Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

DE3917765A1 - Verfahren zum verbinden von zwei scheibenfoermigen koerpern aus materialien unterschiedlicher thermischer ausdehnungskoeffizienten - Google Patents

Verfahren zum verbinden von zwei scheibenfoermigen koerpern aus materialien unterschiedlicher thermischer ausdehnungskoeffizienten

Info

Publication number
DE3917765A1
DE3917765A1 DE3917765A DE3917765A DE3917765A1 DE 3917765 A1 DE3917765 A1 DE 3917765A1 DE 3917765 A DE3917765 A DE 3917765A DE 3917765 A DE3917765 A DE 3917765A DE 3917765 A1 DE3917765 A1 DE 3917765A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
disc
shaped
thermal expansion
discs
press
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE3917765A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3917765C2 (de
Inventor
Reinhold Dr Kuhnert
Herbert Dr Schwarzbauer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE3917765A priority Critical patent/DE3917765C2/de
Publication of DE3917765A1 publication Critical patent/DE3917765A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3917765C2 publication Critical patent/DE3917765C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/16Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating with interposition of special material to facilitate connection of the parts, e.g. material for absorbing or producing gas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • H01L2224/8382Diffusion bonding
    • H01L2224/8383Solid-solid interdiffusion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8384Sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01042Molybdenum [Mo]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedli­ cher thermischer Ausdehnungskoeffizienten nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein Verfahren dieser Art, das zum Befestigen von Halbleiter­ bauelementen auf metallischen Substraten dient und als Diffu­ sionsschweißverfahren bezeichnet wird, ist in der DE-A-33 25 355 beschrieben. Ein anderes Verfahren dieser Art, das unter der Bezeichnung "Drucksinterverfahren" bekannt ge­ worden ist, ist dem US-A-48 10 672 zu entnehmen. Es kann bei­ spielsweise dazu verwendet werden, um elektronische Bauelemen­ te, insbesondere großflächige Leistungshalbleiter, mit metal­ lischen Substraten zu verbinden. Darüberhinaus werden Ver­ fahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 ganz all­ gemein dazu verwendet, um zwei scheibenförmige Körper aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffi­ zienten, z. B. aus zwei unterschiedlichen metallischen Werk­ stoffen, miteinander zu verbinden. Solche Verfahren führen zwar zu sehr dauerhaften Verbindungen, weisen jedoch generell den Nachteil auf, daß die bei der erforderlichen Verbindungs­ temperatur miteinander verbundenen scheibenförmigen Körper beim Abkühlen infolge der unterschiedlichen Wärmeausdehnungs­ koeffizienten in einen Spannungszustand geraten, der zu Ver­ wölbungen führt. Dieser Nachteil tritt um so stärker hervor, je mehr sich die Wärmeausdehnungskoeffizienten von einander unterscheiden und je größer der Unterschied zwischen der Ver­ bindungstemperatur und der Betriebstemperatur des zusammenge­ fügten Körpers ist. Besonders störend sind die Verwölbungen dann, wenn einer der scheibenförmigen Körper aus einer Halb­ leiterscheibe besteht, die mit oberflächenseitig integrierten MOS-Strukturen versehen ist und mit entsprechenden Metallisie­ rungsstrukturen versehen werden soll. So ist z. B. eine Her­ stellung der Strukturen durch Anwendung von photolithographi­ schen Schritten und Ätztechniken mit Genauigkeiten im Bereich von µm nicht mehr möglich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem dieser Nachteil nicht auftritt. Das wird erfindungsgemäß durch eine Ausbil­ dung nach dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 er­ reicht.
Der mit der Erfindung erzielbare Vorteil liegt insbesondere darin, daß die bei der Verbindungstemperatur eingestellte, durch die Form der Pressenstempel und der Druckstücke vorge­ gebene Krümmung der miteinander zu verbindenden scheibenför­ migen Körper so gewählt werden kann, daß gerade bei einer be­ stimmten, unter der Verbindungstemperatur liegenden Betriebs­ temperatur der spannungsfreie und damit ebene Zustand des aus beiden scheibenförmigen Körpern zusammengesetzten Körpers erreicht wird.
Die Ansprüche 2 bis 4 stellen vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Verfahrens nach der Erfindung dar. Der An­ spruch 5 ist auf eine bevorzugte Anwendung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens gerichtet.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand einer in der Zeichnung dargestellten, zur Durchführung des erfindungsgemäßen Ver­ fahrens geeigneten Anordnung näher erläutert. Dabei zeigt:
Fig. 1 eine Anordnung zum Verbinden zweier scheibenförmiger Körper mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungsk­ oeffizienten und
Fig. 2 eine Weiterbildung der Anordnung nach Fig. 1 zum gleichzeitigen Verbinden einer Mehrzahl von scheiben­ förmigen Körpern.
In Fig. 1 sind zwei scheibenförmige Körper 1 und 2 mittels eines Diffusionsschweißverfahrens miteinander zu verbinden, wobei 1 eine Scheibe aus dotiertem Halbleitermaterial, z. B. Silizium, und 2 ein metallisches Substrat, z. B. aus Molybdän oder Wolfram darstellen. Zweckmäßigerweise wird eine Folie 3 oder ein dünnes Blech aus einem plastisch deformierbaren Material, z. B. Al, Ag oder Au, mit einer Foliendicke von z. B. 10 bis 30 µm zwischen die miteinander zu verbindenden Flächen eingelegt. Ist die Folie 3 aus Edelmetall gefertigt, so muß diejenige der beiden miteinander zu verbindenden Flächen, die aus Halbleitermaterial besteht, mit einem als Diffusionssperre wirkenden Überzug, z. B. aus Titan, versehen sein, wobei dieser Überzug mit einer weiteren Schicht abge­ deckt wird, die z. B. aus Au besteht. Nach dem Zusammenle­ gen der Teile 1 bis 3, wobei die Unterseite des Halbleiter­ körpers 1 vorzugsweise noch mit einer Metallscheibe 4 aus Al, abgedeckt wird, um sie vor etwaigen Beschädigungen zu schützen oder um eine Metallisierung der Unterseite der Halbleiter­ scheibe 2 zu erzielen, werden die in dieser Weise gestapelten Teile 1 bis 4 zwischen zwei Pressenstempel 5 und 6 einer im einzelnen nicht dargestellten, vorzugsweise hydraulischen Presse eingebracht. Die Pressenstempel werden beheizt, so daß die Anordnung 1 bis 4 auf eine Verbindungstemperatur gebracht wird, die etwa im Bereich von 230-570°C liegt. Die Pressen­ stempel 5 und 6 werden durch Betätigung der Presse so gegen­ einander bewegt, daß die Teile 1 und 2 mit einem Anpreßdruck von etwa 5000-25000 N/cm2 während einiger Minuten zusammen­ gepreßt werden. Hierdurch wird eine Verbindung der Halblei­ terscheibe 1 und des Substrats 2 erreicht, die einen sehr geringen elektrischen und thermischen Übergangswiderstand, einen sehr hohen Homogenitätsgrad und eine große Haftfestig­ keit aufweist.
Da das metallische Substrat 2 einen größeren thermischen Aus­ dehnungskoeffizienten hat als die Halbleiterscheibe 1, sind beide Pressenstempel 5 und 6 an ihren den Anpreßdruck auf die Teile 1 und 2 übertragenden Flächen kugelkalottenförmig aus­ gebildet, wobei die untere Fläche 7 des Stempels 5 konkav ist, weil sie sich auf der Seite des Substrats 2 mit dem größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten befindet, während die obere Fläche 8 des Stempels 6 konvex ist, weil sie sich auf der Seite der Halbleiterscheibe 1 mit dem kleineren thermi­ schen Ausdehnungskoeffizienten befindet. Die Krümmungsradien der Flächen 7 und 8 sind gleich groß, so daß die Teile 1 und 2 während des Diffusionsschweißens, d.h. bei der Verbindungs­ temperatur, eine entsprechende Krümmung aufweisen. Nach dem Schweißvorgang, d.h. nach dem Entfernen der miteinander ver­ bundenen Teile 1 und 2 aus der Presse, führen die unterschied­ lichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 1 und 2 dazu, daß sich die Krümmung des aus 1 und 2 bestehenden, scheiben­ förmigen Körpers durch die Abkühlung verringert. Gibt man nun eine bestimmte Betriebstemperatur vor, bei der der aus 1 und 2 bestehende, scheibenförmige Körper spannungsfrei bzw. eben sein soll, so wird in einfacher Weise der Krümmungsradius der Flächen 7 und 8 so gewählt, daß durch die Abkühlung von der Verbindungstemperatur auf die Betriebstemperatur die zunächst durch die Flächen 7 und 8 bestimmte Krümmung der miteinander verbundenen Teile 1 und 2 praktisch vollständig aufgehoben wird.
Soll z. B. ein Drucksinterverfahren benutzt werden, um die Teile 1 und 2 miteinander zu verbinden, so wird die Metall­ folie 3 durch eine Zwischenschicht, insbesondere in Form einer Paste, ersetzt, die mit einer Schichtdicke von etwa 10 bis 20 µm beispielsweise auf der Unterseite des Substrats 2 aufge­ tragen werden kann. Die Paste besteht mit Vorteil aus einem Silberpulver aus plättchenförmigen Pulverpartikeln, die in einem Lösungsmittel suspendiert werden. Nach dem Trocknen der aufgetragenen Paste werden dann die Teile 1, 2 und 4 in der dargestellten Weise zusammengesetzt, zwischen die Pressen­ stempel 5 und 6 eingebracht und auf eine Sintertemperatur von etwa 230°C erhitzt. Der für die Sinterung erforderliche Druck von mindestens 900 N/cm2 wird durch die Pressenstempel 5, 6 aufgebracht.
Fig. 2 zeigt eine Anordnung, die sich aus Fig. 1 dadurch ergibt, daß zwischen den Pressestempeln 5 und 6 noch weitere kugelkalottenförmige Druckstücke 9 und 10 vorgesehen sind, deren Oberseiten jeweils konvex und deren Unterseiten jeweils konkav ausgebildet sind, wobei jede dieser Flächen den glei­ chen Krümmungsradius aufweist wie die Flächen 7 und 8. Bringt man zwischen den Stempel 5 und das Druckstück 9 die bereits beschriebenen Teile 1 bis 4 ein, zwischen die Druckstücke 9 und 10 entsprechende Teile 1′ bis 4′ und zwischen das Druck­ stück 10 und den Stempel 6 weitere entsprechende Teile 1′′ bis 4′′, so gelingt es, alle diese Teile in einem einzigen Ar­ beitsgang jeweils miteinander zu verbinden.
In Abweichung von den oben beschriebenen Verbindungsverfahren sind ganz allgemein auch andere Verbindungsverfahren im Rahmen der Erfindung anwendbar, bei denen zwei scheibenförmige Körper bei einer vorgegebenen Verbindungstemperatur und einem vor­ gegebenen Anpreßdruck zusammengefügt werden. Dabei können die miteinander zu verbindenden, scheibenförmigen Körper aus be­ liebigen Materialien bestehen, deren thermische Ausdehnungs­ koeffizienten voneinander abweichen. Beispielsweise können die Teile 1 und 2 auch zwei Metallscheiben aus unterschiedlichem Material darstellen.

Claims (5)

1. Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern (1, 2) aus Materialien unterschiedlicher thermischer Aus­ dehnungskoeffizienten, die bei einer vorgegebenen Verbin­ dungstemperatur mit einem vorgegebenen Anpreßdruck zusammen­ gefügt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die scheibenförmigen Körper (1, 2) zwischen zwei kugel­ kalottenförmige Pressenstempel (5, 6) eingebracht werden, wobei der eine Pressenstempel (5) konkav geformt ist und sich auf der Seite des scheibenförmigen Körpers (2) mit dem größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten befindet und der andere Pressenstempel (6) konvex geformt ist und sich auf der Seite des scheibenförmigen Körpers (1) mit dem kleineren thermischen Ausdehnungskoeffizienten befindet, und daß die Pressenstempel (5, 6) nach Erwärmung der scheibenförmigen Körper (1, 2) auf die Verbindungstemperatur mit dem Anpreß­ druck zusammengepreßt werden, wobei die Krümmungsradien beider Pressenstempel (5, 6) gleich groß und so bemessen sind, daß sich bei einer Abkühlung der miteinander verbundenen Körper (1, 2) auf eine vorgegebene, unterhalb der Verbindungstempera­ tur liegende Temperatur eine im wesentlichen ebene und span­ nungsfreie Verbindung derselben ergibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß auf wenigstens einer der miteinander zu verbindenden Flächen der scheibenförmigen Körper eine Verbin­ dungsschicht, insbesondere in Form einer aus einem Metall­ pulver und einem Lösungsmittel bestehenden Paste, aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zwischen die miteinander zu verbin­ denden Flächen der scheibenförmigen Körper (1, 2) eine Metallfolie (3) eingelegt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen beide Pressen­ stempel (5, 6) wenigstens ein kugelkalottenförmiges Druckstück (9, 10) vorgesehen ist, das auf einer Seite konkav und auf der anderen Seite konvex geformt ist und daß zwischen ein solches Druckstück (9) und einen Pressenstempel (5) und gegebenenfalls zwischen zwei benachbarte Druckstücke (9, 10) jeweils zwei miteinander zu verbindende scheibenförmige Körper eingebracht werden.
5. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zum Verbinden eines scheibenförmigen Halbleiterkörpers mit einem scheibenförmigen metallischen Substrat.
DE3917765A 1989-05-31 1989-05-31 Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung Expired - Lifetime DE3917765C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3917765A DE3917765C2 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3917765A DE3917765C2 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3917765A1 true DE3917765A1 (de) 1990-12-06
DE3917765C2 DE3917765C2 (de) 1996-05-30

Family

ID=6381785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3917765A Expired - Lifetime DE3917765C2 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3917765C2 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3940933A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-27 Eupec Gmbh & Co Kg Verfahren zur verformung von basisplatten
US5379942A (en) * 1992-10-01 1995-01-10 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a semiconductor modular structure
DE4338107C1 (de) * 1993-11-08 1995-03-09 Eupec Gmbh & Co Kg Halbleiter-Modul
DE4436561C1 (de) * 1994-10-13 1996-03-14 Deutsche Spezialglas Ag Verfahren zur Veränderung der Durchbiegung von anodisch gebondeten flächigen Verbundkörpern aus Glas und Metall oder Halbleitermaterialien
DE19820393A1 (de) * 1998-05-07 1999-11-11 Volkswagen Ag Anordnung zur Verbindung eines Leichtmetallbauteils mit einem Stahlbauteil und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
DE10126508A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-05 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Verpacken von elektronischen Bauteilen mittels Spritzgusstechnik
DE102022134916A1 (de) 2022-12-28 2024-07-04 Infineon Technologies Ag Gehäuse mit verzugsarmem Träger

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10140826B4 (de) * 2000-12-13 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur mehrschrittigen Bearbeitung eines dünnen und unter den Bearbeitungsschritten bruchgefährdeten Halbleiter-Waferprodukts

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3327476C2 (de) * 1982-07-30 1987-07-09 Kidde Consumer Durables Corp., New York, N.Y., Us
US4810672A (en) * 1986-04-22 1989-03-07 Siemens Aktiengesellschaft Method of securing electronic components to a substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3327476C2 (de) * 1982-07-30 1987-07-09 Kidde Consumer Durables Corp., New York, N.Y., Us
US4810672A (en) * 1986-04-22 1989-03-07 Siemens Aktiengesellschaft Method of securing electronic components to a substrate

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3940933A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-27 Eupec Gmbh & Co Kg Verfahren zur verformung von basisplatten
US5379942A (en) * 1992-10-01 1995-01-10 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a semiconductor modular structure
EP0650189A1 (de) * 1992-10-01 1995-04-26 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Modulaufbaus
DE4338107C1 (de) * 1993-11-08 1995-03-09 Eupec Gmbh & Co Kg Halbleiter-Modul
US5508560A (en) * 1993-11-08 1996-04-16 Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungs-Halbletter Mbh & Co. Kg Semiconductor module
DE4436561C1 (de) * 1994-10-13 1996-03-14 Deutsche Spezialglas Ag Verfahren zur Veränderung der Durchbiegung von anodisch gebondeten flächigen Verbundkörpern aus Glas und Metall oder Halbleitermaterialien
DE19820393A1 (de) * 1998-05-07 1999-11-11 Volkswagen Ag Anordnung zur Verbindung eines Leichtmetallbauteils mit einem Stahlbauteil und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
DE10126508A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-05 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Verpacken von elektronischen Bauteilen mittels Spritzgusstechnik
DE10126508B4 (de) * 2001-05-30 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Vorrichtung mit mittels Spritzgusstechnik verpackten elektronischen Bauteilen, Spritzgusswerkzeug und Verfahren zum Verpacken von elektronischen Bauteilen
DE102022134916A1 (de) 2022-12-28 2024-07-04 Infineon Technologies Ag Gehäuse mit verzugsarmem Träger
DE102022134916B4 (de) 2022-12-28 2024-10-10 Infineon Technologies Ag Gehäuse mit verzugsarmem Träger

Also Published As

Publication number Publication date
DE3917765C2 (de) 1996-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0330895B1 (de) Verfahren zum Befestigen von elektronischen Bauelementen auf Substraten und Anordnung zur Durchführung desselben
EP0650189B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Modulaufbaus
EP0242626B1 (de) Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat
DE4008624C2 (de)
EP3103138B1 (de) Verfahren zum montieren eines elektrischen bauelements, bei der eine haube zum einsatz kommt
EP0330896A2 (de) Verfahren zum Befestigen von Halbleiterbauelementen auf Substraten und Anordnungen zur Durchführung desselben
DE19522338B4 (de) Chipträgeranordnung mit einer Durchkontaktierung
DE3917765C2 (de) Verfahren zum Verbinden von zwei scheibenförmigen Körpern aus Materialien unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten und dessen Verwendung
DE69722661T2 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE3940933C2 (de) Verfahren zum Verformen einer Basisplatte für Halbleitermodule und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
EP0477600A1 (de) Verfahren zum Befestigen eines mit wenigstens einem Halbleiterbauelement versehenen Halbleiterkörpers auf einem Substrat
DE2532009A1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektrischen bauteiles, bestehend aus mindestens zwei durch eine isolierschicht getrennte bauelemente
DE19729785C2 (de) Kondensatoranordnung und ihr Herstellungsverfahren
DE3829248C2 (de)
DE69316159T2 (de) Verfahren zum Aufbringen von Kontakthöckern auf einer Halbleitervorrichtung sowie zum Verbinden dieser Vorrichtung mit einer Leiterplatte
DE68921681T2 (de) Flache Halbleiteranordnung vom Druckkontakt-Typ.
DE10233641B4 (de) Verfahren zur Verbindung einer integrierten Schaltung mit einem Substrat und entsprechende Schaltungsanordnung
EP0693223B1 (de) Verfahren zur verbindung elektrischer kontaktstellen
DE10038330C2 (de) Lötverfahren zur Befestigung elektrischer Bauelemente
DE102019106394B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer kohäsiven Verbindung und Bondmaterialvorform dafür
WO1996009647A1 (de) Verfahren zum kontaktieren eines elektronischen bauelementes auf einem substrat
DE10304777B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Chipnutzens mittels eines Hitze- und Druckprozesses unter Verwendung eines thermoplastischen Materials und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE4136075A1 (de) Verfahren zum verbinden eines scheibenfoermigen isolierkoerpers mit einem scheibenfoermigen, leitfaehigen koerper
EP1302094B1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrischen und/oder mechanischen verbindung von flexiblen dünnfilmsubstraten
EP0088923A2 (de) Sandwich für druckkontaktierbare Halbleiter-Leistungsbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition