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CN220383489U - 显示装置 - Google Patents

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CN220383489U
CN220383489U CN202321685824.8U CN202321685824U CN220383489U CN 220383489 U CN220383489 U CN 220383489U CN 202321685824 U CN202321685824 U CN 202321685824U CN 220383489 U CN220383489 U CN 220383489U
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CN
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layer
electrode
opening
insulating layer
disposed
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金贤
金璱基
崔昇夏
尹甲洙
李禹根
姜叡恩
赵正京
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了显示装置。显示装置包括基础衬底、电路层和显示元件层，电路层包括包含栅电极的晶体管、辅助导电层、布置在晶体管和辅助导电层上的第一绝缘层以及布置在第一绝缘层上的第二绝缘层，显示元件层包括布置在电路层上的像素限定层以及包括顺序地堆叠的第一电极、功能层和第二电极的发光元件。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年7月5日提交的第10-2022-0082456号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
实施方式涉及包括电连接到发光元件的公共电极的辅助导电层的显示装置。
背景技术
诸如电视机、移动电话、平板计算机、导航系统和游戏机的多媒体电子装置可包括用于显示图像的显示装置。显示装置可包括像素，并且像素中的每个可包括生成光的发光元件和连接到发光元件的驱动元件。
包括发光元件之中的有机发光元件的显示装置具有诸如宽视角、快速响应速度和低功耗的优点，从而作为下一代显示装置受到关注。然而，随着显示装置的面积变大，根据区供给的电压的稳定性劣化，并且因此存在发生亮度不均匀性的限制。
实用新型内容
实施方式提供了能够通过优化发光元件的公共电极与辅助导电层之间的电连接结构来提高可靠性的显示装置。
然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的实施方式。通过参照以下给出的本公开的详细描述，以上和其它的实施方式将对本公开所属的领域的普通技术人员变得更加显而易见。
在实施方式中，提供了包括显示区和布置在显示区的至少一侧上的外围区的显示装置，显示区包括发光区域和非发光区域，并且显示装置可包括基础衬底、电路层和显示元件层，电路层布置在基础衬底上并且包括包含栅电极的晶体管、与栅电极布置在相同的层中的辅助导电层、布置在晶体管和辅助导电层上的第一绝缘层和布置在第一绝缘层上的第二绝缘层，显示元件层包括布置在电路层上的像素限定层以及包括顺序地堆叠的第一电极、功能层和第二电极的发光元件，其中，与非发光区域重叠的电极开口在电路层和像素限定层中形成为暴露辅助导电层的至少一部分，像素限定层包括可不与第一绝缘层重叠并且可朝向电极开口的内部突出的突出边缘部分，功能层和第二电极中的每个可在突出边缘部分的端部处断开，并且第二电极通过电极开口电连接到辅助导电层。
在实施方式中，像素限定层的突出边缘部分可比第一绝缘层的侧边缘部分更加朝向电极开口的内部突出，并且电极开口可包括在像素限定层的突出边缘部分下方的空间。
在实施方式中，第二电极的布置在电极开口中的第一端部可布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部可与第一电极的布置在突出边缘部分的下表面上的边缘部分接触。
在实施方式中，第二电极的第一端部可直接布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部可通过第一电极的布置在突出边缘部分的下表面上的边缘部分电连接到辅助导电层。
在实施方式中，第一绝缘层的第一侧表面和第二绝缘层的第一侧表面可通过电极开口而暴露，并且第一绝缘层的第二侧表面和第二绝缘层的第二侧表面可由顺序地堆叠的第一电极和像素限定层覆盖，其中，电极开口可包括包含在像素限定层的突出边缘部分下方的空间并且布置在第二绝缘层的第二侧表面与第二绝缘层的通过空间暴露的第一侧表面之间的下开口以及形成在像素限定层中并且布置在下开口上方的上开口。
在实施方式中，功能层的第一端部可在下开口中覆盖对第二绝缘层的第二侧表面进行覆盖的像素限定层，并且功能层的第二端部可覆盖限定上开口的像素限定层。
在实施方式中，第二电极的端边缘部分可比功能层的端边缘部分更加朝向下开口的内部突出，并且第二电极的端边缘部分可直接布置在辅助导电层的上表面上。
在实施方式中，第一电极可布置在突出边缘部分的下表面上，并且第一电极的与突出边缘部分重叠的下表面可在下开口中不与第二绝缘层重叠。
在实施方式中，第二绝缘层的与非发光区域重叠的一部分的厚度可小于第二绝缘层的与发光区域重叠的一部分的厚度。
在实施方式中，栅电极和辅助导电层中的每个可包括包含钛(Ti)的第一子层、包含铜(Cu)的第二子层以及包含氧化铟锡(ITO)的第三子层。
在实施方式中，第二电极的在电极开口中的第一端部可与第二子层接触，并且第二电极的第二端部可与第三子层接触。
在实施方式中，第一绝缘层的第二侧表面可不由像素限定层覆盖，并且第一绝缘层的第一侧表面、第二绝缘层的第一侧表面和第二绝缘层的第二侧表面可由像素限定层覆盖，其中，电极开口可包括包含在像素限定层的突出边缘部分下方的空间并且布置在通过空间暴露的第二子层与第一绝缘层的第二侧表面之间的下开口以及形成在像素限定层中并且布置在下开口上方的上开口。
在实施方式中，功能层的第一端部可在下开口中覆盖第一绝缘层的第二侧表面，并且功能层的第二端部可布置在限定上开口的像素限定层上。
在实施方式中，第二电极的端边缘部分可比功能层的端边缘部分更加朝向下开口的内部突出，并且第二电极的端边缘部分可直接布置在辅助导电层的侧表面上。
在实施方式中，第二电极的第一端部可直接布置在第二子层的倾斜的侧表面上，并且第二电极的第二端部可和与突出边缘部分重叠的第一子层的侧表面接触。
在实施方式中，第二电极的布置在电极开口中的第一端部可布置在辅助导电层的上表面上。
在实施方式中，第一绝缘层的第一侧表面可通过电极开口而暴露，并且第一绝缘层的第二侧表面、第二绝缘层的第一侧表面和第二绝缘层的第二侧表面可由像素限定层覆盖，其中，电极开口可包括包含在像素限定层的突出边缘部分下方的空间并且布置在第一绝缘层的第二侧表面与第一绝缘层的通过空间暴露的第一侧表面之间的下开口以及形成在像素限定层中并且布置在下开口上方的上开口。
在实施方式中，功能层可覆盖通过电极开口暴露的像素限定层。
在实施方式中，功能层的第一端部在下开口中直接布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第一端部可在下开口中覆盖功能层的第一端部，并且第二电极的端边缘部分可比功能层的端边缘部分更加朝向下开口的内部突出。
在实施方式中，第二电极的第一端部可直接布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部可通过像素限定层而与第一电极和辅助导电层绝缘。
在实施方式中，显示装置还可包括与非发光区域重叠并且布置在第一绝缘层与第二绝缘层之间的中间导电层，其中，中间导电层的端部可布置在突出边缘部分下方并且朝向电极开口的内部突出。
在实施方式中，第二电极的布置在电极开口中的第一端部可布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部可与布置在突出边缘部分的下表面上的中间导电层接触。
在实施方式中，第一绝缘层的第一侧表面可通过电极开口而暴露，并且第一绝缘层的第二侧表面、第二绝缘层的第一侧表面和第二绝缘层的第二侧表面可由像素限定层覆盖，其中，电极开口可包括包含在突出边缘部分下方的空间并且布置在第一绝缘层的第二侧表面与第一绝缘层的通过空间暴露的第一侧表面之间的下开口以及形成在像素限定层中并且布置在下开口上方的上开口。
在实施方式中，功能层可覆盖通过电极开口暴露的像素限定层。
在实施方式中，功能层的第一端部可在下开口中直接布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第一端部可在下开口中覆盖功能层的第一端部，其中，第二电极的端边缘部分可比功能层的端边缘部分更加朝向下开口的内部突出。
在实施方式中，第二电极的端边缘部分可直接布置在辅助导电层的上表面上。
在实施方式中，在非发光区域中可形成有与电极开口间隔开并穿过第一绝缘层和第二绝缘层的第一辅助开口，在非发光区域中可形成有在电极开口与第一辅助开口之间的穿过第二绝缘层的第二辅助开口，其中，辅助导电层的上表面可通过第一辅助开口而暴露，并且中间导电层的上表面可通过第二辅助开口而暴露。
在实施方式中，第一电极可通过第一辅助开口与辅助导电层的上表面接触，并且第一电极可通过第二辅助开口与中间导电层的上表面接触。
在实施方式中，第二电极的端边缘部分可直接布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部可通过中间导电层以及与中间导电层接触的第一电极而电连接到辅助导电层。
在实施方式中，中间导电层可包括氧化铟锡(ITO)。
在实施方式中，在非发光区域中，辅助开口可形成在电路层中并且与电极开口间隔开，其中，第一电极可在辅助开口中电连接到辅助导电层。
在实施方式中，辅助开口的上部可由像素限定层填充。
在实施方式中，显示装置可包括基础衬底、显示元件层和电路层，显示元件层包括像素限定层以及包括顺序地堆叠的第一电极、功能层和第二电极的发光元件，电路层布置在基础衬底与显示元件层之间并且包括包含栅电极的晶体管、与栅电极间隔开并且与栅电极布置在相同的层中的辅助导电层、布置在栅电极和辅助导电层上的第一绝缘层以及布置在第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，电极开口可在电路层和像素限定层中形成为暴露辅助导电层的至少一部分，功能层和第二电极中的每个可在电极开口中断开，并且第二电极通过电极开口电连接到辅助导电层。
在实施方式中，电极开口可包括在像素限定层的突出边缘部分下方的空间。
在实施方式中，第二电极的布置在电极开口中的第一端部可布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部可与布置在像素限定层的突出边缘部分的下表面上的第一电极接触。
在实施方式中，栅电极和辅助导电层中的每个可包括包含钛(Ti)的第一子层、包含铜(Cu)的第二子层以及包含氧化铟锡(ITO)的第三子层。
在实施方式中，第二电极的在电极开口中的第一端部可与第二子层接触，并且第二电极的第二端部可与第三子层接触。
在实施方式中，第二电极的第一端部可直接布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部可通过像素限定层而与第一电极和辅助导电层绝缘。
在实施方式中，显示装置还可包括与辅助导电层重叠并且布置在第一绝缘层与第二绝缘层之间的中间导电层，其中，中间导电层的端部可布置在像素限定层的突出边缘部分下方并且朝向电极开口的内部突出。
在实施方式中，第二电极的布置在电极开口中的第一端部可布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部可与布置在突出边缘部分的下表面上的中间导电层接触。
在实施方式中，提供了显示装置，显示装置包括显示区，显示区包括发光区域和非发光区域，并且显示装置包括：基础衬底；电路层，电路层布置在基础衬底上，电路层包括辅助导电层以及布置在辅助导电层上的第一绝缘层；以及显示元件层，显示元件层包括布置在电路层上的像素限定层以及包含顺序地堆叠的第一电极、功能层和第二电极的发光元件。与非发光区域重叠的电极开口在电路层和像素限定层中形成为暴露辅助导电层的至少一部分，像素限定层包括不与第一绝缘层重叠并且朝向电极开口的内部突出的突出边缘部分，功能层和第二电极中的每个在突出边缘部分的端部处断开，并且第二电极通过电极开口电连接到辅助导电层。
在实施方式中，第二电极的布置在电极开口中的第一端部布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部与第一电极的布置在突出边缘部分的下表面上的边缘部分接触或者第二电极的第二端部通过像素限定层而与第一电极和辅助导电层绝缘。
在实施方式中，电路层还包括第二绝缘层，第二绝缘层布置在第一绝缘层上，第一电极布置在突出边缘部分的下表面上，并且第一电极的与突出边缘部分重叠的下表面在电极开口中不与第二绝缘层重叠。
在实施方式中，辅助导电层包括第一子层、第二子层以及第三子层，第二电极的在电极开口中的第一端部与第二子层接触，并且第二电极的第二端部与第三子层接触。
在实施方式中，电路层还包括第二绝缘层，第二绝缘层布置在第一绝缘层上，显示装置还包括中间导电层，中间导电层与非发光区域重叠并且布置在第一绝缘层与第二绝缘层之间，中间导电层的端部布置在突出边缘部分下方并且朝向电极开口的内部突出，第二电极的布置在电极开口中的第一端部布置在辅助导电层的上表面上，并且第二电极的第二端部与布置在突出边缘部分的下表面上的中间导电层接触。
在实施方式中，在非发光区域中形成有与电极开口间隔开并穿过第一绝缘层和第二绝缘层的第一辅助开口，在非发光区域中形成有在电极开口与第一辅助开口之间的穿过第二绝缘层的第二辅助开口，辅助导电层的上表面通过第一辅助开口而暴露，中间导电层的上表面通过第二辅助开口而暴露，第一电极通过第一辅助开口与辅助导电层的上表面接触，并且第一电极通过第二辅助开口与中间导电层的上表面接触。
在实施方式中，功能层的第一端部在电极开口中直接布置在辅助导电层的上表面上，第二电极的第一端部在电极开口中覆盖功能层的第一端部，并且第二电极的端边缘部分比功能层的端边缘部分更加朝向电极开口的内部突出。
在实施方式中，显示装置还包括布置在显示区的至少一侧上的外围区，电路层还包括晶体管，晶体管包括栅电极，辅助导电层和栅电极布置在相同的层中，并且第一绝缘层布置在晶体管和辅助导电层上
附图说明
附图被包括以提供对本申请的进一步理解，并且被并入并构成本描述的一部分。附图示出了实施方式，并且与描述一起解释本申请的原理。在附图中：
图1是根据实施方式的显示装置的示意性透视图；
图2A是根据实施方式的显示装置的示意性分解透视图；
图2B是根据实施方式的显示模块的示意性剖视图；
图3A是根据实施方式的显示面板的示意性平面视图；
图3B是根据实施方式的像素的等效电路的示意图；
图4是根据实施方式的显示面板的一部分的示意性平面视图；
图5是根据实施方式的显示面板的一部分的示意性剖视图；
图6是根据实施方式的显示面板的一部分的示意性剖视图；
图7是根据实施方式的显示面板的一部分的示意性放大剖视图；
图8A、图8B、图8C和图8D示出了根据实施方式的制造显示装置的方法的步骤；
图9是根据实施方式的显示面板的一部分的示意性放大剖视图；
图10A、图10B和图10C示出了根据实施方式的制造显示装置的方法的步骤；
图11是根据实施方式的显示面板的一部分的示意性放大剖视图；
图12A、图12B、图12C和图12D示出了根据实施方式的制造显示装置的方法的步骤；
图13是根据实施方式的显示面板的一部分的示意性放大剖视图；以及
图14A、图14B、图14C和图14D示出了根据实施方式的制造显示装置的方法的步骤。
具体实施方式
在本申请中，进行了各种修改，使用了各种形式，并且将在附图中示出具体实施方式并且将在正文中详细描述具体实施方式。然而，这不旨在将本申请限制为所公开的具体形式，并且将理解的是，应包括落在本申请的精神和技术范围中的所有改变、等同物和替代物。
在本描述中，将理解的是，当元件(或者区、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，其直接在另一元件上、直接连接到或联接到另一元件，或者在它们之间可存在居中元件。
在本描述中，表述“直接布置”可意味着不存在添加在层、膜、区、板或类似物的一部分与另一部分之间的层、膜、区、板或类似物。例如，表述“直接布置”可意味着在没有介于其间的诸如粘合构件的附加构件的情况下布置在两层或两个构件之间。
相同的附图标记或符号是指相同的元件。在附图中，为了技术内容的有效描述，夸大了元件的厚度、比例和尺寸。“和/或”包括相关联元件可限定的一个或多个的所有组合。
诸如第一和第二的术语可用于描述各种元件，但是元件不应受术语限制。这些术语仅出于将一个元件与其它元件区分开的目的而使用。例如，在不背离本申请的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且相似地，第二元件可被称为第一元件。除非上下文另有清楚指示，否则单数表述包括复数表述。
另外，诸如“下面”、“下/下部(lower)”、“上方”和“上/上部(upper)”的术语用于描述附图中所示的元件之间的关系。这些术语为相对概念，并且基于附图中指示的方向来描述。在本描述中，表述“布置在......上”不仅可是指布置在任何一个构件的上部上，而且可是指布置在其下部上。
诸如“包括”或“具有”的术语旨在指定描述中所描述的特征、数字、步骤、动作、元件、部分或其组合的存在，并且应理解的是，其不排除一个或多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、部分或其组合的存在或添加的可能性。
除非另有限定，否则本描述中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本申请所属的领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此限定，否则术语(诸如常用词典中限定的那些)应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应在理想化或者过于正式的意义上解释。
在下文中，将参照附图对根据实施方式的显示装置进行描述。
图1是根据实施方式的显示装置的示意性透视图。图2A是根据实施方式的显示装置的示意性分解透视图。图2B是根据实施方式的显示模块的示意性剖视图。图2B可是与图2A的线I-I'对应的示意性剖视图。
显示装置DD可根据电信号激活并且显示图像。显示装置DD可包括各种实施方式，并且例如，显示装置DD可包括诸如电视机和外部广告牌的大型装置以及诸如监视器、移动电话、平板计算机、导航系统和游戏机的中小型装置。显示装置DD为实例，并且实施方式不限于此。
在图1和随后的附图中，示出了第一方向轴DR1至第三方向轴DR3，并且本描述中所描述的由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向为相对概念并且可转换为其它方向。由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向可被描述为第一方向、第二方向和第三方向，并且相同的附图标记可用于第一方向、第二方向和第三方向。
在本描述中，显示装置DD的厚度方向可平行于相对于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面为法线方向的第三方向DR3。在本描述中，构成显示装置DD的构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)可基于第三方向DR3来限定。
显示装置DD可通过与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的显示表面IS在第三方向DR3上显示图像IM。第三方向DR3可平行于显示表面IS的法线方向。显示图像IM的显示表面IS可对应于显示装置DD的前表面。图像IM可包括静止图像以及动态图像。图1将图标的图像示出为图像IM的实例。
在本描述中，表述“在平面上”可限定为从第三方向DR3观察的状态。在本描述中，表述“在剖面上”可限定为从第一方向DR1或第二方向DR2观察的状态。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向为相对概念并且可转换为其它方向。
图1示出了具有平坦的显示表面IS的显示装置DD。然而，实施方式不限于此。例如，显示装置DD的显示表面IS的形状可为弯曲形状或三维形状。
显示装置DD可为柔性的。术语“柔性”是指可弯折的性质，并且柔性结构可包括从可完全折叠的结构到可弯折为几纳米级别的结构。例如，柔性的显示装置DD可包括弯曲显示装置或可折叠显示装置。然而，实施方式不限于此。例如，显示装置DD可为刚性的。
显示装置DD的显示表面IS可包括显示区D-DA和外围区D-NDA。在显示区D-DA中可显示图像IM。用户可通过显示区D-DA在视觉上识别图像IM。在图1中所示的实施方式中，显示区D-DA示出为具有矩形形状，但是这示出为实例，并且显示区D-DA可具有各种形状。
外围区D-NDA可为不显示图像IM的非显示部分。外围区D-NDA可为具有特定颜色并且阻挡光的部分。外围区D-NDA可与显示区D-DA相邻。例如，外围区D-NDA可布置在显示区D-DA的至少一边外部，并且外围区D-NDA可围绕显示区D-DA。然而，这示出为实例，并且外围区D-NDA可仅与显示区D-DA的一边相邻，或者可布置在显示装置DD的除了前表面以外的侧表面，并且实施方式不限于此。在另一实例中，可省略外围区D-NDA。
例如，根据实施方式的显示装置DD可感测从外部施加的外部输入。外部输入可具有各种形式，诸如从外部提供的压力、温度和光。外部输入可包括在靠近显示装置DD的位置处施加的输入(例如，悬停)以及接触显示装置DD的输入(例如，通过用户的手或笔的触摸)。
参照图2A和图2B，显示装置DD可包括窗WM、显示模块DM和外壳HAU。例如，显示模块DM可包括显示面板DP和光控制构件LCM。窗WM和外壳HAU可彼此联接以形成显示装置DD的外观，并且可提供用于容纳显示装置DD的元件(诸如显示模块DM)的内部空间。
窗WM可布置在显示模块DM上。窗WM可保护显示模块DM免受外部冲击的影响。窗WM的前表面可对应于显示装置DD的前述的显示表面IS。窗WM的前表面可包括透射区TA和边框区BA。
窗WM的透射区TA可为光学透明区。窗WM可通过透射区TA透射由显示模块DM提供的图像，并且用户可在视觉上识别对应的图像。透射区TA可与显示装置DD的显示区D-DA对应(或重叠)。
窗WM可包括光学透明的绝缘材料。例如，窗WM可包括玻璃、蓝宝石或塑料。窗WM可具有单层结构或多层结构。窗WM还可包括布置在光学透明衬底上的功能层，诸如抗指纹层、相位控制层和硬涂层。
窗WM的边框区BA可提供为沉积、涂覆或印刷有具有特定颜色的材料的区。窗WM的边框区BA可防止显示模块DM的布置成与边框区BA重叠的元件从外部在视觉上被识别。边框区BA可与显示装置DD的外围区D-NDA(参见图1)重叠。
显示模块DM可根据电信号显示图像。显示模块DM可包括显示区DA和与显示区DA相邻的非显示区NDA。
显示区DA可为与显示装置DD的显示区D-DA(参见图1)对应(或重叠)的部分。显示区DA可根据电信号激活。显示区DA可为显示由显示模块DM提供的图像的区。显示模块DM的显示区DA可对应于前述的透射区TA。在本描述中，表述“区/部分对应于另一区/部分”意味着“它们彼此重叠”，但是该表述不限于具有相同的面积和/或相同的形状。在显示区DA显示的图像可通过透射区TA从外部在视觉上被识别。
非显示区NDA可与显示区DA相邻。例如，非显示区NDA可围绕显示区DA。然而，实施方式不限于此。例如，非显示区NDA可以各种形状形成。非显示区NDA可与显示装置DD的外围区D-NDA(参见图1)对应(或重叠)。非显示区NDA可为布置有驱动显示区DA的驱动电路或驱动线、提供电信号的各种信号线和焊盘的区。显示模块DM的非显示区NDA可与前述的边框区BA对应(或重叠)。通过边框区BA，可防止显示模块DM的布置在非显示区NDA中的元件在视觉上被识别。
根据实施方式的显示面板DP可为发光显示面板，并且实施方式不限于此。例如，显示面板DP可为有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可包括有机发光材料，并且无机发光显示面板的发光层可包括无机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可包括量子点、量子棒和类似物。在下文中，显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。
显示面板DP可包括基础衬底BS、电路层DP-CL、显示元件层DP-OL和封装层TFE。在下文中，将描述显示面板DP的每层。
光控制构件LCM可布置在显示面板DP上。在光控制构件LCM形成在显示面板DP上之后，光控制构件LCM可通过使用密封构件SML的接合工艺联接到显示面板DP。
然而，实施方式不限于此。例如，光控制构件LCM可布置(例如，直接布置)在显示面板DP上。在本描述中，在没有单独的粘合层或粘合构件的情况下通过连续工艺形成可表述为“直接布置”。例如，“光控制构件LCM直接布置在显示面板DP上”可意味着光控制构件LCM的配置在形成显示面板DP之后在由显示面板DP提供的基础表面上通过连续工艺形成。
密封构件SML可布置在为显示模块DM的外部的非显示区NDA中，以防止异物、氧、湿气和类似物从外部进入或渗透到显示模块DM中。密封构件SML可由包括可固化树脂的密封剂形成。
例如，根据实施方式的显示模块DM还可包括布置在显示面板DP与光控制构件LCM之间的填充层FML。填充层FML可填充显示面板DP与光控制构件LCM之间的空间。填充层FML可用作显示面板DP与光控制构件LCM之间的缓冲件。在实施方式中，填充层FML可执行冲击吸收功能和类似功能，并且可增加显示模块DM的强度。填充层FML可由包括聚合物树脂的填充树脂形成。例如，填充层FML可由包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂或类似物的填充树脂形成。在另一实例中，可省略填充层FML和密封构件SML，光控制构件LCM可布置(例如，直接布置)在显示面板DP上，并且可在光控制构件LCM中省略了基础层BL。
光控制构件LCM可包括能够转换从显示面板DP提供的源光的光学性质的光控制图案层。光控制构件LCM可选择性地转换源光的波长或颜色或者透射源光。光控制构件LCM可控制从显示装置DD发射的光的色纯度或颜色再现性并且防止从显示装置DD的外部入射的外部光的反射。例如，在实施方式中，光控制构件LCM可包括转换从显示面板DP提供的源光的波长的量子点。在实施方式中，光控制构件LCM可包括包含量子点的光控制层CCL和布置在光控制层CCL上的滤色器CFL。
外壳HAU可布置在显示模块DM下面并且容纳显示模块DM。由于外壳HAU吸收从外部施加的冲击并且防止异物/湿气进入或渗透到显示模块DM中，因此外壳HAU可保护显示模块DM。根据实施方式的外壳HAU可以容纳构件彼此联接的形式提供。
例如，显示模块DM还可包括输入检测单元。输入检测单元可感测或测量从显示装置DD的外部施加的外部输入的坐标信息。输入检测单元可布置在显示面板DP与光控制构件LCM之间。例如，输入检测单元可通过连续工艺布置(例如，直接布置)在显示面板DP上。然而，实施方式不限于此。例如，输入检测单元可单独制造并且通过粘合层附接到显示面板DP。
图3A是根据实施方式的显示面板的示意性平面视图。图3B是根据实施方式的像素的等效电路的示意图。
参照图3A，显示面板DP可包括布置在显示区DA中的像素PX11至PXnm以及电连接到像素PX11至PXnm的信号线SL1至SLn和DL1至DLm。显示面板DP可包括布置在非显示区NDA中的驱动电路GDC和焊盘PD。
像素PX11至PXnm中的每个可包括下面将描述的发光元件以及由连接到发光元件的晶体管(例如，开关晶体管、驱动晶体管和类似物)和电容器构成的像素驱动电路。像素PX11至PXnm中的每个可响应于施加到像素的电信号而发射光。虽然图3A示出了以矩阵形式排列的像素PX11至PXnm，但是像素PX11至PXnm的排列形式不限于此。
信号线SL1至SLn和DL1至DLm可包括扫描线SL1至SLn和数据线DL1至DLm。像素PX11至PXnm中的每个可连接到扫描线SL1至SLn之中的对应的扫描线和数据线DL1至DLm之中的对应的数据线。根据像素PX11至PXnm的像素驱动电路的配置，在显示面板DP中可形成有更多类型的信号线。
驱动电路GDC可包括栅极驱动电路。栅极驱动电路可生成栅极信号并且将栅极信号顺序地输出到扫描线SL1至SLn。栅极驱动电路还可将另一控制信号输出到像素PX11至PXnm的像素驱动电路。
根据实施方式的驱动电路GDC和像素PX11至PXnm可包括通过低温多晶硅(LTPS)工艺、低温多晶氧化物(LTPO)工艺或氧化物半导体工艺形成的薄膜晶体管。
焊盘PD可在非显示区NDA中沿一方向排列。焊盘PD可为连接到电路板的部分。焊盘PD中的每个可连接到信号线SL1至SLn和DL1至DLm之中的对应的信号线并且通过信号线电连接到对应的像素。焊盘PD可具有与信号线SL1至SLn和DL1至DLm一体的形状。然而，实施方式不限于此。例如，焊盘PD可布置在与信号线SL1至SLn和DL1至DLm不同的层中并且通过接触孔与其连接。
图3B示出了与第n扫描线SLn、第n感测线SSLn、第m数据线DLm和第m基准线RLm连接的像素PXnm。参照图3B，像素PXnm可包括像素电路PC和连接到像素电路PC的发光元件OLED。
像素电路PC可包括晶体管T1、T2和T3以及电容器Cst。晶体管T1、T2和T3可包括第一晶体管T1(例如，驱动晶体管T1)、第二晶体管T2(例如，开关晶体管T2)和第三晶体管T3(例如，感测晶体管T3)。第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的每个可为薄膜晶体管。
第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3可为NMOS晶体管，但是实施方式不限于此。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3可为PMOS晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的每个可包括源极S1、S2或S3、漏极D1、D2或D3和栅电极G1、G2或G3。第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的每个中的源极S1、S2或S3和漏极D1、D2或D3的位置可彼此切换(例如，如图5和图6中所示)。
发光元件OLED可为包括第一电极AE(参见图5)和第二电极CE(参见图5)的有机发光元件。例如，第一电极AE可被称为阳极或像素电极，并且第二电极CE可被称为阴极或公共电极。发光元件OLED的第一电极AE(参见图5)可通过驱动晶体管T1接收第一电压ELVDD，并且发光元件OLED的第二电极CE(参见图5)可接收第二电压ELVSS。发光元件OLED可接收第一电压ELVDD和第二电压ELVSS以发射光。
驱动晶体管T1可包括接收第一电压ELVDD的漏极D1、连接到发光元件OLED的第一电极AE(参见图5)的源极S1和连接到电容器Cst的栅电极G1。驱动晶体管T1可响应于存储在电容器Cst中的电压值来控制从第一电压ELVDD流过发光元件OLED的驱动电流。
开关晶体管T2可包括连接到第m数据线DLm的漏极D2、连接到电容器Cst的源极S2和接收第n写入扫描信号SCn的栅电极G2。第m数据线DLm可接收数据电压Vd和感测数据电压。开关晶体管T2可根据从第n写入扫描信号SCn输入的开关电压向驱动晶体管T1传递从第m数据线DLm输入的数据电压Vd。
感测晶体管T3可包括连接到第m基准线RLm的源极S3、连接到发光元件OLED的第一电极AE(参见图5)的漏极D3和接收第n采样扫描信号SSn的栅电极G3。第m基准线RLm可接收基准电压Vr。
电容器Cst可连接到驱动晶体管T1的栅电极G1和发光元件OLED的第一电极AE(参见图5)。电容器Cst可包括连接到驱动晶体管T1的栅电极G1的第一电容器电极和连接到发光元件OLED的第一电极AE(参见图5)的第二电容器电极。电容器Cst可存储与从开关晶体管T2传送的电压与第一电压ELVDD之间的差对应的电压。
例如，图3B中所示的像素PXnm的等效电路是针对单个像素PXnm示出的，并且像素PX11至PXnm的等效电路不限于图3B中所示的。在另一实施方式中，像素PXnm的等效电路图可以各种形式实现，以便发光元件OLED发射光。
图4是示出根据实施方式的显示面板的一部分的示意性放大平面视图。参照图4，根据实施方式的显示面板DP可包括发光区域PXA和围绕发光区域PXA中的每个的非发光区域NPXA。图4示出了布置在非发光区域NPXA中的辅助导电层EL。辅助导电层EL可布置在基础衬底BS(参见图2B)上并且可为施加有第二电压ELVSS(参见图3B)的部分。
虽然图4示出了辅助导电层EL具有在与第二方向DR2平行的方向上延伸的线形状，但是实施方式不限于此。在实施方式中，辅助导电层EL可具有在与第一方向DR1平行的方向上延伸的线形状或者围绕每个发光区域PXA的网格形状。只要辅助导电层EL向像素PX11至PXnm(参见图3A)中的每个提供第二电压，辅助导电层EL不限于任何一个实施方式，并且可具有各种形状。在下文中，将描述辅助导电层EL。
发光区域PXA可为提供从发光元件OLED(参见图5)发射的光的部分。例如，发光区域PXA中的每个可对应于布置在显示区DA(参见图3A)中的像素PX11至PXnm(参见图3A)中的对应的一个。参照图3A和图4，根据实施方式的显示面板DP可包括显示区DA和非显示区NDA。例如，显示区DA可包括发光区域PXA和非发光区域NPXA。
发光区域PXA中的每个可在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上具有多边形形状。虽然图4示出了发光区域PXA中的每个在平面上具有六边形形状的情况，但是实施方式不限于此。在平面上发光区域PXA的形状可为多边形形状或圆形形状，并且可根据显示装置所需的光输出特性进行各种修改。
在实施方式中，发光区域PXA可为向光控制构件LCM(参见图2A)提供源光的部分。从发光区域PXA提供的源光可为蓝色光。在实施方式中，多个发光区域PXA可提供在相同的波长区中的光。然而，实施方式不限于此。在实施方式中，显示面板DP可包括发射在不同的波长区中的光的多个发光区域PXA。例如，多个发光区域PXA可包括分别提供蓝色光、绿色光和红色光的发光区域PXA，并且提供在不同的波长区中的光的多个发光区域PXA可根据显示装置所需的显示品质特性而以各种组合排列。
图5和图6中的每个是根据实施方式的显示面板的一部分的示意性剖视图。图5是与图4的线II-II'对应的部分的示意性剖视图，并且示出了多个发光区域PXA中的一个以及与其相邻并与非发光区域NPXA重叠的部分。图6是与图4的线III-III'对应的部分的示意性剖视图，并且示出了一个发光区域PXA以及与和其相邻并布置有辅助导电层EL的非发光区域NPXA重叠的部分。
根据实施方式的显示面板DP可包括顺序地堆叠的基础衬底BS、电路层DP-CL、显示元件层DP-OL和封装层TFE。与图5相比，在图6中，省略了封装层TFE，并且根据实施方式的显示面板DP示出为包括布置有辅助导电层EL的非发光区域NPXA。
显示面板DP可包括绝缘层、半导体图案层、导电图案层、信号线和类似物。在显示面板DP的制造步骤中，可通过涂覆、沉积或类似方法在基础衬底BS上形成绝缘层、半导体层和导电层。此后，可通过光刻工艺选择性地图案化绝缘层、半导体层和导电层。通过这个工艺，可形成包括在电路层DP-CL中的半导体图案层、导电图案层、信号线和类似物。电路层DP-CL的半导体图案层可遍及多个像素以特定规则排列。
基础衬底BS可包括玻璃衬底、金属衬底、聚合物衬底或有机/无机复合材料衬底。基础衬底BS可具有单层结构或多层结构。例如，具有多层结构的基础衬底BS可包括多个合成树脂层和布置在多个合成树脂层之间的至少一个无机层。
基础衬底BS的合成树脂层可包括丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂、苝类树脂和聚酰亚胺类树脂中的至少一种。然而，基础衬底BS的合成树脂层的材料不限于以上实例。
电路层DP-CL可布置在基础衬底BS上。在根据实施方式的显示面板DP中，电路层DP-CL可包括第一导电图案层CPT1和第二导电图案层CPT2、第一晶体管T1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2、缓冲层BFL以及层间绝缘层GI、第一绝缘层10和第二绝缘层20。
虽然图5示出了电连接到发光元件OLED的单个第一晶体管T1，但是如图3B中所示，单个像素PXnm可包括驱动发光元件OLED的多个晶体管。
在实施方式中，电路层DP-CL可包括布置在基础衬底BS上的第一导电图案层CPT1和第二导电图案层CPT2。第一导电图案层CPT1和第二导电图案层CPT2可彼此间隔开。第一导电图案层CPT1和第二导电图案层CPT2可布置在第一晶体管T1下方。第一导电图案层CPT1和第二导电图案层CPT2可具有堆叠结构。第一导电图案层CPT1和第二导电图案层CPT2中的每个可包括在厚度方向(例如，第三方向DR3)上堆叠的第一图案部分PT1和第二图案部分PT2。在实施方式中，第二图案部分PT2的厚度和第一图案部分PT1的厚度可彼此不同。例如，在实施方式中，第二图案部分PT2的厚度可大于第一图案部分PT1的厚度。然而，实施方式不限于此。
第一图案部分PT1和第二图案部分PT2中的每个可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金形成。例如，第一图案部分PT1可包括钛(Ti)，并且第二图案部分PT2可包括铜(Cu)。然而，实施方式不限于此。
缓冲层BFL可布置在第一导电图案层CPT1和第二导电图案层CPT2上。缓冲层BFL可布置在基础衬底BS上以便覆盖第一导电图案层CPT1和第二导电图案层CPT2。
缓冲层BFL可改善基础衬底BS与电路层DP-CL的半导体图案层之间的联接力。缓冲层BFL可包括氧化铝、氧化钛、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、氧化锆和氧化铪中的至少一种，但是实施方式不限于以上材料。
电路层DP-CL的半导体图案层可布置在缓冲层BFL上。半导体图案层可包括多晶硅。然而，实施方式不限于此。例如，半导体图案层可包括非晶硅或金属氧化物。
第一晶体管T1的源极S1、有源区A1和漏极D1可由半导体图案层形成。第一晶体管T1的半导体图案层可根据导电程度而划分为多个区。例如，半导体图案层的电学性质可取决于半导体图案层是否被掺杂或金属氧化物是否被还原而变化。半导体图案层中具有相对高的导电率的区可用作电极或信号线并且对应于第一晶体管T1的源极S1或漏极D1。半导体图案层的非掺杂区、以相对低的浓度掺杂的区或非还原区可具有相对低的导电率，并且对应的区可对应于第一晶体管T1的有源区A1。
电路层DP-CL可包括构成像素电路PC(参见图3B)的绝缘层和晶体管。图5示出了第一晶体管T1、层间绝缘层GI、第一绝缘层10和第二绝缘层20。层间绝缘层GI、第一绝缘层10和第二绝缘层20可顺序地布置在缓冲层BFL上方。层间绝缘层GI、第一绝缘层10和第二绝缘层20可包括无机层或有机层并且具有单层结构或多层结构。
无机层可包括氧化铝、氧化钛、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、氧化锆和氧化铪中的至少一种，但是实施方式不限于以上材料。有机层可包括酚类聚合物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及其组合，但是实施方式不限于以上材料。
层间绝缘层GI可覆盖电路层DP-CL的半导体图案层。第一晶体管T1的栅电极G1可布置在层间绝缘层GI上。栅电极G1可为导电图案层的一部分。栅电极G1可与有源区A1重叠。在掺杂半导体图案层的工艺中，栅电极G1可用作掩模。层间绝缘层GI可为无机层。
第一绝缘层10可布置在层间绝缘层GI上并且覆盖栅电极G1。第二绝缘层20可布置在第一绝缘层10上。
例如，包括在缓冲层BFL、层间绝缘层GI、第一绝缘层10和第二绝缘层20之中形成的晶体管(例如，图5的第一晶体管T1)的层可形成为晶体管层。
栅电极G1以及第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可布置在层间绝缘层GI上。栅电极G1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可在层间绝缘层GI上彼此间隔开。栅电极G1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可用相同的材料通过同步图案化而形成。栅电极G1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个可具有多层堆叠的结构。例如，栅电极G1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个可包括顺序地堆叠的第一子层E1、第二子层E2和第三子层E3。然而，实施方式不限于此。例如，栅电极G1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个可具有两层堆叠或者四层或更多层堆叠的结构。
栅电极G1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个可由金属材料形成。栅电极G1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和氧化铟锡(ITO)中的任何一种或其合金形成。例如，第一子层E1可包括钛(Ti)，第二子层E2可包括铜(Cu)，并且第三子层E3可包括氧化铟锡(ITO)。然而，实施方式不限于此。
第一连接电极CNE1可通过形成在层间绝缘层GI和缓冲层BFL中的第一接触孔CH1连接到第一导电图案层CPT1。第一连接电极CNE1可通过形成在层间绝缘层GI中的第二接触孔CH2连接到源极S1。虽然未示出，但是第一连接电极CNE1可与供给待提供到发光元件OLED的电力的电力线连接。第一电压可通过电力线提供到第一晶体管T1。
第二连接电极CNE2可通过形成在层间绝缘层GI和缓冲层BFL中的第三接触孔CH3连接到第二导电图案层CPT2。第二连接电极CNE2可通过形成在层间绝缘层GI中的第四接触孔CH4连接到漏极D1。为半导体图案层的漏极D1可不具有高电流传送特性。在包括金属的第二导电图案层CPT2连接到漏极D1的情况下，可改善漏极D1的电流传送特性。
第一绝缘层10可布置在栅电极G1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2上。第一绝缘层10可包括无机层。例如，第一绝缘层10可包括硅氧化物。第一绝缘层10可布置在缓冲层BFL上以便覆盖栅电极G1、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。
第二绝缘层20可布置在第一绝缘层10上。第二绝缘层20可包括有机层。第二绝缘层20可提供平坦的上表面。然而，实施方式不限于此。
在图6中所示的实施方式中，第二绝缘层20的与辅助导电层EL重叠的一部分的厚度tNPX可小于第二绝缘层20的与发光元件OLED重叠的一部分的厚度tPX。第二绝缘层20的厚度差可由在形成第一绝缘层10和第二绝缘层20的工艺中(例如，在用于图案化的蚀刻第一绝缘层10和第二绝缘层20的工艺中)使用的针对每个区具有不同的透射率的掩模引起。例如，第二绝缘层20可通过使用半色调掩模针对每个区共同蚀刻，以使得第二绝缘层20可具有不同的厚度。然而，实施方式不限于此。例如，第二绝缘层20的厚度可在发光区域PXA和非发光区域NPXA中基本上相同。
根据实施方式的显示装置可在电路层DP-CL中包括辅助导电层EL。辅助导电层EL可布置在非发光区域NPXA中。辅助导电层EL可与栅电极G1间隔开。辅助导电层EL和栅电极G1可布置在相同的层(例如，层间绝缘层GI)上。也就是说，辅助导电层EL和栅电极G1可布置在相同的层中。辅助导电层EL的至少一部分可通过形成在电路层DP-CL和显示元件层DP-OL中的电极开口OH-EL而暴露。辅助导电层EL的至少一部分可通过电极开口OH-EL而暴露，并且暴露的辅助导电层EL可电连接到发光元件OLED的第二电极CE。
辅助导电层EL和栅电极G1可凭借通过同一过程的图案化由相同的材料形成。辅助导电层EL可具有多层堆叠的结构。例如，辅助导电层EL可包括顺序地堆叠的第一子层E1、第二子层E2和第三子层E3。然而，实施方式不限于此。例如，辅助导电层EL可具有两层堆叠或者四层或更多层堆叠的结构。
辅助导电层EL可由金属材料形成。例如，辅助导电层EL和栅电极G1可由相同的金属材料形成。辅助导电层EL可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和氧化铟锡(ITO)中的任何一种或其合金形成。例如，第一子层E1可包括钛(Ti)，第二子层E2可包括铜(Cu)，并且第三子层E3可包括氧化铟锡(ITO)。然而，实施方式不限于此。
辅助导电层EL可布置在层间绝缘层GI上，并且第一绝缘层10可布置在辅助导电层EL上。第一绝缘层10可覆盖经图案化的辅助导电层EL。第二绝缘层20可布置在第一绝缘层10上。关于层间绝缘层GI、第一绝缘层10和第二绝缘层20，可应用与上述相同的内容。
在本描述中，作为布置有第一晶体管T1和辅助导电层EL的层，从缓冲层BFL到第二绝缘层20的层可被称为电路层DP-CL。
包括发光元件OLED和像素限定层PDL的显示元件层DP-OL可布置在电路层DP-CL上。例如，封装层TFE可布置在显示元件层DP-OL的发光元件OLED上。图5和图6示出了发光区域PXA和与其相邻的非发光区域NPXA，但是图5和图6中所示的发光区域PXA和非发光区域NPXA的堆叠结构可同样应用于其它部分。
在根据实施方式的显示装置中，发光元件OLED可包括顺序地堆叠的第一电极AE、功能层OL和第二电极CE。功能层OL可包括空穴传输区HCL、发光层EML和电子传输区ECL。
发光元件OLED的第一电极AE可布置在第二绝缘层20上。第一电极AE可通过形成在第二绝缘层20和第一绝缘层10中的第五接触孔CH5连接到第二连接电极CNE2。由于第一电极AE连接到第二连接电极CNE2，因此漏极D1可通过第二连接电极CNE2连接到发光元件OLED。例如，第二连接电极CNE2可通过第一电极AE连接到发光元件OLED。
第一电极AE可由金属材料、金属合金或导电化合物形成。第一电极AE可为透射电极、半透射电极或反射电极。第一电极AE可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W，其化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，或者具有诸如LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)或LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)的多层结构的材料。在另一实例中，第一电极AE可具有包括由以上材料形成的反射膜或半透射膜和由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)或类似物形成的透明导电膜的多层结构。例如，第一电极AE可包括顺序地堆叠的第一层CL1、第二层CL2和第三层CL3。例如，第一电极AE可具有氧化铟锡(ITO)在第一层CL1中、Ag在第二层CL2中以及氧化铟锡(ITO)在第三层CL3中的三层结构。然而，实施方式不限于此。
空穴传输区HCL可布置在第一电极AE上。空穴传输区HCL可具有由单一材料制成的单层、由不同的材料制成的单层或具有由不同的材料制成的多层的多层结构。
空穴传输区HCL可包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个。例如，空穴传输区HCL可包括彼此堆叠的空穴传输层。
发光层EML可布置在空穴传输区HCL上。发光层EML可具有由单一材料制成的单层、由不同的材料制成的单层或具有由不同的材料制成的多层的多层结构。在实施方式中，发光层EML可发射用作源光的蓝色光。然而，实施方式不限于此。例如，显示元件层DP-OL可包括包含发射在不同的波长区中的光的发光层EML的发光元件OLED。
电子传输区ECL可布置在发光层EML上。电子传输区ECL可具有由单一材料制成的单层、由不同的材料制成的单层或具有由不同的材料制成的多层的多层结构。电子传输区ECL可包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个，但是实施方式不限于此。
空穴传输区HCL、发光层EML和电子传输区ECL中的每个可通过诸如真空沉积方法、旋涂方法、铸造方法、Langmuir-Blodgett(LB)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法或激光诱导热成像(LITI)方法的各种方法形成。
例如，诸如空穴传输区HCL、发光层EML和电子传输区ECL的功能层OL可通过真空沉积方法形成，并且由于功能层OL的材料特性和真空沉积方法的特性，功能层OL可具有功能层OL不延伸到底切部分的下侧和类似位置的特性。功能层OL可通过沿布置在其下方的层的曲线和台阶差沉积而形成，但是功能层OL可不延伸到底切部分的下部空间。因此，功能层OL可由于在底切部分上方的突出部分而具有断开形式。
在根据图5和图6中所示的实施方式的发光元件OLED中，空穴传输区HCL、发光层EML、电子传输区ECL和类似层可形成为公共层，以便与发光区域PXA和非发光区域NPXA重叠(例如，完全重叠)。然而，实施方式不限于此。例如，发光层EML可通过图案化而形成，以便对应于发光区域PXA以及非发光区域NPXA中的与发光区域PXA相邻的仅一部分。
第二电极CE可布置在电子传输区ECL上。第二电极CE可为公共电极。在根据实施方式的发光元件OLED中，第二电极CE可形成为公共层，以便与发光区域PXA和非发光区域NPXA重叠(例如，完全重叠)。
第二电极CE可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、Yb、W，包括它们的化合物或混合物(例如，AgMg、AgYb或MgYb)，或者具有诸如LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)或LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)的多层结构的材料。在另一实例中，第二电极CE可具有包括由以上材料形成的反射膜或半透射膜和由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)或类似物形成的透明导电膜的多层结构。例如，第二电极CE可包括前述的金属材料、选自前述的金属材料之中的两种或更多种金属材料的组合、前述的金属材料的氧化物或类似物。
第二电极CE可连接到辅助导电层EL。在第二电极CE连接到辅助导电层EL的情况下，可降低第二电极CE的电阻。
第二电极CE可通过真空沉积方法形成。例如，第二电极CE可通过共形沉积方法形成。与功能层OL不同，第二电极CE可通过共形沉积方法延伸到底切部分的下部空间。在实施方式中，第二电极CE可延伸到底切部分的下部空间和其侧壁部分。因此，在电极开口OH-EL中，第二电极CE可布置(例如，直接布置)在未布置有功能层OL的辅助导电层EL上。相应地，第二电极CE可与在底切部分下方的暴露的辅助导电层EL接触，并且因此可省略了形成用于第二电极CE与辅助导电层EL的接触的单独的接触孔的工艺。
在制造根据实施方式的显示装置的时候，可省略了凭借通过激光钻孔方法去除功能层OL和电路层DP-CL的部分形成接触孔的工艺。例如，在按照沉积功能层OL、通过激光钻孔方法去除功能层OL和电路层DP-CL的部分以使得辅助导电层EL可暴露以及沉积第二电极CE以便覆盖功能层OL和通过接触孔暴露的辅助导电层EL的工艺顺序执行的典型工艺中，可省略了使用激光钻孔方法的接触孔形成工艺，并且通过与在形成电路层DP-CL和显示元件层DP-OL的时候使用的相同的沉积、掩模、蚀刻或类似方法的工艺，第二电极CE和辅助导电层EL可彼此接触。相应地，可省略了在功能层OL的沉积与第二电极CE的沉积之间执行的激光钻孔工艺，从而提高了工艺生产率和工艺效率。
参照图5和图6，显示元件层DP-OL可包括布置在电路层DP-CL上的像素限定层PDL。像素限定层PDL可布置在第二绝缘层20上。像素开口OH-PX可在发光区域PXA中形成在像素限定层PDL中。第一电极AE的一部分可通过像素开口OH-PX而暴露。例如，发光区域PXA可由第一电极AE的暴露部分限定。在实施方式中，电极开口OH-EL的上开口OH-T可形成在像素限定层PDL中以便布置在非发光区域NPXA中。
像素限定层PDL可包括有机材料。例如，像素限定层PDL可包括聚丙烯酸酯类树脂或聚酰亚胺类树脂，但是像素限定层PDL的材料不限于以上实例。例如，像素限定层PDL可由无机材料形成。例如，像素限定层PDL可包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和类似物，但是像素限定层PDL的材料不限于以上实例。
像素限定层PDL可包括光吸收材料或具有特定颜色。例如，像素限定层PDL可包括基础树脂和与基础树脂混合的黑色颜料和/或黑色染料。
封装层TFE可覆盖发光元件OLED。封装层TFE可密封显示元件层DP-OL。封装层TFE可为薄膜封装层。封装层TFE可为单层或多层的堆叠。封装层TFE可包括至少一个绝缘层。根据实施方式的封装层TFE可包括至少一个无机膜(在下文中，被称为无机封装膜)。例如，根据实施方式的封装层TFE可包括至少一个有机膜(在下文中，被称为有机封装膜)和至少一个无机封装膜。
无机封装膜可保护显示元件层DP-OL免受湿气/氧的影响，并且有机封装膜可保护显示元件层DP-OL免受诸如灰尘粒子的异物的影响。无机封装膜可包括硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物、氧化钛、氧化铝或类似物。然而，实施方式不限于此。有机封装膜可包括丙烯酸类化合物、环氧类化合物或类似物。有机封装膜可包括可光聚合的有机材料，并且实施方式不限于此。
参照图6，在根据实施方式的显示面板DP中，布置在非发光区域NPXA中(或与非发光区域NPXA重叠)的电极开口OH-EL可形成在电路层DP-CL和像素限定层PDL中，以使得辅助导电层EL的至少一部分可暴露。像素限定层PDL的限定电极开口OH-EL的突出边缘部分PD-ED可不与第一绝缘层10重叠，并且可朝向电极开口OH-EL的内部突出。在实施方式中，像素限定层PDL的突出边缘部分PD-ED可具有比第一绝缘层10的限定电极开口OH-EL的侧边缘部分更加朝向电极开口OH-EL的内部突出的形状。在实施方式中，第一绝缘层10可不布置在像素限定层PDL的突出边缘部分PD-ED下方，并且因此电极开口OH-EL可因为限定开口区的一部分的侧表面不与限定开口区的另一部分的侧表面连续(或对齐)而具有台阶差，从而在突出边缘部分PD-ED下方形成底切形状。应理解的是，在所有附图中指示的突出边缘部分PD-ED的位置可为大致位置。
在突出边缘部分PD-ED的端部处，发光元件OLED的功能层OL和第二电极CE中的每个可断开。在实施方式中，第二电极CE的在电极开口OH-EL中断开的在突出边缘部分PD-ED下方的一部分可电连接到辅助导电层EL。
图7是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。图8A至图8D示出了根据实施方式的显示装置的制造步骤的一部分。图7示出了通过图8A至图8D的步骤制造的显示装置的一部分，并且图7可示出了与图8D的显示面板DP中的区AA-1对应的部分。
在根据实施方式的显示装置中，电极开口OH-EL中的功能层OL和第二电极CE中的每个可不连续地延伸，并且可断开。断开的第二电极CE的定位在电极开口OH-EL内部的第一端部CE-LS可布置在辅助导电层EL的上表面上，并且断开的第二电极CE的定位在电极开口OH-EL内部的第二端部CE-RS可与布置在突出边缘部分PD-ED的下表面上的第一电极AE接触。在实施方式中，第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上，并且第二电极CE的第二端部CE-RS可布置(例如，直接布置)在第一电极AE的暴露的侧表面上。
在实施方式中，第二电极CE可在至少两个地点处与辅助导电层EL接触。在实施方式中，断开的第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上以便电连接到辅助导电层EL，并且断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可通过第一电极AE而电连接到辅助导电层EL。第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的第三子层E3上。
在实施方式中，在与基础衬底BS(例如，参见图6)垂直的剖面上，第一绝缘层10的第一侧表面10-RS和第二绝缘层20的第一侧表面20-RS可通过电极开口OH-EL而暴露，并且第一绝缘层10的第二侧表面10-LS和第二绝缘层20的第二侧表面20-LS可由顺序地堆叠的第一电极AE和像素限定层PDL覆盖。
在实施方式中，电极开口OH-EL可包括形成为与辅助导电层EL重叠的下开口OH-D和形成在下开口OH-D上方的上开口OH-T。在实施方式中，下开口OH-D可包括第一子开口OH-1和第二子开口OH-2。第一子开口OH-1可形成为第一绝缘层10的在突出边缘部分PD-ED下方暴露的第一侧表面10-RS与布置在第一绝缘层10的第二侧表面10-LS上的像素限定层PDL之间的空间。例如，第二子开口OH-2可形成为第二绝缘层20的在突出边缘部分PD-ED下方暴露的第一侧表面20-RS与布置在第二绝缘层20的第二侧表面20-LS上的像素限定层PDL之间的空间。
在实施方式中，电极开口OH-EL可包括形成为第二绝缘层20的在突出边缘部分PD-ED下方暴露的第一侧表面20-RS与布置在第二绝缘层20的第二侧表面20-LS上的像素限定层PDL之间的空间的下开口OH-D以及在下开口OH-D上方的形成在像素限定层PDL中的上开口OH-T。
在实施方式中，断开的功能层OL的第一端部OL-LS可在下开口OH-D中覆盖对第二绝缘层20的第二侧表面20-LS进行覆盖的像素限定层PDL。例如，断开的功能层OL的第二端部OL-RS可覆盖限定上开口OH-T的像素限定层PDL。在实施方式中，断开的第二电极CE的端边缘部分CE-ED可比断开的功能层OL的端边缘部分OL-ED更加朝向下开口OH-D的内部突出。第二电极CE的端边缘部分CE-ED可不与功能层OL重叠，并且第二电极CE的端边缘部分CE-ED可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上。
在实施方式中，第一电极AE可布置在像素限定层PDL下方。例如，第一电极AE可包括顺序地堆叠的第一层CL1、第二层CL2和第三层CL3。
第一电极AE可布置在限定电极开口OH-EL的突出边缘部分PD-ED的下表面上，并且第一电极AE的与突出边缘部分PD-ED重叠的下表面可不与第二绝缘层20重叠。相应地，电极开口OH-EL可包括在第一电极AE下方的具有底切形状的部分。
与功能层OL不同，在下开口OH-D中，第二电极CE可延伸到在突出边缘部分PD-ED下方的部分(该部分为具有底切形状的部分)，并且可在突出边缘部分PD-ED下方与暴露的辅助导电层EL接触。在实施方式中，第二电极CE可与通过电极开口OH-EL暴露的第一电极AE接触，并且第一电极AE可通过与电极开口OH-EL间隔开并形成在第一绝缘层10和第二绝缘层20中的辅助开口OH-S1而电连接到辅助导电层EL。相应地，根据实施方式的显示装置即使在大面积的情况下也可具有提高的电压稳定性、均匀的亮度特性，并且由于第二电极CE电连接到辅助导电层EL而具有优异的可靠性。
例如，像素限定层PDL可在辅助开口OH-S1中布置在第一电极AE与功能层OL之间。像素限定层PDL可填充辅助开口OH-S1。
图8A示出了在根据实施方式的显示装置的制造工艺中的形成第一绝缘层10和第二绝缘层20的步骤。在实施方式中，可在层间绝缘层GI上通过图案化而形成辅助导电层EL。例如，辅助导电层EL和栅电极G1(例如，参照图6)可在同一过程中通过图案化形成。可在经图案化的辅助导电层EL上顺序地形成第一绝缘层10和第二绝缘层20，并且可通过蚀刻工艺图案化第一绝缘层10和第二绝缘层20。半色调掩模可用于图案化第一绝缘层10和第二绝缘层20，并且第二绝缘层20的与辅助导电层EL重叠的部分的厚度可小于第二绝缘层20的与发光区域PXA(参见图6)重叠的部分的厚度。可通过图案化第一绝缘层10和第二绝缘层20来形成暴露辅助导电层EL的至少一部分的预备开口P-OH和辅助开口OH-S1。此后，预备开口P-OH可通过附加工艺转变为电极开口OH-EL。例如，辅助开口OH-S1可与预备开口P-OH间隔开。
参照图8B，可在经图案化的第二绝缘层20上沉积第一电极AE，可在第一电极AE上涂覆光致抗蚀剂PR，并且可通过曝光工艺和显影工艺来图案化第一电极AE，以使得辅助导电层EL可暴露。
在图案化第一电极AE之后，可通过蚀刻溶液部分地去除第一绝缘层10，并且由于第一绝缘层10的第一侧表面10-RS比第二绝缘层20的第一侧表面20-RS更加向内定位，因此第一绝缘层10的第一侧表面10-RS可不与第二绝缘层20的第一侧表面20-RS重合(或对齐)，并且可与第二绝缘层20重叠。在执行第一电极AE的图案化和第一绝缘层10的部分蚀刻之后，第一绝缘层10的第一侧表面10-RS和第二绝缘层20的第一侧表面20-RS可通过预备开口P-OH而暴露，并且第一绝缘层10的第二侧表面10-LS和第二绝缘层20的第二侧表面20-LS可由第一电极AE覆盖。
图8C示出第二绝缘层20被附加蚀刻的状态。在执行第一电极AE的图案化之后，可在灰化工艺中将第二绝缘层20的第一侧表面20-RS附加地去除。在执行灰化工艺之后，第二绝缘层20的第一侧表面20-RS可通过比第一绝缘层10的第一侧表面10-RS更加朝向辅助开口OH-S1移动来形成。第二绝缘层20的第一侧表面20-RS可不与第一绝缘层10的第一侧表面10-RS重合(或对齐)并且可与第一绝缘层10重叠。然而，实施方式不限于此。例如，可省略第二绝缘层20的附加蚀刻工艺。
图8D示出了在如图8C中所示地图案化第一绝缘层10和第二绝缘层20之后去除光致抗蚀剂PR并且顺序地形成像素限定层PDL、功能层OL和第二电极CE的步骤。可在第一电极AE上布置像素限定层PDL。可在像素限定层PDL上布置功能层OL和第二电极CE。参照图7和图8D，与功能层OL的沉积形式不同，第二电极CE可从电极开口OH-EL的外部延伸到突出边缘部分PD-ED的下侧。第二电极CE可覆盖功能层OL，并且第二电极CE的端部可与辅助导电层EL或第一电极AE接触。
在根据图8A至图8D中所示的步骤制造的根据实施方式的显示面板DP中，第二电极CE和辅助导电层EL可在没有形成用于第二电极CE与辅助导电层EL的接触的单独的接触孔的工艺的情况下通过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第一电极AE的图案化工艺而彼此稳定地接触。由于第二电极CE和辅助导电层EL可在没有通过使用单独的设备的附加工艺的情况下通过形成显示面板DP的电路层或显示元件层的元件的工艺而彼此充分接触，因此工艺可简化，并且因此可具有优异的工艺性。
在下文中，将参照图9至图14D描述根据实施方式的显示装置。关于参照图9至图14D描述的根据实施方式的显示装置，将不再描述与参照图1至图8D描述的内容相同的内容，并且将描述不同之处。图9至图14D示出了与布置有辅助导电层的非发光区域对应的区的一部分，并且发光区域和与发光区域相邻的非发光区域的堆叠结构可与图6中所示的相同。
图9是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。图10A至图10C示出了根据实施方式的显示装置的制造步骤的一部分。图9示出了通过图10A至图10C的步骤制造的显示装置的一部分，并且图9可示出了与图10C的显示面板DP-1的区AA-2对应的部分。
在根据实施方式的显示装置中，像素限定层PDL的限定电极开口OH-EL的突出边缘部分PD-ED(例如，参照图6)可不与第一绝缘层10重叠并且可朝向电极开口OH-EL的内部突出。在实施方式中，第一绝缘层10可不布置在像素限定层PDL的突出边缘部分PD-ED下方，并且因此电极开口OH-EL可因为限定开口区的一部分的侧表面不与限定开口区的另一部分的侧表面连续(或对齐)而具有台阶差，从而在突出边缘部分PD-ED下方形成底切形状。
参照图9，在电极开口OH-EL中，功能层OL和第二电极CE中的每个可断开而不连续。辅助导电层EL的至少一部分可通过电极开口OH-EL而暴露。断开的第二电极CE的定位在电极开口OH-EL内部的第一端部CE-LS可布置在辅助导电层EL的侧表面上，并且断开的第二电极CE的定位在电极开口OH-EL内部的第二端部CE-RS可布置于布置在突出边缘部分PD-ED下方的辅助导电层EL的上表面上。
在实施方式中，辅助导电层EL可包括顺序地堆叠的第一子层E1、第二子层E2和第三子层E3，并且断开的第二电极CE的第一端部CE-LS可与第二子层E2接触，并且断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可与第三子层E3接触。例如，断开的第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在包括铜(Cu)的第二子层E2的暴露的侧表面上，并且断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可不由像素限定层PDL和功能层OL覆盖并且可布置(例如，直接布置)在包括氧化铟锡(ITO)的第三子层E3的一部分上。
在实施方式中，在与基础衬底BS(例如，参见图6)垂直的剖面上，第一绝缘层10的第二侧表面10-LS可通过电极开口OH-EL而暴露，并且第一绝缘层10的第一侧表面10-RS(例如，参照图7)、第二绝缘层20的第一侧表面20-RS(例如，参照图7)和第二绝缘层20的第二侧表面20-LS(例如，参照图7)可由像素限定层PDL覆盖。
电极开口OH-EL可包括下开口OH-D和上开口OH-T。下开口OH-D可形成为在突出边缘部分PD-ED下方暴露的第二子层E2与第一绝缘层10的第二侧表面10-LS之间的空间。上开口OH-T可为在下开口OH-D上方的空间并且可形成在像素限定层PDL中。上开口OH-T可形成在布置在第二绝缘层20上并覆盖第二绝缘层20的像素限定层PDL中。
下开口OH-D可与上开口OH-T重叠。然而，下开口OH-D的一部分可与突出边缘部分PD-ED重叠，并且下开口OH-D中的与突出边缘部分PD-ED重叠的部分可被称为底切部分。在底切部分中，第二电极CE可与暴露的第二子层E2接触(例如，直接接触)。
在实施方式中，断开的功能层OL的第一端部OL-LS可在下开口OH-D中覆盖第一绝缘层10的第二侧表面10-LS，并且功能层OL的第二端部OL-RS可布置在限定上开口OH-T的像素限定层PDL上。
断开的第二电极CE的端边缘部分CE-ED可比断开的功能层OL的端边缘部分OL-ED更加朝向下开口OH-D的内部突出，并且第二电极CE的端边缘部分CE-ED可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的侧表面上。
在实施方式中，第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的第二子层E2的倾斜的侧表面上，并且断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可与和突出边缘部分PD-ED重叠的第三子层E3的侧表面接触。
在实施方式中，第二电极CE可在至少两个地点处与辅助导电层EL接触。在实施方式中，断开的第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的侧表面上以便电连接到辅助导电层EL，并且断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可通过辅助导电层EL的经接触的第三子层E3而电连接到辅助导电层EL。第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的第三子层E3上。
图10A示出了根据实施方式的显示装置的制造步骤之中的形成第一绝缘层10和第二绝缘层20的步骤。在实施方式中，可在层间绝缘层GI上通过图案化而形成辅助导电层EL。例如，辅助导电层EL和栅电极G1(例如，参照图6)可在同一过程中通过图案化形成。可在经图案化的辅助导电层EL上顺序地布置第一绝缘层10和第二绝缘层20，并且可通过蚀刻工艺图案化第一绝缘层10和第二绝缘层20。可通过图案化第一绝缘层10和第二绝缘层20来形成暴露辅助导电层EL的至少一部分的预备开口P-OH和辅助开口OH-S1。此后，预备开口P-OH可通过附加工艺转变为电极开口OH-EL。例如，辅助开口OH-S1可与预备开口P-OH间隔开。当与根据图8A中所示的实施方式的制造显示装置的方法的步骤比较时，不同的是在图10A中所示的实施方式中辅助导电层EL的侧表面的一部分通过预备开口P-OH而暴露。
参照图10B，可在经图案化的第二绝缘层20上沉积第一电极AE，可在第一电极AE上涂覆光致抗蚀剂PR，并且可通过曝光工艺和显影工艺来图案化第一电极AE，以使得辅助导电层EL可暴露。在图10B中所示的步骤中，第一绝缘层10的第二侧表面10-LS和第二绝缘层20的第二侧表面20-LS(例如，参照图7)可通过预备开口P-OH而暴露，并且第一绝缘层10的第一侧表面10-RS(例如，参照图7)和第二绝缘层20的第一侧表面20-RS(例如，参照图7)可由第一电极AE覆盖。第一电极AE可通过使用涂覆的光致抗蚀剂PR而曝光和显影并且通过执行蚀刻工艺而图案化。辅助导电层EL的第二子层E2可通过在蚀刻第一电极AE的情况下使用的蚀刻溶液而部分地蚀刻。例如，用于蚀刻第一电极AE的蚀刻溶液可选择性地蚀刻铜(Cu)，并且相应地，可仅部分地蚀刻在辅助导电层EL中的在第一子层E1与第三子层E3之间的第二子层E2，以使得第二子层E2的暴露的侧表面可布置在突出边缘部分PD-ED(例如，参照图7)下方。根据第二子层E2的选择性蚀刻，第三子层E3可定位成朝向预备开口P-OH的内部突出。
图10C示出了在如图10B中所示地图案化第一绝缘层10、第二绝缘层20和第一电极AE之后去除光致抗蚀剂PR并且顺序地形成像素限定层PDL、功能层OL和第二电极CE的步骤。可在第一电极AE上布置像素限定层PDL，并且可在像素限定层PDL上布置功能层OL和第二电极CE。当与图7中所示的实施方式比较时，不同的是在根据实施方式的显示面板DP-1的情况下像素限定层PDL的突出边缘部分PD-ED布置在第三子层E3上。参照图9和图10C，与功能层OL的沉积形式不同，第二电极CE可从电极开口OH-EL的外部延伸到突出边缘部分PD-ED的下侧。第二电极CE可覆盖功能层OL，并且第二电极CE的端部可与辅助导电层EL的第二子层E2或第三子层E3接触。例如，第一电极AE可通过与电极开口OH-EL间隔开并形成在第一绝缘层10和第二绝缘层20中的辅助开口OH-S1而电连接到辅助导电层EL。
在图10A至图10C的步骤中制造的根据实施方式的显示面板DP-1可即使在大面积的情况下也具有提高的电压稳定性、均匀的亮度特性，并且由于断开的第二电极CE的第一端部CE-LS电连接到第二子层E2并且断开的第二电极CE的第二端部CE-RS电连接到第三子层E3而具有优异的可靠性。
像参照图8A至图8D描述的实施方式那样，继续图10A至图10C的步骤的根据实施方式的制造显示装置的方法在没有形成用于第二电极CE与辅助导电层EL的接触的单独的接触孔的工艺的情况下通过图案化第一绝缘层10、第二绝缘层20、第一电极AE和类似物的工艺而使第二电极CE和辅助导电层EL彼此稳定地接触成为可能，并且因此可简化工艺。相应地，根据实施方式的制造显示装置的方法可具有优异的工艺性。
图11是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。图12A至图12D示出了根据实施方式的显示装置的制造步骤的一部分。图11示出了通过图12A至图12D的步骤制造的显示装置的一部分，并且图11可示出了与图12D的显示面板DP-2的区AA-3对应的部分。
在根据实施方式的显示装置中，像素限定层PDL的限定电极开口OH-EL的突出边缘部分PD-ED可不与第一绝缘层10重叠并且可朝向电极开口OH-EL的内部突出。在实施方式中，第一绝缘层10可不布置在像素限定层PDL的突出边缘部分PD-ED下方，并且因此电极开口OH-EL可因为限定开口区的一部分的侧表面不与限定开口区的另一部分的侧表面连续(或对齐)而具有台阶差，从而在突出边缘部分PD-ED下方具有底切形状。
在实施方式中，在与基础衬底BS(例如，参见图6)垂直的剖面上，第一绝缘层10的第一侧表面10-RS可通过电极开口OH-EL而暴露，并且第一绝缘层10的第二侧表面10-LS、第二绝缘层20的第一侧表面20-RS和第二绝缘层20的第二侧表面20-LS可由像素限定层PDL覆盖。电极开口OH-EL可包括下开口OH-D和形成在下开口OH-D上方的上开口OH-T。下开口OH-D可形成为第一绝缘层10的在像素限定层PDL的突出边缘部分PD-ED下方暴露的第一侧表面10-RS与覆盖第一绝缘层10的第二侧表面10-LS的像素限定层PDL之间的空间。上开口OH-T可形成为布置在下开口OH-D上方的形成在像素限定层PDL中的空间。功能层OL可覆盖通过电极开口OH-EL暴露的像素限定层PDL，并且第二电极CE可覆盖功能层OL。
参照图11，在电极开口OH-EL中，功能层OL和第二电极CE中的每个可不连续，并且可断开。辅助导电层EL的至少一部分可通过电极开口OH-EL而暴露。断开的第二电极CE的定位在电极开口OH-EL内部的第一端部CE-LS可布置在辅助导电层EL的上表面上，并且断开的第二电极CE的定位在电极开口OH-EL内部的第二端部CE-RS可布置在限定电极开口OH-EL的像素限定层PDL上。
在实施方式中，断开的功能层OL的第一端部OL-LS可在下开口OH-D中布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上，并且断开的第二电极CE的第一端部CE-LS可在下开口OH-D中覆盖功能层OL的第一端部OL-LS。由于断开的第二电极CE的端边缘部分CE-ED比断开的功能层OL的端边缘部分OL-ED更加朝向下开口OH-D的内部突出，因此第二电极CE的端边缘部分CE-ED可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL上。
在实施方式中，断开的第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上，并且断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可通过像素限定层PDL与第一电极AE和辅助导电层EL绝缘。相应地，在根据图11中所示的实施方式的显示装置的情况下，与图7和图9中所示的实施方式的不同的是第二电极CE在一地点处与辅助导电层EL接触。
图12A示出了根据实施方式的显示装置的制造步骤之中的形成第一绝缘层10和第二绝缘层20的步骤。在实施方式中，可在层间绝缘层GI上通过图案化而形成辅助导电层EL。例如，辅助导电层EL和栅电极G1(例如，参照图6)可在同一过程中通过图案化形成。可在经图案化的辅助导电层EL上顺序地形成第一绝缘层10和第二绝缘层20，并且可通过蚀刻工艺图案化第一绝缘层10和第二绝缘层20。
可通过图案化第一绝缘层10和第二绝缘层20来形成暴露辅助导电层EL的至少一部分的预备开口P-OH和辅助开口OH-S1。预备开口P-OH可通过附加工艺转变为电极开口OH-EL。例如，辅助开口OH-S1可与预备开口P-OH间隔开。
参照图12B，可在经图案化的第二绝缘层20上沉积第一电极AE，可在第一电极AE上涂覆光致抗蚀剂PR，并且可通过曝光工艺和显影工艺来图案化第一电极AE和第二绝缘层20，以使得辅助导电层EL和第一绝缘层10的上表面的部分可暴露。
图12C示出了在如图12B中所示地图案化第一电极AE和第二绝缘层20之后去除光致抗蚀剂PR并且形成像素限定层PDL的工艺。图12C示出了在图案化像素限定层PDL之后通过蚀刻溶液部分地去除第一绝缘层10。
由于布置在像素限定层PDL下方的第一绝缘层10的一部分可通过蚀刻溶液部分地去除，因此第一绝缘层10的第一侧表面10-RS可比第二绝缘层20的第一侧表面20-RS更加向内(例如，朝向辅助开口OH-S1)定位。因此，第一绝缘层10的第一侧表面10-RS可不与第二绝缘层20的第一侧表面20-RS重合(或对齐)，并且可与第二绝缘层20重叠。
在执行像素限定层PDL的图案化和第一绝缘层10的附加蚀刻之后，可形成电极开口OH-EL。电极开口OH-EL可包括形成为暴露的第一绝缘层10的第一侧表面10-RS与第一绝缘层10的第二侧表面10-LS之间的空间的下开口OH-D以及形成为在下开口OH-D上方的形成在像素限定层PDL中的空间的上开口OH-T。
图12D示出了在像素限定层PDL和辅助导电层EL上顺序地形成功能层OL和第二电极CE的步骤。参照图11和图12D，与功能层OL的沉积形式不同，第二电极CE可从下开口OH-D的外部延伸到突出边缘部分PD-ED的下侧。第二电极CE可覆盖功能层OL，并且第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上。例如，断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可不与辅助导电层EL或第一电极AE接触，并且可布置在功能层OL上。
在图12A至图12D的步骤中制造的根据实施方式的显示面板DP-2可即使在大面积的情况下也具有提高的电压稳定性、均匀的亮度特性，并且由于断开的第二电极CE的第一端部CE-LS电连接到辅助导电层EL的上表面而具有优异的可靠性。
像参照图8A至图8D描述的实施方式那样，继续图12A至图12D的步骤的根据实施方式的制造显示装置的方法在没有形成用于第二电极CE与辅助导电层EL的接触的单独的接触孔的工艺的情况下通过图案化第一绝缘层10、第二绝缘层20、第一电极AE、像素限定层PDL和类似物的工艺而使第二电极CE和辅助导电层EL彼此稳定地接触成为可能，并且因此可简化工艺。相应地，根据实施方式的制造显示装置的方法可具有优异的工艺性。
图13是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。图14A至图14D示出了根据实施方式的显示装置的制造步骤的一部分。图13示出了通过图14A至图14D的步骤制造的显示装置的一部分，并且图13可示出了与图14D的显示面板DP-3中的区AA-4对应的部分。
在根据实施方式的显示装置中，像素限定层PDL的限定电极开口OH-EL的突出边缘部分PD-ED可不与第一绝缘层10重叠并且可朝向电极开口OH-EL的内部突出。在实施方式中，第一绝缘层10可不布置在像素限定层PDL的突出边缘部分PD-ED下方，并且因此电极开口OH-EL可因为限定开口区的一部分的侧表面不与限定开口区的另一部分的侧表面连续(或对齐)而具有台阶差，从而在突出边缘部分PD-ED下方具有底切形状。
参照图13，根据实施方式的显示装置还可包括布置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间的中间导电层IEL。中间导电层IEL可布置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间，并且可包括不与第一绝缘层10和第二绝缘层20重叠并且布置在突出边缘部分PD-ED的下侧上的部分。中间导电层IEL的端部IEL-RS可朝向电极开口OH-EL的内部突出。在实施方式中，中间导电层IEL可包括氧化铟锡(ITO)。然而，实施方式不限于此。
在实施方式中，在与基础衬底BS(例如，参见图6)垂直的剖面上，第一绝缘层10的第一侧表面10-RS可通过电极开口OH-EL而暴露，并且第一绝缘层10的第二侧表面10-LS、第二绝缘层20的第一侧表面20-RS(例如，参照图7)和第二绝缘层20的第二侧表面20-LS可由像素限定层PDL覆盖。
电极开口OH-EL可包括下开口OH-D和形成在下开口OH-D上方的上开口OH-T。下开口OH-D可形成为第一绝缘层10的在像素限定层PDL的突出边缘部分PD-ED下方暴露的第一侧表面10-RS与覆盖第一绝缘层10的第二侧表面10-LS的像素限定层PDL之间的空间。上开口OH-T可形成为布置在下开口OH-D上方的形成在像素限定层PDL中的空间。功能层OL可覆盖通过电极开口OH-EL暴露的像素限定层PDL，并且第二电极CE可覆盖功能层OL。
参照图13，在电极开口OH-EL中，功能层OL和第二电极CE中的每个可不连续，并且可断开。辅助导电层EL的至少一部分可通过电极开口OH-EL而暴露。在实施方式中，断开的第二电极CE的布置在电极开口OH-EL中的第一端部CE-LS可布置在辅助导电层EL的上表面上，并且断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可布置在中间导电层IEL上。
在实施方式中，断开的功能层OL的第一端部OL-LS可在下开口OH-D中布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上，并且断开的第二电极CE的第一端部CE-LS可在下开口OH-D中覆盖功能层OL的第一端部OL-LS。例如，断开的第二电极CE的端边缘部分CE-ED可比断开的功能层OL的端边缘部分OL-ED更加朝向下开口OH-D的内部突出。在实施方式中，第二电极CE的端边缘部分CE-ED可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上。
参照图14D，在根据实施方式的显示面板DP-3中，在非发光区域NPXA中可形成有与电极开口OH-EL间隔开并穿过第一绝缘层10和第二绝缘层20的第一辅助开口OH-S1，并且在非发光区域NPXA中可形成有在电极开口OH-EL与第一辅助开口OH-S1之间的穿过第二绝缘层20的第二辅助开口OH-S2。
第一辅助开口OH-S1和第二辅助开口OH-S2可与辅助导电层EL重叠并且形成在第一绝缘层10和第二绝缘层20中。辅助导电层EL的上表面可通过第一辅助开口OH-S1而暴露，并且中间导电层IEL的上表面可通过第二辅助开口OH-S2而暴露。在第一辅助开口OH-S1中，第一电极AE可与辅助导电层EL的上表面接触，并且在第二辅助开口OH-S2中，第一电极AE可与中间导电层IEL的上表面接触。
在实施方式中，第二电极CE可在至少两个地点处与辅助导电层EL接触。在实施方式中，断开的第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上以电连接到辅助导电层EL，断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可通过经接触的中间导电层IEL而连接到第一电极AE，并且第一电极AE可再次电连接到通过第一辅助开口OH-S1暴露的辅助导电层EL。
图14A示出了根据实施方式的显示装置的制造步骤之中的形成第一绝缘层10和中间导电层IEL的步骤。在实施方式中，可在层间绝缘层GI上形成辅助导电层EL。辅助导电层EL可形成为布置(例如，完全布置)在非发光区域NPXA中的公共层。例如，辅助导电层EL和栅电极G1(例如，参照图6)可在同一过程中通过图案化形成。可在辅助导电层EL上形成第一绝缘层10，并且可在第一绝缘层10上通过图案化而形成中间导电层IEL。
图14B示出了形成预备开口P-OH、第一辅助开口OH-S1和第二辅助开口OH-S2并且图案化第一电极AE的步骤。在实施方式中，可在第一绝缘层10上形成第二绝缘层20。第二绝缘层20可覆盖经图案化的中间导电层IEL，并且第二绝缘层20可布置在第一绝缘层10上。可在第一绝缘层10和第二绝缘层20中形成预备开口P-OH，并且第二辅助开口OH-S2和第一辅助开口OH-S1可与预备开口P-OH间隔开。可在第一绝缘层10和第二绝缘层20中形成第一辅助开口OH-S1，并且可在第二绝缘层20中形成第二辅助开口OH-S2。
可在形成有预备开口P-OH、第一辅助开口OH-S1和第二辅助开口OH-S2的第二绝缘层20上沉积第一电极AE，可在第一电极AE上涂覆光致抗蚀剂PR，并且可通过曝光工艺和显影工艺来图案化第一电极AE，以使得第二绝缘层20的上表面的一部分可暴露。
图14C示出了在如图14B中所示地图案化第一电极AE之后去除光致抗蚀剂PR并且形成像素限定层PDL的工艺。图14C示出了在图案化像素限定层PDL之后通过蚀刻溶液部分地去除第一绝缘层10。布置在像素限定层PDL下方的第一绝缘层10的一部分可通过蚀刻溶液部分地去除，以使得辅助导电层EL的上表面可附加地暴露。
在图案化像素限定层PDL并且附加地蚀刻第一绝缘层10之后，可形成电极开口OH-EL。电极开口OH-EL可包括形成为暴露的第一绝缘层10的第一侧表面10-RS与覆盖第一绝缘层10的第二侧表面10-LS的像素限定层PDL之间的空间的下开口OH-D以及形成为在下开口OH-D上方的形成在像素限定层PDL中的空间的上开口OH-T。参照图14C，在执行像素限定层PDL的图案化和第一绝缘层10的附加蚀刻之后，中间导电层IEL可朝向电极开口OH-EL的内部突出。
图14D示出了在像素限定层PDL和辅助导电层EL上顺序地形成功能层OL和第二电极CE的步骤。参照图13和图14D，与功能层OL的沉积形式不同，第二电极CE可从下开口OH-D的外部延伸到第二电极CE的第二端部CE-RS的下侧。第二电极CE可覆盖功能层OL，并且第二电极CE的第一端部CE-LS可布置(例如，直接布置)在辅助导电层EL的上表面上。例如，断开的第二电极CE的第二端部CE-RS可与中间导电层IEL接触。
在图14A至图14D的步骤中制造的根据实施方式的显示面板DP-3可即使在大面积的情况下也具有提高的电压稳定性、均匀的亮度特性，并且由于断开的第二电极CE的第一端部CE-LS电连接到辅助导电层EL的上表面并且断开的第二电极CE的第二端部CE-RS电连接到中间导电层IEL而具有优异的可靠性。
像参照图8A至图8D描述的实施方式那样，继续图14A至图14D的步骤的根据实施方式的制造显示装置的方法在没有形成用于第二电极CE与辅助导电层EL的接触的单独的接触孔的工艺的情况下通过图案化第一绝缘层10、第二绝缘层20、第一电极AE、像素限定层PDL和类似物的工艺而使第二电极CE和辅助导电层EL彼此稳定地接触成为可能，并且因此可简化工艺。相应地，根据实施方式的制造显示装置的方法可具有优异的工艺性。
在根据实施方式的显示装置中，与非发光区域NPXA重叠的电极开口OH-EL可形成在电路层DP-CL和像素限定层PDL中，像素限定层PDL的限定电极开口OH-EL的突出边缘部分PD-ED可不与第一绝缘层10重叠并且可朝向电极开口OH-EL的内部突出，功能层OL和第二电极CE可在突出边缘部分PD-ED的端部处断开，并且第二电极CE可在突出边缘部分PD-ED下方的电极开口OH-EL中电连接到辅助导电层EL。因此，显示装置可具有优异的可靠性。
例如，根据实施方式的显示装置可通过如下的显示装置制造方法来制造，该显示装置制造方法可在没有诸如激光钻孔的单独的附加工艺的情况下在电路层DP-CL和显示元件层DP-OL的制造工艺中通过形成将辅助导电层EL与第二电极CE彼此电连接的开口而简化了工艺并且具有了优异的工艺性。
根据实施方式的显示装置可通过在形成为具有底切形状的开口区中具有彼此电连接的暴露的辅助导电层EL的至少一部分和发光元件OLED的第二电极CE而改善了由于电压降而导致的显示品质的劣化并且具有了优异的可靠性。
由于根据实施方式的显示装置制造为通过使用电路层DP-CL形成工艺将辅助导电层EL和发光元件OLED的第二电极CE彼此电连接，而排除了激光钻孔方法，因此可简化根据实施方式的显示装置的制造工艺。
结束详细描述，本领域技术人员将领会的是，在实质上不背离本公开的原理以及精神和范围的情况下，可对实施方式进行许多变化和修改。因此，所公开的实施方式仅在一般性和描述性意义上使用，并且不出于限制的目的。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括显示区，所述显示区包括发光区域和非发光区域，所述显示装置包括：
基础衬底；
电路层，所述电路层布置在所述基础衬底上，所述电路层包括：
辅助导电层；以及
第一绝缘层，所述第一绝缘层布置在所述辅助导电层上，以及
显示元件层，所述显示元件层包括：
像素限定层，所述像素限定层布置在所述电路层上，以及
发光元件，所述发光元件包括顺序地堆叠的第一电极、功能层和第二电极，
其中，与所述非发光区域重叠的电极开口在所述电路层和所述像素限定层中形成为暴露所述辅助导电层的至少一部分，
所述像素限定层包括不与所述第一绝缘层重叠并且朝向所述电极开口的内部突出的突出边缘部分，
所述功能层和所述第二电极中的每个在所述突出边缘部分的端部处断开，并且
所述第二电极通过所述电极开口电连接到所述辅助导电层。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素限定层的所述突出边缘部分比所述第一绝缘层的侧边缘部分更加朝向所述电极开口的内部突出，并且
所述电极开口包括在所述像素限定层的所述突出边缘部分下方的空间。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二电极的布置在所述电极开口中的第一端部布置在所述辅助导电层的上表面上，并且
所述第二电极的第二端部与所述第一电极的布置在所述突出边缘部分的下表面上的边缘部分接触或者所述第二电极的第二端部通过所述像素限定层而与所述第一电极和所述辅助导电层绝缘。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述电路层还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层布置在所述第一绝缘层上，
所述第一电极布置在所述突出边缘部分的下表面上，并且
所述第一电极的与所述突出边缘部分重叠的下表面在所述电极开口中不与所述第二绝缘层重叠。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述辅助导电层包括第一子层、第二子层以及第三子层，
所述第二电极的在所述电极开口中的第一端部与所述第二子层接触，并且
所述第二电极的第二端部与所述第三子层接触。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述电路层还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层布置在所述第一绝缘层上，
所述显示装置还包括中间导电层，所述中间导电层与所述非发光区域重叠并且布置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，
所述中间导电层的端部布置在所述突出边缘部分下方并且朝向所述电极开口的内部突出，
所述第二电极的布置在所述电极开口中的第一端部布置在所述辅助导电层的上表面上，并且
所述第二电极的第二端部与布置在所述突出边缘部分的下表面上的所述中间导电层接触。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，在所述非发光区域中形成有与所述电极开口间隔开并穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一辅助开口，
在所述非发光区域中形成有在所述电极开口与所述第一辅助开口之间的穿过所述第二绝缘层的第二辅助开口，
所述辅助导电层的所述上表面通过所述第一辅助开口而暴露，
所述中间导电层的上表面通过所述第二辅助开口而暴露，
所述第一电极通过所述第一辅助开口与所述辅助导电层的所述上表面接触，并且
所述第一电极通过所述第二辅助开口与所述中间导电层的所述上表面接触。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述非发光区域中，辅助开口形成在所述电路层中并且与所述电极开口间隔开，并且
所述第一电极在所述辅助开口中电连接到所述辅助导电层。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述功能层的第一端部在所述电极开口中直接布置在所述辅助导电层的上表面上，
所述第二电极的第一端部在所述电极开口中覆盖所述功能层的所述第一端部，并且
所述第二电极的端边缘部分比所述功能层的端边缘部分更加朝向所述电极开口的内部突出。
10.如权利要求1至9中任何一项所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括布置在所述显示区的至少一侧上的外围区，
所述电路层还包括晶体管，所述晶体管包括栅电极，
所述辅助导电层和所述栅电极布置在相同的层中，并且
所述第一绝缘层布置在所述晶体管和所述辅助导电层上。
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