DE1817226A1 - Deformationsbilderzeugungssystem - Google Patents

Description

Son/Ql Z„203 (XD/1020)

XEROX ΟΟΒΡΟΕλϊΙΟΪί, Booliesier, Hew York / USA

Beformationebilderseugungseystem

Die Erfindung betrifft gans allgemein ein BilderzeugongBeyetem und besieht eich insbesondere auf die bildweiee Faltenbildung durch Aufraulien (frost) oder Heliefbildung einer .erweicht) ar en, ®lektroetatls@& &©fomi@äföa£@n SsJbicht mit einer Übersehicht_o

waä EelisffaltenMlSung ers§@ng©n OberfläohendeXormaöde* Falten auf ©iner Te^foroibaren Schioht duroh den gemeinsamen Mnflm@@ @in®@ eletetrestatisohen Feldes und einer

12%

Eine Relieffaltenbildung erzeugt eine firetartige Faltung In der verformbaren Schicht an den Grenzflächen oder Grenzlinien von Stellen, an welchen sich eine Ladung "baw₀ keine Jjadimg befindet (Linien, mit einem hohen Sparmungsgradienten in dam angelegten Ladungsmuster), so dass derartige Relieffaltenbildungsverfahren am geeignetsten für die Reproduktion von Gegenständen mit hohem Kontrast sind» beispielsweise für eine Reproduktion von Linien oder den Umrissen von festen flachen Gegenständen. Diese Reflieffaltenblldung wird beispielsweise in den US-Patentschriften 3 113 179, 2 985 866, 3 055 006, 3 063 872 und 3 095 324 beschrieben.

Durch eine Aufrauhfaltenbildung (frost wrinkling) wird eine Reihe von falten mit einer sehr kleinen Oberfläche über einer ganeen Ladungsfläche erzeugt, wodurch dem Bild ein aufgerauhtes Aussehen verliehen wird, wobei die aufgerauhten Stellen stark liohtstreuend sind und als dunkle Stellen auf einem Bildschirm bei einer üblichen Projektion erscheinen. Eine Aufrauhfalten·* bildung ist dafür bekannt, dass sie eine hoohqualitative kontinuierliche Tönung sowie Linienkopierbilder zu erzeugen vermag. Eine Aufrauhfaltenbildung wird beispieleweise in den US-Patentsohriften 3 196 011 und 3 196 008 sowie von Gundlaeh und Olauein "A Oyolio Xerographic Method Based on frost Deformation, Phot. Sol. 9s Eng. 7.1» Seiten 14-19 (1963)"beschrieben.

Bb existiert eine Vielzahl von BiIderzeugungasystemen, bei denen eine Auf rauh- oder Belief deformation eines Elemente erfolgt, das eine Oberschicht aus einem Material an der Oberfläche der erweiohbaren, elektrostatisch deformierbaren Schicht beeitst.

Ein derartiges System wird in einem Artikel von F. H_e Nicoll in »EGA Review, 209-231 (Juni 1964)" sowie in der US-Patentsohrift 3 31? 315 beschrieben. Das Bilderzeugungselement besteht im allgemeinen aus einem dünnen inerten Film mit ainer Sicke von vorzugsweise weniger als ungefähr 0,01 u auf einem deformierbaren thermoplastischen Material, wobei das Bilderseugungselement in der Welse mit einem Bild versehen wird, dass auf seine dünne Oberflächenschicht eine Ladung in Bildkonfiguration angelegt wird und die deformierbare Sohioht bis au ihrem Erweichungspunkt erhitzt wird, wobei eine Faltenbildung an den geladenen Stellen erfolgt.

Wenn auch, das Niooll-Systern in einigen Beziehungen vorteilhaft ist, eo ist es doch dadurch beschränkt, dass extrem dünne ObersntgsfUrne verwendet werden müssen, d.h. Filme mit einer Dicke von weniger als 0,1 η und vorzugsweise von weniger als 0,01 μ. Auoh ist bei der nur direkten optieohen Methode zur Bildung des latenten Bildes, wobei eine photoleitende deformierbare Sohioht erforderlich ist, ein UV-Strahlungsbild mit einer ganz speziellen hohen Intensität oder eine sehr starke Bestrahlung (I5OOO Fusskerfien-Sekunden) mit einer üblichen Wolframfadenlampe erforderlich, um ein bildweises Falten zu erzeugen. Bei dieser optischen Bilderzeugungsmethode ist die photoleitende deformierbare Schicht ferner zwischen anderen Schichten in Sandwich-Form vorgesehen, so dass aus diesem Grunde die Lichtempfindlichkeit gegenüber einem System herabgesetzt wird, das eich beispielsweise einer lichtempfindlichen Schicht als freie Oberfläche des Bilderzeugungselements bedient.

Ein zweites System, welches die elektrostatische Deformation einer Sohioht mit einer Materialüberaohioht an der Oberfläche der deformierbaren Sohioht verwendet, wird in der deutschen Pa-

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tentsohrlft . ... _βββ (Patentanmeldung entsprechend der US-Anmeldung Serial Ho₀ 670 824 vom 15« September 1967) beschrieben. Wie in dieser Patentschrift angegeben wird» wird eine Haut mit einer Dioke von nicht mehr als ungefähr 0,3 u auf der Oberfläche eines im wesentlichen nioht-auf rauhbaren thermoplastischen Materials gebildet, um dieses in ein aufrauhbares Material eu Überführen, Jedoch besteht die einzige direkte optische Methode zur Bildung eines Aufrauhbildes unter Verwendung eines lichtempfindlichen Materials, wie in dieser Patentschrift angegeben wird, in dem Einsäte eines Üblichen Systems (wie es beispielsweise in der US-Patentschrift 3 196 011 beschrieben wird)» wobei dieses System sich einer deformierbaren Sohioht (mit Haut) auf einem Photoleiter mit einer typischen Xerographieohen Plattend!oka (20 - 100 n), der auf einem Substrat aufliegt· bedient. Dieser Methode ssur optischen Bildung des latenten Bildes haftet u.a. ferner der Nachteil an, dass die photoleitende Sohioht in form einer Sandwich-Sohioht bestrahlt werden muss. Se wird kein Verfahren beschrieben, bei dessen Ihuwhfülirung die lichtempfindliche Schicht eine freie Oberfläche des Bilderzeugungeelemente darstellt.

Sin anderes, jedoch etwas verwandtes System wird in den US-Patentschriften 3 238 041 und 3 196 008 beschrieben. Bine photoleitende deformierbare Sohioht mit einer verformbaren Dicke (die gegebenenfalls auf einem deformierbaren Nloht-Photoleiter aufgeschichtet ist) wird selbst gefaltet (in Aufrauhung oder Belief). Die minimale deformierbare Dicke der Photoleitersohioht wird in den beiden angegebenen Patentschriften mit ungefähr 1 - 2 u angegeben, wobei diese Sicke in Einklang mit der Dioke von 1 - 1,5 u steht, welche den unteren Schwellwerk einer deformierbaren Sohioht darstellt» wie dies beispielsweise auch aus der obigen Veröffentlichung von Gundlaoh und Olaus

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hervorgeht.. BennoGh wird in der australischen Patentsohrift 2Ö0 003 SiRgQgBbBXLt aase eine Haliex'falt&nldl&m&g iA.r«--3r T drag von Pilmen mit einer BI eic® tob O₅ 254 .u diÄ3?ofcg.*jfitl2rt \fenn ©s auch vorteilhaft ist_s dass der P&Gtoie:lt@r sine freie

des Bilderzeugung^ elements darstellt,, βΰ beseitigen die· Dicke und die erhaltene Srübung der Photaleites?·= soMcht die Yorteil© von durchsichtigen Photoleitesn, eia« sehliesalich der bevorzugten Photololter, die aus ainorplism Selen. "beeteheng wenn dae mit einem Bild TCreahsne Element als Diapositiv verwendet werden soll» Auch, erfordert die Dio&e des ühotoleiters. relativ grosse Mengea an relativ teuren Photolei·=» t©^ßaterialien_B wobei der Photoleiter zusätzlich die spezifischen Eigenschaften einer erweiohbaren, slektrostatloch defor-Boliiöht besitzen

an&h die. vorstöli©M besohriebenes Syst@m@ ₉ bei denen eine UMtoaeievbttre Sohlet mit einer übersohieht in Bildkonfiguration gefaltet ϊτίχά, in bestimmten Situationen vorteilhaft sind, so besteht dennoch ein fortwährender Bedarf an einem einfacheren ?m& Vl®lsditig93? venrendbaren sowie billigeren System« um auf elektrostatisch defosmierbaren ScMohten, insbesondere mit einer freien lioiLtempfindliohen Oberfläche, Bilder zu erzeugen.

Ziel de? l&'fln&igi&g iet die aGhaffung eines elektrostatischen Befossostio&sbildereeiagtmgseysteme» welohes die vorstehend gesoMlderten Naolitsiil® beeeitigt. Duroh die Erfindung wird ein ele&txostaiisefr®» SsfssmatiOBaMlder^eugungssystem gesohaffen, UMiB in d@r Weise m&t einem Bild v@ss®3i©ii werden kann, dass optisch das latente Bild gebildet wird. Bei dem erflndungsgemassen

B@fosmationsbilder^eugungssyetem entfällt die düim© Ob@i?ilä@&@iäSGhi®ht©m auf der er-

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weichbaren, elektrostatisch deformierbaren Schicht ssu Y«rwenden«, Eine Ausfiihrungeforni der Erfindung "bedient eich, einer mechanisch kontinuierlichen Übers old. eht, die 'yorzugaweilsö lichtempfindlich ist, auf der erreichbar en _t elektrostatisch deformierbaren Schicht. Eine wsitera Auefllhrungsfora sieht die Verwendung einer brechbaren und vorzugsweise einer Oberflächenschicht aus Einzelteilchen, die vorzugsweise lichtempfindlich ist, auf der erweiohbaren, elektrostatisch deformierbaren Schicht vor. Das erfindungsgemässe Bilderaeugungssystem besitzt _fc den Vorteil» dass das Bilderzeugungselement löschbar ist und " erneut verwendet werden kann«, Das erfIndungsgemässe System verwendet eine lichtempfindliche Übersohioht aus einem erweichbaren, elektrostatisch deformierbaren Material, die um das 1000-fache lichtempfindlicher ist als dies bei den bisher bekannten Systemen der Fall war. Bei dem erfindungsgemässen elektrostatischen Deformationsbilderzeugungssystem wird nur eine einsige Ladung und eine einsige Bestrahlung durchgeführt. Das erfiadungsgemäsee System vermeidet die Notwendigkeit, deformierbare dicke Photoleitersohiohten auf der elektrostatisch deformierbaren Schicht zu verwenden. Das System vermag Bilder en erzeugen, die direkt oder durch Reflexion oder durch Projektion betrachtet werden können, wobei eine Vielzahl von un-) durohelohtigen und durchsichtigen lichtempfindliche a Schichten verwendet werden, einsohliesalich der bevorzugten undurchsichtigen Photoleiter» die aus amorphem Selen bestehen. Sas erflndungsgemäese System verwendet ein BilderzeugungBelement, das aus einer nioht-defonaierliaren dünnen Schicht aus einem lichtempfindlichen Material auf einer deformierbaren Schicht besteht. Baa erflndungegemässe elektrostatische Deformationsbilderseugungesyetem int positivspositiv oder positiv;negativ, und zwar je nach dea mechanischen Charakter der ÜbersoMoiit so« wie insbesondere je naoh der Tatsache, ob die Überschicht aua-

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einanderhricht und a I oh seitlich erneut entsprechend einer gefalteten Unter sohl oht anordnet. Duron die Erfindung wird ein elektrostatisches DeformationsMlderzeugiingsBystem zur Verfügung gestellt» durch welohee gefaltete, mit Bildern versehene Elemente erzeugt werden können, welche durch Projektion betrachtet werden können» wobei keine durchsichtigen Photoleitereohlohten erforderlich sind.

Uüiroh die Erfinciting wird ein Bilderzeugungeelement geschaffen, daa eine Materialüberschicht, die vorzugsweise lichtempfindlich ist» auf einer erweiohbaren, elektrostatisch deformierbaren Schicht aufweist, wobei das Element durch Aufrauh- oder Belief faltenbildung der deformierbaren Schicht mit einem Bild versehen wird· Gemäss einer bevorzugten AusfUhrungsform wird eine Talteilbildung, wenn die Übersohioht lichtempfindlich ist, dadurch verursacht» dass das Element gleiohmässig elektrostatisch aufgeladen wird, mit einem bildweisen Muster einer Strahlung, die gegenüber der Oberschicht aus dem lichtempfindlichen Material aktinieoh ist, bestrahlt wird und die erweiohbare, elektrostatisch deformierbare Schicht erweicht wird, so dass sie Palten bildet, wodurch die üb ere ohioht nach einer Vielzahl von Möglichkeiten zur Erzielung einer Vielzahl von mit Bildern versehenen Elementen beeinflusst wird,, <

Sie Erfindung wird anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert.

figur 1 zeigt in sohematisoher Weise eine Ausftlhrungsform eines erfindungsgemässen Bilderzeugngselemente.

figur 2 erläutert in sohematisoher Weise die gleiohmässige elektrostatische Ladung gemäss der Erfindung.

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Pigur 5 zeigt in soheaiati scher Weise die Mläweise Bestrahlung gemäss der Erfindimg.

Pigur 4 zeigt in sohematischer Weise die erfindungegemässe Er» weichung. Die Figuren 2-4 geben eine bevorzugte optische He« thode zur Bildung eines Bildes gemäss der Erfindung wieder.

Die Figuren 5 und 6 sind 1:1-Photographien von ungefähr 1200-faohen Mikrophotographien der Oberflächenschicht des gleichen Teiles eines erfindungsgemässen Bilderzeugungeelementes» wobei eine brechbare, seitlich sich anlagerungsfähige Selenober« sohioht verwendet wird und kein Aufrauhen an den linken Stellen der Figuren und ein Aufrauhen an den rechten Stellen der figuren au erkennen ist, während gleichzeitig die Selenteilchen sich zusammenlagern oder agglomerieren· In Figur 5 befindet sich der fokus der Mikrophotographie an der Oberfläche der nicht gestörten Oberschicht und in Pigur 6 an der Oberfläche der zusanmengelagerten Stellen der Oberschicht.

Figur 1 gibt eine Atisführungsform eines Bilderzeugungselemente 10 gemäss der Erfindung wieder. Dieses Element weist ein Substrat 11 und eine erweiohbare, elektrisch isolierende, elektrostatisch deformierbare Schicht 12 auf, die an ihrer oberen Oberfläche eine Materialüberschicht 13 besitzt. Das Substrat 11 kann elektrisch leitend oder isolierend sein. Leitende Substrate erleichtern im allgemeinen das Laden oder die Sensibilisierung des Elemente. Die Substrate können in typischer Weise aus Kupfer, Messing, Nickel, Zink, Chrom, rostfreiem Stahl, leitenden Kunst» stoffen und Kautschuken, Aluminium, Stahl, Cadmium, Silber oder Gold bestehen. Das Substrat kann jede geeignete Form aufweisen, beispielsweise die Form eines Metallbandes, eines Bleches, einer Platte, eines Wickels, eines Zylinders, einer Walze, eines end-

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losen Bandes oder dergleichen* Gögebenenfallo kasm das leitende Substrat auf einem Isolator aufgeschichtet sföin_P beispielsweise auf Papier,, ©las oder einem Kunststoff» Beispiel© für dies© Substrattypen sind eia im wesentlichen durchsichtiges, mit Zinnoxyd beschichtetes &las, das unter- dem Warenzeichen ISSA von der Pittsburgh Plate (xlase Co _D in den Handel gebracht wird, ein alusainlsisrter Polyesterfilm, wobei der Polyesterfilm unter dem Warenzeichen Mylar von duPont vertrieben "wirdj, oder Kylar_t das mit Kmpferjedid beschichtet ist. Elektrisch isolierende Substrate können ebenfalls verwendet werden, so dass eine Vielzahl von fUmbildenden Materialisn als Substrat 11 in Frag© kommt, beispielsweise Kunststoff oder dergleichen. Bei Verwendung von selbsttragenden deformierbaren Schichten 1st keine Trägerschicht 11 erforderlich.

Die elektrostatisch deformierbare Sohlcht 12 kann, aus jedem geeigneten Material bestehen, das in typischer Welse bei Zimmertemperatur fest ist, erfindungsgemäss elektrostatisch deformierbar 1st und bei Zimmertemperatur sowie wenigstens während einer kursen Zeitspanne, wenn es zeitweilig auf seinen Schmelzpunkt erweicht 1st, beispielsweise durch die Einwirkung von Wärme oder Dampf, im wesentlichen elektrisch isolierend ist.

Die deformierbare Schicht erfordert im allgemeinen.die Verwendung gut isolierender Ulme. In den Fällen, in welchen das Laden während des Erweiohena durchgeführt wird, können j ede oh auch Pllme mit geringeren Widerständen, und zwar In der GrSsee&ordnung von ungefähr 10 Ohm-cm verwendet werden. Die Schicht 12 kann undurchsichtig oder durchsichtig sein, wobei sie jedooh vorzugsweise durchsichtig 1st, damit man. das erhaltene gefaltete Element als Diapositiv verwenden kann und eine Bestrahlung dea Element» von der Seite der verfembaren Sehloht

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her durchführen kann,. Die Schicht i?. sollt ι vo:cs-<igö^s."l.*^ 3öhr glatt seinp, um den erhaltenen Bildkontrast zwischen den gefalteten und den nioht-gefalteten Stellen don deformlerbercm Materials zu erhöhen,,

Soll die deformierbare Schicht 12 durch Erhitzen erweicht werden, dann kann sie beispielsweise aus rjeäea geeigneten elcktrisch isolierenden thermoplastischen Harfs bestehen, aas bei einer massigen Temperatur erweicht werden lcann und bei einer derartigen Temperatur eine elektrostatische Ladung beibehält.

Wenn auch die Erfindung in zweokmässiger Weise unter Verwendung von verformbaren Materialien durchgeführt wird, die bei Zimmertemperatur fest sind und gelegentlich durch Erhitzen oder dergleichen erweicht werden, so lässt sie sich dennoch auch mit Materialien durchführen, die bei Zimmertemperatur viskos sind (beispielsweise eins Viskosität von ungefähr 1Cr Poise besitzen, jedoch gegebenenfalls durch Kühlen verfestigt werden können. Ferner kann die Erfindung unter Verwendung von Materialien durchgeführt werden, die durch Erhitzen oder durch Bestrahlung härten oder polymerisieren.

Staybelite Ester 10» erhältlich von der Hercules Powder Go₉, Piooopale H-2, ein stark verzweigtes Polyolefin, Pioootex 100, ein a-Methylstyrol/Vinyltoluol-Copolymeres, hydriertes Picco» pale 100, jeweils erhältlich von der Pennsylvania Industrial Chemical Corporation, und SR-5061A, ein Silikonharz der Dow Corning Corporation, sind bevorzugte verformbare Materialien, und zwar wegen ihrer geeigneten Verformunge- und Isolierungseigenachaften sowie wegen ihrer hohen Durchsichtigkeit. Die Durchsichtigkeit 1st ebenfalls ein bevorzugtes Merkmal, da sie einen Kontrast zwischen typisch undurchsichtigen und mehr Höht

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absorbierenden Material!©», öl© in der ifbarschicht 15 verwendet werden, schafft.

Eswurden ferner viele andere Materialien gefunden» die zur Bildimg der Schicht 12 verwendet werden können und sich zur Drallführung einer Erweichung mittels eines Lösungsmitteldampf es oder mittels Wärme eignen. Man kann jedes geeignete defοrmierbare Material verwenden. In der nachfolgenden Tabelle I werden typische derartige Materialien aufgeführts

Warenzeichen 1)

3)

5) Pioooumaron

7) Pioeoflex 1001

B) Kevin® £13

9) HeviXXae soft 10) Hoeolastlo

11) Piccolastio 3)125

12) Piooo 75

13) Picoopale 70

14) Piecolastio A-50

15) PiOcolastio A-75

Chemischer
Styrol

Hersteller

Pennsylvania Industrial Chemical Corp,

Hercules Powder Ga

Pennsylvania Industrial Chemical Con>

Styrol	ti	η
Polyviuylohlorld	η	Pennsylvania Indus trial Chemical Corp.
Kumaroa/Indea	Neville Chemical	It
	Co.	It
Phenol~modiflBlertee Kumaron/I&fien	η
Styrol	It
η	ti
Inden
Kohlenwasserstoff (ungesättigt)
Styrol
η

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Die Schicht 12 kann ferner eine oberflächenbehandelte Schicht aein_e wie sie in der oben ©rwähntsü deutschen. Patentschrift

(Patentanmeldung entsprechend

der US-Anmeldung Serial Ho. 670 824) beschrieben wird« Es kann auch jedes andere Material verwendet werden, das eich zur elektrostatischen Deforraationsbilderzeugung eignet,, Beispielsweise kommen die Materialien in Frage, die in den weiter oben angegebenen Veröffentlichungen und Patenten beschrieben werden. Viele dieser Materialien eignen sich für eine Verwendung in der Schicht 12 ohne Vorbehandlung.

Die Schicht 12 kann eine Sicke haben, die innerhalb eines breiten Bereiches schwankt. Im allgemeinen wurde jedoch gefunden, dass die Deformation oder Faltenbildung dann nicht stattfindet oder wenigstens nicht ohne weiteres beobaohtet werden kann, wenn die Schicht 12 eine Dicke von viel weniger als ungefähr 1/2 u besitzt. Da die Schicht 12 eine erhöhte Dioke besitzt, verändern die aufgerauhten Stellen ihr Aussehen von einer sehr feinkörnigen Aufrauhung bis zu einem relativ grobkörnigen perl» artigen Aussehen. Jedoch ist die relief- oder aufrauhartige Faltenbildung auch bei Verwendung von deformierbarsn Schichten mit einer Dicke von mehr als 100 μ beobachtbar. Eine Dicke von ungefähr 1/2 bis ungefähr 16 u wird zur Erzielung einer sehr ) hohen Auflösung« einer hohen Dichte sowie anderer optimaler Bildqualitäten bevorzugt»

Die Oberschicht 13 ist, wie aus Figur 1 hervorgeht, mechanisch kontinuierlich, und zwar im Gegensatz zu Schichten aus nichtgebundenen Sinzelteilchen oder Schichten, die in Bezug auf die Oberfläche der Schicht abreissen und sich verlagern. Allerdings können diese Überschiohten aus feilchen in einem Bindemittel sowie aus halbkontinuierlichen Schichten bestehen, beispielsweise aus perforierten Schichten oder Schichten mit einem

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r. Kontinuierlich.® tJft$:?f<oa/.aJvSs:svorai&gswe&s© ßslrc glatt SeIs₂, iaa den BÄldI:csx1;j?as"^:- αϊ/Αποϊ faltete WJ.ä 3?.5.eht»gsfal-tet@s?, Fläcb.oxi sn?. -a

Die. SoMo&t 13 ksOT. jedoch auch in 1ϋπ& e!oi®ö Xeic&t ■brechbares Films Torliegen ₉ el©r vorzugsweise aus Einsei teilchen 1>β-stellte wo"bei der Film gegebenenfalls leiclit brechen mx& sicla seitlioh ©ment aaordnea kam,, so dass blanke Stellen geschaffen werften, w©Bn di© Überechioht d©forißie3?t wXnCi;, wobei die blanken Stellen in der ©rÖss©no2?diaung der Dick© der Schicht lie° gen. Di© Yerfoxamng erfolgt aufg3raK.d eiaer Ve^forsrung der verformbareu Unterschickii» Ist die Schicht 13 serbrechlich, und enthält sie vorzugsweise Bingelteilcfeenp äan& sind die Heilchen in typischer Weis© wenigstens teilweise an der oberen Oberfläche der Schicht 12 eingebettet. In vielen Fällen können sie vollständig an der oberen Oberfläche der Schicht 12 eingebettet sein, so dass sich die Oberteile der teilchen etwas unterhalb der oberen Oberfläche der Schicht 12 befinden, wodurch ein abriebbeständigeres Bilderbeugungselement geschaffen wird.

Unter dem Begriff "erneut seitlich anordnungsfähig«¹ sowie ähnlichen Abwandlungsfomen dieses Begriffes soll eine Schicht Über einer arweiohbaren, elektrostatisch deforsderharen Schicht verstanden werden₉ die, falls sie durch eine aufrauh« oder reliefartig® faltenbildung der defoxmierharan Schicht abreiset, sur Folge hat, dass di© Übereohicht in Teilchen von der Grosse eines Bildelements oder weniger aufbricht, wobei die Xeilohen die Neigung besitzen, sich von den Xteformationsspitssen su ent» fernen und sich in den Deformationstalern sv. agglomerieren.

Me Obe^seMolit 13 ist TOialMagig von iarer Fök»

lichtempfindlich, so dass es möglich ist, das Element nach einem neuen optischen Bestrahlungsb.llderaeiAgung8"."ej?fahr9i>. au falten. Dieees Verfahren besteht darin, in gleichmäBoi.gsx- Ytaiss daa Element 10 elektrostatisch au laden, ea mit einem Muster einer Strahlung zu bestrahlen, die gegenüber der Schicht 13 aktinisch 1st, und die Schicht 12 zu erweichen.

Ist die Schicht 13 mechanisch kontinuierlich oder brechbar,, wo» bei sie jedoch nicht abreiset, und seitlich erneut anordnungen fähig, wenn eine verformbare Unterschicht durch Aufrauhen oder

" Relief gefaltet wird (frost or relief wrinkled), dann ist die Dicke der Oberschicht ein Faktor hinsichtlich eines hohen Auflösungsvermögens. Zur Erzielung von Faltbildern mit optimaler Qualität sollte eine Dicke von ungefähr 0,01 bis ungefähr 0,5 u eingehalten werden. In diesem Bereich dünner Filme sind sogar im allgemeinen undurchsichtige lichtempfindliche Materialien merklich lichtdurchlässig, sofern es sich um glatte Schichten handelt, so dass es möglich ist, das au verwendende, mit einem Bild versehene Element als Diapositiv einzusetzen, v/obei die Durchlässigkeit an gefalteten Stellen durch Lichtdiffusionswirkungen verringert wird, wobei eine wenigstens teilweise durchsichtige verformbare Schicht 12 und ein Substrat 11 vorauszu- setzen 1st. Man stellt fest, dass, falls die Dicke der Schicht 13 grosser als ungefähr 0,5 u ist, diese Schicht dazu neigt, schnell ihre Biegsamkeit zu verlieren, so dass sie nicht mehr auf die Falten anspricht, die auf der deformierbaren Schicht erzeugt werden. Dicken von weniger als ungefähr 0,01 werden immer schwieriger herzustellen.

Ist die Schicht 13 brechbar, und besteht sie vorzugsweise aus Sinsel teilchen, und wird sie abgerissen und seitlich erneut angeordnet, wenn eine Relief- oder Aufrauhfaltenbildung in einem

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t das ihrer Dicke entspricht, infolge einer Verformung der verformbaren tfnterlagenschicht_s di8 durch Aufrauhen oder ein Kelief gefaltet ist, erfolgt» dann beträgt ein "bevorzugter Dickenbereißh ungefähr O₈ 2 bis ungefähr 2 jx„ wobei ein derartiger Biokeabereieh eine gute erneut® seitliche Anordnung» eine gute Dichte« ein hohes Auflösungsvermögen und einen aufgezeichneten Kontraet des erhaltenen Bildes ermöglicht, wobei sich ausserdeia die Herstellung einfach gestaltet. Besteht die Oberschicht aus TeIlQhQu., dann sollte die maximale !Eeilchengrösse nicht grosser als ungefähr 1 u sein, um ein maximales Auflösungsvermögexi, au gewährleisten (wobei jedoch auch aine Schicht 13 Mit ülcksn von mehr als 2 oder 3 μ befriedigende Ergebnisse liefert) _a Me drüse® der feilohea sollt© durchschnittlich nicht ungefähr 1/3 der Hick© der Schicht 12 Übersteigen.

Eine mechanisch tantinuierllohe ttbersehieht 13 kann nach jeder geeigneten Method© hergestellt werden. (Typische Methoden bestehen in einem Takuumaufdampf@n von Schichten aus einer überwiegenden Meng© eines amorphen Stlene. Beispielsweise besteht eine bevorzugte Methode darin, dass ssu beschichtende Substrat zwischen ungeflbx 30 und ungefähr 40°0 au halten und die Temperatur der Quelle auf einen Wert zwischen ungefähr 230 und 260'^J0 einzureguli@ren, wobei ein Teilvakuum von ungefähr 1*4 χ 1Q- S5orr. eingestellt wird. Die Sohicht kann auch nach Methoden hergestellt werden, wie sie in der US-Patentschrift 3 1£1 006 geschildert werden.

Oberschichten, die abreissbar sind und sich erneut anordnen können» können ebenfalls durch Takuumauf-Sajsipfmigsmethoden hergestellt werden, wobei die Verfahrensparameter entsprechend geändert werden, um im Gegensatz zu kontinuierlichen S chi eilten brechbare Schichten herzustellen.

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Beispielsweise können brechbare Schichten, die eine überwiegende Menge an amorphem Selen enthalten, duroh Vakuumaufdampfen hergestellt werden, wobei eine Aufbringungsgeschwinfligkeit von ungefähr 1/2 u pro Stunde eingehalten wird. Das Substrat wird auf einer Temperatur von ungefähr 65 °0 in einem Vakuum von ungefähr 10""* bis ungefähr 10""* üJorr. gehalten. Brechbare Oberschichten können ferner durch Kaskadierungsmethoden,, Aufstäubemethoden oder durch Abstreifmethoden hergestellt werden. Diese Methoden werden beispielsweise in der deutschen Patentschrift „ ... ...

(Patentanmeldung . entsprechend der US-An-

meldung Serial No. €85 536 vom 24. November 1967) beschrieben. Ausserdem sind auch andere geeignete Methoden anwendbar.

Die Übersohlont 13 sollte in Abwesenheit einer aktinischen Strahlung ausreichend elektrisch isolierend sein oder insbesondere keine Ladung an die Schicht 12 abgeben» um eine Ladung beizubehalten, wenn die erfindungsgemässen Verfahrens stufen durchgeführt werden. Ausserdem sollte sie auch anderweitig in der Ziege sein» optisch der Faltenbildung der Schicht 12 zu ent» sprechen, um BdLt Bildern versehene Elemente in der beschriebenen Welse EU bilden.

Ist die Oberschicht 13 lichtempfindlich, dann kann jedes geeignete kontinuierliche oder brechbare gesohichtete lichtempfindliche Material verwendet werden. Typische derartige Materialien bestehen aus anorganischen oder organischen photoleItenden Materialien.

Bevoreugte anorganische Photoleiter, die wegen der ausgezeichneten Qualität der erhaltenen Bilder erfindungegemäee elngesetet werden, sind amorphes Selen, amorphes Selen, das mit Arsen, Sellur, Antimon oder Wismuth oder dergleichen legiert ist, sowie amorphes Selen oder dessen Legierungen, dotiert mit

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Halogenen, Andere anorganische Photolsiter, cii? smt die erfin«=· dtmgsgemäase elektrostatisch defox-mierbare Schicht suf geschieh«=» tet werdön konr-.eaj, sind photoleiteaicle Hate.ria3.ien in Form von

wie "beispielsweise 2»Inksttl:\i&_s ZlnkoadDiium-Zinkoxid, das nach dem fransösisoli-sn Verfahren hergestellt worden- Ist? GaäißiiMBi3lfid_s GadiHiumsalenids Phthalocyanin,, Siaksllikatj, Gs^mitMsixlfoEelenia., linear® ökinaorldone oder äergleloh.©n_e wobei diese Materialien auf die ScirLcirfc 12 sur .Erzie lung ¥©a breohbaren Übers chiohten aufgesohiclitet werden oder in eisern isolierend©!!, anorganischen filmbildenden Bindemittel» wie beispielsweise Glas» oder in einem isolierenden organischen filmbildenden Bindemittel, wie beispielsweise einem Epoxyharz, einem Silikonharss, einem Alkyldoarz, einem Styrol/Butadien-Harz, einem Wache oder dergleichen unter Bildung von kontinuierlichen übersohichten disperglert werden. Andere typische photoleitende Xsolationsmaterialien sind folgende: Mischungen, Copolymere, Serpolymer® oder dergleichen von photoleitenden und nichtphotoleitenden Materialien, die entweder miteinander copolymerisierbar oder unter Bildung von festen Lösungen miteinander mischbar sind. Organische photoleitende Materialien dieses Typs sinds Anthraoen, Polyvinylanthracen, inthraohinon, Oxadiasol- derivate, wie beispielsweise 2,5-Ms-(p~Ami.nophenyl)~ 1,3 t 4--oxadlazol, 2-Phenylbönsoxazol oder dergleichen, oder ladungsübertragung ßkompl exe, die durch Umsetzung von Harzen, wie beispielsweise aus Polyvinylcarbazol, Phenolaldehyden, Epoxyverbindungen, Phenoxy verbindungen j Polycarbonaten oder dergleichen, mit Lewis-Säuren, wie beispielsweise Phthalsäureanhydrid, 2,4,7-Trinitro™ fluoreaoii oder dergleichen, unter Komplexbildung hergestellt worden sind, Hetalloklorlde, wie beispielsweise Alumlnlumohlorid, Zinkohlorld oder S.i3en(IIl)-chlorId, 4»4"ble~(Slmethylamino>·

Plorinsäure, 1_v3»?

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1-Ohloranthraohinon,, Bromal, 4-Hitro
EssigBäureanhydrid,, Malciiiöäureanhyurici., yortrichlörld, Maleinsäure, Zimtsäu5?e„ Benzoesäure_c Weinsäure, .iir-;l<r<isäurr oc.er Mischungen dieser Verbindungen,

Die erfindungsgemässen Bilderzeugungselemente, bei denen lichtempfindliche Übersohichten verwendet werden, werden vorzugs weise derart eingesetzt, dass sie gleioamässig elektrostatisch geladen werden und "bildweise mit einer Bestrahlung"bestrahlt werden, die gegenüber der lichtempfindlichen Überschicht aktinisch ist, worauf die erweichbare und deformierbare Schicht erweioht wird, um eine bildweiee Faltenbildung zu verursachen„

Sie Figur 2 zeigt, wie das Bilderzeugungselement in gleichmässiger Weise elektrostatisch geladen wird, und zwar im allge meinen in Abwesenheit einer aktiniechen Strahlung für die Sohloht 13. Die Bestrahlung erfolgt mittels einer Korona-Entladung s vorrichtung 14» die derart gezeigt wird, dass sie das Element von links naoh rechts überquert, wobei eine glelchmässige Ladung auf der Oberfläche der Schicht 13 aufgebracht wird. Beispielsweise können Korona-Entladungsvorrichtungen verwendet werden, wie sie In den US-Patentsohriften 2 836 725 und 2 777 957 beschrieben werden» Diese Vorrichtungen stellen ausgezeiohnete Korona-Quellen dar, welche sich zum Laden des Elemente 10 eignen· Andere Ladungemethoden können ebenfalls angewendet werden, wobei diese Ladungsmethoden von einem Reiben des Elements bis zu einer Induktionsladung schwanken, wobei letztere beispielsweise in der US-Patentschrift 2 934 649 beschrieben wird. Die bevorzugten Oberflächenspannungen der Schicht 13. können von einigen YoIt bis zu 4000 Volt schwanken, und zwar je naoh den vorwendeten Materialien, der Schichtdicke sowie je naoh der Tatsaohe, ob eine Relief- oder Aufrauhfaltung gewünscht

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wird. Zur 'Erzielung von Bildern, mit optimaler Qualität sollte, falls seitlich nicht erneut anordnungsfähige Übersohiehten verwendet werden«, die Spannung in dem bevorzugten Bereich von ungefähr 30 bis ungefähr 300 Volt (negativ odor positiv) liegen₀

Handelt es sich bei dem Substrat 11 um ein isolierendes Material oder ist kein Substrat 11 vorhanden, dann kann das Laden des Elements beispielsweise in der Welse durchgeführt werden, dass das Isolierende Substrat in Kontakt mit einem leitenden Element gebracht wird, worauf naoh der in Figur 2 wiedergegebenen Welse geladen wird. Wahlweise können andere Methoden angewendet werden, wie sie beispielsweise in der Xerographie zum Laden von xerographischen Flatten mit isolierenden Unterlagen durchgeführt werden. Beispielsweise kann das Element mittels einer doppelseitigen Koronaladungemethode geladen werden. Bei dieser Methode werden zwei Korona-La&ungsvorrichtungen auf jeder Seite des Elements verwendet, wobei diese Torrlohtungen entgegengesetzt geladen sind und übereinanderstehend quer über das Element 10 geführt werden«

In der Figur 3 wird die Stufe der bildwelsen Bestrahlung des gleichmässig geladenen Bilderzeugungselements mit einem Liöhtraueter 16 entsprechend einem zu reproduzierenden Original gezeigt. Die zur Bilderzeugung verwendete Lichtquelle sollte Lloht oder eine andere Strahlung eines solchen Sfyps liefern, auf welche die Schicht 13 anspricht.

Man kann jede geeignete aktinieohe elektromagnetische Strahlung verwenden. Typische Beispiele sind eine Strahlung aus gewöhnlichen weiseglühenden Lampen, Röntgenstrahlen, Strahlen geladener Seilohen, Infrarotstrahlen, UV-Strahlen oder Kombinationen aus derartigen Strahlen.

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Zu Erläuterungsiswecken werden die elektrischen QberfläcJaenla» düngens die bei der durch Figur 2 wiedergegebenen Ladungastufe aufgebracht werden» In der Welse eingezeichnet» als hätten sie sich in die lichtempfindliche Schicht 1*5 an den blldweiee bestrahlten flächen bewegte Man nimmt an„ daes elektrische Ladungen an bestrahlten Stellen in die Schicht 13 gelangen^ während sie an den nloht-bestrahlten Stellen im wesentlichen auf der Oberfläche zurückbleiben und die Empfindlichkeit des BiIderzeugungselements gegenüber Licht in der Oberschicht 13 sowie an der Grenzfläche au der Schicht 12 und nicht an der Photoleitfähigkeit des Hauptteile der deformierbaren Schicht 12 aufrechterhalten. Man nimmt ferner an, dass diese Ladung in einigen Fällen in die deformierbare Schicht 12 wenigstens teilweise infolge des erweichten Sustandes der deformierbaren Schicht 12 während der Erweiohungsstufe abgegeben wird, so dass auf diese weise die Deformlerungsladungskräfte von der lichtempfindlichen Schicht und entsprechenden Seilen der faltbaren Schicht 12 entfernt werden, wobei deformierende Ladungsfläohen auf der nichtbestrahlten lichtempfindlichen Sohioht und entsprechende faltbare Teile der Schicht 12, die beim Erweichen gefaltet werden, zurückbleiben,

Es 1st nicht wesentlich, so wie dies beispielsweise in der Xerographie oder bei der in der ÜS-Patentschrift 3 517 315 beschriebenen Bilderzeugungsmethode der Fall 1st, dass die Bestrahlungsstufe entweder eine merkliche Entladung des Elements oder eine wahrnehmbare Herabsetzung der elektrischen Felder oder der Oberflächenspannung an den vom Licht getroffenen Stellen zur Bildung eines latenten elektrostatischen Bildes zur Folge hat. Vielmehr reicht eine selektive Verlagerung der Ladung in die Sohioht 13 aus, um erflndungsgemäss ein entwicklungsfähiges la» tentes Bild zu erzeugen«

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Man nijßmt an„ dass ®ine Deformation an äem veil dem Licht getroffenen Stellen dann erfolgt, wenn folgernde "Bsdiagmsgen erfüllt weakens Eino Beotrahlimg cl@i? Schiolvä' 15- mit dem optisches?. Bild hat sur I'olgQ, dass die Ladung sich in si?3.ektiv©r Weise sis der Grensflache der Schichten 13 und 12 bsnfsgt, wobei dl© Srweichungsstufe keine ladragsabgabe an die Schicht 12 verursacht _β Eine Deformation erfolgt an den nioht~be strahl ten Stel~ l®a_s wenn die Bestrahlungsstui© eine selektiv© Verlagerung der Ladung an der Grenefläche "bewirW, wobei eine Ladimgsabgabe in di@ Sohioht 12 dann auftritt₉ wenn dia Schicht 12 erweicht wird. Eine Deformation tritt fexmar dann an &®& nicht-bestrahlt©& Stellen auf, wesin Sie Platt@miaterialien derart ausgewählt werden, dass die Bestrahlung der Schicht 13 mit aktinischer Strahlimg selbst eine üadungsabgabe an die Schicht 12 vor der Irweichungsstufe bewirkt,

Gegebenenfalls können die vorstehend beschriebene Ladungs- und Bestrahlungsstufe gleichzeitig und nicht nacheinanderfolgend durchgeführt werden. Eine Vorrichtung, die besonders für eine gleichseitige Ladung und Bestrahlung geeignet ist_p wird beispielsweise in der US-Patentschrift 3 196 011 beschrieben.

Wenn auch die vorstehend beschriebene optische Methode zur Herstellung des latenten Bildes wegen ihrer Einfachheit sowie wegen der auf diese Weise erzeugten Bilder mit hoher Qualität bevorzugt wird, so können auch andere Methoden sur Bildung eines latenten Bildes, das in Bildkonfiguration gefaltet werden kann, angewendet werden. Beispielsweise können überschichtete deformierbare Schichten auf eine Photoleiterschicht eines xerographisohen Typus auf einem leitenden Substrat aufgebracht werden, worauf naoh der in der US-Patentschrift 3 196 011 be-

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sohriebenen Yfelso ein Bild durch laden, Bestrahlen \w.& tee Beladen erzeugt werden kann. Da'oei toaaa, man εα-ιτα di.« In der genannten US-Patentschrift "bssohr!ebenen lloüif.iei anwenden. Es ist ferner darauf hinzuweisen rinse la F, in denen es erwünschter ist» ein lichtabsürbior&£.&3ii oO-.'-zv xo>· durchsichtiges Material für die Schicht 1? sm vej/vrenfiar.* ο ine Bestrahlung der Photoleiterschioht des xeirographischen 'liypuo durch ein durchsichtige β Substrat für die Photoleitcirschiohl; naoh bekannten xerographiachen Methoden erfolgen k^n. 3^.ne zur Erläuterung dienende geeignete Kombination epesifincher Materialien für ein derartiges Element wäre eine Schicht v$ aus Gtraphitteilohen» eine Schicht 12 aus Staybelite Ester 1O_; eine photoleitende xerographisohe Schicht aus glasartigem Selen* mit beispielsweise einer Dicke von ungefähr 60 u und ein Substrat aus NESA-Glas als photoleitende Schiohtt Entsprechende Materialien können natürlich verwendet werden, wobei die optisohen Eigenschaften der Komponenten lediglich don Anforderungen entsprechen müssen, welche durch das jeweilige Verwendungsgebiet gegeben sind.

Auoh die Sohioht 12 kann aua einem eelbst-deformierbaren Photoleiter auf einem leitenden Substrat bestehen, wobei das latente Bild durch gleiohmäesiges Laden und Bestrahlen gebildet wird. Sine stur Erläuterung dienend· Kombination besteht aus einer Oberschicht 13 aus Graphit, einer photoleitenden deformierbaren Sohioht aus 2,5-"bi8-(p-Aminophenyl)-1,3i4-oxadiaEiol und einem Substrat aus NBSA-Ölae. Xquivalente Materlallen können ebenfalls verwendet werden·

Ferner können Elemente, welche Schichten 13 und 12 aufweisen, in der Welse mit einem Bild versehen werden, dass ein elektrostatisches Ladungsmuater aufgebracht wird, worauf erweicht

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wird. ladnngsamGtea? ketonen nach einer Vielsahl von Methoden aufgebracht werden, "beispielsweise} durch eine Beladung in Bildkon« figuration durch eine lonisations- oder Elektronen-dung durch eine Maske oder eine Schablone. Ferner kann man suerst ein derartiges Ladungsmuster auf einer getrennten photoleitenden Isolationsschicht nach üblichen xerographiechen Reproduktionsmethoden bilden und dann dieses Ladungsmuster auf die erfin«. dungsgemässen Elemente übertragen, und zwar in der Art, dass die 2 Schichten sehr nahe zueinander gebracht werden, wobei man sich der beispielsweise in den US-Patentechrlften 2 932 647» 2 82§ 814 und 2 937 943 beschriebenen Durohbruchmethoden bedient. Zusätzlich können Ladungsmuster, welche ausgewählten geformten Elektroden oder Blektro&enkombinationen entsprechen« nach der "2ESI"-Intladungsiaethode gebildet werden. Diese Methode wird näher in den US-Patentschriften 3 023 731 und 2 919 967 beschrieben, ferner kann man die Methoden anwenden,, wie sie in den US-Patentsohrlftön 3 001 848 und 3 001 849 beschrieben werden» Ferner kommt eine Elektronenstrahlaufeeichnungsmethodo in Frage, wie sie beispielsweise in der US-Patentschrift 3 113 179 geoffenbart wird.

Ein Aufrauhen kann ferner duroh selektives Erweichen erfolgen, beispielsweise durch Bestrahlen der gleichmässig geladenen Elemente mit einem Bildmuster einer erweichenden Infrarotstrahlung oder duroh selektive Härtung, wie sie beispielsweise in der US-Patentschrift 3 307 941 beschrieben wird. Ferner kann man Methoden anwenden, welche in selektiver Weise in üblicher Weise aufrauhbare Materialien in Bildkonfiguration nicht-aufrauhbar machen, beispielsweise duroh bildweise Verunreinigung einer auf andere Weise aufrauhbaren Schicht.

In £igur 4 wird eine Ausführungeform der erflndungsgemässen Er-

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weichungsstiife geseigt, wobei &is Schicht 12 in eiaem solch ausreichenden Maße erweicht wird, dass sie physikalisch durch dio mechanischen Kräfte, welche mit dem Bildmuster der elektrostatischen Ladung in Beziehung stehen, verändert wird. Man keim jede geeignete Erweichungsmethode anwenden, vorausgesetzt, dass sie nioht die elektrische Leitfähigkeit der Schichten 12 und bis en dem Punkt erhöht, an welchem die elektrischen Ladungen abfHessen oder entladen werden, bevor die Schicht 12 sich in Bildkonfiguration verformt. Die üblichste Erweichungsmethode besteht darin, die Schicht 12 zu erhitzen oder der Einwirkung von Lösungsmitteln oder LÖsungsmitteldMmpfen für die Materialien der Schicht 12 auszusetzen. Zur Erzielung von Bildern mit höchsten Qualitäten sollten die mechanisch kontinuierlichen lichtem» pfindliohen Oberschichten ebenso wie die Schicht 12 erweicht werden. Die bevorzugte Wärmeerweichungemethode wird in Figur 4 gezeigt, wobei das Element 10 in einer Position unterhalb des Drahtwiderstanderhitzimgselements 20 gezeigt wird. Wird das Ma» terial der Schicht 12 erweicht, dann ist es in der Lage, ent» sprechend den elektrischen Kräften, die auf es einwirken, zu fHessen. Wie gezeigt, entwickelt die Oberfläche der Schicht an den nicht-bestrahlten Stellen eine mikroskopisch unebene Oberfläche. Diese unebene Oberfläche kann ferner als gerippt, getüpfelt, runzelig oder aufgerauht bezeichnet werden. Zusatz« lieh wird auch die Schicht 13 an den entsprechenden Stellen durch die Faltung der Schicht 12 gefaltet ₉ so dass die optischen Eigenschaften des Elements verändert werden, ohne dass dabei die Schicht 13 bricht, aufbricht oder sich seitlich erneut anordnet*, da die Oberschicht 13 mechanisch kontinuierlich ist« Einige brechbare Überschichten verhalten sich ähnlich. Wie noch ausgeführt werden wird, werden andere brechbare Überschichten an gefalteten Stellen abgerissen, umgelagert oder seitlich erneut angeordnet.

■: -S

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lla ErMiJaQJi ist eine be^orsugte Methode rarExn^iofriäBg der Schicht 12, tss-qI&s JD&format.i«m su ©möglichen. Xasböaond©re hat sich ein Erhitzen des Elements während ©5.ner Ss.itsp&aae roxi im« gefahr 1 - 20 Sekunden odor darüber "bei eii'.sr Ssmperatvx ταη "»m«=· gefahr 50 "bis ungefähr 130⁰G siis· Eraeugaag töh Bll&essa iai^-& op«· •feiraelor Qualität als bevorzugt

Wird die Scfeioht 12 dnroL·. das Eiaw.1Ls?feeiiJ.asüösi \^tob. I-üawagssait tsln oder Xömmgßiailt-'öelääiapfeä erweiclit, ä:^n smss das mierbare Schiohtmaterial daau in dsr Iiago sein, aiisrei Mengen eines geeigneten !lösungsmitteldampfes esü absorbieren, so dass seine Vistoeität bis zu dem Pwnlct-herabgesetst wird,, en welolism ein Aufrauhen erfolgen kann_e Eine perforierte oder 8ch.v;eisar-'Säe>'e«äimliche liohtempfindliolis Schicht oder ein poröees Substrat oder beide derartige Material Sypen werden für eine Erweichung mittels eines Iiöeungsmitteldampfee bevorssugt,, da Xn diesem Falle das Löaungsmittal oder die IsÖBungsmitteldäiQp^e in einfacher Weise in die deformierbare Schicht eindringen

Sie Lösungsmitteldampfe sollten von der Schicht 13 in einer Menge absorbiert werden, die dazu ausxeioht, im wesentlichen die Viskosität der Sohlcht 12 herabsusetzen. Der Flüchtigkeit des Iiusungamittdls sollte dann Aufmerksamkeit gesohexüst werden, wenn es möglich iat, eine geeignete Härtungszeit für die Schicht ein«· zuhalten. Heben diesen Läeungsmitteleigensohaften spielen auch die elektrischen Eigenschaften des Lösungsmittels «hinsichtlich der Bildauf rauhung eine Holle. In dem durch das lösungsmittel erweichten Zustand kann die Schicht 12 tatsächlich eine erheb« liehe Menge des üösungsmlttels enthalten, so dass die X>ieiektri<~ eitätskonstante eowie der spesifisohe Widerstand der Schicht 12 in gewissem Auemaß unter diesen Bedingungen durch die Melektri·» zitätskonstante und den speeifischen Widerstand des

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tola beeinflusst werden.

Flüssige Lösungsmittel weisen erheblich schwankende Dielektrizitätskonstanten und spezifische Widerstände auf. üfyplsohe Beispiele für die Dielektrizitätskonstanten bestirnter geeigneter Lösungsmittel, die sich zur Bildaufrauhung eignen, sind die Werte 2,3 für Perohloräthylen, 3,4 für Trichloräthylen und 10,0 für Äthylendiohlorid. Wird das Lösungsmittel nach der Ladungsstufe einwirken gelassen, dann sind die elektrostatischen Kräfte umso grosser, je geringer die Dielektrizitätskonstante ist. Se wäre daher zweekmässig, ein flüssiges Lösungsmittel zu verwenden, das eine mögliohet niedrige Dielektrizitätskonstante besitzt. Experimente bestätigen, dass die besten Ergebnisse und die schnellsten Aufrauhungen bei Verwendung eines Lösungsmitteln mit einer Dielektrizitätskonstanten von nioht mehr als derjenigen von Srlohloräthylen, d.h. 3,4, erzielt werden.

Eine nächste Verarbeitungsstufe, die nach der Entwicklung durohgeführt werden kann, ist eine erneute Härtung der Schicht 12, um das gefaltete Oberflächenmuster an Ort und Stelle einzufrieren, wobei dieses Muster dann betrachtet werden kann.

Dies kann beispielsweise dadurch durchgeführt werden, dass die Wärmequelle entfernt wird und das Einwirkenlaesen von 18-sungsmitteldämpfen oder dergleichen Maßnahmen sur Erweichung der deformierbaren Schicht 12 unterbrochen wird. Ss ist im allgemeinen Bweokmässig, die Schicht 12 erneut zu härten, sobald das gefaltete Huster erscheint. Sin Wärmeerweichen ermöglicht im allgemeinen eine schnellere erneute Härtung. Obermässige Erweichungstemperaturen oder übermässig lange Zeitspannen der Erweichung der Schicht 12 sind auch zu vermeiden, da ein Verlust des Bildmusters auftreten kann, wobei jedoch, wie nachstehend noch näher erläutert werden wird, bei Verwendung von

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-brennbaren und seitlich erneut axiO2?cbmagsfähig©?Ä Ol ein Beseitigen der Faltung nicht das Bild

Bei der AuefUhrungsform, "bei welcher ein Element, dessen Übea?=· schicht 15 brechbar ist und abgerissen und seitlich erneut angeordnet wird, wenn sin Polten'erfolgt, mit ©inem Bild versahen wirdj wobei die Seuchen oder daa Material, aus welchen bew. aus welchem sich die Schicht 13 zusaaisiensetsti, in selektiver Weise, ^aagelagert. imd seitlich erneut angeordnet worden,, werden die optischen Eigenschaften dee Elements sichtbar in einer neuen und überraschenden Weieö verändert«, Erwartungageinäes reflektiert das Element an den gefalteten Stellen in diffuserer Weise. Jedoch stellt man im Gßgensats zu den Lehren des Standes der Technik feet, dass das Element an den Beliefstellen oder an &©ä durch Aufrauhen gefalteten Stellen relativ durchsichtig wird,, -und ewar wegen der seitlich erneut anordnungsfähigen Teile dar Oberschicht 13, die in ÜbereinstinBüimg .xait dem Faltungsmuster Übereinander verschoben werden, wobei in dan Tälern oder in den Taschen des gefalteten Bildes eine Susammenballung und inreichanmg erfolgt» während die erhabenen Stellen des Bi.X° des unbs&eclct bleiben* Man niiosit ferner an,'dass bsi Verwen» dung-bestimmter Materialien für die breohbare und seitlich erneut anordnungsfäMga Schicht 13» wobei die bevorzugten Ma«=» terialien amorphes Solen enthalten, wenigßteno ein teilweise Zuseaasenschmelr-en oder ein© Agglomerierung des? !Eeilohea in den Taschen der Palten erfolgt, so dass das Verhältnis Oberfläche; Volumen des Öberschiohtmaterials herabgesetzt wird. Xn über« rasohonder Weise stellt man ferner fest, dass die Deformation nicht permanent sein nniss_s um in permanenter Weise selektiv das Element 10 an den gefalteten Stellen durchsichtig su machen-. Nachdem die seitliche erneute Anordnung sowie die selektive DurohsichtigmEohimg der Schicht 13 erfolgt iet, kuanen die Se-

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fonsatlonen der Schicht 12 "ausgelöscht" werden» ohn© dass dabei das aufgezeichnete Bild zerstört wird» Soll das au, verwendende Bild für eine Projektion verwendet werden, dann stellt man fest, dass es vorzuziehen 1st» die Falte» auszulöschen, um die Lichtbrechwirkungen en den durchsichtig gemachten Stellen zu beseitigen. Man stellt ferner fest, dass sogar eine teilweise Auslöschung der Palten dazu neigt, die zusammengeballten Stellen der brechbaren Schicht einzubetten und sie mit Material aus der Schicht 12 zu überziehen, so dass ein fixiertes Bild erhalten wird. Babel wird ein direkt betrachtbares Bild erhalten, da die lichtabsorbierendon Eigenschaften an den deformierten und erneut angeordneten Stellen der Schicht 13 im Vergleich zu den Stellen der Schicht, die nach der Bilderzeugung Intakt bleiben, merklich herabgesetzt sind»

Beispielsweise erscheinen bei der bevorzugten Aueführungeform eines Elements, bei welcher eine im wesentlichen undurchsichtige Überschicht und wenigstens i&^welse durchsichtige Schichten 11 und 12 verwendet werden, die gefalteten Stellen heller.

Die Figuren 5 und 6 zeigen diese überraschende durchsichtig machende Wirkung bei einer derartigen bevorzugten Ausführungsform eines Elements. Die aufgerauhten Stellen auf den rechten Stellen der Figuren werden lichtdurchlässiger und weniger absorbierend, so dass sie dem Auge gegenüber heller erscheinen. Die Aufrauhung, welche die Zusammenballung bewirkt, 1st im wesentlichen vollständig entfernt oder "ausgelöscht", wie vorstehend näher erläutert wurde. In Figur 5 sieht man an den seitlich erneut angeordneten Flächen, dass nicht alle !Seilohen der Oberschicht zusammenballen. Einige haften an der Schicht 12 zur Bildung eines gefleckten Musters zwischen den Zusammenballungen an.

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Wenn auch das nach dem erfindungsgeraässon Verfahren erzeugte Bild einfach als solches betrachtet werden kann, so eignet es sioh dennoch auch in hohem Maße zum Projizieren, und zwar ins·» besondere dann, wenn die Schichten 11 und 12 wenigstens teilweise durchsichtig sind und das Material, aus welchem die ScM,chi 13 besteht, im wesentlichen undurchsichtig ist. Daher kann das entwickelte Element als Projektionsdiapositiv verwendet werden, wobei bei einer Proj ektion auf eine Bildwand oder dergleichen eine hohe Auflösung erzielt wird.

Das Bild kann ferner mittels eines Projekt ions sy sterna projiziert werden, wie es in Figur 1? der US-Patents ohrift 3 196 011 gezeigt wird. Optische Systeme, welche reflektiertes Licht verwenden, können ebenfalls eingesetzt werden. Derartige Systeme

werden beispielsweise in der deutschen Patentschrift ·

(Patentanmeldung entsprechend der US-Anmeldung Serial No. 619 072 vom 27. Februar 1967) beschrieben. Sin Abtasten kann ferner mittels entsprechender Abtastvorrichtungen, welche die selektive Anordnung der leuchen wahrnehmen, durchgeführt werden. Beispielswelse können magnetische Abtastvorrichtungen in Verbindung mit einer Schicht 13 mit einer magnetischen Komponente verwendet werden.

Je nach der Art der Bilderzeugung, den eingesetzten Materialien sowie der Methode zur Betrachtung oder zum Abtasten des Bildes wird entweder ein Positiv:Positiv- oder Positiv :Ne,gativ-Bilderzeugungssystem erhalten·

Die Begriffe "negativ" und "positiv" sind in dem Sinne zu verstehen, dass ein positives Original aus einer dunkleren graphischen Information auf einem relativ helleren Untergrund, beispielsweise aus einem gewöhnlichen gedruckten Buchstaben, be-

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steht, wobei ein Positiv in der gleichen Weise erscheint, während ein negatives Bild als hellere graphische Information auf einem relativ dunkleren Untergrund sichtbar werden würde. Beispielsweise werden negative Projektionebilder erzeugt, wenn die Deformation der Sohioht 12 (und folglich ein Abreisaen sowie eine Verschiebung des Teilchen in der Sohioht 13) an den relativ wenig bestrahlten Stellen dee Bilderzeugungssysteoe entsprechend den dünneren flächen eines positiven optlsohen Bildes, mit welchem ims Element bestrahlt worden ist, stattfindet ₉ da die abgerissenen Stellen lichtdurchlässiger sind. HatÜrlioh werden positive Projektionsbilder erhalten, wenn die Deformation und erneute Anordnung an den bestrahlten Stellen des Elements entsprechend den helleren Stellen eines positiven optischen Bildes erfolgt·

Wird beispielsweise eine brechbare und seitlich erneut anordnungsfähige Oberschicht 13 auf einer thermoplastischen deforatierbaren Schicht 12, beispielsweise aus HP 100, Pioootex 100, SB 5061A oder Staybellte Ester 10 verwendet, wobei gewöhnlich unter Verwendung positiver Spannungen ein Bild erzeugt wird, dann erfolgt eine Aufrauhfaltenbildung an den nicht-bestrahlten Stellen, wobei ein negatives Diapositiv aus einem positiven Original erhalten wird. Eine Bilderzeugung unter Verwendung von negativen Spannungen hat die Bildung eines Positive aus einem positiven Original zur Folge, d.h. eine Faltenbildung an den bestrahlten Stellen bei Terwendung der ersten drei Kunststoffe, während ein negatives Bild aus einem positiven Original bei Verwendung des zuletzt genannten Kunststoffes erhalten wird. Entgegengesetzte Bilder können ebenfalls erhalten werden, und zwar insbesondere bei Verwendung von Pie cot ex 100 und Staybellte, wobei eine positive oder negativ« Ladung verwendet wird. Die Ausnahmen sind, wie man annimmt, wenigstens teilweise auf

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den Zustand der deform!erbaren Schicht 12 vor der Bilderzeugung sowie auf die (Jrößse der Spannung zurilokssufUhren,

Wird ©ine mechanisch kontinuierliche Überschiehfc 15 verwendet, dann sind die erhaltenen Bilder naoh allen Methoden betrachtbar, wie sie zum Betrachten von seitlich erneut anordnungsfähigen tJbersehichten angewendet werden können. Ein Betrachten durch Reflexion eignet eioh insbesondere bei Verwendung der bevorzugten lichtempfindlichen Materialien, die amorphes Selen enthalten, sowie bei Verwendung anderer reflektierender lichtempfindlicher Schichten, und zwar wegen der Beflexionswirkung des Selens, die über 25 fi liegen kann, wobei diese Reflexionswlrkung besser als diejenige von Kunststoffen ist, welÄD in, Üblicher Weise auf die Oberfläche von Bild ereeugungeelementen von elektrostatischen Eeforinationsbilderzeugungssyeteaen aufgebracht werden. Sine Reflexion ist ferner im allgemeinen 'besser» da me« chanisch kontinuierliche Schichten im allgemeinen reflektierender als brechbare Schichten oder Schicht©^ m& Pinsel teilchen sind· Wird das Bilderzeugung element; im wöltli« «ine mechanisch kontinuierliche Übersehioht verwendet wird, sHm Biapositiv verwendet» dann stellt man fest, dass das Licht a& den glatten und nicht-gefalteten Stellen durchlassen WiM, wobei das Durohlassvermugen an den gefalteten Stellen infolge der Lichtstreuung weniger ausgeprägt ißt«, Die gefalteten, d_oh, die aufgerauhten oder mit einem Relief versehenen Stellen entsprechen dichteren oder schwärzeren Stellen auf der Bildwand, während die nicht-gefalteten oder glatteren Stellen der Schicht 13 die helleren Flächen darstellen. Beispielsweise erscheinen bevorzugte lichtempfindliche Schichten aus amorphem Selen innerhalb des bevorzugten Siokenhereiohes von ungefähr 0*01 bis ungefähr 0,05 }i als strohgelb Me gelb^orange, während Sie siicht-gefal= toten glatten Stellen meh? als 40 $> des sichtbaren Lichtes durchlassen, wenn ein im wesentlichen klares deformierbares Material,

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wie beispielsweise Staybelite Soter, auf ein im wesentlichen klares Substrat, wie beispielsweise aluminieiertes Mylar, auf gebracht wird.

Übersohichtenρ die brechbar« jedoch nicht seitlich erneut anordnungsfähig sind, wie beispielsweise die Schichten aus dicht gepackten leuchen oder die brechbaren Schichten, wobei eine Faltenbildung nicht tief genug let, um ein Abrelssen und eine erneute Anordnung der Überβchient zu verursachen„ (beispielsweise infolge zu niedriger Spannungen, kürzerer bildweiser Bestrahlung oder einer zu geringen Entwicklung) besitzen Bildeigenschaften, die denjenigen der mit Bildern versehenen Elemente entsprechen, welche einen mechanisch kontinuierlichen Überzug besitzen. Einige brechbare Schichten können, so wie dlee in Figur 4 gezeigt wird, dazu veranlasst warden, dass keine seitliche erneute Anordnung ^.*olgt» und zwar beispielsweise durch Wärmeerweichen des Elements auf einer heiseen Platte, wobei ein Bild mit einem ersten Vorzeichen erhalten wird. Wird das Element auf der heissen Platte während einer etwas längeren Zeitspanne gelassene dann nehmen die Deformationen an Höhe und Tiefe zu« wodurch eine seitliche erneute Anordnung der Schicht 15 erfolgt, was zur Folge hat, dass ein Bild mit einem Vorzeichen gebildet wird, das dem Vorzeichen des ersten Bildes entgegengesetzt ist ο Ein kontinuierliches Erhitzen auf der heissen Platte verursacht ein Auslöschen der Falten.

Wenn auch vorstehend eine Faltenbildung durch Aufrauhen (frost wrinkling) im einzelnen beschrieben worden 1st, so können dennoch die Elemente auch optisch unter Anwendung einer Relieffaltung deformiert werden. Im allgemeinen erfordert eine Reliefentwicklung niedrigere Spannungen und kürzere Erweiohungszeiten

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bei tieferen Temperaturen als dies bei eine? Aufrauhung der Jail let.

Die folgenden Beispiele erläutern das erfiudungsgemässe elektrostatische DeformationsbilderzeugungBsyetem» Die Seil- und Prozentangaben beziehen sich auf das Gewicht. Alle Bestrahlungen erfolgen, sofern nicht anders angegeben» mittels einer Wolframfadenlampe· Die Mylar-Substrate besitzen, sofern nioht anders angegeben» eine Dicke von 75 u (3 mils). Die Beispiele sollen verschiedene bevorzugte AusfUhrungsformen des erfindungsgemässen elektrostatischen Deformationsbilderzeugungesystems erläutern.

Die Beispiele A-1 biß A-16 betreffen brechbare, seitlich erneut anordnungsfähige Oberschichten. Die Beispiele B-I bis 3-4 beziehen sich auf nioht-breohbare, mechanisch kontinuierliche Übersohiohten, während die Beispiele 0-1 bis C-11 auf brechbare Ubereohiohten gerichtet sind, die in Abhängigkeit von dem Falten der deformierbaren Schicht nicht abreiseen oder sioh seitlich erneut anordnen, sondern vielmehr in Übereinstimmung mit den Falten der deformierbaren Schicht gefaltet werden, so wie dies aus Figur 4 hervorgeht. .

Beispiel A-1 ,

Ein Element wird durch Vakuumaufdampfen einer ungefähr 0,5 ^ dicken Schicht aus amorphem Selen auf eine Schicht aus Piccotex 100 mit einer Dicke von ungefähr 2 u, welche auf einem Substrat aus aluminisiertem Mylar aufliegt, hergestellt. Das amorphe Selen erscheint unter einem Mikroskop in Form von Kügelchen mit einem Durohmesser von ungefähr O_tS u.

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Die Selenschicht wird gleichmässig elektrostatisch auf eine positive Spannung von ungefähr 130 Volt mittels einer Ecrona-Entladungsvorriohtung geladen. Die Platte wird anschliessend mit einem positiven optischen Bild mit ungefähr 4 Fusskerzen-Sekunden an den bestrahlten Stellen bestrahlt. Das bestrahlte Element wird anschllessend auf ungefähr 100⁰G während einer Zeitspanne von ungefähr 10 Sekunden erhitzt» wobei die Picootez 100-Sohioht gefaltet wird. Dabei erfolgt ein entsprechendes Abreissen und eine erneute seitliche Anordnung der überliegenden Selenschicht an den bildweise nicht-bestrahlten Stellen, wodurch ein negatives Bild aus dem positiven optischen Bild geschaffen wird. Dieses Bild besitzt ein hohes Auflösungsvermögen, d.h. ein Auflösungsvermögen von mehr als ungefähr 150 Linienpaar en/mm.

Wird das Element direkt betrachtet, so erscheint es dem Auge ale negatives Bild, da die bestrahlten Stellen des Elements den helleren oder durchsichtigeren Stellen des Originals nicht aufgerauht werden und als relativ dunkle glatte Selenf lachen erscheinen, während die nioht-bestrahlten Stellen, welche eine faltenbildung erleiden, wenn das Selen abgerissen und seitlich erneut angeordnet wird, weniger licht absorbieren und dem unbewaffneten Auge gegenüber heller erscheinen. Wird das Element als Projektionsdiapositiv verwendet, dann wird ebenfalls eine negative Projektion mit einem hohen Auflösungsvermögen erzeugt, da die Stellen der Nachbildung, welche dem Auge heller erscheinen, lichtdurchlässiger sind, als die dunkleren, nicht-gefalteten, nicht-abgerissenen und nicht-erneut-angeordneten Stellen des Elemente.

Bei einer Betrachtung durch reflektiertes Licht, beispielsweise mittels des in der deutschen Patentschrift . ... ... (Patent-

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anmeldung entsprechend der US-Anmeldung

Serial Ho. 619 072) beschriebenen Systems, oder bei einem Heigen des Elemente, im das in das Äug© von den glatten und spiegelnd mehr reflektierenden nioht-gefalteten Stellen reflektierte licht zu optimieren, erscheint das Bilderzeugungselement als positives Bild.

Das mit einem Bild versehene Element gernäss Beispiel A-1 wird ungefähr weitere 20 Sekunden lang auf 10O⁰C erhitzt, xm die faltenbildung an den iiLoht^bestrahlt®». Stellen auszulöschen und au glätten. Dabei bleibt eis mit @lm©m Bild τθ£®@&©&©8 Element @m£üek₉ ^alchee feel ®lw&% direktam -Beteaehteiiig alt isia Auge oder bei einer .S£ojefc%£o& ©in negatlT©@ BlM &@SBt®Xtt₉ welches dem Bild von Beispiel A-1 vor d©r Amslösohuisg QMfspsi@ls,te Das projisitrte Bild ist naoh dem Auslösohan der dichter wa.& weiet einen höheren Kontrast auf _o

Dieses Beispiel ähnelt dem Beispiel A-1 und Q@£gt, dass Yeränderung von Yerfahrensparamet&m» beispielsweise durch Binetellen einer h&heren Oberfläöhemspannung, am Bildvorzeichen des Systems verändert werden kann.

Ein Element wird durch Yakuumaufdampfen einer dünnen brechbaren Schicht aus amorphem Selen mit einer Dicke von ungefähr 0,2 ^u auf eine Schicht aus Picootes 100 mit einer Dicke von ungefähr 2 Ji auf einem alwainisierten Mylar-Substrat hergestellt,, Das Selen liegt, wie eine Betrachtung im Mikroskop zeigt $ In von üügslchen mit ©inen Durchmesser von ungefähr Z u vor.

Die Oberfläche deg Elemente wird In gleichnsäeaiger Welse elek

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troatatlsch auf eine positive Oberflächenspannung von ungefähr 200 Volt mittels einer Koroim-Entladungsvorrichtung aufgeladen. Die Platte wird ansohliessend mit einem positiven optischen Bild mit ungefähr 2 Pusskerzen-Sekunden an den belichteten Stellen bestrahlt. Das bestrahlte Element wird aneohliessend ungefähr 2 Sekunden lang auf ungefähr 100°0 erhitzt, wobei eine Aufrauhfaltenbildung auftritt und entsprechend die Selenschicht an den entsprechenden Stellen abreiset und sich seitlich erneut anordnet. Dies geschieht an den bildweise bestrahlten Stellen, wobei bei einer direkten Betrachtung oder bei einer Projektion ein positives Bild des positiven optischen Bildes erzeugt wird. Das Nachbild besitzt ein hohes Auflösungsvermögen, welches mit demjenigen des Nachbildes gexnäss Beispiel A-1 vergleichbar ist. Das Bild 1st direkt mit dem Auge betraohtbar, wobei relativ dunklere Bildflächen (die glatten, nioht-gefalteten Flächen) auf einem Untergrund aus gefalteten Flächen erscheinen, wobei diese Flächen, die Selen en'i*Lölten, abgerissen sind und sich seltlioh erneut angeordnet haben· Diese Flächen absorbieren weniger Licht und sind bei Betrachtung mit einem unbewaffneten Auge heller. Wird das Element als Projektlonsdlapositiv verwendet, dann wird ebenfalls ein positives Projektionsbild mit einem hohen Auflösungsvermögen erzielt.

Beispiel A-4

Das Bilderzeugungselement von A-3 wird in gleichmässlger Weise elektrostatisch auf eine positive Oberflächenspannung von ungefähr 100 Volt gebracht, wobei dieser Spannungswert unterhalb des üadungsdiohte-Sohwellwertee für eine Aufrauhfaltenbildung für dieses besondere Element liegt. Dann wird nach der in Beispiel A-3 beschriebenen Weise bestrahlt und erweicht. Dabei erfolgt eine Relief deformation, durch welche die Selenschicht an den Grenzstellon zwischen den bestrahlten und nioht-bestrahlten

_Βλ0 owe»»¹·

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Flächen abreiset* wobei sich das Sälen von den Rändern der bestrahlten Flächen zu den nleht~bestrahlten Flächen umlagert« wodurch, gegenüber dem Auge ein Umriss aus einem relativ helleren Seil auf einem dunkleren Untergrund erkennbar wird.

Bei einer Verwendung als Projjektionsdiapositiv ersoheint die Faltenbildung auf einem Bildschina als projiziertes helleres Musttr auf einem dunklen Untergrund.

Beispiel JL-5

Das Beispiel A-1 wird wiederholt, mit der Ausnahme, dass das Selen im Vakuum auf eine 2 u dicke Schicht aus Staybelite Ester 10 anstatt auf eine Schicht aus Pioootex 1CO aufgedampft wird. Bine gleiohmässige ladung von ungefähr 150 Volt (positive Spannung) wird aufgebracht, worauf bestrahlt wird (6 iueekerien-Sekunden an den bestrahlten Stellen)· Dabei wird wiederum bei einer direkten Betrachtung oder bei einer Projektion ein negatives Bild aus einem positiven optischen Bild erhalten.

Beispiel A-ft

Bin positives Bro jektlonsnaohbild und direkt hetraohtbares NaGhbild wird aus einem positiven optischen Bild (oder natürlich ein negatives Haohbild aus einem negativen optischen Bild) dadurch hergestellt, dass suerst ein Äleaent duroh Vakuumaufdampfen einer dünnen brechbaren Schicht aus amorphes Selen mit einer Dicke von ungefähr 0,2 bis ungefähr O₉? u auf eine 2 u-Sohioht aus Pioootei 100, die sich auf einen HBSA-Ölaß-Substrat befindet, hergestellt wird» Kaa Blement wird in der Velst pit •ine» Bild verethen, dass es gleichmäeeig elektrostatisch mit einer negativen Spannung yon ungefÄhr 100 Volt an der Oberfläche geladen wird, worauf das geladene Sleaent mit einem Idohtbild

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* 38 -

von ungefähr 3 Fusskeraen-Sekunden bestrahlt wird. Das Element wird ansohliessend ungefähr 10 Sekunden lang auf ungefähr 100*0 erhitzt, Auf diese Welse wird eine Aufrauhfaltenbildung der Piocotex 100-Schioht an den bestrahlten Stellen erzeugt, wobei gleichzeitig die brechbare» amorphes Selen enthaltende Übersohl oh t verschoben wird» so dass die bestrahlten Stellen des Nachbildes entsprechend den heileren Stellen des Originals in der Durchsicht erscheinen und dem Auge bei einer direkten Betrachtung als hellere Flächen erscheinen«

A~7

positives Projtktionenaohbild und direkt betraohtbaree Nachbild kann ebenfalls aus einem positives optischen Bild dadurch erseugt werden, dass ein Element durch Vakuumaufdampfen einer dünnen brechbaren Sohioht ans Selen mit einer Sick· von ungefähr 0,2 - 0,? ρ auf tine ungefähr 2μ dick· Sohioht eines SE-SOölA-Silikonhareee, das auf eine» HSSA-OIbs aufliegt, hergestellt wird· Das Element wird gleichaäeeig elektrostatisch mit einer negativen Obtrflloheneparmung von ungefähr 300 ToIt mittels eines lorona-Bntladungsvorriohtuiig geladen und ansonllessend mit einem positiven Lichtbild bestrahlt (3 Äxsskersen-Seknnden an den bestrahlten Stellen). Bas Element wird ansohllessend ungefähr 10 Sekunden lang auf ungefähr 100°0 er-MtBt, wobei eine Deformation der Silikonharze chi oht an den bestrahlten Stellen erfolgt, so dass ein positive« Bild durch Abreissen entsteht, sofern dieses Bild In der Projektion oder direkt mittels des Auges betrachtet wird.

Beispiel A-8

Ein negatives Projektlonsnaonblld und direkt betraohtbares Haoh-MId wird dann erhalten, wenn die Verfahrene stufen von Beispiel A-I durchgeführt werden, wob·! ein Element verwendet wird, das

ORlGiNALlNSPECTED

dadurch hergestellt wird, dees im Handel erhältliche Indigoteilchen? die von der National Aniline Co. in den Handel gebracht werden* über eine Sohioht aus Stayhelite Ester 10 mit einer Sicke von ungefähr 2 u auf einem aluiainislerten Mylar-Substrat unter Bildung einer brechbaren und seitlich erneut anordnungsfählgen übereohicht aus Eineelteilehen mit einer Bloke von ungefähr 0,5 ji kaskadlert werden. Bine faltenbildung mit gleichzeitigem Auseinanderreissen und einer seitlichen erneuten Anordnung des Indigos erfolgt an den nicht-bestrahlten Stellen«

Beispiele, &~^

Diese beiden Beispiele erläutern susätzlich &1@ Wirkung des SpannungBVoreeioheng auf das Blldvorseiohen· Zwei Elemente werden durch Vakuumaufdampfen eines brechbaren 3?ilme aus amorphem Selen in einer Sicke von ungefähr 0,2 u auf eine ungefähr 2 u dicke Sohioht aus HP 100» die auf einem aluminlsierten Hylar-Substrat aufliegt» hergestellt» Sim© negative Oberfl&chenladu&g Ton ungefähr 200 Volt wird au el& Mement angelegt» Sas Element wird anschliesaend bestrahlt (tmgeffthr 5 Fusskereen-Sekunden an den bestrahlten Stell*«.} und ansohliessend 10 Sekunden lang auf ungefähr 100°0 erhitzt. Dadurch wird eine Aufrauhfaltenblldung sowie ein Abbrechen der übersohicht an den bestrahlten Stellen verursacht; woduroh ein positives Projektionsnachbild und direkt betrachtbares Kachbild aus einem positiven optischen Bild erhalten wird. Bei der Surohführung dieses gleichen Verfahrens mit einer angelegten positiven Oberflächenladung von ungefähr 200 ToIt wird eine Aufrauhfalten« bildung an den nioht-bestrahlten Stellen bewirkt» wobei ein Pro^ektionsbild und direkt betraohtbares negatives Bild aus ä@m gleichen positiven optischen Bild erhalten wird.

⁰WQINAL INSPECTED

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Beispiel A-Π

Zinkoxydteilchen mit Submikrongrösse werden Über eine ungefähr 2 η dicke Schicht aus Staybelite Ester 10 auf einem aluminisierten Mylar-Substrat unter Bildung einer ungefähr 0,5 u dicken breohbaren und seitlich erneut anordnungsfähigen Oberschicht aus Zinkoxyd kaskadiert.

Bin Bildladungsmuster wird auf der Zinkoxydschicht aufgebracht, wobei im wesentlichen keine aktinische Strahlung für das Zinkoxyd vorhanden ist, und »war durch Laden durch eine Schablone» wobei der negative Pol einer Gleichstromquelle elektrisch mit der Aluminiumsohicht und der positive Pol elektrisch mit dem Korona-Draht einer Eorona-Entladungsvorrichtung verbunden ist, um die geladenen Flächen auf eine positive Oberflächenspannung von ungefähr 150 Volt su bringen» während an den nicht-geladenen Stellen im wesentlichen keine messbare ladung festzustellen 1st· Das Element wird anschU»ssend 10 Sekunden lang auf ungefähr 100⁰C but Bildung eines Aufrauhbildes an den geladenen Stellen erhitzt, wobei die entsprechenden Seile der übersohioht abreiesen und sich seitlich erneut anordnen. Dabei wird ein positives Projektionebild und direkt betraohtbares Bild aus einem positiven ladungsbild erhalten.

Beispiele A-12 - A-I4

Das Beispiel A-11 wird wiederholt, mit der Ausnahme, dass die brechbare bstw. seitlich erneut anordnungsfähige tfaerschioht eine 0,5 u dicke Schicht ist, die wie folgt hergestellt worden ists Indigo wird durch Kaskadierung auf dem Staybelite Ester 10 abgelagert; amorphes Selen wird im Vakuum auf den Staybelite Ester 10 aufgedampftj Graphit wird durch Kaskadieren auf dem Staybelite Ester 10 aufgebracht«

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In jedem PaLIe erfolgt ein Aufrauhen sonde ein damit zusammenhängendes Abreisten der Oberschicht an den entsprechenden Stellen, wobei ein relatives Diirchsichtigwerden an den geladenen Stellen auftritt.

Beispiel A-15

Eine ungefähr 0,5 u dicke Schicht aus Indigo wird auf eine ungefähr 2 u dicke Schicht aus Piccotex 100 auf einem aluminieierten Mylar-Substrat durch Kaskadleren aufgestäubt. Sin Bildladungsmuster wird auf dem Indigo aufgebracht, wobei im wesentlichen keine aktinieohe Strahlung für das Indigo vorhanden ist, und zwar durch Laden durch eine Schablone, wobei die geladenen Stellen auf eine negative Oberflächenspannung von ungefähr -400 Volt an den geladenen Stellen gebracht werden, während eich auf den nicht-geladenen Flächen im wesentlichen keine Ladung befindet. Das Element wird ansohliessend ungefähr 2Ö Sekunden lang auf ungefähr 100·C erhitzt, um eine Aufrauhfaltenbildung an den geladenen Stellen zu bewirken, wobei gleichzeitig ein Abreissen mit einem relativen Barchsichtigwerden an den entsprechenden Stellen der Überschieht erfolgt.

Beispiel A-16

Eine ungefähr 0,3 u dicke brechbare und seitlich erneut anlagerungsfähige Schicht aus amorphem Selen wird im Vakuum auf eine ungefähr 2 u dicke Schicht aus Picootex 100 auf einem aluminisiertem Mylar-Substrat aufgedampft. Bas Element wird in der Weise mit einem Bild versehen, dass es gleiohmässig elektrostatisch auf eine negative Oberflächenspannung von ungefähr -400 Volt aufgeladen wird, worauf mit einem negativen optischen Bild bestrahlt wird (3 Fusskerzsen-Sekunden an den bestrahlten Stellen). DaTiTi schlisset sich ein Erhitzen während einer Zeitspanne von ungefähr 20 Sekunden auf ungefähr 10Q⁰G an, um eine

ORIGINAL INSPECTED

Faltenbildung der Pi ο cot ex-100-Schicht an den nioht-bestrahlten Stellen su bewirken* wobei gleichseitig ein Abreissen und eine seitliche erneute Anlagerung der Obers chi cht aus Selen an den entsprechenden Stellen zur Erzeugung eines positiven Bildes erfolgt, wenn dieses Bild direkt mit dem Auge betrachtet oder projiziert wird, da relativ dunkle Pläohen in dem Original In dem Nachbild als relativ hellere Flächen erscheinen, wobei diese !Flächen lichtdurchlässiger sind und als hellere Flächen auf einem Projektionsschirm erscheinen.

Beispiel B-I

Ein Bilderseugixngselement wird dadurch hergestellt, dass durch Vakuumaufdampfen eine mechanisch kontinuierliche, nicht aus Elnseltellohen bestehende und nloht-breohbare sowie nioht-perforlerte dünn· Sohioht mit einer Sicke von ungefähr 0,1 u aus amorphem Selen auf eine Sohioht aus staybelite Beter 10 mit einer Sicke von ungefähr 2 u, welche sich auf einem aluminisierten Myior-Substrat befindet, aufgebracht wird.

Sine im wesentlichen glelohmässige Oberflächenladung von ungefähr -200 Volt wird auf die Selenschicht mittels einer Korona-EntladungBvorrichtung aufgebracht. Die Platte wird ansohlieseend mit einem optischen Bild bestrahlt (20 Fusskerzen-Sekunden an den bestrahlten Stellen). Sas bestrahlte Element wird ansohllessend auf ungefähr 60°0 während einer Zeitspanne von ungefähr 15 Sekunden in der Welse erhitzt, dass es In Xontakt mit einer helseen Platte gehalten wird, wobei ein Aufrauhen an den bildweise nloht-bestrahlten Stellen erfolgt,, wodurch ein positives Reflexions- und Projektionsbild eines positiven Originals mit einer kontinuierlichen Tönung, einer hohen Sichte, einem vernaohlässigbaren Untergrund und einem hohen Auflösungsvermögen erzeugt wird, wobei das Auflususngsvermögen grosser als

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ungefähr 80 Mnienpaare pro mm 1st. Dieses Bild kann direkt duroh reflektiertes Licht betrachtet werden oder kann als Projektionsdiapositiv mit einer rötlichen Durchlässigkeit verwendet werden» wenn die Durchlässigkeit dem Verhältnis von lichtintensität aus dem mit einem Bild versehenen Element zu der !lichtintensität in das mit einem Bild versehene Element von mehr als ungefähr 10 # weis a em Licht an den nioht~aufgerauhten Stellen und praktisch keiner Durchlässigkeit an den aufgerauhten Stellen entspricht „ Eotes Lioht, gegen welches die nicht-gef al testen Selenflächen durchlässiger sind» besitzt ein noch grüsseres Durchstrahlungsvermögen. Ausserdem kann ein längerwelliges Bot zur Bestrahlung v-;.m xotenp£fca&yLe9ien< Ulmen oder El©aeaten in anfgexaühter BtldftonfigRKa^aea ^©wendet werden, wolb©i jedoch auch nicht-sichtbares I&oiht ©iag©öetat werden kann. Ein Reflexionsbild mit hohem Eontr&it &Lr& ferner dann erhalten, wenn das in der deutschen Pateateetaift » ... · _α. (Patentanmeldung ©atsprechend der

US-Aameldung Serial Ho. 619 072) beeeteieftasio System verwendet wird,

3eiepji.6l.B~2

Ein Bilderzeugungselement wird dadurch hergestellt, dass ungefähr 1 Seil Seilchen der x-Form eines metallfreien Phthalocyanine (hergestellt nach der in der französischen Patent« schrift 1 508 173 beschriebenen Weise) mit ung0fähr 3 !eilen Plccote^ 100 und ungefähr 10 !Seilen Zsopar 0» einer langkettigen gesättigten üohlenwasserstoffliissigkeitg di@ einen Siedepunkt von 157 -=· 177°G besitzt imd von der Hsimfo!® Oil Go₀ in Ean&el gebraeht^ wlv&_s fesaiisöht w©rd©n_p vorauf diese Mi·» &u£ eine uagefähr 2. u dicke Schicht &n& Piccotes 100 auf @to§aa mageflhr 75 f- diäten %1s^-Püe sie tüaterlaga auftsixd« vaajk svar ia. ©ia©« @®l©tea lfeag(S_g ässs Ale Dicke

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- 44 des getrockneten Überzugs ungefähr 0_P3 u beträgt,

Daa Element wird gleiohmässig elektrostatisch mittels einer doppelseitigen Korona-Iiadiuigsvorriehtung auf eine negative Oberflächenspannung von ungefähr 4000 TToIt geladen. Das Element wird ansohliessend mit einem optischen Bild bestrahlt (ungefähr 10 Fusskerzen-Sekunden an den bestrahlten Stellen). Das bestrahlte Element wird ansohliessend ungefähr 10 Sekunden auf ungefähr 10O⁰G erhitzt, wobei eine Aufrauhung an den bildweise nicht-bestrahlten Flächen erfolgt. Dadurch wird ein positives Reflexions·» und Projektionsbild eines positiven Originale erzeugt, wobei die Qualität ähnlich derjenigen des Bildes von Beispiel B-I ist. Eine Durchlässigkeit von mehr als ungefähr 75 $ an blauem Licht wird an den nicht-aufgerauht en Stellen beobachtet, während eine weniger als ungefähr 25 #ige effektive Durchlässigkeit an den aufgerauhten Stellen beobachtet wird, wenn mittels eineB f/4»5-Projiictionssystems projiziert wird« Bei dieser effektiven Durchlässigkeit wird die austretende !lichtintensität tatsächlich von dem Projektionssystem gesammelt.

Beispiel B-5

ungefähr 10 Seile des hauptsächlich UV-empfindlichen organischen Photoleiters entsprechend der Formel 2 der kanadischen Patentschrift 568 707 werden mit ungefähr 10 Teilen Vinylite VTKS (Union Carbide), ungefähr 100 Seilen Dläthylketon und ungefähr 0,01 Seilen Bhodamin B₉ ein roter wasserlöslicher Farbstoff von duPont, vermischt. Ferner wird eine Lösung hergestellt, die ungefähr 1 g Staybellte 10 in ungefähr 2,4 ecm Toluol enthält. 10 Volumenteile dieser letzteren Lösung werden mit 1 Volumenteil der ersteren vermischt·

Die Mischung wird auf eine Unterlage aufgeschichtet und bis zu

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einer Dicke von ungefähr 0,4 u getrocknet« Dann wird die Schicht auf eine ungefähr 2 μ dicke Schicht aus St&ybelite 10» die auf einem aluminisieren Ifylar-Substrat aufliegt, abgestreift»

Das Element wird gleiohmässig elektrostatisch auf eine positive Oberflächenspannung von ungefähr 600 ToIt aufgeladen und mit einem positiven optischen Bild mittels UV-Strahlen bei Zimmerbeliohtungsbedlngungen bestrahlt (200 Pusskeraen-Sekunden an den bestrahlten Stellen)» Das bestrahlte Element wird ansohlies^ send auf ungefähr 70°0 während einer Zeitspanne von ungefähr 15 Sekunden erhitzt, wobei ein Aufrauhen an den bildweis· nioht~ bestrahlten flächen erfolgt« Dabei wird ein positives Heflexions- und Projektionsbild aus einem positiven Original erhalten, wobei die Qualität ähnlich der Qualität des Bildes von Beispiel B-1 1st· Sine Durchlässigkeit von mehr als ungefähr 60 £> des weissen lichtes wird an den nioht-aufgerauhten Stellen beobaohtet. Die Durchlässigkeit 1st niedriger als die gemäss Beispiel B-2 ermittelten 75 & und zwar infolge des susätsHohtn lichtblockierenden Charakters der dünnen AluminiujBschloht gemäss des vorliegenden Beispiels. Die effektive Durchlässigkeit an den aufgerauhten Stellen ist bei einer Provisioning mittels eines f/4,5-Projelrfcionssy3temß weniger als ungefähr 25 ft

Beispiel B-4

Bin BilderKeugungselement wird durch Vermischen von ungefähr 10 Teilen des hauptsächlich UT-empflndlichen organischen Photolelters entsprechend der Formel 2 der kanadischen Patentschrift 568 70? mit ungefähr 100 Teilen Aceton hergestellt· Die Mischung wird direkt auf eine ungefähr. 2 u dicke Sohioht aus St»ybelit« Beter to» die auf einem aluminisierten Myl*r-Substrat aufliegt, aufgebracht.

Das Blement wird mit einem Bild versehen und nach der in Bei-

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- 46 spiel B-3 beschriebenen Methode "betrachtet.

Beispiel 0-1

Sine brechbare Schicht aus Selen, die leuchen mit einem Durchmesser von ungefähr 0,2 u enthält, wird im Vakuum auf eine ungefähr 2 u dielte Schickt aus Ploootex 100 auf einem aluminieierten Mylar-Substrat aufgedampft.

Das Element wird in der Weise mit einem Bild versehen, dass es gleiohmäaeig elektrostatisch auf eine positive Oberfläohenspannugn von ungefähr 100 Volt aufgeladen wird, mit einem positiven optlsohen Bild bestrahlt wird (5 Pusekerzen-Sökunden an den bestrahlten Stellen) und einer Temperatur von ungefähr TOO⁰O während einer Zeitspanne von ungefähr 2 Sekunden eur Bildung eines Reliefbildes nur an den Bändern der bestrahlten und niohtbestranlten Stellen ausgeaetit wird. Der Kunststoff scheint sich dabei in die nioht-beetrahlten Stellen an den Händern der Bildfläche!! BU bewegen,

Beispiel 0-2

Das Beispiel 0-1 wird wiederholt, mit der Ausnahme, dass das Element gleichmäßig elektrostatisch auf eine positive Oberflächenspannung von ungefähr 200 Volt aufgeladen und nach der Bestrahlung einer Temperatur von ungefähr 100°0 während einer Zeitspanne von 1 Sekunde ausgesetzt wird. Dabei wird eine Aufrauhfaltenbildung an den bestrahlten Stellen ersielt, wodurch ein negatives Bild aus einem positiven optischen Bild bei einem blossen Betrachten oder bei einem Betrachten in der Projektion erhalten wird, da die aufgerauhten Stellen weniger durchlässig sind als die nicht-aufgerauhten Stellen und dem unbewaffneten Auge diffuser reflektierend erscheinen, so dass sie auf das un-

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bewaffnete Auge eine dunklere Wirkung ausüben,, wenn sie in einem "Winkel gehalten werden» um das Idcht und dadurch den Glans der nieht-aufgerauhtea glatteren Flächen der Selenobersohioht in maximaler Weise su ref!aktieren»

Bine dünne brechbare Mono schicht aus amorphem Selen (Teilchen mit einem Durchmesser von ungefähr 0,2 u) wird im Vakuum auf eine ungefähr 2 & dicke Schicht aus Staybelite Ester 10 auf einem aluminisi®rton Mylar-Substrat aufgedampft. Das Element wird in gleiohraäasiger Welse elektrostatisch auf eine positive Oberflächenspannung von ungefähr 200 YoIt gebraut und mit einem positiven optischen Bild bestrahlt (10 fmsskeraen-Sekunden an den 'bestrahlten Stellen)«

Das Element wird dadurch erweicht, dass es einer temperatur von issgpfähr 70⁰G während einer Zeitspanne v©s ungefähr 1 Sekunde ausgesetzt wird, Dabei wird ©4s® Α\νΛ r^vxig an den niohthestrahlten Stellen erzielt, woduroh ein positives Nachbild aus einem positiven optischen Bild erhalten wird. Sas Auflösungsvermögen überschreitet 80 Xdnienpaare pro mm»

Bine oreohbare Monosohioht aus Selenteilchen (Durchmesser ungefähr 0,1 jx) wird im Takuum auf eine ungefähr 2 }i dicke Schicht aus Stayoelite Ester 10 auf einem aluminisierten Mylar-Substrat aufgedampft. Das Element vird in glelchmässlger Weise elektrostatisch auf eine positive Oberflächenspannung von un» gefahr 110 ToIt aufgeladen und mit einem positiven optischen Bild bestrahlt {Licht mit einer Wellenlänge von ungefähr 4000 I)₉ wobei die gesamte Bestrahlung an den bestrahlten Stellen ungefähr 2,5 χ 10 Photonen/cm beträgt. Das Element wird an-

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sohliessend auf ungefähr 80⁰G während einer Zeitspanne von 5 Sekunden erhitzt, wobei eine Aufrauhung an den nioht-bestrahlten Stellen erfolgt. Dabei wird ein PositivrPositiv-Bilderzeugungssystern geschaffen.

Beispiel 0-5

Das Beispiel 0-4 wird wiederholt, mit der Ausnahme, dass das Element gleichmässig elektrostatisch auf eine positive Ober- ι fläohenspannung von ungefähr 60 YoIt anstatt auf eine Spannung . von 110 ToIt geladen wird. Dies hat zur Folge, dass die Relief -" faltenbildung nur in einem Umrissrauster zwischen bestrahlten und nioht-bestrahlten Stellen erfolgt.

Beispiel 0-6

Eine Honosohioht aus Selentellohen (Durchmesser ungefähr 0,02 u) wird im Vakuum auf eine ungefähr 3 u dicke Sohioht aus HP-100 auf einem aluminisierten MyI ^-Substrat aufgedampft.

Das Bilderzeugungeelement wird in gleiobmässiger Weise elektrostatisch auf eine positive Oberflächenspannung von ungefähr 200 Volt gebracht und mit einem optischen Bild bestrahlt (4 Tusakerzen-Sekunden an den bestrahlten Stellen).

Das Element wird dadurch erweioht, dass es ungefähr 5 Sekunden lang einer Temperatur von ungefähr 90⁰G ausgesetzt wird. Dies hat eine Aufrauhung an den nicht-bestrahlten Stellen zur Folge.

Beispiel 0-7

Ein· Sohioht mit einer Dicke von ungefähr 0,5 μ aus Teilchen aus Monastral Red B₉ erhältlich von duPont, wird durch Kaekadlerung auf einer ungefähr 2 ^i dicken Schicht aus Staybelite Beter 10 auf einem aluminisierten Mylar-Substrat aufgebracht.

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* Das Element wird gleichmässig elektrostatisch, auf eine negative Oberflächenspannung von ungefähr 160 YoIt aufgeladen und mit einem optischen Bild "bestrahlt (72 üftisskensen-Sekunden an den bestrahlten Stellen). Pas Element wird ansohliessend ungefähr 5 Sekunden lang auf ungefähr 70⁰C erhitzt» um eine Aufrauhung der nicht-bestrahlten Stellen zu bewirken*

Beispiel Ö-8

Eine Schioht mit einer Dicke von ungefähr 1,5 μ aus Zinkoxydteilchen wird durch Kaskadleren auf einer ungefähr 2 u dicken Schioht aus Stayhelite Beter 10 auf einem aluminislerten Hylar-Substrat aufgebracht.

Das Element wird gleiohmässig elektrostatisch mit einer negativen Oberflächenspannung von ungefähr 120 ToIt geladen und alt einem optischen Bild bestrahlt (40 lusekerBen-Sekunden an den bestrahlten Stellen). Das Element wird ansohliessend auf ungefähr 70°0 während einer Zeitspanne von ungefähr 5 Sekunden erhitzt» um eine Aufraunung der nioht-bestranlten Flächen su erzielen.

Beispiel C-9

Eine Schioht mit einer Dicke von ungefähr 0,5 u aus Indigoteilchen wird durch Xaakadieren auf einer ungefähr 2 u dicken Schioht aus Staybelite Ester 10 auf einem aluminiaierten Mylar-Substrat aufgebracht.

Das Element wird gleionmäesig elektrostatisch mit einer negativen Oberflächenspannung von ungefähr 140 Volt geladen und mit einem optischen Bild bestrahlt (150 yusekersen-Sekunden an den bestrahlten Stellen) · Das Element wird auf ungefähr 10O⁰O während einer Zeitspanne von ungefähr 3 Sekunden erhitet, um ein

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Aufrauhen der niolit-be strahl ten Fläohen zu erzielen,

Beispiel 0-10

Sin Element wird nach der in Beispiel 0-9 beschriebenen Arbeiteweise hergestellt, ait der Ausnahme, dass der Staybelite Seter duroh Pioootex 100 ereetrfc wird.

Das Element wird gitichaässig elektroetatisoh auf eine negative Oberflächenspannung geladen, die etwas höher als 100 Volt liegt, Aneohlieaflena wird ait tinea optischen Bild bestrahlt (ungefähr 100 Jueekereen-Sekunden an den bestrahlten Stellen). Das Element wird auf ungefähr 70°0 während einer Zeitspanne ton ungefähr 5 Sekunden erhitat, um ein Aufrauhen an den nioht-bestrahlttn Stellen su bewirken·

Beispiel 0-11

Sine Schicht mit einer Dicke von ungtfihr 0,5 u aus feilohen aus Monolite Ifcst Blue 06, einer Mischung der α- und ß-Jormen ⁴TOn »etallfreiea Phthmlooyanin, erhältlich von der Arnold Boffaan Oo., wird durch Easkadiertn auf einer ungefähr 2 u dicken Schicht aus Pioootex 100 auf einem aluminisieren !fylar-Subetrat aufgebracht.

Das SlsMtnt wird gleiohaäeeig elektarostatisoh ait einer nega-* tiren Oberfläohenepannung von etwas mehr als 100 ToIt geladen und ait tinea optischen Bild bestrahlt (ungefähr 100 Tussker-•en-Stknndtn an den bestrahlten Stellen). Das Element wird auf ungtfihr 70⁰O während einer Zeitspanne von ungtfähr 5 Sekunden erhitat, wodurch ein Aufrauhen dtr nioht-beetrahlten Pläohen enielt wird.

ORlGiNAL JNSPHGTED

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Wenn auch vorstellend bestimmte Komponenten und Hengenverhältnisae bei der Beschreibung der bevorzugten AusfUhrungsformen des neuen elektrostatischen Def ormationssystems angegeben wurden, so können dennoch auch andere geeignete Materialien, wie sie weiter oben aufgeführt werden, unter Erzielung ähnlicher Ergebniese eingesetzt werden. Zueäteliöb können andere Materialien su den erfindungegemässen Materialien zugesetzt werden. Ausserdem können die Bilderzeugungselemente gewissen Veränderungen unterworfen werden. Desgleichen können die Verfahrensstufen variiert werden, um die Eigenschaften der erhaltenen Bilder au verbessern oder anderweitig au modifizieren oder um eine Synergist ie ohe Wirkung auszuüben,

Beispielsweise können verschiedene andere Sensibilisatoren, einsohlieeslich Farbstoffe, den lichtempfindlichen Schichten migesetst werden, um die Lichtempfindlichkeit der erfindungegemäs-Ββη Elemente su verändern. Ausserdem körnen Weiohmaoher, wasserdicht machende Mittel sowie andere "dichtmachende MIttel" den Itaiststoffmaterialien zugesetzt werden, um ihre Eigenschaften In einer gewünschten Weise asu verändern. Ein ModlflBierungsvtrfehren maoht sich die Tateaohe zunutsse, dass eine erweichte deformierbare Sohioht in einem erweichten Zustand während einer Zeitspanne verbleiben kann, die bis su einigen Hinuten oder mehr beträgt. Dies 1st Insbesondere dann der Fall, wenn das Erweichen durch das Slnwirkenlassen von Dämpfen von hochsiedenden flüssigkeiten durchgeführt wird, oder wenn eine Värmeerwtiehung angewendet wird und das Element 10 eine grosse Värmernaeae besitzt. Bleibt die Schicht 12 wghrend einer beträchtlich langen Zeltspanne weich, dann 1st es möglich, sie vor der Bestrahlung mit dem Bildmuster aus Moht und Schatten zu ervreichen und nicht die Erweichung naohher durchsnftUiren.

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Venn auch bei dem erfindungsgemässen Bil&ereeugungselement in seiner einfachsten und bevorzugtesten Form eine lichtempfindliche Schicht mit freier Oberfläche verwendet wird, wobei diese Sohioht der Strahlung ausgesetzt wird, welche auf der Seite der lichtempfindlichen Sohioht auf das Bilderzeugungeelement auftrifft, so kann dennoch auch eine Bestrahlung von der Sub- . stratseite her erfolgen, wenn das Substrat 11 und die deformierbare Sohicht 12 wenigstens teilweise gegenüber der einwirkenden Strahlung durchlässig sind. Ferner kann die Sohioht 13 an der Oberfläche mit einer anderen Haterialsohioht besohiohtet sein.

Zusätzlich kunnen Faltenbilder dadurch ausgelöscht werden, dass die deformierbare Sohioht gegebenenfalls in Anwesenheit von Licht ausgelöscht wird, wodurch es möglich wird, dass Oberfläohenspannungskräfte die Oberfläche der Sohioht 12 und die Sohioht 13 In einen glatten imstand erneut überführen. Pas Element kann dann erneut gefaltet werden.

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Claims (1)

1. PatentaneprUohe

   1» Verfahren aur Bilderzeugung, dadurch gekennzeichnet, dass

   a) tin Bildersseugungselement sur Verfügung gestellt wird, das au· einer breohbaren, seitlich erneut anordnungsfahlgen Sohloht, welche auf einer erweiohbaren, elelrtroetatieoh deformierbaren Schicht anfliegt» besteht und

   b) bildweise elektrostatisch die deformierbar· Schicht um Abreissen und Breohen der brechbaren Sohloht dtfonaiert wird, wobei eioh Teile der brechbaren. Schicht eeitlioh erneut in Besag auf die deformierbare Schicht anordnen» um »ioh τοη den Spltsen der Deformationen f ortsubewegen und eich in den Taeohen der Informationen su agglomerieren,

   2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daee die verwendete breohbare Schicht lichtempfindlich 1st·

   3. Verfahren nach Anspruch Z₉ daduroh gekennaeiohnet» daee die Terwendete brechbare Sohicht photoleitend ist·

   4» Verfahren nach Anspruch 3» daduroh gekenn*·iohnet, dass die verwendete photoleitende brechbar« Sohioht aiaorphes Selen enthält.

   5. Verfahren nach einem der Ansprüoh· 1 - 4» daduroh gekennzeichnet, dass vor der Deformierung die brechbare* und eel tuch erneut anordnnngefähige Sohloht eowie die erweiohbar·, elektro« statisch deformierbare Sohloht la wesentlichen gleiohmässig Licht in einem merklich Tereehledenen Anemafi abeorbieren, wenn sie einer gegebenen Strahlungseinwirkung auegesetst werden, und eioh ausreichende Mengen der brechbaren Sohloht eeitlioh bei der Deformierung su blanken Stellen der deformierbaren Sohicht

   ^BAD

   anordnen, wodurch tin sit tinem Bild versehenes Element Bit flachen rereohiedener Xdohtabsorptlon in Bildkonfiguration gebildet vlxd.

   6. Ttrf*hr«n naoh laepruoh 5, dadurch gekennseichnet, dass dl· rerwendete brechbar· und seitlioh erneut anordnungsf&hige Sohloht undurchsichtig irl, und mar relativ in der deforaierbaren Sohloht, dl« i» wesentlichen duroheichtig 1st.

   7· Vtrfahren naoh einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekenn-•tiohnet, dass die rerwendete Terforebare Sohioht ther»opla*tiioh Ht.

   8. Terfahren naoh einem der Anaprttoht 1-7, dadurch gelcenn- »eiohn«t, da·· die ieitlioh erneut anordnungiifMhige Sohloht eine Diokt rtm 0,2 bit ungefähr 1 u beeltit»

   9» Tfrfahr·» naoh ein·« der laeprttche 1-8, dadurch gekenn-■elohnet, da·· dl· fltoh· der deformlerliaren Sohloht« dl« eioh am weiteet«n tob der breohbaren Sohloht befindet, In Eontakt mit «Intel elektrieoh leitenden Substrat steht.

   10· Verfahren naoh einem der insprUohe 1-9* dadurch gekenn- «eiohnet, daas die rervtndete breohbsure Sohioht aus Binaelteilohen besteht.

   11. Yerfahren neoh lnepruoh 10, dadurch gekennseiohnet, das· dl· SeiXoheA ^1t** ^τλ^*^τ>1 ttXlohft Telloh#ngröss· τοη weniger als ungeflhr 5 u besitien.

   12. Yerfahren naoh lnepruoh 11, dadurch gekennseichnet, daes dl· Teilchen im Durohechnltt eine Subaikrongröeae besitzen.

   tu»

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   13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 12, dadurch gekennzeichnet, dass die bildweise elektrostatische Deformierungestufe folgende Unterstufen aufweist:

   a) Bildung eines latenten elektroetatieohen Bildes auf dem Element und

   b) Erweichen der deformierbaren Sohl ent, wodurch es ermöglicht wird» dass sie sich au einem gefalteten Bildmuster deformiert.

   1-4. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die deformierbare Sohioht durch Erhitzen erweicht wird«

   15· Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekeniteiSshnet, das· die erreichbare Sohioht auf eine temperatur «wischen ungefähr 50 und ungefähr 130⁰O wahrend einer Zeitspanne von ungefähr 1 bis ungefähr 20 Sekunden erhitzt wird.

   16· Verfahren nach Anspruch 13, dadurch §4*kesnse lohnet, dass die deformierbare Sohioht durch BinwirkenXaseen von Dämpfen erweicht wird.

   17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gektunselohnet, dass die Dämpfe von einem !lösungsmittel für die deformierbare Sohioht abstammen.

   18. Verfaliren naoh einem der Ansprüche 2 - 17, dadurch gekennzeichnet, dass die bildweise elektrostatische Deformierungsstufe folgende Unterstufen aufweist:

   a) Ein gleiohmässiges elektrostatisches Laden der lichtempfindlichen brechbaren Sohioht,

   b) eine Bestrahlung der brechbaren Sohioht mit einem Bildmuster einer Strahlung, die gegenüber der brechbaren Schicht akti» nisoh ist, und

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   ο) einem Erweichen der deform!erbaren Sohioht, um sie zu verformen.

   19· Verfahren naoh Anspruch. 18, daduroh gekennzeichnet, dass die erweiohbare Sohioht durch Erhitzen erweicht wird.

   20. Verfahren naoh Anspruch 19» daduroh gekennzeichnet, dass die deformierbare Sohioht auf eine Temperatur zwischen ungefähr 50 und ungefähr 130⁰O während einer Dauer von ungefähr 1 bis ungefähr 20 Sekunden erhitzt wird.

   21. Verfahren naoh Anspruoh 18, daduroh gekennzeichnet, dass die deformierbare Sohioht durch Binwirkenlassen von Dämpfen erweicht wird.

   22. Verfahren naoh einem der Ansprüche 131-15 und 18 - 20, daduroh gekennzeichnet, daet die deformierbare Sohioht thermoplastisch ist und einen elektrischen spezifischen Widerstand in der Dunkelheit von wenigstens 10 Ohm-om besitzt«

   25. Verfahren naoh Anspruch 22, daduroh gekennzeichnet, dass die lichtempfindliche brechbare Sohioht photoleitend ist·

   24· Verfahren naoh Anspruch 23, daduroh gekennzeichnet, dass die photcleitend» brechbare Sohioht amorphes Selen enthält· .

   25. Verfahren naoh Anspruch 24, daduroh gekennzeichnet, dass die photoleitende brechbare Schioht amorphes Selen enthält, das aus Teilchen mit Submlkrongrösse besteht.

   26· Verfahren nach einem der Ansprüche 1-25» daduroh gekennzeichnet, dass eine weitere und an wohl lessende Stufe der Ir-

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   weiohung der deformierbaren Schicht vorgesehen wird, üb la weeentliohen die Deformationen zu entfernen, nobel jedoch die brechbare Sohioht aeitlioh erneut angeordnet surttokbleibt.

   2?« Bildereeugungeverfahren, dadurch gekennzeichnet, dass

   a) ein Bildereeugungeelement zur Verfügung gestellt wird, das aus einer lichtempfindlichen Sohioht» die im wesentlichen vollständig gegenüber einer seitlichen erneuten Anordnung beständig ist, wobei diese Sohioht auf einer erweiohbaren, elektrostatisch deformierbaren Sohioht aufliegt, besteht» and

   b) bildweise elektroetatisoh die deforaierbare Sohioht deformiert wird, wobei sie und entsprechende teile des darttberliegenften lichtempfindlichen Sohioht in Bildkonfiguration Tüten bilden.

   28, Terf«hren nach Anepruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die bildweise elektrostatische DeforMierungsstufβ folgende Unterstufen umfasst»

   a) Bildung eines latenten elektrostatischen Bildes auf dem He- »ent und

   b) Erweichen der deforaierbaren Sohioht» wodurch es ^5glioh wird» dass sie sioh au einem lultenbildmster rerformt.

   29* Verfahren nach Anspruoh 27 oder 2Θ, dadurch gekennseiohnet, dass die bildweise elektrostatische Defonaierungestufe folgende üntexstufen umfassti

   a) liagleichmiasigea elektrostatisches Laden der lichteapfindliohen Schicht,

   b) eine Bestrahlung der brechbaren Schicht alt eine» Bildmieter einer Strahlung, die gegenüber ü»x brechbaren Sohioht akti-

   "■. nisoh ^:;' ' '^: "

   ORIGINAL INSPECTED

   ο) einem Srweiohtn der verformbaren Schicht, damit si· sieb deformieren kann.

   30. TtrXahrtn nach einem der Ansprüche 27 - 29« dadurch gekennaeiohnet, datt die lichtempfindliche Oberechioht tint fetrennte und «ädere anhaftende Schicht auf tints HlOh* At» deformierbaren Sohioht ist, wobei die andere fltohe dtr deformierbaren Schicht in Kontakt mit einem elektrieoh leitenden Substrat eteht.

   31. Terfahren nach Anepruoh 27 - 30| dtÄnroh gekexaieeiohnet, daat die Obereohioht tint Dioke ewieohen ungeflhr 0,01 md cngeflhr 0,5 Ji beeitet und photoleitend $M%_m

   32· Terfahren naoh inepruoh 3t § dadureh fekemueiohnet, date die photoleittade Obereohioht amorphe« Selen enthält.

   33« Terfahren saeh tinte der ineprttohe 28 - 32, dadurch gtktanitiohntt, dats die deformitrtare Sohioht durch Irhitaen auf tint feeperatur iwieohen ungeflhr 50 end ungeflhr 130*0 «thvtnd einer Seitcpanne von unfeflhr t bi« uageflhr 20 Sekunden erveioht wird.

   34« Terfahren naoh inepruoh 28 - 32, daduroh gekwanieiohnet, datt dae Hement duroh Xinwirkenlaeeen ron Dampfen tintt Löevngemittele fur dae deformierbare Material erweicht wird.

   35· Ttrfahrtn T^wffTh* Aneprtush 27 ** 29»

   daee die lichtteqpfindTlohe Ol>#reohioht teilohen aafweiet.

   Terfahren nach Anepruoh 35_f daduroh gekennseiohnet, date die Oetreöhioht amorphee Selem aufwviet.

   ORIGINAL

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   37. Verfahren nach Anspruch 31, dadurch gekennaeichnet» dass die photoleitende Oberschicht Teilchen aufweist,

   38. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 - 37, dadurch gekennzeichnet, dass das erweiohbare Material einen elektrischen speelf Ischen Widerstand in Dunkelheit von wenigstens ungefähr 10 Öhm-om be ei tat.

   39. Verfahren naoh Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass das Element gleiobmässig elektro statisch auf eine Oberflächenspannung zwischen ungefähr 30 und ungefähr 300 ToIt aufgeladen wird.

   40· Mit einem Bild versehenes Element, gekennzeichnet durch eine brechbare, seitlich erneut anordnungsfähige Schicht, die auf einer erweiohbaren, elektrostatisch deformierbaren Schicht aufliegt, wobei beide Schichten eine im wesentlichen gleiohmässige Dicke besitzen, mit Ausnahme an ä«a Stellen» au welchen die deformierbare Schicht in Bildkonfiguration gefaltet ist, während die brechbare Sohioht an Stellen, welche den Deformations spitzen entsprechen, relativ dünner 1st und relativ dicker an den Stellen ist, welche den Deformations taschen entsprechen·

   41, Element naoh Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, dass die brechbare Sohioht an den Stellen, welche den Defornationsspitsen entsprechen, im wesentlichen vollständig seitlich erneut an Flächen angeordnet ist, welche den Deformati ona taschen entsprachen, so dass Deformationsspitsen aus erwelohbarem Material freigelegt sind.

   42· KLtment ziaoh Anspruch 40 oder 41, dadurch gekenwieioanet,

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   - 60 dass die breohbare Schicht lichtempfindlich 1st.

   43. Element naoh Anspruch 42, dadurch gekennzeichnet, dass die brechbare Schicht photoleitend 1st.

   44. Element naoh Anspruch 43» daduroh gekennzeichnet, dass die brechbare photoleitende Schicht amorphes Selen aufweist.

   45. Element naoh einem der Ansprüche 40 - 44» daduroh gekennzeichnet, dass die erweichbare elektrostatisch deformierbare Schicht im wesentlichen durohslohtig 1st.

   46. Element naoh einem der Ansprüche 40 - 45» daduroh gekennzeichnet» dass die brechbare und seitlich erneut anordnungsfähige Schicht aus einem Material besteht, das relativ zu der deformierbaren Schicht, die Im wesentlichen durchsichtig 1st» undurohsiohtig ist.

   47. Element nach einem der Ansprüche 40 - 46, daduroh gekennzeichnet» dass die deformierbare Schicht thermoplastisch ist» wobei die Fläche der deformierbaren Schicht» die sich am weitesten von der brechbaren Schicht entfernt befindet» in Eontakt mit einem elektrisch leitenden Substrat steht.

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