DE3302864C1 - Schaltungsanordnung zum Schutze eines beruehrungslos ansteuerbaren Halbleiterschalters - Google Patents
Schaltungsanordnung zum Schutze eines beruehrungslos ansteuerbaren HalbleiterschaltersInfo
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Description
sehr geringem Aufwand die Einhaltung eines geringen Toleranzbereiches des Ansprechwertes, sondern ermöglicht
auch eine Miniaturisierung des Steuerteils und damit seine Integrierung in eine miniaturisierte
Schaltung. Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, daß sie mittels einfacher
Schaltungsmaßnahmen eine automatische Rückstellung des Transistors der Stromsteuerschaltung in den
leitenden Zustand erlaubt. Bei diesem Transistor handelt es sich vorzugsweise um einen bipolaren
Transistor oder einen MOS-FET-Transistor, da sich mit ihnen zum einen ein sehr geringer Spannungsabfall im
leitenden Zustand und ein so geringer Wert des Stromes im gesperrten Zustand erreichen läßt, daß der
Selbsthaltestrom eines den Halbleiterschalter bildenden Thyristors unterschritten wird. Deshalb ist eine
Abschaltung des Halbleiterschalters mit Hilfe von dessen Ansteuerschaltung nicht erforderlich.
Der Transistor der Stromsteuerschaltung kann mit dem im Überlastfall vom hohen auf das niedrige
Potential übergehenden Ausgang des Flip-Flops über einen Widerstand verbunden sein. Der Aufwand für den
Steuerteil ist dann minimal.
Mit Hilfe des Flip-Flops kann man auch ohne nennenswerten zusätzlichen Aufwand den Steuerteil so
ausbilden, daß er erst nach einem Abschalten und Wiedereinschalten der Versorgungsspannung den Transistor
wieder in den leitenden Zustand umsteuert, oder daß diese Umsteuerung nach einer wählbaren Zeitspanne
erfolgt. Für den erstgenannten Fall braucht das Flip-Flop nur mit einem Widerstand, für den anderen
Fall mit einem Kondensator und einem Widerstand, beschaltet zu werden, wobei die Zeitkonstante dieses
/?C-Gliedes bestimmend ist für die gewünschte Zeitverzögerung zwischen dem Auftreten des Kurzschlusses
oder des Überstromes und dem Rückführen des Transistors in den leitenden Zustand.
Auch der Stromsensor kann bei der erfindungsgemäßen Lösung mit einem sehr geringen Aufwand und mit
einer miniaturisierbaren Schaltung verwirklicht werden. Sofern die Schaltung nicht verzögert auf einen
Überstrom anzusprechen braucht, genügt die Ansteuerung des Flip-Flops mittels eines Transistors und dessen
Ansteuerung über einen Widerstand, der den Eingang dieses Transistors mit dem Abgriff am Widerstand des
Stromsensors verbindet. Um ein Ansprechen bei kurzzeitigen Überströmen zu verhindern, braucht nur
ein Kondensator hinzugefügt zu werden, der zusammen mit dem den Transistor an den Widerstand des
Stromsensors ankoppelnden Widerstand ein parallel zum Widerstand des Stromsensor liegendes RC-G\\ed
bildet.
Um trotz des Nichtansprechens bei kurzzeitigen Überströmen oder Stromimpulsen im Kurzschlußfalle
oder bei einem sehr hohen Überstrom die Abschaltung zu verzögern, braucht die Stromsensorschaltung nur
einen zweiten Transistor aufzuweisen, dessen Ausgang mit dem Eingang des Flip-Flops verbunden ist und
dessen Steuereingang mit dem Abgriff eines ohmschen Spannungsteilers in Verbindung steht, der parallel zum
Widerstand des Stromsensors liegt. Die Unterteilung dieses Spannungsteilers bestimmt hierbei die Obergrenze
des Stromes, bei dem die Ansprechverzögerung unwirksam, das Flip-Flop also ohne Verzögerung
getriggert wird.
Im folgenden ist die Erfindung anhand von zwei in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen im
einzelnen erläutert. Es zeigt
F i g. 1 ein Blockschaltbild des ersten Ausführungsbeispiels,
F i g. 2 ein Einzelheiten der Schaltung gemäß F i g. 1 zeigendes Schaltbild,
Fig.3 ein Schaltbild des zweiten Ausführungsbeispiels.
Zum Schließen und Öffnen des Stromkreises einer Last 1, die an eine Wechselspannungsquelle 2 mit einer
Spannung zwischen 24 Volt und 250 Volt angeschlossen ist, ist ein Thyristor 3 vorgesehen, der, wie F i g. 1 zeigt,
in Reihe mit einem Teil 4 einer elektronischen Stromsteuerschaltung und einem Teil 5 eines Stromsensors
geschaltet ist. Diese Reihenschaltung ist an die Gleichstromklemmen einer Gleichrichterbrücke 6 angeschlossen,
deren Wechselspannungseingang einerseits mit der Last 1 und andererseits mit der Wechselspannungsquelle
2 verbunden ist. Wenn sich der Thyristor 3 im leitenden Zustand befindet, fließt also ein Strom von
der Wechselspannungsquelle 2 über die Last 1 durch die Gleichrichterbrücke 6, den Thyristor 3, die Teile 4 und 5
und dann wieder durch die Gleichrichterbrücke 6 zurück zur Wechselspannungsquelle 2.
Die Zündelektrode des Thyristors 3 ist an eine Triggerschaltung 7 angeschlossen, die ebenso wie ein
diese Triggerschaltung ansteuernder Oszillator 8 eines im übrigen nicht dargestellten Näherungsschalters über
einen Spannungsregler 9 die erforderliche Betriebsspannung erhält. Letzterer ist an den Gleichspannungsausgang
der Gleichrichterbrücke 6 angeschlossen, wie die F i g. 1 und 2 zeigen.
Der mit dem Thyristor 3 in Reihe liegende Teil 4 der Stromsteuerschaltung und der Teil 5 des Stromsensors
dienen dazu, im Falle einer Überbrückung der Last 1, wie sie bei einem Kurzschluß auftreten kann, zu
verhindern, daß durch den Thyristor 3 hindurch ein Strom fließt, der so groß ist, daß es zu einer Zerstörung
des Thyristors 3 kommen könnte. Der Teil 4 der Stromsteuerschaltung besteht im Ausführungsbeispiel
aus einem MOS-FET-Transistor 10. Man könnte aber auch statt dessen einen bipolaren Transistor verwenden.
Mit der erstgenannten Transistorart läßt sich ein Drain-Source-Widerstand von weniger als 0,5 Ohm
erreichen.
Der Teil des Stromsensors wird durch einen ohmschen Widerstand R\ gebildet, an dem eine dem
Strom durch den Thyristor 3 proportionale Spannung abfällt. Die Spannung liegt über einen Widerstand R2 an
der Basis eines Transistors 11, dessen Emitter wie der nicht als Abgriff dienende Pol des Widerstandes R\ auf
Masse liegt, während der Kollektor über einen Widerstand i?3 an die geregelte Ausgangsspannung des
Spannungsreglers 9 angeschlossen ist. Der Transistor 11 und die Widerstände R2 und R3 bilden einen weiteren
Teil des Stromsensors.
Die Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors 11 liegt am Eingang eines als Ganzes mit 12 bezeichneten
Flip-Flop, das, wie F i g. 2 zeigt, in bekannter Weise aus zwei zusammengeschalteten NAND-Gattern besteht.
Derjenige Ausgang Q des Flip-Flop 12, welcher beim Einschalten der Versorgungsspannung gesetzt wird,
also das hohe Potential führt, ist über einen ohmschen Widerstand R^ mit der Steuerelektrode des Transistors
10 verbunden. Der andere Ausgang des Flip-Flop 12 ist im Ausführungsbeispiel über einen Kondensator 13 und
einen mit diesem in Reihe geschalteten ohmschen Widerstand R5 mit Masse verbunden. Das Flip-Flop
bildet zusammen mit den Widerständen R4 und R5 und
dem Kondensator 13 den Steuerteil der Stromsteuer-
schaltung, der mit dem das Signal, welches am Teil 5 des Stromsensors abgenommen wird, auf den Eingang des
Flip-Flop übertragenden Schaltungsteil des Stromsensors in Fig. 1 zu dem mit 14 bezeichneten Steuerungsblock zusammengefaßt ist.
Der Widerstand Ri wird so dimensioniert, daß an ihm
die zur Durchsteuerung des Transistors 11 erforderliche Spannung abfällt, wenn ein vorgegebener Grenzwert
des durch den Thyristor 3 fließenden Stromes überschritten wird. Beträgt beispielsweise die zur
Durchsteuerung des Transistors 11 erforderliche Basis-Emitter-Spannung
0,6VoIt und der Grenzwert des Stromes 1,4 Ampere, dann muß der Widerstand R\ eine
Größe von 0,42 Ohm haben. Im Falle eines an der Last 1 auftretenden Kurzschlusses würde dieser Grenzwert
des Stromes erheblich überschritten, sofern der Transistor 10 im durchgesteuerten Zustand bleiben
würde. Sobald jedoch der Kurzschlußstrom den gewählten Grenzwert erreicht hat, wird der Transistor
11 durchgesteuert. Dies hat zur Folge, daß das Flip-Flop
12 zurückgesetzt wird, was bedeutet, daß das Potential an seinem Ausgang Q auf den Low-Pegel abfällt. Da nun
der Transistor 10 keine ausreichende Ansteuerspannung mehr erhält, geht er in seinen Sperrzustand über. Dies
hat zur Folge, daß der durch den Thyristor 3 und den Transistor 10 fließende Strom auf einen Wert reduziert
wird, der kleiner ist als der Selbsthaltestrom des Thyristors 3, weil sowohl ein bipolarer Transistor als
auch ein MOS-FET-Transistor einen ausreichend hohen Widerstand im gesperrten Zustand haben. Nach dem
Unterschreiten des Selbsthaltestromes geht deshalb der Thyristor 3 in den sperrenden Zustand über.
Solange der Thyristor 10 gesperrt ist, kommt es zu keinem Stromfluß im Lastkreis, obwohl der Thyristor 3
weiterhin Zündimpulse von der Triggerschaltung 7 erhält. Erst wenn nach einer von der Größe des
Kondensators 13 abhängenden Zeitspanne das Flip-Flop 12 selbsttätig wieder gesetzt wird, wodurch der
Transistor 10 in den leitenden Zustand gebracht wird, führt der nächste Zündimpuls dazu, daß der Thyristor 3
wieder den Laststromkreis schließt. Besteht immer noch der Kurzschluß, dann erfolgt eine erneute Abschaltung.
Ist hingegen der Kurzschluß beseitigt, dann ist nun der durch den Thyristor 3 gebildete Halbleiterschalter
wieder voll funktionsfähig.
Ersetzt man den Kondensator 13 durch eine Brücke 15, wie dies in Fig.2 durch eine gestrichelte Linie
dargestellt ist, dann kann das Flip-Flop 12 erst wieder gesetzt werden, nachdem zuvor die Versorgungsspannung
ab- und dann wieder eingeschaltet worden ist.
Unabhängig davon, ob es sich bei dem Transistor 10 um einen bipolaren Transistor oder einen MOS-FET-Transistor
handelt, ist es mit der erfindungsgemäßen Schaltung möglich, den Laststromkreis sehr niederohmig
auszulegen. Ferner ermöglicht es diese Schaltung, den Kurzschlußstrom bereits bei einem sehr geringen
Wert, also in sehr kurzer Zeit, bezogen auf die Periodendauer der Wechselspannung, abzuschalten,
wodurch sowohl die thermische Belastung als auch die Stoßstrombeanspruchung der Bauelemente gering gehalten
werden kann. Außerdem ist die Anzahl der erforderlichen Bauelemente sehr gering.
Das in Fig.3 dargestellte Ausführungsbeispiel der
erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel gemäß den F i g. 1
und 2 nur durch einen Überlastschutz, durch den zeitlich begrenzte Überströme, wie sie z. B. beim Schalten von
elektromagnetischen Lasten auftreten können, nicht zu einer Umschaltung des Transistors 10 in den gesperrten
Zustand führen, weil diese kurzzeitigen Überströme den Halbleiterschalter nicht gefährden. Bei elektromagnetischen
Lasten können die Stromspitzen bis zu zehnmal größer werden als der Nennstrom für eine Dauer bis zu
etwa 40 Millisekunden. Nur wenn die Stromspitzen noch größer oder die Zeitdauer des Überstromes länger
ist, wird die Schutzschaltung wirksam.
Wie F i g. 3 zeigt, wird, um diese zeitliche Ansprechverzögerung zu erreichen, zusätzlich nur ein Kondensator
17 benötigt, welcher einerseits an die Basis des Transistors 11 und andererseits auf Massepotential
gelegt ist. Der Kondensator 17 bildet hierdurch zusammen mit dem Widerstand R2 ein parallel zum
Widerstand Ri liegendes ÄC-Glied. Die zeitliche
Verzögerung der Triggerung des Flip-Flop 12 und damit der Sperrung des Transistors 10 hängt von der
Dimensionierung des Widerstandes R2 und des Kondensators
17 ab.
Damit bei größerem Überstrom, der zur Zerstörung des Halbleiterschalters führen würde, trotz der Ansprechverzögerung
bei geringeren Überströmen des Flip-Flop 12 unverzögert anspricht, ist parallel zum
Widerstand Ri, an dem eine dem Strom proportionale Spannung abgegriffen wird, ein ohmscher Spannungsteiler
geschaltet, der aus den Widerständen Re und Rj
besteht. Mit dem Abgriff dieses Spannungsteilers ist die Basis eines weiteren Transistors 16 verbunden, dessen
Kollektor über den Widerstand R^ an die geregelte
Ausgangsspannung des Spannungsrichters 9 angeschlossen ist. Das Widerstandsverhältnis von R^ zu Ri
bestimmt die Obergrenze des Stromes, bei der die Ansprechverzögerung, welche der Widerstand R2 und
der Kondensator 17 bewirken, unwirksam wird und ohne Verzögerung das Flip-Flop 12 getriggert wird.
Infolge dieses zusätzlichen Schaltungsteils des Stromsensors braucht die Ansprechschwelle des Überlastschutzes
nicht auf den maximalen Strom, der bei elektromagnetischen Lasten sehr viel größer ist als der
Dauerstrom, eingestellt zu werden. Daher kann die Belastbarkeit des Thyristors 3 noch stärker ausgenutzt
werden, ohne ihn stärker zu gefährden.
Wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß den F i g. 1 und 2 kann der Halbleiterschalter nach einer kurzzeitigen
Überlastung, die zu einem Ansprechen der Schutzschaltung geführt hat, selbsttätig wieder betriebsbereit
gemacht werden.
Alle in der vorstehenden Beschreibung erwähnten sowie auch die nur allein aus der Zeichnung
entnehmbaren Merkmale sind als weitere Ausgestaltungen Bestandteile der Erfindung, auch wenn sie nicht
besonders hervorgehoben und insbesondere nicht in den Ansprüchen erwähnt sind.
Claims (8)
1. Schaltungsanordnung zum Schütze eines dem Schließen und Unterbrechen eines Wechselstromkreises
dienenden, berührungslos ansteuerbaren Halbleiterschalters gegen Überlastung, mit einer im
Wechselstromkreis liegenden Gleichrichterbrücke, an deren Gleichspannungsausgang eine Ansteuerschaltung des Halbleiterschalters sowie eine den
Halbleiterschalter, einen Widerstand eines Stromsensors und einen Transistor einer Stromsteuerschaltung
enthaltende Reihenschaltung liegen, wobei die Stromsteuerschaltung einen den Schaltzustand
des Transistors aufgrund des Spannungsabfalls am Widerstand des Stromsensors festlegenden
Steuerteil aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerteil (12, R4, R5, 15) ein die
Steuersignale für den Transistor (4,10) erzeugendes Flip-Flop (12) aufweist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor der Stromsteuerschaltung
ein bipolarer Transistor oder ein MOS-FET-Transistor (10) ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Steueranschluß
des Transistors (10) der Stromsteuerschaltung über einen Widerstand (Ra) mit dem im Überlastfalle vom
hohen auf das niedrige Potential übergehenden Ausgang (Q)aes Flip-Flops (12) verbunden ist.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüehe 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das
Flip-Flop (12) mit einem Widerstand (R5) für ein Zurücksetzen erst nach einem Ab- und Wiederanschalten
der Versorgungsspannung oder einem Kondensator (13) und einem Widerstand (R$) für ein
selbsttätiges Setzen nach einer von der Größe des Kondensators (13) und des Widerstandes (Rj)
abhängigen Zeitspanne beschaltet ist.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
Flip-Flop (12) aus zwei NAND-Gattern gebildet ist.
6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der
Stromsensor einen Transistor (11) aufweist, dessen Steuereingang über einen Widerstand (R2) mit dem
Abgriff für den Spannungsabfall am Widerstand (R\) des Stromsensors verbunden ist, und daß der
Eingang des Flip-Flop (12) mit einem Abgriff zwischen dem Transistor (11) und dessen Arbeitswiderstand
(Ri) verbunden ist.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Steuereingang des
Transistors (11) ein Kondensator (17) verbunden ist, der zusammen mit dem ebenfalls mit dem Steuereingang
dieses Transistors (11) verbundenen Widerstand (R2) ein parallel zum Widerstand (Ri) des
Stromsensors liegendes RC-Glied bildet.
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromsensor einen
zweiten Transistor (16) aufweist, dessen Ausgangsspannung am Eingang des Flip-Flop (12) liegt und
dessen Steuereingang mit dem Abgriff eines ohmschen Spannungsteilers (Rf1, Rt) verbunden ist,
der parallel zum Widerstand (Ri) des Stromsensors
geschaltet ist.
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Schütze eines dem Schließen und Unterbrechen eines
Wechselstromkreises dienenden, berührungslos ansteuerbaren Halbleiterschalters gegen Überlastung,
welche die Merkmale des Oberbegriffs des Anspruches 1 aufweist.
Bei Halbleiterschaltern der vorstehend genannten Art besteht die Gefahr der Zerstörung, wenn die im
Wechselstromkreis liegende Last bei geschlossenem Schalter überbrückt wird, wie dies bei einem Kurzschluß
der Fall ist. Der Strom durch den Schalter wird dann nur vom Innenwiderstand der Spannungsquelle und dem
dynamischen Widerstand des Schalters begrenzt. Dieser Grenzwert liegt aber in der Regel weit über dem für den
Halbleiterschalter maximal zulässigen Strom.
Um im Kurzschlußfalle den Strom so weit zu begrenzen, daß er vom Halbleiterschalter noch
abgeschaltet werden kann, ist es bekannt, in den Stromkreis einen Schutzwiderstand zu schalten. Ein
solcher Schutzwiderstand vergrößert jedoch nicht nur den Schaltungsaufwand. Vor allem hat er die Entstehung
einer relativ großen Verlustwärme zur Folge, was aus verschiedenen Gründen nachteilig ist. Günstiger ist
deshalb eine andere bekannte Lösung (DE-OS 25 45 919), bei der im Strompfad des als Thyristor
ausgebildeten Halbleiterschalters eine Strombegrenzung mit veränderbarem Widerstand und eine Stromüberwachung
liegen. Der Widerstand der Strombegrenzung ist, solange der Nennstrom nicht überschritten
wird, relativ gering. Er erhöht sich erst im Kurzschlußfalle selbsttätig auf einen Wert, der den Kurzschlußstrom
auf einen mittels des Thyristors noch schaltbaren Wert begrenzt. Die Stromüberwachung wirkt im
Kurzschlußfalle auf die Zündstufe des Thyristors ein und schließt die Zündspannung kurz. Der Schaltungsaufwand
für diese Lösung ist jedoch verhältnismäßig groß.
Geringer ist der Schaltungsaufwand bei einer anderen bekannten Schaltungsanordnung der eingangs genannten
Art (DE-OS 31 15 214). Hier liegt in Reihe mit dem den Halbleiterschalter bildenden Thyristor und einem
für die Stromüberwachung erforderlichen festen Widerstand ein MOS-FET, der im Kurzschlußfalle oder mit
Zeitverzögerung bei Überstrom in den gesperrten Zustand umgesteuert wird und dadurch den Strompfad,
in dem der Thyristor liegt, praktisch sperrt. Nachteilig ist bei dieser Lösung, daß zur Ansteuerung des
MOS-FET ein Thyristor erforderlich ist, der gezündet werden muß, wenn der MOS-FET in den gesperrten
Zustand umgeschaltet werden soll. Die Zündspannung von Thyristoren streut relativ stark. Sofern ein Schutz
nicht nur für den Kurzschlußfall, sondern auch für den Fall eines Überstromes gewährleistet sein soll, muß
deshalb ein verhältnismäßig großer Sicherheitsabstand von dem maximal zulässigen Überstrom eingehalten
werden. Ferner kann ein Thyristor wegen seines Raumbedarfs nicht in eine miniaturisierte Schaltung
integriert werden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zum Schütze eines berührungslos
ansteuerbaren Halbleiterschalters zu schaffen, deren Ansprechwert in engeren Grenzen gehalten werden
kann, ohne hierzu einen erhöhten Aufwand in Kauf nehmen zu müssen, und die auch eine Miniaturisierung
gestattet. Diese Aufgabe löst eine Schaltungsanordnung mit den Merkmalen des Anspruches 1.
Der Einsatz eines Flip-Flops zur Erzeugung des Steuersignals für den Thyristor der Strombegrenzungsschaltung
anstelle eines Thyristors erlaubt nicht nur mit
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