DE2423130A1

DE2423130A1 - Schaltungsanordnung zur umsetzung von digitalen siganlen, insbesondere pcm- signalen, in entsprechende analoge spannungen

Info

Publication number: DE2423130A1
Application number: DE2423130A
Authority: DE
Inventors: Frithjof V Dr Sichart
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1974-05-13
Filing date: 1974-05-13
Publication date: 1975-11-20
Also published as: FR2271710A1; JPS50156865A; SE7505444L; IT1038005B; NL7505548A; DK155575A; FR2271710B1; BE828999A; LU72443A1

Description

SIEI^EMS -AKTIENGESELLSCHAFT München 2,

Berlin und München Witteisbacherplatz 2

VPA 74/6069

Schaltungsanordnung zur Umsetzung von digitalen Signalen, insbesondere PCM-Signalen, in diesen entsprechende analoge Spannungen

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Umsetzung von aus einzelnen Bits bestehenden digitalen Signalen, insbesondere PCM-Signalen, in diesen entsprechende analoge Spannungen, unter Verwendung eines aus in Reihe geschaltenen Querwiderständen und mit diesen verbundenen Ableitwiderständen bestehenden Widerstands-Kettenleiternetzwerkes, dessen Querwiderstände jeweils einen Widerstandswert R besitzen und dessen Ableitwiderstände jeweils den Widerstandswert 2R besitzan, wobei an diejenigen Enden der Ableitwiderstände, die den mit den Querwiderständen verbundenen Enden gegenüberliegen, eine den Bits des jeweiligen digitalen Signals entsprechende Spannung anlegbar ist und wobei von dem Verbindungspunkt eines Ableitwiderstands und zumindest eines Querwiderstands die dem jeweiligen digitalen Signal entsprechende analoge Spannung abnehmbar ist.

Eine Schaltungsanordnung der vorstehend genannten Art ist bereits bekannt (US-PS 3 051 938J. Bei dieser bekannten Schaltungsanordnung sind die Widerstände des Widerstands-Kettenleiternetzwerks aus einzelnen diskreten Widerständen aufgebaut. Dies bringt jedoch einen nicht unerheblichen Platzbedarf mit sich. Damit eignet sich diese bekannte Schaltungsanordnung nur schlecht für Schaltungen, die besonders klein auszuführen sind.

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Es ist auch schon ein Digital-Analog-Wandler bekannt (US-PS 3 646 587), bei dem eine Vielzahl von aus Feldeffekttransistoren bestehenden schaltbaren Widerständen mit jeweils einem Strompfad und einer Steuerelektrode derart miteinander verbunden ist, daß alle Strompfade parallel zueinander liegen. Die Widerstandswerte der betreffenden Strompfade stehen dabei im Verhältnis von Zweierpotenzen zueinander. Die Steuerelektroden der betreffenden Feldeffekttransistoren sind mit den Ausgangselektroden von weiteren steuernden Feldeffekttransistoren verbunden, die individuell durch die Bits des jeweils umzusetzenden digitalen Signals angesteuert werden und die dadurch den ihnen jeweils zugehörigen, als schaltbaren Widerstand ausgenutzten Feldeffekttransistor leitend steuern. Mit den parallel zueinander liegenden Strompfaden der erstgenannten Feldeffekttransistoren ist ein Verstärker eingangsseitig verbunden, der ausgangsseitig die dem jeweiligen, digitalen Signal entsprechende Ausgangsspannung abgibt. Obwohl sämtliche bei diesem bekannten Digitalsignal-Analogsignal-Wandler vorgesehenen Transistoren durch MOS-Feldeffekttransistoren gebildet sein können, bringt die -Verwendung von Feldeffekttransistoren als schaltbare Widerstände mit Widerstandswerten, die bei dem betreffenden bekannten Digitalsignal-Analogsignal-Wandler im Verhältnis von Zweierpotenzen zueinander stehen, erhebliche Schwierigkeiten hinsichtlich der Realisierung einer solchen Schaltung mit sich, da nämlich eine Vielzahl von unterschiedlich zu bemessenden Feldeffekttransistoren bereitgestellt werden muß.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, einen Weg zu zeigen, wie mit einer relativ geringen Anzahl von unterschiedlich zu bemessenden Bauelementen ausgekommen werden kann, um in platzsparender Bauweise ein Digitalsignal in ein Analogsignal umzusetzen.

Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe ausgehend von VPA 9/610/4185 - 3 -

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einer Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art erfindungsgemäfi dadurch, daß sämtliche "Widerstande des 7/iderstands-Kettenleiternetzwerkes durch die Quelle-Senke-Strecken von MOS-Transistoren gebildet sind, von denen die die Querwiderstände bildenden MOS-Transistoren stets im leitenden Zustand sind und mit ihren Quelle-Senke-Strecken javeils einen V/iderstandswert von R besitzen und von denen die die Ableitwiderstände bildenden MOS-Transistoren im leitenden Zustand mit ihren Quelle-Senke-Strecken jeweils einen Widerstandswert von 2R besitzen, daß mit den die Querwiderstände des Widerstands-Kettenleitemetzwerkes bildenden MOS-Transistoren zwei Gruppen von die Ableitwiderstände des Y/iderstands-Kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistoren verbunden sind, von denen die MOS-Transistoren der einen Gruppe von MOS-Transistoren mit ihren Enden, die den Endenjgegenüberliegen, welche mit den die Querwiderstände des Widerstands-Kettenleiternetzwerkes bildenden MOS-Transistoren verbunden sind, auf einem festen Potential liegen und von denen die MOS-Transistoren der anderen Gruppe von MOS-Transistoren mit ihren Enden, die den Enden gegenüberliegen, welche mit den die Querwiderstände des Widerstands-Kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistoren verbunden sind, auf einem bestimmten anderen Potential liegen, und daß die mit' ihrer jeweils einen Elektrode an ein und derselben Elektrode eines einen Querwiderstand des Widerstands-Kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistors angeschlossenen MOS-Transistoren der beiden Gruppen von MOS-Transistoren mit ihren Torelektröden an alternativ aktivierte Ausgänge einer Steuerschaltung angeschlossen sind, der eingangsseitig jeweils ein Bit des jeweiligen digitalen Signals zuführbar ist.

Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, daß sie mit besonders wenigen, in unterschiedlicher Weise bemessenen und besonders klein ausführbaren MOS-Transis.toren auskommt, um digitale

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Signale in diesen entsprechende analoge Spannungen umzusetzen.

Gemäß einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung enthalten die Steuerschaltungen jeweils zwei in Reihe geschaltete Inverter, an deren Ausgängen die Torelektroden der MOS-Transfetoren angeschlossen sind, die gemeinsam an ein und derselben Elektrode eines als Querwiderstand des Y/'iderstands-Kettenleiternetzwerks dienenden MOS-Transistors angeschlossen" sind, und außerdem ist dem in der Reihenschaltung der Inverter ersten Inverter jeweils ein Bit des jeweiligen digitalen Signals zuführbar. Hierdurch ergibt sich der Vorteil eines besonders geringen Steueraufwands.

Gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung sind die Inverter durch MOS-Transistoren gebildet. Hierdurch ergibt sich in vorteilhafter Y/eise ein besonders geringer schaltungstechnischer Aufwand für die Inverter,

ft

Gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung sind mit den Quelle-Senke-Strecken der die Inverter bildenden MOS-Transistoren durch MOS-Transistoren gebildete Lastwiderstände in Reihe geschaltet. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, daß sämtliche Schaltungselemente der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung durch MOS-Transistoren realisiert sind und damit mit besonders einfachen Verbindungen zwischen den einzelnen Schaltungselementen ausgekommen werden kann.

Gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung sind die die genannten Lastwiderstände bildenden MOS-Transistoren durch KOS-Transistoren des Verarmungstyps gebildet. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, daß mit Tor-Ansteuerspannungen ausgekommen werden kann, die gleich den Senke-Spannungen der die Inver-ter bildenden KOS-Transistoren sind.

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ung Gemäß einer noch weiteren Ausgestaltung der ErfmdCwird bei Auftreten von/digitalen Signalen, die neben die Amplitude eixier ihnen entsprechenden analogen Spannung angebenden Bits noch zumindest ein die Polarität dieser Spannung angebendes Yorzeichenbit umfassen, das bestimmte andere Potential von zwei, durch das Vorzeichenbit wechselweise wirksam' geschalteten Potentialquellen abgegeben, die Potentiale mit unterschiedlicher Polarität liefern. Hierdurch ergibt sich der Varte.il, daß auf relativ einfache Weise auch Vorzeichenbies in digitalen Signalen hinsichtlich der Abgabe entsprechender analoger Spannungen berücksichtigt werden können.

Gemäß einer noch weiteren· zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung ist den einen, an den Enden des Widerstands-Kettenleiternetzwerkes liegenden, jeweils einen Ableitwiderstand bildenden MOS-Transistoren jeweils ein zusätzlicher MOS-Transistor mit seiner Quelle-Senke-Strecke parallel geschaltet, die

stets im leitenden Zustand ist ürid" dabei"den" "

Widerstandswert 2R besitzt. Hierduch ist in relativ einfacher Y/eise sichergestellt, daß jedem einem Ableitwiderstand entsprechenden MOS-Transistor in dem Widerstands-Kettenleiternetzwerk ein solcher gleichen Widerstandeswertes parallel geschaltet ist.

Gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung sind die die Querwiderstände des Widerstands-Kettenleiternetzwerkes bildenden MOS-Transistoren durch MOS-Transistoren des Anreicherungstyps gebildet. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, daß die betreffenden MOS-Transistoren unter unmittelbarer Ausnutzung der höchsten negativen bzw. positiven Speisespannung in den leitenden Zustand gesteuert werden können.

Gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung sind die die Ableitwiderstände des 7/iderstand's-Kettenleiternetzwerkes bildenden MOS-Transistoren durch MOS-Transistoren des Anreicherungstyps gebildet. Hierdurch ergibt sich

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der Vorteil, daß auf relativ einfache Weise ohne gesonderten Schaltungsaufwand ausgekommen werden kann, um die betreffenden ϊ/IOS-T ran sis tor en bei Nicht be darf in den nicht_JLeitenden Zustand zu überführen.

Gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung sind sämtliche KOS-Transistoren in einer gemeinsamen integrierten Schaltung enthalten. Hierdurch ergibt sich der Vorteil einer besonders geringen Baugröße für die gesamte Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung. Überdies eröffnet diese Maßnahme die Möglichkeit, in vorteilhafter Weise die Schaltungsanordnung gemäß der -Erfindung in einem vollständig integrierten, nach dem Iterativverfahren arbeitenden Codierer zu verwenden, wie er bereits an anderer Stelle vorgeschlagen worden ist (Dt.-Anm. P 23 15 986.6-31).

Anhand einer Zeichnung wird die Erfindung nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.

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Die in der Zeichnung dargestellte Schaltungsanordnung enthält als wesentlichen Bestandteil ein Kettenleiternetzwerk, das, wie noch ersichtlich v/erden wird, ein V/iderstands-Kettenleiternetzwerk darstellt. Dieses Kettenleiternetzwerk ist du rch MOS-Transistoren realisiert. So gehören zu dem betreffenden Kettenleiternetzwerk die als Querwiderstände mit ihren Quelle-Senke-Strecken ausgenutzten und in Reihe geschalteten MOS-Transistoren T1a bis T1m, die hier durch MOS-Transistoren des Anreicherungstyps mit p-Kanal gebildet sein mögen. Ferner gehören zu dem betreffenden Kettenleiternetzwerk die mit ihren Quelle-Senke-Strecken als Ableitwiderstände in dem erwähnten Kettenleiternetzwerk ausgenutzten und mit ihren einen (Haupt-)Elektroden mit den Quelle-Senke-Strecken der MOS-Transistoren T1a bis T1m an den Verbindungspunkten A, B bis E verbundenen MOS-Transistoren

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T2a, T2b bis T2n und T2a', T2b' bis T2n^!, die hier durch MOS-Transistoren des Anreicherungstyps mit p-Kanal gebildet sein mögen. Der Verbindungspunkt M kann dabei z.B. derjenige Verbindungspunkt sein, von dem eine analoge Spannung abnehmbar ist, die einem digitalen Signal entspricht, dessen Bits - wie weiter unten noch ersichtlich werden wird - zur Ansteuerung des Widerstands-Kettenleiternetzwerks ausgenutzt v/erden. Die MOS-Transistoren T2a* bis T2n' gehören, wie noch weiter unten ersichtlich werden wird, zu einer ersten Gruppe von Ableitwiderstände bildenden MOS-Transistoren, und die MOS-Transistoren T2a bis T2n gehören zu einer zweiten Gruppe von Ableitwiderstände bildenden MOS-Transistoren. Die zu der ersten Gruppe gehörenden MOS-Transistoren liegen mit ihren anderen (Haupt-)Elektroden auf einem festen Potential, insbesondere auf Masse; die zu der zweiten Gruppe gehörenden MOS-Transistoren liegen, wie noch ersichtlich werden wird, auf einem bestimmten anderen Potential, dessen Polarität'vorzugsweise änderbar ist.

Die als Querwiderstände in dem Widerstands-Kettenleiternetzwerk mit ihren Quelle-Senke-Strecken ausgenutzten MOS-Transistoren T1a bis T1m besitzen im leitenden Zustand jeweils den Widerstandswert R; die übrigen, als Ableitwiderstände ausgenutzten MOS-Transistoren der zuvor genannten MOS-Transistoren besitzen im leitenden Zustand jeweils den Widerstandswert 2R. Im gesperrten Zustand besitzen sämtliche erwähnten MOS-Tran-

5 sistoren einen Widerstandswert, der größer ist als 10 R.

Den Quelle-Senke-Strecken der in dem Widerstands-Kettenleiternetzwerk an den Enden liegenden MOS-Transistoren T2a' und T2n^f ist jeweils noch ein MOS-Transistor T2x b w. T2y mit seiner Quelle-Senke-Strecke parallel geschaltet. Diese MOS-Transistoren T2x und T2y besitzen im leitenden Zustand zwischen ihrer

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Quelle und ihrer Senke jeweils den Widerstandswert 2R.

Die ^Torelektroden der MOS-Transistoren T2x, T2y und T1a bis T1m sind gemeinsam an einem eine negative Spannung führenden Anschlußpunkt -U1 angeschlossen. Verwendet man für diese MOS-Transistoren solche des Verarmungstyps mit einem p-Kanal, so sind die betreffenden MOS-Transistoren leitend, wenn an ihrer Quelle-Senke-Strecke eine Potentialdifferenz vorhanden ist.

Die mit ihren einen Hauptelektroden - Quelle oder Senke - mit ein und derselben Hauptelektrode - Quelle oder Senke - eines der die Querwiderstände des '.Vidarstands-Kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistoren T1a bis T1m verbundenen MOS-Transistoren T2a, T2a' bzw. T2b, T2b' bis T2n, T2n' - deren einer zu der einen Gruppe von Ableitwiderstände bildenden MOS-Transistoren gehört und deren anderer zu der zweiten Gruppe von AbIeitwiderstände bildenden MOS-Transistoren gehört - sind mit ihren Torelektroden jeweils an den Ausgängen einer zugehörigen Steuerschaltung St1, St2 bis Stn angeschlossen. Diesen Steuerschaltungen St1, St2 bis Stn werden eingangsseitig die Bits des jeweils in eine analoge Spannung umzusetzenden digitalen Signals zugeführt, und zwar an Eingangsanschlüssen el bzw. e2 bzw. en»

Die Steuerschaltungen St1 bis Stn sind im vorliegenden Fall jiveils durch zwei in Reihe geschaltete Inverter gebildet, die durch MOS-Transistoren realisiert sind; es sind dies die MOS-Transistoren Ti11, Ti12 bzw. Ti21, Ti22 bzw. Tin1, Tin2, die vom Anreicherungstyp mit p-Kanal sein können. Die Quelle-Senke-Strecken dieser MOS-Transistoren liegen jeweils in Reihe mit einem als lastwiderstand ausgenutzten MOS-Transistor TU 1, T112, T121, T122, Tln1 bzw. Tln2 zwischen einem eine negative Spannung führenden Anschlußpunkt -U1 und einem eine positive Spannung führenden Anschlußpunkt +U2. Die zuletzt genannten MOS-Transistoren sind hier vom Verarmungstyp mit p-Kanal,um die volle am Anschlußpunkt -U1 vorhandene Spannung an der Torelektrode des jeweils anzusteuernden MOS-Transistors der MOS-Transistoren T2a, T2a' bis T2n, T2n· zur Verfügung zu haben. Die Torelektroden der einen

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MOS-Transistoren, nämlich der MOS-Transistoren Ti11, Ti21 bzw". Tin1 in den einzelnen Steuerschaltungen St1 bzw. St2 bzw. Stn sind mit den Eingangsanschlüssen el , e2 bzw. en direkt verbunden. Die Torelektroden der zu der jeweiligen Steuerschaltung St1, St2 bis Stn noch gehörenden und als in Inverter ausgenutzten MOS-Transistoren Ti12, Ti22 bis Tin2 sind an dem Verbindungspunkt der Quelle-Senke-Strecke des den jeweils anderen Inverter der betreffenden Steuerschaltung bildenden MOS-Transistors Ti11 bzw. Ti21 bzw. Tin1 und des diesem zugehörigen, einen ^astwiderstand bildenden MOS-Transistors T111 bzw. T121 bzw. Tln1 angeschlossen. Die Senke-Elektroden der zu jeweils einer Steuerschaltung St 1 bzw. St2/bzw. Stn gehörenden und jeweils einen Inverter bildenden I'OS-Transistcren sind mit den orelektroden der jeweils beiden MOS-Transistoren verbunden, die als Ableitwiderstände des Y/iderstands-Kettenleiternetzwerks mit ihren Quelle-Senke-Strecken jeweils mit ein und derselben Elektrode eines einen Querwiderstand des betreffenden Widerstands-Kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistors verbunden sind. ·

Im Zusammenhang mit den zuvor betrachteten Steuerschaltungen St1 bis Stn sei noch bemerkt, daß in Abv/eichung von den zuvor erläuterten Verhältnissen gegebenenfalls auch in folgender Weise vorgegangen sein kann: Die Torelektroden der mit ihren Quelle-Senke-Strecken an einer gemeinsamen Elektrode eines einen Querwiderstand des Widerstands-Kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistors angeschlossenen - und als Ableitwiderstände wirkenden MOS-Transistoren können jeweils mit einer Steuerschaltung verbunden sein , in der das dieser jeweils zugeführte Bit des jeweils umzusetzenden digitalen Signals zur direkten Steuerung der Torelektrode des einen der erwähnten MOS-Transistoren und über einen einzigen Inverter zur Steuerung der Torelektrode des anderen der erwähnten

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!.!OS-Transistoren herangezogen wird.

Die zu der zweiten Gruppe der jeweils einen Ableitwiderstand des Widerstands-Kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistoren gehörenden MOS-Transistoren T2a, T2b bis T2n sind mit ihren Enden, die den Enden gegenüberliegen, mit denen die betreffenden MOS-Transistoren mit den die Querwiderstände des 7/iderstands-Kettenleiternetzvverks bilderTlaOS-Transistoren T1a bis Tim verbunden sind, gemeinsam an einer Leitung angeschlossen, an die ein bestimmtes Potential anlegbar ist. Mit der betreffenden leitung sind im vorliegenden Fall zwei durch MOS-Transistoren gebildete Spannungsteiler mit ihrem jeweiligen Abgriff verbunden. Die beiden Spannungsteiler s+ellen, wie noch ersichtlich werden wird, gesonderte Potentialquellen dar, die alternativ wirksam schaltbar sind. Der eine Spannungsteiler umfaßt die beiden KOS-Transistoren T3o und T3u; diese MOS-Transistoren können solche des Anreicherungstyps mit p-Kanal

sein. Der andere Spannungsteiler umfaßt die beiden MOS-Transistoren T4o und T4u; diese MOS-Transistoren können solche des Anreiche rung styps mit p-Kanal sein. Die den einen Spannungsteiler bildenden MOS-Transistoren T3o und T3u sind mit ihren Quelle-Senke-Strecken in Reihe liegend zwischen dem eine negative Spannung führenden Anschlußpunkt -U3 und Masse angeschlossen. Die zu dem anderen Spannungsteiler gehörenden MOS-Transistoren T4o und T4u sind mit ihren Quelle-Senke-Strecken in Reihe liegend zwischen dem eine positive Spannung führenden Anschlußpunkt +Ü2 und Masse angeschlossen. Die Verbindungspunkte der Quelle-Senke-Strecken der zu beiden Spannungsteilern gehörenden MOS-Transistoren T3o, T3u, T4o, T4u sind miteinander verbunden. Die Torelektroden der zu jeweils einem Spannungsteiler gehörenden MOS-Transistoren sind ebenfalls miteinander verbunden. Die Torelektroden der MOS-Transistoren T3o und T3u sind direkt an einem Singangsanschluß ev angeschlossen; die Torelektroden der zu dem anderen Spannungsteiler

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gehörenden MOS-Transistoren sind ebenfalls miteinander verbunden. Die Torelektroden der MOS-Transistoren T3° und T3u sind direkt an einem Eingangsanschluß ev angeschlossen; die Torelektroden der zu dem anderen Spannungsteiler gehörenden MOS-Transistoren T4o und T4u sind mit der Senke eines als Inverter betriebenen MOS-Transistors Tv verbunden, dessen Quelle auf Masse liegt und dessen Torelektrode mit dem erwähnten Eingangsanschluß ev verbunden ist. Die Senke des MOS-Transistors Tv, der vom Anreicherungstyp mit p-Kanal sein kann, ist über einen als Lastwiderstand ausgenutzten MOS-Transistor TIv, der vom Verarmungstyp mit p-Kanal sein kann, mit einer eine negative Spannung führenden Spannungsklemme -U4 verbunden. Dem Eingangsanschluß ev wird jeweils ein als Vorzeichenbit zu befrachtendes Bit des jeweils umzusetzenden digitalen Signals zugeführt, urü zwar unter der Voraussetzung, daß das jeweilige digitale Signal neben die Amplitude eines ihm entsprechenden analogen Signals angebenden Bits noch ein die Polarität bzw. das Vorzeichen dieses analogen Signals angebendes Bit umfaßt.

Nachdem zuvor der Aufbau der in der Zeichnung dargestellten Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung erläutert worden ist, sei nunmehr die Arbeitsweise dieser Schaltungsanordnung näher betrachtet.

Bei Fehlen eines Eingangssignals an den Eingangsanschlüssen el bis en - was dem Fehlen von "1"-Bits und damit dem Vorhandensein von "O"-Bits entspricht - seien die MOS-Transistoren Ti12 bzw. Ti22 bzw. Tin2 in den einzelnen Steuerschaltungen St1, St2 bzw. Stn leitend. Ein "O"-Bit sei hier durch eine positive Spannung gebildet und ein "1"-Bit durch eine negative Spannung. Damit sind also sämtliche zu der ersten Gruppe von MOS-Transistoren gehörenden und jeweils einen Ableitwiderstand in dem Widerstands-Kettenleiternetzwerk bildenden MOS-Transistoren T2a', T2b^! bzw. T2n^f leitend. Tritt an einem der Eingangsanschlüase

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e1, e2 bis en ein "1"-Bit auf, so gelangt der dadurch jeweils direkt angesteuerte MOS-Transistor Ti11 bzw. Ti21 bzw. Ti2i bzw. Tin1 in den -leitenden Zustand. Dadurch wird der von diesem als Inverter betriebenen MOS-Transistor direkt gesteuerte und ebenfalls als Inverter betriebene MOS-Transistor - der bisher im leitenden Zustand war - in den nichtleitenden Zustand überführt. Dies bedeutet, daß der mit diesem zuletzt genannten MOS-Transistor mit seiner Torelektrode verbundene MOS-Transistor der ersten Gruppe von jeweils einsn Ableitwiderstand bildenden MOS-Transistoren T2a' bis T2n^r in den nichtleitenden Zustand gelangt. Dafür wird aber der zusammen mit diesem MOS-Transistor mit derselben Elektrode eines einen Querwiderstand des Widerstands-^eiternetzwerks bildenden MOS-Transistors verbundene MOS-Transistor der zur zweiten Gruppe von jeweils einen Ableitwiderstand bildenden MOS-Transistoren T2a bis T2n leitend gesteuert. Dadurch wird an den Verbindungspunkt , z.B. A, der Quelle-Senke-Strecke dieses MOS-Transistors mit dem den betreffenden einen Querwiderstand des Widerstands-Ieiternetzwerks bildenden MOS-Transistor eine bestimmte Spannung -angelegt. Diese Spannung wird durch die MOS-Transistoren des Widerstands-Kettenleiternetzwerks, die sich im leitenden Zustand befinden, von Verbindungspunkt (z.B.A) zu Verbindungspunkt (ä.B. B) jeweils um einen Paktor 2 kleiner.

Die Polarität der an den jev/eiligen Verbindungspunkt A, B bis M jeweils zweier als Ableitwiderstände des Widerstands-Kettenleiternetzwerks dienender MOS-Transistoren, wie der MOS-Transistoren T2a und T2a', und zumindest eines einen Querwiderstand bildenden MOS-Transistors, wie des MOS-Transistors T1a* hängt davon ab, welcher der beiden oben erwähnten Spannungsteiler wirksam ges-chaltet ist. Welcha? der beiden Spannungsteiler wrksam geschaltet ist, hängt dabei davon ab, ob an dem Eingangsanschluß ev ein "O»-Bit oder ein "1"-Bit auftritt. Tritt ein

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»/angelegten Spannung

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"O"-Bit auf - das sei im vorliegenden Fall eine positive Spannung - so sollen die MOS-Transistoren Tv und T3o, T3u gesperrt sein; in diesem Fall sind die IiOS-Transistoren T4o, T4u leitend, wodurch an der mit ihren Senke-Quelle-Strecken gemeinsam verbundenen Leitung eine positive Spannung liegt. Tritt hingegen an dem Eingangsanschluß ev ein "1"-Bit auf - das sei im vorliegenden Fall eine negative Spannung - so sollen die MOS-Transistoren Tv und T3o, T3u im leitenden Zustand sein. In diesem Fall sind die MOS-Transistoren T4o, T4u im nichtleitenden Zustand. Damit liegt an der zuvor erwähnten Leitung nunmehr eine negative Spannung.

Im Hinblick auf die in der Zeichnung dargestellte Schaltungsanordnung sei abschließend noch bemerkt, daß diese nur aus direkt miteinander verbundenen MOS-Transistoren besteht. Damit eignet sich die betreffende Schaltungsanordnung vorzüglich für eine vollständige Integrierung. Wie eingangs bereits erwähnt, kann die betreffende Schaltungsanordnung gegebenenfalls auch in einem nach dem Iterativverfahren arbeitenden Analogsignal-Digitalsignal-Wandler mit eingebaut sein, und zwar in der Weise, daß ein nur dirch eine einzige monolithisch integrierte Schaltung realisierter Analogsignal-Digital-signal-Wandler vorliegt, in welchem u.a. die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung enthalten ist.

Für den Betrieb der oben erläuterten Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung sind folgende Spannungen verwendet worden: An dem Schaltungspunkt -ΪΓ1 eine Spannung von -24V, an dem Schaltungspunkt +U2 leine Spannung von +5V, an dem Schaltungspunkt -U3 eine Spannung von -5V und an dem Schaltungspunkt -U4 eine Spannung von -12V.

Für die MOS-Transistoren können in Abweichung von den erläuterten Verhältnissen auch solche des jeweils anderen Typs

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und/oder des jeweils anderen Kanals verwendet werden; in diesem Fall erjßlgt eine entsprechende Änderung der Polarität und ggfs. der Höhe der bereitzustellenden Spannungen.

Bezüglich der Spannung, die den Torelektroden der die Ableitwiderstände in dem Widerstands-Kettenleiternetzwerk bildenden MOS-Transistoren ?2a bis T2n und T2a* bis T2n' zuzuführen ist, sei abschließend noch bemerkt, daß angestrebt wird, diese Spannung relativ hoch zu wählen; je höher diese Spannung/gewählt werden kann, desto leichter sind nämlich Linearitätsanforderungen bezüglich der Steuerung der genannten MOS-Transistoren über einen großen Arbeitsbereich zu erfüllen.

10 Patentansprüche

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Claims

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Pate ntansprüche

f1)/ Schaltungsanordnung zur Umsetzung von aus einzelnen Bits bestehenden digitalen Signalen, insbesondere PCM-Signalen, in diesen entsprechende analoge Spannungen, unter Verwendung eines aus in Reihe: geschalteten Querwiderstanden und mit diesen verbundenen Ableitwiderständen bestehenden Widerstands-Kettenleiternetzwerkes, dessen Querwiderstände jeweils einen Y/iderstandswert R besitzen und dessen Ableitwiderstände jeweils einen Widerstandswert 2R besitzen, wobei an die jenigen ,,Enden der Able it v/i der stände, die den mit .äen Querwiderständen verbundenen Enden gegenüberliegen, eine den Bits des jeweiligen digitalen Signals entsprechende Spannung anlegbar ist und wobei von dem Verbindungspunkt eines Äbleitwiderstands und zumindest eines Querwiderstands eine dem jeweiligen digitalen Signal entsprechende analoge Spannung abnehmbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Widerstände des 7/iderstands-Kettenleiternetzwerks durch die Quelle-Senke-Strecken von MOS-Transistoren gebildet sind, von denen die die Querwiderstände bildenden MOS-Transistoren (T1a bis T1b) stets im leitenden Zustand sind und mit ihren Quelle-Senke-Strecken jeweils einen Widerstandswert von R besitzen und von denen die die Ableitwidastände bildenden MOS-Transistoren (T2a, T2a·, T2b, T2b' bis T2n, T2n') im leitenden Zustand mit ihren Quelle-Senke-Strecken jeweils einen Y/iderstandswert von 2R besitzen, daß die die Ableitwiderstände des V/iderstands-Kettenleiter-;^'-. netzwerke bildenden MOS-Transistoren (T2a, T2a·, T2b, T2V bis T2n, T2n') zwei Gruppen von MOS-Transistoren bilden, von d_enen die MOS-Transistoren (T2a* bis T2n^f) der einen Gruppe von. MOS-Transistoren mit ihren Enden, die den Enden

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gegenüberliegen, welche mit den die Querwiderstände des Vriderstands-Kettenleiternetzv/erks bildenden MOS-Transistoren (T1a bis T 1m) verbunden sind, auf einem festen Potential liegen und von denen die MOS-Transistoren (T2a bis T2n) der zweiten Gruppe von MOS-Transistoren mit ihren Enden, die den Enden gegenüberliegen, welche mit den die Querwiderstände des Yfiderstands-kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistoren (Tiabis T1m) verbunden sind, auf einem bestimmten anderen Potential liegen, und daß die mit ihrer jeweils einen Elektrode an ein und derselben Elektrode eines einen Querwiderstand des Yfiderstands-Kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistors (z.B. T1a) angeschlossenen MOS-Transistoren (z.B. T2a, T2a') beider Gruppen von MOS-Transistoren mit ihren Torelektroden an alternativ aktivierte Ausgänge einer Steuerschaltung (St1, St2, Stn) angeschlossen sind, der eingangsseitig jeweils ein Bit des jeweiligen digitalen Signals zuführbar ist.
2) Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerschaltungen (St1, St2 bis Stn) jeweils zwei in Reihe geschaltete Inverter enthalten, an deren Ausgängen die Torelektroden deiJMOS-Transistoren (z.B, T2a, T2a') angeschlossen sind, die gemeinsam an ein und derselben Elektrode eins als Querwiderstand des \7iderstands-Kettenleiternetzwerks dienenden MOS-Transistors (T1a) angeschlossen sind, und daß dem in der Reihenschaltung der Inverter ersten Inverter j jeweils ein Bit des jeweiligen digitalen Signals zuführbar ist.
3) Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Inverter durch MOS-Transistoren (Ti11, Ti12j Ti22; Tin1, Tin2) gebildet sind.

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4) Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß mit den Senke-Quelle-Strecken der die Inverter bildenden MOS-Transistoren durch MOS-Transistoren (TU 1, T112; T121, T122; Tn1,Tn2) gebildete Lastwiderstände in Reihe geschaltet sind.

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5) Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,

daß die die genannten Lastwiderstände bildenden MOS-Transistoren durch MOS-Transistoren des Verarmungstyps gebildet sind.
6) Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei Auftreten von digitalen Signalen, die neben die Amplitude einer ihnen entsprechenden analogen Spannung angebenden Bits noch zumindest ein die Polarität "dieser Spannung angebendes ^vorzeichenbit umfassen, das beEfcLmmte andere Potential von zwei, durch das Yorzeichenbit wechselweise wirksam geschalteten Potentialquellen abgegeben wird, die Potentiale unterschiedlicher Polarität liefern.
7) Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß den einen, an den Enden des Widerstands-Kettenleiternetzwerks liegenden,, jeweils einen Ableitwiderstand bildenden MOS-Transistoren (T2a' T2n') jeweils ein zusätzlicher , stets im leitenden Zustand befindlicher MOS-Transistor (T2x, T2y) mit seiner Quelle-Senke-Strecke parallel geschaltet ist, die einen Widerstandswert 2R im leitenden Zustand dieses MOS-Transistors besitzt.
8) Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die die Querwiderstände des Widerstands-Kettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistoren (T1a bis T1m) durch MOS-Transistoren des Anreicherungstyps gebildet sind.

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9) Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die die Ableitwiderstände des Widerstandskettenleiternetzwerks bildenden MOS-Transistoren durch MOS-Transistoren des Anreicherungstyps gebildet sind.
10) Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, ,dadurch gekennzeichnet _t daß sämtliche MOS-Transistoren in- einer gemeinsamen integrierten Schaltung enthalten sind.

VPA 9/610/4185

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