DE3933039A1 - Verfahren zur herstellung von oxidationsgeschuetzten cfc-formkoerpern - Google Patents
Verfahren zur herstellung von oxidationsgeschuetzten cfc-formkoerpernInfo
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Description
Es ist bekannt, daß CFC-Verbundwerkstoffe, welche aus einer
Kohlenstoffmatrix und Verstärkungsfasern aus Kohlenstoff be
stehen, über das Harz-Imprägnier- und Carbonisierungsverfahren
industriell gefertigt werden.
Grundsätzlich werden dabei Kohlenstoffasern bzw. Gewebe mit
einem Matrix-Precursor (Harze oder Peche) imprägniert und
im Prepreg- bzw. Monofasern durch Wickeln und/oder Laminieren
mit definierten Faserorientierungen bzw. 1- oder mehrdimensio
nalen Strukturen zu Formkörpern, wie z. B. Rohre, Platten oder
andere Geometrien verarbeitet.
Diese Formkörperherstellung, also der Wickel-, Preß-, Ver
dichtungs- und Aushärtzyklus erfolgt entweder auf Wickelauto
maten oder mittels Autoklaven bzw. der beheizbaren axialen Preß
technik. Nach dem Preß- und Aushärtezyklus wird eine Carbonisierungs
glühung in Schutzgas bzw. Vakuumatmosphäre zwischen 800 und
1000°C vorgenommen, wobei sich die verwendeten Harze über
verschiedene Pyrolysevorgänge zu Kohlenstoff umwandeln. Da die
Ausbeute an Kohlenstoff aber je nach verwendetem Harz zwischen
30 und 70% liegt, entsteht dabei eine poröse Kohlen
stoffmatrix. Die beschriebenen Herstellungsprozesse mit zahl
reichen Imprägnierungs- bzw. Carbonisierungs- und Graphitisie
rungsprozessen sind äußerst zeit-, energie- und lohnintensiv,
der Fertigungsprozeß kann derzeit mehrere Monate betragen.
Der entstandene CFC-Werkstoff zeichnet sich durch eine äußerst
günstige Kombination von Werkstoffeigenschaften wie z. B. die
hohe mechanische Festigkeit bei Raum- als auch im Hochtemperatur
bereich in Kombination mit einer niedrigen Dichte (< als Leicht
metalle und Konstruktionskeramiken) und geringer Sprödigkeit aus.
Die ausgezeichneten Materialeigenschaften von CFC werden dadurch
getrübt, daß dieser Werkstoff eine geringe Oxydationsbeständig
keit besitzt und nur sehr begrenzt in sauerstoffhaltiger Atmos
phäre eingesetzt werden kann. Geringe Resistenz gegenüber Sauer
stoff beschränkt CFC zur Zeit auf den Vakuum- und Schutzgasein
satz, da sonst ein Abrand ab 450°C einsetzt.
Es hat bisher nicht an Versuchen gefehlt, wirksame Oxydations
schutzschichten einzusetzen. Vor allem das Beschichten der Ober
flächen von CFC-Formkörpern mit diversen Keramikschutzschichten
haben noch keinen wesentlichen Fortschritt gebracht, da es bei
Temperaturwechselbeanspruchung durch Unterschiede in der Wärme
ausdehnung zwischen CFC-Substrat und Oxydationsschutzschicht
zu starken Rißbildungen und nach kurzer Zeit zu Sauerstoffdif
fusion und Abrand kommt.
Ein entwickeltes Flüssiginfiltrierverfahren, bei dem die
CFK-Bauteile carbonisiert und mit metallischem Silicium infiltriert
werden, welches dann in den Porenräumen mit den Matrixkohlen
stoff, aber auch den Kohlenstoffasern zu Siliciumcarbid rea
giert, führt zwar zu einem verbesserten Oxydationsschutz, aber
auch zu einer Versprödung des Werkstoffes bzw. zur Verminderung
der Quasi-Duktilität, da die Faserverstärkung massiv ange
griffen wird.
Stand der Technik ist auch, daß man über die chemische Gasphasen
abscheidung (CVD) neben keramischen Schutzschichten auch frei
stehende Formteile aus Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Bornitrid
und auch Kohlenstoff abscheiden kann.
Eine Variante der CVD-Technik ist die CVI-Technologie, wobei
die Gasphasenabscheidung nicht an der Oberfläche des Bauteils,
sondern im Porengefüge (Matrix) der unter allen Umständen
offenporigen Struktur erfolgt.
Die Erfindung hatte es sich nun zur Aufgabe gemacht, einen
hochoxydationsbeständigen CFC-Werkstoff mit einer guten
Resistenz gegenüber Sauerstoff bis über 1800°C in Verbindung
mit einer hohen Festigkeit bzw. einem geringen spezifischen
Gewicht und einem pseudoplastischen Bruchverhalten herzustellen.
Erfindungsgemäß wurden 1-, 2- und 3-dimensionale CFC-Gewebe
Prepregs, welche einen Harzprecursor enthielten, in einer be
heizbaren Presse zu plattenförmigen Formkörpern verpreßt und
im Anschluß daran in einem Reaktor unter Ausschluß von Sauer
stoff carbonisiert. Nach der Pyrolyse der Harze zu Kohlenstoff
erhält man einen CFC-Formkörper mit einer hohen offenen Porosität
bzw. offenen Struktur. Nach der Verkokung wurde dieses poröse
CFC-Bauteil über die Gasphaseninfiltration (CVI) mit pyrolytischem
Kohlenstoff infiltriert. Durch diesen Infiltrationsprozeß wird
ein Teil des Matrixporenvolumens aufgefüllt bzw. die Einzel
faserbündel bzw. Faserknotenpunkte in der CFC-Struktur beschich
tet. In Abhängigkeit von der Infiltrationsdauer konnte somit je
nach Anforderung ein mehr oder weniger verdichtetes CFC herge
stellt werden, welches abgesehen von der Kohlenstoffeinzelfaser
in den C-Faserbündeln aus reinem pyrolytischem Kohlenstoff in
der Matrix bestand. Dieser pyrolytische Kohlenstoff neigt im
Gegensatz zu pyrolysiertem Harzkohlenstoffen nicht zum Ausgasen
und weist hohe Reinheiten auf.
Durch entsprechende Prozeßparameter der Gasphaseninfiltration
konnte der pyrolytische Kohlenstoff in isotroper bzw. aniso
troper Form abgeschieden werden, was auf die Wärmeleitfähigkeit,
die Reaktivität und die Festigkeit einen entscheidenden Einfluß
hat. Vor allem war es möglich, die Pyrokohlenstoff-Matrix im
Anschluß an den CVI-Prozeß bei Temperaturen von < 2000°C zu
graphitisieren und eine bessere Oxydationsbeständigkeit zu ge
währleisten bzw. die Reaktivität des Matrixkohlenstoffes zu
minimieren.
Um CFC für extreme Hochtemperaturanwendungen über 1800°C in
Gegenwart von Sauerstoff für zukünftige Anwendungen in der Luft- und
Raumfahrt bzw. als allgemeiner Konstruktionswerkstoff ein
zusetzen, ist es jedoch notwendig, weitere keramische Schichten
in das CFC-Material zu infiltrieren.
In unserem Falle wurde die graphitierte CFC-Probe nochmals mit
Pyrokohlenstoff über die CVI-Technik infiltriert, wobei die
Prozeßparameter so eingestellt wurden, daß sich ein äußerst
reaktionsfreudiger Kohlenstoff in der CFC-Matrix abgeschieden hat.
Bei mikroskopischer Betrachtungsweise bildet sie sich um die
erste mittlerweile graphitierte und chemisch inerte pyrolytische
Graphitschutzschicht an den Faserbündeln eine zweite reaktions
freudige Pyrokohlenstoffschicht, so daß die Einzelfasern
in den C-Faserbündeln gasdicht versiegelt werden. Die Prozeß
dauer wurde so gewählt, daß sich der CFC-Formkörper immer noch
durch offene Porosität auszeichnet.
Im Anschluß daran wurde der CFC-Formkörper, also die kohlenstoff
faserverstärkte poröse C-C-Matrix über die Flüssigphaseninfiltra
tion von metallischem Silicium und/oder Siliciumlegierung bei
Temperaturen < 1000°C infiltriert, welches sich bei Temperaturer
höhung zusammen mit der reaktiven Pyrokohlenstoffschicht auf den
Faserbündeln bzw. in der Gesamtmatrix zu oxydationsbeständigem
Siliciumcarbid umwandelt und alle Restporen mit metallischem
Silicium aufgefüllt sind. Nach Beendigung der Siliciumcarbidbil
dung wurde gasförmiger Stickstoff in den Reaktor geleitet, so daß
sich das freie geschmolzene Silicium mit dem Stickstoff zu
Siliciumnitrid (Si3N4) umwandelte. Vorteilhafterweise werden
die Kohlenstoffbündel bzw. die Einzelfasern chemisch nicht
angegriffen, da nur eine Reaktion mit der zweiten Pyrokohlen
stoffschicht stattfindet.
Diese erfindungsgemäße Ausgestaltung erweist sich als besonders
vorteilhaft gegenüber anderen Oxydationsschutzmaßnahmen, da das
Kohlenstoffasergerüst, welches festigkeitssteigernd wirkt bzw.
den Widerstand gegen Rißausbreitung erhöht und pseudoplastisches
Bruchverhalten im Verbundwerkstoff bewirkt, hier nicht beschä
digt wird, und eine zu erwartende Versprödung ausbleibt.
Weiterhin erweist es sich als besonders vorteilhaft, daß man
über die Reaktionszeit der CVI-Prozesse mit Pyrokohlenstoff
definierte Mengen an reaktivem Kohlenstoff in die CFC-Matrix
einbringen kann und so bei der anschließenden Siliciuminfil
tration optimale stöchiometrische Verhältnisse zur Bildung
von Siliciumcarbid eingestellt werden und so der höchstmögliche
Umwandlungsgrad zu oxydationsschützendem Siliciumcarbid erzielt
wird bzw. die unreagierte Siliciummenge im CFC-Gefüge äußerst
gering ist.
Die quantitative Beschreibung der SiC-Reaktion zwischen metal
lischem Silicium und Pyrokohlenstoff setzt folgende pysikalisch-
chemischen Grundbetrachtungen für eine optimale Stöchiosmetrie
voraus:
Um einen höchstmöglichen Umwandlungsgrad an SiC zu erhalten
bzw. die freie Siliciummenge im CFC-Gefüge so gering wie
möglich zu halten, wurde die folgende Formel zur Bestimmung
des reaktiven Pyrokohlenstoffangebotes näherungsweise entwickelt:
C = Prozentsatz reaktiver Pyrokohlenstoff
x = Prozentsatz freies Silicium
y = Porosität des CFC-Körpers (Volumenanteil)
x = Prozentsatz freies Silicium
y = Porosität des CFC-Körpers (Volumenanteil)
Es besteht weiterhin die Möglichkeit, den Restanteil an freiem
metallischem Silicium in einem nachgeschalteten Oxydations
prozeß bei Temperaturen < 1500°C an Luft in Siliciumdioxyd
umzuwandeln, welches ebenfalls einen hohen Schmelzpunkt von
ca. 1600°C aufweist und dann als hochviskose Schmelze mit
geringem Diffusionskoeffizienten gegenüber Sauerstoff im
CFC-Gefüge vorliegt. Im Einsatz auftretende Mikrorisse in der
Matrix können somit sofort geschlossen werden und der Oxy
dationsschutz bleibt erhalten.
Wenn bei starker Temperaturwechselbeanspruchung auf metallisches
Silicium in C/C-Gefüge ganz verzichtet werden muß, so sieht eine
weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung vor, daß eine
chemische Gasphaseninfiltration entweder nur mit siliciumhal
tigen Gasen durchgeführt und es ausschließlich zu einer
Siliciumcarbidbildung mit der reaktiven Pyrokohlenstoffschicht
kommt oder daß ein CVI-Prozeß durchgeführt wird, wo gleich
zeitig silicium- und kohlenstoffhaltige Gase angeboten werden
und alle offenen Poren im CFC-Gefüge mit Siliciumcarbid aufge
füllt werden. Nach Abschluß der Gasphaseninfiltration mit
Siliciumcarbid kann bei kontinuierlicher Temperatursteigerung
eine Gasphasenabscheidung (CVD) von SiC auf den Formkörperober
flächen vorgenommen werden, was die abbrassive Verschleiß
festigkeit und die Oxydationsbeständigkeit weiter erhöht.
Ist das oxydationsgeschützte CFC äußerst starken Temperatur
wechselbeanspruchungen ausgesetzt, so sieht das erfindungsgemäße
Verfahren vor, auf die erste graphitisierte Pyrokohlenstoffschutz
schicht, welche an den Faserbündeln haftet, eine Gasphasenin
filtration und/oder eine Gasphasenbeschichtung mit pyrolytischem
Bornitrid (P-BN) vorzunehmen. Das Bornitrid dient dabei als
Trenn- und Gleitschicht, um die unterschiedlichen Wärmeaus
dehnungskoeffizienten des Pyrokohlenstoffs und des Silicium
carbids und/oder Siliciumnitrid auszugleichen und Mikrorißbil
dungen zu unterbinden. Das Verfahren sieht auch vor, daß man die
einzelnen CFC-Monogewebe noch vor der Formgebung über die
CVI- oder CVD-Technologie mit den angesprochenen Multilayer-
Schichten mit inertem Pyro-Graphit und/oder reaktivem Pyro
kohlenstoff und/oder pyrolytischem Bornitrid und/oder Silicium
carbid und/oder Siliciumnitrid aus der Gasphase beschichtet und
erst im Anschluß daran mit Harzprecursoren wie Phenolharz und/oder
Silikonen und/oder Polysilanen und/oder refraktären metall
haltigen Harzen die beschichteten CFC-Einzelgewebe zu Form
körpern wickelt und/oder verpreßt.
Nach der Carbonisierung kann ein abschließender CVI/CVD-Prozeß
mit Siliciumcarbid vorgenommen werden und es entsteht ein hoch
oxydationsbeständiger homogener faserverstärkter Werkstoff ohne
Abscheidegradienten im Gefüge, auch bei großen Bauteilen.
Es wurde ein 2-dimensionales CFC-Satingewebe-Prepreg mit einem
Fasergewicht von 280 g/m2, welche 35 Gew.% Phenolharz enthielt,
bei 200°C in einer Stempelpresse zu Platten mit den Abmessungen
150×150×5 mm verpreßt. Um die Wandstärke von 5 mm zu erzeu
gen, wurden 15 CFC-Gewebelagen verwendet. Die entstandene
CFK-Platte wurde in einem Reaktor bei 1172 Kelvin und einem Druck
von 10 mbar carbonisiert. Die Aufheizgeschwindigkeit betrug
2 Kelvin/min., die Haltzeit 24 Stunden. Das so entstandene poröse
CFC-Bauteil mit einer Dichte von 1,1 g/cm3 wurde in einem
CVI/CVD-Prozeß, ausgehend von Methangas und Stickstoff als Trägergas,
bei Temperaturen von 1472 K und einem Druck von 50 mbar und
Gaskonzentration von 200 l/Std. bei einem Verhältnis Methan zu
Stickstoff von 1 : 5 über eine Dauer von 72 Stunden infiltriert.
Nach dem Prozeß wies der CFC-Körper eine Dichte von 1,20 g/cm3
auf und wurde im Anschluß daran eine Stunde lang bei 2100°C
und 100 mbar Stickstoffatmosphäre graphitisiert. Nach der
Graphitisierung folgte eine erneute Gasphaseninfiltration mit
pyrolytischem Kohlenstoff bei einer Temperatur von 1172 K
und den gleichen Parametern wie beim ersten CVI-Prozeß. Die
CFC-Platte wies danach eine Dichte von 1,31 g/cm3 auf. Jetzt ist
der poröse CFC-Formkörper bei einer Temperatur von 1672 K mit
metallischem Silicium infiltriert worden und bei einer Temperung
bis 2072 K die Konvertierung zwischen metallischem Silicium
reaktive pyrolytischem Kohlenstoff an der Faserbündeloberfläche
zu Siliciumcarbid erfolgt.
Anschliffe aus der oxydationsgeschützten Probe zeigte eine deut
liche Siliciumcarbidbildung um die Kohlefaserbündel bzw. in den
ehemaligen Porenräumen. Der unreagierte Siliciumgehalt beträgt
ca. 8% im Gesamtgefüge. Die Kohlenstoffbündel wurden beim Ein
dringen des Siliciums bzw. der Reaktion zu Siliciumcarbid offen
sichtlich nicht angegriffen.
Aus der Platte wurden Prüfstäbe mit den Abmessungen 150×12×5 mm
gesägt und einem 4-Punkt-Biegeversuch unterzogen. Der ent
standene Werkstoff wies einen elastischen Bereich von über
200 N bei einer gleichzeitigen Dehnung von 400 µ auf,
ehe es zum ersten Faserabriß kam. Eine negative Einflußnahme
des Oxydationsschutzes auf das pseudoplastische Bruchverhalten
vom CFC konnte nicht festgestellt werden. REM-Untersuchungen
der Bruchflächen zeigten deutliche Pull-Out-Effekte der Einzel
fasern in den Faserbündeln. Deutlich erkennbar war der Multi
layer-Schutzaufbau um die Faserbündel. Ein oxydierender Versuch
bei 1800°C an Luft der Prüfstäbe für die Dauer von 30 Minuten
ergab einen maximalen Gewichtsverlust von 6 Gew.-%.
Es wurden 15 Stück 2-dimensionale CFC-Satinmonogewebe mit den
Abmessungen 150×150×0,25 mm, diesmal ohne Phenolharz-Precursor,
über die CVI/CVD-Technologie bei 1872 K für 5 Stunden, wiederum
ausgehend von Methangas und Stickstoff bei einem Druck von 100 mbar
und einer Gaskonzentration von 300 l/Std. bei einem Ver
hältnis Methan zu Stickstoff von 1 : 5 mit pyrolytischem
Graphit beschichtet. Nach Prozeßende wies das CFC-Monogewebe
eine gasdichte inerte Pyrographitstoffschicht von ungefähr 50 µ
auf. Anschließend wurden die 15 Kohlefasermonogewebe bei den
gleichen Reaktionsparametern wie bei der Pyrographitbeschichtung
mit pyrolytischem Bornitrid beschichtet. Die verwendeten Gase
waren dabei Bor-Tri-Chlorid und Ammoniak (Verhältnis 1 : 1),
welche zu Bornitrid und Salzsäure abreagieren. Die Kohlefaserge
webe wiesen nach dem Prozeß neben der Pyrographitbeschichtung eine
zweite etwa 40 µ starke Bornitridschicht auf. Es erfolgte eine
CVD-Beschichtung mit Siliciumcarbid bei den gleichen Prozeß
parameter wie schon bei der Pyrographit- und der Bornitridab
scheidung. Als Gase wurden hier Methan (CH4), Silan (SiH4) und
als Trägergas Argon im Mischungsverhältnis 1 : 1 : 5 verwandt.
Nach Prozeßende lagen 15 CFC-Gewebe mit einer Multilayerbe
schichtung aus pyrolytischem Graphit, pyrolytischem Bornitrid
und Siliciumcarbid vor, welche sich zwiebelschalenähnlich um die
Kohlefaserbündel abgeschieden haben. Anschließend wurden die
beschichteten Fasermatten in Phenolharz (30 Gew.-% bezogen auf
das Gewicht der Fasermatte) getränkt und wie in Beispiel 1 zu
einer Platte mit der Abmessung 150×150×5 mm verpreßt bzw.
carbonisiert. Die oxydationsgeschützte CFC-Platte wurde noch
mals bei gleichen Prozeßparametern mit Siliciumcarbid über 20
Stunden gasphasenbeschichtet und im Anschluß daran zu Prüfstäben
mit den Abmessungen 150×12×5 mm verarbeitet. Der elastische
Bereich konnte hier bei einer Belastung von 190 N und einer
Dehnung von 300 µ definiert werden. Bei weiterer Belastung
zeigte sich wieder pseudoplastisches Bruchverhalten.
Ein Oxydationstest bei 1800°C über 30 Minuten zeigte einen
maximalen Gewichtsverlust von 4%. Die durch überkritische
Belastung erzeugten Bruchflächen zeigten im REM wieder deut
liche Pull-Out-Effekte der Faserverstärkung. Faserangriff
fand durch die Oxydationsschutzmaßnahmen nicht statt.
Auf dem 2-dimensionalen Satin-CFC-Gewebe mit 35 Gew.-% Phenolharz
wurde wie in Beispiel 1 ein Formkörper mit den Abmessungen
150×150×5 mm gepreßt und carbonisiert. Im Anschluß daran
wurde der poröse CFC-Körper bei 1672 K mit metallischem Silicium
infiltriert und bei weiterem Aufheizen bis 1972 K die Silicium
carbidbildung durchgeführt. Der 4-Punkt-Biegeversuch an gleichen
Probenabmessungen zeigte ein sprödes Bruchversagen bei einer
Belastung von schon 130 N und einer Dehnung von 100 µ. Die
REM-Untersuchung der Bruchflächen zeigten keine Pull-Out-Effekte.
Es kam bei der Siliciumcarbidbildung zu einem massiven chemi
schen Angriff der Fasern und zu einer Umwandlung zu Silicium
carbid, die festigkeitssteigernde Faserverstärkung ging verloren.
Gefügeanschliffe zeigen ca. 21% freies metallisches Silicium
im CFC-Gefüge. Der Oxydationsversuch bei 1800°C an Luft über
30 Minuten erbrachte einen Gewichtsverlust von über 12%.
Claims (29)
1. Verfahren zur Herstellung von oxidationsgeschützten CFC-Formkörpern, da
durch gekennzeichnet,
daß man die aus den bekannten Formgebungs- und Carbonisierungsverfahren er
haltenen CFC-Formkörper beliebiger Geometrie, also die Kohlenstoffaserver
stärkte poröse C-C-Matrix durch eine Chemische Gasphaseninfiltration (CVI/CVD)
mittels pyrolytischem Kohlenstoff infiltriert und so jede C-Einzelfaser bzw.
die Faserbündel mit einer dichten Kohlenstoffschutzschicht versiegelt und
weiterhin über die Infiltrationsmenge von pyrolytischem Kohlenstoff bzw. die
Reaktionszeit des CVI-Prozesses die Dichte (1,2-1,8 g/cm3) und die offene
Porosität einstellen kann.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß sich die erhaltenen CFC-Körper durch die chemische Gasphaseninfiltration/ -abscheidung
(CVI/CVD) mittels pyrolytischem Kohlenstoff durch eine gute
Oxidationsbeständigkeit, eine äußerst niedrige Porosität, Eigenbindung, eine
hohe Reinheit und insbesondere eine hohe Biegebruchfestigkeit von mindestens
300 N/mm2 bei einer Dichte von 1,2-1,8 g/cm3 und einem gleichzeitigen
E-Modul von mindestens 90 GPa auszeichnen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß man die Gasphaseninfiltration mit pyrolytischem Kohlenstoff (CVI/CVD)
vorzugsweise an ein- und/oder zwei- und/oder dreidimensionalem CFC-Körpern
und/oder CFC-Körpern bestehend aus Kurzfasern (ungerichtet und quasi-isotrop)
und/oder auch Kohlenstoffilzen durchführen kann.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß man bei den bekannten Formgebungsverfahren als Matrixspender vorzugsweise
Phenolharze und/oder Silikon-Harze und/oder silicium-kohlenstoffhaltige
und/oder titanhaltige und/oder wolframhaltige Harze verwenden kann.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß man vor der Formgebung der CFK- bzw. CFC-Formkörper die einzelnen Kohle
fasergewebematten und/oder die C-Monofilamentfasern mit einer pyrolytischen
Kohlenstoffschutzschicht über die chemische Gasphasenabscheidung versiegelt
und im Anschluß daran diese erst zu Formkörpern verpreßt bzw. wickelt.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kohlefasergewebematten und/oder die C-Monofilamentfasern einen Harz
enthalten in einer 10 bis 50 Gew.-% entsprechenden Menge, bezogen auf den
Kohlefasergehalt.
7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die nach der Formgebung erhaltenen CFK-Formkörper unter Schutzgas (Argon
oder Stickstoff) und/oder Vakuumatmosphäre bei Temperaturen zwischen 800 und
1200°C carbonisiert bzw. verkokt werden und die enthaltene Harzmenge pyro
lysiert.
8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet,
daß sich die erhaltenen CFC-Formkörper durch die chemische Gasphasenabschei
dung (CVI/CVD) mit pyrolytischem Kohlenstoff durch eine geschlossene Ober
fläche bzw. ausschließlich geschlossene Porosität auszeichnen und so die
Oxidationsbeständigkeit verbessert wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Gasphaseninfiltrationsprozeß (CVI) mit pyrolytischem Kohlenstoff bei
Temperaturen zwischen 800 und 1500°C durchgeführt wird und als Trägergas beim
CVI-Prozeß Argon und/oder Stickstoff und als Reaktionsgas Kohlenwasserstoffe
verwendet werden und während des Prozesses ein Druck von 1 bis 500 mbar im
Reaktionsraum aufrecht erhalten wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die CFC-Formkörper mittels einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) mit
einer gasdichten pyrolytischen Kohlenstoffschicht zwischen 10 und 3000 µm ver
siegelt werden und somit keine Oberfläche mehr vorliegt und so der Oxidations
schutz erhöht wird.
11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet,
daß durch die CVD-Versiegelung der CFC-Formkörper beliebiger Geometrie extrem
hohe Reinheiten von kleiner 5 ppm erzielt werden können und so bei herkömm
lichem CFC zu erwartende Ausgasungen vollkommen unterbunden werden.
12. Verfahren nach Anspruch 10 und 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die chemische Gasphasenabscheidung bei Temperaturen zwischen 1000 und
2000°C und einem Druck zwischen 1 und 950 mbar (abs.) durchgeführt wird und
als Trägergase Argon und/oder Stickstoff sowie als Reaktionsgase Kohlenwasser
stoffe angeboten werden.
13. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet,
daß man die aus der chemischen Gasphaseninfiltration (CVI) und die aus der
Gasphasenabscheidung erhaltene Pyrokohlenstoffschutzschicht bei Temperaturen
von größer 2000°C graphitieren kann.
14. Verfahren nach Anspruch 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet,
daß man die Kohlenstoffaserverstärkte poröse C-C-Matrix durch eine chemische
Gasphaseninfiltration (CVI) mit Siliciumcarbid infiltriert bzw. auffüllt und
im Anschluß daran durch eine Gasreaktion mit Stickstoff das freie Silicium zu
Siliciumnitrid (Si3N4) umwandelt und so durch den Multilayer-Effekt die Oxi
dationsbeständigkeit bzw. die Verschleißfestigkeit dauerhaft verbessert wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die chemische Gasphaseninfiltration von Siliciumcarbid bei Temperaturen
zwischen 1000 und 1500°C erfolgt und während des Prozesses ein Druck zwischen
1 und 500 mbar (abs.) aufrecht erhalten wird und als Reaktionsgase silicium
haltige Gase verwendet werden, die sich mit dem Kohlenstoff aus der Faser bzw.
Matrix zu Siliciumcarbid verbinden.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß man bei der chemischen Gasphaseninfiltration (CVI) von SiC vorzugsweise
Reaktionsgasgemische von silicium- und kohlenstoffhaltigen Gasen verwendet
werden.
17. Verfahren nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet,
daß man über die Reaktionszeit der Gasphaseninfiltration von Pyrokohlenstoff
und der Gasphaseninfiltration von Silicium optimale stöchiometrische Verhält
nisse zur Bildung von Siliciumcarbid einstellen kann und so der höchstmögliche
Umwandlungsgrad von SiC bzw. Oxidationsschutz erzielt wird.
18. Verfahren nach Anspruch 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet,
daß man die CFC-Formkörper beliebiger Geometrie, also die Kohlenstoffaserver
stärkte poröse C-C-Matrix über die Flüssigphaseninfiltration von metallischem
Silicium und/oder Si-Legierungen bei Temperaturen größer 1000°C infiltriert
und sich bei Temperaturerhöhung an den Fasern und in der Gesamtmatrix
Siliciumcarbid bildet und man weiterhin das freie Silicium durch eine Gas
reaktion mit Stickstoff zu Siliciumnitrid umwandeln kann.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet,
daß die CFC-Formkörper vor der Flüssigphaseninfiltration mit metallischem
Silicium einer Gasphaseninfiltration mit pyrolyltischem Kohlenstoff unter
zogen werden, so daß die Einzelfasern im Verbundkörper mit Pyrolkohlenstoff
versiegelt sind.
20. Verfahren nach Anspruch 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet,
daß bei hohen Verschleißanforderungen durch Abrieb etc. an den CFC-Formkörpern
selbst und/oder die pyrolytische Kohlenstoff-Schutzschicht mit einer extrem
harten und abriebfesten aus der Gasphase abgeschiedenen (CVD) Siliciumcarbid-
Schutzschicht versiegelt wird und so auch die Oxidationsbeständigkeit wesent
lich erhöht werden kann.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet,
daß die SiC-Schutzschicht über die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) bei
Temperaturen zwischen 1000 und 2000°C erfolgt und während des Prozesses ein
Druck zwischen 1 und 950 mbar (abs.) aufrecht erhalten wird und als Reaktions
gase Silicium- und/oder Silicium-/Kohlenstoffträgergase verwendet werden.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet,
daß das Siliciumcarbid sekundär über das Verdampfen von metallischem Silicium
auf dem CFC selbst und/oder der pyrolytischen Kohlenstoffschutzschicht gebil
det wird.
23. Verfahren nach Anspruch 20 bis 22, dadurch gekennzeichnet,
daß vor der CVD-Beschichtung mit SiC, daß CFC selbst und/oder die pyrolytische
Kohlenstoffschicht durch metallisches Silicium siliziert wird und so Differen
zen in der Wärmeausdehnung bzw. Rißbildungen minimiert werden.
24. Verfahren nach Anspruch 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet,
daß man die Reaktivität von pyrolytisch abgeschiedenen Kohlenstoffen beim
CVI/CVD-Prozeß über die Abscheidetemperatur derart steuert, daß die im
CFC enthaltenen C-Fasern bzw. C-Bündel bei den Reaktionen mit Silicium je
nach Anwendungszweck angegriffen oder nicht angegriffen werden können, indem
man bei einer gewünschten hohen Reaktivität des Kohlenstoffs im Temperatur
bereich zwischen 950 und 1400°C abscheidet und bei einer gewünschten niedrigen
Reaktivität bei Temperaturen von größer 1700°C den CVI/CVD-Prozeß durchführt
und so inerten pyrolytischen Graphit erzeugt.
25. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 9, 10, 12, 14, 15, 21 und 24, dadurch ge
kennzeichnet,
daß man bei der chemischen Gasphaseninfiltration (CVI) und der chemischen
Gasphasenabscheidung (CVD) von pyrolytischem Kohlenstoff und/oder pyrolytischem
Siliciumcarbid sowohl ein bauteilspezifisches Heizelement als auch eine bau
teilspezifische Ofenisolierung und Gaszuführung verwendet und so optimale
Wirkungsgrade erzielt werden.
26. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 9, 10, 12, 14, 15, 21 und 24, dadurch ge
kennzeichnet,
daß man bei der chemischen Gasphaseninfiltration (CVI/CVD) von Pyrokohlenstoff
und Siliciumcarbid den Druck im sogenannten Impulsverfahren ständig steigen
und abfallen läßt und somit durch den entstehenden Druckgradienten im CFC-
Bauteil hohe Infiltrationsgrade erzielt werden.
27. Verfahren nach Anspruch 1-26, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Ein
bringung des Oxydationsschutzes eine inerte Trennschicht mittels CVI um die
Faser/Faserbündel abgeschieden wird.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß diese Trenn
schicht aus Bornitrid besteht.
29. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß diese Trenn
schicht aus Aluminiumnitrid besteht.
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