DE112021001193T5

DE112021001193T5 - Maschenstruktur in einer elektronischen vorrichtung, berührungssteuerungsstruktur, anzeigetafel, verfahren zur verbesserung der lichtdurchlässigkeit in der anzeigetafel und verfahren zur herstellung der maschenstruktur

Info

Publication number: DE112021001193T5
Application number: DE112021001193.6T
Authority: DE
Inventors: Jian Zhou; Feng Wang; Yanzhao Li; Feng Qu
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2021-02-23
Filing date: 2021-02-23
Publication date: 2022-12-15
Also published as: WO2022178659A1; US11861122B2; CN115244497A; US20230168779A1

Abstract

Es wird eine Maschenstruktur bereitgestellt. Die Maschenstruktur umfasst eine erste Isolierschicht; eine oder mehrere Maschenlinien auf einer ersten Seite der ersten Isolierschicht; und eine oder mehrere vorstehende Strukturen auf einer zweiten Seite der ersten Isolierschicht, wobei sich die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt. Eine orthografische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur auf eine Projektionsebene, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht enthält, überlappt zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene. Ein Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen ist größer als ein Brechungsindex der ersten Isolierschicht.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Anzeigetechnik, insbesondere eine Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung, eine Berührungssteuerungsstruktur, eine Anzeigetafel, ein Verfahren zur Verbesserung der Lichtdurchlässigkeit in einer Anzeigetafel und ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung.
STAND DER TECHNIK
Maschenstrukturen können aus verschiedenen Materialien hergestellt sein, einschließlich Metall, Legierung, Kohlenstoffnanoröhren und Graphen. Maschenstrukturen sind hoch leitfähig und können ultradünn hergestellt werden. Daher wurden die Maschenstrukturen in elektronischen Vorrichtungen wie tragbaren Geräten, faltbaren Geräten und ultradünnen Geräten weit verbreitet verwendet.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
In einem Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung eine Maschenstruktur bereit, umfassend eine erste Isolierschicht; eine oder mehrere Maschenlinien auf einer ersten Seite der ersten Isolierschicht; und eine oder mehrere vorstehende Strukturen auf einer zweiten Seite der ersten Isolierschicht, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt, wobei sich eine orthografische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur auf eine Projektionsebene, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht enthält, zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene überlappt, und wobei ein Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen größer als ein Brechungsindex der ersten Isolierschicht ist.
Optional nimmt eine Querschnittsbreite eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang einer Ebene, die die jeweilige vorstehende Struktur und die jeweilige Maschenlinie schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung der jeweiligen Maschenlinie ist, entlang einer vorstehenden Richtung von der ersten Seite zur zweiten Seite ab.
Optional sind eine erste Mittellinie einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur auf die Projektionsebene und eine zweite Mittellinie einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene um einen Abstand voneinander beabstandet, der in einem Bereich von 0 bis 75 % einer Linienbreite der jeweiligen Maschenlinie liegt.
Optional sind eine erste Mittellinie einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur auf die Projektionsebene und eine zweite Mittellinie einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene um einen Abstand voneinander beabstandet, der in einem Bereich von 0 bis 75 % eines Maximalwerts der Querschnittsbreite liegt.
Optional sind die erste Mittellinie und die zweite Mittellinie im Wesentlichen parallel zur Längsrichtung.
Optional liegt ein Maximalwert der Querschnittsbreite im Bereich von 12,5 % bis 150 % einer Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung.
Optional liegt der Maximalwert der Querschnittsbreite im Bereich von 75 % bis 125 % der Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung.
Optional liegt eine Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung in einem Bereich von 25 % bis 175 % eines Maximalwerts der Querschnittsbreite.
Optional umfasst die Maschenstruktur ferner eine zweite Isolierschicht in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen, wobei eine Differenz zwischen einem Brechungsindex der zweiten Isolierschicht und dem Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen gleich oder kleiner als 0,2 ist.
Optional weist die jeweilige vorstehende Struktur eine kontinuierlich gekrümmte vorstehende Oberfläche auf.
Optional weist die jeweilige vorstehende Struktur eine Ellipsoidstumpfform auf.
Optional umfassen die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen ein optisch transparentes Material.
Optional umfasst die Maschenstruktur ferner eine zweite Isolierschicht in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen; und eine optisch transparente Klebstoffschicht, die die erste Isolierschicht und die zweite Isolierschicht miteinander verklebt.
Optional umfasst die Maschenstruktur ferner eine zweite Isolierschicht in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen, wobei sich die zweite Isolierschicht zwischen der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen und der ersten Isolierschicht befindet.
Optional umfasst die Maschenstruktur ferner eine zweite Isolierschicht in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen, wobei sich die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen zwischen der zweiten Isolierschicht und der ersten Isolierschicht befinden.
Optional nimmt eine Querschnittsbreite eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang einer Ebene, die die jeweilige vorstehende Struktur und die jeweilige Maschenlinie schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung der jeweiligen Maschenlinie ist, entlang einer vorstehenden Richtung von der zweiten Seite zur ersten Seite ab.
Optional umfassen die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen eine Vielzahl von Vorsprüngen, wobei sich eine orthographische Projektion eines jeweiligen der Vielzahl von Vorsprüngen auf die Projektionsebene zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion eines Teils der einen oder mehreren Maschenlinien auf die Projektionsebene überlappt.
Optional umfassen die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen einen durchgehenden vorstehenden Steg, wobei sich eine orthographische Projektion des durchgehenden vorstehenden Stegs auf die Projektionsebene zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene überlappt.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung eine elektronische Vorrichtung bereit, die die hierin beschriebene oder durch ein hierin beschriebenes Verfahren hergestellte Maschenstruktur und eine Halbleiterkomponente umfasst.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur bereit, umfassend Bilden einer oder mehrerer Maschenlinien auf einer ersten Seite einer ersten Isolierschicht; und Bilden einer oder mehrerer vorstehender Strukturen auf einer zweiten Seite der ersten Isolierschicht, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt, wobei sich eine orthografische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur auf eine Projektionsebene, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht enthält, zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene überlappt, wobei ein Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen größer als ein Brechungsindex der ersten Isolierschicht ist, und wobei eine Querschnittsbreite eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang einer Ebene, die die jeweilige vorstehende Struktur und die jeweilige Maschenlinie schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung der jeweiligen Maschenlinie ist, entlang einer vorstehenden Richtung von der ersten Seite zur zweiten Seite abnimmt.
Figurenliste
Die folgenden Zeichnungen sind lediglich Beispiele zur Veranschaulichung gemäß verschiedenen offenbarten Ausführungsformen und sollen den Umfang der vorliegenden Erfindung nicht einschränken.

1A ist eine perspektivische Ansicht eines Teils einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
1B ist eine Draufsicht auf einen Teil einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
1C ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie A-A' in 1B.
1D ist eine Draufsicht auf einen Teil einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
1E ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie B-B' in 1D.
2 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einem Abstand zwischen einer ersten Mittellinie und einer zweiten Mittellinie.
3 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einem Maximalwert der Querschnittsbreite.
4 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einer Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung.
5 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einem Brechungsindex einer zweiten Isolierschicht.
6 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einem Brechungsindex einer jeweiligen vorstehenden Struktur.
7 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einer Form der jeweiligen vorstehenden Struktur.
8 ist eine Querschnittsansicht einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
9 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einer Position einer jeweiligen vorstehenden Struktur.
10 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einer Form sowie einer Position einer jeweiligen vorstehenden Struktur.
11 ist eine perspektivische Ansicht eines Teils einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
12A ist ein schematische Darstellung, das eine oder mehrere Maschenlinien in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt.
12B ist ein schematische Darstellung, das eine oder mehrere vorstehende Strukturen in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt.
12C ist ein schematische Darstellung, das eine oder mehrere Maschenlinien und eine oder mehrere vorstehende Strukturen in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt.
12D ist ein schematische Darstellung, das einen durchgehenden vorstehenden Steg in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt.
12E ist ein schematische Darstellung, das eine oder mehrere Maschenlinien und eine oder mehrere vorstehende Strukturen in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt.
13 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
14 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
15 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
16 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
17 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.
18 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung.

BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die Offenbarung wird nun unter Bezugnahme auf die folgenden Ausführungsformen genauer beschrieben. Es ist anzumerken, dass die folgenden Beschreibungen einiger Ausführungsformen hier nur zum Zweck der Veranschaulichung und Beschreibung dargestellt werden. Es ist nicht beabsichtigt, erschöpfend zu sein oder sich auf die offenbarte genaue Form zu beschränken.
Die vorliegende Offenbarung stellt unter anderem eine Maschenstruktur, eine elektronische Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur bereit, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen des Stands der Technik vermeiden. In einem Aspekt umfasst die Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung eine erste Isolierschicht; eine oder mehrere Maschenlinien auf einer ersten Seite der ersten Isolierschicht; und eine oder mehrere vorstehende Strukturen auf einer zweiten Seite der ersten Isolierschicht, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt. Optional überlappt sich eine orthografische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur auf eine Projektionsebene, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht enthält, zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene. Optional ist ein Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen größer als ein Brechungsindex der ersten Isolierschicht.
Überraschenderweise und unerwartet haben die Erfinder der vorliegenden Offenbarung entdeckt, dass die Lichtdurchlässigkeit durch die eine oder mehreren Maschenlinien (zum Beispiel in einer elektronischen Vorrichtung) hindurch signifikant erhöht werden kann, indem eine Maschenstruktur mit einer komplizierten Struktur gemäß der vorliegende Offenbarung bereitgestellt wird. In einem Beispiel kann die Lichtdurchlässigkeit durch die eine oder mehreren Maschenlinien hindurch um mehr als 10 % verbessert werden, z. B. mehr als 12 %, mehr als 14 %, mehr als 16 %. Darüber hinaus wird die signifikante Erhöhung der Lichtdurchlässigkeit durch die eine oder mehreren Maschenlinien hindurch im gesamten sichtbaren Lichtspektrum beobachtet.
1A ist eine perspektivische Ansicht eines Teils einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 1A enthält in einigen Ausführungsformen die Maschenstruktur eine erste Isolierschicht IN1; eine oder mehrere Maschenlinien ML auf einer ersten Seite S1 der ersten Isolierschicht IN1; und eine oder mehrere vorstehende Strukturen PDS auf einer zweiten Seite der ersten Isolierschicht IN1, wobei die zweite Seite S2 der ersten Seite S1 gegenüberliegt.
1B ist eine Draufsicht auf einen Teil einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 1A und 1B überlappt sich in einigen Ausführungsformen eine orthografische Projektion der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen PDS auf eine Projektionsebene PP, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht IN1 enthält, zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion der einen oder mehreren Maschenlinien ML auf die Projektionsebene PP. Optional deckt die orthografische Projektion der einen oder mehreren Maschenlinien ML auf die Projektionsebene PP die orthografische Projektion der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen PDS auf die Projektionsebene PP im Wesentlichen ab, z. B. mindestens 75 %, mindestens 80 %, mindestens 85 %, mindestens 90 %, mindestens 95 %, mindestens 99 % oder 100 %. Optional deckt die orthographische Projektion der einen oder mehreren Maschenlinien ML auf die Projektionsebene PP die orthographische Projektion der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen PDS auf die Projektionsebene PP vollständig ab.
1C ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie A-A' in 1B. Unter Bezugnahme auf 1C überlappt sich in einigen Ausführungsformen eine orthografische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf eine Projektionsebene PP, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht IN1 enthält, zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP. Optional deckt die orthografische Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP die orthografische Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP im Wesentlichen ab, z. B. mindestens 75 %, mindestens 80 %, mindestens 85 %, mindestens 90 %, mindestens 95 %, mindestens 99 % oder 100%. Optional deckt die orthographische Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP die orthographische Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP vollständig ab.
In einigen Ausführungsformen ist ein Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen größer als ein Brechungsindex der ersten Isolierschicht. Optional ist der Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen um mindestens 0,01 größer als der Brechungsindex der ersten Isolierschicht, z. B. um mindestens 0,02, mindestens 0,03, mindestens 0,04, mindestens 0,05, mindestens 0,06, mindestens 0,07, mindestens 0,08, mindestens 0,09, mindestens 0,10, mindestens 0,11, mindestens 0,12, mindestens 0,13, mindestens 0,14, mindestens 0,15, mindestens 0,16, mindestens 0,17, mindestens 0,18 oder mindestens 0,20.
Unter Bezugnahme auf 1B und 1C nimmt in einigen Ausführungsformen eine Querschnittsbreite csw eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang einer Ebene ISP, die die jeweilige vorstehende Struktur RPD und die jeweilige Maschenlinie RML schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung Dlg der jeweiligen Maschenlinie RML ist, entlang einer vorstehenden Richtung Dpd von der ersten Seite S1 zu der zweiten Seite S2 ab.
1D ist eine Draufsicht auf einen Teil einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. 1E ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie B-B' in 1D. Unter Bezugnahme auf 1D und 1E überlappt sich in einigen Ausführungsformen die orthographische Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP teilweise mit der orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP. Eine erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und eine zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP sind um einen Abstand d voneinander beabstandet. In 1B und 1C überlappen sich die erste Mittellinie und die zweite Mittellinie miteinander, und der Abstand d ist gleich Null. In 1D und 1E ist der Abstand d größer als Null. Beispielsweise sind die erste Mittellinie Pcl1 und die zweite Mittellinie Pcl2 gegeneinander versetzt.
Optional sind die erste Mittellinie Pcl1 und die zweite Mittellinie Pcl2 im Wesentlichen parallel zur Längsrichtung Dlg. Wie hierin verwendet, bedeutet der Begriff „im Wesentlichen parallel“, dass ein Winkel im Bereich von 0 Grad bis ungefähr 45 Grad liegt, beispielsweise von 0 Grad bis ungefähr 5 Grad, von 0 Grad bis ungefähr 10 Grad, von 0 Grad bis ungefähr 15 Grad, von 0 Grad bis etwa 20 Grad, von 0 Grad bis etwa 25 Grad, von 0 Grad bis etwa 30 Grad. Optional sind die erste Mittellinie Pcl1 und die zweite Mittellinie Pcl2 parallel zur Längsrichtung Dlg.
Unter Bezugnahme auf 1D und 1E umfasst in einigen Ausführungsformen die Maschenstruktur ferner eine zweite Isolierschicht IN2 in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen (z. B. der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD). Optional umfasst die Maschenstruktur ferner eine optisch transparente Klebstoffschicht OCA, die die erste Isolierschicht IN1 und die zweite Isolierschicht IN2 miteinander verklebt.
In einem Beispiel hat die jeweilige Maschenlinie RML eine Linienbreite Iw von 4 µm und eine Dicke tml von 700 nm. Die erste Isolierschicht IN1 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die optisch transparente Klebstoffschicht OCA hat einen Brechungsindex von 1,6. Die zweite Isolierschicht IN2 hat einen Brechungsindex von 1,53. Der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP hat eine halbelliptische Form mit einem Kurzachsendurchmesser (entspricht einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw) von 4 µm und einem Längsachsenradius (entspricht eine Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd) von 4 µm. Die jeweilige vorstehende Struktur RPD hat einen Brechungsindex von 1,65. 2 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einem Abstand zwischen einer ersten Mittellinie und einer zweiten Mittellinie. Unter Bezugnahme auf 2 stellt die Kurve A die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind; die Kurve B stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Abstand d Null ist; die Kurve C stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Abstand d 1 µm beträgt; die Kurve D stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Abstand d 2 µm beträgt; und die Kurve E stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Abstand d 3 um beträgt. Im Vergleich zur Lichtdurchlässigkeit in der Kurve A ist die Lichtdurchlässigkeit in der Kurve B signifikant erhöht, z. B. um 16 % bei einer Wellenlänge von etwa 0,56 µm.
Die Lichtdurchlässigkeit in der Kurve E ist niedriger als die Lichtdurchlässigkeit in der Kurve A, wobei die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen in der Maschenstruktur nicht vorhanden sind, was anzeigt, dass der Abstand um den die ersten Mittellinie Pcl1 und die zweiten Mittellinie Pcl2 gegeneinander versetzt sind, in einem bestimmten Bereich gehalten werden sollte, um die Lichtdurchlässigkeit effektiv zu verbessern.
In einigen Ausführungsformen sind eine erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und eine zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP beabstandet voneinander um einen Abstand in einem Bereich von 0 bis 75 %, beispielsweise von 0 bis 5 %, von 5 % bis 10 %, von 10 % bis 15 %, von 15 % bis 20 %, von 20 % bis 25 %, von 25 % bis 30 %, von 30 % bis 35 %, von 35 % bis 40 %, von 40 % bis 45 %, von 45 % bis 50 %, von 50 % bis 55 %, von 55 % bis 60 %, von 60 % bis 65 % oder von 65 % bis 70 %, einer Linienbreite Iw der jeweiligen Maschenlinie RML. Optional sind die erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und die zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP um einen Abstand beabstandet, der in einem Bereich von 0 bis 5 % einer Linienbreite Iw der jeweiligen Maschenlinie RML liegt.
In einigen Ausführungsformen sind eine erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und eine zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP beabstandet voneinander um einen Abstand in einem Bereich von 0 bis 75 %, beispielsweise von 0 bis 5 %, von 5 % bis 10 %, von 10 % bis 15 %, von 15 % bis 20 %, von 20 % bis 25 %, von 25 % bis 30 %, von 30 % bis 35 %, von 35 % bis 40 %, von 40 % bis 45 %, von 45 % bis 50 %, von 50 % bis 55 %, von 55 % bis 60 %, von 60 % bis 65 % oder von 65 % bis 70 %, eines Maximalwertes der Querschnittsbreite csw. Optional sind die erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und die zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP um einen Abstand beabstandet, der in einem Bereich von 0 bis 5 % eines Maximalwerts der Querschnittsbreite csw liegt.
In einigen Ausführungsformen sind die erste Mittellinie Pcl1 einer orthografischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und die zweite Mittellinie Pcl2 einer orthografischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP um einen Abstand von nicht mehr als 3,0 µm voneinander beabstandet, beispielsweise nicht mehr als 2,5 µm, nicht mehr als 2,0 µm, nicht mehr als 1,5 µm, nicht mehr als 1,0 µm, nicht mehr als 0,5 µm, nicht mehr als 0,4 µm, nicht mehr als 0,3 µm, nicht mehr als 0,2 µm oder nicht mehr als 0,1 µm.
In einem Beispiel hat die jeweilige Maschenlinie RML eine Linienbreite Iw von 4 µm und eine Dicke tml von 700 nm. Die erste Isolierschicht IN1 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die optisch transparente Klebstoffschicht OCA hat einen Brechungsindex von 1,6. Die zweite Isolierschicht IN2 hat einen Brechungsindex von 1,53. Der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP hat eine halbelliptische Form mit einem Längsachsenradius (entspricht einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd) von 4 µm. Die jeweilige vorstehende Struktur RPD hat einen Brechungsindex von 1,65. 3 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einem Maximalwert der Querschnittsbreite. Unter Bezugnahme auf 3 stellt die Kurve A die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind; die Kurve B stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP einen Kurzachsendurchmesser (entspricht einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw) von 4 µm aufweist; die Kurve C stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP einen Kurzachsendurchmesser von 3 µm aufweist; die Kurve D stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP einen Kurzachsendurchmesser von 2 µm aufweist; die Kurve E stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP einen Kurzachsendurchmesser von 1 µm aufweist; und die Kurve F stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP einen Kurzachsendurchmesser von 0,5 µm aufweist.
Wie in 3 gezeigt, kann im Vergleich zu einer Maschenstruktur, bei der die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind (die Kurve A), die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen bei verschiedenen Werten des Kurzachsendurchmessers (z. B. von 0,5 µm bis 4 µm, von der Kurve B bis die Kurve F) verbessert werden.
In einigen Ausführungsformen liegt ein Maximalwert der Querschnittsbreite csw in einem Bereich von 12,5 % bis 150 %, beispielsweise von 12,5 % bis 25,0 %, von 25,0 % bis 50,0 %, von 50,0 % bis 75,0 %, von 75,0 % bis 100,0 %, von 100,0 % bis 125,0 % oder von 125,0 % bis 150,0 %, einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd. Optional liegt der Maximalwert der Querschnittsbreite csw in einem Bereich von 75 % bis 125 %, beispielsweise von 75,0 % bis 100,0 %, von 100,0 % bis 125,0 %, der Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd.
In einigen Ausführungsformen liegt ein Maximalwert der Querschnittsbreite csw in einem Bereich von 12,5 % bis 150 %, beispielsweise von 12,5 % bis 25,0 %, von 25,0 % bis 50,0 %, von 50,0 % bis 75,0 %, von 75,0 % bis 100,0 %, von 100,0 % bis 125,0 % oder von 125,0 % bis 150,0 %, einer Linienbreite Iw der jeweiligen Maschenlinie RML. Optional liegt der Maximalwert der Querschnittsbreite csw in einem Bereich von 75 % bis 125 %, beispielsweise von 75,0 % bis 100,0 %, von 100,0 % bis 125,0 %, der Linienbreite Iw der jeweiligen Maschenlinie RML.
In einem Beispiel hat die jeweilige Maschenlinie RML eine Linienbreite Iw von 4 µm und eine Dicke tml von 700 nm. Die erste Isolierschicht IN1 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die optisch transparente Klebstoffschicht OCA hat einen Brechungsindex von 1,6. Die zweite Isolierschicht IN2 hat einen Brechungsindex von 1,53. Der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP hat eine halbelliptische Form mit einem Kurzachsenradius (entspricht einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw) von 4 µm. Die jeweilige vorstehende Struktur RPD hat einen Brechungsindex von 1,65. 4 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einer Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung. Unter Bezugnahme auf 4 stellt die Kurve A die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind; die Kurve B stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP einen Längsachsenradius (entspricht einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd) von 4 µm aufweist; die Kurve C stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP einen Längsachsenradius von 3 µm aufweist; die Kurve D stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP Längsachsenradius von 2 µm aufweist; die Kurve E stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP Längsachsenradius von 1 µm aufweist; und die Kurve F stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP einen Längsachsenradius von 0,5 µm aufweist.
Die Lichtdurchlässigkeit in der Kurve E ist niedriger als die Lichtdurchlässigkeit in der Kurve A, wobei die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen in der Maschenstruktur nicht vorhanden sind, was anzeigt, dass der Längsachsenradius der halbelliptischen Form (entspricht einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd) in einem bestimmten Bereich gehalten werden sollte, um die Lichtdurchlässigkeit effektiv zu verbessern.
In einigen Ausführungsformen liegt eine Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd in einem Bereich von 25 % bis 175 %, beispielsweise von 25,0 % bis 50,0 %, von 50,0 % bis 75,0 %, von 75,0 % bis 100,0 %, von 100,0 % bis 125,0 %, von 125,0 % bis 150,0 % oder von 150,0 % bis 175,0 %, eines Maximalwerts der Querschnittsbreite csw. Optional liegt die Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd in einem Bereich von 75 % bis 125 %, beispielsweise von 75,0 % bis 100,0 %, von 100,0 % bis 125,0 %, des Maximalwerts des Querschnittsbreite cw.
In einigen Ausführungsformen liegt eine Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd in einem Bereich von 25 % bis 175 %, beispielsweise von 25,0 % bis 50,0 %, von 50,0 % bis 75,0 %, von 75,0 % bis 100,0 %, von 100,0 % bis 125,0 %, von 125,0 % bis 150,0 % oder von 150,0 % bis 175,0 %, einer Linienbreite Iw der jeweiligen Maschenlinie RML. Optional liegt die Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd in einem Bereich von 75 % bis 125 %, beispielsweise von 75,0 % bis 100,0 %, von 100,0 % bis 125,0 %, der Linienbreite Iw der jeweiligen Maschenlinie RML.
Unter Bezugnahme auf 1D und 1E umfasst in einigen Ausführungsformen die Maschenstruktur ferner eine zweite Isolierschicht IN2 in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen (z. B. der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD). Optional umfasst die Maschenstruktur ferner eine optisch transparente Klebstoffschicht OCA, die die erste Isolierschicht IN1 und die zweite Isolierschicht IN2 miteinander verklebt.
In einem Beispiel hat die jeweilige Maschenlinie RML eine Linienbreite Iw von 4 µm und eine Dicke tml von 700 nm. Die erste Isolierschicht IN1 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die optisch transparente Klebstoffschicht OCA hat einen Brechungsindex von 1,6. Der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP hat eine halbelliptische Form mit einem Kurzachsendurchmesser (entspricht einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw) von 4 µm und einem Längsachsenradius (entspricht eine Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd) von 4 µm. Die jeweilige vorstehende Struktur RPD hat einen Brechungsindex von 1,65. Die erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und die zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP sind um einen Abstand von Null beabstandet. 5 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einem Brechungsindex einer zweiten Isolierschicht. Unter Bezugnahme auf 5 stellt die Kurve A die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind; die Kurve B stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die zweite Isolierschicht IN2 aus einem zyklischen Olefin-Copolymermaterial mit einem Brechungsindex von 1,53 besteht; die Kurve C stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die zweite Isolierschicht IN2 aus Siliziumoxid mit einem Brechungsindex von 1,45 besteht; und die Kurve C stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die zweite Isolierschicht IN2 aus Siliziumnitrid mit einem Brechungsindex von 2,0 besteht.
Wie in 5 gezeigt, kann, wenn der Brechungsindex der zweiten Isolierschicht IN2 ähnlich dem Brechungsindex der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD ist (z. B. die Kurve B und die Kurve C), die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur im Vergleich zu die Maschenstruktur, bei der die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind, erheblich verbessert werden. Wenn die Differenz zwischen dem Brechungsindex der zweiten Isolierschicht IN2 und dem Brechungsindex der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD einen bestimmten Wert überschreitet (z. B. die Kurve D), folgt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur demselben Trend der Variation über den Wellenlängenbereich, jedoch mit einer viel intensiveren Resonanz der Oszillationsspitze. Dieses Phänomen wird durch einen stärkeren Abschneideeffekt des Fabry-Perot-Hohlraums aufgrund der großen Differenz zwischen dem Brechungsindex der zweiten Isolierschicht IN2 und dem Brechungsindex der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD verursacht.
In einem Beispiel hat die jeweilige Maschenlinie RML eine Linienbreite Iw von 4 µm und eine Dicke tml von 700 nm. Die erste Isolierschicht IN1 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die zweite Isolierschicht IN2 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die optisch transparente Klebstoffschicht OCA hat einen Brechungsindex von 1,6. Der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP hat eine halbelliptische Form mit einem Kurzachsendurchmesser (entspricht einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw) von 4 µm und einem Längsachsenradius (entspricht eine Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd) von 4 µm. Die erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und die zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP sind um einen Abstand von Null beabstandet. 6 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einem Brechungsindex einer jeweiligen vorstehenden Struktur. Unter Bezugnahme auf 6 stellt die Kurve A die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind; die Kurve B stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die jeweilige vorstehende Struktur RPD einen Brechungsindex von 1,65 aufweist; die Kurve C stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die jeweilige vorstehende Struktur RPD aus Siliziumnitrid mit einem Brechungsindex von 2,0 besteht.
Wie in 6 gezeigt, kann, wenn der Brechungsindex der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD ähnlich dem Brechungsindex der zweiten Isolierschicht IN2 ist (z. B. die Kurve B), die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur im Vergleich zu der Maschenstruktur, bei der die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind, erheblich verbessert werden. Wenn die Differenz zwischen dem Brechungsindex der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD und dem Brechungsindex der zweiten Isolierschicht IN2 einen bestimmten Wert überschreitet (z. B. die Kurve C), folgt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur demselben Trend der Variation über den Wellenlängenbereich, jedoch mit einer viel intensiveren Resonanz der Oszillationsspitze. Dieses Phänomen wird durch einen stärkeren Abschneideeffekt des Fabry-Perot-Hohlraums aufgrund der großen Differenz zwischen dem Brechungsindex der zweiten Isolierschicht IN2 und dem Brechungsindex der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD verursacht.
In einigen Ausführungsformen ist eine Differenz zwischen einem Brechungsindex der zweiten Isolierschicht und dem Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen gleich oder kleiner als 0,2, z. B. kleiner als 0,15, kleiner als 0,10 oder kleiner als 0,05.
Die vorliegende Offenbarung kann mit verschiedenen geeigneten Formen für die jeweilige vorstehende Struktur RPD realisiert werden. Beispiele für geeignete Formen umfassen eine Ellipsoidstumpfform, eine Kegelstumpfform, eine Pyramidenstumpfform, eine Pyramidenform, eine polygonale Pyramidenform, eine Linsenform, eine Kegelform, eine polygonale Kegelform, eine Halbkugelform und so weiter. Optional hat die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine Ellipsoidstumpfform, z. B. eine halbelliptische Form. Der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP kann verschiedene geeignete Formen aufweisen, einschließlich einer Ellipsenstumpfform (z. B. einer halbelliptischen Form), einer trapezförmigen Form, eines stumpfen Kreises (z. B. eines Halbkreises).
In einem Beispiel hat die jeweilige Maschenlinie RML eine Linienbreite Iw von 4 µm und eine Dicke tml von 700 nm. Die erste Isolierschicht IN1 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die optisch transparente Klebstoffschicht OCA hat einen Brechungsindex von 1,6. Die zweite Isolierschicht IN2 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die jeweilige vorstehende Struktur RPD hat einen Brechungsindex von 1,65. Die erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und die zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP sind um einen Abstand von Null beabstandet. 7 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einer Form der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD. Unter Bezugnahme auf 7 stellt die Kurve A die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind; die Kurve B stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine Ellipsoidstumpfform und einen Querschnitt von die jeweilige vorstehende Struktur RPD entlang der Ebene ISP hat eine halbelliptische Form, mit einem Kurzachsendurchmesser (entspricht einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw) von 4 µm und einem Längsachsenradius (entspricht einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd) von 4 µm; die Kurve C stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine Pyramidenstumpfform hat, mit einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw von 4 µm, einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd von 1 µm und einem Mindestwert der Querschnittsbreite von 1 µm; die Kurve D stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine Pyramidenform hat, mit einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw von 4 µm, einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd von 1 µm und einem Mindestwert der Querschnittsbreite von 0 µm.
Wie in 7 gezeigt, kann, wenn die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine Ellipsoidstumpfform hat, die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur im Vergleich zu der Maschenstruktur, bei der die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind, erheblich verbessert werden. Wenn die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine andere Form als die Ellipsoidstumpfform hat, kann die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur immer noch verbessert werden, jedoch mit einer viel intensiveren Resonanz der Oszillationsspitze. Dieses Phänomen wird durch einen stärkeren Abschneidungseffekt des Fabry-Perot-Hohlraums aufgrund einer Oberfläche verursacht, die nicht kontinuierlich glatt übergeht, z. B. nicht kontinuierlich glatt gekrümmt ist. Beispielsweise umfasst eine Oberfläche in einer Pyramidenstumpfform oder einer Pyramidenform mehrere Seitenflächen. Benachbarte Seitenflächen bilden eine Kante, die zwei benachbarte Seitenflächen trennt. Deshalb erfährt bei einer Pyramidenstumpfform oder einer Pyramidenform eine Krümmung der Form in mindestens einem Bereich der Oberfläche eine abrupte Änderung.
In einigen Ausführungsformen weist die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine kontinuierlich gekrümmte vorstehende Oberfläche auf. Optional weist die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine kontinuierlich glatt gekrümmte vorstehende Oberfläche auf, beispielsweise eine paraboloide Oberfläche. Optional ist eine Krümmung der kontinuierlich glatt gekrümmten vorstehenden Oberfläche entweder konstant oder erfährt nur graduelle Änderungen über die gesamte Oberfläche.
Unter Bezugnahme auf 1E befindet sich in einigen Ausführungsformen die zweite Isolierschicht IN2 zwischen der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen (z. B. einschließlich der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD) und der ersten Isolierschicht IN1.
8 ist eine Querschnittsansicht einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 8 befinden sich in einigen Ausführungsformen die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen (z. B. einschließlich der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD) zwischen der zweiten Isolierschicht IN2 und der ersten Isolierschicht IN1. Unter Bezugnahme auf 1B und 8 nimmt in einigen Ausführungsformen eine Querschnittsbreite csw eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang einer Ebene ISP, die die jeweilige vorstehende Struktur RPD und die jeweilige Maschenlinie RML schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung Dlg der jeweiligen Maschenlinie RML ist, entlang einer vorstehenden Richtung Dpd von der zweiten Seite S2 zur ersten Seite S1 ab.
In einem Beispiel hat die jeweilige Maschenlinie RML eine Linienbreite Iw von 4 µm und eine Dicke tml von 700 nm. Die erste Isolierschicht IN1 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die optisch transparente Klebstoffschicht OCA hat einen Brechungsindex von 1,6. Die zweite Isolierschicht IN2 hat einen Brechungsindex von 1,53. Der Querschnitt der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der Ebene ISP hat eine halbelliptische Form mit einem Kurzachsendurchmesser (entspricht einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw) von 4 µm und einem Längsachsenradius (entspricht eine Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd) von 4 µm. Die jeweilige vorstehende Struktur RPD hat einen Brechungsindex von 1,65. Die erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und die zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP sind um einen Abstand von Null beabstandet. 9 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einer Position einer jeweiligen vorstehenden Struktur. Unter Bezugnahme auf 9 stellt die Kurve A die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind; die Kurve B stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die zweite Isolierschicht IN2 zwischen der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen (z. B. einschließlich der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD) und der ersten Isolierschicht IN1 liegt; und die Kurve C stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen (z. B. einschließlich der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD) zwischen der zweiten Isolierschicht IN2 und der ersten Isolierschicht IN1 liegen. Unter Bezugnahme auf 9 gezeigt, kann die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur im Vergleich zu der Maschenstruktur, bei der die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind, erheblich verbessert werden, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die zweite Isolierschicht IN2 zwischen der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen und der ersten Isolierschicht IN1 liegt, oder wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen zwischen der zweiten Isolierschicht IN2 und der ersten Isolierschicht IN1 liegen.
In einem Beispiel hat die jeweilige Maschenlinie RML eine Linienbreite Iw von 4 µm und eine Dicke tml von 700 nm. Die erste Isolierschicht IN1 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die optisch transparente Klebstoffschicht OCA hat einen Brechungsindex von 1,6. Die zweite Isolierschicht IN2 hat einen Brechungsindex von 1,53. Die jeweilige vorstehende Struktur RPD hat einen Brechungsindex von 1,65. Die erste Mittellinie Pcl1 einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD auf die Projektionsebene PP und die zweite Mittellinie Pcl2 einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP sind um einen Abstand von Null beabstandet. 10 zeigt eine Korrelation zwischen der Lichtdurchlässigkeit und einer Form sowie einer Position einer jeweiligen vorstehenden Struktur. Unter Bezugnahme auf 10 stellt die Kurve A die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind; die Kurve B stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind, die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine Ellipsoidstumpfform hat und der Querschnitt von die jeweilige vorstehende Struktur RPD entlang der Ebene ISP eine halbelliptische Form hat, mit einem Kurzachsendurchmesser (entspricht einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw) von 4 µm und einem Längsachsenradius (entspricht einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd) von 4 µm, und die zweite Isolierschicht IN2 zwischen der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen und der ersten Isolierschicht IN1 liegt. Die Kurve C stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine Pyramidenstumpfform hat, mit einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw von 4 µm, einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd von 1 µm und einem Mindestwert der Querschnittsbreite von 1 µm, und die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen zwischen der zweiten Isolierschicht IN2 und der ersten Isolierschicht IN1 liegen. Die Kurve D stellt die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur für Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 0,40 µm bis 0,68 µm dar, wenn die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen vorhanden sind und die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine Pyramidenform hat, mit einem Maximalwert der Querschnittsbreite csw von 4 µm, einer Dicke tpd der jeweiligen vorstehenden Struktur RPD entlang der vorstehenden Richtung Dpd von 1 µm und einem Mindestwert der Querschnittsbreite von 0 µm, und die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen zwischen der zweiten Isolierschicht IN2 und der ersten Isolierschicht IN1 liegen.
Wie in 10 gezeigt, kann, wenn die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine Ellipsoidstumpfform aufweist, die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur im Vergleich zu der Maschenstruktur, bei der die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen nicht vorhanden sind, erheblich verbessert werden. Wenn die jeweilige vorstehende Struktur RPD eine andere Form als die Ellipsoidstumpfform hat, kann die Lichtdurchlässigkeit der Maschenstruktur immer noch verbessert werden, jedoch mit einer viel intensiveren Resonanz der Oszillationsspitze. Dieses Phänomen wird durch einen stärkeren Abschneidungseffekt des Fabry-Perot-Hohlraums aufgrund einer Oberfläche verursacht, die nicht kontinuierlich glatt übergeht, z. B. nicht kontinuierlich glatt gekrümmt ist. Beispielsweise umfasst eine Oberfläche in einer Pyramidenstumpfform oder einer Pyramidenform mehrere Seitenflächen. Benachbarte Seitenflächen bilden eine Kante, die zwei benachbarte Seitenflächen trennt. Deshalb erfährt bei einer Pyramidenstumpfform oder einer Pyramidenform eine Krümmung der Form in mindestens einem Bereich der Oberfläche eine abrupte Änderung.
Unter Bezugnahme auf 1A und 1B gezeigt, umfassen in einigen Ausführungsformen die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen PDS eine Vielzahl von Vorsprüngen, die voneinander beabstandet sind. Eine orthographische Projektion eines jeweiligen der Vielzahl von Vorsprüngen auf die Projektionsebene PP überlappt sich zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion eines Teils der einen oder mehreren Maschenlinien ML auf die Projektionsebene PP.
11 ist eine perspektivische Ansicht eines Teils einer Maschenstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 11 umfassen in einigen Ausführungsformen die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen PDS einen durchgehenden vorstehenden Steg CPR. Eine orthographische Projektion des durchgehenden vorstehenden Stegs CPR auf die Projektionsebene PP überlappt sich zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie RML auf die Projektionsebene PP.
In einem weiteren Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung eine elektronische Vorrichtung bereit. Die elektronische Vorrichtung umfasst eine hierin beschriebene oder durch ein hierin beschriebenes Verfahren hergestellte Maschenstruktur und eine Halbleiterkomponente. Beispiele für geeignete elektronische Vorrichtungen umfassen, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein, eine Berührungssteuerungsstruktur, eine Anzeigevorrichtung, einen Computer, ein Tablet, einen Mediaplayer, ein Mobiltelefon, ein Spielgerät, einen Fernseher und einen Monitor.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung eine Berührungssteuerungsstruktur bereit. Die Berührungssteuerungsstruktur umfasst eine hierin beschriebene oder durch ein hierin beschriebenes Verfahren hergestellte Maschenstruktur. In einigen Ausführungsformen sind die eine oder mehreren Maschenlinien eine oder mehrere Maschenlinien von Berührungselektroden der Berührungssteuerungsstruktur.
12A ist ein schematische Darstellung, das eine oder mehrere Maschenlinien in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt. 12B ist ein schematische Darstellung, das eine oder mehrere vorstehende Strukturen in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt. 12C ist ein schematische Darstellung, das eine oder mehrere Maschenlinien und eine oder mehrere vorstehende Strukturen in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt. Unter Bezugnahme auf 12A bis 12C enthalten in einigen Ausführungsformen die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen PDS eine Vielzahl von Vorsprüngen. Die Vielzahl von Vorsprüngen sind in einem Array angeordnet. Wie in 12C gezeigt, überlappt sich eine orthographische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur auf einen Basissubstrat zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion eines Teils der einen oder mehreren Maschenlinien ML auf den Basissubstrat.
12D ist ein schematische Darstellung, das einen durchgehenden vorstehenden Steg in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt. 12E ist ein schematische Darstellung, das eine oder mehrere Maschenlinien und eine oder mehrere vorstehende Strukturen in einer Berührungssteuerungsstruktur in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt. Unter Bezugnahme auf 12A sowie 12D bis 12E, umfassen in einigen Ausführungsformen die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen einen durchgehenden vorstehenden Steg CPR. Wie in 12E gezeigt, überlappt sich eine orthographische Projektion des durchgehenden vorstehenden Stegs CPR auf einen Basissubstrat zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie RML auf den Basissubstrat.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ein Anzeigetafel bereit. In einigen Ausführungsformen enthält das Anzeigetafel lichtemittierende Elemente; und die hierin beschriebene oder durch ein hierin beschriebenes Verfahren hergestellte Maschenstruktur. Die eine oder mehreren Maschenlinien befinden sich auf einer von den lichtemittierenden Elementen abgewandten Seite der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen. Die durch die vorliegende Offenbarung bereitgestellte Maschenstruktur verbessert erheblich die Lichtdurchlässigkeit des Anzeigetafels, wie oben beschrieben.
In einem weiteren Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung eine Anzeigevorrichtung bereit. In einigen Ausführungsformen umfasst die Anzeigevorrichtung eine Anzeigetafel, die die hierin beschriebene Maschenstruktur oder die durch ein hierin beschriebenes Verfahren hergestellte Maschenstruktur aufweist; und eine integrierte Schaltung, die mit dem Anzeigetafel verbunden ist. Beispiele für geeignete Anzeigevorrichtungen umfassen, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein, ein elektronisches Papier, ein Mobiltelefon, einen Tablet-Computer, einen Fernseher, einen Monitor, einen Notebook-Computer, ein digitales Album, ein GPS usw. Optional ist die Anzeigevorrichtung eine Anzeigevorrichtung mit organischen Leuchtdioden. Optional ist die Anzeigevorrichtung eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ein Verfahren zur Verbesserung der Lichtdurchlässigkeit in einer Anzeigetafel bereit, die eine Maschenstruktur aufweist, die eine oder mehrere Maschenlinien umfasst. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zur Verbesserung der Lichtdurchlässigkeit das Bereitstellen der einen oder mehreren Maschenlinien auf einer ersten Seite einer ersten Isolierschicht; Bereitstellen einer oder mehrerer vorstehender Strukturen auf einer zweiten Seite der ersten Isolierschicht, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt; und Beugen von Licht, das von lichtemittierenden Elementen der Anzeigetafel emittiert wird, durch die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen, um die Lichtdurchlässigkeit der Anzeigetafel zu verbessern. Optional überlappt sich eine orthografische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur auf eine Projektionsebene, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht enthält, zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene. Optional ist ein Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen größer als ein Brechungsindex der ersten Isolierschicht. Optional nimmt eine Querschnittsbreite eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang einer Ebene, die die jeweilige vorstehende Struktur und die jeweilige Maschenlinie schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung der jeweiligen Maschenlinie ist, entlang einer vorstehenden Richtung von der ersten Seite zur zweiten Seite ab.
In einem anderen Aspekt stellt die vorliegende Offenbarung ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur bereit. In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren das Bilden einer oder mehrerer Maschenlinien auf einer ersten Seite einer ersten Isolierschicht; und Bilden einer oder mehrerer vorstehender Strukturen auf einer zweiten Seite der ersten Isolierschicht, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt. Optional überlappt sich eine orthografische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur auf eine Projektionsebene, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht enthält, zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene. Optional ist ein Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen größer als ein Brechungsindex der ersten Isolierschicht. Optional nimmt eine Querschnittsbreite eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang einer Ebene, die die jeweilige vorstehende Struktur und die jeweilige Maschenlinie schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung der jeweiligen Maschenlinie ist, entlang einer vorstehenden Richtung von der ersten Seite zur zweiten Seite ab.
Optional sind eine erste Mittellinie einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur auf die Projektionsebene und eine zweite Mittellinie einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene um einen Abstand voneinander beabstandet, der in einem Bereich von 0 bis 75 % einer Linienbreite der jeweiligen Maschenlinie liegt.
Optional sind eine erste Mittellinie einer orthographischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur auf die Projektionsebene und eine zweite Mittellinie einer orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene um einen Abstand voneinander beabstandet, der in einem Bereich von 0 bis 75 % eines Maximalwerts der Querschnittsbreite liegt.
Optional sind die erste Mittellinie und die zweite Mittellinie im Wesentlichen parallel zur Längsrichtung.
Optional liegt ein Maximalwert der Querschnittsbreite in einem Bereich von 12,5 % bis 150 % einer Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung.
Optional liegt der Maximalwert der Querschnittsbreite in einem Bereich von 75 % bis 125 % der Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung.
Optional liegt eine Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung in einem Bereich von 25 % bis 175 % eines Maximalwerts der Querschnittsbreite.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren ferner das Bilden einer zweiten Isolierschicht. Die zweite Isolierschicht wird dazu gebildet, in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen zu stehen. Optional ist die Differenz zwischen einem Brechungsindex der zweiten Isolierschicht und dem Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen gleich oder kleiner als 0,2.
Optional ist die jeweilige vorstehende Struktur mit einer kontinuierlich gekrümmten vorstehenden Oberfläche gebildet. Optional ist die jeweilige vorstehende Struktur mit einer kontinuierlich glatt gekrümmten vorstehenden Oberfläche gebildet.
Optional weist die jeweilige vorstehende Struktur eine Ellipsoidstumpfform auf.
Optional werden die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen unter Verwendung eines optisch transparenten Materials gebildet.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren ferner das Bilden einer zweiten Isolierschicht und das Bilden einer optisch transparenten Klebstoffschicht. Die zweite Isolierschicht wird dazu gebildet, in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen zu stehen. Die optisch transparente Klebstoffschicht wird dazu gebildet, die erste Isolierschicht und die zweite Isolierschicht miteinander zu verkleben.
Optional wird die zweite Isolierschicht zwischen der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen und der ersten Isolierschicht gebildet.
Optional werden die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen zwischen der zweiten Isolierschicht und der ersten Isolierschicht gebildet.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen das Bilden einer Vielzahl von Vorsprüngen. Optional überlappt sich eine orthografische Projektion eines jeweiligen der Vielzahl von Vorsprüngen auf die Projektionsebene zumindest teilweise mit der orthografischen Projektion eines Teils der einen oder mehreren Maschenlinien auf die Projektionsebene.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen das Bilden eines durchgehenden vorstehenden Stegs. Optional überlappt sich eine orthographische Projektion des durchgehenden vorstehenden Stegs auf die Projektionsebene zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene.
13 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 13 umfasst in einigen Ausführungsformen das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen Bilden einer Formplatte MP mit mehreren ersten Mikrohohlräumen MC1, wobei die mehreren ersten Mikrohohlräume MC1 ein gleiches Muster wie eine Vielzahl von Vorsprüngen der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen aufweisen. In einigen Ausführungsformen umfasst das Bilden der Formplatte Bilden (z. B. Schleuderbeschichten) einer zweiten Photolackschicht PS2 auf einem ätzbaren Basissubstrat EBS; Belichten (z. B. Elektronenstrahllithographie) und Entwickeln der zweiten Photoresistschicht PS2, um ein Muster zu bilden; Ätzen (z. B. durch tiefes reaktives lonenätzen) des ätzbaren Basissubstrats EBS, um mehrere Mikrohohlräume MC in dem ätzbaren Basissubstrat EBS zu bilden, wobei die mehreren Mikrohohlräume MC ein gleiches Muster wie eine Vielzahl von Vorsprüngen der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen aufweisen; Platzieren eines schmelzbaren Substrats (z. B. eines Glassubstrats) auf dem ätzbaren Basissubstrat EBS, um die mehreren Mikrohohlräume MC abzudecken; Bilden eines geschmolzenen Substrats FS mit einer Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1 durch thermisches Schmelzen (optional mit einem Wärmerückflussprozess) des schmelzbaren Substrats, um ein schmelzbares Material des schmelzbaren Substrats in die mehreren Mikrohohlräume MC hineinragen zu lassen; Trennen des geschmolzenen Substrats FS von dem ätzbaren Basissubstrat EBS; Bilden einer flexiblen Polymermaterialschicht FML auf dem verschmolzenen Substrat FS, wobei die flexible Polymermaterialschicht in direktem Kontakt mit der Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1 steht; und Trennen der flexiblen Polymermaterialschicht FML von dem verschmolzenen Substrat FS, wodurch die Formplatte MP mit mehreren ersten Mikrohohlräumen MC1 gebildet wird. Das Verfahren umfasst ferner Bilden einer ersten Photoresistschicht PS1 auf der Formplatte MP, wobei ein Photoresistmaterial der ersten Photoresistschicht PS1 die mehreren ersten Mikrohohlräume MC1 füllt; Bonden eines Basissubstrats BS an die erste Photoresistschicht PS1 auf einer von der Formplatte MP abgewandten Seite der ersten Photoresistschicht PS1; und Trennen der Formplatte MP von der ersten Fotolackschicht PS1, wodurch die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen PDS gebildet werden, die die Vielzahl von Vorsprüngen PD umfassen.
Das in 13 gezeigte Beispiel ist besonders geeignet für das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen auf einem Basissubstrat, das nicht hochgradig hitzebeständig ist, beispielsweise einem Basissubstrat, das aus einem organischen Material wie einem Polymermaterial besteht.
14 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. 15 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 14 und 15 umfasst das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen in einigen Ausführungsformen Bilden (z. B. Schleuderbeschichten) einer Fotolackschicht PS auf einem Basissubstrat BS; Belichten (z. B. Elektronenstrahllithographie) und Entwickeln der Fotoresistschicht PS, um einer Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1 mit einem Fotoresistmaterial auf dem Basissubstrat BS zu bilden, wobei die Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1 ein gleiches Muster wie eine Vielzahl von Vorsprüngen der einen oder mehr vorstehenden Strukturen aufweist; und Erhitzen der Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1 nach dem Abkühlen der Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1, um Formen der Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1 zu modifizieren, wodurch die Vielzahl von Vorsprüngen PD der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen gebildet wird.
In 14 bleiben während der Heiz- und Kühlprozesse die Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1 oben auf dem Basissubstrat BS. Das in 14 gezeigte Beispiel ist besonders geeignet für das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen mit einer relativ geringen Dicke. In 15 wird während der Heiz- und Kühlprozesse das Basissubstrat BS auf den Kopf gestellt, und die Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1 ist nach unten gerichtet. Durch die Wirkung der Schwerkraft wird die Vielzahl von ersten Vorsprüngen PD1 verlängert, wodurch die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen mit einer relativ großen Dicke gebildet werden.
Die in 14 und 15 gezeigten Beispiele sind besonders geeignet für das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen auf einem Basissubstrat, das hochgradig hitzebeständig ist, beispielsweise einem Basissubstrat, das aus einem anorganischen Material wie Siliziumoxid oder einem hitzebeständigen organischen Material besteht.
16 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 16 umfasst in einigen Ausführungsformen das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen Bilden (z. B. durch plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung) einer dielektrischen Materialschicht DML auf einem Basissubstrat BS; Bilden (z. B. durch Aufschleudern) einer Photolackschicht PS auf einer vom Basissubstrat BS abgewandten Seite der dielektrischen Materialschicht DML; Belichten (z. B. Elektronenstrahllithographie) und Entwickeln der Photoresistschicht PS; sowie Ätzen (z. B. durch Ätzen mit induktiv gekoppeltem Plasma) der dielektrischen Materialschicht DML, um eine Viehzahl von Vorsprüngen PD der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen zu bilden.
Das in 16 gezeigte Beispiel ist besonders geeignet für das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen bestehend aus einem starren Material und ist besonders geeignet für das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen mit einer jeweiligen vorstehenden Struktur in einer Kegelstumpfform oder einer Pyramidenstumpfform.
17 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 17 umfasst das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen in einigen Ausführungsformen Bilden (z. B. durch Schleuderbeschichten) einer ersten Fotolackschicht PS1 auf einem Basissubstrat BS; Bilden (z. B. durch Aufschleudern) einer zweiten Fotolackschicht PS2 auf einer vom Basissubstrat BS abgewandten Seite der ersten Fotolackschicht PS1; Bilden (z. B. durch Sputtern) einer Abhebematerialschicht LOM auf einer von der ersten Fotolackschicht PS1 abgewandten Seite der zweiten Photoresistschicht PS2; Belichten (z. B. Elektronenstrahllithographie) und Entwickeln der ersten Fotolackschicht PS1 und der zweiten Fotolackschicht PS2, wobei die erste Fotolackschicht PS1 mit einer Rate belichtet wird, die größer als eine Belichtungsrate der zweiten Fotolackschicht PS2 ist, wodurch die mehreren Mikrohohlräume MC gebildet werden; Abscheiden (z. B. durch plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung) eines dielektrischen Materials DM auf dem Basissubstrat BS, wobei ein Teil des dielektrischen Materials DM auf einer verbleibenden Abhebematerialschicht RLO abgeschieden wird, wobei ein Teil des dielektrischen Materials DM in den mehreren Mikrohohlräumen MC abgeschieden wird; Abheben eines dielektrischen Materials, das auf der verbleibenden Abhebematerialschicht RLO abgeschieden ist; und Entfernen von verbleibendem Photolackmaterial, wodurch eine Vielzahl von Vorsprüngen PD der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen gebildet wird.
Das in 17 gezeigte Beispiel ist besonders geeignet für das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen bestehend aus einem starren Material und ist besonders geeignet für das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen mit einer jeweiligen vorstehenden Struktur in einer Kegelstumpfform oder einer Pyramidenstumpfform. Insbesondere kann die jeweilige vorstehende Struktur gemäß dem in 7 zeigten Verfahren so hergestellt werden, dass sie einen großen Unterschied zwischen einer Fläche einer oberen Oberfläche und einer Fläche einer unteren Oberfläche aufweist.
18 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur in einer elektronischen Vorrichtung in einigen Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung. Unter Bezugnahme auf 18 umfasst das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen in einigen Ausführungsformen Bilden (z. B. durch plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung) einer dielektrischen Materialschicht DML auf einem Basissubstrat BS; Bilden (z. B. durch Aufschleudern) einer Prägeklebstoffschicht EBL auf einer von dem Basissubstrat BS abgewandten Seite der dielektrischen Materialschicht DML; Nanoprägen der Prägeklebstoffschicht, um eine Vielzahl von Mikrohohlräumen MC zu bilden; Entfernen (z. B. durch induktiv gekoppeltes Plasmaätzen) eines Prägeklebstoffmaterials in der Vielzahl von Mikrohohlräumen MC, wodurch eine verbleibende Prägeklebstoffmaterialschicht REB gebildet wird; sowie Ätzen (z. B. durch Ätzen mit induktiv gekoppeltem Plasma) der dielektrischen Materialschicht DML unter Verwendung der verbleibenden Prägeklebstoffmaterialschicht REB als Maskenplatte, wodurch eine Vielzahl von Vorsprüngen PD der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen gebildet wird.
Das in 18 gezeigte Beispiel ist besonders geeignet für das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen bestehend aus einem starren Material und ist besonders geeignet für das Bilden der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen mit einer jeweiligen vorstehenden Struktur mit einer Kegelstumpfform oder einer Pyramidenstumpfform. Der in 18 gezeigte Herstellungsprozess ist hocheffizient und für die Großserienfertigung geeignet.
Verschiedene geeignete Materialien und verschiedene geeignete Herstellungsverfahren können zum Herstellen der einen oder mehreren Maschenlinien verwendet werden. Beispielsweise kann ein leitfähiges Material durch einen Prozess der plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) auf dem Substrat abgeschieden werden. Beispiele für geeignete metallische Materialien zur Herstellung der einen oder mehreren Maschenlinien umfassen metallische Materialien wie Aluminium, Kupfer, Silber und Gold; Kohlenstoffnanoröhren; und Graphen. Optional hat die Maschenlinie eine Linienbreite in einem Bereich von 2,0 µm bis 6,0 µm, beispielsweise von 2,0 µm bis 3,0 µm, von 3,0 µm bis 4,0 µm, von 4,0 µm bis 5,0 µm oder von 5,0 µm bis 6,0 µm. Optional hat die Maschenlinie eine Linienbreite von 4,0 µm.
Zur Herstellung der ersten Isolierschicht können verschiedene geeignete Materialien verwendet werden. Beispiele für geeignete metallische Materialien zur Herstellung der ersten Isolierschicht umfassen Siliziumoxid, Siliziumnitrid, zyklisches Olefin-Copolymer, Polyimid und Polyethylenterephthalat.
Zur Herstellung der zweiten Isolierschicht können verschiedene geeignete Materialien verwendet werden. Beispiele für geeignete metallische Materialien zur Herstellung der ersten Isolierschicht umfassen Siliziumoxid, Siliziumnitrid, zyklisches Olefin-Copolymer, Polyimid und Polyethylenterephthalat.
Zur Herstellung der zweiten Isolierschicht können verschiedene geeignete Materialien verwendet werden. Beispiele für geeignete metallische Materialien zur Herstellung der zweiten Isolierschicht umfassen Siliziumoxid, Siliziumnitrid, zyklisches Olefin-Copolymer, Polyimid und Polyethylenterephthalat.
Verschiedene geeignete Materialien können zur Herstellung der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen verwendet werden. Beispiele für geeignete metallische Materialien zur Herstellung der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen umfassen Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Polydimethylsiloxan, Polystyrol und Photoresistmaterialien (z. B. SU-8-Photoresist). Optional werden die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen unter Verwendung eines optisch transparenten Isoliermaterials gebildet.
Die vorstehende Beschreibung der Ausführungsformen der Erfindung wurde zum Zweck der Veranschaulichung und Beschreibung dargestellt. Sie soll nicht erschöpfend sein oder die Erfindung auf die offenbarte genaue Form oder beispielhaften Ausführungsformen beschränken. Dementsprechend sollte die vorstehende Beschreibung als veranschaulichend und nicht als einschränkend betrachtet werden. Selbstverständlich sind viele Modifikationen und Variationen für den Fachmann offensichtlich. Die Ausführungsformen werden ausgewählt und beschrieben, um die Prinzipien der Erfindung und ihre beste Art der praktischen Anwendung zu erklären, wodurch es dem Fachmann ermöglicht wird, die erfindungsgemäßen verschiedenen Ausführungsformen sowie verschiedenen für die spezielle Verwendung oder Realisierung geeigneten Modifikationen zu verstehen. Es ist beabsichtigt, dass der Schutzumfang der Erfindung durch die beigefügten Ansprüche und deren Äquivalente definiert ist, in denen alle Begriffe in ihrem breitesten vernünftigen Sinn gemeint sind, sofern nichts anderes angegeben ist. Daher schränkt der Begriff „die Erfindung“, „die vorliegende Erfindung“ oder dergleichen den Umfang der Ansprüche nicht notwendigerweise auf eine bestimmte Ausführungsform ein, und die Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung impliziert keine Beschränkung der Erfindung und es ist keine solche Einschränkung zu folgern. Die Erfindung ist nur durch den Geist und Umfang der beigefügten Ansprüche definiert. Darüber hinaus können sich diese Ansprüche auf die Verwendung von „erster“, „zweiter“ usw. beziehen, gefolgt von einem Substantiv oder Element. Solche Begriffe sind als Nomenklatur zu verstehen und sollten nicht so ausgelegt werden, dass sie die Anzahl der durch eine solche Nomenklatur modifizierten Elemente einschränken, es sei denn, es wurde eine spezifische Zahl angegeben. Jede der beschriebenen Vorteile und Nutzen gilt möglicherweise nicht für alle Ausführungsformen der Erfindung. Es versteht sich, dass der Fachmann die beschriebenen Ausführungsformen abwandeln kann, ohne vom durch die beigefügten Ansprüche definierten Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Darüber hinaus soll kein Element und keine Komponente in der vorliegenden Offenbarung der Öffentlichkeit gewidmet sein, unabhängig davon, ob das Element oder die Komponente explizit in den beigefügten Ansprüchen erwähnt wird

Claims

Maschenstruktur, umfassend: eine erste Isolierschicht; eine oder mehrere Maschenlinien auf einer ersten Seite der ersten Isolierschicht; und eine oder mehrere vorstehende Strukturen auf einer zweiten Seite der ersten Isolierschicht, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt, wobei sich eine orthografische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur auf eine Projektionsebene, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht enthält, zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene überlappt, und wobei ein Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen größer als ein Brechungsindex der ersten Isolierschicht ist.
Maschenstruktur nach Anspruch 1, wobei eine Querschnittsbreite eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang einer Ebene, die die jeweilige vorstehende Struktur und die jeweilige Maschenlinie schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung der jeweiligen Maschenlinie ist, entlang einer vorstehenden Richtung von der ersten Seite zur zweiten Seite abnimmt.
Maschenstruktur nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei eine erste Mittellinie einer orthografischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur auf die Projektionsebene und eine zweite Mittellinie einer orthografischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene um einen Abstand voneinander beabstandet sind, der in einem Bereich von 0 bis 75 % einer Linienbreite der jeweiligen Maschenlinie liegt.
Maschenstruktur nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei eine erste Mittellinie einer orthografischen Projektion der jeweiligen vorstehenden Struktur auf die Projektionsebene und eine zweite Mittellinie einer orthografischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene um einen Abstand voneinander beabstandet sind, der in einem Bereich von 0 bis 75 % eines Maximalwerts der Querschnittsbreite liegt.
Maschenstruktur nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei die erste Mittellinie und die zweite Mittellinie im Wesentlichen parallel zur Längsrichtung sind.
Maschenstruktur nach Anspruch 2, wobei ein Maximalwert der Querschnittsbreite in einem Bereich von 12,5 % bis 150 % einer Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung liegt.
Maschenstruktur nach Anspruch 6, wobei der Maximalwert der Querschnittsbreite in einem Bereich von 75 % bis 125 % der Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung liegt.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei eine Dicke der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang der vorstehenden Richtung in einem Bereich von 25 % bis 175 % eines Maximalwerts der Querschnittsbreite liegt.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner umfassend eine zweite Isolierschicht in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen, wobei eine Differenz zwischen einem Brechungsindex der zweiten Isolierschicht und dem Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen gleich oder kleiner als 0,2 ist.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die jeweilige vorstehende Struktur eine kontinuierlich gekrümmte vorstehende Oberfläche aufweist.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die jeweilige vorstehende Struktur eine Ellipsoidstumpfform hat.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen ein optisch transparentes Material umfassen.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 12, ferner umfassend: eine zweite Isolierschicht in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen; und eine optisch transparente Klebstoffschicht, die die erste Isolierschicht und die zweite Isolierschicht miteinander verklebt.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 13, ferner umfassend eine zweite Isolierschicht in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen, wobei sich die zweite Isolierschicht zwischen der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen und der ersten Isolierschicht befindet.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 14, ferner umfassend eine zweite Isolierschicht in direktem Kontakt mit der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen, wobei sich die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen zwischen der zweiten Isolierschicht und der ersten Isolierschicht befinden.
Maschenstruktur nach Anspruch 15, wobei eine Querschnittsbreite eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang einer Ebene, die die jeweilige vorstehende Struktur und die jeweilige Maschenlinie schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung der jeweiligen Maschenlinie ist, entlang einer vorstehenden Richtung von der zweiten Seite zur ersten Seite abnimmt.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen eine Vielzahl von Vorsprüngen umfassen, und wobei sich eine orthographische Projektion eines jeweiligen der Vielzahl von Vorsprüngen auf die Projektionsebene zumindest teilweise mit der orthographischen Projektion eines Teils der einen oder mehreren Maschenlinien auf die Projektionsebene überlappt.
Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die eine oder mehreren vorstehenden Strukturen einen durchgehenden vorstehenden Steg umfassen, und wobei sich eine orthografische Projektion des durchgehenden vorstehenden Stegs auf die Projektionsebene zumindest teilweise mit der orthografischen Projektion der jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene überlappt.
Elektronische Vorrichtung, umfassend die Maschenstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 18 und eine Halbleiterkomponente.
Verfahren zur Herstellung einer Maschenstruktur, umfassend: Bilden einer oder mehrerer Maschenlinien auf einer ersten Seite einer ersten Isolierschicht; und Bilden einer oder mehrerer vorstehender Strukturen auf einer zweiten Seite der ersten Isolierschicht, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt, wobei sich eine orthografische Projektion einer jeweiligen vorstehenden Struktur auf eine Projektionsebene, die eine Oberfläche der ersten Isolierschicht enthält, zumindest teilweise mit einer orthografischen Projektion einer jeweiligen Maschenlinie auf die Projektionsebene überlappt, wobei ein Brechungsindex der einen oder mehreren vorstehenden Strukturen größer als ein Brechungsindex der ersten Isolierschicht ist, und wobei eine Querschnittsbreite eines Querschnitts der jeweiligen vorstehenden Struktur entlang einer Ebene, die die jeweilige vorstehende Struktur und die jeweilige Maschenlinie schneidet und senkrecht zu einer Längsrichtung der jeweiligen Maschenlinie ist, entlang einer vorstehenden Richtung von der ersten Seite zur zweite Seite abnimmt.