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DE1521205B1 - Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Stoffgemischen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Stoffgemischen

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Publication number
DE1521205B1
DE1521205B1 DE19651521205 DE1521205A DE1521205B1 DE 1521205 B1 DE1521205 B1 DE 1521205B1 DE 19651521205 DE19651521205 DE 19651521205 DE 1521205 A DE1521205 A DE 1521205A DE 1521205 B1 DE1521205 B1 DE 1521205B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substances
carrier
evaporation
layers
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651521205
Other languages
English (en)
Inventor
Arne Jensen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Danfoss AS
Original Assignee
Danfoss AS
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Filing date
Publication date
Application filed by Danfoss AS filed Critical Danfoss AS
Publication of DE1521205B1 publication Critical patent/DE1521205B1/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

1 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auf- nächst die Stoffe in der Reihenfolge ihrer steigenden dampfen eines Gemisches von mindestens zwei Stof- Verdampfungsdrücke schichtweise übereinander auf fen mit unterschiedlicher Verdampfungstemperatur einen Träger aufgedampft werden, sodann in der auf ein Substrat, bei dem die Stoffe aufeinander- Schichtung mittels einer örtlich begrenzten Heizgeschichtet und kontinuierlich einer gemeinsamen 5 quelle eine Verdampfungsfläche der Schichtstoffe, bei Heizquelle zugeführt werden, die eine Temperatur der die Temperatur vom Träger zur äußeren Schicht aufweist, welche zur Verdampfung des Stoffes mit hin abnimmt, erzeugt wird und schließlich zum Aufdem niedrigsten Dampfdruck ausreicht, und eine dampfen des Stoffgemisches zwischen Träger und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Heizquelle eine Relativgeschwindigkeit solcher Größe Auf vielen technischen Gebieten werden Ober- io erzeugt wird, daß während des Vorbeilaufs alle flächenschichten durch Aufdampfen hergestellt. Auf Schichten vollständig verdampfen, diese Weise werden Oberflächenschichten hergestellt, Die örtlich begrenzte Heizquelle erzeugt um sich die in chemischer oder mechanischer Hinsicht be- ein Feld abnehmender Temperatur, das mit der Gemerkenswert sind (Schutzschichten), die gewisse schwindigkeit der Relativbewegung wandert. Jede optische Eigenschaften haben (Vergütung von opti- 15 Schicht verdampft dort, wo die ihrem Stoff zugehörige sehen Gläsern), die in elektrischer Hinsicht eine Rolle Verdampfungstemperatur herrscht. Auf diese Weise spielen usw. Häufig spielt das Substrat, auf welches werden gleichzeitig alle Stoffe in einem genau vordie Schichten aufgedampft werden, nur eine unter- gegebenen Verhältnis verdampft und schlagen sich geordnete Rolle, während die aufgedampfte Schicht als Gemisch auf dem Substrat nieder. Da die Stoffe das Wesentliche darstellt, beispielsweise bei durch 20 in der Schichtung so angeordnet sind, daß nach Aufdampfen hergestellten Halbleiterelementen. außen die Verdampfungstemperatur abnimmt, ist Bei einer ganzen Zahl von Anwendungszwecken sichergestellt, daß dort, wo der schwerer flüchtige muß ein Gemisch von zwei oder mehr Stoffen auf- Stoff verdampft, die darüber befindlichen Schichten gedampft werden. Wenn diese Stoffe unterschiedliche bereits entfernt sind. Bei diesem Verfahren wird, nur Verdampfungstemperatur haben, kann man sie nicht 25 unter der Voraussetzung, daß die zugeführte Wärmegleichzeitig aus demselben Tiegel verdampfen, weil energie zum Verdampfen aller Schichten ausreicht, dies einer Art Destillation entsprechen würde, bei unabhängig von der genauen Temperatur der Heizder sich auf dem Substrat kein Gemisch, sondern quelle und von der Größe der Relativgeschwindigkeit mehrere voneinander getrennte Schichten nieder- zwischen Träger und Heizquelle, sichergestellt, daß schlagen würden. 30 das Mischungsverhältnis der verdampfenden Stoffe
Es ist daher versucht worden, jede Komponente im wesentlichen konstant bleibt, des Gemisches aus einem eigenen Tiegel zu ver- In vielen Fällen ist es empfehlenswert, zwischen
dampfen. Da es aber unmöglich ist, die Verdampfung dem Substrat und dem Träger eine Relativbewegung
in diesen Tiegeln absolut gleichmäßig zu führen, zu erzeugen, deren Geschwindigkeit größer ist als
erhält man kein gleichmäßiges Mischungsverhältnis 35 diejenige der Relativbewegung zwischen Träger und
in der aufgedampften Schicht. Heizquelle. Auf diese Weise können relativ große
Des weiteren ist es bekannt, die verschiedenen Flächen oder eine Vielzahl von Substraten bedampft
Stoffe als Kugel vorzuformen und abwechselnd im werden. Außerdem ist der Einfluß, den der Abstand
gewünschten Mischungsverhältnis in einen einzigen zwischen den Verdampfungsstellen der einzelnen
beheizten Tiegel zu werfen. Dies ist ein sehr lang- 40 Schichten auf eine eventuelle Ungleichmäßigkeit der
sames Verfahren, bei dem auf dem Substrat eine der Mischung haben könnte, wesentlich geringer. Auf
Zahl der Kugeln entsprechende Zahl von Schichten jeden Fall ist es auch bei dem Aufdampfen von
niedergeschlagen wird, die keine innige Verbindung Stoffen von stark unterschiedlicher Verdampfungs-
miteinander haben. Zwar kann man durch eine temperatur möglich, nach einer abschließenden 1
Wärmebehandlung versuchen, das Material der ein- 45 Wärmebehandlung ein durchweg gleichmäßiges Mi-
zelnen Schichten in die Nachbarschichten hinein- schungsverhältnis über die gesamte Schichtdicke zu
diffundieren zu lassen. Die mit den Kugeln erziel- erzielen.
baren Schichten sind aber zu dick, um auf diese Eine bevorzugte Ausführungsform zur Durchfüh-
Weise ein gleichmäßiges Mischungsverhältnis zu rung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist gekenn-
erzielen. 5° zeichnet durch einen um eine senkrechte Achse
Sodann ist ein Verfahren der eingangs beschrie- drehbaren scheibenförmigen Träger, der auf einer benen Art bekannt, bei dem die verschiedenen zu Ringfläche die Schichtung trägt, sowie eines unterverdampfenden Stoffe. zu einem Manteldraht oder halb der Ringfläche sich in annähernd radialer Richeinem plattierten Blech vereinigt und dieser Ver- tung erstreckenden Heizkörpers. Wenn die Scheibe bundkörper dann in eine Wärmequelle eingeführt 55 über den Heizkörper hinweg gedreht wird, wird die wird, wo die Stoffe kontinuierlich oder portionsweise Schichtung auf der Ringfläche allmählich zum Ververdampft werden. Bei diesem Verfahren läßt sich dampfen gebracht.
nur mit großen Schwierigkeiten ein gleichmäßiges In weiterer Ausgestaltung dieser Vorrichtung kann
Mischungsverhältnis während des Verdampfens bzw. noch eine oberhalb des scheibenförmigen Trägers
in der gesamten Dicke der auf ein Substrat aufzu- 60 angeordnete, um eine senkrechte Achse drehbare
dampfenden Mehrstoffschicht aufrechterhalten. Scheibe zur Aufnahme der zu bedampfenden Sub-
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, strate vorgesehen sein. Diese Scheibe kann mit einer
ein Aufdampfverfahren anzugeben, mit dessen Hilfe größeren Umfangsgeschwindigkeit angetrieben wer-
Stoffe unterschiedlicher Verdampfungstemperatur auf den als der scheibenförmige Träger, wodurch sich
einfache Weise in einem weitgehend konstanten 65 die gewünschte größere Relativgeschwindigkeit zwi-
Mischungsverhältnis auf ein Substrat aufgedampft sehen Substrat und Träger ergibt, werden können. Die Erfindung wird nachstehend an Hand der
Dies geschieht erfindungsgemäß dadurch, daß zu- Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig.] einen schematischen Schnitt durch den Träger mit Schichten und Heizquelle im Anfangszustand.
Fig. 2 dieselbe Anordnung im Betriebszustand und
F i g. 3 in schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Auf einem Träger 1 sind in dem dargestellten Ausfiihrungsbeispiel drei Schichten 2,3 und 4 aus Stoffen mit verschiedener Verdampfungstemperatur aufgetragen, z. B. nacheinander aufgedampft worden. Diese Schichten können je nach dem später gewünschten Mischungsverhältnis unterschiedliche Stärke haben. Wenn man beispielsweise ein sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement herstellen will, das aus einem Gemisch von Tellur, Arsen und SiIizium besteht, wird man wegen der unterschiedlichen Dampfdrücke das Silizium mit dem niedrigsten Dampfdruck in der Schicht 2, das Tellur mit dem etwas höheren Dampfdruck in der Schicht 3 und das Arsen mit dem höchsten Dampfdruck in der Schicht 4 vorsehen. Unter dem Träger 1 ist eine Heizquelle 5 vorgesehen.
Wenn diese Heizquelle 5 Wärme abgibt, wird der Träger 1 und die darüberliegende Schichtung 2 bis 4 erwärmt. Zuerst wird die Verdampfungstemperatur des Stoffes der Schicht 4 erreicht, so daß dort das durch die Linie 6 gekennzeichnete Material verdampfen kann. Mit steigender Temperatur wird die Verdampfungstemperatur des Stoffes der Schicht 3 erreicht, so daß das durch die Linie 7 begrenzte Material verdampfen kann. Bei weiterer Beheizung schließlich, wenn die Verdampfungstemperatur des Stoffes der Schicht 2 erreicht ist, wird der in F i g. 1 voll ausgezogene Zustand erreicht, bei dem die Linie 8 den inzwischen verdampften Bereich begrenzt. Die Linie 8 entspricht genau dem Temperaturverlauf innerhalb der aus Träger und Schichtung bestehenden Anordnung. Im Bereich 8 a herrscht die Verdampfungstemperatur des Stoffes 2, im Bereich 8 b diejenige des Stoffes 3 und im Bereich 8 c diejenige des Stoffes 4.
Wenn der Zustand der F i g. 1 erreicht wird, sind die vorbereitenden Arbeiten abgeschlossen, und man kann den Träger 1 mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit in Richtung des Pfeiles 9 an der Heizquelle 5 vorbeibewegen. Hierbei entsteht eine Verdampfungsfläche 8', längs der verschiedene Temperaturen herrschen und von der in jeder Zeiteinheit die gleichen Mengen des Stoffes jeder Schicht, und zwar in genauer Proportionalität zu den Stoffen der anderen Schichten, verdampfen. Ein über der Verdampfungslinie 8' angebrachtes Substrat wird daher mit einem Gemisch der Stoffe der drei Schichten 2 bis 4 bedeckt, wobei das Mischungsverhältnis durchweg gleich ist.
Bei der praktischen Ausführungsform in F i g. 3 wird der Träger durch eine Scheibe 10 gebildet, die auf einer Achse 11 sitzt und mit langsamer Geschwindigkeit gedreht werden kann. Auf einer Ringfläche ist die Schichtung der verschiedenen zu verdampfenden Stoffe aufgetragen. Unterhalb dieser Ringfläche erstreckt sich in radialer Richtung ein Heizdraht 13. An einer darüber befindlichen Scheibe 14, die um eine Achse 15 mit größerer Geschwindigkeit als die Scheibe 10 drehbar ist, sitzen die zu bedampfenden Substrate 16, die ebenfalls im Bereich der Ringfläche oberhalb der Schichtung 12 angeordnet sind. Die Drehgeschwindigkeit der Scheibe 10 und die Heizleistung des Drahtes 13 sind so gewählt, daß bei einem Umlauf der Scheibe 10 die Schicht 12 vollständig verdampft ist. Dieser eine Umlauf kann benutzt werden, um die an der Scheibe 14 befindlichen Substrate 16 mit einer relativ dicken Schicht zu versehen; statt dessen kann aber auch zwischendurch die Scheibe 14 durch Träger neuer Substrate ersetzt werden.
Von dem veranschaulichten Ausführungsbeispiel kann in vielerlei Richtung abgewichen werden, ohne den Grundgedanken der Erfindung zu verlassen. Beispielsweise kann die Scheibe 10 durch ein Trägerband, vorzugsweise in Endlosform, ersetzt werden, um einen kontinuierlichen Betrieb zu ermöglichen. Desgleichen können auch die Substrate an einem Band, vorzugsweise in Endlosform, angebracht und mit größerer Geschwindigkeit an der Verdampfungsstelle vorbeigeführt werden. Des weiteren ist es nicht notwendig, die Heizquelle unterhalb des Trägers anzuordnen, vielmehr kann sie auch von oben auf die Schichtung einwirken.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Aufdampfen eines Gemisches von mindestens zwei Stoffen mit unterschiedlicher Verdampfungstemperatur auf ein Substrat, bei dem die Stoffe aufeinandergeschichtet und kontinuierlich einer gemeinsamen Heizquelle zugeführt werden, die eine Temperatur aufweist, welche zur Verdampfung des Stoffes mit dem niedrigsten Dampfdruck ausreicht, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Stoffe in der Reihenfolge ihrer steigenden Verdampfungsdrücke schichtweise übereinander auf einen Träger aufgedampft werden, sodann in der Schichtung mittels einer örtlich begrenzten Heizquelle eine Verdampfungsfläche der Schichtstoffe, bei der die Temperatur vom Träger zur äußeren Schicht hin abnimmt, erzeugt wird und schließlich zum Aufdampfen des Stoffgemisches zwischen Träger und Heizquelle eine Relativgeschwindigkeit solcher Größe erzeugt wird, daß während des Vorbeilaufs alle Schichten vollständig verdampfen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Substrat und dem Träger eine Relativbewegung erzeugt wird, deren Geschwindigkeit größer ist als diejenige der Relativbewegung zwischen Träger und Heizquelle.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufdampfen des Stoffgemisches eine Wärmebehandlung vorgenommen wird.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 3, gekennzeichnet durch einen um eine senkrechte Achse (11) drehbaren scheibenförmigen Träger (10), der auf einer Ringfläche die Schichtung (12) trägt, sowie eines unterhalb der Ringfläche sich in annähernd radialer Richtung erstreckenden Heizkörpers (13).
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine oberhalb des scheibenförmigen Trägers (10) angeordnete, um eine senkrechte Achse (15) drehbare Scheibe (14) zur Aufnahme der zu bedampfenden Substrate (16).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen GOpy
DE19651521205 1965-01-26 1965-01-26 Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Stoffgemischen Pending DE1521205B1 (de)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971874A (en) * 1973-08-29 1976-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information storage material and method of making it
FR2378873A1 (fr) * 1977-02-01 1978-08-25 G Pi Procede et dispositif de depot sur un recepteur d'une couche semi-conductrice
US4407871A (en) * 1980-03-25 1983-10-04 Ex-Cell-O Corporation Vacuum metallized dielectric substrates and method of making same
US4431711A (en) * 1980-03-25 1984-02-14 Ex-Cell-O Corporation Vacuum metallizing a dielectric substrate with indium and products thereof
CN110032787B (zh) * 2019-04-04 2023-06-09 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心) 各向同性多层涂层体系二维温度场的求解方法
CN110069837B (zh) * 2019-04-04 2023-06-09 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心) 横观各向同性多层涂层体系三维温度场的求解方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1077499B (de) * 1953-12-09 1960-03-10 Degussa Verfahren zum Vakuumaufdampfen von UEberzuegen aus Mehrstoffgemischen

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2482329A (en) * 1946-05-27 1949-09-20 Rca Corp Apparatus for selective vapor coating
GB836991A (en) * 1955-12-05 1960-06-09 Telephone Mfg Co Ltd Improvements in and relating to coating extended supports
US2968583A (en) * 1957-04-25 1961-01-17 Western Electric Co Capacitor sections and methods of making the same
GB939081A (en) * 1959-01-16 1963-10-09 Edwards High Vacuum Int Ltd Improvements in or relating to the evaporation of metal/metalloid mixtures
US3128205A (en) * 1961-09-11 1964-04-07 Optical Coating Laboratory Inc Apparatus for vacuum coating

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1077499B (de) * 1953-12-09 1960-03-10 Degussa Verfahren zum Vakuumaufdampfen von UEberzuegen aus Mehrstoffgemischen

Also Published As

Publication number Publication date
NL6600709A (de) 1966-07-27
FR1463717A (fr) 1966-12-23
GB1086793A (en) 1967-10-11
BE674499A (de) 1966-04-15
US3445271A (en) 1969-05-20

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