DE2919086C2 - Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Silizium durch thermische Zersetzung von Tribromsilan - Google Patents
Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Silizium durch thermische Zersetzung von TribromsilanInfo
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Description
Die Erfindung betrifft die kontinuierlicne Herstellung von Silizium durch thermische Zersetzung von Tribromsilan
bei Temperaturen von 700UC bis 850° C unter
Abscheidung von Silizium auf einem Siliziumträger.
In der DE-AS 10 47 181 wird ein Verfahren zur Herstellung von kristallinem Reinstsilizium durch Erhitzen
von Siliziumhalogeniden oder Siliziumhalogenwasserstoffverbindungen beschrieben, bei dem die Ausgangsverbindungen
in einem Reaktionsgefäß an einer Stelle auf eine Temperatur von Rotglut bis 1400° C erhitzt und
gleichzeitig in deren Nähe Nebenprodukte und Verunreinigungen mittels flüssiger Ausgangsprodukte und
sonstiger Siliziumhalogenide, die sich an gekühlten Stellen des Reaktionsgefäßes niederschlagen, aus dem Reaktionsgefäß
kontinuierlich entfernt werden. Diese erhitzte Stelle kann sich an der Wandung des Reaktionsgefäßes oder an einem waagerecht oder senkrecht angeordneten
Rohr, Stab oder anders ausgebildeten Formling aus Silizium, Siliziumdioxid, Siliziumcarbid
oder anderem Metallcarbid befinden. Für die Zerlegung von Tribromsilan werden Erhitzungstemperaturen von
850° C bis 1030° C vorgeschlagen, wobei nach einem praktischen Beispiel bei 1015°C ein verhältnismäßig geringer
Umsatz von Tribromsilan in Silizium stattfindet. Der Anteil der Nebenprodukte überwiegt hier bei weitem.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein kontinuierliches Verfahren zur Herstellung von Silizium hoher
Reinheit anzugeben, das bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen mit hohen Ausbeuten an Silizium
durch thermische Zersetzung von Tribromsilan durchführbar ist und das außerdem mit einem vorgeschalteten
Verfahren zur Herstellung des Tribromsilans innerhalb eines geschlossenen Kreislaufes verbunden werden
kann. Dies bedeutet gleichzeitig, daß die thermische Zersetzung ohne störende Nebenprodukte ablaufen
muß.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird das in Patentanspruch 1 angegebene Verfahren zur kontinuierlichen
Herstellung von hochreinem Silizium durch thermische Zersetzung von Tribromsilan bei Temperaturen von
700°C bis 850°C und Abscheidung von Silizium auf einem Siliziumträger vorgeschlagen, bei dem das Tribromsilan
in ein Reaktionsgefäß mit einem Bett aus beweglichen Siliziumteilchen geleitet und unter Abscheidung
auf den Trägerteilchen thermisch zerlegt und die Wandung des Reaktionsgefäßes auf einer Temperatur
oberhalb 900°C gehalten wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren basiert auf der direkten thermischen Zerlegung von Tribromsilan bei
verhältnismäßig niedrigen Temperaturen. Die Ansammlung von Silizium an den Wänden des Reaktionsgefäßes
wird dadurch verhindert, daß eine Temperaturdifferenz zwischen der Bettschicht und den sie umgebenden Wänden
aufrechterhalten wird, so daß die niedrigste Temperatur der Wandungen oberhalb des Temperaturschwellenwertes
liegt, bei dem unter den Bedingungen des Verfahrens eine Abscheidung von Silizium stattfindet.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist bei niedrigen
Das erfindungsgemäße Verfahren ist bei niedrigen
ίο Temperaturen im geschlossenen Kreislauf durchführbar,
im Gegensatz zu bekannten Hochtemperatur-Verfahren, die nicht im geschlossenen Kreislauf durchgeführt
werden können. Die bekannten Verfahrer·, erfordern wegen des hohen Energieaufwandes und der notwendigen
Entlagerung korrodierender und gefährlicher Nebenprodukte außerdem höhere Betriebskosten.
Durch die Integrierbarkeit in einen »geschlossenen Kreislauf« ist das erfindungsgemäße Verfahren wirtschaftlich
durchführbar, denn es ergibt praktisch keine Nebenprodukte, die nicht zur Wiederverwendung zurückgeführt
werden können.
Im erfindungsgemäßen Verfahren wird Silizium aus der thermischen Tribromsilan-Zerlegung als ein Gemisch
aus einem homogen angesammelten feinen PuI-ver und einem heterogen gewachsenen Silizium auf den
fließfähigen oder beweglichen Betteilchen im Reaktionsgefäß erhalten. Das Verhältnis von homogener zu
heterogener Ansammlung hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie Temperatur und Druck bei der Zerlegung.
Größenverteilung der Teilchen der Bettschicht, Oberflächen-Vorbehandlung, Fließgeschwindigkeit der
Bettschicht, Relativgeschwindigkeit von Dampf und Teilchen, Tiefe des Bettes und Verweilzeit.
Es ist wichtig, das Verhältnis von homogener zu heterogener Keimbildung zu steuern, um (1) eine sich selbst
unterhaltende Bettschicht zu erzeugen, bei der Trägerteilchen an Ort und Stelle wachsen, statt aus dem Produkt
in einem getrennten Vorgang erzeugt zu werden, und (2) Wirkungsgrad und Geschwindigkeit der Um-Wandlung
auf möglichst hohe Werte zu bringen. Wirkungsgrade von mehr als 80—90% der theoretischen
Werte werden bei der Umwandlung erzielt.
Beim Verfahren wird die Wandtemperatur des Reaktionsgefäßes auf Temperaturen über 900° C gehalten,
wohingegen die Temperatur der Bettschicht beispielsweise zwischen 7000C und 800°C gehalten wird. Dadurch
werden Abscheidungen an den Wänden und eine Verstopfung des Reaktionsgefäßes vermieden. In den
meisten Reaktionsgefäßen mit fließfähigen oder bewegliehen Bettschichten wird die Reaktionswärme für endotherme
chemische Reaktionen durch Erhitzen der Gefäßwände erhalten, die mit Gas oder Heizwiderständen,
induktiver Beheizung oder anderen Einrichtungen erhitztwerden.
Abscheidungen an den Wandungen werden beim erfindungsgemäßen Verfahren dadurch vermieden, daß
die Wandtemperatur bei Werten oberhalb 900° C bis 10000C gehalten wird, wohingegen die Temperatur der
Bettschicht im Bereich von 700°C bis 850°C gehalten wird, was auch zur maximalen Abscheidungsrate des
Siliziums und zur höchsten Ausbeute führt.
Ein Gasstrom aus Argon und Tribromsilan mit einer Zusammensetzung von 7,7 Mol Argon pro Mol Tribromsilan
wurde in ein Reaktionsgefäß mit einer fließfähigen Bettschicht geleitet. Das Argon ist zwar nicht we-
sentlich für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, es diente aber im vorliegenden Fall als Träger
für das Tribromsilan und zum Aufrechterhalten der Fließbettschichi aus Silizium-Teilchen innerhalb des Reaktionsgefäßes.
Die Silizium-Teilchen halten eine Grö-Be entsprechend einer Siebmaschenweite von
0.297 mm; das Gesamtgewicht der Schicht betrug zu Beginn der Reaktion 258 g. Die Schicht wurde bei der
Reaktion auf einer Temperatur von 78b°C—800°C gehalten,
κι
Insgesamt wurden 1.57 Mol Tribromsilan in das Reaktionsgefäß bei einem Herstellungsvorgang eingebracht.
Nach der Entnahme der Silizium-Teilchen am Ende der Reaktion zeigte sich, daß die Schicht ein Gewicht von
268,1 g hatte, entsprechend einen Gewichtszuwachs von
10,1 g. Dies entspricht einer Ausbeute von 91% aufgrund der Zerlegungsreaktion
4 HSiBr3 — Si + 3 SiBr4 + 2 H2.
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Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Silizium durch thermische Zersetzung von Tribromsilan bei Temperaturen von 7000C bis 850° C und Abscheidung von Silizium auf einem SiIiziuniträger, dadurch gekennzeichnet, daß Tribromsilan in ein Reaktionsgefäß mit einem Bett aus beweglichen Silizkimteilen geleitet und unter Abscheidung auf den Trägerteilchen thermisch zerlegt wird, und daß die Wandung des Reaktionsgefäßes auf einer Temperatur oberhalb 900° C gehalten wird.
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