DE2152081A1 - Verfahren zum Anbringen von Chips mit integrierter Schaltung auf Zwischenverbindungstraegern - Google Patents
Verfahren zum Anbringen von Chips mit integrierter Schaltung auf ZwischenverbindungstraegernInfo
- Publication number
- DE2152081A1 DE2152081A1 DE19712152081 DE2152081A DE2152081A1 DE 2152081 A1 DE2152081 A1 DE 2152081A1 DE 19712152081 DE19712152081 DE 19712152081 DE 2152081 A DE2152081 A DE 2152081A DE 2152081 A1 DE2152081 A1 DE 2152081A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chips
- carrier
- conductors
- openings
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49133—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with component orienting
- Y10T29/49135—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with component orienting and shaping, e.g., cutting or bending, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
HONEYWELL INFORMATION SYSTEMS ITALIA S.p.A.
Caluao (Torino)/Italien
auf Zwisehenverbindungsträgern
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Anbringen von elektronischen integrierten Schaltungseinheiten
auf dem Träger, der die Stromwege für die wechselseitige Zusammenschaltung und die externe Zuschaltung der Einheiten
trägt.
Es ist bekannt, auf einem einzigen isolierenden Träger von im allgemeinen keramischer Natur eine Anzahl Halbleiterchips
zusammenzubauen, auf welchen integrierte Schaltungen hergestellt sind, und das Zusammenschalten dieser Chips sowie die Anschlüsse
für externe Verbindung mit Hilfe einer Gruppe von auf den Träger aufgebrachten Leitungen vorzusehen. Auf diese
Weise wird ein System aus zusammengeschalteten Chips erzielt, das in einer einzigen Packung eingeschlossen sein kann, die mit
den für den Außenanschluß notwendigen Kontaktstiften versehen ist.
209821/0570
Die beim Zusammenbau eines solchen Systems von Chips auftretenden Hauptschwierigkeiten stehen in Zusammenhang mit
dem Erfordernis einer genauen Anordnung der die integrierten Schaltungen tragenden Halbleiterchips gegenüber den auf den
Keramikträger aufgebrachten Zwischenverbindungsleitungen
sowie mit den Einrichtungen zum Verbinden der Anschlüsse der integrierten Einheit mit diesen Leitungen. Diese Verbindung
kann durch Verlöten von sehr dünnen Drähten mit jedem Anschluß und mit der entsprechenden Zwischenverbind.tmgsleitung erfolgen.
Dieser Arbeitsgang muß für jeden Anschluß einzeln erfolgen und ist deshalb sehr zeitraubend und aufwendig, während seine
Ergebnisse von nur mangelhafter Zuverlässigkeit sind.
Sofern die integrierten Chips mit Richtleitungen versehen werden, kann die Verbindung durch gleichzeitiges Anschweißen aller
Anschlüsse oder eines Teiles von ihnen erzielt werden.
Jedoch treten aufgrund der wechselseitigen chemischen Reaktionsfähigkeit,
der Schweißbarkeit und der Haftfähigkeit an dem
Schichtträger der an dem Vorgang beteiligten verschiedenen Werkstoffe sowohl der integrierten Chips als auch des Zwischen-Verbindungsträgers
schwerwiegende Probleme auf. In der mit Priorität der italienischen Patentanmeldung 31 333-A/7O vom
5. November 1970 am ~\k. Oktober 1971 eingereichten deutschen
Patentanmeldung ist ein Verfahren zum Erzielen von Aluminium-Richtleitungen
beschrieben, die aus den integrierten Chips herausragen und geeignet sind zum Verschweißen mit an dem
Zwischenverbindungsträger vorher angeordneten Leitungsergänzungen.
In dem italienischen Patent 8k6 347 ist zusätzlich ein Verfahren
beschrieben, um mit Hilfe der kombinierten Verwendung von aus einem dünnen Film bestehenden Leitern und von aus
2Q9821/0S7G
einem dicken Film bestehenden Leitungen und von isolierenden Schichten diese Zwischenverbindungsleitungen auf verschiedenen,
gegeneinander isolierten Schichten anzuordnen. Auf diese Weise wird die topologische Fähigkeit der Zwischenverbindung
zwischen den Chips vermehrt, daß eine größere Anzahl von Chips auf einem einzigen Träger angeordnet werden kann. Dementsprechend
werden auch die Erfodernisse einer genauen Anordnung sowie die das gleichzeitige Anschweißen und die
Zuverlässigkeit der geschweißten Verbindung betreffenden Probleme bedeutungsvoller, und es wird schwieriger, ihnen
gerecht zu werden.
Die vorliegende Erfindung sieht ein Verfahren vor, um die gleichzeitige genaue Anordnung aller auf demselben Keramikträger
zusammenzubauender Chips und ihren elektrischen Anschluß auf raschem, wirtschaftlichen und zuverlässigen Wege
mit Hilfe gleichzeitig angeschweißter Richtleitungen zu erzielen. Dieses Ziel wird erreicht durch Verwendung eines aus einer
isolierenden Platte bestehenden Hilfsträgers, auf dem Leiterteile,
die die Richtleitungen für alle Chips enthalten, durch Ätzen aus einer festhaftenden Aluminiumfolie erzielt werden.
Zusätzlich dazu sind in dem isolierenden Träger passende Öffnungen vorgesehen, über die ein Teil der Leiter hinausragt.
Das Verfahren nach der Erfindung besteht dabei im wesentlichen aus folgenden Verfahrensschritten: Dem Verschweißen der
Xnnenenden der herausragenden Leiter mit den Anschlüssen der integrierten Chips, um so das Chip aus seinem Behälter
zu entfernen; dem Wiederholen des Vorgangs für alle Chips; dem Auflegen des mit den Chips versehenen Hilfsträgers auf
den Keramikträger und dem Verschweißen der an dem Hilfsträger vorhandenen Leiter mit den vorher angeordneten Anschlußausbildungen
der Leitungen des Keramikträgers; dem darauffolgenden
Abschneiden der Leiter außerhalb dieser Leitungsergänzungen
209821/0570
sowie dem Entfernen des Hilfsträgers, der die Chips in
ihrer richtigen Lage zurückläßt, die mit den Ergänzungen der Zwischenverbindungsleitungen des Keramikträgers fest
verschweißt sind.
Im einzelnen wird also erfindungsgemäß ein Verfahren vorgeschlagen
zum Zusammenbauen einer Vielzahl von mindestens ein elektronisches Bauelement enthaltenden und mit Verbindungsanschlüssen versehenen Chips auf einem mit Leitern und Leitungsergänzungen für den Anschluß an die Verbindungsanschlüsse
versehenen isolierenden Träger, das sich auszeichnet durch die Verwendung eines Hilfsträgers, der aus einer isolierenden
Platte besteht, die mit Öffnungen zur gesonderten Aufnahme jeweils eines der Chips und mit einer Vielzahl von an ihr
festhaftenden und in die Öffnungen hineinragenden Leitern
versehen ist, und dadurch, daß die Anschlüsse von mindestens einem Chip mit den Innenenden der an dem Hilfsträger vorhandenen
Leiter auf einmal verschweißt werden, dieser Vorgang so oft wiederholt wird, wie zusammenzubauende Chips vorhanden
sind, um den Hilfsträger mit allen in den entsprechenden Öffnungen angeordneten Chips fest in Zusammenhang zu bringen,
worauf der Hilfsträger mit den Chips in der Weise auf den isolierenden Träger gelegt wird, daß die an den isolierenden
Träger vorhandenen Leitungsergänzungen sich mit den Mittelteilen
der Leiter decken, dann die Leitungsergänzungen mit den Mittelteilen der Leiter verschweißt und die Leiterteile außerhalb
der Leitungsergänzungen abgeschert werden, so daß nach Entfernen des Hilfsträgers Chips erzielt werden, die an den
Leitungsergänzungen starr befestigt und mit ihnen durch den verbleibenden Teil der Leiter elektrisch verbunden sind.
Auf diese Weise ist es möglich, den gesamten Arbeitsgang zu automatisieren, alle Schweißungen auf einnal durchzuführen
209871/0S70
und außerdem im Verlaufe eines Verfahrenszwischenschrittes an
den integrierten Schaltungen der Chips statische und dynamische Tests vorzunehmen und so erhebliche Vorteile in Wirtschaftlichkeit,
Betriebssicherheit und Zeitersparnis wahrzunehmen.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung sind nachstehend anhand eines in den beigefügten Zeichnungen dargestellten
bevorzugten Ausführungsbeispieles näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines mit zum Aufnehmen von vier Chips mit integrierter Schaltung angeordneten
Zwischenverbindungsleitungen versehenen Keramikträgers;
Fig. 2 den Hilfsträger nach der Erfindung}
Fig. 3 einen Schnitt durch eine bekannte Vorrichtung zum Halten
der Chips mit integrierter Schaltung nach ihrem Anreißen und vor ihrem Zusammenbau in schematischer Darstellung;
Fig. k, 5 und 6 drei aufeinanderfolgende Verfahrensechritte
zum InstellungbrIngen und Verschweißen eines Chips sowie
zum Entfernen das Hilfsträgers nach der Erfindung.
Gemäß Fig. 1 wird nach der in dem italienischen Patent 8k6
beschriebenen Technik auf einen Keramikträger 1 eine Schaltung aus Leitungen in zwei Schichten aufgebracht. Diese Technik,
die die kombinierte Verwendung von elektrolytisch entstandenen dünnen Schichten und von nach dem Siebdruckverfahren aufgebrachten
dicken Schichten ermöglicht, ist besonders geeignet, jedoch für die Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung nicht
wesentlich. An den Stellen, an welchen die sich kreuzenden
209821/0570
215?Q81
Leitungen gegeneinander isoliert werden müssen, wird nach dem
vorerwähnten Patent die Isolierung durch Zwischenfügen von Isolierschichten erzielt, deren Umriß mit 2 bezeichnet ist und
die nach dem Siebdruckverfahren aufgebracht werden. Die Zwischenverbindungsleitungen lassen mit 3 bezeichnete Räume
frei, in welchen die Chips mit integrierter Schaltung angeordnet werden müssen. Ihre Anschlüsse müssen mit Hilfe von Richtleitungen
an die vorher angebrachten Leitungsergänzungen 5
der Zwischenverbindungsschaltung angeschlossen werden. Die Zwischenverbindungsschaltung besitzt außerdem Leitungsergänzungen
6 für den Anschluß nach außen.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich, ist erfindungsgemäß vorzugsweise
mit Hilfe des in der erwähnten deutschen Patentanmeldung vom
14. Oktober 1971 beschriebenen Verfahrens ein in seiner Gesamtheit
mit 13 bezeichneter Hilfsträger vorgesehen. Dieser Hilfsträger besteht aus einer Platte 10 aus isolierendem Material,
die bei Verwendung dieses Verfahrens eine Platte aus lichtempfindlichen
Isoliermaterial ist, wie es beispielsweise unter dem Handelsnamen "Riston" auf dem Markt angeboten wird. Auf
die Oberseite dieser Platte ist eine dünne Aluminiumfolie festhaftend aufgebracht, aus der durch Lichtätzen in bekannter
Weise die Leiter 11 erzielt werden. Durch Nutzung der lichtempfindlichen
Eigenschaften von nRistonw werden an den in an
dem Träger (Fig. 1) freigelassenen Räumen 3 entsprechenden Stellen zusätzlich die Öffnungen 12 hergestellt. Diese Öffnungen
haben solche Abmessungen, daß sie bei einem passenden Außenrand die Leitungsergänzungen 5 enthalten bzw. aufnehmen können.
Die Leiter 11 ragen heraus und teilweise in diese Öffnungen hinein. In der rechten oberen Ecke von Fig. 2 Ist die Form
der Leiter 11 zum Teil durch gestrichelte Linien dargestellt, um ihre räumliche Lage zu den Leitungsergänzungen 5 und die
durch das Chip mit integrierter Schaltung einzunehmende endgültige
209821/0 5
Lage zu veranschaulichen. Hier zeigt sich, daß die Innenenden der Verbindungs- oder Anschlußleiter 11 in ihrer Lage mit den
an den Kanten des Chips 15 angeordneten Anschlüssen übereinstimmen und daß ihre Mitteilteile über den an dem Keramikträger
vorhandenen Leitungsergänzungen 5 angeordnet sind.
Die Außenenden der Leiter 11 haften über eine ausreichende
Länge fest an der isolierenden Platte 10 um zu gewährleisten, daß die Leiter fest an ihr angebracht sind und ihre Lage nicht
verändern können. Die Starrheit des Hilfsträgers wird durch g
einen aus der ursprünglichen Aluminiumfolie erzielten Aluminiumrahmen
9 erhöht, der die Öffnungen oder eine Gruppe von ihnen umgibt, wobei die Leiter 11 gegeneinander und gegen den
Rahmen 9 isoliert sind.
Es ist bekannt, daß die je eine integrierte Schaltungseinheit bildenden einzelnen Chips in erheblicher Menge aus einer einzigen
Leiterträgerplatte hergestellt werden, an deren Oberfläche
die aktiven und passiven Bauelemente, die isolierenden Schichten, die Zwischenverbindungsleitungen und die Leitungsergänzungen
mit Hilfe unterschiedlicher Verfahren wie Aufwaschen, Diffusion, Niederschlag usw. hergestellt werden. Jede Trägerplatte enthält
einige Zehner solcher Chips, die gewöhnlich alle die gleiche i
Form haben und die gleiche integrierte Schaltung tragen. Nach ihrer Herstellung werden die einzelnen Cips durch Anreißen
mit Hilfe chemischer, elektronischer oder mechanischer Verfahren
voneinander getrennt, bleiben aber an ihrem Platz. Beim nächstfolgenden Verfahrensschritt werden sie mit ihrem unteren Teil
in eine flüssige Verbindung eingetaucht, die darauf fest wird, ohne an ihnen ff?st zuhaf ten. Auf diese Weise werden sie in
wechselseitig unveränderter Lage gehalten, wobei jedes Chip
einzeln für sich entfernt werden kann. Fig. 3 ist ein Schnitt,
Π 9 P 7 1/ 0 6? f
der eine Anzahl Chips 15 zeigt, die durch die eine Art Behälter bildende festgewordene Verbindung 16 in ihrer
richtigen Lage gehalten werden.
Erfindungsgemäß wird der Hilfsträger 13 in der Weise auf den
Behälter 16 gelegt, daß die Innenenden der Leiter 11 genau
über den Anschlüssen der Chips zu liegen kommen. Die genaue Übereinstimmung der Lage dieser Enden mit der der Anschlüsse
ist leicht erzielbar, wenn die zum Aufbringen der Leiter und Anschlüsse auf das Chip benutzte Maske oder ein Teil von ihr
auch benutzt wird, um die Form und die Lage der Innenenden der Leiter zu bestimmen. Zum Erzielen der genauen Überlagerung
kann eine Schablone verwendet werden, die mit einer Handsteuerung versehen ist, die es ermöglicht, beispielsweise mit
Hilfe von Mikrometerschrauben den Chipbehälter genau und allmählich gegenüber dem Hilfsträger zu verstellen oder umgekehrt.
Das gleiche Ziel läßt sich durch mit Hilfe eines geeigneten Programms numerisch gesteuerte mechanische Vorrichtungen
zum automatischen Insteilungbringen erreichen.
Nachdem die Leiter 11 gegenüber den Anschlüssen des Chips 15
in ihre genau richtige Lage gebracht worden sind, werden ihre Enden durch UItraschallschwexssung oder Wärmedruck oder durch
sonstige geeignete Verfahren mit den entsprechenden Anschlüssen
gleichzeitig auf einnn 1 verschweißt.
Im häufig vorkommenden Falle, in welchem die Anschlüsse des Chips aus Aluminium hergestellt sind, wird zweckmäßigerweise
die Ultraschallschweißung verwendet. In jedem Falle kann das
Schweißen für alle Leiter und alle Anschlüsse eines Chips auf einmal stattfinden.
2 09871/0570
Das angeschweißte Chip steht mit den Leitern fest in
Zusammenhang, so daß es sich durch Anheben des Hilfsträgers aus dem Behälter 16 entnehmen läßt.
Dieser Vorgang wird so oft wiederholt, wie Chips auf dem Keramikträger zusammengebaut werden sollen, und zwar nicht nur,
wenn die Chips aus einem einzigen Behälter entnommen werden, sondern auch, wenn sie aus verschiedenen Behältern geliefert
werden. Die Biegsamkeit des "Ristontl-Materials an den zwischen
den Chips liegenden Stellen läßt das Anschweißen eines Chips selbst dann zu, wenn die angrenzenden Chips bereits in ihrer
richtigen Lage angebracht sind. Am Ende dieser Reihe von Arbeitsgängen trägt der Hilfsträger 13 in. jeder seiner Öffnungen
das entsprechende, mit den Innenenden der Leiter 11 verschweißte Chip mit integrierter Schaltung.
Jetzt werden der gesamte Hilfsträger 13 und die an ihm angebrachten Chips über den Keramikträger 1 gelegt und so in
Stellung gebracht, daß, wie in Fig. 5 für eine der Öffnungen gezeigt, die auf dem Keramikträger vorhandenen Leitungsergänzungen
5 mit den Mittelteilen der Leiter 11 in Berührung
stehen. Auch bei diesem Beispiel kann die Genauigkeit der Übereinstimmung
zwischen den Leitungsergänzungen 5 und den Leitern
11 durch passende Verwendung der zum Aufbringen der Leitungsergänzungen auf den Träger zum Bestimmen der Form und der Lage
der Leiter benutzten Maske erzielt werden. In Fig. 6 ist der Einfachheit halber angenommen worden, daß die Dicke der
Leitungsergänzungen die gleiche ist wie die des Chips 15 und daß deshalb ihre Oberflächen sich in gleicher Höhe befinden.
Diese Bedingung ist leicht erfüllbar mit Hilfe des in dem italienischen Patent 846 3^7 beschriebenen Verfahrens, welches
ein elektrolytisches Anwachsen der auf den Keramikträger aufgebrachten
Leiter vorsieht und demzufolge das Vergrößern der Höhe der Leitungeergänzungen bi· zur erforderlichen Höhe
- 10 -
209821/0570
ermöglicht. Es ist jedoch nicht notwendig, diese Bedingung
strikt zu erfüllen, da der Höhenunterschied in der Größenordnung von wenigem /u liegt und der Abstand zwischen
den Anschlüssen des Chips und der Leitungsergänzungen des
Trägers in der Größenordnung von Millimetern liegt.
Andernfalls können in dem Keramikträger, in welchem das Chip enthalten ist, Öffnungen oder Ausnehmungen vorgesehen werden,
damit sich seine Oberseite in der erforderliche Höhe befindet.
Auf diese Weise läßt sich das mehrfache und gleichzeitige Verschweißen der Leiter 11 mit den unter ihnen liegenden
Leitungsergänzungen entweder für sämtliche Leiter oder für passende Gruppen von ihnen durchführen.
Diese Leitungsergänzungen sind gewöhnlich aus Gold hergestellt, und ihr Verschweißen mit Aluminiumleitern mit Hilfe eines
der bekannten Verfahren macht keine Schwierigkeiten.
Darauf werden mit Hilfe einer Stanzvorrichtung die Leiter auf der Seite außerhalb der Chips unmittelbar angrenzend an
die Leitungsergänzungen abgeschert, worauf der Hilfsträger
13 entfernt werden kann, um das über die sich ergebenden Richtleitungen 17 an die Leitungsergänzungen 5 angeschlossene
Chip 15 in seiner richtigen Lage zurückzulassen.
Auf diese Weise ermöglicht das Verfahren nach der Erfindung in sehr genauer und zuverlässiger Weise und mittels einer
Reihe von leicht mechanisier- und automatisierbaren Arbeitsgängen den mechanischen Zusammenbau und den elektrischen
Anschluß der Chips mit integrierter Schaltung an den die Verbindungsleitungen tragenden Keramikträger.
- 11 -
209821/0570
Beim beschriebenen Beispiel ist die Anzahl der zusammenzubauenden Chips der/lDinfach- und Klarheit halber auf vier begrenzt,
jedoch ist selbstverständlich, daß das beschriebene
Verfahren um so vorteilhafter ist, je höher die Anzahl der zusammenzubauenden
Chips ist. Praktisch kann diese Anzahl mehrere Zehner betragen oder auch in der Größenordnung von Hunderten
J iegen.
Das Verfahren nach der Erfindung ermöglicht es, sr-hr komplexe
Schaltungen mit einer beachtenswerten Anzahl von einzelnen Ibauteilen
zu kompakten Einheiten von hoher Betriebssicherheit zusammenzubauen
und auf diese Weise eine Fertigungsgeschwindigkeit
zu erreichen, die größer ist als die, die erreichbar wäre, wenn
die gesamte Schaltung als integrierte SchaJtung an einem einzigen Halbleiterträger horzusteJlen wäre.
Es sei bemerkt, daß nach dom Verschweißen der Jniienenden der
Rieht leitungen mit den Anschlüssen der integrierten Schaltungen
diese Schaltan,en Funktionstests unterworfen werden können, da
die Außenenden der Leiter 11 zugängJich, gegeneinander isoliert
und an die Anschlüsse angeschlossen sind. Sie sind durch die Prüfsonden der TeM vorrichtungen leicht erreichbar, da ihre Abmessungen
und ihre wechselseitigen Abstände vi-;l ,größer sind als
die der Anschlüsse der integrierten Schaltungen.
Die vorstehende Beschreibung gibt als bevorzugtos Verfahren ^viir
Erzielen des Hi If J? fr ägers nach Fig. 2 das das i sol ier tn-'ie und
lichtempf irili ehe, ir-it "Riston" bezeichnete Material verbündende
und in der e ζ viihnten deutschen Patentanmeldung voir 1'+. Oktcbei
1971 beschriebene Verfahren an, Dieses Verfahren ist je iv»ch nicht
das einzig b: luchbare !zur Herstellung eines solchen Traf«:, s.
Beispielsweise können die Öffnungen 12 durch Ausstanzen in einer
Platte aus nicht lichtempfindlichem isolierenden Material erzielt
werden.
- 12
Darauf werden auf die Platte eine Aluminiumfolie festhaftend
angebfacht und aus ihr die Leiter 11 und der Rahmen 9 durch
Lichtätzen erzielt, während das Verfahren weiter wie vorstehend beschrieben ablaufen kann»
Bs leuchtet ein» daß in diesem Falle zum Erzielen einer einwandfreien
Zentrierung der Leiter 11 zu den öffnungen besondere
Sorgfalt walten muß.
Patentansprüche
t
- 13 -
209821/0570
Claims (3)
- _,i3 _ 215208?PatentansprücheVerfahren zum Zusammenbauen einer Vielzahl von mindestens ein elektronisches Bauelement enthaltenden und mit Verbindungsanschlüssen versehenen Chips auf einem mit Leitern und Leitungsergänzungen für den Anschluß an die Verbindungsanschlüsse versehenen isolierenden Träger, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Hilfsträgers (13)» der aus einer isolierenden Platte (1O) besteht, die mit Öffnungen (12) zur gesonderten Aufnahme jeweils eines der Chips (T5) und mit einer Vielzahl von an ihr festhaftenden und in die Öffnungen hineinragenden Leitern (11) versehen ist, und dadurch, daß die Anschlüsse von mindestens einem Chip (15) mit den Innenenden der an dem Hilfsträger vorhandenen Leiter (11) auf einmal verschweißt werden, dieser Vorgang so oft wiederholt wird, wie zusammenzubauende Chips (15) vorhanden sind, um den Hilfsträger mit allen in den entsprechenden Öffnungen angeordneten Chips fest in Zusammenhang zu bringen, worauf der Hilfsträger mit den Chips in der Weise auf den isolierenden Träger (i) gelegt wird, daß die an dem isolierenden Träger vorhandenen Leitungsergänzungen (5) sich mit den Mittelteilen der Leiter (11) decken, dann die Leitungsergänzungen mit den Mittelteilen der Leiter verschweißt und die Leiterteile außerhalb der Leitungsergänzungen abgeschert werden, so daß nach Entfernen des Hilfsträgers Chips (15) erzielt werden, die an den Leitungsergänzungen starr befestigt und mit ihnen durch den verbleibenden Teil (17) der Leiter (11) elektrisch verbunden sind.209821/0570
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die an dem Hilfsträger (13) vorgesehenen Leiter (11) gegeneinander isoliert werden.
- 3. Hilfsträger zum Zusammenbauen einer Vielzahl von Chips auf einem isolierenden Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er aus einer isolierenden Platte (1O) besteht, die mit Öffnungen (12) zur gesonderten Aufnahme jeweils eines der Chips (15) und mit einer Vielzahl von an ihr festhaftenden und in die Öffnungen hineinragenden Leitern (11) versehen ist.MB/Sch - 22 778209821/05701 1^ *Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT3133370 | 1970-11-05 | ||
IT3182870 | 1970-11-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2152081A1 true DE2152081A1 (de) | 1972-05-18 |
DE2152081C2 DE2152081C2 (de) | 1982-04-29 |
Family
ID=26328921
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2151765A Expired DE2151765C2 (de) | 1970-11-05 | 1971-10-14 | Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen |
DE2152081A Expired DE2152081C2 (de) | 1970-11-05 | 1971-10-15 | Verfahren zum Anbringen von Chips mit integrierter Schaltung auf einem isolierenden Träger |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2151765A Expired DE2151765C2 (de) | 1970-11-05 | 1971-10-14 | Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3795043A (de) |
DE (2) | DE2151765C2 (de) |
FR (2) | FR2112466B1 (de) |
GB (2) | GB1372592A (de) |
NL (1) | NL7114747A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2625383A1 (de) * | 1975-06-04 | 1976-12-16 | Raytheon Co | Schaltungspackung mit mindestens einer integrierten schaltung, verbindungstraeger fuer eine derartige schaltungspackung, verfahren zur herstellung des verbindungstraegers sowie verfahren zum zusammenbau der schaltungspackung |
DE3424241A1 (de) * | 1983-07-04 | 1985-01-17 | Cables Cortaillod S.A., Cortaillod | Automatisiertes herstellungsverfahren fuer eine gedruckte schaltung bzw. leiterplatte und deren anwendungsbereich |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4048438A (en) * | 1974-10-23 | 1977-09-13 | Amp Incorporated | Conductor patterned substrate providing stress release during direct attachment of integrated circuit chips |
US3960561A (en) * | 1975-04-10 | 1976-06-01 | International Business Machines Corporation | Method for making electrical lead frame devices |
US4189825A (en) * | 1975-06-04 | 1980-02-26 | Raytheon Company | Integrated test and assembly device |
US4064552A (en) * | 1976-02-03 | 1977-12-20 | Angelucci Thomas L | Multilayer flexible printed circuit tape |
US4312117A (en) * | 1977-09-01 | 1982-01-26 | Raytheon Company | Integrated test and assembly device |
NL7713758A (nl) * | 1977-12-13 | 1979-06-15 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting. |
US4209355A (en) * | 1978-07-26 | 1980-06-24 | National Semiconductor Corporation | Manufacture of bumped composite tape for automatic gang bonding of semiconductor devices |
US4247623A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-27 | Eastman Kodak Company | Blank beam leads for IC chip bonding |
US4342151A (en) * | 1979-06-18 | 1982-08-03 | Eastman Kodak Company | Blank and process for the formation of beam leads for IC chip bonding |
DE3019207A1 (de) * | 1980-05-20 | 1981-11-26 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Traegerelement fuer einen ic-chip |
EP0078606A3 (de) * | 1981-11-02 | 1985-04-24 | Texas Instruments Incorporated | Halbleiterzusammenbau mit Drahtträger |
DE3234744C2 (de) * | 1982-09-20 | 1984-11-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Einrichten zum Halten mehrerer, jeweils mit integrierten Schaltkreisen versehenen Halbleiterplättchen beim Kontaktieren mit auf einem filmförmigen Substrat ausgebildeten Streifenleitern |
US4627151A (en) * | 1984-03-22 | 1986-12-09 | Thomson Components-Mostek Corporation | Automatic assembly of integrated circuits |
FR2601502B1 (fr) * | 1986-07-09 | 1989-04-28 | Em Microelectronic Marin Sa | Dispositif electronique semi-conducteur comportant un element metallique de refroidissement |
EP0260490A1 (de) * | 1986-08-27 | 1988-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verbindungsschicht für ein elektronisches Bauelement und Verfahren zum Verbinden eines elektronischen Bauelementes mit einer solchen Schicht |
FR2614134B1 (fr) * | 1987-04-17 | 1990-01-26 | Cimsa Sintra | Procede de connexion d'un composant electronique pour son test et son montage, et dispositif de mise en oeuvre de ce procede |
US5156996A (en) * | 1991-04-12 | 1992-10-20 | Itt Corporation | Method for forming gold ribbon connectors for microwave integrated circuits |
SE470501B (sv) * | 1992-10-07 | 1994-06-06 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande vid montering på ett substrat av en TAB-krets, varvid TAB-strukturens anslutningar utgörs av ett elektriskt ledande anslutningsmönster som framställts på en filmremsa och vilket är anslutet till TAB-strukturens halvledarkretsbricka |
US6581278B2 (en) * | 2001-01-16 | 2003-06-24 | St Assembly Test Service Ltd. | Process and support carrier for flexible substrates |
KR100654338B1 (ko) * | 2003-10-04 | 2006-12-07 | 삼성전자주식회사 | 테이프 배선 기판과 그를 이용한 반도체 칩 패키지 |
JP4160069B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2008-10-01 | 富士通株式会社 | 反射器を備えた光通信デバイスおよび光通信デバイスへの反射器の形成方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1162184A (en) * | 1966-03-09 | 1969-08-20 | Ibm | Improvements in and relating to Connections to Solid State Devices |
DE1614575A1 (de) * | 1966-08-16 | 1970-05-27 | Signetics Corp | Aufbau einer integrierten Schaltung und Verfahren zum Herstellen dieses Aufbaues |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2981877A (en) * | 1959-07-30 | 1961-04-25 | Fairchild Semiconductor | Semiconductor device-and-lead structure |
US3271625A (en) * | 1962-08-01 | 1966-09-06 | Signetics Corp | Electronic package assembly |
US3195026A (en) * | 1962-09-21 | 1965-07-13 | Westinghouse Electric Corp | Hermetically enclosed semiconductor device |
US3374537A (en) * | 1965-03-22 | 1968-03-26 | Philco Ford Corp | Method of connecting leads to a semiconductive device |
US3390308A (en) * | 1966-03-31 | 1968-06-25 | Itt | Multiple chip integrated circuit assembly |
US3440027A (en) * | 1966-06-22 | 1969-04-22 | Frances Hugle | Automated packaging of semiconductors |
US3544857A (en) * | 1966-08-16 | 1970-12-01 | Signetics Corp | Integrated circuit assembly with lead structure and method |
US3641661A (en) * | 1968-06-25 | 1972-02-15 | Texas Instruments Inc | Method of fabricating integrated circuit arrays |
-
1971
- 1971-10-14 DE DE2151765A patent/DE2151765C2/de not_active Expired
- 1971-10-15 DE DE2152081A patent/DE2152081C2/de not_active Expired
- 1971-10-26 NL NL7114747A patent/NL7114747A/xx not_active Application Discontinuation
- 1971-11-02 US US00196442A patent/US3795043A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-11-02 US US00194829A patent/US3785044A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-11-03 FR FR7139364A patent/FR2112466B1/fr not_active Expired
- 1971-11-05 GB GB5163071A patent/GB1372592A/en not_active Expired
- 1971-11-11 GB GB5251971A patent/GB1373008A/en not_active Expired
- 1971-11-17 FR FR7141168A patent/FR2114810A5/fr not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1162184A (en) * | 1966-03-09 | 1969-08-20 | Ibm | Improvements in and relating to Connections to Solid State Devices |
DE1614575A1 (de) * | 1966-08-16 | 1970-05-27 | Signetics Corp | Aufbau einer integrierten Schaltung und Verfahren zum Herstellen dieses Aufbaues |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
In Betracht gezogene ältere Anmeldung: DE-OS 21 51 765 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2625383A1 (de) * | 1975-06-04 | 1976-12-16 | Raytheon Co | Schaltungspackung mit mindestens einer integrierten schaltung, verbindungstraeger fuer eine derartige schaltungspackung, verfahren zur herstellung des verbindungstraegers sowie verfahren zum zusammenbau der schaltungspackung |
DE3424241A1 (de) * | 1983-07-04 | 1985-01-17 | Cables Cortaillod S.A., Cortaillod | Automatisiertes herstellungsverfahren fuer eine gedruckte schaltung bzw. leiterplatte und deren anwendungsbereich |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2151765C2 (de) | 1983-06-16 |
DE2152081C2 (de) | 1982-04-29 |
FR2114810A5 (de) | 1972-06-30 |
FR2112466A1 (de) | 1972-06-16 |
US3795043A (en) | 1974-03-05 |
GB1373008A (en) | 1974-11-06 |
GB1372592A (en) | 1974-10-30 |
US3785044A (en) | 1974-01-15 |
DE2151765A1 (de) | 1972-05-10 |
FR2112466B1 (de) | 1975-07-18 |
NL7114747A (de) | 1972-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2152081A1 (de) | Verfahren zum Anbringen von Chips mit integrierter Schaltung auf Zwischenverbindungstraegern | |
DE2752438C2 (de) | Träger für eine integrierte Schaltung | |
DE2843144C2 (de) | ||
DE69508835T2 (de) | Dreidimensionale Verbindung von Gehäusen elektronischer Bausteine wobei gedruckte Schaltungen angewendet werden | |
DE3850224T2 (de) | Verbindungstechnik mit dielektrischen Schichten. | |
DE3017892A1 (de) | Anzeigevorrichtung mit lichtemittierenden dioden | |
DE1616734A1 (de) | Verfahren zum wahlweisen Verbinden der in mehreren Ebenen verlaufenden flaechenhaften Leitungszuege eines mehrschichtigen Isolierstofftraegers | |
DE2125511A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen mit zumindest einer öffnung einer Trägerschicht sowie mit diesen Verbindungen versehene Schaltungsplatte | |
DE3149641A1 (de) | "eleketrische schaltungsplatte und verfahren zu ihrer herstellung" | |
DE4317125A1 (de) | Monolithischer Mehrschicht-Chip-Induktor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2460215A1 (de) | Leuchtdioden-anordnung | |
DE68928193T2 (de) | Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE10014620A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trägerbandes mit einer Vielzahl von elektrischen Einheiten, jeweils aufweisend einen Chip und Kontaktelemente | |
DE2103064A1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Modulelementen | |
DE102017107069A1 (de) | Stromdetektor | |
DE2315711A1 (de) | Verfahren zum kontaktieren von in einem halbleiterkoerper untergebrachten integrierten schaltungen mit hilfe eines ersten kontaktierungsrahmens | |
DE1922654C3 (de) | Elektrische Festkörperschaltungsanordnung | |
DE69609921T2 (de) | Herstellungsverfahren einer halbleiteranordnung geeignet zur oberflächenmontage | |
DE2439670A1 (de) | Elektrische schaltungsanordnung mit einem substrat und mit darauf aufgebrachten elektrischen bauelementen sowie verfahren zur herstellung einer solchen schaltungsanordnung | |
DE2633884A1 (de) | Elektronische vorrichtung mit flexiblem film als traegerplatte und verfahren zu deren herstellung, insbesondere elektronischer taschenrechner | |
DE3731787C2 (de) | Anordnung von mehreren IC's auf einem Bandstreifen aus Isoliermaterial | |
DE1490197A1 (de) | Anschlusstafel fuer elektrische Schaltungselemente | |
DE69026491T2 (de) | Herstellungsverfahren von einer Halbleitervorrichtung in flacher Einkapselung | |
DE3234895A1 (de) | Elektrisches bauelement, insbesondere chip-bauelement und verfahren zur herstellung des bauelements | |
DE2031285C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Anzahl plättchenförmiger elektronischer Bauelemente mit Kunststoffgehäuse |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |