Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

DE10295946B4 - Method for laser trimming a sheet resistance - Google Patents

Method for laser trimming a sheet resistance Download PDF

Info

Publication number
DE10295946B4
DE10295946B4 DE10295946T DE10295946T DE10295946B4 DE 10295946 B4 DE10295946 B4 DE 10295946B4 DE 10295946 T DE10295946 T DE 10295946T DE 10295946 T DE10295946 T DE 10295946T DE 10295946 B4 DE10295946 B4 DE 10295946B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
energy density
gaussian
laser
sheet resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10295946T
Other languages
German (de)
Other versions
DE10295946T5 (en
Inventor
Edward J. Swenson
Richard S. Harris
Yunlong Sun
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Electro Scientific Industries Inc
Original Assignee
Electro Scientific Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Electro Scientific Industries Inc filed Critical Electro Scientific Industries Inc
Publication of DE10295946T5 publication Critical patent/DE10295946T5/en
Application granted granted Critical
Publication of DE10295946B4 publication Critical patent/DE10295946B4/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material
    • H01C17/242—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material by laser
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/08—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by electric discharge, e.g. by spark erosion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

Verfahren zum Lasertrimmen eines Schichtwiderstands (10a) zum Ändern eines Parameters des Schichtwiderstands, der ein auf einem Substrat (18) getragenes Schichtwiderstandsmaterial enthält, von einem Anfangswert in einen Nennwert, wobei das Schichtwiderstandsmaterial zur Bestimmung des Anfangswertes des Parameters beiträgt, wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen eines Gaußschen Strahls von mindestens einem Laserpuls (54) mit UV-Strahlung mit einem räumlichen Energiedichteprofil mit Gaußscher Gestalt; Ausbreiten des Gaußschen Strahls entlang eines optischen Weges durch ein Strahlformgebungselement (90) zum Umwandeln des Gaußschen Strahls in einen transformierten Strahl mit einem gleichmäßigeren räumlichen Energiedichteprofil, das gleichmäßiger als das Energiedichteprofil mit Gaußscher Gestalt ist; Ausbreiten eines Hauptteils des transformierten Strahls durch eine Apertur (98) zum Umwandeln desselben in einen Zielstrahl, der einen Ziellichtfleck mit einem gleichmäßigen räumlichen Energiedichteprofil bildet; Lenken des Zielstrahls auf ein Zielgebiet des Schichtwiderstandsmaterials zum Abtragen des Schichtwiderstandsmaterials in dem Zielgebiet des Schichtwiderstands (10a) und Ändern seines Anfangswertes in den Nennwert und Eindringen in das Substrat (18), um eine Kerbe (30, 30b) durch das Schichtwiderstandsmaterial zu bilden und einen Hauptteil des Substrats (18) in dem Zielgebiet gleichmäßig freizulegen, wobei das gleichmäßige räumliche Energiedichteprofil des Ziellichtfleckes einen effektiven Energiedichtewert hat, der Bildungen von Mikrorissen in dem Substrat (18) minimiert.A method of laser trimming a sheet resistor (10a) for changing a sheet resistance parameter including a sheet resistor material supported on a substrate (18) from an initial value to a nominal value, the sheet resistor material contributing to the determination of the initial value of the parameter, the method comprising: Generating a Gaussian beam of at least one laser pulse (54) with UV radiation having a spatial energy density profile of Gaussian shape; Propagating the Gaussian beam along an optical path through a beamforming element (90) to convert the Gaussian beam into a transformed beam having a more uniform spatial energy density profile that is more uniform than the Gaussian energy density profile; Propagating a major portion of the transformed beam through an aperture (98) for converting it into a target beam forming a target spot having a uniform spatial energy density profile; Directing the aiming beam toward a target area of the sheet resistive material to ablate the sheet resistive material in the target area of sheet resistance (10a) and changing its initial value to nominal and penetrating the substrate (18) to form a notch (30, 30b) through the sheet resistance material and uniformly exposing a major portion of the substrate (18) in the target area, wherein the uniform spatial energy density profile of the target spot has an effective energy density value that minimizes microcracking in the substrate (18).

Description

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung betrifft Lasertrimmen und insbesondere Lasertrimmen von Dick- oder Dünnschichtwiderständen mit einem gleichmäßigen Lichtfleck von einem Festkörperlaser.The present invention relates to laser trimming, and more particularly to laser trimming of thick or thin film resistors with a uniform spot of light from a solid state laser.

Hintergrund der ErfindungBackground of the invention

Herkömmliche Lasersystem werden typischerweise zur Bearbeitung von Zielen, wie zum Beispiel elektrisch widerstandsbehafteten oder leitfähigen Schichten von passiven elektrischen Bauelementstrukturen, wie zum Beispiel Schichtwiderständen, induktiven Schichtbauelementen oder Schichtkondensatoren, in Schaltungen verwendet, die auf keramischen oder anderen Substraten ausgebildet sind. Die Laserbearbeitung zum Trimmen der Widerstandswerte von Schichtwiderständen kann passive, funktionelle oder aktivierte Lasertrimmtechniken, wie zum Beispiel im Detail im US-Patent-Nr. 5,685,995 von Sun et al. beschrieben, enthalten.Conventional laser systems are typically used to process targets, such as electrically resistive or conductive layers, of passive electrical device structures, such as sheet resistors, inductive layer devices, or film capacitors, in circuits formed on ceramic or other substrates. The laser processing for trimming the resistance values of sheet resistors may include passive, functional or activated laser trimming techniques, such as in detail in US Pat US Pat. 5,685,995 by Sun et al. described, included.

Der folgende technologische Hintergrund wird hierin nur beispielhaft für Dickschichtwiderstände dargestellt. 1 zeigt eine isometrische Ansicht eines Werkstückes 10, wie zum Beispiel eines bekannten Dickschichtwiderstands 10a, der einen Teil einer Vorrichtung mit einer hybriden integrierten Schaltung bildet, und 2 zeigt eine Seitenansicht im Querschnitt, die den Dickschichtwiderstand 10a beim Empfangen eines herkömmlichen Laserausgangspulses 12 zeigt. Unter Bezugnahme auf die 1 und 2 umfasst ein herkömmlicher Dickschichtwiderstand 10a typischerweise eine Dickfilmschicht 14 aus Ruthenat- oder Ruthenium-oxidmaterial, die sich zwischen Bereichen der oberen Flächen von metallischen Kontakten 16 erstreckt und darauf aufgetragen ist. Die Schicht 14 und die metallischen Kontakte 16 werden auf einem Keramiksubstrat 18, wie zum Beispiel Aluminiumoxid, gehalten. Moderne Dickfilmpasten auf Ruthenium-Basis sind optimiert worden, um nach Lasertrimmen mit einem 1,047 Mikron(μm)-Nd:YLF-Laser oder einem 1,064 μm-Nd:YAG-Laser stabil zu sein.The following technological background is illustrated herein by way of example only for thick film resistors. 1 shows an isometric view of a workpiece 10 , such as a known thick film resistor 10a forming part of a device with a hybrid integrated circuit, and 2 shows a side view in cross section, the thick-film resistor 10a upon receiving a conventional laser output pulse 12 shows. With reference to the 1 and 2 includes a conventional thick film resistor 10a typically a thick film layer 14 made of ruthenate or ruthenium oxide material that extends between areas of the top surfaces of metallic contacts 16 extends and is applied to it. The layer 14 and the metallic contacts 16 be on a ceramic substrate 18 , such as alumina. Modern ruthenium-based thick film pastes have been optimized to be stable after laser trimming with a 1.047 micron (μm) Nd: YLF laser or a 1.064 micron Nd: YAG laser.

Unter besonderer Bezugnahme auf 1 ist der Widerstandswert des Widerstands 10a weitgehend eine Funktion des spezifischen Widerstands des Widerstandsmaterials und seiner Geometrie, einschließend Länge 22, Breite 24 und Höhe 26. Da es schwierig ist, auf genaue Toleranzen abzuschirmen, werden Dickschichtwiderstände absichtlich auf einen niedrigeren Widerstand als Nennwerte abgeschirmt und auf die gewünschten Werte hochgetrimmt. Mehrere Widerstände 10a mit näherungsweise denselben Widerstandswerten werden in relativ großen Chargen hergestellt und danach Trimmvorgängen unterzogen, um zunehmende Mengen des Widerstandsmaterials zu entfernen, bis der Widerstand auf einen gewünschten Wert angestiegen ist.With particular reference to 1 is the resistance value of the resistor 10a largely a function of the resistivity of the resistive material and its geometry, including length 22 , Width 24 and height 26 , Since it is difficult to shield to exact tolerances, thick film resistors are intentionally shielded to a lower resistance than rated values and trimmed up to the desired values. Several resistances 10a with approximately the same resistance values are produced in relatively large batches and then trimmed to remove increasing amounts of resistive material until the resistance has risen to a desired value.

Unter besonderer Bezugnahme auf 2 entfernt/entfernen ein oder mehrere Laserpuls(e) 12 im wesentlichen die gesamte Höhe 26 des Widerstandsmaterials in den Lichtfleckabmessungen 28 von Laserausgangspulsen 12 und bilden überlappende Lichtfleckabmessungen 28 eine Kerbe 30. Es kann ein einfaches oder komplexes Muster durch das Widerstandsmaterial eines Widerstands 10a getrimmt werden, um seinen Widerstandswert genau abzustimmen. Laserpulse 12 werden typischerweise angelegt, bis der Widerstand 10a einen vorab festgelegten Widerstandswert einhält.With particular reference to 2 remove / remove one or more laser pulse (s) 12 essentially the entire height 26 of the resistance material in the light spot dimensions 28 of laser output pulses 12 and form overlapping light spot dimensions 28 a notch 30 , It can be a simple or complex pattern through the resistance material of a resistor 10a be trimmed to exactly tune its resistance value. laser pulses 12 are typically applied until the resistance 10a adheres to a predetermined resistance value.

3 zeigt eine isometrische Ansicht eines Bereiches eines bekannten Widerstands 10, die der Einfachheit halber zwei Trimmwege 32 und 34 mit üblichem Muster (durch eine unterbrochene Linie getrennt) zwischen Metallkontakten 16 zeigt. Der ”L-Schnitt”-Weg 32 stellt eine typische laserinduzierte Abänderung dar. Bei einem L-Schnitt-Weg 32 wird ein erster Entfernstreifen 36 aus Widerstandsmaterial in einer zu einer Linie zwischen den Kontakten senkrechten Richtung entfernt, um eine Grobeinstellung des Widerstandswertes durchzuführen. Danach kann ein angrenzender zweiter Entfernstreifen 38, der zum ersten Entfernstreifen 36 senkrecht ist, entfernt werden, um eine feinere Einstellung auf den Widerstandswert durchzuführen. Ein ”Serpentinenschnitt”-Weg 34 stellt eine weitere übliche Art der Lasereinstellung dar. Bei einem Serpentinenschnitt 34 wird Widerstandsmaterial entlang der Entfernstreifen 40 entfernt, um die Länge des Schichtweges 43 zu erhöhen. Entfernstreifen 40 werden hinzugefügt, bis ein gewünschter Widerstandswert erreicht ist. Die Entfernstreifen 36, 38 und 40 weisen typischerweise die Breite einer einzelnen Kerbe 30 auf und stellen das kumulative ”Knabbern” eines Zuges von überlappenden Laserpulsen 12 dar, die nahezu das gesamte Widerstandsmaterial in den vorgeschriebenen Mustern entfernen. Wenn der Trimmvorgang abgeschlossen ist, sind somit die Kerben 30 ”sauber”, wobei deren Böden im wesentlichen von Widerstandsmaterial frei sind, so dass das Substrat 18 vollständig freiliegt. Leider erfordert die Ausbildung von herkömmlichen sauberen Kerben 30 ein leichtes Einfallen des Lasers auf die Oberfläche des Substrats 18. 3 shows an isometric view of a region of a known resistor 10 , which for simplicity's sake are two trim ways 32 and 34 with usual pattern (separated by a broken line) between metal contacts 16 shows. The "L-cut" path 32 represents a typical laser-induced modification. In an L-cut path 32 becomes a first removal strip 36 of resistive material in a direction perpendicular to a line between the contacts, to make coarse adjustment of the resistance value. After that, an adjacent second removal strip 38 the first to remove 36 is vertical, removed to make a finer adjustment to the resistance value. A "serpentine cut" path 34 represents another common type of laser adjustment. With a serpentine cut 34 will resistance material along the removal strips 40 removed to the length of the layer path 43 to increase. Entfernstreifen 40 are added until a desired resistance is reached. The removal strips 36 . 38 and 40 typically have the width of a single notch 30 and represent the cumulative "nibble" of a train of overlapping laser pulses 12 which remove almost all of the resistor material in the prescribed patterns. When the trim process is complete, so are the notches 30 "Clean", with their bottoms being essentially free of resistive material, leaving the substrate 18 completely exposed. Unfortunately, the training requires conventional clean notches 30 a slight incidence of the laser on the surface of the substrate 18 ,

Wenn Schichtwiderstände kleiner werden, wie zum Beispiel in den neueren 0402- und 0201-Chip-Widerständen, werden kleinere Lichtfleckgrößen benötigt. Bei den 1,047 μm- und 1,064 μm-Laserwellenlängen stellt das Erzielen von kleineren Lichtfleckgrößen, während herkömmliche Optik verwendet wird und der Standardarbeitsabstand (der zum Vermeiden von Abtragungstrümmern und zum Freigeben der Sonden notwendig ist) und adäquate Schärfentiefe (zum Beispiel Keramik ist nicht eben) beibehalten werden, eine zunehmendere Herausforderung dar. Das Verlangen nach noch genaueren Widerstandswerten treibt die Suche nach engeren Trimmtoleranzen an.As film resistances become smaller, such as in the newer 0402 and 0201 chip resistors, smaller spot sizes are needed. At the 1.047 μm and 1.064 μm laser wavelengths, achieving smaller spot sizes while using conventional optics and the standard working distance (which is necessary to avoid ablation debris and to release the probes) and adequate Depth of field (for example, ceramic is not flat) is a growing challenge. The demand for even more accurate resistance drives the search for tighter trimming tolerances.

Ein Artikel von Albin und Swenson mit dem Titel ”Laser Resistance Trimming from the Measurement Point of View”, IEEE Transactions on Parts, Hybrids, and Packaging, Band PHP-8, No. 2, Juni 1972, beschreibt Messergebnisse und Vorteile der Verwendung eines Festkörperlasers zum Trimmen von Dünnschichtwiderständen.An article by Albin and Swenson titled "Laser Resistance Trimming from the Measurement Point of View," IEEE Transactions on Parts, Hybrids, and Packaging, volume PHP-8, no. 2, June 1972, describes measurement results and advantages of using a solid state laser for trimming thin film resistors.

Kapitel 7 der NEC-Bedienungsanleitung „Instruction Manual for SL436G LASER TRIMMER”, B19-001028 Issue 1, 1997 beschreibt die Herausforderungen, die mit der Verwendung eines Gaußschen Infrarot(IR)-Strahls zum Trimmen von Widerständen, insbesondere Dickschichtwiderständen, verbunden sind. Wärmeeinflusszonen (Heat-Affected Zones (HAZ)), Risse und Drift sind einige der Probleme, denen sich gewidmet wird.Chapter 7 of the NEC Instruction Manual "SL436G LASER TRIMMER", B19-001028 Issue 1, 1997 describes the challenges associated with using a Gaussian infrared (IR) beam to trim resistors, particularly thick film resistors. Heat-affected zones (HAZ), cracks and drift are some of the issues that are being addressed.

Ein Artikel von Swenson et al. mit dem Titel ”Reducing Post Trim Drift of Thin Film Resistors by Optimizing YAG Laser Output Characteristics”, IEEE Transactions on Components, Hybrid, and Manufacturing Technology, Dezember 1978, beschreibt die Verwendung einer grünen (532 nm) Gaußschen Ausgabe eines Festkörperlasers zum Trimmen von Dünnschichtwiderständen zum Reduzieren von HAZ und Drift nach Trimmen.An article by Swenson et al. entitled "Reducing Post Trim Drift of Thin Film Resistors by Optimizing YAG Laser Output Characteristics," IEEE Transactions on Components, Hybrid, and Manufacturing Technology, December 1978, describes the use of a green (532 nm) Gaussian output of a solid state laser for trimming Thin film resistors to reduce HAZ and drift after trimming.

Die US-Patente Nr. 5,569,398 , 5,685,995 und 5,808,272 von Sun und Swenson beschreiben die Verwendung von unkonventionellen Laserwellenlängen, wie zum Beispiel 1,3 μm, zum Trimmen von Filmen oder Vorrichtungen zur Vermeidung einer Beschädigung des Siliziumsubstrats und/oder zum Reduzieren der Absetzzeit während des funktionellen Trimmens.The U.S. Pat. Nos. 5,569,398 . 5,685,995 and 5,808,272 Sun and Swenson describe the use of unconventional laser wavelengths, such as 1.3 μm, for trimming films or devices to prevent damage to the silicon substrate and / or to reduce settling time during functional trimming.

Die internationale Veröffentlichung Nr. WO 99/40591 von Sun und Swenson, veröffentlicht am 12. August 1999, führt das Konzept des Widerstandstrimmens mit einer ultravioletten (UV) Gaußschen Laserausgabe ein. Unter Bezugnahme auf 4 verwenden sie die Gaußsche UV-Laserausgabe zum Abtragen eines Gebietes 44 der Oberfläche von Schichtwiderständen, um deren Oberflächengebiet aufrechtzuerhalten und deren Hochfrequenzgangeigenschaften zu bewahren. Durch absichtliches Beibehalten einer Tiefe 46 des Widerstandsfilms in den getrimmten Gebieten 44 vermeiden sie, die Kerbenböden 48 reinigen zu müssen, und beseitigen sie im wesentlichen die Wechselwirkung zwischen der Laserausgabe und dem Substrat 18, wodurch irgendwelche Probleme beseitigt werden, die durch genannte Wechselwirkung verursacht werden könnten. Leider ist das Oberflächenabtragungstrimmen ein relativ langsamer Prozess, da die Laserparameter sorgfältig gedämpft und gesteuert werden müssen, um ein vollständiges Entfernen des Widerstandsfilms zu vermeiden.International Publication No. WO 99/40591 Sun and Swenson, published August 12, 1999, introduces the concept of resistance trimming with an ultraviolet (UV) Gaussian laser output. With reference to 4 use the Gaussian UV laser output to ablate an area 44 the surface of sheet resistors to maintain their surface area and preserve their high frequency performance characteristics. By intentionally maintaining a depth 46 Resistance film in the trimmed areas 44 avoid the notch bottoms 48 and essentially eliminate the interaction between the laser output and the substrate 18 which eliminates any problems that might be caused by said interaction. Unfortunately, surface ablation trimming is a relatively slow process because the laser parameters must be carefully damped and controlled to avoid complete removal of the resistive film.

Mikroreißen stellt eine weitere Herausforderung dar, die mit der Verwendung eines Gaußschen Festkörperlaserstrahls zum Trimmen von Widerständen verbunden ist. Mikrorisse, die häufig in der Mitte einer Kerbe 30 auf dem Substrat auftreten, können sich in den Widerstandsfilm erstrecken, was zu potentiellen Driftproblemen führt. Mikrorisse können auch eine mit dem Temperaturkoeffizienten des Widerstands (Temperature Coefficient of Resistance (TCR)) verbundene Verschiebung verursachen. Besagtes Mikroreißen tritt verstärkter bei den neueren 0402- und 0201-Chip-Widerstanden auf, die auf dünneren Substraten 18, mit einer typischen Höhe beziehungsweise Dicke von ungefähr 100 bis 200 μm, verglichen mit denjenigen von traditionellen Widerständen hergestellt werden. Mikroreißen in diesen Widerständen mit dünnerem Substrat kann wandern und sogar zu einem plötzlichen Ausfall oder physikalischem Bruch, insbesondere entlang der Trimmkerbe 30, des Widerstands während nachfolgenden Handlings führen. Mikroreißen kann auch ”bevorzugte” Bruchlinien erzeugen, die ausgeprägter als die für einen gewünschten Bruch vorgeschriebenen Bruchlinien in Snapstrates sind.Micro-tearing is another challenge associated with the use of a Gaussian solid state laser beam to trim resistors. Microcracks, often in the middle of a notch 30 occurring on the substrate may extend into the resistive film, leading to potential drift problems. Microcracks can also cause a shift associated with the Temperature Coefficient of Resistance (TCR). Said micro-tearing is more pronounced in the newer 0402 and 0201 chip resistors operating on thinner substrates 18 , with a typical height or thickness of about 100 to 200 microns, compared to those produced by traditional resistors. Microcracks in these thinner substrate resistors can migrate and even lead to sudden failure or physical breakage, especially along the trim notch 30 , lead the resistance during subsequent handling. Microcracks can also produce "preferred" fracture lines that are more pronounced than the fracture lines prescribed in Snapstrates for a desired fracture.

Aus der JP 10 149 908 A geht ein Verfahren zum Lasertrimmen eines Schichtwiderstands hervor, bei dem ein gepulster UV-Laserstrahl eines Festkörperlasers mit im allgemeinen Gaußscher Form mittels einer Apertur in einen Ziellaserstrahl umgewandelt wird.From the JP 10 149 908 A describes a method for laser trimming a sheet resistance, in which a pulsed UV laser beam of a solid-state laser is converted into a generally Gaussian shape by means of an aperture in a target laser beam.

In der JP 09 246 023 A ist ein gattungsgemäßes Verfahren beschrieben, bei dem ein von einem Excimer-Laser emittierter Laserstrahl durch einen Strahlaufweiter und einen variablen Abschwächer geführt wird. Im Anschluss daran tritt der Laserstrahl durch eine Apertur.In the JP 09 246 023 A a generic method is described in which a laser beam emitted by an excimer laser is passed through a beam expander and a variable attenuator. Subsequently, the laser beam passes through an aperture.

Weitere gattungsgemäße Verfahren ergeben sich auch aus der JP 11 320 134 A und EP 0 471 202 A2 .Other generic methods also result from the JP 11 320 134 A and EP 0 471 202 A2 ,

Ein Teil des Mikroreißens kann durch die Mitte mit hoher Intensität des Gaußschen Strahllichtflecks in ziemlich derselben Weise verursacht werden, in der ein Gaußscher Strahl für die Beschädigung der Mitte eines Sackloches bei einem Laserbohrvorgang (obwohl die Ziele und Substrate unterschiedliche Materialien sind) verantwortlich sein kann. Die internationale Veröffentlichung Nr. WO 00/73013 von Dunsky et al., veröffentlicht am 7. Dezember 2000, beschreibt ein Verfahren zum Erzeugen und Verwenden eines durch Abbildung geformten Gaußschen Strahls zum Liefern eines gleichmäßigen Laserlichtflecks, der für Lochbohroperationen besonders nützlich ist.Part of the microcracking may be caused by the high intensity center of the Gaussian beam spot in much the same way that a Gaussian beam may be responsible for center hole damage in a laser drilling operation (although the targets and substrates are different materials). International Publication No. WO 00/73013 by Dunsky et al., published December 7, 2000, describes a method of creating and using an image shaped Gaussian beam to provide a uniform laser light spot, which is particularly useful for Lochbohroperationen.

Ein Artikel von Swenson, Sun und Dunsky mit dem Titel ”Laser Micromachining in Electronics Manufacturing: A Historical Overview”, SPIE's 45. Jahrestreffen, The international Symposium on Optical Science and Technology, 30. Juli–4. August 2000, beschreibt ein verbessertes Oberflächenscanverfahren unter Verwendung eines gleichmäßigen 40 μm-Lichtfleckes, der von einer von Dickey et al. in dem US-Patent Nr. 5,864,430 beschriebenen Linse gebildet ist.An article by Swenson, Sun and Dunsky titled "Laser Micromachining in Electronics Manufacturing: A Historical Overview", SPIE's 45th Annual Meeting, The International Symposium on Optical Science and Technology, July 30-4. August 2000, describes an improved surface scanning method using a uniform 40 μm light spot derived from a von Dickey et al. by doing U.S. Patent No. 5,864,430 formed lens is formed.

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Eine Aufgabe der Erfindung besteht somit darin, das Auftreten und/oder das Ausmaß von Mikrorissen beim Lasertrimmen eines Schichtwiderstands zu reduzieren.It is therefore an object of the invention to reduce the occurrence and / or extent of microcracks when laser trimming a film resistor.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zum Lasertrimmen eines Schichtwiderstands zum Ändern eines Parameters des Schichtwiderstands, der ein auf einem Substrat getragenes Schichtwiderstandsmaterial enthält, von einem Anfangswert in einen Nennwert, wobei das Schichtwiderstandsmaterial zur Bestimmung des Anfangswertes des Parameters beiträgt, wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen eines Gaußschen Strahls von mindestens einem Laserpuls mit UV-Strahlung mit einem räumlichen Energiedichteprofil mit Gaußscher Gestalt; Ausbreiten des Gaußschen Strahls entlang eines optischen Weges durch ein Strahlformgebungselement zum Umwandeln des Gaußschen Strahls in einen transformierten Strahl mit einem gleichmäßigeren räumlichen Energiedichteprofil, das gleichmäßiger als das Energiedichteprofil mit Gaußscher Gestalt ist; Ausbreiten eines Hauptteils des transformierten Strahls durch eine Apertur zum Umwandeln desselben in einen Zielstrahl, der einen Ziellichtfleck mit einem gleichmäßigen räumlichen Energiedichteprofil bildet; Lenken des Zielstrahls auf ein Zielgebiet des Schichtwiderstandsmaterials zum Abtragen des Schichtwiderstandsmaterials in dem Zielgebiet des Schichtwiderstands und Ändern seines Anfangswertes in den Nennwert und Eindringen in das Substrat, um eine Kerbe durch das Schichtwiderstandsmaterial zu bilden und einen Hauptteil des Substrats in dem Zielgebiet gleichmäßig freizulegen, wobei das gleichmäßige räumliche Energiedichteprofil des Ziellichtfleckes einen effektiven Energiedichtewert hat, der Bildungen von Mikrorissen in dem Substrat minimiert.According to the invention, this object is achieved by a method of laser trimming a sheet resistor for changing a sheet resistance parameter including a sheet resistor material carried on a substrate from an initial value to a nominal value, the sheet resistor material contributing to the determination of the initial value of the parameter, the method comprising : Generating a Gaussian beam of at least one laser pulse with UV radiation having a spatial energy density profile with Gaussian shape; Propagating the Gaussian beam along an optical path through a beamforming element to convert the Gaussian beam into a transformed beam having a more uniform spatial energy density profile that is more uniform than the Gaussian energy density profile; Propagating a major portion of the transformed beam through an aperture to convert it to a target beam that forms a target spot having a uniform spatial energy density profile; Directing the aiming beam at a target area of the sheet resistive material to ablate the sheet resistive material in the target area of sheet resistance and changing its initial value to nominal and penetrating the substrate to form a notch through the sheet resistive material and uniformly expose a major portion of the substrate in the target area the uniform spatial energy density profile of the target spot has an effective energy density value that minimizes microcracking in the substrate.

Zumindest in einer besonderen Ausführungsform werden Lichtfleckgrößen von weniger als 20 μm zum Trimmen von kleineren Chip-Widerständen, wie zum Beispiel 0402- und 0201-Chip-Widerständen, bereitgestellt.At least in one particular embodiment, spot sizes less than 20 microns are provided for trimming smaller chip resistors, such as 0402 and 0201 chip resistors.

Die vorliegende Erfindung verwendet vorzugsweise einen gleichmäßigen Lichtfleck, wie zum Beispiel durch Abbildung geformten Gaußschen Lichtfleck oder einen beschnittenen Gaußschen Lichtfleck, der einen Durchmesser von weniger als 20 μm aufweist und gleichförmige Energie quer über die Unterseite einer Kerbe 30 verleiht, wodurch das Ausmaß und die Schwere von Mikroreißen minimiert wird. Wenn passend, können diese Lichtflecke in einer abtragenden, nichtthermischen UV-Laser-Wellenlänge zum Reduzieren der HAZ und/oder der Verschiebung des TCR erzeugt werden. Diese Techniken können sowohl zur Dünn- als auch Dickschichtwiderstandsbearbeitung verwendet werden.The present invention preferably utilizes a uniform spot of light, such as an image-formed Gaussian spot or a truncated Gaussian spot having a diameter of less than 20 μm, and uniform energy across the bottom of a notch 30 which minimizes the extent and severity of micro-tears. If appropriate, these spots of light may be generated in an ablative, non-thermal UV laser wavelength to reduce the HAZ and / or the displacement of the TCR. These techniques can be used for both thin and thick film resistance machining.

Weitere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden anhand der folgenden ausführlichen Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen derselben ersichtlich werden, die unter Bezugnahme der beigefügten Zeichnungen erfolgt.Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of preferred embodiments thereof, taken with reference to the accompanying drawings.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

1 zeigt eine fragmentarische isometrische Ansicht eines Dickschichtwiderstands. 1 shows a fragmentary isometric view of a thick film resistor.

2 zeigt eine Seitenansicht im Querschnitt eines Dickschichtwiderstands, der eine Laserausgabe empfängt, die die gesamte Dicke des Widerstandsmaterials entfernt. 2 shows a side view in cross-section of a thick film resistor that receives a laser output that removes the entire thickness of the resistive material.

3 zeigt eine fragmentarische isometrische Ansicht eines Widerstands, die zwei übliche bekannte Trimmwege zeigt. 3 Figure 4 shows a fragmentary isometric view of a resistor showing two common known trimming paths.

4 zeigt eine isometrische Ansicht eines Dickschichtwiderstands mit einem Oberflächenabtragungstrimmprofil. 4 shows an isometric view of a thick film resistor with a surface removal trim profile.

5 zeigt eine vereinfachte Seitenansicht und teilweise schematische Ansicht einer Ausführungsform eines Lasersystems, das zum Trimmen von Filmen gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird. 5 shows a simplified side view and partial schematic view of an embodiment of a laser system used for trimming films according to the present invention.

6A–6C zeigen eine Sequenz von vereinfachten Strahlungsprofilen eines Laserstrahls, wie es sich durch zahlreiche Systemkomponenten des Lasersystems von 5 ändert. 6A - 6C show a sequence of simplified radiation profiles of a laser beam, as reflected by numerous system components of the laser system of 5 changes.

7A–7D zeigen beispielhafte im wesentlichen gleichförmige quadratische oder kreisförmige Strahlungsprofile. 7A - 7D show exemplary substantially uniform square or circular radiation profiles.

8 zeigt einen graphischen Vergleich von idealen Fluenzverteilungen an der Aperturebene für durch Abbildung geformte Ausgabe und beschnittene Gaußsche Ausgabe bei mehreren typischen Transmissionsstärken unter beispielhaften Laserbearbeitungsparametern. 8th Figure 4 shows a graphical comparison of ideal aperture distribution fluence distributions for imaging shaped output and truncated ones Gaussian output at several typical transmission powers under exemplary laser processing parameters.

9 zeigt eine Graphik des Lochverjüngungsverhältnisses als eine Funktion des Arbeitsflächenortes relativ zur Nennbildebene. 9 FIG. 12 shows a graph of the hole taper ratio as a function of the working surface location relative to the nominal image plane.

10 zeigt eine Graphik des Lochdurchmessers als eine Funktion des Arbeitsflächenortes relativ zur Nennbildebene. 10 FIG. 12 shows a graph of the hole diameter as a function of the working surface location relative to the nominal image plane.

Ausführliche Beschreibung von bevorzugten AusführungsformenDetailed description of preferred embodiments

Unter Bezugnahme auf 5 enthält eine bevorzugte Ausführungsform eines Lasersystems 50 der vorliegenden Erfindung einen gütegeschalteten, diodengepumpten (Diode-Pumped (DP)) Festkörper (Solid-State(SS))-UV-Laser 52, der vorzugsweise ein Festkörper-Laser-material, wie zum Beispiel Nd:YAG, Nd:YLF oder Nd:YVO4, enthält. Der Laser 52 sorgt vorzugsweise für harmonisch erzeugte UV-Laser-Pulse beziehungsweise -ausgabe 54 auf einer Wellenlänge, wie zum Beispiel 355 nm (frequenzverdreifachter Nd:YAG), 266 nm (frequenzvervierfachter Nd:YAG) oder 213 nm (frequenzverfünffachter Nd:YAG) mit hauptsächlich einem räumlichen TEM00-Modenprofil. Fachleute werden anerkennen, daß andere Wellenlängen und deren Harmonischen anhand der anderen aufgelisteten Lasermaterialien verfügbar sind. Zum Beispiel schließen bevorzugte YLF-Wellenlängen 349 nm und 262 nm ein. Fachleute werden auch anerkennen, dass die meisten Laser 52 keine perfekte Gaußsche Ausgabe 54 emittieren; jedoch wird der Einfachheit halber Gauß hierin frei verwendet, um das Strahlungsprofil der Laserausgabe 54 zu beschreiben. Laserhohlraumanordnungen, Erzeugung von Harmonischen und Betrieb mit Güteschaltung sind für Fachleute auf dem Gebiet allgemein bekannt. Details von beispielhaften Laser 52 sind in der internationalen Veröffentlichung Nr. WO 99/40591 von Sun und Swenson beschrieben.With reference to 5 contains a preferred embodiment of a laser system 50 In the present invention, a Q-switched, diode-pumped (DP) solid state (SS) (UV) laser 52 which preferably contains a solid state laser material such as Nd: YAG, Nd: YLF or Nd: YVO 4 . The laser 52 preferably ensures harmoniously generated UV laser pulses or output 54 at a wavelength such as 355 nm (frequency tripled Nd: YAG), 266 nm (frequency quadrupled Nd: YAG) or 213 nm (frequency five times Nd: YAG) with mainly a spatial TEM 00 mode profile. Those skilled in the art will recognize that other wavelengths and their harmonics are available from the other listed laser materials. For example, preferred YLF wavelengths include 349 nm and 262 nm. Professionals will also recognize that most lasers 52 no perfect Gaussian edition 54 emit; however, for the sake of simplicity, Gauss is used herein freely to describe the radiation profile of the laser output 54 to describe. Laser cavity arrangements, harmonic generation, and Q-switched operation are well known to those skilled in the art. Details of exemplary laser 52 are in the international publication no. WO 99/40591 described by Sun and Swenson.

Obwohl andere Festkörper-Laser-Wellenlängen, wie zum Beispiel grün (z. B. 532 nm) oder IR (z. B. 1,06 μm oder 1,32 μm), verwendet werden könnten, wird eine UV-Laser-Wellenlängen zum Trimmen bevorzugt, da sie eine abtragende, relativ nichtthermische Art aufweist, die eine Drift nach Trimmen reduziert. Eine UV-Laser-Wellenlänge sorgt auch inhärent für eine kleinere Lichtfleckgröße an der Oberfläche eines Werkstückes 10 als die von einer IR- oder grünen Laserwellenlänge bereitgestellte unter Verwendung derselben Schärfentiefe.Although other solid state laser wavelengths, such as green (eg, 532 nm) or IR (eg, 1.06 μm or 1.32 μm), could be used, UV laser wavelengths become Trimming is preferred because it has a eroding, relatively non-thermal type that reduces drift after trimming. A UV laser wavelength also inherently provides for a smaller spot size on the surface of a workpiece 10 as that provided by an IR or green laser wavelength using the same depth of field.

UV-Laser-Pulse 54 können durch eine Vielzahl von allgemein bekannten Optiken, einschließlich Strahlaufweiter und/oder Upcollimator-Linsenkomponenten 56 und 58, die entlang des Strahlenweges 64 positioniert sind, geleitet werden. Die UV-Laser-Pulse 54 werden danach vorzugsweise durch ein Formgebungs- und/oder Abbildungssystem 70 zum Erzeugen von gleichmäßigen Pulsen beziehungsweise Ausgabe 72 gelenkt, die danach vorzugsweise von einem Strahlpositioniersystem 74 zum Zielen der gleichförmigen Ausgabe 72 durch eine Scanlinse 80 (Die Scanlinse wird auch allgemein als eine ”zweite Abbildungs”-, Fokussier-, Abschneide- oder Objektivlinse bezeichnet.) auf eine gewünschte Laserzielposition 82 in der Bildebene auf einem Werkstück 10, wie zum Beispiel Dickschichtwiderstände 10a oder Dünnschichtwiderstände, gerichtet wird. Die gleichmäßige Ausgabe 72 umfasst vorzugsweise eine Laserausgabe, die abgeschnitten (beschnitten), fokussiert und beschnitten, geformt oder geformt und beschnitten worden ist.UV laser pulses 54 may be provided by a variety of well known optics, including beam expander and / or upcollimator lens components 56 and 58 along the ray path 64 are positioned. The UV laser pulses 54 are thereafter preferably through a shaping and / or imaging system 70 for generating uniform pulses or output 72 preferably followed by a beam positioning system 74 for aiming uniform output 72 through a scan lens 80 (The scan lens is also commonly referred to as a "second imaging," focusing, trimming, or objective lens.) To a desired laser target position 82 in the picture plane on a workpiece 10 , such as thick film resistors 10a or thin film resistors. The even output 72 preferably comprises a laser output that has been cut (trimmed), focused and trimmed, molded or shaped and trimmed.

Das Abbildungssystem 70 benutzt vorzugsweise eine Aperturmaske 98, die zwischen einem optischen Element 90 und einer Sammel- oder Kollimationslinse 112 und im oder in der Nähe des Brennpunkts der von dem optischen Element 90 erzeugten Strahltaille positioniert ist. Die Aperturmaske 98 sperrt vorzugsweise irgendwelche unerwünschten Seitenkeulen in dem Strahl, um ein Lichtfleckprofil mit einer kreisförmigen oder anderen Gestalt zu präsentieren, die nachfolgend auf die Arbeitsfläche abgebildet wird. Außerdem kann Variieren der Größe der Apertur die Randschärfe des Lichtfleckprofils steuern, um ein kleineres, schärferkantiges Intensitätsprofil erzeugen, das die Ausrichtgenauigkeit verbessern sollte. Zusätzlich kann die Gestalt der Apertur genau kreisförmig sein oder in rechteckige, elliptische oder andere nichtkreisförmige Formen, die vorteilhafterweise zum Widerstandstrimmen verwendet werden können, abgeändert werden.The imaging system 70 preferably uses an aperture mask 98 between an optical element 90 and a collection or collimation lens 112 and at or near the focal point of the optical element 90 positioned beam waist is positioned. The aperture mask 98 preferably blocks any unwanted sidelobes in the beam to present a light spot profile having a circular or other shape which is subsequently imaged onto the work surface. Additionally, varying the size of the aperture may control the edge sharpness of the light spot profile to produce a smaller, sharper-edged intensity profile that should improve alignment accuracy. In addition, the shape of the aperture may be precisely circular or may be altered into rectangular, elliptical or other non-circular shapes which may be advantageously used for resistance trimming.

Die Maske 98 kann ein Material umfassen, das zur Verwendung bei der Wellenlänge der Laserausgabe 54 geeignet ist. Wenn die Laserausgabe 54 UV ist, dann kann die Maske 98 zum Beispiel ein UV-reflektierendes oder UV-absorbierendes Material umfassen, aber ist es vorzugsweise aus einem dielektrischen Material, wie zum Beispiel UV-beständigem Quarzgut oder Saphir, beschichtet mit einer mehrschichtigen UV-reflektierenden Beschichtung oder anderen UV-beständigen Beschichtung. Die Apertur der Maske 98 kann optional nach außen an ihrer Lichtaustrittsseite erweitert sein.The mask 98 may include a material suitable for use at the wavelength of the laser output 54 suitable is. If the laser output 54 UV is, then the mask can 98 For example, a UV-reflective or UV-absorbing material may be included, but is preferably made of a dielectric material such as UV-resistant fused silica or sapphire coated with a multi-layered UV-reflective coating or other UV-resistant coating. The aperture of the mask 98 can optionally be extended to the outside at its light exit side.

Das optische Element 90 kann Fokussieroptiken oder Strahlformgebungskomponenten, wie zum Beispiel asphärische Optiken, refraktive binäre Optiken, ablenkende binäre Optiken oder diffraktive Optiken, umfassen. Ein Teil oder alle davon können mit der oder ohne die Aperturmaske 98 verwendet werden. In einer bevorzugten Ausführungsform umfaßt eine Strahlformgebungskomponente ein diffraktives optisches Element (Diffractive Optical Element (DOE)), das eine komplexe Strahlformgebung mit hoher Effizienz und Genauigkeit durchführen kann. Die Strahlformgebungskomponente transformiert nicht nur das Gaußsche Strahlungsprofil von 6A auf das nahezu gleichmäßige Strahlungsprofil von 6B, sondern sie fokussiert auch die geformte Ausgabe 94 auf eine vorab bestimmbare beziehungsweise spezifizierte Lichtfleckgröße. Sowohl das geformte Strahlungsprofil 94b als auch die vorgeschriebene Lichtfleckgröße sind derart gestaltet, dass sie in einer Konstruktionsentfernung Z0 hinter dem optischen Element 90 auftreten. Obwohl ein einziges Element DOE bevorzugt wird, werden Fachleute anerkennen, dass das DOE mehrere separate Elemente, wie zum Beispiel in dem US-Patent Nr. 5,864,430 von Dickey et al., das auch Techniken zum Entwerfen von DOEs für den Zweck der Strahlformgebung beschreibt, beschriebene Phasenplatte und Transformationselemente, enthalten kann.The optical element 90 may include focusing optics or beam shaping components, such as aspherical optics, refractive binary optics, deflecting binary optics, or diffractive optics. Some or all of them may be with or without the aperture mask 98 be used. In a preferred embodiment, a beam shaping component comprises a diffractive optical element (DOE). ) which can perform complex beam shaping with high efficiency and accuracy. The beam shaping component not only transforms the Gaussian radiation profile of 6A on the nearly uniform radiation profile of 6B but it also focuses the shaped output 94 to a pre-determined or specified spot size. Both the shaped radiation profile 94b and the prescribed spot size are designed to be at a design distance Z 0 behind the optical element 90 occur. Although a single element DOE is preferred, those skilled in the art will recognize that the DOE has several separate elements, such as in the US patent application Ser U.S. Patent No. 5,864,430 Dickey et al., which also describes techniques for designing DOEs for the purpose of beam shaping, described phase plate and transformation elements.

Die 6A–6C (zusammen 6) zeigen eine Sequenz von vereinfachten Strahlungsprofilen 92, 96 und 102 eines Laserstrahls, wie es sich durch zahlreiche Systemkomponenten des Lasersystems 50 verändert. 6Ba–6Bc zeigen vereinfachte Strahlungsprofile 96a–96c der geformten Ausgabe 94 (jeweils 94a, 94b und 94c) als eine Funktion der Entfernung Z in Bezug auf Z0'. Z0' ist die Entfernung, wo die geformte Ausgabe 94 ihr in dem Strahlungsprofil 96b flachestes Strahlungsprofil aufweist. In einer bevorzugten Ausführungsform befindet sich Z0' in der Nähe oder ist sie gleich der Entfernung Z0.The 6A - 6C (together 6 ) show a sequence of simplified radiation profiles 92 . 96 and 102 a laser beam, as can be seen by numerous system components of the laser system 50 changed. 6 ba - 6bc show simplified radiation profiles 96a - 96c the shaped edition 94 (each 94a . 94b and 94c ) as a function of the distance Z with respect to Z 0 '. Z 0 'is the distance where the shaped output 94 you in the radiation profile 96b has the shallowest radiation profile. In a preferred embodiment, Z 0 'is near or equal to the distance Z 0 .

Unter nochmaliger Bezugnahme auf die 5 und 6 enthält eine bevorzugte Ausführungsform eines Formabbildungssystems 70 eine oder mehrere Strahlformgebungskomponente(n), die kollimierte Pulse 60, die ein rohes Gaußsches Strahlprofil 92 aufweisen, in geformte (und fokussierte) Pulse oder Ausgabe 94b umwandeln, die ein nahezu gleichmäßiges ”Zylinder”-Profil 96b oder insbesondere ein super-Gaußsches Strahlungsprofil in der Nähe einer der Strahlformgebungskomponente nachgeschalteten Aperturmaske 98 aufweist. 6Ba zeigt ein beispielhaftes Strahlungsprofil 94a, wo Z < Z0' ist, und 6Bc zeigt ein beispielhaftes Strahlungsprofil 94c, wo Z > Z0' ist. In dieser Ausführungsform umfasst die Linse 112 zur Verhinderung Beugungsringen nützliche Abbildungsoptik. Fachleute werden anerkennen, dass eine einzige Abbildungslinsenkomponente oder mehrere Linsenkomponenten verwendet werden könnten.Referring again to the 5 and 6 contains a preferred embodiment of a form imaging system 70 one or more beamforming component (s), the collimated pulses 60 , which is a raw Gaussian beam profile 92 in shaped (and focused) pulses or output 94b convert that to a nearly uniform "cylinder" profile 96b or in particular a super-Gaussian radiation profile in the vicinity of an aperture mask connected downstream of the beam-shaping component 98 having. 6 ba shows an exemplary radiation profile 94a where Z <Z 0 ', and 6bc shows an exemplary radiation profile 94c where Z> Z 0 '. In this embodiment, the lens comprises 112 to prevent diffraction rings useful imaging optics. Those skilled in the art will appreciate that a single imaging lens component or multiple lens components could be used.

Die oben erörterten Formgebungs- und Abbildungstechniken sind detailliert in der internationalen Veröffentlichung Nr. WO 00/73013 , veröffentlicht am 7. Dezember 2000, beschrieben. Die relevanten Teile der Offenbarung des korrespondierenden US-Patents 6,433,301 von Dunsky et al. werden hierin durch Bezugnahme aufgenommen.The molding and imaging techniques discussed above are described in detail in International Publication no. WO 00/73013 , published on December 7, 2000. The relevant parts of the disclosure of the corresponding U.S. Patent 6,433,301 by Dunsky et al. are incorporated herein by reference.

Die 7A–7D (zusammen 7) zeigen beispielhafte im wesentlichen gleichmäßige Strahlungsprofile, die von einem Gaußschen Strahl erzeugt werden, der, wie in dem US-Patent Nr. 5,864,430 beschrieben, durch ein DOE geht. Die 7A–7C zeigen quadratische Strahlungsprofile und 7D zeigt ein zylindrisches Strahlungsprofil. Das Strahlungsprofil von 7C ist ”umgekehrt”, wobei es höhere Intensität an seinen Rändern als in Richtung zu seiner Mitte zeigt. Fachleute werden anerkennen, dass Strahlformgebungskomponenten 90 derart gestaltet werden können, dass sie eine Vielzahl von anderen Strahlungsprofilen liefern, die für spezielle Anwendungen nützlich sein können, und diese Strahlungsprofile ändern sich typischerweise als eine Funktion von deren Entfernung von Z0'. Fachleute werden anerkennen, dass ein zylindrisches Strahlungsprofil, wie zum Beispiel das in 7D gezeigte, vorzugsweise für kreisförmige Aperturen 98 verwendet wird; quaderförmige Strahlungsprofile würden für quadratische Aperturen bevorzugt; und die Eigenschaften von anderen Strahlformgebungskomponenten 90 könnten auf die Gestalten anderer Aperturen zugeschnitten werden. Zum Beispiel für viele einfache Lochtrimmanwendungen könnte ein umgekehrtes quaderförmiges Strahlungsprofil mit einer quadratischen Apertur in einer Maske 98 verwendet werden.The 7A - 7D (together 7 ) show exemplary substantially uniform radiation profiles produced by a Gaussian beam, which, as in FIG U.S. Patent No. 5,864,430 described, goes through a DOE. The 7A - 7C show square radiation profiles and 7D shows a cylindrical radiation profile. The radiation profile of 7C is "reversed", showing higher intensity at its edges than towards its center. Professionals will recognize that beam shaping components 90 can be designed to provide a variety of other radiation profiles that may be useful for specific applications, and these radiation profiles typically change as a function of their distance from Z 0 '. Those skilled in the art will recognize that a cylindrical radiation profile, such as the one in FIG 7D shown, preferably for circular apertures 98 is used; parallelepiped radiation profiles would be preferred for square apertures; and the properties of other beam shaping components 90 could be tailored to the shapes of other apertures. For example, for many simple hole trimming applications, an inverted parallelepiped radiation profile could have a square aperture in a mask 98 be used.

Das Strahlpositioniersystem 74 benutzt vorzugsweise eine für Lasertrimmsysteme verwendete herkömmliche Positioniereinrichtung. Ein derartiges Positioniersystem 74 weist typischerweise einen oder mehrere Tisch(e) auf, die das Werkstück 10 bewegen. Das Positioniersystem 74 kann zum Bewegen von Laserlichtflecken einer geformten Ausgabe 118 in einer überlappenden Weise zur Bildung von Kerben 30 entlang Trimmwegen 32 beziehungsweise 34 verwendet werden. Bevorzugte Strahlpositioniersysteme können in dem Modell 2300-, Modell 4370- oder bald herauszubringenden -Modell 2370-Lasertrimmsystem gefunden werden. Andere Positioniersysteme können an die Stelle gesetzt werden und sind für Praktiker auf dem Gebiet der Lasertechnik allgemein bekannt.The beam positioning system 74 preferably uses a conventional positioning device used for laser trimming systems. Such a positioning system 74 typically includes one or more tables that hold the workpiece 10 move. The positioning system 74 can be used to move laser light spots of a shaped output 118 in an overlapping manner to form notches 30 along trim paths 32 respectively 34 be used. Preferred beam positioning systems can be found in the model 2300, model 4370 or soon-to-be-launched model 2370 laser trimming system. Other positioning systems can be put in place and are well known to practitioners in the field of laser technology.

Ein Beispiel eines bevorzugten Lasersystems 50, das viele der oben beschriebenen Systemkomponenten enthält, verwendet einen UV-Laser (355 nm oder 266 nm) in einem Modell 5200-Lasersystem oder anderen in seiner Serie. Fachleute auf dem Gebiet werden jedoch anerkennen, dass jeder andere Lasertyp mit einem Gaußschen Strahlintensitätsprofil (vor hierin beschriebenem Abbilden beziehungsweise Formgeben), andere Wellenlängen, wie zum Beispiel IR, oder andere Strahlaufweitungsfaktoren verwendet werden können.An example of a preferred laser system 50 containing many of the system components described above uses a UV laser (355 nm or 266 nm) in a Model 5200 laser system or others in its series. However, it will be appreciated by those skilled in the art that any other type of laser having a Gaussian beam intensity profile (as described herein), other wavelengths, such as IR, or other beam broadening factors may be used.

Das Lasersystem 50 kann eine Lasersystemausgabe 114 mit bevorzugten Parametern von typischen Widerstandstrimmfenstern erzeugen, die einschließen können: eine ultraviolette Wellenlänge, vorzugsweise zwischen ungefähr 180–400 nm; mittlere Leistungsdichten, die größer als ungefähr 100 mW und vorzugsweise größer als 300 mW sind; Lichtfleckgrößendurchmesser oder räumliche Hauptachsen von ungefähr 5 μm bis größer als ungefähr 50 μm; eine Pulsfrequenz von mehr als ungefähr 1 kHz, vorzugsweise größer als ungefähr 5 kHz oder sogar größer als 50 kHz; zeitliche Pulsbreiten, die kürzer als ungefähr 100 ns sind und vorzugsweise von ungefähr 40–90 ns oder kürzer sind; eine Abtastgeschwindigkeit von ungefähr 1–200 mm/s oder schneller, vorzugsweise ungefähr 10–100 mm/s und am bevorzugtesten ungefähr 10–50 mm/s; und eine Bissgröße von ungefähr 0,1–20 μm, vorzugsweise 0,1–10 μm und am bevorzugtesten 0,1–5 μm. Die bevorzugten Parameter der Lasersystemausgabe 114 werden in dem Versuch ausgewählt, thermische oder andere unerwünschte Schädigungen von Substraten 18 zu umgehen. Fachleute werden anerkennen, dass diese Ausgabepulsparameter voneinander abhängig sind und von der gewünschten Leistung bestimmt werden.The laser system 50 can be a laser system output 114 with preferred parameters of generate typical resistance trimming windows, which may include: an ultraviolet wavelength, preferably between about 180-400 nm; average power densities greater than about 100 mW and preferably greater than 300 mW; Spot size diameters or major spatial axes from about 5 μm to greater than about 50 μm; a pulse rate greater than about 1 kHz, preferably greater than about 5 kHz or even greater than 50 kHz; temporal pulse widths shorter than about 100 ns, and preferably about 40-90 ns or shorter; a scanning speed of about 1-200 mm / s or faster, preferably about 10-100 mm / s, and most preferably about 10-50 mm / s; and a bite size of about 0.1-20 μm, preferably 0.1-10 μm, and most preferably 0.1-5 μm. The preferred parameters of the laser system output 114 are selected in the experiment, thermal or other undesirable damage to substrates 18 to get around. Those skilled in the art will appreciate that these output pulse parameters are interdependent and determined by the desired performance.

Fachleute werden auch anerkennen, dass das Lichtfleckgebiet der Lasersystemausgabe 114 vorzugsweise kreisförmig oder quadratisch ist, aber andere einfache Gestalten, wie zum Beispiel Ellipsen und Rechtecke nützlich sein können und sogar komplexe Strahlgestalten mit der richtigen Auswahl von optischen Elementen 90, die mit einer gewünschten Aperturgestalt in der Maske 98 zusammenwirken, möglich sind. Bevorzugte Lichtfleckgebiete zum Lasertrimmen, insbesondere zum UV-Lasertrimmen, sind im Durchmesser vorzugsweise kleiner als ungefähr 40 μm, noch bevorzugter im Durchmesser kleiner als ungefähr 20 μm und am bevorzugtesten im Durchmesser kleiner als ungefähr 15 μm. Fachleute werden anerkennen, dass Widerstände 10a, da die Lichtfleckgröße der UV-Laser-Ausgabe kleiner als die Lichtfleckgröße einer herkömmlichen Lasertrimmausgabe ist und eine gleichmäßige Ausgabe 72 gestattet, dass die Kerben 30 gerade gleichmäßige Wände beziehungsweise Kanten und somit ein kleineres HAZ aufweisen, auf Toleranzen getrimmt werden können, die enger als die für herkömmliche Kerbentrimmtechniken möglichen Toleranzen sind.Those skilled in the art will also recognize that the spot area of the laser system output 114 is preferably circular or square, but other simple shapes such as ellipses and rectangles may be useful and even complex beam shapes with the right choice of optical elements 90 that with a desired aperture shape in the mask 98 interact, are possible. Preferred light spot areas for laser trimming, especially for UV laser trimming, are preferably smaller than about 40 μm in diameter, more preferably smaller than about 20 μm in diameter, and most preferably smaller than about 15 μm in diameter. Professionals will recognize that resistance 10a since the spot size of the UV laser output is smaller than the spot size of a conventional laser trimming output and uniform output 72 allowed the notches 30 have even walls or edges and thus a smaller HAZ, can be trimmed to tolerances that are narrower than the tolerances possible for conventional notch trimming techniques.

Ein Unterschied zwischen der Gaußschen Ausgabe 54 und der durch Abbildung geformten Ausgabe 118 besteht darin, dass der Puls 94 die Apertur der Maske 98 an allen Punkten gleichmäßig beleuchtet, während die Gaußsche Ausgabe 54 eine höhere Energiedichte beziehungsweise ”heißen Punkt” in ihrer Mitte aufweist, der Mikroreißen und andere unerwünschte Schädigungen für das keramische Substrat 18 erhöhen kann. Die durch Abbildung geformte Ausgabe 118 erleichtert demzufolge die Bildung von Kerben 30 mit einem sehr flachen und gleichmäßigen Boden 48 an oder in dem keramischen Substrat 18, und diese Flachheit und Gleichmäßigkeit sind mit einer nichtmodifizierten Gaußschen Ausgabe 54 nicht möglich. Außerdem kann die durch Abbildung geformte Ausgabe 118 auch das Widerstandsmaterial von den Unterkanten der Kerben 30 vollständiger entfernen, ohne eine unerwünschte Schädigung für das darunterliegende Substrat 18 zu riskieren, da die gleichmäßige Gestalt des Pulses 94 die Möglichkeit der Erzeugung eines heißen Punktes an der Bodenmitte der Kerbe 30 praktisch beseitigt, so dass das Ausmaß und die Stärke von Mikrorissen minimiert werden. Die Trimmgeschwindigkeit kann auch gegenüber derjenigen, die mit einer nichtmodifizierten Gaußschen Ausgabe 54 erzielbar ist, mit der durch Abbildung geformten Ausgabe 118 erhöht werden. Die durch Abbildung geformte Ausgabe 118 kann mit größerer Laserenergie zugeführt werden, als dies eine Gaußsche kann, da das Schädigungspotential durch den ”heißen Punkt” beseitigt werden kann, so dass die Bissgröße, Pulsfrequenz und Strahlbewegungsgeschwindigkeit vorteilhaft zum schnelleren Trimmen eingestellt werden können.A difference between the Gaussian edition 54 and the output shaped by illustration 118 is that the pulse 94 the aperture of the mask 98 uniformly illuminated at all points, while the Gaussian edition 54 has a higher energy density or "hot spot" in its center, the micro-tears and other undesirable damage to the ceramic substrate 18 can increase. The output shaped by picture 118 thus facilitates the formation of notches 30 with a very flat and even ground 48 on or in the ceramic substrate 18 and this flatness and uniformity are with an unmodified Gaussian output 54 not possible. In addition, the output shaped by illustration 118 also the resistance material from the bottom edges of the notches 30 remove more completely without unwanted damage to the underlying substrate 18 to risk, as the uniform shape of the pulse 94 the possibility of creating a hot spot at the bottom center of the notch 30 virtually eliminated so as to minimize the extent and severity of microcracks. The trim speed may also be higher than those with an unmodified Gaussian output 54 is achievable with the output formed by imaging 118 increase. The output shaped by picture 118 can be supplied with greater laser energy than a Gaussian can, since the damage potential can be eliminated by the "hot spot", so that the bite size, pulse rate and beam movement speed can be advantageously adjusted for faster trimming.

Obwohl ein beschnittener Gaußscher Lichtfleck mit Vorteilen gegenüber einer Gaußschen Ausgabe 54 alternativ verwendet werden kann, müsste wesentlich mehr Energie als mit einer durch Abbildung geformten Ausgabe 118 geopfert werden, um eine gewünschte Gleichmäßigkeit zu erzielen. Die durch Abbildung geformte Ausgabe 118 sorgt auch für saubere Unterkanten und schnellere Trimmgeschwindigkeit, als dies bei der beschnittenen Gaußschen Ausgabe der Fall ist. 8 zeigt einen Vergleich von idealen Fluenzprofilen an der Aperturebene für die geformte Ausgabe 94b und beschnittene Gaußsche Ausgabe bei mehreren beispielhaften Transmissionsstärken unter typischen Laserbearbeitungsparametern. Fluenzstärken auf dem Werkstück 10 entsprechen den Aperturfluenzwerten multipliziert mit dem Quadrat des Abbildungsverkleinerungsfaktor. In einem Beispiel betrugen die Fluenzen am Aperturrand ungefähr 1,05 J/cm2 und 0,60 J/cm2 oder weniger jeweils für die geformte Ausgabe 94b und beschnittene Gaußsche Ausgabe. Somit betrugen die Fluenzen an dem Rand des abgebildeten Lichtfleckes (Kerbenrand), am Werkstück 10, ungefähr 7,4 und 4,3 J/cm2 jeweils für die durch Abbildung geformte Ausgabe 118 und beschnittene Gaußsche Ausgabe. Die Geschwindigkeit, mit der typische Widerstandsmaterialien abgetragen werden können, unterscheidet sich typischerweise zwischen den Fluenzstärken in der Mitte und am Rand. Als Ergebnis kann die Bearbeitung jeder Kerbe 30 mit weniger Pulsen, mit höherer Abtastgeschwindigkeit oder mit größeren Bissgrößen (oder kleineren Pulsüberlappungen) mit der durch Abbildung geformten Ausgabe 118 fertiggestellt werden, was den Prozessdurchsatz erhöht.Although a truncated Gaussian light spot has advantages over a Gaussian output 54 Alternatively, much more energy would be required than with an output shaped by imaging 118 be sacrificed to achieve a desired uniformity. The output shaped by picture 118 Also provides clean bottom edges and faster trim speed than is the case with the clipped Gaussian output. 8th Figure 2 shows a comparison of ideal fluence profiles at the aperture plane for the shaped output 94b and clipped Gaussian output at several exemplary transmission powers under typical laser processing parameters. Fluenzstärken on the workpiece 10 correspond to the aperture fluence values multiplied by the square of the image reduction factor. In one example, the fluences at the aperture edge were about 1.05 J / cm 2 and 0.60 J / cm 2 or less for the shaped output, respectively 94b and trimmed Gaussian edition. Thus, the fluences were at the edge of the imaged light spot (notch edge) on the workpiece 10 , approximately 7.4 and 4.3 J / cm 2 respectively for the imaging formed output 118 and trimmed Gaussian edition. The rate at which typical resistive materials can be removed typically differs between the fluence levels in the center and at the edge. As a result, the editing of each notch 30 with fewer pulses, higher scan speed, or larger bite sizes (or smaller pulse overlaps) with the output shaped by imaging 118 be completed, which increases the process throughput.

Ein Beispiel einer Strategie zum Trimmen mit der durch Abbildung geformten Ausgabe 118 entsprechend diesen Erwägungen der vorliegenden Erfindung wird unten beschrieben. Die Fluenz quer über den gesamten abgebildeten Lichtfleck kann, zum Beispiel, auf 90% des Wertes beibehalten werden, bei dem eine nichtakzeptierbare Keramikeindringung beziehungsweise -schädigung, Fdamage, eintritt. Zum Beispiel beträgt ein akzeptable Keramikeindringung in Dickschichtwiderständen typischerweise weniger als 10 μm und bevorzugt weniger als 5 μm. Das Widerstandsmaterial wird danach unter Bedingungen abgetragen, die keine Schädigung, wie zum Beispiel wesentliches Mikroreißen, verursachen werden. Im Gegensatz dazu könnte man mit dem beschnittenen Gaußschen Strahl bei T = 50% die Mitte des Lichtfleckes bei dieser Fluenz halten, wobei in diesem Fall die Ränder bei nur 45% von Fdamage liegen würden. Alternativ könnte der Lichtfleckrand bei 90% von Fdamage gehalten werden, wobei in dem Fall die Mitte bei 180% des Schädigungsschwellenwertes für die Fluenz liegen würde, was zu einer wesentlichen Schädigung führt. Aufrechterhalten der Ränder des abgebildeten Lichtfleckes auf hoher Fluenz ermöglicht, dass das Widerstandsmaterial von den Kerbenkanten mit weniger Laserpulsen zu entfernen ist, da jeder Puls mehr Material entfernt. Somit kann der Trimmdurchsatz der durch Abbildung geformten Ausgabe 118 viel größer als derjenige der beschnittenen Gaußschen Ausgabe sein. An example of a trimming strategy with the output shaped by mapping 118 in accordance with these considerations of the present invention will be described below. For example, the fluence across the entire imaged spot may be maintained at 90% of the value at which unacceptable ceramic damage , F damage , occurs. For example, acceptable ceramic penetration in thick film resistors is typically less than 10 microns, and preferably less than 5 microns. The resistive material is then removed under conditions that will not cause damage, such as substantial micro-tearing. In contrast, with the clipped Gaussian beam at T = 50%, one could keep the center of the light spot at that fluence, in which case the edges would be as low as 45% of F damage . Alternatively, the spot spot could be maintained at 90% of F damage , in which case the center would be at 180% of the lesion threshold for the fluence, resulting in substantial damage. Maintaining the edges of the imaged high fluence light spot allows the resistive material to be removed from the notch edges with fewer laser pulses as each pulse removes more material. Thus, the trim throughput of the output formed by imaging can be 118 much larger than that of the trimmed Gaussian edition.

Zusätzlich dazu, dass man, wie oben erörtert, das Widerstandsmaterial von den Unterkanten der Kerben 30 schneller entfernen kann, kann die durch Abbildung geformte Ausgabe 118 auch das Widerstandsmaterial von den Unterkanten der Kerben 30 vollständiger entfernen, ohne eine Schädigung des darunterliegenden keramischen Substrats 18 zu riskieren, da die gleichmäßige Gestalt des Pulses 94 die Möglichkeit der Erzeugung eines heißen Punktes an der Bodenmitte der Kerbe 30 praktisch beseitigt.In addition to having the resistive material from the bottom edges of the notches, as discussed above 30 can remove the output shaped by picture 118 also the resistance material from the bottom edges of the notches 30 more completely, without damaging the underlying ceramic substrate 18 to risk, as the uniform shape of the pulse 94 the possibility of creating a hot spot at the bottom center of the notch 30 practically eliminated.

Hinsichtlich der Kerbenqualität sorgt die durch Abbildung geformte Ausgabe 118 der vorliegenden Erfindung auch für eine sehr genaue Laserlichtfleckgeometrie und gestattet sie bessere Verjüngungsminimierleistung bei höheren Durchgangsraten, als diese mit Gaußscher oder beschnittener Gaußscher Ausgabe erhältlich sind, wodurch saubere Ränder, als mit Gaußscher Ausgabe 54 erhältlich, bereitgestellt werden. Die gleichmäßige Energie quer über dem Boden der Kerben 30 und die Bildung von präzisieren Rändern sorgt für mehr vorhersagbare Trimmergebnisse, einschließlich verbesserte Wiederholbarkeit und Positioniergenauigkeit für kleinere Zielgebiete.Regarding the notch quality, the output shaped by figure provides 118 The present invention also provides for a very accurate laser spot geometry and allows better rejuvenation minimization performance at higher throughput rates than are available with Gaussian or trimmed Gaussian output, resulting in clean edges, as with Gaussian output 54 available. The even energy across the bottom of the notches 30 and the formation of more precise edges provides more predictable trim results, including improved repeatability and positioning accuracy for smaller target areas.

9 zeigt das Verhältnis der Kerbenbodenbreite zur Kerbenoberseitenbreite als eine Funktion des Arbeitsflächenortes relativ zur Nennbildebene, z = 0. Unter Bezugnahme auf 9 ist die Nennbildebene der Ort, wo die Kerben 30 am meisten verjüngsfrei sind, mit den am schärfsten definierten oberen Kanten. Positive Werte von z repräsentieren Ebenen unter der Nennbildebene, das heißt, wo das Werkstück 10 weiter von der Systemoptik als der Trennabstand, wo z = 0 ist, plaziert ist. Der 3σ-Fehlerbalken ist als Referenz gezeigt, da Messungen der Bodenbreiten schwierig zuverlässig zu messen sein können. Das größte Boden/Oberseiten-Verhältnis wird bei der Bildebene erzielt, wo z = 0 ist. Über einen gesamten ±400 μm-Bereich war das Boden/Oberseiten-Verhältnis immer größer als 75% bei hohem Durchsatz. 9 FIG. 12 shows the ratio of notch bottom width to notch top width as a function of the work surface location relative to the nominal image plane, z = 0. Referring to FIG 9 the nominal image plane is the place where the notches 30 are the most rejuvenating, with the sharpest defined upper edges. Positive values of z represent planes below the nominal image plane, that is, where the workpiece is 10 further from the system optics than the separation distance where z = 0 is placed. The 3σ error bar is shown as a reference since measurements of floor widths are difficult to reliably measure. The largest bottom / top ratio is achieved at the image plane where z = 0. Over a total ± 400 μm range, the bottom / top ratio was always greater than 75% at high throughput.

10 zeigt die Kerbenbreite als eine Funktion des Arbeitsflächenortes relativ zur Nennebene, wo z = 0 ist. Wenn sich das Werkstück 10 weiter über die Nennbildebene bewegt, nimmt die mittlere Kerbenoberseitenbreite stetig zu. Für Orte unter z = 0 bleibt die Oberseitenbreite ziemlich konstant bis zu 400 μm unter der Bildebene. Die 3σ-Breiten werden im allgemeinen auf innerhalb ±3 μm des Mittelwertes gehalten, mit Ausnahmen bei z +300 μm und z = –300 μm. Für die Bodenbreite nimmt im Gegensatz dazu der Mittelwert von Orten über den Orten unter der Nennbildebene stetig ab. Da die Breite des Kerbenbodens wesentlich schwieriger zu steuern ist als die Größe der Kerbenoberseite, ist die Bodenbreite lediglich der Referenz halber gezeigt. Statistische Prozesssteuertechniken, die auf das Lasersystem angewandt werden könnten, sind somit auf die Eigenschaften der Kerbenoberseite anwendbar. 10 shows the notch width as a function of the working surface location relative to the nominal plane where z = 0. When the workpiece 10 Moving further beyond the nominal image plane, the average notch top width increases steadily. For locations below z = 0, the top width remains fairly constant up to 400 μm below the image plane. The 3σ widths are generally kept within ± 3 μm of the mean, with exceptions at z +300 μm and z = -300 μm. In contrast, the mean width of locations above the locations below the nominal image plane steadily decreases for the floor width. Since the width of the notch bottom is much more difficult to control than the size of the notch top, the bottom width is shown for reference only. Statistical process control techniques that could be applied to the laser system are thus applicable to notch top properties.

Die Daten in den 9 und 10 schlagen mehrere Lösungen zum Handhaben von Tiefenschärfenmessungen für Prozessrobustheit vor. Wenn man eine konstante Kerbenoberseitenbreite über variierende Materialdicken und Gerätebedingungen aufrechterhalten möchte, wäre es vorteilhaft, den Prozess mit etwas unter der Nennbildebene bei, sagen wir z = +200 μm, angeordneter Arbeitsfläche einzurichten. Dies würde eine Zone von ±200 μm mit z-Variation erzeugen, die mit sehr kleinem Effekt auf den oberen Durchmesser eingestellt werden könnte. Wenn andererseits mehr erwünscht ist, ein konstantes Kerbenboden/Oberseiten-durchmesserverhältnis aufrechtzuerhalten, wäre es besser, den Prozess mit genau in der Nennbildebene befindlichem Werkstück 10 einzurichten. Dies würde sicherstellen, dass das Boden/Oberseiten-Verhältnis um nicht mehr als 5% über einem z-Bereich von mindestens ±200 μm abnehmen würde. Die Brauchbarkeit jeder dieser Lösungen hängt davon ab, ob die anderen Kerbeneigenschaften innerhalb akzeptabler Grenzen bleiben, wenn sich das Werkstück 10 von der Nennbildebene wegbewegt.The data in the 9 and 10 propose several solutions for handling depth of field measurements for process robustness. If one wishes to maintain a constant kerf width across varying material thicknesses and device conditions, it would be advantageous to set up the process at slightly below the nominal image plane at, say, z = +200 μm arranged work surface. This would produce a zone of ± 200μm with z-variation which could be adjusted to the upper diameter with very little effect. On the other hand, if it is more desirable to maintain a constant notch bottom / top diameter ratio, it would be better to have the process with the workpiece exactly in the nominal image plane 10 to set up. This would ensure that the bottom / top ratio did not decrease by more than 5% over a z-range of at least ± 200 μm. The usefulness of each of these solutions depends on whether the other notch properties remain within acceptable limits when the workpiece 10 moved away from the nominal image plane.

Außerdem können die Strahlformgebungskomponenten 90 derart ausgewählt werden, dass sie Pulse mit einem in 7C gezeigten umgekehrten Strahlungsprofil erzeugen, das außerhalb der gestrichelten Linien 130 beschnitten ist, um ein Entfernen von Widerstandsmaterial entlang den Außenkanten der Kerbe 30 zu erleichtern und dadurch eine Verjüngung weiter zu verbessern. Die vorliegende Erfindung erlaubt ein Verjüngungsverhältnis von mehr als 80% bei einem maximalen Durchsatz ohne unerwünschte Schädigung an dem keramischen Substrat 18, und Verjüngungsverhältnisse von mehr als 95% (für Kerben 30 mit niedrigem Seitenverhältnis) sind ohne unerwünschte Schädigung an dem keramischen Substrat 18 möglich. Verjüngungsverhältnisse, die besser als 75% sind, sind sogar für die kleinsten Kerbenbreiten, von ungefähr 5–18 μm-Breite an der Kerbenoberseite, der tiefsten Kerben 30 mit herkömmlichen Optiken möglich. Obwohl das Verjüngungsverhältnis typischerweise kein kritischer Aspekt bei vielen Trimmoperationen, außer dem Ausmaß, in dem es Kerbenbreiten bei kleinen Widerständen 10a beeinflusst, stellen die mit der vorliegenden Erfindung erreichbaren hohen Verjüngungsverhältnisse einen weiteren Beweis für die Gleichmäßigkeit des Kerbenbodens dar.In addition, the beam shaping components 90 be selected such that they have pulses with an in 7C produce reverse radiation profile shown outside the dashed lines 130 is trimmed to remove any resistance material along the outside edges of the notch 30 to facilitate and thereby further rejuvenate. The present invention allows for a taper ratio greater than 80% at maximum throughput without undesirable damage to the ceramic substrate 18 , and rejuvenation ratios of more than 95% (for scores 30 with low aspect ratio) are without undesirable damage to the ceramic substrate 18 possible. Rejuvenation ratios that are better than 75% are the deepest notches even for the smallest notch widths, from about 5-18 μm width at the notch top 30 possible with conventional optics. Although the taper ratio is typically not a critical aspect in many trim operations, except to the extent that there are notch widths for small resistors 10a , the high taper ratios achievable with the present invention provide further evidence of the uniformity of the notch bottom.

Die hierin beschriebenen Trimmtechniken können für sowohl Dick- als auch Dünnschichtwiderstandsbearbeitungsanwendungen, wie in irgendeiner der in dem Hintergrund der Erfindung zitierten Referenzen beschrieben, einschließlich Teiltiefentrimmen, verwendet werden. Bezüglich der Dickschichtwiderstände, insbesondere Rutheniumoxid auf Keramik, einschließlich der 0402- und 0201-Chip-Widerstände mit einer Rutheniumschichthöhe beziehungsweise -dicke von weniger als ungefähr 200 μm, besteht das bevorzugte Trimmkriterium darin, das gesamte Ruthenium in den Kerben 30 mit einem minimalen Maß von Eindringen in das keramische Substrat 18 zu entfernen. Diese erwünschten Kerben 30 sind sauber, so daß Keramikmaterial gleichmäßig freiliegt und der Boden der Kerben 30 ”weiß” ist. Derartiges Reinigen bringt häufig absichtliches Eindringen in die Keramik auf eine Tiefe von ungefähr 0,1–5 μm und häufig von mindestens 1 μm mit sich. Die durch Abbildung geformte Ausgabe 118 kann diese sauberen beziehungsweise weißen Kerben 30 ohne Erzeugung von wesentlichem Mikroreißen bereitstellen. UV wird besonders bevorzugt zur Bearbeitung von Widerstandsmaterial über Keramik; jedoch können andere Wellenlängen benutzt werden.The trimming techniques described herein may be used for both thick and thin film resistor processing applications, as described in any of the references cited in the background of the invention, including partial depth trimming. With respect to thick film resistors, particularly ruthenium oxide on ceramic, including the 0402 and 0201 chip resistors having a ruthenium layer height of less than about 200 microns, the preferred trim criterion is to include all of the ruthenium in the notches 30 with a minimal amount of penetration into the ceramic substrate 18 to remove. These desirable scores 30 are clean, so that ceramic material is evenly exposed and the bottom of the notches 30 "White" is. Such cleaning often results in intentional penetration of the ceramic to a depth of about 0.1-5 μm, and often at least 1 μm. The output shaped by picture 118 can these clean or white notches 30 without generating substantial micro-tearing. UV is particularly preferred for processing resistance material over ceramic; however, other wavelengths can be used.

Obwohl eine UV-Wellenlänge verwendet werden kann, kann eine IR-Wellenlänge, insbesondere bei ungefähr 1,32 μm, eine bevorzugte Wellenlänge zur Benutzung eines gleichmäßigen Lichtfleckes zum Trimmen von Materialien, wie zum Beispiel NiCr, SiCr oder TaN, von Siliziumsubstraten, speziell von Trimmen von aktiven oder elektrooptischen Bauelementen und in Anwendungen, die mit funktionellem Trimmen verbunden sind, verwendet werden.Although a UV wavelength may be used, an IR wavelength, particularly at about 1.32 μm, may be a preferred wavelength for use of a uniform spot for trimming materials such as NiCr, SiCr, or TaN from silicon substrates, especially Trimming of active or electro-optic devices and in applications associated with functional trimming.

Fachleute werden anerkennen, dass die hierin beschriebenen Trimmtechniken mit gleichmäßigem Lichtfleck auf Einzelwiderständen, Widerstands-Arrays (einschließlich denjenigen auf Snapstrates), Spannungsreglern, Kondensatoren, induktiven Bauelementen oder irgendwelchen anderen Bauelementen, die einen Trimmvorgang erfordern, benutzt werden können. Zusätzlich können die Trimmtechniken mit gleichmäßigen Lichtfleck zum Oberflächenabtragungstrimmen oder für andere Anwendungen, wo die durch Abbildung geformte Ausgabe 118 nicht in das Substrat 18 eindringt, sowie die Anwendungen benutzt werden können, wo Eindringen in das Substrat erwünscht ist.Those skilled in the art will appreciate that the uniform spot trimming techniques described herein can be used on single resistors, resistor arrays (including those on snap-strats), voltage regulators, capacitors, inductors, or any other devices that require trimming. In addition, even spot-bleaching trimming techniques can be used for surface trimming or for other applications where the imaging-shaped output 118 not in the substrate 18 penetrates, as well as the applications can be used where penetration into the substrate is desired.

Elektronenmikroskopische Aufnahmen zeigten die Unterschiede beim Mikroreißen zwischen einem mit einem Gaußschen UV-Strahl getrimmten Widerstand und einem mit einem gleichmäßigen (durch Abbildung geformten) UV-Strahl getrimmten Widerstand. Ein Widerstand wurde mit einer Gaußschen UV-Ausgabe mit einer mittleren Energie von 0,6 W bei einer Pulsfrequenz von 14,29 kHz bei einer Trimmgeschwindigkeit von 30 mm/s mit einer Bissgröße von 2,10 μm getrimmt. Die resultierende Kerbe weist zahlreiche Mikrorisse wesentliche Mikrorisse, eine wesentlich breite Kerbenkante und eine Tiefeneindringung in das keramische Substrat in der Mitte der Kerbe auf. Ein Widerstand wurde mit einer durch Abbildung geformten UV-Ausgabe mit einer mittleren Energie von 2,86 W bei einer Pulsfrequenz von 8 kHz mit einer Trimmgeschwindigkeit von 32 mm/s mit einer Bissgröße von 4 μm getrimmt. Die resultierende Kerbe weist keine unerwünschte Schädigung mit, wenn überhaupt, wenigen Mikrorissen auf. Die Kerbenränder sind relativ schmal und die Eindringung in das Substrat ist flach und im wesentlichen gleichmäßig.Electron micrographs showed the differences in microcracking between a resistor trimmed with a Gaussian UV beam and a resistor trimmed with a uniform (image-formed) UV beam. A resistor was trimmed with a Gaussian UV output with a mean power of 0.6 W at a pulse frequency of 14.29 kHz at a trim speed of 30 mm / s with a bite size of 2.10 μm. The resulting notch has numerous microcracks of substantial microcracks, a substantial width of notch edge, and a depth penetration into the ceramic substrate in the center of the notch. A resistor was trimmed with a figure-formed UV output having an average energy of 2.86 W at a pulse rate of 8 kHz with a trim speed of 32 mm / sec with a bite size of 4 μm. The resulting score has no undesirable damage, if any, to a few microcracks. The notch edges are relatively narrow and the penetration into the substrate is flat and substantially uniform.

Für Fachleute auf dem Gebiet wird ersichtlich sein, dass viele Änderungen in den Einzelheiten der oben beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne aus den zugrundeliegenden Prinzipien derselben zu gelangen. Der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung sollte somit nur durch die folgenden Ansprüche bestimmt sein.It will be apparent to those skilled in the art that many changes may be made in the details of the above-described embodiments of the present invention without departing from the underlying principles thereof. The scope of the present invention should therefore be determined only by the following claims.

Claims (18)

Verfahren zum Lasertrimmen eines Schichtwiderstands (10a) zum Ändern eines Parameters des Schichtwiderstands, der ein auf einem Substrat (18) getragenes Schichtwiderstandsmaterial enthält, von einem Anfangswert in einen Nennwert, wobei das Schichtwiderstandsmaterial zur Bestimmung des Anfangswertes des Parameters beiträgt, wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen eines Gaußschen Strahls von mindestens einem Laserpuls (54) mit UV-Strahlung mit einem räumlichen Energiedichteprofil mit Gaußscher Gestalt; Ausbreiten des Gaußschen Strahls entlang eines optischen Weges durch ein Strahlformgebungselement (90) zum Umwandeln des Gaußschen Strahls in einen transformierten Strahl mit einem gleichmäßigeren räumlichen Energiedichteprofil, das gleichmäßiger als das Energiedichteprofil mit Gaußscher Gestalt ist; Ausbreiten eines Hauptteils des transformierten Strahls durch eine Apertur (98) zum Umwandeln desselben in einen Zielstrahl, der einen Ziellichtfleck mit einem gleichmäßigen räumlichen Energiedichteprofil bildet; Lenken des Zielstrahls auf ein Zielgebiet des Schichtwiderstandsmaterials zum Abtragen des Schichtwiderstandsmaterials in dem Zielgebiet des Schichtwiderstands (10a) und Ändern seines Anfangswertes in den Nennwert und Eindringen in das Substrat (18), um eine Kerbe (30, 30b) durch das Schichtwiderstandsmaterial zu bilden und einen Hauptteil des Substrats (18) in dem Zielgebiet gleichmäßig freizulegen, wobei das gleichmäßige räumliche Energiedichteprofil des Ziellichtfleckes einen effektiven Energiedichtewert hat, der Bildungen von Mikrorissen in dem Substrat (18) minimiert.Method for laser trimming a sheet resistance ( 10a ) for changing a parameter of sheet resistance, which is on a substrate ( 18 ), from an initial value to a nominal value, the sheet resistor material contributing to the determination of the initial value of the parameter, the method comprising: generating a Gaussian beam from at least one laser pulse ( 54 ) with UV radiation with a spatial energy density profile with Gaussian shape; Propagating the Gaussian beam along an optical path through a beam shaping element ( 90 ) for converting the Gaussian beam into a transformed beam having a more uniform spatial energy density profile that is more uniform than the Gaussian energy density profile; Propagating a major part of the transformed beam through an aperture ( 98 ) for converting it into a target beam forming a target spot having a uniform spatial energy density profile; Directing the aiming beam toward a target area of the sheet resistance material for removing the sheet resistance material in the target area of sheet resistance ( 10a ) and changing its initial value to the nominal value and penetrating into the substrate ( 18 ) to a notch ( 30 . 30b ) by the sheet resistance material and a main part of the substrate ( 18 ) uniformly in the target area, wherein the uniform spatial energy density profile of the target spot has an effective energy density value of microcracking in the substrate ( 18 ) minimized. Verfahren nach Anspruch 1, in dem in das Substrat (18) auf eine Tiefe von weniger als 10 μm eingedrungen wird.Method according to claim 1, in which in the substrate ( 18 ) is penetrated to a depth of less than 10 microns. Verfahren nach Anspruch 1, in dem in das Substrat (18) auf eine Tiefe von mindestens 0,1 μm eingedrungen wird.Method according to claim 1, in which in the substrate ( 18 ) is penetrated to a depth of at least 0.1 microns. Verfahren nach Anspruch 2, in dem in das Substrat (18) auf eine Tiefe von weniger als 5 μm eingedrungen wird.Method according to claim 2, in which in the substrate ( 18 ) is penetrated to a depth of less than 5 microns. Verfahren nach Anspruch 1, in dem das Schichtwiderstandsmaterial ein Dickschichtwiderstandsmaterial umfasst, das Rutheniumoxid enthält.The method of claim 1, wherein the sheet resistive material comprises a thick film resistive material containing ruthenium oxide. Verfahren nach Anspruch 5, in dem das Substrat (18) ein keramisches Material umfasst.Method according to claim 5, in which the substrate ( 18 ) comprises a ceramic material. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, in dem der Schichtwiderstand einen 0402- oder 0201-Chip-Widerstand umfasst.The method of claim 1 or 3, wherein the sheet resistor comprises a 0402 or 0201 chip resistor. Verfahren nach Anspruch 1, in dem das Substrat (18) ein keramisches Material enthält und das Schichtwiderstandsmaterial ein Dünnschichtwiderstandsmaterial enthält.Method according to claim 1, in which the substrate ( 18 ) contains a ceramic material and the sheet resistance material contains a thin film resistor material. Verfahren nach Anspruch 8, in dem das Dünnschichtwiderstandsmaterial eine Nickelchrom-Zusammensetzung oder eine Tantalnitrid-Zusammensetzung enthält.The method of claim 8, wherein the thin film resistor material comprises a nickel chromium composition or a tantalum nitride composition. Verfahren nach Anspruch 1, in dem das Schichtwiderstandsmaterial eine von mehreren ähnlichen Regionen aus Schichtwiderstandsmaterial bildet, die wechselseitig voneinander beabstandet sind und auf dem Substrat (18) gehalten werden und durch vorgefertigte Risslinien getrennt sind, die in dem Substrat zum Trennen der Vielzahl von ähnlichen Regionen ausgebildet sind; wobei jede der Vielzahl von ähnlichen Regionen aus Schichtwiderstandsmaterial gegenüberliegende Enden aufweist, die zwischen metallischen Leitern positioniert sind; und das im Wesentlichen gleichmäßige räumliche Energiedichteprofil des Ziellichtflecks einen effektiven Energiedichtewert aufweist, der in dem Substrat (18) Bildungen von Mikrorissen mit Größen und Tiefen minimiert, die in dem Substrat (18) störende Bruchlinien verursachen, die von den vorgefertigten Risslinien verschieden sind.The method of claim 1, wherein the sheet resistance material forms one of a plurality of similar regions of sheet resistance material which are mutually spaced apart and supported on the substrate (10). 18 ) and separated by prefabricated tear lines formed in the substrate for separating the plurality of similar regions; wherein each of the plurality of similar regions of sheet resistance material has opposite ends positioned between metallic conductors; and the substantially uniform spatial energy density profile of the target spot has an effective energy density value present in the substrate ( 18 ) Minimizes microcracking with sizes and depths present in the substrate ( 18 ) cause disruptive fracture lines that are different from the prefabricated fracture lines. Verfahren nach Anspruch 1, in dem die Kerbe (30; 30b) eine Bodenmitte aufweist und das gleichmäßige räumliche Energiedichteprofil des Ziellichtfleckes einen effektiven Energiedichtewert aufweist, der die Bildung von Mikrorissen in dem Substrat (18) an der Bodenmitte der Kerbe (30; 30b) minimiert.Method according to claim 1, in which the notch ( 30 ; 30b ) has a bottom center and the uniform spatial energy density profile of the aiming spot has an effective energy density value which promotes the formation of microcracks in the substrate ( 18 ) at the bottom center of the notch ( 30 ; 30b ) minimized. Verfahren nach Anspruch 1, in dem das gleichmäßige räumliche Energiedichteprofil des Ziellichtfleckes einen effektiven Energiedichtewert aufweist, der in dem Substrat (18) oder dem Schichtwiderstandsmaterial die Bildung von Mikrorissen mit Größen und Tiefen minimiert, die eine Parameterwertdrift vom Nennwert verursachen.The method of claim 1, wherein the uniform spatial energy density profile of the target spot has an effective energy density value present in the substrate ( 18 ) or the sheet resistor material minimizes the formation of microcracks with sizes and depths that cause a parameter value drift from the nominal value. Verfahren nach Anspruch 1, in dem der Ziellichtfleck mit dem gleichmäßigen Energiedichteprofil eine Hauptachse aufweist, die kürzer als oder gleich 20 μm ist.The method of claim 1, wherein the target density spot having the uniform energy density profile has a major axis that is shorter than or equal to 20 μm. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: Erzeugen des Gaußschen Strahls von einem gütegeschalteten, diodengepumpten Festkörperlaser (52).The method of claim 1, further comprising: generating the Gaussian beam from a Q-switched, diode-pumped solid-state laser ( 52 ). Verfahren nach Anspruch 1, in dem das Strahlformgebungselement (90) ein diffraktives optisches Element umfasst.Method according to claim 1, in which the beam shaping element ( 90 ) comprises a diffractive optical element. Verfahren nach Anspruch 1, in dem der Gaußsche Strahl eine Wellenlänge von ungefähr 355 nm, 349 nm, 266 nm oder 262 nm aufweist.The method of claim 1, wherein the Gaussian beam has a wavelength of about 355 nm, 349 nm, 266 nm or 262 nm. Verfahren nach Anspruch 1, in dem der Gaußsche Strahl eine Energie aufweist und der Zielstrahl eine durch eine Apertur geformte Energie aufweist, die größer als 50% der Energie des Gaußschen Strahls ist. The method of claim 1, wherein the Gaussian beam has energy and the aiming beam has an aperture shaped energy that is greater than 50% of the energy of the Gaussian beam. Verfahren nach Anspruch 1, in dem die Apertur (98) eine quadratische Gestalt aufweist.Method according to Claim 1, in which the aperture ( 98 ) has a square shape.
DE10295946T 2001-02-01 2002-01-31 Method for laser trimming a sheet resistance Expired - Lifetime DE10295946B4 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26617201P 2001-02-01 2001-02-01
US60/266,172 2001-02-01
US30170601P 2001-06-28 2001-06-28
US60/301,706 2001-06-28
PCT/US2002/003006 WO2002060633A1 (en) 2001-02-01 2002-01-31 Resistor trimming with small uniform spot from solid-state uv laser

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10295946T5 DE10295946T5 (en) 2004-04-22
DE10295946B4 true DE10295946B4 (en) 2013-09-26

Family

ID=26951663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10295946T Expired - Lifetime DE10295946B4 (en) 2001-02-01 2002-01-31 Method for laser trimming a sheet resistance

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JP2004519095A (en)
KR (1) KR100894025B1 (en)
CN (1) CN1232379C (en)
CA (1) CA2434969A1 (en)
DE (1) DE10295946B4 (en)
GB (1) GB2389555A (en)
TW (1) TW523837B (en)
WO (1) WO2002060633A1 (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7358157B2 (en) * 2002-03-27 2008-04-15 Gsi Group Corporation Method and system for high-speed precise laser trimming, scan lens system for use therein and electrical device produced thereby
KR100826633B1 (en) * 2002-03-28 2008-05-02 지에스아이 루모닉스 코포레이션 Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
JP4664269B2 (en) * 2006-12-05 2011-04-06 住友重機械工業株式会社 Laser processing apparatus and laser processing method
KR100858674B1 (en) * 2007-06-08 2008-09-16 주식회사 이오테크닉스 Method for trimming resistor using laser
DE102009020272B4 (en) * 2009-05-07 2014-09-11 Tyco Electronics Amp Gmbh Laser welding system
US8742288B2 (en) * 2011-06-15 2014-06-03 Asm Technology Singapore Pte Ltd Laser apparatus for singulation, and a method of singulation
CN105102171B (en) * 2013-02-13 2018-01-30 住友化学株式会社 The manufacture device of optical member adhering body
CN103441102B (en) * 2013-08-23 2015-08-26 华东光电集成器件研究所 Ceramic thick film resistor device unit is utilized to repair the method for thick film hybrid integrated circuit
CN104091664B (en) * 2014-06-12 2016-10-26 北京锋速精密设备有限公司 A kind of novel function curve follows resistor repair and carving method
LT6428B (en) * 2015-10-02 2017-07-25 Uab "Altechna R&D" Method and device for laser processing of transparent materials
CN109903943B (en) * 2019-04-29 2021-06-22 深圳市杰普特光电股份有限公司 Resistance value adjusting method and device, storage medium and equipment

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0471202A2 (en) * 1990-07-27 1992-02-19 Advantest Corporation Laser machining device with selectability of beam shape
US5569398A (en) * 1992-09-10 1996-10-29 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for selectively trimming films
JPH09246023A (en) * 1996-03-14 1997-09-19 Rohm Co Ltd Resistance value adjusting method of thin film resistor, adjusting method of resistance value of heating element of thin film type thermal print head, and thin film type thermal print head
US5685995A (en) * 1994-11-22 1997-11-11 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser functional trimming of films and devices
JPH10149908A (en) * 1996-11-19 1998-06-02 Rohm Co Ltd Method for adjusting resistance of thin film resistor, method for adjusting resistance of heat generating section of thin film thermal print head, and thin film thermal print head
US5808273A (en) * 1993-10-26 1998-09-15 Robert Bosch Gmbh Process for tuning a magneto-resistive sensor
US5864430A (en) * 1996-09-10 1999-01-26 Sandia Corporation Gaussian beam profile shaping apparatus, method therefor and evaluation thereof
WO1999040591A1 (en) * 1998-02-06 1999-08-12 Electro Scientific Industries, Inc. Passive resistive component surface ablation trimming technique using q-switched, solid-state ultraviolet wavelength laser
JPH11320134A (en) * 1998-05-06 1999-11-24 Canon Inc Laser trimming processing device and processing method
WO2000073013A1 (en) * 1999-05-28 2000-12-07 Electro Scientific Industries, Inc. Beam shaping and projection imaging with solid state uv gaussian beam to form vias

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63226005A (en) 1987-03-13 1988-09-20 松下電器産業株式会社 Laser trimming of film resistor
US5104480A (en) * 1990-10-12 1992-04-14 General Electric Company Direct patterning of metals over a thermally inefficient surface using a laser
US5233327A (en) * 1991-07-01 1993-08-03 International Business Machines Corporation Active resistor trimming by differential annealing
JPH05347205A (en) * 1992-06-15 1993-12-27 Tdk Corp Electronic component and manufacture thereof
JP3304130B2 (en) * 1992-07-27 2002-07-22 松下電器産業株式会社 Method of manufacturing rectangular thin film chip resistor
JPH06251914A (en) * 1993-02-27 1994-09-09 Taiyo Yuden Co Ltd Manufacturing method of circuit board having trimming resistance
JPH0864407A (en) * 1994-08-26 1996-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of resistance part
US5675310A (en) * 1994-12-05 1997-10-07 General Electric Company Thin film resistors on organic surfaces
US5753391A (en) * 1995-09-27 1998-05-19 Micrel, Incorporated Method of forming a resistor having a serpentine pattern through multiple use of an alignment keyed mask
JPH09232520A (en) * 1996-02-28 1997-09-05 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH11162702A (en) 1997-11-25 1999-06-18 Taiyo Yuden Co Ltd Chip parts
JP3334684B2 (en) * 1999-06-29 2002-10-15 松下電器産業株式会社 Electronic components and wireless terminals

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0471202A2 (en) * 1990-07-27 1992-02-19 Advantest Corporation Laser machining device with selectability of beam shape
US5569398A (en) * 1992-09-10 1996-10-29 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for selectively trimming films
US5808273A (en) * 1993-10-26 1998-09-15 Robert Bosch Gmbh Process for tuning a magneto-resistive sensor
US5685995A (en) * 1994-11-22 1997-11-11 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser functional trimming of films and devices
JPH09246023A (en) * 1996-03-14 1997-09-19 Rohm Co Ltd Resistance value adjusting method of thin film resistor, adjusting method of resistance value of heating element of thin film type thermal print head, and thin film type thermal print head
US5864430A (en) * 1996-09-10 1999-01-26 Sandia Corporation Gaussian beam profile shaping apparatus, method therefor and evaluation thereof
JPH10149908A (en) * 1996-11-19 1998-06-02 Rohm Co Ltd Method for adjusting resistance of thin film resistor, method for adjusting resistance of heat generating section of thin film thermal print head, and thin film thermal print head
WO1999040591A1 (en) * 1998-02-06 1999-08-12 Electro Scientific Industries, Inc. Passive resistive component surface ablation trimming technique using q-switched, solid-state ultraviolet wavelength laser
JPH11320134A (en) * 1998-05-06 1999-11-24 Canon Inc Laser trimming processing device and processing method
WO2000073013A1 (en) * 1999-05-28 2000-12-07 Electro Scientific Industries, Inc. Beam shaping and projection imaging with solid state uv gaussian beam to form vias
US6433301B1 (en) * 1999-05-28 2002-08-13 Electro Scientific Industries, Inc. Beam shaping and projection imaging with solid state UV Gaussian beam to form vias

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ALBIN, A., SWENSON, E.: Laser Resistance Trimming from the Measurement Point of View. In: IEEE Transactions on Parts, Hybrids, and Packaging 1972, Vol. 8, Nr. 2, S. 14-19. *
DOW, R. [u.a.]: Reducing Post-Trim Drift of Thin-Film Resistors by Optimizing YAG Laser Output Characteristics. IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, 1978, Vol. 1, Nr. 4, S. 392-397. *
SWENSON, E. [u.a.]: Laser Micromachining in Electronics Manufacturing: A Historical Overview. In: Proc. SPIE, 2000, Vol. 4095, S. 118-132. *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002060633A1 (en) 2002-08-08
GB2389555A (en) 2003-12-17
CA2434969A1 (en) 2002-08-08
CN1489504A (en) 2004-04-14
CN1232379C (en) 2005-12-21
KR20030079981A (en) 2003-10-10
JP2004519095A (en) 2004-06-24
DE10295946T5 (en) 2004-04-22
TW523837B (en) 2003-03-11
GB0317857D0 (en) 2003-09-03
KR100894025B1 (en) 2009-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6534743B2 (en) Resistor trimming with small uniform spot from solid-state UV laser
DE60008732T2 (en) BEAM FORMING AND PROJECTION IMAGING BY means of UV GAUSSIAN SOLID-BODY LASER BEAM FOR THE PRODUCTION OF HOLES
DE10196418B4 (en) A laser system for processing connections of an integrated circuit device, method for processing connections of an integrated circuit device, and method for aligning a laser processing beam to a connection of an integrated circuit device
DE69936646T2 (en) METHOD FOR REMOVING ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONNECTIONS WITH ULTRAVIOLET LASER OUTPUT RADIATION
DE102016200027B4 (en) wafer manufacturing process
DE102015224318B4 (en) WAFER FABRICATION PROCESS
DE69723072T2 (en) METHOD FOR USING UV LASER IMPULSES OF VARIATED ENERGY DENSITY FOR MAKING BLIND HOLES IN MULTILAYERED TARGETS
DE69415484T2 (en) DEVICE AND METHOD FOR LASER PROCESSING
DE10296913B4 (en) Segmented laser cutting
DE69811450T2 (en) Low-quality thick-film high-frequency inductor, and method for its production
DE10295946B4 (en) Method for laser trimming a sheet resistance
DE102012201779B4 (en) Laser beam application mechanism and laser processing device
DE102016209554A1 (en) WAFER PRODUCTION PROCESS
DE112004001527T5 (en) Methods and laser systems for connection processing using laser pulses with specially tailored power profiles
WO2001039920A1 (en) Device for processing substrates and method therefor which entails the use of such a device
DE112006002322T5 (en) Energy monitoring or control of individual contact holes formed during laser micromachining
DE68914939T2 (en) Method for interconnecting thin-film electrical circuits.
DE112007001246T5 (en) Micromachining with solid-state UV laser with short pulses
DE69030215T2 (en) Lithographic laser scanning process for the production of electronic and similar components
EP0134469A1 (en) Method of marking semiconductor surfaces using laser radiation
DE2130444A1 (en) Procedure for trimming capacitors
DE10307309B4 (en) Apparatus and method for processing electrical circuit substrates by means of laser
DE3751551T2 (en) Lithographic process using lasers to manufacture electronic elements and the like.
DE10296468T5 (en) Processing a memory connection line with a group of at least two laser pulses
DE112005002164T5 (en) Releasing thermoelectric potentials during laser alignment of resistors

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20131228

R071 Expiry of right