plättchen 16 festgelegt sind.
Im Bereich 11 ist ein zweidimensionales Beugungsgitter
mit einem Schachbrettmuster eines Teilungsabstands py1 in
y-Richtung vorgesehen, während sich im Bereich 12 eine
Durchlaßfläche oder ein Fenster befindet und im Bereich
13 ein eindimensionales Beugungsgitter mit einem in y-Rich
tung verlaufenden Streifenmuster angeordnet ist. Im Bereich
21 ist eine Spiegelfläche als Reflexionsfläche ausgebildet,
während im Bereich 22 ein zweidimensionales Beugungsgitter
mit Schachbrettmuster eines Teilungsabstands py2 in y-Richtung
und im Bereich 23 ein eindimensionales Beugungs
gitter eines in x-Richtung verlaufenden Streifenmusters
mit einem Teilungsabstand py3 in Y-Richtung vorgesehen
sind.
In der x-Richtung sind alle diese Beugungsgitter mit dem
gleichen Teilungsabstand px angeordnet. Die Be
ziehungen zwischen den Teilungsabständen in y-Richtung
bestimmen sich durch py3 < py1 < py2. Obgleich dabei zwei
dimensional verteilte gebeugte Lichtstrahlen gleicher
Ordnung in der gleichen Position in bezug auf die x-Rich
tung auftreten, können sie in bezug auf die y-Richtung
in unterschiedlichen Positionen auftreten. Dies bedeutet,
daß der Beugungswinkel zur y-Richtung um so größer ist,
je enger der Teilungsabstand ist. Insbesondere ist der
Beugungswinkel der gebeugten Lichtstrahlen vom Schach
brettmuster-Beugungsgitter des Bereiches 22 mit dem Tei
lungsabstand py2 am größten, während der Beugungswinkel
der gebeugten Lichtstrahlen vom oder am eindimensionalen
Beugungsgitter des Bereiches 23 mit dem Teilungsabstand
py3 am zweitgrößten und der Beugungswinkel der gebeugten
Lichtstrahlen vom Schachbrettmuster-Beugungsgitter des
Bereiches 11 mit dem Teilungsabstand py1 am kleinsten
sind.
Für die Verschiebungs- und Spaltabstandsmessung
wird die sog. optische Überlagerungsinterferenz- oder
-störungsmethode angewandt. Im folgenden ist das
Grundprinzip dieser Methode beschrieben.
Bei dieser Methode ist eine Phasenverschiebung Φ gebeugter
Interferenzlichtstrahlen, die erzeugt werden, wenn zwei
Lichtstrahlen der Frequenzen f1 und f2 durch die Beugungs
gitter gebeugt und zur Interferenz miteinander gebracht
werden, der Verschiebung bzw. dem Versatz von Maske oder
Plättchen proportional. Aus diesem Grund wird die Phasen
verschiebung Φ zur Bestimmung der Verschiebung ermittelt.
Insbesondere wird gemäß Fig. 3 ein von einer Lichtquelle
emittierter Lichtstrahl in einem Detektions- oder Meß
system I zur Gewinnung eines Detektions- oder Meßsignals
mittels eines Polarisationsstrahlteilers in zwei Licht
strahlen mit jeweils den Frequenzen f1 und f2 aufgeteilt.
Wenn diese zwei Lichtstrahlen auf die Beugungsgitter von
Maske oder Plättchen fallen, werden sie durch das be
treffende Beugungsgitter gebeugt und gleichzeitig zusammen
gesetzt und zur Interferenz miteinander ge
bracht. Als Ergebnis werden die beiden Lichtstrahlen mit
den jeweiligen Frequenzen f1 und f2 in zwei gebeugte In
terferenzlichtstrahlen mit jeweils den Frequenzen f1 und
f2 geändert bzw. umgewandelt. Unter den gebeugten Inter
ferenzlichtstrahlen wird eine Phasenverschiebung ΦM oder
ΦW, welche der Verschiebung vom Maske oder Plättchen pro
portional ist, zwischen zwei Lichtstrahlen einer spezifi
schen oder speziellen Interferenzordnung herbeigeführt.
Diese beiden Lichtstrahlen spezifischer
Ordnung werden mittels eines Sensors erfaßt und in zwei
Schwebungssignale, d. h. Detektions- oder Meßsignale umge
wandelt. Diese Meßsignale mit einer Frequenz Δf (= |f1 - f2|)
werden der Phasenverschiebung ΦM oder ΦM (bzw. ΦW) gegen
über der Phase des von der Lichtquelle emittierten Licht
strahls unterworfen. Die Phase der Meßsignale läßt sich
somit ausdrücken zu: cos(2πΔft - ΦM) oder cos(2πΔft - ΦW),
mit t = Zeit.
Dementsprechend kann die Verschiebung zwischen Maske und
Plättchen durch Berechnung der Phasendifferenz |ΦM - ΦW|
zwischen den beiden Meßsignalen ermittelt werden.
Gemäß Fig. 3 kann weiterhin zur Lieferung eines Bezugs
signals ein Bezugssystem II vorgesehen sein. In diesem
Bezugssystem II wird der von der Lichtquelle ausgestrahlte
Lichtstrahl mittels eines Polarisationsfilters in zwei
Lichtstrahlen jeweils der Frequenzen f1 und f2 aufgeteilt.
Sodann werden diese beiden Lichtstrahlen zu einem Interferenzlichtstrahl
zusammengesetzt. Letzterer wird mittels
eines Sensors erfaßt und in ein Schwebungssignal, d. h.
ein Bezugssignal umgewandelt. Dieses Bezugssignal weist
die Frequenz Δf (= |f1 - f2|) auf, und seine Phase ist
mit der des von der Lichtquelle emittierten Lichtstrahls
identisch. Die Phase des Bezugssignals läßt sich somit
zu cos(2πΔft) ausdrücken. Wenn die Phasenverschiebung ΦM
oder ΦW der gebeugten Interferenzlichtstrahlen in bezug
auf das bzw. gegenüber dem Bezugssignal berechnet wird,
kann die Verschiebung von Maske oder Plättchen gegenüber
dem einfallenden Lichtstrahl ermittelt werden, d. h. die
Verschiebung zwischen Maske und Plättchen kann indirekt
gemessen werden.
Die Anordnung gemäß Fig. 1 umfaßt ein optisches System,
auf welches die optische Überlagerungsstörungsmethode an
gewandt ist. In diesem optischen System wird ein von einer
Laserstrahlquelle 31 eines Zeeman-Effekttyps emittierter
Lichtstrahl mittels eines Polarisationsstrahlteilers 32
in zwei Lichtstrahlen aufgeteilt, von denen ein erster
Lichtstrahl 1 die Frequenz f1 und ein zweiter Lichtstrahl
2 die Frequenz f2 (f1 ≠ f2) besitzt. Diese Lichtstrahlen
1 und 2 werden unter Winkeln sinθm = mλ/px bzw. sinλ-m = -mλ/px
(mit m = eine positive ganze Zahl) zur z-Achse über Spiegel
33 bis 37 auf die Bereiche 11 bis 13 der Maske geworfen.
Die auf den Bereich 11 der Maske fallenden Lichtstrahlen
1 und 2 werden durch das Schachbrettmuster-Beugungsgitter
des Bereichs 11 durchgelassen, um dabei gebeugt und
gleichzeitig zur Interferenz miteinander gebracht zu wer
den. Sodann werden sie durch die Spiegelfläche des Be
reichs 21 reflektiert und erneut unter Beugung durch das
Schachbrettmuster-Beugungsgitter des Bereichs 11 übertra
gen oder geworfen. Daraufhin werden diese Lichtstrahlen
zu ersten gebeugten Interferenzlichtstrahlen IM geändert,
die zweidimensional verteilt sind und emittiert werden.
Die auf den Bereich 12 fallenden Lichtstrahlen 1 und 2 mit
den Frequenzen f1 und f2 treten durch das Fenster des Be
reichs 11 hindurch und werden gleichzeitig zur Interferenz
miteinander gebracht. Sodann werden sie unter Beugung durch
das Schachbrettmuster-Beugungsgitter des Bereichs 22 re
flektiert und wiederum durch das Fenster des Bereichs 22
geworfen. Daraufhin werden diese Lichtstrahlen zu zweiten
gebeugten Interferenzlichtstrahlen IW geändert,
die zweidimensional verteilt sind und emittiert
werden.
Auf gleiche Weise treten die auf den Bereich 13 auf
treffenden Lichtstrahlen mit den Frequenzen f1 und f2
durch das eindimensionale Beugungsgitter des Bereichs 13
hindurch, um dadurch gebeugt und gleichzeitig zur Inter
ferenz miteinander gebracht zu werden (vgl. Fig. 2). So
dann werden sie unter Beugung durch das eindimensionale
Beugungsgitter des Bereichs 23 reflektiert und wiederum
unter Beugung durch das Beugungsgitter des Bereichs 13 ge
worfen. Daraufhin werden diese Lichtstrahlen zu dritten
gebeugten Interferenzlichtstrahlen IG geändert, die zwei
dimensional verteilt sind und emittiert werden.
Da auf diese Weise zwei Lichtstrahlen 1 und 2 der Frequenzen
f1 und f2 aufgestrahlt werden, wird ein Satz
von zweidimensional verteilten gebeugten Interferenzlicht
strahlen IM, IW und IG emittiert. Dies bedeutet, daß die
gebeugten Interferenzlichtstrahlen IM, IW und IG jeweils
einzeln oder getrennt in verschiedenen zweidimensionalen
Koordinatensystemen emittiert werden. In Fig. 4, welche
die zweidimensionale Verteilung dieser Interferenzlicht
strahlen veranschaulicht, stehen schwarze Punkte, Kreise
und Kreuze für die ersten, zweiten bzw. dritten gebeugten
Interferenzlichtstrahlen IM, IW bzw. IG. In Fig. 4 sind
nur gebeugte Lichtstrahlen niedriger Ordnung, nicht höher
als die Ordnung ±1, dargestellt, während Lichtstrahlen
höherer Ordnung weggelassen sind.
Unter den ersten gebeugten Interferenzlichtstrahlen IM
ist ein Lichtstrahl der Ordnung (0, ±1) ein optischer
Schwebungsstrahl der Frequenz Δf (= (f1 - f2|), der einer
der Verschiebung der Maske proportionalen Phasenver
schiebung ΦM unterworfen ist. Unter den zweiten gebeugten
Interferenzlichtstrahlen IW ist ein Lichtstrahl der Ordnung
(0, ±1) ein optischer Schwebungsstrahl der Frequenz
Δf (= f1 - f2|), welcher der der Verschiebung des Plättchens
proportionalen Phasenverschiebung ΦW unterworfen ist. Unter
den dritten gebeugten Interferenzlichtstrahlen IG ist ein
Lichtstrahl der Ordnung (±1, ±1) ein optischer Schwebungs
strahl mit der Frequenz Δf (= |f1 - f2|),
welcher einer dem Spaltabstand zwischen Maske und
Plättchen proportionalen Phasenverschiebung ΦG unterworfen
ist.
Wie erwähnt, sind die Lichtstrahlen IM, IW und
IG zweidimensional verteilt, und die Lichtstrahlen IM und
IW werden mittels der Schachbrettmuster-Beugungsgitter
erzeugt, so daß gebeugte Lichtstrahlen der Ordnung IM
(±1, ±1) und IW (±1, ±1) nicht erzeugt werden können. In
folgedessen können gebeugte Lichtstrahlen der Ordnung IG
(±1, ±1) selektiv und getrennt von den anderen detektiert bzw.
erfaßt werden.
Da außerdem die Beziehungen zwischen den y-Richtungs-Tei
lungsabständen der Beugungsgitter durch py3 < py1 < py2
gegeben sind, sind die Beugungswinkel der Lichtstrahlen
IM, IW und IG verschieden, und die einzelnen gebeugten
Lichtstrahlen werden in vergleichsweise großen Abständen
voneinander emittiert. Gemäß Fig. 1 werden daher die ge
beugten Lichtstrahlen der Ordnungen IM (0, ±1) und IW
(0, ±1) selektiv und getrennt von anderen Lichtstrahlen
erfaßt. Lichtstrahlen der Ordnungen IM (0, 1), IW (0, 1)
und IG (1, 1) werden über Spiegel 41, 42 und 43 zu Sen
soren 51, 52 bzw. 53 geleitet und durch diese detektiert
bzw. erfaßt. Daraufhin werden diese Lichtstrahlen einzeln
in erste, zweite und dritte Schwebungssignale umgewandelt,
welche die Frequenz Δf und die Phasenverschiebungen ΦM,
ΦW bzw. ΦG aufweisen. Diese ersten bis dritten Schwebungs
signale werden einem Phasenmesser 54 eingespeist, durch
den ihre Phasendifferenzen berechnet werden.
Der Spaltabstand zwischen Maske und Plättchen
kann durch Berechnen einer Phasendifferenz ΔΦZ zwischen
ersten und dritten Schwebungssignalen IM (0, 1) und IG
(1, 1) gemessen werden. In diesem Fall ist das erste
Schwebungssignal IM (0, 1) keiner dem Spalt entsprechen
den Phasenverschiebung unterworfen, und es dient als Re
ferenz- oder Bezugssignal für das dritte Schwebungssignal
IG (1, 1). Gleichzeitig kann die Phasenverschiebung zwi
schen Maske und Plättchen durch Berechnung einer Phasen
differenz ΔΦX zwischen erstem und zweitem Schwebungssignal
IM (0, 1) bzw. IW (0, 1) ermittelt werden.
Die Phasendifferenzen ΔΦX und ΔΦZ können wahlweise mit
einer in Fig. 1 in gestrichelten Linien eingezeichneten
Anordnung berechnet werden. Diese Anordnung umfaßt einen
Strahlteiler 61 zum Auftrennen des von der Laserlichtquelle
emittierten Lichtstrahls und ein optisches System 62. Im
optischen System 62 wird der durch den Strahlteiler 61
reflektierte Lichtstrahl mittels eines Polarisationsfil
ters in zwei Lichtstrahlen mit jeweils den
Frequenzen f1 und f2 (f1 ≠ f2) aufgeteilt, und der aufge
teilte Lichtstrahl wird in ein Schwebungssignal als Be
zugssignal umgewandelt. Die Phasenverschiebung ΦM oder ΦW
der phasengebeugten Interferenzlichtstrahlen entsprechend
diesem Bezugssignal wird mittels des Phasenmessers 54 be
rechnet, wobei die Phasendifferenz ΔΦX oder ΔΦZ auf der
Grundlage der Phasenverschiebung berechnet wird.
Die nach einer der oben beschriebenen beiden Berechnungs
methoden berechnete Phasendifferenz ΔΦZ oder ΔΦX wird dem
Eingang einer Zentraleinheit (CPU) 55 eingespeist, worauf
hin letztere ein Steuersignal zum Stelltrieb 19 liefert,
so daß damit die Phasendifferenz ΔΦZ auf eine vorbe
stimmte Größe eingestellt wird. Als Ergebnis wird die
Maske 17 so verschoben, daß der Spaltabstand zwischen
Maske 17 und Plättchen 16 auf eine vorbestimmte Größe
eingestellt wird, während die Zentraleinheit 55 ein
Steuersignal zum Stelltrieb 15 liefert, so daß die
Phasendifferenz ΔΦX auf eine vorbestimmte Größe (z. B. 0)
gesetzt wird. Dabei wird die Plättchen-Bühne 14 zur
Justierung der Position des Plättchens 14 verschoben,
wodurch Maske 17 und Plättchen 16 aufeinander ausge
richtet bzw. miteinander in Flucht gebracht werden.
In diesem Fall läßt sich die Phasendifferenz ΔΦX, die dem
Spaltabstand proportional ist, ausdrücken zu:
ΔΦZ = (π²sin2Z - 2sin8Z)/(2 + π²cos2Z + 2cos8Z)
mit Z = πλz/px².
Diese Phasendifferenz ΔΦZ ist eine Funktion, welche die
Verschiebung nicht enthält, sondern nur den Spaltabstand
Z beinhaltet. Infolgedessen kann durch Messung der Phasen
differenz ΔΦZ der Spaltabstand unabhängig und ohne Rück
sicht auf das Vorhandensein der Verschiebung bestimmt
werden.
Die Intensitäten IM (0, 1) und IW (0, 1) der gebeugten Licht
strahlen der Ordnungen IM (0, 1) und IW (0, 1) lassen sich
wie folgt ausdrücken:
IM (0, 1) ∝ 2/π⁴{4r² + t(t/2 + 2r)·(1 + cos2Z)}·
cos(2πΔf·t - 2XM),
IW (0, 1) ∝ 2ABcos(2πΔf·t - 2XW).
cos(2πΔf·t - 2XM),
IW (0, 1) ∝ 2ABcos(2πΔf·t - 2XW).
Darin bedeuten: t und r = Amplituden-Durchlaßgrad bzw.
Reflexionsvermögen der Beugungsgitter der Maske, XM = Ver
schiebung der Maske gegenüber dem einfallenden Lichtstrahl,
XW = Verschiebung des Plättchens gegenüber dem einfallen
den Lichtstrahl und A und B = Konstanten.
Die Phasendifferenz ΔΦX zwischen den Lichtstrahlen der
Ordnungen IM (0, 1) und IW (0, 1) läßt sich somit ausdrücken
zu:
ΔΦX = 2(XM - XW)
= 4π/Px·(XM - XW)
= 4π/Px·(XM - XW)
Die Phasendifferenz ΔΦX ist eine Funktion, welche den
Spaltabstand Z nicht enthält, sondern nur die Ver
schiebungen XM und XW beinhaltet. Infolgedessen kann die
Verschiebung durch Messung der Phasendifferenz ΔΦX unab
hängig und ohne Rücksicht auf den Spaltabstand bestimmt
werden.
Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung ergibt, können
bei der dargestellten Ausführungsform die Lichtstrahlen
der Ordnungen IM (0, 1), IW (0, 1) und IG (1, 1) unabhängig
voneinander und selektiv erfaßt werden. Diese Licht
strahlen können somit ohne Rücksicht auf den Spaltab
stand zwischen Maske und Plättchen mit hoher Genauigkeit
aufeinander ausgerichtet werden, und der Spaltabstand kann
mit hoher Genauigkeit und ungeachtet des Vorhandenseins
der Verschiebung zwischen Maske und Plättchen eingestellt
werden.
Bei der dargestellten Ausführungsform werden weiterhin
Ausrichtung und Spalteinstellung mittels der beiden Licht
strahlen 1 und 2, die jeweils die Frequenzen f1 und f2
aufweisen, gleichzeitig durchgeführt. Im Gegensatz zur
bisherigen Anordnung ist es daher unnötig, drei Licht
strahlen zu verwenden, so daß demzufolge die Anordnung
zur Lieferung der Lichtstrahlen vereinfacht ist.
Darüber hinaus wird die Phase jedes ge
beugten Lichtstrahls, nicht aber seine Intensität, ge
messen. Wenn sich im Herstellungsverfahren für eine Halb
leiteranordnung das Reflexionsvermögen des Beugungsgitters
ändert, ändert sich auch die Amplitude der Intensität
jedes gebeugten Lichtstrahls, nicht aber seine Phase. Die
vorliegende Anordnung ist daher durch die Änderung
des Reflexionsvermögens der Beugungsgitter unbeeinflußt,
die beispielsweise einer Resistbeschichtung auf der
Plättchenoberfläche zuzuschreiben ist, so daß die
Anordnung eine hochgenaue Messung zu gewähr
leisten vermag.
Im folgenden ist anhand der Fig. 5 und 6 eine erste Ab
wandlung der vorstehend beschriebenen Ausführungsform er
läutert.
Bei dieser Abwandlung sind Maske 17 und Plättchen 16 je
weils mit nur zwei Bereichen versehen. Genauer gesagt:
wie im Fall der beschriebenen Ausführungsform ist in jedem
der Bereiche 13 und 23 ein eindimensionales Beugungsgitter
vorgesehen, während ein eindimensionales
Beugungsgitter auch in jedem der Bereiche 12 und 22 ge
formt ist.
In diesem Fall erscheinen ebenfalls die zweiten gebeugten
Interferenzlichtstrahlen IW, die über die Bereiche 12 und
22 und wiederum über den Bereich 12 gebeugt werden, sowie
die ersten gebeugten Interferenzlichtstrahlen IG, die
über die Bereiche 13 und 23 und wiederum über den Bereich
13 gebeugt werden, zweidimensional verteilt.
Zunächst werden gebeugte Lichtstrahlen der Ordnungen IW (0, 1)
und IG (1, 1) für Spalteinstellung benutzt, wobei Phasen
differenz und Spaltabstand auf die vorstehend beschriebene
Weise gemessen werden.
Gebeugte Lichtstrahlen der Ordnungen IW (0, 1) und IG (0, 1)
werden für Ausrichtung oder Justierung benutzt. In diesem
Fall verläuft das eindimensionale Beugungsgitter des
Bereichs 23 des Plättchens 16 in x-Richtung. Auch wenn da
bei der Bereich 23 in x-Richtung oder in Richtung der Aus
richtung abweicht, ändert somit der gebeugte Lichtstrahl
der Ordnung IG (0, 1) seine Phase nicht, und er enthält in
keinem Fall die Information für die x-Richtungs-Verschie
bung des Plättchens. Das eindimensionale Beugungsgitter
des Bereichs 13 der Maske 17 erstreckt sich andererseits
in y-Richtung. Wenn der Bereich 13 in x-Richtung abweicht
bzw. verschoben ist, ändert daher der gebeugte Lichtstrahl
der Ordnung IG (0, 1) seine Phase, so daß er lediglich die
Information für die x-Richtungs-Verschiebung der Maske
enthält.
Ebenso erstreckt sich das eindimensionale, Beugungsgitter
des Bereichs 12 der Maske 17 in x-Richtung, während das
eindimensionale Beugungsgitter des Bereichs 22 des
Plättchens 16 in y-Richtung verläuft. Aus diesem Grund
enthält der gebeugte Lichtstrahl der Ordnung IW (0, 1) keine
Verschiebungsinformation für die Maske, sondern lediglich
die Information für die x-Richtungs-Verschiebung des
Plättchens.
Damit kann die Verschiebung zwischen Maske und Plättchen
durch Detektieren oder Erfassen der Phasendifferenz zwi
schen den Lichtstrahlen der Ordnungen IG (0, 1) und IW (0, 1)
gemessen werden.
Bei der beschriebenen Abwandlung bilden weiterhin die je
weiligen eindimensionalen Beugungsgitter der Bereiche 13
und 23 im Zusammenwirken miteinander ein zweidimensionales
Beugungsgitter, und die betreffenden eindimensionalen
Beugungsgitter der Bereiche 22 und 23 bilden ebenfalls
gemeinsam ein solches zweidimensionales Beugungsgitter.
Infolgedessen können IG und IW Zweidimensional verteilt
auftreten. Da die Y-Richtungs-Teilungsab
stände der Beugungsgitter der Bereiche 12 und 23 verschieden
sind, können weiterhin IG und IW in y-Richtung verschieden
auftreten.
Mit der beschriebenen Abwandlung lassen sich somit Licht
strahlen der Ordnungen IW (0, 1), IG (1, 1) und IG (0, 1) selek
tiv und getrennt voneinander erfassen. Außerdem kann der
Spalt bzw. Zwischenraum zwischen Maske und Plättchen unab
hängig von einer etwa vorhandenen Verschiebung zwischen
diesen beiden Elementen gemessen werden, und die Verschie
bung kann unabhängig vom Spaltabstand zwischen Maske und
Plättchen gemessen werden.
Gemäß der vorstehend beschriebenen Abwandlung brauchen
Maske und Plättchen nicht in jedem Fall mit drei Bereichen
versehen zu werden. Wenn sie jeweils mit min
destens zwei Bereichen versehen sind, können die Messungen
von Verschiebung und Spaltabstand zwischen Maske und
Plättchen oder die Ausrichtung und Spalteinstellung zwi
schen beiden gleichzeitig durchgeführt werden.
Im folgenden ist anhand der Fig. 7 und 8 eine zweite Ab
wandlung der eingangs beschriebenen Ausführungsform er
läutert.
Bei dieser Abwandlung sind im Bereich 12 ein durchsichtiger
Schirm oder ein Fenster und im Bereich 22 ein
Schachbrettmuster-Beugungsgitter angeordnet. In diesem
Fall erscheinen ebenfalls die zweiten gebeugten Interferenz
lichtstrahlen IW, die über die Bereiche 12 und 22 und
wiederum über den Bereich 12 gebeugt werden, zweidimensional
verteilt. Die nur durch das Schachbrettmuster-Beugungs
gitter des Bereichs 22 des Plättchens gebeugten Licht
strahlen IW enthalten nur die Verschiebungsinformation
für das Plättchen. Damit kann die Verschiebung zwischen
Maske und Plättchen durch Erfassung der Phasendifferenz
zwischen dem gebeugten Lichtstrahl der Ordnung IW (0, 1)
unter den Lichtstrahlen IW und dem gebeugten Lichtstrahl
der Ordnung IG (0, 1) unter den ersten, aus den Bereichen
12 und 13 austretenden gebeugten Interferenzlichtstrahlen
IG bestimmt werden.
Wie im Fall der vorher beschriebenen Abwandlung werden
die gebeugten Lichtstrahlen der Ordnungen IG (1, 1) und
IW (0, 1) für die Einstellung des Spalts oder Zwischenraums
zwischen Maske und Plättchen benutzt.
Bei dieser Abwandlung können ebenfalls Lichtstrahlen der
Ordnungen IG(1, 1), IG (0, 1) und IW (0, 1) selektiv und ge
trennt voneinander erfaßt werden (vgl. Fig. 8). Weiterhin
kann der Spalt bzw. Abstand zwischen Maske und Plättchen
ohne Rücksicht auf das Vorhandensein einer etwaigen Ver
schiebung zwischen beiden Elementen gemessen werden; die
Verschiebung kann unabhängig vom Spaltabstand zwischen den
beiden Elementen gemessen werden. Wenn Maske und Plättchen
jeweils mit mindestens zwei Bereichen versehen sind, können
außerdem Ausrichtung und Spalteinstellung zwischen Maske
und Plättchen gleichzeitig vorgenommen werden.
Bei der beschriebenen Ausführungsform werden die gebeugten
Lichtstrahlen der Ordnungen IG (1, 1) und IG (0, 1) für
Spalteinstellung benutzt. Wahlweise können jedoch für den
gleichen Zweck gebeugte Lichtstrahlen höherer Ordnung,
z. B. solche der Ordnungen IG (n, r) und IW (0, r) (mit n und
r = beliebige oder willkürliche ganze Zahlen) benutzt wer
den. Während die gebeugten Lichtstrahlen der Ordnungen
IG (0, 1) und IW (0, 1) für Ausrichtung oder Justierung be
nutzt werden, können ebenso für die gleichen Zweckege
beugte Lichtstrahlen höherer Ordnung, z. B. solche der
Ordnungen IG (0, r) und IW (0, r) (mit r = eine beliebige
oder willkürliche ganze Zahl) benutzt werden.
Darüber hinaus sind die entsprechenden Paare von Bereichen
auf Maske und Plättchen nicht auf die vorstehend beschrie
benen Kombinationen beschränkt. Vielmehr ist es nur nötig,
daß mindestens ein Beugungsgitter so vorgesehen ist, daß
die Lichtstrahlen als zweidimensional verteilte gebeugte
Lichtstrahlen nach ihrem Durchgang durch die paarigen Be
reiche von Maske und Plättchen emittiert werden. Für die
sen Zweck können Beugungsgitter verschiedener Arten be
nutzt werden.
Die Fig. 9 bis 12 veranschaulichen Beugungsgitter, die
zweidimensional verteilte gebeugte Interferenzlichtstrahlen
zu emittieren vermögen.
Wenn gemäß Fig. 9 im Bereich 11 der Maske und im Bereich
21 des Plättchens ein zweidimensionales Beugungsgitter
oder ein Schachbrettmuster-Beugungsgitter bzw. eine Spie
gelfläche vorgesehen sind, werden die gebeugten Licht
strahlen, wie dargestellt, zweidimensional verteilt.
Wenn gemäß den Fig. 10 und 11 ein Schachbrettmuster-Beu
gungsgitter und ein eindimensionales Beugungsgitter im Bereich
11 der Maske bzw. im Bereich 21 des Plättchens ange
ordnet sind, werden die gebeugten Lichtstrahlen ebenso
zweidimensional verteilt. Wenn weiterhin gemäß Fig. 12 je
weils im Maskenbereich 11 und im Plättchenbereich 21 ein
eindimensionales Beugungsgitter angeordnet ist, werden die
gebeugten Lichtstrahlen ebenfalls zweidimensional ver
teilt.
Wenn weiterhin ein Fenster und ein Schachbrettmuster-Beu
gungsgitter im Bereich 11 der Maske bzw. im Bereich 21 des
Plättchens angeordnet sind, werden die ge
beugten Lichtstrahlen (auf nicht dargestellte Weise) na
türlich zweidimensional verteilt.
Die in den Bereichen 11 (oder 13) und 12 der Maske und den
Bereichen 21 (oder 23) und 22 des Plättchens angeordneten
Beugungsgitter können demzufolge auf die in den Fig. 13
bis 16 dargestellte Weise kombiniert werden.
Gemäß den Fig. 13a bis 13d kann ein Schachbrettmuster-Beu
gungsgitter in jedem Bereich 11 oder 13 der Maske und im
Bereich 22 des Plättchens vorgesehen werden. In diesem
Fall werden die vorher angegebenen Gitter-Teilungsabstände
vorgesehen.
Gemäß den Fig. 14a bis 14d kann außerdem ein eindimensionales
Beugungsgitter mit einem in x-Richtung verlaufenden Strei
fenmuster im Bereich 21 oder 23 des Plättchens angeordnet
sein, und zwar neben bzw. zusätzlich zu der Anordnung nach
Fig. 13.
Gemäß den Fig. 15a bis 15d können ein eindimensionales
Beugungsgitter mit einem in y-Richtung verlaufenden Strei
fenmuster, ein weiteres eindimensionales Beugungsgitter
mit einem in x-Richtung verlaufenden Streifenmuster und
ein Schachbrettmuster-Beugungsgitter im Bereich 11 oder
13 der Maske, im Bereich 21 oder 23 des Plättchens bzw.
im Bereich 22 des Plättchens vorgesehen sein. Der y-Rich
tungs-Teilungsabstand py3 des eindimensionalen Beugungs
gitters im Bereich 21 oder 23 sollte vom y-Richtungs-Tei
lungsabstand py1 des Schachbrettmuster-Beugungsgitters
des Bereichs 22 verschieden sein.
In den in den Fig. 16a bis 16d dargestellten Fällen er
streckt sich das Streifenmuster des eindimensionalen Beu
gungsgitters des Bereichs 21 in y-Richtung, im Gegensatz
zum Streifenmuster gemäß Fig. 14, das in x-Richtung ver
läuft.
Wie vorstehend beschrieben, können sechzehn mögliche Kom
binationen von Beugungsgittern in vier Gruppen vorliegen,
um die zweidimensional verteilten gebeugten Lichtstrahlen
zu liefern. Die Kombination der Schachbrettmuster-Beu
gungsgitter gemäß Fig. 13a eignet sich am besten für den
vorgesehenen Zweck, weil in diesem Fall die Amplitude der
Schwebungssignale am größten ist d. h. das Vierfache der
Mindestamplitude beträgt.
Bei der beschriebenen Ausführungsform ist die Erfindung
auf eine Röntgenbelichtungsvorrichtung für den Maßstab
1 : 1 angewandt.
Sie ist aber
beispielsweise auch auf eine Projektions
belichtungsvorrichtung eines Röntgenreflexionstyps für
Projektion mit verkleinertem Maßstab anwendbar, bei wel
cher ein optisches Röntgenreflexionssystem zwischen einer
Maske und einem Plättchen angeordnet ist, oder
auf eine Maßstabverkleinerungs-Projek
tionsbelichtungsvorrichtung, die mit Infrarot
strahlen, γ-Strahlen, Excimer-Laserstrahlen usw. arbeitet
und bei welcher eine Projektionslinse zwischen eine Maske
und ein Plättchen eingeschaltet ist.
Der Strahlengang kann auch von einem durchlässigen
Plättchen zu einer reflektierenden Maske oder von einer
durchlässigen Maske zu einem durchlässigen Plättchen ver
laufen. Wenn der Spalt oder Abstand zwischen Maske und
Plättchen groß ist, kann ein von einem reflektierenden
Plättchen zu einer durchlässigen Maske verlaufender Strah
lengang benutzt werden.
Weiterhin brauchen auch die beiden einfallenden Licht
strahlen der Frequenzen f1 und f2 nicht symmetrisch zu
einer senkrecht zur Maske liegenden Ebene einzufallen.
Wahlweise können die Lichtstrahlen gemäß Fig. 17 auch
diagonal auf der Maske längs einer zweiten gedachten Ebene
72 einfallen, die unter einem Winkel zu einer ersten ge
dachten Ebene 71 verläuft, welche ihrerseits senkrecht
zur Maske liegt. In diesem Fall werden die gebeugten Licht
strahlen gegenüber einer z′-Achse auf einer dritten ge
dachten Ebene 73 zweidimensional verteilt, wobei erste
und dritte gedachte Ebene 71 bzw. 73 zur lotrechten ge
dachten Ebene 71 symmetrisch angeordnet sind.
Claims (9)
1. Anordnung zum Messen einer Verschiebung zwischen
ersten und zweiten, einander zugewandten Objekten
(17, 16) in bezug auf eine Richtung senkrecht zu
der Richtung, in welcher die Objekte (17, 16) ein
ander zugewandt sind, wobei das erste Objekt (17)
mindestens erste und zweite Bereiche (12, 11) auf
weist, das zweite Objekt (16) mindestens erste und
zweite, den ersten bzw. zweiten Bereichen (12, 11)
des ersten Objekts (17) gegenüberliegende Bereiche
(21, 22) aufweist, das erste Objekt (17) mit einer
Durchlaßfläche zumindest in seinem ersten Bereich
(12) und einem Beugungsgitter zumindest in seinem
zweiten Bereich (11) versehen ist, das zweite Ob
jekt (16) ein Beugungsgitter zumindest in seinem
ersten Bereich (22) aufweist und die Beugungsgitter
der Bereiche (11, 22) jeweils durch zwei erste, von
einer Beleuchtungseinrichtung (31-36) ausgehende
Lichtstrahlen unterschiedlicher Frequenz (f₁, f₂)
derart beaufschlagt sind, daß jeweils zweite, je
weils von nur einem der beiden Beugungsgitter
gebeugte Lichtstrahlen in Form von Interferenzlicht
strahlen (z. B. IM) - zweidimensional in einer Flä
che verteilt - vorliegen, deren jeder einen Sensor
(51, 52) beaufschlagt, wobei aus der mit einem Pha
sendifferenzmesser (54) erhaltenen Phaseninformati
on der zugehörigen Schwebungssignale die Verschie
bung zwischen dem ersten und dem zweiten Objekt be
stimmbar ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das erste Objekt eine Beleuchtungsmaske (17)
und das zweite Objekt eine Halbleiterscheibe (16)
ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Beugungsgitter im zweiten Bereich (11) des ersten Objekts
(17) ein zweidimensionales Beugungsgitter ist, so
daß die emittierten Interferenzlichtstrahlen zwei
dimensional verteilt werden, und daß der erste Be
reich (21) des zweiten Objekts (16), welcher dem
das zweidimensionale Beugungsgitter aufweisende
ersten Bereich (11) des ersten Objekts (17) zugeordnet ist,
eine Reflexionsfläche aufweist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Beugungsgitter im ersten Bereich (22) des zweiten
Objekts (16) ein zweidimensionales Beugungsgitter
mit einem Karo- oder Schachbrettmuster ist, so daß
die emittierten Interferenzlichtstrahlen zweidimen
sional verteilt werden.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Bereiche jedes Objekts (17,
16) in Richtung der y-Achse eines rechtwinkligen zweidimensionalen Koor
dinatensystems angeordnet sind, dessen x-Achse sich
in Richtung der Verschiebung erstreckt, und
daß die
beiden Interferenzlichtstrahlen gebeugte Licht
strahlen der Ordnungen n und r sind, mit n = 0 oder
eine ganze Zahl und r = eine ganze Zahl.
6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Interferenzlichtstrahlen der Ordnungen n und r
gebeugte Lichtstrahlen der Ordnungen 0, ± 1 sind.
7. Anordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß mindestens ein weiterer Bereich (23)
des zweiten Objekts (16) ein eindimensionales Beu
gungsgitter mit einem eindimensionalen Muster aus
einer Vielzahl von parallelen, in Richtung der x-Achse ver
laufenden Streifen aufweist, welcher einem weiteren Bereich
(23) des zweiten Objekts (16) zugeordnet ist, der ein eindimensionales
Beugungsgitter mit einem eindimensionalen
Muster aus einer Vielzahl von in Richtung der y-Achse
verlaufenden parallelen Streifen aufweist.
8. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Teilungsabstände der Beugungsgitter
in Richtung der y-Achse in den Bereichen des ersten und zweiten Objektes
verschieden sind.
9. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die zwei Lichtstrahlen unterschiedlicher Frequenz in
einer Ebene (72) auf das in einer Objektebene liegende
erste Objekt mit den Bereichen (12, 13) gelenkt sind, die mit
der Flächennormalen der Objektebene einen Winkel (α)
bildet und die Objektebene in Richtung der x-Achse
schneidet, und daß die zwei Lichtstrahlen innerhalb
dieser Ebene (72) symmetrisch unter einem Winkel
±θ = sin-1 (±mpxλ)gegen eine Achse auf das erste Objekt treffen, die
innerhalb der Ebene (72) senkrecht zur x-Achse verläuft, wobei
m eine ganze Zahl,
px der Teilungsabstand in Richtung der x-Achse des Beugungsgitters eines oder jedes der Bereiche und
λ die den zwei Lichtstrahlen zugeordnete Referenzwellenlänge bedeuten.
m eine ganze Zahl,
px der Teilungsabstand in Richtung der x-Achse des Beugungsgitters eines oder jedes der Bereiche und
λ die den zwei Lichtstrahlen zugeordnete Referenzwellenlänge bedeuten.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1261568A JP2885439B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 第1及び第2の物体の位置合せ方法及び装置 |
JP2025836A JP2885454B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 相対位置合せ方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4031637A1 DE4031637A1 (de) | 1991-04-18 |
DE4031637C2 true DE4031637C2 (de) | 1997-04-10 |
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DE (1) | DE4031637C2 (de) |
Families Citing this family (89)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4000785A1 (de) * | 1990-01-12 | 1991-07-18 | Suess Kg Karl | Justiermarken fuer zwei aufeinander einzujustierende objekte |
DE4124203A1 (de) * | 1991-07-20 | 1993-01-21 | Krupp Ag | Holographische messmarken |
US5319216A (en) * | 1991-07-26 | 1994-06-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate detector with light emitting and receiving elements arranged in staggered fashion and a polarization filter |
JP2821073B2 (ja) * | 1992-12-18 | 1998-11-05 | 松下電器産業株式会社 | ギャップ制御装置及びギャップ制御方法 |
EP0745211B1 (de) * | 1994-01-24 | 2003-05-14 | Svg Lithography Systems, Inc. | Gitter-gitter interferometrisches ausrichtsystem |
US5497226A (en) * | 1994-08-22 | 1996-03-05 | Polaroid Corporation | Quadrature diffractive encoder |
US6034378A (en) * | 1995-02-01 | 2000-03-07 | Nikon Corporation | Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus |
CN101005624B (zh) * | 1997-02-13 | 2011-11-16 | 三菱电机株式会社 | 动态图象译码装置和方法 |
JP3335868B2 (ja) | 1997-03-19 | 2002-10-21 | 株式会社東芝 | 光学式位置測定器を搭載した露光装置 |
JP3296239B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2002-06-24 | ウシオ電機株式会社 | 間隙設定機構を備えたプロキシミティ露光装置 |
US6469793B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-10-22 | Svg Lithography Systems, Inc. | Multi-channel grating interference alignment sensor |
US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
US6921615B2 (en) * | 2000-07-16 | 2005-07-26 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignment methods for imprint lithography |
US6696220B2 (en) * | 2000-10-12 | 2004-02-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro-and nano-imprint lithography |
EP1303793B1 (de) | 2000-07-17 | 2015-01-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Verfahren und gerät zur automatischen zufuhr von flüssigen materialien in der imprint-lithogrpahie |
KR20030040378A (ko) * | 2000-08-01 | 2003-05-22 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 임프린트 리소그래피를 위한 투명한 템플릿과 기판사이의고정확성 갭 및 방향설정 감지 방법 |
US8016277B2 (en) | 2000-08-21 | 2011-09-13 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based macro motion translation stage |
TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7289212B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
US6964793B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
JP2003007601A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Canon Inc | 2つの物体の間隔測定方法とそれを用いた半導体露光方法、および間隔測定装置、半導体露光装置 |
US7037639B2 (en) | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
US6926929B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-08-09 | Molecular Imprints, Inc. | System and method for dispensing liquids |
US6908861B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US7019819B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for modulating shapes of substrates |
US6900881B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
US7070405B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
US7027156B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
TWI266970B (en) * | 2002-08-01 | 2006-11-21 | Molecular Imprints Inc | Scatterometry alignment for imprint lithography |
US7071088B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fabricating bulbous-shaped vias |
SG125922A1 (en) | 2002-09-20 | 2006-10-30 | Asml Netherlands Bv | Device inspection |
US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
US6980282B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-12-27 | Molecular Imprints, Inc. | Method for modulating shapes of substrates |
US6929762B2 (en) | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
US6871558B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
US7452574B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
US7179396B2 (en) | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
US7122079B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
US7396475B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
US6951173B1 (en) | 2003-05-14 | 2005-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Assembly and method for transferring imprint lithography templates |
US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
US20050010310A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-13 | Touzov Igor Victorovich | Method of alignment for precision tools. |
US7136150B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
US8211214B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
US7090716B2 (en) | 2003-10-02 | 2006-08-15 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
KR101193918B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2012-10-29 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 나노-스케일 제조공정을 위한 유체 배분방법과 필요에 따른액적 배분방법 |
US20070228593A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Residual Layer Thickness Measurement and Correction |
US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
US7105452B2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-09-12 | Molecular Imprints, Inc. | Method of planarizing a semiconductor substrate with an etching chemistry |
US7939131B2 (en) | 2004-08-16 | 2011-05-10 | Molecular Imprints, Inc. | Method to provide a layer with uniform etch characteristics |
US7547504B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-06-16 | Molecular Imprints, Inc. | Pattern reversal employing thick residual layers |
US7244386B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-07-17 | Molecular Imprints, Inc. | Method of compensating for a volumetric shrinkage of a material disposed upon a substrate to form a substantially planar structure therefrom |
EP1819986A1 (de) * | 2004-11-22 | 2007-08-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optisches system zur bewegungsdetektion eines körpers |
JP2008520998A (ja) * | 2004-11-22 | 2008-06-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 物体の並進を検出する検出システム |
US7630067B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
US20070231421A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
WO2006060757A2 (en) | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Molecular Imprints, Inc. | Eliminating printability of sub-resolution defects in imprint lithography |
US7811505B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-10-12 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fast filling of templates for imprint lithography using on template dispense |
US7635263B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-12-22 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system comprising an array of fluid chambers |
US20060177532A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography method to control extrusion of a liquid from a desired region on a substrate |
US7636999B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-12-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method of retaining a substrate to a wafer chuck |
US20070228608A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Preserving Filled Features when Vacuum Wiping |
US8808808B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
US20070064384A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-22 | Molecular Imprints, Inc. | Method to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate |
US7665981B2 (en) * | 2005-08-25 | 2010-02-23 | Molecular Imprints, Inc. | System to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate |
US20070074635A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-04-05 | Molecular Imprints, Inc. | System to couple a body and a docking plate |
US7316554B2 (en) | 2005-09-21 | 2008-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | System to control an atmosphere between a body and a substrate |
US7679029B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-03-16 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations |
US7906058B2 (en) | 2005-12-01 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Bifurcated contact printing technique |
US7803308B2 (en) | 2005-12-01 | 2010-09-28 | Molecular Imprints, Inc. | Technique for separating a mold from solidified imprinting material |
MY144847A (en) | 2005-12-08 | 2011-11-30 | Molecular Imprints Inc | Method and system for double-sided patterning of substrates |
US7670530B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-03-02 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
US7802978B2 (en) | 2006-04-03 | 2010-09-28 | Molecular Imprints, Inc. | Imprinting of partial fields at the edge of the wafer |
US8142850B2 (en) | 2006-04-03 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times |
TW200801794A (en) | 2006-04-03 | 2008-01-01 | Molecular Imprints Inc | Method of concurrently patterning a substrate having a plurality of fields and a plurality of alignment marks |
US8850980B2 (en) | 2006-04-03 | 2014-10-07 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Tessellated patterns in imprint lithography |
US8012395B2 (en) | 2006-04-18 | 2011-09-06 | Molecular Imprints, Inc. | Template having alignment marks formed of contrast material |
US7547398B2 (en) | 2006-04-18 | 2009-06-16 | Molecular Imprints, Inc. | Self-aligned process for fabricating imprint templates containing variously etched features |
US7854867B2 (en) * | 2006-04-21 | 2010-12-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for detecting a particle in a nanoimprint lithography system |
EP2459961A4 (de) * | 2009-07-31 | 2012-12-26 | Hewlett Packard Development Co | Strahlrichtungssensor |
JP2013145863A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-07-25 | Gigaphoton Inc | 2光束干渉装置および2光束干渉露光システム |
DE102013203713A1 (de) * | 2013-03-05 | 2014-02-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Inkrementalgeber und Lithographievorrichtung |
WO2018156702A1 (en) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | Nikon Corporation | Measurement of a change in a geometrical characteristic and/or position of a workpiece |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2451333A1 (de) * | 1974-10-29 | 1976-05-06 | Fromund Dipl Phys Hock | Verfahren und anordnung zur photoelektrischen erzeugung und auswertung von traegerfrequenten, positionsaenderungen anzeigenden signalen |
DE2451994A1 (de) * | 1974-11-02 | 1976-11-04 | Fromund Prof Dipl Phys Hock | Verfahren und anordnung zur erzeugung photoelektrischer signale |
JPS62172203A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 相対変位測定方法 |
JPH0749926B2 (ja) * | 1986-05-07 | 1995-05-31 | 日本電信電話株式会社 | 位置合わせ方法および位置合わせ装置 |
FR2598797B1 (fr) * | 1986-05-07 | 1990-05-11 | Nippon Telegraph & Telephone | Procede de mesure et/ou d'ajustement du deplacement d'un objet et appareil pour la mise en oeuvre de ce procede |
KR900004269B1 (ko) * | 1986-06-11 | 1990-06-18 | 가부시기가이샤 도시바 | 제 1물체와 제 2 물체와의 위치 맞추는 방법 및 장치 |
US4838693A (en) * | 1986-06-11 | 1989-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for setting a gap between first and second objects to a predetermined distance |
FR2615281B1 (fr) * | 1987-05-11 | 1996-08-23 | Canon Kk | Dispositif de mesure d'une distance en mouvement relatif de deux objets mobiles l'un par rapport a l'autre |
JPH0642448B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1994-06-01 | 株式会社東芝 | 位置合わせ方法 |
US4988197A (en) * | 1987-12-28 | 1991-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for aligning two objects, and method and apparatus for providing a desired gap between two objects |
-
1990
- 1990-10-05 DE DE4031637A patent/DE4031637C2/de not_active Expired - Fee Related
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---|---|
DE4031637A1 (de) | 1991-04-18 |
US5151754A (en) | 1992-09-29 |
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