DE112004000235T5

DE112004000235T5 - Fotomasken-Rohling, Fotomaske und Bild-Übertragungsverfahren unter Verwendung einer Fotomaske

Info

Publication number: DE112004000235T5
Application number: DE112004000235T
Authority: DE
Inventors: Mitsuhiro Akishima Kureishi; Hideaki Fuchu Mitsui
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2003-02-03
Filing date: 2004-02-02
Publication date: 2006-01-12
Anticipated expiration: 2024-02-03
Also published as: KR101049624B1; KR101029162B1; JPWO2004070472A1; TW200424750A; JP4451391B2; JP2009163264A; DE112004000235B4; JP4907688B2; KR20100012872A; US20120034553A1; KR100960193B1; KR20090057316A; WO2004070472A1; TWI229780B; US20060057469A1; KR20050096174A

Abstract

Fotomasken-Rohling mit einem einlagigen oder mehrlagigen Licht abschirmenden Film, der hauptsächlich ein Metall enthält, auf einem lichtdurchlässigen Substrat, wobei der Fotomasken-Rohling einen Antireflexions-Film auf dem Licht abschirmenden Film aufweist, der wenigstens Silizium und Sauerstoff und/oder Stickstoff enthält.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Fotomaske, die bei der Herstellung einer integrierten Halbleiter-Schaltung verwendet wird, eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung oder dergleichen, einen Fotomasken-Rohling, der eine Original- bzw. Ursprungsplatte der Fotomaske ist, und ein Bild-Übertragungsverfahren unter Verwendung der Fotomaske.

Technischer Hintergrund

Bei der Herstellung einer integrierten Halbleiter-Schaltung, einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung oder dergleichen, wird ein fotolitographisches Verfahren unter Verwendung einer Fotomaske in einem Mikroherstellungsverfahren eingesetzt. Als diese Fotomaske hat man ein Licht abschirmendes Film-Bild bzw. Muster auf einem transluzenten Substrat, die eine generelle Konstruktion einer Fotomaske bildet, die eine binäre Maske genannt wird. Weiterhin gibt es in den letzten Jahren, um eine sehr genaue Bildbelichtung zu erzielen, eine Fotomaske, die als eine Phasenverschiebungsmaske bezeichnet wird. Als diese Phasenverschiebungsmaske ist eine derzeit praktisch verwendete Phasenverschiebungsmaske vom Raster-Typ bekannt, die ein teil-lichtdurchlässiges Phasenverschiebungs-Filmmuster auf einem lichtdurchlässigen Substrat aufweist und einen Licht abschirmenden Film aufweist, der auf dem teil-lichtdurchlässigen Phasenverschiebungsfilm angeordnet ist, in einem Teil, welcher einen Phasenverschiebungseffekt eines Nicht-Übertragungsbereichs eines äußeren peripheren Abschnitts eines Übertragungsbereichs nicht beeinflusst, der ein Übertragungsmuster aufweist, oder in einigen Fällen den Übertragungsbereich. Daneben hat sich eine praktische Anwendung verbreitet in Bezug auf eine Phasenverschiebungsmaske vom so genannten Levenson-Typ, die einen gewünschten Phasenverschiebungseffekt erzielt, indem ein gewünschter Teil auf einem lichtdurchlässigen Substrat eingeritzt wird, das ein darauf angeordnetes Licht abschirmendes Filmmuster aufweist.

Im Falle der Verwendung dieser Fotomasken in einer Belichtungsvorrichtung so wie einem Stepper, wenn ein Reflexionsfaktor der Fotomaske hoch ist, wird eine Lichtreflexion zwischen einer Projektionssystem-Linse des Steppers oder eines Übertragungszielkörpers und der Fotomaske erzeugt, eine Übertragungsgenauigkeit wird aufgrund eines Einflusses von mehrfacher Reflexion folglich verringert, und daher ist ein niedriger vorderer Oberflächen-Reflexionsfaktor (und in einigen Fällen ein niedrigerer hinterer Oberflächen-Reflexionsfaktor) der Fotomaske bevorzugt. Daher wird in der Fotomaske ein dünner Film mit einem niedrigen Reflexionsfaktor verlangt, so wie ein Licht abschirmender Film, der auf einem lichtdurchlässigen Substrat gebildet ist, und ein dünner Film mit einem hohen Reflexionsfaktor muss einen Antireflexions-Film einschließen. Zum Beispiel ist es in einem Licht abschirmenden Film bestehend aus einem auf Chrom basierenden Material, der eine derzeitige Hauptrichtung (main stream) bildet, allgemein so, dass ein Antireflexions-Film vorgesehen wird, bestehend aus Chromoxid auf Licht abschirmendem Chrom (siehe z.B. „Photomask gijutsu no hanashi (Story about Photomask Technology)", verfasst von Isao Tanabe, Youichi Takehana und Morisika Hougen, Kogyo Chosakai Publishing Inc., August 20, 1996, Seiten 80-81).

Jedoch ist es bei einer höheren Integration oder dergleichen einer integrierten Halbleiterschaltung in der letzten Jahren die Ansicht, dass eine Verringerung in der Genauigkeit einer Musterübertragung aufgrund eines Einflusses von Mehrfachreflexionen zwischen einer Fotomaskenoberfläche und einem Übertragungszielsubstrats noch ernster wird, und daher ein Oberflächenreflexionsfaktor der Fotomaske weiter verringert werden muss. Wie gut bekannt ist, verwendet ein Antireflexions-Film ein Abschwächungsverhalten von reflektiertem Licht auf vorderen und hinteren Oberflächen des Antireflexions-Films durch eine Interferenzwirkung, um einen Reflexionsfaktor zu verringern, aber in einem herkömmlichen Antireflexions-Film bestehend aus Chromoxid wird eine Lichtabsorption bei einer Belichtungswellenlänge erzeugt, das reflektierte Licht auf der hinteren Oberfläche des Antireflexions-Films daher verringert, und daher kann ein Antireflexions-Effekt nicht zufriedenstellend erhalten werden.

Um weiterhin mit einer Anforderung an Miniaturisierung und einer Verbesserung in der Bemessungsgenauigkeit eines Musters einer Fotomaske, die einer höheren Integration oder dergleichen bei einer integrierten Halbleiterschaltung geschuldet ist, ist die Verkürzung der Wellenlänge von Licht von einer Belichtungslichtquelle von einem derzeitigen KrF Excimer-Laser (Wellenlänge: 248 nm) zu einem ArF Excimer-Laser (Wellenlänge 193 nm) und einem F2 Excimer-Laser (Wellenlänge 157 nm) verlagert worden, aber es gibt ein entscheidendes Problem damit, dass der vorstehend beschriebene Antireflexionseffekt nicht in zufriedenstellender Weise erreicht werden kann, wenn eine Belichtungswellenlänge kürzer wird, da Lichtabsorption in dem Antireflexions-Film bestehend aus Chromoxid auftritt, wenn die Wellenlänge kürzer wird.

Ferner, obwohl eine Verringerung bei einem Reflexionsfaktor verlangt wird, in Bezug auf Wellenlängen von Licht, welches z.B. in einer Prüfvorrichtung für einen Defekt oder einen Fremdkörper in einer Fotomaske oder einem Fotomasken-Rohling (blank) oder einer Laser-Litographievorrichtung verwendet wird, wenn eine Fotomaske hergestellt wird, gibt es in einigen Fällen, da diese Wellenlängen ebenfalls dazu tendieren, verkürzt zu werden, ein Problem damit, dass ein Erhalten einer gewünschten niedrigen Reflexionsfaktoreigenschaft schwierig wird.

Offenbarung der Erfindung

Um die vorstehend beschriebenen Probleme zu beseitigen, ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Fotomaske bereitzustellen, die einen niedrigen Oberflächenreflexionsfaktor in Bezug auf eine Belichtungswellenlänge erreichen kann, die einer in den letzten Jahren verkürzten Belichtungswellenlänge eines ArF Excimer-Lasers entspricht (Wellenlänge 193 nm), eines F2 Excimer-Lasers (157) nm oder dergleichen, insbesondere einen Fotomasken-Rohling, der eine Originalplatte der Fotomaske ist, und ein Musterübertragungsverfahren, bei dem die Fotomaske verwendet wird.

(Anordnung 1) Ein Fotomasken-Rohling mit einem einlagigen oder mehrlagigen Licht abschirmenden Film, der im Wesentlichen bzw. hauptsächlich ein Metall enthält, auf einem lichtdurchlässigen Substrat, wobei der Fotomasken-Rohling einen Antireflexions-Film auf dem Licht abschirmenden Film aufweist, der wenigstens Silizium und Sauerstoff und/oder Stickstoff enthält.

(Anordnung 2) Fotomasken-Rohling gemäß Anordnung 1 oder 2, wobei ein Oberflächen-Reflexionsfaktor des Fotomasken-Rohlings nicht größer ist als 10% bei einer gewünschten Wellenlänge, ausgewählt aus Wellenlängen kürzer als eine Wellenlänge von 200 nm.

(Anordnung 3) Fotomasken-Rohling gemäß Anordnung 1 oder 2, wobei ein den Reflexionsfaktor verringernder Film zwischen dem Licht abschirmenden Film und dem Antireflexions-Film vorgesehen ist, wobei der den Reflexionsfaktor verringernde Film aus einem Metall mit einem Brechungsfaktor größer als ein Brechungsfaktor eines Materials besteht, das den Licht abschirmenden Film bildet, und kleiner als ein Brechungsfaktor eines Materials, das den Antireflexions-Film bildet.

(Anordnung 4) Fotomasken-Rohling gemäß einer der Anordnungen 1 bis 3, wobei das Metall ausgewählt ist aus Chrom, Tantal, Wolfram, einer Legierung, welche aus diesen drei Metallen und irgendeinem anderen Metall erhalten wird, und einem Material, enthaltend eines oder mehrere aus Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoff, Bor und Wasserstoff in den Metallen oder der Legierung.

(Anordnung 5) Fotomasken-Rohling gemäß einer der Anordnungen 1 bis 4, wobei eine Phasenverschiebungsschicht zwischen dem lichtdurchlässigen Substrat und dem Licht abschirmenden Film vorgesehen ist.

(Anordnung 6) Fotomasken-Rohling gemäß einer der Anordnungen 1 bis 5, wobei ein Oberflächenreflexionsfaktor nicht größer ist als 15% in einem Wellenlängenband von 150 nm bis 300 nm.

(Anordnung 7) Fotomasken-Rohling gemäß einer der Anordnungen 1 bis 5, wobei ein Oberflächenreflexionsfaktor nicht größer ist als 10% in einem Wellenlängenband von 150 nm bis 250 nm.

(Anordnung 8) Fotomaske, hergestellt unter Verwendung des Fotomasken-Rohlings gemäß einer der Anordnungen 1 bis 7.

(Anordnung 9) Muster-Übertragungsverfahren zum Ausführen einer Übertragung eines Musters unter Verwendung der Fotomaske gemäß Anordnung 9.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

1 ist eine Ansicht, die einen Fotomasken-Rohling zeigt, der gemäß einer Ausführungsform hergestellt ist;

2 ist eine Ansicht, die einen Fotomasken-Rohling zeigt, der gemäß der Ausführungsform hergestellt ist;

3 sind Ansichten, die ein Herstellungsverfahren des Fotomasken-Rohlings gemäß der Ausführungsform zeigen;

4 sind Ansichten, die das Herstellungsverfahren des Fotomasken-Rohlings gemäß der Ausführungsform zeigen;

5 ist eine Ansicht, die Reflexionsfaktoreigenschaften von Fotomasken-Rohlingen zeigen, die in Ausführungsform 1 gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt sind und dem Vergleichsbeispiel 1;

6 ist eine Ansicht, die Eigenschaften von Reflexionsfaktoren von Fotomasken-Rohlingen zeigt, die in Ausführungsform 2 und Ausführungsform 3 gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt sind; und

7 ist eine Ansicht, die Reflexionsfaktoreigenschaften eines Fotomasken-Rohlings zeigt, der gemäß Ausführungsform 4 hergestellt ist.

Beste Ausführungsform der Erfindung
Die vorliegende Erfindung stellt einen Fotomasken-Rohling bereit, mit einem einlagigen oder mehrlagigen Licht abschirmenden Film, angeordnet auf einem lichtdurchlässigen Substrat, und hauptsächlich ein Metall enthaltend, wobei der Fotomasken-Rohling dadurch gekennzeichnet ist, dass der einen Antireflexions-Film aufweist, der mindestens Silizium und Sauerstoff und/oder Stickstoff enthält, auf dem Licht abschirmenden Film.
Als Antireflexions-Film des Fotomasken-Rohlings gemäß der vorliegenden Erfindung mit dem einlagigen oder mehrlagigen Licht abschirmenden Film und der hauptsächlich ein Metall aufweist, wird ein Material, welches wenigstens Silizium und Sauerstoff und/oder Stickstoff aufweist, d.h. ein Material mit hoher Lichtdurchlässigkeit in Bezug auf herkömmliche Chromoxide bei üblicherweise verwendeten Belichtungswellenlängen, verschiedene Arten von Prüfwellenlängen der Fotomaske oder des Fotomasken-Rohlings (z.B. Wellenlängen von 257 nm, 266 nm, 365 nm 488 nm, 678 nm und anderen), oder ein Wellenlängenband von 150 bis 700 nm, enthaltend eine Litographie-Wellenlänge der Fotomaske, verwendet, und daher ermöglicht ein Einstellen einer optischen Filmdicke eine Interferenzwirkung reflektierten Lichts auf vorderer und hinterer Oberfläche des Antireflexions-Films, um das Licht deutlich abzuschwächen, wodurch der Fotomasken-Rohling mit einem niedrigen Reflexionsfaktor erhalten wird (z.B. einem Reflexionsfaktor von 10% oder darunter, oder bevorzugt 5% oder darunter). Im Übrigen ist es bevorzugt, dass der Antireflexions-Film einen Transmissionsfaktor von 70% oder darüber bei einer gewünschten Wellenlänge aufweist, und ein Transmissionsfaktor von 80% oder darüber ist noch mehr bevorzugt.
Die vorliegende Erfindung ist insbesondere nützlich, um einen Antireflexions-Effekt in Bezug auf Licht von 150 bis 200 nm zu erhalten, einschließlich Belichtungswellenlängen so wie einer ArF Excimer-Laser-Wellenlänge 193 nm oder einer F2 Excimer-Laser-Wellenlänge 157 nm. Dies liegt daran, dass ein derzeitiger Antireflexions-Film bestehend aus einer Chromverbindung keinen zufriedenstellenden Antireflexionseffekt in Bezug auf Belichtungswellenlängen von z.B. dem ArF Excimer-Laser oder dem F2 Excimer-Laser erreichen kann, deren Wellenlängen nicht größer als 200 nm sind.
Bei der vorliegenden Erfindung kann das Material des Antireflexions-Films, der wenigstens Silizium und Sauerstoff und/oder Stickstoff enthält, weiterhin wenigstens ein oder mehrere Metallelemente enthalten. In diesem Fall, da ein Transmissionsfaktor verringert wird, wenn eine große Menge an Metallen enthalten ist, wird die Verwendung von 20 at% oder niedriger von Metallen bevorzugt, und die Verwendung von 15 at% wird noch mehr bevorzugt.
Da der Licht abschirmende Film hauptsächlich ein Metall enthält, ist es bei der vorliegenden Erfindung möglich, den Licht abschirmenden Film bereitzustellen, der exzellente Licht abschirmende Eigenschaften und Musterverarbeitungsleistungen aufweist. Als ein Material eines solchen Licht abschirmenden Films gibt es Chrom, Tantal, Wolfram oder eine Legierung, die aus solchen Metallen und jeglichen anderen Metallen gebildet ist, und ein Material, enthaltend eines oder mehrere aus Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoff, Bor und Wasserstoff in den Metallen oder der Legierung. Es soll angemerkt werden, dass die Verwendung von Chrom alleine, das bei einer herkömmlichen binären Maske verwendet wird, oder eines Materials, enthaltend eines oder mehrere aus Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoff, Bor und Wasserstoff in Chrom einen Vorteil der Verwendung eines Musterbildungsverfahrens bei der Herstellung einer vorhandenen Fotomasken-Rohlingen oder der Herstellung einer Fotomaske bereitstellen kann, was bevorzugt ist.
In diesem Fall, wenn ein Material des Antireflexions-Films ein Licht abschirmendes Filmmaterial ist, mit Widerstandseigenschaften in Bezug auf das Ätzen eines Materials des Licht abschirmenden Films zum Zeitpunkt der Bildung eines Musters bei der Herstellung der Fotomaske, kann der Antireflexions-Film als eine Ätzmaske für den Licht abschirmenden Film verwendet werden, wodurch die Ätzverarbeitungseigenschaften des Licht abschirmenden Films verbessert werden. Genauer, ein Material enthaltend Silizium und Sauerstoff und/oder Stickstoff, welches ein Material des Licht abschirmenden Films bei der vorliegenden Erfindung ist, wird einem Trockenätzen unter Verwendung von Fluor-Gas unterworfen. Andererseits kann ein auf Chrom basierendes Material, welches ein Material des Licht abschirmenden Films ist, allgemein einem Trockenätzen unter Verwendung eines auf Chlor basierenden Ätzmittels unterworfen werden (Cer-Ammoniumnitrat + Perchlorsäure), und ein auf Tantal basierendes Material kann ebenfalls einem Trockenätzen unter Verwendung von auf Chlor basierendem Gas unterworfen werden. Hier gibt es für das auf Chlor basierende Gas Cl₂, BCL₃, HCL, ein Gasgemisch aus diesen Materialien, ein Gas, enthaltend O₂ oder ein Edelgas (He, Ar, Xe) als ein zugefügtes Gas zusätzlich zu diesen Materialien, und andere. Weiter gibt es für das auf Fluor basierende Gas C_xF_y (z.B. CF₄, C₂F₆), CHF₃, ein Gasgemisch aus diesen Materialien, ein Gas enthaltend O₂ oder ein Edelgas (He, Zr, Xe) als ein zugefügtes Gas zusätzlich zu diesen Materialien, und andere. Weiterhin ist es bekannt, dass ein System aus diesen Materialien eine hohe Ätzselektivität in Bezug auf das Ätzen dieser Materialien aufweist. Daher können Bild- bzw. Musterverarbeitungseigenschaften verbessert werden, indem der Antireflexions-Film geätzt wird, und dann Ätzen des Licht abschirmenden Films mit einem Antireflexions-Filmmuster, das als eine Maske verwendet wird, verglichen mit einem Fall herkömmlichen Ätzens, bei dem ein Abdeckungsbild als eine Maske verwendet wird.
Weiterhin ist es in einem Vorgang der Herstellung einer Fotomaske oder dergleichen bevorzugt, dass Reflexionsfaktoreigenschaften der Fotomaske vollständig verringert werden in der Nähe von zumindest eine spezifischen Wellenlänge, anstatt wie in einigen Fällen nur bei einer spezifischen Wellenlänge. Dies liegt daran, dass, auch wenn ein vorbestimmter Verringerungseffekt des Reflexionsfaktors bei einer gewünschten Belichtungswellenlänge erhalten wird, wenn ein Reflexionsfaktor steil ansteigt in der Nähe dieser Wellenlänge und einen vorbestimmten Reflexionsfaktor überschreitet, die Möglichkeit des Auftretens eines Problems besteht, dass eine große Abweichung von einem Ausgestaltungsreflexionsfaktor erzeugt wird (ein steiler Anstieg in einem Reflexionsfaktor), aufgrund einer Schwankung in einer Filmzusammensetzung oder einer Filmverringerung, die erzeugt wird, wenn eine Verarbeitung in Bezug auf eine Maske ausgeführt wird, und ein Produkt mit einer Abweichung von dem Ausgestaltungsreflexionsfaktor, der unterhalb der Standards liegt, als ein fehlerhaftes Produkt bestimmt wird, wodurch die Produktivität vermindert wird. Zusätzlich, in dem Vorgang der Herstellung der Fotomaske oder dergleichen, einem Fall, in dem Reflexionsfaktoreigenschaften der Fotomaske verbreitert werden und verringert in einem breiten Wellenlängenband können bevorzugt sein im Vergleich zu einem Fall, wo die Reflexionsfaktoreigenschaften nur in der Nähe einer spezifischen Wellenlänge verringert sind. Dies liegt daran, dass eine Belichtungswellenlänge, eine Prüfwellenlänge einer Prüfvorrichtung, die für eine Prüfung einer Fotomaske verwendet wird, und eine Laserwellenlänge einer Laser-Litographievorrichtung, die für die Herstellung einer Fotomaske verwendet werden, voneinander verschieden sind, und ein hoher Reflexionsfaktor kann selbst bei der Prüfwellenlänge oder der Laserwellenlänge der Laser-Laser-Litographievorrichtung ein Problem sein. Daher ist es in der vorliegenden Erfindung bevorzugt, dass ein den Reflexionsfaktor verringernder Film zwischen dem Licht abschirmenden Film und dem Antireflexions-Film bereitgestellt wird, wobei der den Reflexionsfaktor verringernde Film aus einem Material mit einem Brechungsfaktor größer als ein Brechungsfaktor eines Materials besteht, welches den Licht abschirmenden Film bildet, und kleiner als ein Brechungsfaktor eines Materials, welches den Antireflexions-Film bildet. Mit einer solchen Auslegung bzw. Konfiguration ist es möglich, einen Fotomasken-Rohling bereitzustellen, dessen Oberflächenreflexionsfaktor verbreitert und verringert (vollständig verringert) in einem breiten Wellenlängeband ist.
Ferner, auch wenn der Antireflexions-Film ein Film ist, dessen Reflexionsfaktor steil ansteigt, in der Nähe einer gewünschten Belichtungswellenlänge (z.B. einem Wellenlängenbereich von ±50 nm um eine gewünschte Belichtungswellenlänge (bevorzugt ein Wellenlängenbereich von 36 nm), und einen vorbestimmten Reflexionsfaktor überschreitet (z.B. 15%), kann ein Bereitstellen des den Reflexionsfaktor verringernden Films unter dem Antireflexions-Film einen Effekt erreichen, den Reflexionsfaktor ergänzend zu verringern, der in der Nähe der gewünschten Belichtungswellenlänge steil ansteigt (was insbesondere ein Effekt des Verringerns des Reflexionsfaktors ist, um einen vorbestimmten Reflexionsfaktor oder einen kleineren Faktor, z.B. dem Reflexionsfaktor von 15% oder darunter, in der Nähe der gewünschten Wellenlänge). Das heißt, dieser den Reflexionsfaktor verringernde Film hat auch einen Effekt, den Reflexionsfaktor weiter zu verringern, der grundlegend in der Nähe einer gewünschten Belichtungswellenlänge durch den Antireflexions-Film verringert worden ist. Es soll angemerkt werden, dass dieser den Reflexionsfaktor verringernde Film eingestellt ist, eine optische Filmdicke aufzuweisen, durch welche der Reflexionsfaktor in einem gewissen Ausmaß verringert wird, und dass der Antireflexions-Film einen höheren Transmissionsfaktor aufweist als der dieses den Reflexionsfaktor verringernden Films, bei einer gewünschten Wellenlänge, bei welcher ein niedriger Reflexionsfaktor verlangt wird.
Als Fotomasken-Rohling, dessen Oberflächenreflexionsfaktor verbreitert und verringert ist (vollständig verringert) in einem breiten Wellenlängenband, genauer, kann ein Einstellen des Oberflächenreflexionsfaktors auf 15% oder darunter in einem Wellenlängenband von 150 nm bis 300 nm nicht nur mit Belichtungslicht umgehen, welches z.B. von einem KrF Excimer-Laser, einem ArF-Excimer Laser oder einem F2 Excimer-Laser erhalten wird, sondern auch mit Prüflicht bei einem Herstellungsvorgang oder dergleichen, und die Produktivität der Maske kann verbessert werden, was bevorzugt ist. Weiter, wenn der Oberflächenreflexionsfaktor auf 10% oder darunter eingestellt ist, in einem Wellenlängenband von 150 nm bis 250 nm, kann eine Filmauslegung oder jede ähnliche Filmauslegung mit jedem Belichtungslicht umgehen, das von dem KrF Excimer-Laser, dem ArF Excimer-Laser oder dem F2 Excimer-Laser erhalten wird, wodurch Kosten stark verringert werden.
Hier ist als Material des den Reflexionsfaktor verringernden Films ein Metall vorhanden, enthaltend Sauerstoff und zum Beispiel gibt es ein Sauerstoff enthaltendes Chrom (chrome containing oxygen), das für einen Antireflexions-Film in einer herkömmlichen Fotomaske verwendet wird.
Bei der vorliegenden Erfindung können sowohl der Licht abschirmende Film, der den Reflexionsfaktor verringernde Film als auch der Antireflexions-Film ein einlagiger oder mehrlagiger Film sein, und können ein Film mit einer gleichmäßigen Zusammensetzung sein oder ein Film mit Zusammensetzungsgradienten, in dem eine Zusammensetzung in einer Richtung der Filmdicke sequenziell moduliert ist.
Bei der vorliegenden Erfindung kann ein Antireflexions-Film weiterhin zwischen dem lichtdurchlässigen Substrat und dem Licht abschirmenden Film vorgesehen werden. Mit einer solchen Auslegung kann ein Einfluss von Mehrfachreflexionen auf einer hinteren Maskenoberflächenseite (eine lichtdurchlässigen Substratseite), die bei einer Belichtung erzeugt werden, weiter wirksam unterdrückt werden.
Bei der vorliegenden Erfindung ist ein Herstellungsverfahren des Fotomasken-Rohlings nicht eingeschränkt. Eine Herstellung ist möglich unter Verwendung einer Sputter-Vorrichtung, die von einem Inline-Typ, einem Sheet-Typ, einem Batch-Typ oder dergleichen ist, und alle Filme auf dem lichtdurchlässigen Substrat können natürlich von der gleichen Vorrichtung oder einer Kombination einer Vielzahl von Vorrichtungen gebildet werden.
Weiterhin kann der Licht abschirmende Film in der vorliegenden Erfindung ein Licht abschirmender Film sein, der in einer Phasenverschiebungsmaske verwendet wird. Das heißt, die vorliegende Erfindung kann eine Phasenverschiebungsschicht zwischen dem lichtdurchlässigen Substrat und dem Licht abschirmenden Film aufweisen. Die Phasenverschiebungsschicht kann aus einem Material bestehen, das transparent ist, oder einem Material, das in Bezug auf das Belichtungslicht halbtransparent ist.
Es soll angemerkt werden, dass der Licht abschirmende Film in einem Phasenverschiebungsmasken-Rohling vom Halbton-Typ, in welcher die Phasenverschiebungsschicht aus einem halbtransparenten Material gebildet ist, eine Filmzusammensetzung und eine Filmdicke in einer solchen Weise aufweisen kann, dass ein erwünschter Licht-Abschirmeffekt in Verbindung mit der halbtransparenten Phasenverschiebungsschicht demonstriert werden kann.
Ein Herstellungsverfahren der Fotomaske, die unter Verwendung des Fotomasken-Rohlings hergestellt wird, gemäß der vorliegenden Erfindung, ist nicht auf ein bestimmtes Verfahren beschränkt, so wie ein Trockenätzverfahren oder ein Naßätzverfahren.
Durch Ausführen der Musterübertragung unter Verwendung der Fotomaske kann ein Einfluss von Mehrfachreflexion zwischen einer Projektionssystemlinse eines Steppers oder eines Zielübertragungskörpers und der Fotomaske stark unterdrückt werden, auch im Falle, das eine Belichtung unter Verwendung von kurzwelligem Licht ausgeführt wird, wodurch die Übertragung eines Musters mit einer hohen Genauigkeit ermöglicht wird (Ermöglichen einer Verringerung bei den Übertragungsdefekten eines Musters).
Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung werden nun hiernach beschrieben werden, unter Bezug auf die begleitende Zeichnung.
1 ist eine Querschnittsansicht, die einen Fotomasken-Rohling zeigt;
2 ist eine Querschnittsansicht, die eine Fotomaske zeigt;
3 sind Ansichten, die ein Herstellungsverfahren des Fotomasken-Rohlings zeigen; und
4 sind Ansichten, die ein Herstellungsverfahren der Fotomaske zeigen.
Weiter sind 5 bis 7 Ansichten, die Reflexionsfaktoreigenschaften von Fotomasken- Rohlingen zeigen, die in Ausführungsformen und Vergleichsbeispielen erhalten werden.
(Ausführungsform 1)
Wie in 1 gezeigt, wird in einem Fotomasken-Rohling 1 gemäß der Ausführungsform 1 ein Quarzglassubstrat, dessen beide Hauptoberflächen und Endoberflächen einem Präzisionspolieren unterworfen worden sind, und mit einer Größe von 6 Zoll (inch) × 6 Zoll (inch) × 0,25 Zoll (inch), als ein lichtdurchlässiges Substrat 2 verwendet.
Auf dem lichtdurchlässigen Substrat 2 ist ein Cr-Film mit 500 Angström als ein Licht abschirmender Film 3 gebildet, ein CrO Film mit 180 Angström (was bedeutet, dass Chrom und Sauerstoff enthalten sind, aber es gibt keine spezifischen Gehaltsangaben dieser Materialien, und dies bezieht sich auch auf das Folgende) ist als ein den Reflexionsfaktor verringernder Film 4 gebildet und ein MoSiON Film mit 100 Angström ist als ein Antireflexions-Film 6 gebildet.
2 ist eine Querschnittsansicht, die eine Fotomaske gemäß Ausführungsform 1 zeigt. Diese Fotomaske 11 wird gebildet durch sequenzielles Mustern des Antireflexions-Films 6, des den Reflexionsfaktor verringernden Films 4 und des Licht abschirmenden Films 3 von einem oberen Schichtabschnitt des Fotomasken-Rohlings 1.
Ein Herstellungsverfahren des Fotomasken-Rohlings 1 wird nun unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.
Zuerst wurde ein Quarzglassubstrat, dessen beide Hauptoberflächen und Endoberflächen einem Präzisionspolieren unterworfen worden sind, und mit einer Größe von 6 Zoll (inch) × 6 Zoll (inch) × 0,25 Zoll (inch) als das lichtdurchlässige Substrat 2 verwendet, und ein Cr-Film mit einer Filmdicke von 500 Angström wurde als der Licht abschirmende Film 3 gebildet, wie in 3(a) gezeigt, durch eine Sheet-Sputter-Vorrichtung unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Ar-Gasatmosphäre (Druck: 0,09 [Pa]).
Dann wurde ein CrO-Film (Cr entspricht 40 Atom%, und O entspricht 60 Atom%) mit einer Filmdicke mit 180 Angström als der den Reflexionsfaktor verringernde Film 4 gebildet, wie in
3(b) gezeigt, durch reaktives Sputtern unter Verwendung eines Cr-Ziels in einer Mischgas-Atmosphäre (Ar: 70 Volumen%, O₂: 30 Volumen%, und einem Druck: 0,14 [Pa]) von Ar und O₂.
Nachfolgend wurde ein MoSiON-Film mit einer Filmdicke von 100 Angström als der Antireflexions-Film 6 gebildet wie in 3(c) gezeigt, durch reaktives Sputtern unter Verwendung eines MoSi (Mo:10 Atom%, und Si: 90Atom%) Ziels in einer Mischgas-Atmosphäre (Ar: 25 Volumen%, N₂: 65 Volumen%, O₂: 10 Volumen%, und einem Druck: 0,14 [Pa]) von Ar, N₂ und O₂. Dann wurde eine Schleif-(scrub)Reinigung ausgeführt, wodurch der Fotomasken-Rohling 1 erhalten wird.
Hier war ein Transmissionsfaktor des MoSiON-Films von 100 Angström, der als der Antireflexions-Film verwendet wurde, 91,7 % bei 248 nm und 86,7% bei 193 nm, und ein Transmissionsfaktor des CrO-Films von 180 Angström, der als der den Reflexionsfaktor verringernde Film verwendet wurde, war 34,6 % bei 248 nm und 23,0 % bei 193 nm (jedoch ist ein Transmissionsfaktor des Quarzsubstrats mit einer Dicke von 6,35 mm in diesem Beispiel eingeschlossen). Das heißt, der Antireflexions-Film weist eine Lichtdurchlässigkeit auf, die höher ist als die des den Reflexionsfaktor verringernden Film bei allen Belichtungswellenlängen, die von einem KrF Excimer-Laser und einem ArF Excimer-Laser erhalten werden.
Ein Reflexionsfaktor des erhaltenen Fotomasken-Rohlings 1 war geringer als 10% in einem breiten Wellenlängeband von 150 nm bis 300 nm, wie in 5 gezeigt.
Ein Vakuum-Ultraviolett-Spektroskop (VU 210), hergestellt von Bunko-Keiki Co. Ltd. und ein n&k Analysator 1280, hergestellt von n&k Inc. wurden für Messungen dieser Transmissionsfaktoren und Reflexionsfaktoren verwendet.
Ein Herstellungsverfahren der Fotomaske 11 wird nun unter Bezugnahme auf 4 beschrieben werden.
Zuerst wurde, wie in 4(a) gezeigt, ein Fotolack 7 auf den Antireflexions-Film 6 aufgebracht. Dann wurde ein Fotolackmuster 7 durch Musterbelichtung und Entwicklung gebildet, wie in 4(b) gezeigt.
Nachfolgend wurde belichtetes bzw. freigelegtes MoSiON als der Antireflexions-Film 6 durch Trockenätzen unter Verwendung eines Mischgases von CF4 und O₂ als ein Ätzgas entfernt, wobei das Fotolackmuster als eine Maske verwendet wird, wie in 4(c) gezeigt, und dann wurden der freigelegte CrO-Film als der den Reflexionsfaktor verringernde Film 4 und der Cr-Film als der Licht abschirmende Film 3 sequenziell durch Trockenätzen unter Verwendung eines Mischgases von Cl₂ und O₂ als ein Ätzgas entfernt.
Danach wurde der Fotolack 7 durch ein gewöhnliches Verfahren unter Verwendung von Sauerstoff-Plasma oder Schwefelsäure abgetragen, wodurch die Fotomaske 11 mit einem gewünschten Muster erhalten wird, wie in 4(d) gezeigt. Eine Positionierungsgenauigkeit des Maskenmusters bei der erhaltenen Fotomaske 11 wurde gemessen, und ein Ergebnis war das gleiche wie ein gesetzter Wert und sehr gut.
Es soll angemerkt werden, dass die Beschreibung als ein Beispiel einer Filmbildung durch ein reaktives Sputterverfahren unter Verwendung der Sheet-Sputter-Vorrichtung in Ausführungsform 1 gegeben wurde, aber die Sputtervorrichtung nicht eingeschränkt ist. Zum Beispiel kann die vorliegende Erfindung auf ein reaktives Sputtern unter Verwendung einer Sputtervorrichtung vom Inline-Typ angewendet werden, ein Verfahren, einen Film in einem Batch-Modus zu bilden, basierend auf dem reaktiven Sputterverfahren mit einem Sputterziel, das in einer Vakuumkammer angeordnet ist.
Ferner, obwohl ein Trockenätzen in Ausführungsform 1 unter Verwendung des Gasgemischs von CF4 und O₂ und dem Mischgas von Cl₂ und O₂ ausgeführt wurde, können Arten von zu verwendenden Gasen geeignet bestimmt werden. Zum Beispiel ist es möglich, ein Verfahren unter Verwendung eines auf Chlor basierenden Gases oder eines Gases einzusetzen, das Chlor und Sauerstoff enthält, in Bezug auf alle Filme, oder ein Trockenätzen unter Verwendung eines auf Fluor basierenden Gases oder eines Gases auszuführen, das Fluor und Sauerstoff enthält, in Bezug auf den Antireflexions-Film, und dann ein Ätzen auszuführen unter Verwendung eines Gases, das Chlor enthält, oder ein Gas enthaltend Chlor und Sauerstoff, in Bezug auf den den Reflexionsfaktor verringernden Film und den Licht abschirmenden Film. Zusätzlich kann auch ein Naßätzverfahren verwendet werden.
(Ausführungsform 2)
Zuerst wurde ein lichtdurchlässiges Substrat 2 mit einer Größe von 6 Zoll (inch) × 6 Zoll (inch) × 0,25 Zoll (inch) verwendet, das dadurch erhalten wurde, dass beide Hauptoberflächen und Endoberflächen (Seitenoberflächen) eines Quarzglassubstrats einem Präzisionspolieren unterworfen worden sind, und ein CrC-Film als ein Licht abschirmender Film (Schicht) 3 wurde durch reaktives Sputtern einer Sputtervorrichtung vom Inline-Typ unter Verwendung eines CR-Ziels in einer Mischgas-Atmosphäre von Ar und CH₄ gebildet (Ar: 96,5 Volumen%, CH₄: 3,5 Volumen%, und einem Druck von: 0,3 [Pa]).
Dann wurde ein CrON-Film als ein den Reflexionsfaktor verringernder Film (Schicht) 4 auf dem Licht abschirmenden Film (Schicht) durch reaktives Sputtern der Vorrichtung des gleichen Inline-Typs gebildet, unter Verwendung eines Cr-Ziels in einer Mischgasatmosphäre von Ar und NO (AR: 87,5 Volumen%, NO: 12,5 Volumen%, ein Druck: 0,3 [Pa]). Hier wurde die Bildung des CrON-Films kontinuierlich mit der Bildung des CrC-Films ausgeführt, und eine Gesamt-Filmdicke des CrON-Films und des CrC-Films war 800 Angström. Dies entspricht einem Fall, wo eine Grenze zwischen dem Licht abschirmenden Film und dem den Reflexionsfaktor verringernden Film (Schicht) nicht klar ist, es aber möglich ist, im Wesentlichen eine laminierte Schicht des Licht abschirmenden Films (Schicht) und des den Reflexionsfaktor verringernden Films (Schicht) zu erkennen.
Dann wurde ein SiN-Film mit einer Filmdicke von 50 Angström als ein Antireflexions-Film 6 durch reaktives Sputtern einer Sputtervorrichtung vom Sheet-Typ gebildet, unter Verwendung eines Si-Ziels in einer Mischgasatmosphäre von Ar und N₂ (Ar: 50 Volumen%, N₂: 50 Volumen%, und einem Druck von: 0,14 [Pa]). Dann wurde eine Schleif-Reinigung ausgeführt, um einen Fotomasken-Rohling 1 zu erhalten.
Hier war ein Transmissionsfaktor des 50-Angström SiN-Films, der als der Antireflexions-Film verwendet wurde, 91,8% bei 248 nm und 84,8% bei 193 nm (jedoch ist ein Transmissionsfaktor des Quarzsubstrats mit einer Filmdicke von 6,35 mm in diesem Beispiel eingeschlossen).
Ein Reflexionsfaktor des erhaltenen Fotomasken-Rohlings 1 wurde gemessen, und ein Ergebnis war geringer als 10% in einem breiten Wellenlängenband von 150 nm bis 300 nm, wie in 6 gezeigt.
(Ausführungsform 3)
Zuerst wurde ein Quarzglassubstrat, dessen beide Hauptoberflächen und Endoberflächen einem Präzisionspolieren unterworfen worden sind, und mit einer Größe von 6 Zoll (inch) × 6 Zoll (inch) × 0,25 Zoll (inch) als ein lichtdurchlässiges Substrat 2 verwendet, und ein CrC-Film (Schicht) als ein Licht abschirmender Film 3 und ein CrON-Film als ein den Reflexionsfaktor verringernder Film (Schicht) 4 werden dann kontinuierlich gebildet, und diese Schritte sind die gleichen wie die in Ausführungsform 2.
Nachfolgend wurde ein MoSiON-Film mit einer Filmdicke von 100 Angström als ein Antireflexions-Film 6 durch reaktives Sputtern einer Sputtervorrichtung vom Sheet-Type gebildet, unter Verwendung eines MoSi (Mo: 10 Atom%, und Si: 90 Atom%) Ziels in einer Mischgasatmosphäre von Ar, N₂ und O₂ (Ar: 25 Volumen%, N₂: 65 Volumen%, O₂: 10 Volumen%, und einem Druck von: 0,13 [Pa]). Danach wurde eine Schleif-Reinigung ausgeführt, um einen Fotomasken-Rohling 1 zu erhalten.
Hier war ein Transmissionsfaktor des 100-Angström MoSiON-Films, der als der Antireflexions-Film verwendet wurde, 91,7% bei 248 nm und 86,7% bei 193 nm ähnlich Ausführungsform 1 (jedoch ist ein Transmissionsfaktor des Quarzsubstrats mit einer Filmdicke von 6,35 mm in diesem Beispiel eingeschlossen).
Ein Reflexionsfaktor des erhaltenen Fotomasken-Rohlings 1 wurde gemessen, und ein Ergebnis war geringer als 10% in einem breiten Wellenlängenband von 150 nm bis 300 nm, wie in 6 gezeigt.
Vergleichsbeispiel 1, Vergleichsbeispiel 2 und Bezugsbeispiel 1 werden nun beschrieben werden. Jedes der Vergleichsbeispiele 1 und 2 ist ein herkömmlich verwendete Fotomasken- Rohling, nämlich eine Struktur, in welcher der „Antireflexions-Film" als eine wesentliche Auslegung der vorliegenden Erfindung aus dem Fotomasken-Rohling von jeder der Ausführungsformen 1 bis 3 entfernt ist.
(Vergleichsbeispiel 1)
Ein Quarzglassubstrat, dessen beide Hauptoberflächen und Endoberflächen einem Präzisionspolieren unterworfen worden sind, und mit einer Größe von 6 Zoll (inch) × 6 Zoll (inch) × 0,25 Zoll (inch), wurde als ein lichtdurchlässiges Substrat 2 verwendet, ein Cr-Film mit einer Filmdicke von 500 Angström wurde als eine Licht abschirmende Schicht 3 und ein CrO-Film mit einer Filmdicke von 180 Angström als ein den Reflexionsfaktor verringernder Film 4 wurden basierend auf dem gleichen Vorgang gebildet wird dem von Ausführungsform 1, und dann wurde Schleif-Reinigung ausgeführt, wodurch ein Fotomasken-Rohling 1 erhalten wird. Das heißt, Vergleichsbeispiel 2 ist eine Struktur, in welcher der „Antireflexions-Film 6'' als eine wesentliche Auslegung der vorliegenden Erfindung aus dem Fotomasken-Rohling gemäß Ausführungsform 1 entfernt ist.
Ein Reflexionsfaktor des erhaltenen Fotomasken-Rohlings 1 war höher als 10% in einem Wellenlängenband von 150 nm bis 300 nm, wie in 5 gezeigt.
(Vergleichsbeispiel 2)
Ein Quarzglassubstrat, dessen beide Hauptoberflächen und Endoberflächen einem Präzisionspolieren unterworfen worden sind, und mit einer Größe von 6 Zoll (inch) × 6 Zoll (inch) × 0,25 Zoll (inch), wurde als ein lichtdurchlässiges Substrat 2 verwendet, ein CrC-Film als ein Licht abschirmender Film (Schicht) 3 und ein CrON-Film als ein den Reflexionsfaktor verringernder Film (Schicht) 4 wurden kontinuierlich basierend auf dem gleichen Vorgang wie dem von Ausführungsform 2 und Ausführungsform 3 gebildet, so dass eine Gesamtfilmdicke von 800 Angström erhalten werden kann, und dann wurde Schleif-Reinigung ausgeführt, wodurch ein Fotomasken-Rohling 1 erhalten wird. Das heißt, das Vergleichsbeispiel 2 ist eine Struktur, in welcher der „Antireflexions-Film 6'' als eine wesentliche Auslegung der vorliegenden Erfindung aus dem Fotomasken-Rohling gemäß Ausführungsform 2 und 3 entfernt ist.
Ein Reflexionsfaktor der erhaltenen Fotomaske 1 war höher als 10% in einem Wellenlängenband von 150 nm bis 300 nm, wie in 6 gezeigt.
(Ausführungsform 4)
Ein Quarzglassubstrat, dessen beide Hauptoberflächen und Endoberflächen einem Präzisionspolieren unterworfen worden sind, und mit einer Größe von 6 Zoll (inch) × 6 Zoll (inch) × 0,25 Zoll (inch), wurde als ein lichtdurchlässiges Substrat 2 verwendet, ein Cr-Film mit einer Filmdicke von 500 Angström wurde als ein Licht abschirmender Film 3 gebildet, ein SiNx-Film mit einer Filmdicke von 60 Angström wurde als ein Antireflexions-Film 6 direkt auf dem Cr-Film gebildet ähnlich wie Ausführungsform 1, und dann wurde Schleif-Reinigung ausgeführt, wodurch ein Fotomasken-Rohling 1 erhalten wird. Das heißt, Ausführungsform 4 ist eine Struktur, in welcher der „den Reflexionsfaktor verringernde Film 4'' aus dem Fotomasken-Rohling gemäß Ausführungsform 1 entfernt ist.
Im Hinblick auf einen Reflexionsfaktor des erhaltenen Fotomasken-Rohlings 1, wie in 7 gezeigt, kann ein vorbestimmter Reflexionsfaktor (etwa 40% in diesem Beispiel) in Bezug auf eine gewünschte Belichtungswellenlänge erhalten werden (eine Wellenlänge eines F2 Excimer-Lasers in diesem Fall: 157 nm). Jedoch kann verstanden werden, dass der Reflexionsfaktor im Vergleich mit Ausführungsform 1 steil ansteigt.
Es soll angemerkt werden, dass 7 das Beispiel zeigt, in dem der Reflexionsfaktor in Bezug auf die Wellenlänge des F2 Excimer-Lasers verringert ist, es gibt hier die gleiche Tendenz wie bei der von 7 in einem Fall, wo der Reflexionsfaktor in Bezug auf eine Wellenlänge eines ArF Excimer-Lasers: 193 nm verringert ist. Weiter, im Falle eines Si-basierenden Antireflexions-Films/metallischen Licht abschirmenden Films kann die gleiche Tendenz wie der von 7 demonstriert werden, unabhängig von den Materialien dieser Filme.
Es soll angemerkt werden, dass die Erfindung nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen beschränkt ist.
Zum Beispiel können ein Fluor-dotiertes Quarzglassubstrat, ein Kalziumfluoridsubstrat oder dergleichen anstelle des Quarzglassubstrats gemäß einer Belichtungswellenlänge verwendet werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung, mit der Auslegung, in welcher der Antireflexions-Film, der mindestens Silizium und Sauerstoff und/oder Stickstoff enthält, auf dem einlagigen oder mehrlagigen Licht abschirmenden Film, der hauptsächlich ein Metall enthält, kann eine Reflexion, die auf Oberflächen erzeugt wird, wirksam unterdrückt werden, wodurch die Bereitstellung des Fotomasken-Rohlings realisiert wird, und der Fotomasken-Rohling mit dem Licht abschirmenden Film mit dem Antireflexions-Film ausreichende Licht-Abschirm-Leistungen aufweist.
Zusammenfassung
Ein niedrig reflektierender Fotomasken-Rohling für verkürzte Belichtungswellenlängen wird offenbart. Ein Fotomasken-Rohling (1) mit einem einlagigen oder mehrlagigen Film (3), der auf einem lichtdurchlässigen Substrat (2) angeordnet ist, und hauptsächlich ein Metall enthaltend, ist dadurch gekennzeichnet dass er einen Antireflexions-Films (6), der mindestens Silizium und Sauerstoff und/oder Stickstoff enthält, auf dem Licht abschirmenden Film (3) enthält.

Claims

Fotomasken-Rohling mit einem einlagigen oder mehrlagigen Licht abschirmenden Film, der hauptsächlich ein Metall enthält, auf einem lichtdurchlässigen Substrat, wobei der Fotomasken-Rohling einen Antireflexions-Film auf dem Licht abschirmenden Film aufweist, der wenigstens Silizium und Sauerstoff und/oder Stickstoff enthält.
Fotomasken-Rohling nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein Oberflächen-Reflexionsfaktor des Fotomasken-Rohlings nicht größer als 10% bei einer gewünschten Wellenlänge, ausgewählt aus Wellenlängen kürzer als eine Wellenlänge von 200 nm, ist
Fotomasken-Rohling nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein den Reflexionsfaktor verringernder Film zwischen dem Licht abschirmenden Film und dem Antireflexions-Film vorgesehen ist, wobei der den Reflexionsfaktor verringernde Film aus einem Metall mit einem Brechungsfaktor größer als ein Brechungsfaktor eines Materials besteht, das den Licht abschirmenden Film bildet, und kleiner als ein Brechungsfaktor eines Materials, das den Antireflexions-Film bildet.
Fotomasken-Rohling nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Metall ausgewählt ist aus Chrom, Tantal, Wolfram, einer Legierung, welche aus diesen drei Metallen und jeglichen anderen Metall erhalten wird, und einem Material enthaltend eins oder mehrere von Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoff, Bor und Wasserstoff in den Metallen oder der Legierung.
Fotomasken-Rohling nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Phasenverschiebungsschicht zwischen dem lichtdurchlässigen Substrat und dem Licht abschirmenden Film vorgesehen ist.
Fotomasken-Rohling nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei ein Oberflächenreflexionsfaktor nicht größer ist als 15% in einem Wellenlängenband von 150 nm bis 300 nm.
Fotomasken-Rohling nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei ein Oberflächenreflexionsfaktor nicht größer ist als 10% in einem Wellenlängenband von 150 nm bis 250 nm.
Fotomaske, hergestellt unter Verwendung des Fotomasken-Rohlings nach einem der Ansprüche 1 bis 7.
Bild- bzw. Muster-Übertragungsverfahren zum Durchführen einer Übertragung eines Bildes – bzw. Musters unter Verwendung der Fotomaske nach Anspruch 9.