Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

DE10256997A1 - Infrarot-Strahlungssensor - Google Patents

Infrarot-Strahlungssensor

Info

Publication number
DE10256997A1
DE10256997A1 DE10256997A DE10256997A DE10256997A1 DE 10256997 A1 DE10256997 A1 DE 10256997A1 DE 10256997 A DE10256997 A DE 10256997A DE 10256997 A DE10256997 A DE 10256997A DE 10256997 A1 DE10256997 A1 DE 10256997A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
infrared
infrared radiation
radiation sensor
sensor element
electrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10256997A
Other languages
English (en)
Inventor
Alexander Kloes
Horst Mannebach
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Braun GmbH
Original Assignee
Braun GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Braun GmbH filed Critical Braun GmbH
Priority to DE10256997A priority Critical patent/DE10256997A1/de
Publication of DE10256997A1 publication Critical patent/DE10256997A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01J5/14Electrical features thereof
    • G01J5/16Arrangements with respect to the cold junction; Compensating influence of ambient temperature or other variables

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Infrarot-Strahlungssensor mit einem Substrat (4) und einem vom Substrat (4) thermisch isolierten Bereich (1) mit mindestens einem Infrarot-Sensorelement (2). Der Infrarot-Strahlungssensor weist ferner mindestens ein elektrisches und/oder elektronisches Bauelement (5) auf, das auf konstante Temperatur regelbar ist, und das zwischen dem thermisch isolierten Bereich (1) und dem Substrat (4) angeordnet ist. Dadurch ist der thermisch isolierte Bereich (1) vom Substrat thermisch abgekoppelt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Infrarot-Strahlungssensor mit mindestens einem Infrarot-Sensorelement, einer Halterung für das Infrarot-Sensorelement und einem von der Halterung thermisch isolierten Bereich, wobei das(die) Infrarot-Sensorelement(e) in dem thermisch isolierten Bereich angeordnet ist(sind), sowie ein Infrarot-Thermometer, insbesondere ein Infrarot-Ohrthermometer, mit einem derartigen Infrarot-Strahlungssensor.
  • Aus der DE 197 10 946 A1 sind ein Infrarot-Strahlungssensor und ein Infrarot-Ohrthermometer zur Fiebermessung bekannt. Das Ohrthermometer ist mit einer Meßspitze versehen, die in den Ohrkanal eingeführt werden kann und die dort vorhandene Infrarot- Strahlung mit dem Infrarot-Strahlungssensor aufnimmt. Der Strahlungssensor besitzt eine Thermosäule (Thermopile), d. h. eine Reihenschaltung mehrerer Thermoelemente. Die Warm- und die Kaltstellen des Thermopile befinden sich auf einer dünnen Membran, die aus einem schlecht wärmeleitenden Material besteht und die an einem Rahmen befestigt ist.
  • Dieser Infrarot-Strahlungssensor ist empfindlich gegenüber einer ungleichmäßigen Erwärmung der Membran. Diese kann beispielsweise durch die Wärmeabgabe einer elektronischen Signalverarbeitungsschaltung erfolgen, die auf dem Rahmen, also in unmittelbarer Nähe der Membran angeordnet ist. Im Falle des Infrarot-Ohrthermometers kann außerdem das Einführen der Meßspitze in den Gehörgang zu einer unerwünschten Erwärmung des Strahlungssensors während des Meßvorgangs führen, und die Meßgenauigkeit beeinträchtigen.
  • In der Publikation "An ultrasensitive uncooled heat-balancing infrared detector" in Proceedings IEDM 1996, (c) IEEE 1996, von C. C. Liu und C. H. Mastrangelo ist ein Infrarot-Strahlungssensor beschrieben, bei dem aktive Bolometer in Form von MOS- Transistoren auf einer Membran geringer Wärmekapazität und geringer Wärmeleitfähigkeit angeordnet sind, die gegenüber einem Substrat thermisch isoliert ist. Die MOS- Transistoren werden vom Strom einer Konstantstromquelle durchflossen und heizen dadurch die Membran geringfügig gegenüber dem Substrat auf. Trifft nun Infrarot- Strahlung auf die MOS-Transistoren, erwärmen sich diese entsprechend. Dadurch verringert sich aber der Spannungsabfall an den MOS-Transistoren und dadurch auch deren Heizleistung. Insgesamt bleibt damit die Temperatur der Membran mit den MOS- Transistoren praktisch konstant. Die auftreffende Infrarot-Strahlungsleistung kann durch Messung des Spannungsabfalls bestimmt werden.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Infrarot-Strahlungssensor anzugeben, der gegenüber Temperaturschwankungen besonders unempfindlich ist.
  • Ein erfindungsgemäßer Infrarot-Strahlungssensor weist einen vom Rest des Infrarot- Strahlungssensors thermisch isolierten Bereich auf, in dem sich mindestens ein Infrarot- Sensorelement zur Messung der einfallenden Infrarot-Strahlung befindet. Mindestens ein elektrisches und/oder elektronisches Bauelement, dessen Temperatur konstant gehalten werden kann, schirmt den thermisch isolierten Bereich vom Rest des Infrarot-Strahlungssensors thermisch ab, d. h. ist vorzugsweise zwischen dem thermisch isolierten Bereich und dem Rest des Infrarot-Strahlungssensors angeordnet.
  • Bei einer bevorzugten Ausführung eines erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlungssensors besteht der thermisch isolierte Bereich aus einer Membran, die nur an ihrem Rand mit einer rahmenförmigen Halterung, beispielsweise einem Halbleitersubstrat, verbunden ist. Das Infrarot-Sensorelement zur Messung der einfallenden Infrarot-Strahlung befindet sich vorzugsweise in der Mitte der Membran. Mindestens ein elektrisches oder elektronisches Bauelement, dessen Temperatur konstant gehalten werden kann, ist zwischen dem Infrarot-Sensorelement und dem Rand der Membran angeordnet. Vorzugsweise sind mehrere elektrische oder elektronische Bauelemente längs des Randes der Membran angeordnet, sodaß das Infrarot-Sensorelement möglichst vollständig von den elektrischen oder elektronischen Bauelementen umgeben und somit von der Halterung der Membran thermisch abgeschirmt ist. Zwischen den elektrischen oder elektronischen Bauelementen können dann die Zuleitungen verlaufen, die das Infrarot-Sensorelement mit einer Signalverarbeitungsschaltung verbinden.
  • Bei einer anderen vorteilhaften Ausführung eines erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlungssensors ist die Membran nur über Verbindungsstege mit ihrer Halterung verbunden. Bei einer im wesentlichen rechteckigen Membran verlaufen die Verbindungsstege vorteilhaft in an sich bekannter Weise jeweils hakenförmig und parallel zur jeweiligen Seite der Membran bis zur Halterung. Vorzugsweise ist auf den Verbindungsstegen je ein elektrisches oder elektronisches Bauelement angeordnet, dessen Temperatur konstant gehalten werden kann. Es kann aber auch in diesem Fall mindestens ein elektrisches oder elektronisches Bauelement, dessen Temperatur konstant gehalten werden kann, am Rand der Membran angeordnet sein. Die Zuleitungen, die das Infrarot-Sensorelement mit einer Signalverarbeitungsschaltung verbinden, verlaufen längs der Verbindungsstege und ggfs. über oder unter dem jeweiligen elektrischen oder elektronischen Bauelement.
  • Ein geeignetes elektrisches Bauelement ist beispielsweise ein NTC- oder PTC-Widerstand, der mit einer Regelschaltung verbunden ist, die einen durch diesen Widerstand fließenden Strom oder eine an diesem Widerstand anliegende Spannung so regelt, daß dessen Widerstand und somit dessen Temperatur konstant bleibt. Die Regelung kann so ausgelegt werden, daß der Rückgang der im Widerstand erzeugten Verlustleistung genau der von außen zugeführten Wärmemenge entspricht, so daß die Temperatur des Widerstands konstant bleibt.
  • Vorzugsweise wird aber durch eine Regelschaltung in an sich bekannter Weise die Temperatur eines vom Strom einer Konstantstromquelle durchflossenen MOS-Transistors konstant gehalten. Eine von außen dem MOS-Transistor zugeführte Wärmemenge bewirkt eine Absenkung seiner Schwellspannung. Eine im Durchlaßzustand eines MOS- Transistors abgesenkte Schwellspannung würde normalerweise einen erhöhten Strom durch den MOS-Transistor bewirken, jedoch ist der Strom durch die Konstantstromquelle fest vorgegeben. Daher erfolgt statt dessen durch Verkleinerung der über dem MOS- Transistor abfallenden Spannung eine Verringerung der im MOS-Transistor erzeugten Verlustleistung. Diese Reduzierung entspricht dann bei einem geeignet ausgewählten MOS-Transistor genau der von außen zugeführten Wärmemenge. Die Temperatur des MOS-Transistors bleibt somit konstant.
  • Bei erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlungssensoren besteht die Membran ggfs. mit ihren Verbindungsstegen vorzugsweise aus einem Halbleitermaterial, beispielsweise Silizium. Bei besonders vorteilhaften Ausführungen besteht auch die Halterung aus demselben Halbleitermaterial wie die Membran und deren Verbindungsstege. Die elektrischen oder elektronischen Bauelemente können dann auf der Membran bzw. den Verbindungsstegen integriert sein. Die Halterung kann dann auch als Substrat für weitere elektronische Bauelemente dienen, insbesondere für die Regelschaltung oder die Konstantstromquelle oder eine Signalverarbeitungsschaltung für die vom Infrarot-Sensorelement abgegebenen Signale.
  • Wenn die Temperatur des/der elektrischen oder elektronischen Bauelemente konstant gehalten wird, ist der Bereich der Membran, in dem das(die) Infrarot-Sensorelement(e) angeordnet ist(sind), thermisch von der Halterung der Membran und damit vom Rest des Infrarot-Strahlungssensors isoliert, d. h. vor Temperaturschwankungen und -gradienten geschützt. Dies gilt sowohl für einen Wärmefluß, der während einer Temperaturmessung von außen über das Gehäuse eines Thermometers bis zum Infrarot-Strahlungssensor vordringt, als auch für einen Wärmefluß, der von einer im Substrat des Infrarot-Strahlungssensors integrierten elektronischen Schaltung verursacht wird.
  • Als Infrarot-Sensorelement kann beispielsweise ein im thermisch isolierten Bereich des Infrarot-Strahlungssensors angeordnetes Thermopile-Sensorelement verwendet werden. Das Sensorelement kann in an sich bekannter Weise so beschaffen sein, daß in einem ersten Teil des isolierten Bereichs die Kaltstellen und in einem zweiten Teil des isolierten Bereichs die Warmstellen angeordnet sind. Besonders vorteilhaft ist jedoch eine Anordnung, bei der die Kaltstellen des Thermopile-Sensorelements am Rande des thermisch isolierten Bereichs und in unmittelbarer Nähe der elektrischen oder elektronischen Bauelemente liegen, und daher durch diese auf konstanter Temperatur gehalten werden können. Die Warmstellen des Thermopile-Sensorelements befinden sich dann vorzugsweise in der Mitte des thermisch isolierten Bereichs.
  • Statt eines Thermopile-Sensorelements können auch Bolometerelemente, pyroelektrische Sensorelemente, Thermoelemente, Thermistoren oder dergleichen verwendet werden.
  • Bei allen oben beschriebenen Ausführungen erfindungsgemäßer Infrarot-Strahlungssensoren können auch mehrere Infrarot-Sensorelemente im thermisch isolierten Bereich der Membran, vorzugsweise matrixförmig nebeneinander, angeordnet sein, die gemeinsam durch am Rand der Membran oder an den Verbindungsstegen angeordnete elektrische oder elektronische Bauelemente thermisch gegenüber der Halterung der Membran isoliert sind. Besonders vorteilhaft ist es jedoch, wenn jedes Infrarot-Sensorelement individuell durch elektrische oder elektronische Bauelemente, die auf konstanter Temperatur gehalten werden können, vom Rest der Membran, d. h. auch von den anderen Infrarot-Sensorelementen, thermisch isoliert ist. Eine solche Anordnung kann insbesondere zur Abbildung einer Temperaturverteilung verwendet werden.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele erläutert, die in den Figuren dargestellt sind. Es zeigen:
  • Fig. 1 schematisch einen ersten erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlungssensor in einer Querschnittsansicht (a) und einer Draufsicht (b);
  • Fig. 2 schematisch einen zweiten erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlungssensor mit einer matrixförmigen Anordnung mehrerer Sensorelemente;
  • Fig. 3 schematisch einen dritten erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlungssensor in Draufsicht.
  • Ein erfindungsgemäßer Infrarot-Strahlungssensor ist in Fig. 1a im Querschnitt entlang einer Ebene dargestellt, die in Fig. 1b mit einer strichpunktierten Linie angedeutet ist. Er weist ein Substrat 4 mit einer Vertiefung 4a auf, die von einer Membran überspannt wird, die aus einem zentralen Bereich 1 und vier Verbindungsstegen 3 besteht. Die Vertiefung 4a und die Membran können in an sich bekannter Weise hergestellt sein. Der zentrale Bereich 1 ist im wesentlichen rechteckförmig, und ist auf einem wesentlichen Teil seiner Fläche mit einer infrarot-absorbierenden Schicht 2 bedeckt. Die Verbindungsstege 3 umgeben den zentralen Bereich 1 hakenförmig und verbinden ihn mit dem Substrat 4. Auf jedem Verbindungssteg 3 befindet sich ein elektrisches oder elektronisches Bauelement 5, dessen Temperatur konstant gehalten werden kann. Neben der Membran befindet sich auf dem Substrat 4 eine elektronische Schaltung 6.
  • Das Substrat 4 und die Membran bestehen vorzugsweise aus einem Halbleitermaterial wie beispielsweise Silizium. Daher können die elektronische Schaltung 6 und die elektrischen oder elektronischen Bauelemente 5 direkt auf dem Substrat 4 bzw. den Verbindungsstegen 3 integriert sein. Vorzugsweise bestehen die Bauelemente 5 aus MOS- Transistoren, die so beschaffen und so elektrisch beschaltet sind, daß ihre Verlustleistung mit steigender Temperatur abnimmt, und die zugeführte Wärmemenge durch die niedrigere Verlustleistung gerade kompensiert wird. Auf diese Weise bleibt die Temperatur der elektronischen Bauelemente 5 konstant. Dadurch wird eine thermische Isolierung des zentralen Bereichs 1 vom Substrat 4 bewirkt.
  • Auf den zentralen Bereich 1 der Membran auftreffende Infrarot-Strahlung führt zu einer Temperaturerhöhung, die durch ein Infrarot-Sensorelement (in Fig. 1 nicht dargestellt) erfaßt wird. Das Infrarot-Sensorelement besteht beispielsweise aus einem Thermopile, dessen Warmstellen unter der infrarot-absorbierenden Schicht 2 angeordnet sind. Die Kaltstellen des Thermopile sind ebenfalls auf der Membran aber nicht unter der infrarotabsorbierenden Schicht 2 angeordnet. Die Kaltstellen können vorzugsweise in der Nähe der Bauelemente 5 positioniert sein, so daß sie von den Bauelementen 5 auf konstanter Temperatur gehalten werden. Auf mindestens einem der Verbindungsstege 3 verlaufende Zuleitungen, die das Infrarot-Sensorelement bzw. die elektrischen oder elektronischen Bauelemente 5 mit der elektronischen Schaltung 6 verbinden, sind ebenfalls nicht dargestellt. Die Zuleitungen sind beispielsweise in die Membran integriert oder auf die Membran aufgedampft oder aufgedruckt.
  • Die elektronische Schaltung 6 enthält vorzugsweise eine Regelschaltung für die elektrischen oder elektronischen Bauelemente 5, um diese auf konstante Temperatur zu regeln, und/oder eine Signalverarbeitungsschaltung zur Verarbeitung der vom Infrarot- Sensorelement gelieferten Signale.
  • In Fig. 2 ist schematisch eine matrixförmige Anordnung von neun voneinander thermisch isolierten Bereichen dargestellt, die auf einer gemeinsamen Membran angeordnet sind, wobei sich in jedem thermisch isolierten Bereich ein Infrarot-Sensorelement befindet. Auf diese Weise ist jedes Infrarot-Sensorelement individuell durch elektrische oder elektronische Bauelemente, die auf konstanter Temperatur gehalten werden können, vom Rest der Membran, d. h. auch von den anderen Infrarot-Sensorelementen, thermisch isoliert. Auch bei dieser Ausführungsform dienen die in den Verbindungsstegen der einzelnen isolierten Bereiche integrierten elektrischen oder elektronischen Bauelemente der Konstanthaltung der Temperatur der Membran im Bereich jedes einzelnen Infrarot- Sensorelements. Die erfindungsgemäße Temperaturkonstanthaltung ist gerade bei einer derartigen Mehrfachanordnung von Infrarot-Sensorelementen besonders vorteilhaft, da die thermischen Widerstände zwischen den einzelnen Infrarot-Sensorelementen und dem gemeinsamen Substrat unterschiedlich sind, und von der jeweiligen Position des Infrarot- Sensorelements auf der Membran abhängen. Temperaturgradienten im Substrat könnten ohne Temperaturkonstanthaltung zu einem Temperaturgradienten auf der Membran führen, und das Abbild einer Temperaturverteilung im Blickfeld des Infrarot-Strahlungssensors verfälschen.
  • In Fig. 3 ist eine weitere erfindungsgemäße Ausführung eines Infrarot-Strahlungssensors dargestellt. Bei dieser Ausführungsform bestehen die elektronischen Bauelemente 5 aus MOS-Transistoren, die nicht auf den Verbindungsstegen 3 sondern auf dem zentralen, rechteckigen Bereich 1 der Membran angeordnet sind. In Fig. 3 ist zusätzlich ein Thermopile als Infrarot-Sensorelement dargestellt, dessen Zuführungsdrähte über einen der Verbindungsstege 3 in den zentralen Bereich 1 geführt werden. Die MOS-Transistoren 5 dienen bei diesem Ausführungsbeispiel dazu, möglichst großflächige Bereiche konstanter Temperatur zu bilden, an denen die Kaltstellen des Thermopiles angeordnet werden können. Die Kaltstellen weisen damit eine hohe Temperaturkonstanz auf. Die Warmstellen des Thermopiles sind unter der infrarot-absorbierenden Schicht 2 angeordnet, die sich in der Mitte des zentralen Bereichs 1 der Membran befindet.
  • Die MOS-Transistoren können auch an den Übergangsstellen zwischen dem zentralen Bereich 1 der Membran und den Verbindungsstegen 3 angeordnet werden, so daß sie gleichzeitig für eine besonders gute thermische Abkopplung des zentralen Bereichs 1 der Membran von den Verbindungsstegen 3, dem Substrat 4 und der elektronischen Schaltung 6 sorgen.
  • Die in der Fig. 3 dargestellten MOS-Transistoren 5 bilden großflächige Inseln relativ hoher Wärmeleitfähigkeit, wenn sie im wesentlichen aus Silizium bestehen. Die thermische Abkopplung der Kaltstellen von den Warmstellen ergibt sich durch die geringe Wärmeleitfähigkeit des zentralen Bereichs 1 der Membran, der beispielsweise aus SiN oder SiO2 besteht.

Claims (10)

1. Infrarot-Strahlungssensor mit mindestens einem Infrarot-Sensorelement, einer Halterung für das Infrarot-Sensorelement und einem von der Halterung thermisch isolierten Bereich, dadurch gekennzeichnet, daß er ferner mindestens ein elektrisches und/oder elektronisches Bauelement (5) aufweist, das auf konstante Temperatur regelbar ist, und das zwischen dem thermisch isolierten Bereich (1) und der Halterung (4) angeordnet ist.
2. Infrarot-Strahlungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauelement (5) aus einem NTC- oder PTC-Widerstand oder einem Transistor besteht, und daß eine Regelschaltung vorhanden ist, die die Temperatur des Bauelements (5) konstant halten kann.
3. Infrarot-Strahlungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauelement (5) aus einem MOSFET besteht, und daß eine Konstantstromquelle vorhanden ist, deren konstanter Strom durch den MOSFET fließen kann.
4. Infrarot-Strahlungssensor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der thermisch isolierte Bereich (1) durch Verbindungsstege (3) mit dem Substrat (4) verbunden ist, und an jedem Verbindungssteg (3) ein Bauelement (5) angeordnet ist.
5. Infrarot-Strahlungssensor nach Anspruch 1, 2, oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Infrarot-Sensorelement ein Thermoelement, ein Thermopile, ein Bolometer oder ein pyroelektrisches Element ist.
6. Infrarot-Strahlungssensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das/die Bauelemente (5) gleichzeitig als Temperaturreferenz für das/die Infrarot-Sensorelemente dient/dienen.
7. Infrarot-Strahlungssensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kaltstelle(n) des/der Thermoelements/e bzw. des/der Thermopiles in der Nähe des/der Bauelements/e (5) angeordnet ist/sind.
8. Infrarot-Strahlungssensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er mehrere Infrarot-Sensorelemente aufweist.
9. Infrarot-Strahlungssensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß er mehrere durch elektrische oder elektronische Bauelemente (5) thermisch voneinander isolierte Bereiche (1) aufweist, die auf konstanter Temperatur gehalten werden können, und daß sich in jedem thermisch isolierten Bereich (1) mindestens ein Infrarot-Sensorelement befindet.
10. Infrarot-Thermometer, insbesondere Infrarot-Ohrthermometer, mit einem Infrarot-Strahlungssensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
DE10256997A 2002-05-31 2002-12-06 Infrarot-Strahlungssensor Withdrawn DE10256997A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10256997A DE10256997A1 (de) 2002-05-31 2002-12-06 Infrarot-Strahlungssensor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10224548 2002-05-31
DE10256997A DE10256997A1 (de) 2002-05-31 2002-12-06 Infrarot-Strahlungssensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10256997A1 true DE10256997A1 (de) 2003-12-11

Family

ID=29432599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10256997A Withdrawn DE10256997A1 (de) 2002-05-31 2002-12-06 Infrarot-Strahlungssensor

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10256997A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007248386A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Nec Corp 熱型赤外線固体撮像素子
DE102010042108A1 (de) * 2010-01-18 2011-07-21 Heimann Sensor GmbH, 01109 Thermopile-Infrarot-Sensor in monolithischer Si-Mikromechanik

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19710946A1 (de) * 1997-03-15 1998-09-24 Braun Ag Thermopile-Sensor und Strahlungsthermometer mit einem Thermopile-Sensor
US5990481A (en) * 1996-08-30 1999-11-23 Raytheon Company Thermal detector with preferentially-ordered thermally sensitive element and method
US6087661A (en) * 1997-10-29 2000-07-11 Raytheon Company Thermal isolation of monolithic thermal detector
US6133572A (en) * 1998-06-05 2000-10-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Infrared detector system with controlled thermal conductance
US6137107A (en) * 1996-08-30 2000-10-24 Raytheon Company Thermal detector with inter-digitated thin film electrodes and method
WO2001081879A2 (en) * 2000-04-25 2001-11-01 Raytheon Company Microbolometer and manufacturing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5990481A (en) * 1996-08-30 1999-11-23 Raytheon Company Thermal detector with preferentially-ordered thermally sensitive element and method
US6137107A (en) * 1996-08-30 2000-10-24 Raytheon Company Thermal detector with inter-digitated thin film electrodes and method
DE19710946A1 (de) * 1997-03-15 1998-09-24 Braun Ag Thermopile-Sensor und Strahlungsthermometer mit einem Thermopile-Sensor
US6087661A (en) * 1997-10-29 2000-07-11 Raytheon Company Thermal isolation of monolithic thermal detector
US6133572A (en) * 1998-06-05 2000-10-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Infrared detector system with controlled thermal conductance
WO2001081879A2 (en) * 2000-04-25 2001-11-01 Raytheon Company Microbolometer and manufacturing method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007248386A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Nec Corp 熱型赤外線固体撮像素子
EP1845351A1 (de) * 2006-03-17 2007-10-17 NEC Corporation Infrarotdetektionsgerät und Infrarotabbildungsgerät damit
US7541583B2 (en) 2006-03-17 2009-06-02 Nec Corporation Infrared detecting apparatus and infrared imaging apparatus using the same
JP4721141B2 (ja) * 2006-03-17 2011-07-13 日本電気株式会社 熱型赤外線固体撮像素子
DE102010042108A1 (de) * 2010-01-18 2011-07-21 Heimann Sensor GmbH, 01109 Thermopile-Infrarot-Sensor in monolithischer Si-Mikromechanik
DE102010042108B4 (de) * 2010-01-18 2013-10-17 Heimann Sensor Gmbh Thermopile-Infrarot-Sensor in monolithischer Si-Mikromechanik

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0966660B1 (de) Thermopile-sensor und strahlungsthermometer mit einem thermopile-sensor
DE2953771C1 (de) Gasdetektor
DE112014005627B4 (de) Innentemperatursensor
EP0972175B1 (de) Messspitze für strahlungsthermometer
EP2388563A2 (de) Verfahren zur Ermittlung der Temperatur eines Leistungshalbleiters
DE10220587B4 (de) Temperatursensor für MOS-Schaltungsanordnung
DE602004003745T2 (de) Gekühlter opto-elektrischer Detektor
DE3539402C2 (de)
DE10147358A1 (de) Sonde zur Verwendung in einem Infrarot-Thermometer
DE10254222B4 (de) Fluidum-Durchsatz-Messanordnung
DE3235062C2 (de)
DE102005047164B4 (de) Thermosäulenelement und dasselbe verwendender Infrarotsensor
WO2009132760A1 (de) Vorrichtung zur analyse des strahlprofils eines laserstrahls
DE10256997A1 (de) Infrarot-Strahlungssensor
EP1766354B1 (de) Sensorelement
DE19652046C2 (de) Verfahren zur Ermittlung der Temperatur eines Halbleiter-Chips
DE19746204A1 (de) Halbleiterlaserchip
DE19756069C1 (de) Differenz-Thermoanalyse-Vorrichtung
DE19502252A1 (de) Temperatursensor
DD147872B1 (de) Strahlungsdetektor fuer absolutmessungen
EP3963300B1 (de) Differentialkalorimeter mit hoher sensitivität
DE102009001920B4 (de) Infrarotlichtdetektor mit hoher Auflösung und hoher Baudichte
DE2064292C3 (de) Strahlungswärmeflußmesser
DE19707844A1 (de) Schnelles, korrigierendes Thermometer
DE10104219B4 (de) Anordnung zur aktiven Kühlung eines Halbleiterbausteins und Verfahren zum Betrieb der Anordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee