DE10242521A1 - Diode - Google Patents
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Abstract
Es wird eine Diode 10 beschrieben, mit einem Einpresssockel 11, der einen, sich axial erstreckenden Befestigungsbereich 12 für einen Halbleiterchip 15 aufweist und einen auf dem Halbleiterchip befestigten Kopfdraht 15, 17. Der Kopfdraht hat einen gestuften Drahtanschluss bzw. einen Bereich 21, der zusammen mit dem Einpresssockel und einer Hülse 22 ein dichtes Gehäuse bildet. Die auftretenden Hohlräume im Gehäuse sind zur Stabilisierung mit Vergussmasse 23 ausgefüllt, wobei die Vergussmasse 23 nur innerhalb des Gehäuses ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Diode nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Stand der Technik
- Es ist bekannt, Dioden für mittlere und höhere Leistungen als Einpressdioden auszuführen. Diese Einpressdioden, die beispielsweise als Gleichrichterdioden als Gleichrichteranordnung zur Gleichrichtung des von Kraftfahrzeuggeneratoren gelieferten Stromes eingesetzt werden, weisen dabei einen Einpresssockel auf, der in eine passende Ausnehmung eines Befestigungselements eingepresst wird. Der Einpresssockel übernimmt dabei gleichzeitig eine dauerhafte thermische und elektrische Verbindung der Diode mit der Gleichrichteranordnung. Der Einpresssockel weist einen Befestigungsbereich auf, auf dem ein Halbleiterchip befestigt ist, beispielsweise durch Festlöten. Auf dem Halbleiterchip wiederum ist ebenfalls beispielsweise durch Löten ein sog. Kopfdraht befestigt, der fest mit einer Phasenzuleitung des Kraftfahrzeuggenerators verbunden ist.
- Da beim üblichen Betrieb eines Kraftfahrzeugs mechanische Erschütterungen auftreten, die auch die Diode bzw. ihre Befestigung belasten, ist es bekannt, die Diode bzw. die Dioden einzukapseln und so einen Formschluss zwischen dem Kopfdraht und dem Einpresssockel herzustellen. Mit einem solchen Formschluss soll eine Zugentlastung des empfindlichen Halbleiterchips und der Lotschichten zwischen dem Halbleiterchip und dem Einpresssockel einerseits und dem Kopfdraht andererseits erreicht werden. Zusätzliche Mittel ragen üblicherweise in die Einkapselung hinein und verbessern die benötigte Zugentlastung.
- Eine weitere Möglichkeit zur Verbesserung der Zugentlastung wird in Verbindung mit einer Gleichrichterdiode in der
DE-OS 43 41 269 - Vorteile der Erfindung
- Die erfindungsgemäße Diode mit den Merkmalen des Anspruchs 1 hat den Vorteil, dass gegenüber den bekannten Lösungen eine Reduzierung der Menge an Vergussmasse möglich ist. Dabei wird sowohl weniger Epoxid als auch weniger Kunststoff für die Hülse benötigte. Die Reduzierung der Menge an benötigter Vergussmasse führt in vorteilhafter Weise zu einer Kosteneinsparung und zur vorteilhaften Minimierung brennbarer Materialien in der Diode.
- Erzielt werden diese Vorteile durch Einsatz eines gestuften Kopfdrahtes, der mit dem Kopf verbunden wird, beispielsweise durch eine Lotschicht und bildet zusammen mit einer mit dem Sockel verbundenen Hülse ein Gehäuse. Der Hohlraum im Gehäuse, der von Sockel, Halbleiterchip, Kopf , gestuftem Drahtanschluss und Hülse begrenzt wird, ist kleiner als bei den bekannten Lösungen. In vorteilhafter Weise wird daher beim Vergießen des Hohlraumes nur eine geringe Menge Vergussmasse benötigt. Vorteilhafterweise wird die Stabilität durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen nicht verringert.
- Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Unteransprüche. Von Vorteil ist dabei beispielsweise, dass die Ausgestaltung des Kopfes sich in bestimmten Grenzen an Erfordernisse anpassen lässt, wobei beispielsweise ein kegelförmiger Kopf oder ein stufenförmiger Kopf möglich sind.
- Besonders vorteilhaft ist, dass bei einer Überlastung der Diode, beispielsweise durch Verpolung der Batterie bei einem Einsatz in einem KFZ und der dann auftretenden sehr hohen Temperaturen von einigen hundert Grad kein Brandrisiko auftritt, da durch die Stufe im Kopf des Drahtes die Vergussmasse auf Abstand gehalten wird und vorteilhafter Weise innerhalb eines dichten Gehäuses ist.
- Zeichnung
- Zwei Ausführungsbeispiele für erfindungsgemäße Dioden sind in den
1 und2 dargestellt.3 zeigt den detaillierteren Aufbau des Ausführungsbeispieles nach2 . In den4 ,5 und6 sind Ausführungsformen von Einpressdioden, die zum Stand der Technik gehören, dargestellt. - Beschreibung
-
1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Dabei ist ein Querschnitt durch eine Diode, insbesondere eine Einpressdiode dargestellt. Die Diode10 umfasst dabei einen Einpresssockel11 , der in einen, sich axial erstreckenden Befestigungsbereich12 übergeht. Ein Halbleiterchip13 , beispielsweise ein Siliziumchip ist mittels einer Lotschicht14 mit dem Befestigungsbereich12 des Einpresssockels11 verbunden. Der Halbleiterchip13 ist mittels einer weiteren Lotschicht15 mit dem Kopf16 eines Kopfdrahtes17 verbunden. Der Kopf16 weist beim Ausführungsbeispiel nach1 drei Bereiche18 ,19 ,20 mit unterschiedlichem Durchmesser auf. Den gestuften Drahtanschluss bildet der Bereich21 . Dieser Bereich21 am Drahtschaft geht über in den Kopf16 bzw. den Bereich20 des Kopfs16 . - Der Bereich
21 des gestuften Kopfdrahts bildet gemeinsam mit dem Einpresssockel11 und einer Hülse22 ein dichtes Gehäuse. Die Hülse22 ist beispielsweise aus Kunststoff gefertigt. Die Hohlräume innerhalb des Gehäuses werden durch Vergussmasse23 , beispielsweise Epoxy oder einem sonstigen Kunststoff ausgefüllt, so dass der Halbleiterchip13 selbst mechanisch fixiert ist und vor Feuchtigkeit geschützt wird. Die Dichtheit des Gehäuses wird also durch den in1 dargestellte Aufbau gewährleistet. Dabei ist der Halbleiterchip13 gegen Feuchtigkeit geschützt, ohne dass die Vergussmasse wie bei den bekannten, in den4 ,5 und6 dargestellten Lösungen den gesamten Kopf16 bedeckt. - Der Kopf
16 des Kopfdrahtes17 weist beim Ausführungsbeispiel nach1 drei Bereiche18 ,19 ,20 mit unterschiedlichem Durchmesser auf, die Bereiche18 und19 könnten auch als ein Bereich zusammengefasst sein. - In
2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt, das sich vom Ausführungsbeispiel nach1 nur dadurch unterscheidet, dass der Kopf16 kegelförmig oder glockenförmig ist. Wesentlich ist jedoch, dass auch beim Ausführungsbeispiel nach2 durch den Einpresssockel11 mit dem Befestigungsbereich12 , die Hülse22 und den Bereich21 des gestuften Drahtanschlusses ein dichtes Gehäuse gebildet wird, das mit Vergussmasse ausgefüllt wird und den Halbleiterchip13 schützt. - In
3 ist eine genauere Darstellung des Kopfdrahtes einschließlich besonders vorteilhafter Bemaßungen dargestellt. Der Kopf16 weist dabei mehrere Bereiche mit unterschiedlichen Durchmessern und Abschrägungen auf. Die Details sind der Zeichnung zu entnehmen. - Die
4 ,5 und6 zeigen herkömmliche Einpressdioden. Es ist zu erkennen, dass diese herkömmlichen Einpressdioden am Drahtschaft bzw. Kopf keine Stufe aufweisen. Damit wird die Stabilität teilweise nur mit Hilfe der Vergussmasse erzielt, in welche der Drahtschaft eingebettet ist. Zur Sicherung der Stabilität müssen dabei die Außenwände bzw. die Hülsen des Gehäuses wesentlich länger sein als beim erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. Die mit Vergussmasse auszufüllenden Hohlräume, die so entstehen, sind daher ebenfalls deutlich größer als bei den erfindungsgemäßen Beispielen und der gesamte Drahtkopf sowie ein Teil des Kopfdrahtes17 selbst müssen zusätzlich mit Vergussmasse umgeben werden, damit die gewünschte Stabilität erhalten wird. - Die Diode mit gestuftem Drahtanschluss bzw. der Draht selbst wird bei den erfindungsgemäßen Lösungen wie bei herkömmlichen Systemen durch Fliesspressen hergestellt. Als Material für den Kopfdraht wird beispielsweise Kupfer verwendet. Die Oberfläche kann mit Nickel oder eine Nickellegierung, beispielsweise Nickelphosphor, beschichtet sein.
- Während für die bekannten Dioden nach den
4 ,5 und6 als Vergussmasse und Hülse zwischen 0,369 g und 0,630 g Kunststoffmaterial benötigt werden, genügen bei den beiden erfindungsgemäßen Ausführungsbeispielen0 ,318 g, davon 0,232 g Vergussmasse (1 ) bzw. 0,323 g, davon 0,242 g Vergussmasse (2 ) bzw. 0,316 g in einer weitem Optimierung der Form gemäß2 .
Claims (7)
- Diode (
10 ) mit einen Einpresssockel (11 ), der einen, sich axial erstreckenden Befestigungsbereich (12 ) für einen Halbleiterchip (15 ) aufweist, mit einem Kopfdraht17 , der einen auf dem Halbleiterchip (15 ) befestigbaren Kopfdraht16 aufweist und Mitteln zur Stabilisierung, die wenigstens eine Hülse (22 ) sowie eine Zwischenräume ausfüllende Vergussmasse (23 ) umfassen, dadurch gekennzeichnet, dass der Kopfdraht (17 ) einen gestuften Drahtanschluss mit einem Bereich (21 ) aufweist, der zusammen mit der Hülse (22 ) und dem Einpresssockel (11 ) und dem Befestigungsbereich (12 ) ein Gehäuse bildet, dessen Hohlräume mit Vergussmasse ausgefüllt sind. - Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Draht aus Kupfer ist und die Oberfläche mit Nickel oder einer Nickellegierung, insbesondere Nickelphosphor beschichtet ist.
- Diode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergussmasse ein Epoxid ist.
- Diode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nur der sich im Gehäuse befindliche Kopf (
16 ) des Kopfdrahtes (17 ) von einer Vergussmasse umgeben ist. - Diode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kopf (
16 ) wenigstens zwei Bereiche mit unterschiedlichen Durchmessern umfaßt. - Diode nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Kopf (
16 ) kegelförmig oder glockenförmig ausgestaltet ist. - Verfahren zur Herstellung einer Diode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kopfdraht, der Bereich (
21 ) des gestuften Drahtanschluss und der Kopf (16 ) durch Fliesspressen hergestellt wird.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10242521A DE10242521A1 (de) | 2002-09-12 | 2002-09-12 | Diode |
US10/527,310 US20060145354A1 (en) | 2002-09-12 | 2003-06-03 | Diode |
PCT/DE2003/001811 WO2004027864A1 (de) | 2002-09-12 | 2003-06-03 | Diode |
JP2004536811A JP2005538569A (ja) | 2002-09-12 | 2003-06-03 | ダイオード |
EP03797152A EP1540726A1 (de) | 2002-09-12 | 2003-06-03 | Diode |
TW092123703A TW200406053A (en) | 2002-09-12 | 2003-08-28 | Diode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10242521A DE10242521A1 (de) | 2002-09-12 | 2002-09-12 | Diode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10242521A1 true DE10242521A1 (de) | 2004-03-25 |
Family
ID=31895929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10242521A Withdrawn DE10242521A1 (de) | 2002-09-12 | 2002-09-12 | Diode |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060145354A1 (de) |
EP (1) | EP1540726A1 (de) |
JP (1) | JP2005538569A (de) |
DE (1) | DE10242521A1 (de) |
TW (1) | TW200406053A (de) |
WO (1) | WO2004027864A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010003166A1 (de) | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Stromerzeugung mit Solarzellen |
EP2381572A1 (de) | 2010-04-26 | 2011-10-26 | Robert Bosch GmbH | Gleichrichter-Brückenschaltung |
DE102010028783A1 (de) | 2010-05-10 | 2011-11-10 | Robert Bosch Gmbh | Gleichrichter-Brückenschaltung |
DE102012207654A1 (de) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | Robert Bosch Gmbh | Kraftfahrzeug-Generatorvorrichtung mit einer Schutzanordnung zur Störsignalunterdrückung |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2545905A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-05 | Gotohti.Com Inc. | Stepped cylinder piston pump |
DE102010028207A1 (de) * | 2010-04-26 | 2011-10-27 | Robert Bosch Gmbh | Gleichrichter-Brückenschaltung |
CN106981521A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-25 | 贵州雅光电子科技股份有限公司 | 一种软材料环和软胶封装的二极管及其制备方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1083288A (en) * | 1963-12-21 | 1967-09-13 | Ckd Praha | Improvements in or relating to vacuum-tight casings for semiconductor elements |
DE1614480A1 (de) * | 1967-04-03 | 1970-07-16 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit einem metallischen Gehaeuseteil |
DE1944515A1 (de) * | 1969-09-02 | 1971-03-04 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit Kunststoffuellung |
US4208603A (en) * | 1979-02-08 | 1980-06-17 | General Electric Company | Electric lamp having improved inlead construction |
US5917707A (en) * | 1993-11-16 | 1999-06-29 | Formfactor, Inc. | Flexible contact structure with an electrically conductive shell |
US4829364A (en) * | 1985-11-29 | 1989-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
DE4341269A1 (de) * | 1993-12-03 | 1995-06-22 | Bosch Gmbh Robert | Gleichrichterdiode |
DE19549202B4 (de) * | 1995-12-30 | 2006-05-04 | Robert Bosch Gmbh | Gleichrichterdiode |
JPH10215552A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-08-11 | Denso Corp | 交流発電機の整流装置とその製造方法 |
JPH11307682A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US6160309A (en) * | 1999-03-25 | 2000-12-12 | Le; Hiep | Press-fit semiconductor package |
KR100441260B1 (ko) * | 2003-10-20 | 2004-07-21 | 주식회사 케이이씨 | 정류 다이오드 패키지 |
US7157791B1 (en) * | 2004-06-11 | 2007-01-02 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with press-fit ground plane |
US7009223B1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-07 | Sung Jung Minute Industry Co., Ltd. | Rectification chip terminal structure |
US6958530B1 (en) * | 2004-08-31 | 2005-10-25 | Sung Jung Minute Industry Co., Ltd. | Rectification chip terminal structure |
-
2002
- 2002-09-12 DE DE10242521A patent/DE10242521A1/de not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-06-03 JP JP2004536811A patent/JP2005538569A/ja active Pending
- 2003-06-03 EP EP03797152A patent/EP1540726A1/de not_active Withdrawn
- 2003-06-03 US US10/527,310 patent/US20060145354A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-03 WO PCT/DE2003/001811 patent/WO2004027864A1/de active Application Filing
- 2003-08-28 TW TW092123703A patent/TW200406053A/zh unknown
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010003166A1 (de) | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Stromerzeugung mit Solarzellen |
EP2381572A1 (de) | 2010-04-26 | 2011-10-26 | Robert Bosch GmbH | Gleichrichter-Brückenschaltung |
DE102010028203A1 (de) | 2010-04-26 | 2011-10-27 | Robert Bosch Gmbh | Gleichrichter-Brückenschaltung |
DE102010028783A1 (de) | 2010-05-10 | 2011-11-10 | Robert Bosch Gmbh | Gleichrichter-Brückenschaltung |
DE102012207654A1 (de) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | Robert Bosch Gmbh | Kraftfahrzeug-Generatorvorrichtung mit einer Schutzanordnung zur Störsignalunterdrückung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005538569A (ja) | 2005-12-15 |
WO2004027864A1 (de) | 2004-04-01 |
TW200406053A (en) | 2004-04-16 |
US20060145354A1 (en) | 2006-07-06 |
EP1540726A1 (de) | 2005-06-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 23/051 AFI20051017BHDE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
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