CN219642841U - 一种显示背板、虚拟显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示背板、虚拟显示装置，显示背板包括：衬底；第一电极，设置在所述衬底的一侧；绝缘层，设置在所述第一电极远离所述衬底一侧；第一过孔，贯穿所述绝缘层，所述第一过孔延伸至所述第一电极的表面，所述第一过孔包括侧壁；第二电极，设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二电极位于所述第一过孔的一侧，所述第二电极侧壁的至少部分与所述第一过孔的部分侧壁位于同一平面。

Description

一种显示背板、虚拟显示装置

技术领域

本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示背板、虚拟显示装置。

背景技术

随着技术的进步，VR(VirtualReality，虚拟现实)和AR(AugmentedReality，增强现实)技术更多地走进了我们的生活中，并给我们带来了全新的体验。

随着AR和VR产品对高像素密度(PPI)的需求，在液晶虚拟显示装置中，对显示背板的像素密度(PPI)要求到越来越高。显示背板中垂直薄膜晶体管(TFT)可以提升器件产品的开口率和像素密度(PPI)。

实用新型内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示背板，包括：

衬底；

第一电极，设置在所述衬底的一侧；

绝缘层，设置在所述第一电极远离所述衬底一侧；

第一过孔，贯穿所述绝缘层，所述第一过孔延伸至所述第一电极的表面，所述第一过孔包括侧壁；

第二电极，设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二电极位于所述第一过孔的一侧，所述第二电极侧壁的至少部分与所述第一过孔的部分侧壁位于同一平面。

在一些示例性实施例中，所述第二电极在所述衬底正投影的形状包括L形、圆弧状和V形中的至少一种。

在一些示例性实施例中，所述第一过孔还包括底壁，所述第一过孔的底壁为所述第一电极的表面，所述第一过孔的侧壁与所述第一电极的底壁形成的夹角为90度至140度。

在一些示例性实施例中，所述第二电极与所述第一电极在所述衬底的正投影存在交叠。

在一些示例性实施例中，还包括有源层，所述有源层的部分与所述第一电极的至少部分表面搭接，所述有源层的部分与所述第二电极搭接。

在一些示例性实施例中，还包括：

栅极绝缘层，设置在所述有源层远离所述衬底一侧；

栅极，设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底一侧，所述栅极与所述有源层在所述衬底的正投影存在交叠；

介质层，设置在所述栅极远离所述衬底一侧；

第二过孔，位于所述第二电极远离所述衬底一侧，所述第二过孔延伸至所述第二电极的表面，所述第二过孔均与所述栅极和所述有源层在所述衬底的正投影不交叠；

连接电极，设置在所述介质层远离所述衬底一侧，所述连接电极通过所述第二过孔与所述第二电极的表面连接。

在一些示例性实施例中，还包括第一走线，所述第一走线与所述栅极连接，所述第一走线沿着第一方向延伸，所述第一走线在第二方向的长度小于所述栅极在所述第二方向的长度，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述衬底，且互相交叉。

在一些示例性实施例中，所述第一过孔在所述衬底的正投影位于所述栅极在所述衬底的正投影中。

在一些示例性实施例中，所述栅极绝缘层与所述有源层在所述衬底的正投影完全交叠。

在一些示例性实施例中，所述栅极绝缘层与所述栅极在所述衬底的正投影完全交叠。

在一些示例性实施例中，所述栅极在所述衬底的正投影位于所述有源层在所述衬底的正投影中。

在一些示例性实施例中，所述有源层在所述衬底的正投影位于所述栅极在所述衬底的正投影中。

在一些示例性实施例中，所述第一电极在所述衬底的正投影、所述第二电极在所述衬底的正投影以及所述有源层在所述衬底的正投影均位于所述栅极绝缘层在所述衬底的正投影中。

第二方面，本公开实施例提供了一种虚拟显示装置，包括前面任一所述的显示背板。

本公开实施例提供了一种显示背板、虚拟显示装置，通过将第二电极配置为硬掩膜版，采用刻蚀工艺形成第一过孔，减小第一过孔在衬底正投影的面积，从而减小显示背板中薄膜晶体管(TFT)在衬底正投影的面积，提高显示背板的像素密度。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为本公开实施例显示背板的剖视图一；

图2a为本公开实施例显示背板的俯视图一；

图2b为本公开实施例显示背板的俯视图二；

图2c为本公开实施例显示背板的俯视图三；

图3为本公开实施例显示背板的剖视图二；

图4为本公开实施例显示背板的剖视图三；

图5为本公开实施例显示背板的剖视图四；

图6为本公开实施例显示背板的剖视图五；

图7为本公开实施例显示背板的剖视图六；

图8a为本公开实施例显示背板的制备方法中形成第二电极后的示意图；

图8b为本公开实施例显示背板的制备方法中形成光学胶层后的示意图；

图8c为本公开实施例显示背板的制备方法中形成刻蚀孔后的示意图；

图8d为本公开实施例显示背板的制备方法中形成第一过孔后的示意图；

图9a为本公开实施例显示背板的剖视图七；

图9b为本公开实施例显示背板的剖视图八。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

经过本申请发明人的研究发现，在显示背板中，垂直薄膜晶体管(TFT)中过孔和覆盖层的尺寸限制了薄膜晶体管(TFT)在衬底正投影的面积，使薄膜晶体管(TFT)在衬底正投影的面积无法进一步减小，进而无法提高显示背板的像素密度(PPI)。

在垂直薄膜晶体管(TFT)制备过程中，需要通过光学胶以及掩膜版，采用刻蚀工艺形成过孔，过孔在衬底的正投影需要位于光学胶在衬底的正投影中，以避免出现搭接不良的情况；采用上述工艺形成过孔，会使过孔的尺寸较大，例如：一般过孔的曝光精度在1.5～2.0um；Overlay(例如光学胶)的管控精度在0.3um左右。

另外，采用上述工艺形成过孔，需要考虑遮光和过孔的覆盖，还需要增加CDBias的面积，进一步增大了薄膜晶体管(TFT)的尺寸。

本公开实施例提供了一种显示背板，包括：

衬底；

第一电极，设置在所述衬底的一侧；

绝缘层，设置在所述第一电极远离所述衬底一侧；

第一过孔，贯穿所述绝缘层，所述第一过孔延伸至所述第一电极的表面，所述第一过孔包括侧壁；

第二电极，设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二电极位于所述第一过孔的一侧，所述第二电极侧壁的至少部分与所述第一过孔的部分侧壁位于同一平面。

下面通过一些示例对本实施例的方案进行举例说明。

本公开实施例显示装置包括显示区域。显示区域用于显示图像。显示区域包括间隔排布的多个子像素，子像素用于发射光线。例如，显示区域包括间隔排布的多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素，第一子像素可以是红色(R)子像素，第二子像素可以是绿色(G)子像素，第三子像素可以是蓝色(B)子像素。显示基板可以通过在显示区域的多个子像素提供图像。

在一些示例性实施例中，本公开实施例显示装置可以为虚拟显示装置，例如，本公开实施例显示装置可以为VR显示装置或AR显示装置。

在一些示例性实施例中，本公开实施例显示装置可以包括显示背板以及液晶基板，显示背板用于向液晶层提供入射光，液晶基板用于将显示背板发出的入射光转换为显示光线。

在一些示例性实施例中，显示背板可以包括像素电路和发光器件。像素电路与发光器件连接，像素电路配置为向发光器件输出相应的电流。发光器件配置为响应像素电路输出的电流发出相应亮度的光。

在一些示例性实施例中，发光器件可以包括有机发光二极管(OLED)、微发光二极管(MLED)、量子点发光二极管(QLED)中的一种。

在一些示例性实施例中，显示背板的像素电路可以包括薄膜晶体管(TFT)和电容。薄膜晶体管(TFT)可以包括第一电极、第二电极、有源层和栅电极等。

图1为本公开实施例显示背板的剖视图一。图1示意了显示背板中一个薄膜晶体管的剖视图。在一些示例性实施例中，本公开实施例显示背板可以包括更多的薄膜晶体管。

在一些示例性实施例中，如图1所示，本公开实施例提供一种显示背板，该显示背板包括衬底101，以及沿着远离衬底101方向依次设置的第一电极10、绝缘层20和第二电极30。该显示背板还包括第一过孔91，第一过孔91位于第一电极10远离衬底101一侧，第一过孔91沿着垂直于衬底101的方向延伸，贯穿绝缘层20，第一过孔91延伸至第一电极10的至少部分表面。

在一些示例性实施例中，如图1所示，第一电极10可以作为薄膜晶体管(TFT)的一个电极，例如源电极。第二电极30设置在绝缘层20上，第二电极30可以作为薄膜晶体管(TFT)的另一个电极，例如漏电极。

在一些示例性实施例中，第二电极30还可以配置为用于形成第一过孔91的硬掩膜版。在形成第一过孔91的过程中，第一过孔91的一侧设置有第二电极30和光学胶层的堆叠结构，第一过孔91的另一侧仅设置有光学胶层，不设置有第二电极30。将光学胶层和第二电极30组成的图案作为硬掩膜版，通过刻蚀工艺，形成第一过孔91。

本公开实施例提供的显示背板，通过将第二电极30配置为硬掩膜版，采用刻蚀工艺形成第一过孔91，减小第一过孔91在衬底101正投影的面积，从而减小显示背板中薄膜晶体管(TFT)在衬底正投影的面积，提高显示背板的像素密度。

图2a为本公开实施例显示背板的俯视图一。图2a可以为显示背板沿着平行于所述衬底方向的截面示意图。在一些示例性实施例中，如图1和图2a所示，第二电极30在衬底101正投影的形状可以为V形。第二电极30位于第一过孔91的一侧，第一过孔91的另一侧不设置有第二电极30，第二电极30与第一过孔91在所述衬底101的正投影不交叠。第二电极30可以环绕一部分第一过孔91的边缘，另一部分第一过孔91的边缘没有设置第二电极30。在形成第一过孔91的过程中，可以通过光学胶层覆盖没有设置第二电极30的第一过孔91的边缘，使光学胶层与第二电极30共同作为硬掩膜版，刻蚀形成第一过孔91。

图2b为本公开实施例显示背板的俯视图二；图2c为本公开实施例显示背板的俯视图三。在一些示例性实施例中，第二电极30在衬底101正投影的形状还可以为其他形状。示例的，第二电极30在衬底101正投影的形状可以为圆弧状，如图2b所示；或者，第二电极30在衬底101正投影的形状可以为L形，如图2c所示。本公开实施例在此不再赘述。

在一些示例性实施例中，如图1和图2a所示，第一过孔91包括侧壁911和底壁912，第二电极30侧壁的至少部分与第一过孔91的部分侧壁911位于同一平面，使第二电极30的侧壁与其对应的第一过孔91的侧壁大致平齐。其中，在形成第一过孔91的过程中，由于制备工艺存在一定误差(例如刻蚀时间的误差)，会导致第二电极30的侧壁与其对应的第一过孔91的侧壁无法完全处于同一平面，在平行于衬底方向上，第一过孔91的部分侧壁911相对于第二电极30的部分侧壁内缩或凸出。具体地，在形成第一过孔91的过程中，当刻蚀时间较长时，刻蚀液会对绝缘层20进行横刻，增大了第一过孔91在衬底101的正投影的面积，在平行于衬底方向上，使第一过孔91的部分侧壁911相对于第二电极30的部分侧壁内缩，示例的，第一过孔91的部分侧壁911相对于第二电极30的部分侧壁内缩的距离可以为0至0.2微米，如图9a所示。在形成第一过孔91的过程中，当刻蚀时间较短时，会减小第一过孔91在衬底101的正投影的面积，在平行于衬底方向上，使第一过孔91的部分侧壁911相对于第二电极30的部分侧壁凸出，示例的，第一过孔91的部分侧壁911相对于第二电极30的部分侧壁凸出的距离可以为0至0.2微米，如图9b所示。

本公开实施例显示背板中第二电极30侧壁的至少部分与第一过孔91的部分侧壁911位于同一平面可以包括第二电极30的侧壁与其对应的第一过孔91的侧壁完全处于同一平面，和/或，第一过孔91的部分侧壁911相对于第二电极30的部分侧壁内缩(例如内缩0至0.2微米)，和/或，第一过孔91的部分侧壁911相对于第二电极30的部分侧壁凸出(例如凸出0至0.2微米)。

在一些示例性实施例中，如图2a所示，在平行于衬底101的平面，第一过孔91的边缘在衬底101正投影呈圆弧状，以避免器件发生短路。示例的，第一过孔91在衬底101正投影的形状为圆形或椭圆形。

在一些示例性实施例中，如图2a所示，当第二电极30的侧壁呈直线状时，由于衍射作用，与其对应的第一过孔91的侧壁呈圆弧状。

在一些示例性实施例中，如图1所示，第一过孔91在垂直于衬底101的截面包括矩形，或者，上大下小的形状，例如倒梯形。

在一些示例性实施例中，如图1所示，第一过孔91的底壁912为第一电极10暴露的表面。第一过孔91的侧壁911与第一电极10的底壁912形成的夹角a为90度至140度，以减小第一过孔91在衬底101正投影的面积，进而减小显示背板中薄膜晶体管(TFT)在衬底正投影的面积。

在一些示例性实施例中，如图1所示，第二电极30靠近第一过孔91一侧的部分与第一电极10在所述衬底101的正投影存在交叠，从而使后续形成的有源层可以通过第一过孔91，将第二电极30与第一电极10搭接。

在一些示例性实施例中，衬底101可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。

在一些示例性实施例中，绝缘层20覆盖第一电极10。示例的，绝缘层20覆盖第一电极10的整个表面和侧面。绝缘层20用于将第一电极10与其他电极绝缘。

在一些示例性实施例中，绝缘层20可以为单膜层结构。绝缘层20的材料可以采用无机材料，示例的，绝缘层20的材料可以采用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。绝缘层20的厚度可以为1000埃米至10000埃米。在一些实施例中，绝缘层20可以为多膜层结构。本公开实施例在此不再赘述。

在一些示例性实施例中，绝缘层20可以采用化学气相沉淀法(CVD)或原子层沉淀法形成在衬底101上。

图3为本公开实施例显示背板的剖视图二。图3为显示背板在垂直于衬底方向的截面示意图。在一些示例性实施例中，如图3所示，本公开实施例显示背板还包括有源层40、栅极绝缘层50、栅极60、介质层70、第二过孔92以及连接电极80。有源层40可以通过第一过孔91分别与第一电极10和第二电极30搭接；栅极绝缘层50设置在有源层40远离衬底101一侧；栅极60设置在栅极绝缘层50远离衬底101一侧，栅极60与有源层40在衬底101的正投影存在交叠；介质层70设置在栅极60远离衬底101一侧，将第二电极30、有源层40和栅极60覆盖；第二过孔92位于第二电极30远离衬底101一侧，第二过孔92沿着垂直于衬底101方向延伸，将介质层70贯穿，第二过孔92延伸至第二电极30的至少部分表面，第二过孔92均与栅极60和有源层40在衬底101的正投影不交叠；连接电极80设置在介质层70远离衬底101一侧，连接电极80通过第二过孔92与第二电极30的表面连接。

在一些示例性实施例中，如图3所示，有源层40的部分设置在第一过孔91的内壁上，与第一电极10的表面搭接，有源层40的部分设置在第二电极30远离衬底101一侧的表面上，与第二电极30靠近第一过孔91一侧的侧面以及表面搭接。

在一些示例性实施例中，有源层40的材料可以采用氧化物半导体，示例的，有源层40的材料可以采用铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和铟锌铝氧化物(IAZO)中的至少一种。

在一些示例性实施例中，介质层可以为单膜层结构，介质层可以作为钝化层，采用无机绝缘材料。

在一些示例性实施例中，介质层可以为多膜层结构，介质层可以包括钝化层和平坦层，钝化层可以采用无机材料，平坦层可以采用有机材料。

在一些示例性实施例中，如图2a所示，本公开实施例显示背板还包括第一走线11，第一走线11可以沿着第一方向D1延伸，第一走线11与至少一个晶体管的栅极60连接。第一走线11在第二方向D2的长度小于栅极60在第二方向D2的长度，从而在栅极60形成过程中，满足爬坡的要求。其中，第一方向D1与第二方向D2均平行于衬底101，且互相交叉。示例的，第一方向D1与第二方向D2垂直。

在一些示例性实施例中，如图2a所示，本公开实施例显示背板还包括第二走线12，第二走线12可以沿着第二方向D2延伸，第二走线12与至少一个晶体管的第一电极10连接。其中，第一走线11可以为栅线，第二走线12可以为数据线。

在一些示例性实施例中，如图2a和图3所示，第一过孔91在衬底101的正投影均位于栅极60和第一电极10在衬底101的正投影中，减少栅极60和第一电极10在衬底101的正投影面积的占比。

在一些示例性实施例中，如图3所示，栅极绝缘层50与有源层40在所述衬底101的正投影完全交叠，栅极绝缘层50可以与有源层40通过同一构图工艺制备而成。

图4为本公开实施例显示背板的剖视图三。图4为显示背板在垂直于衬底方向的截面示意图。在一些示例性实施例中，如图4所示，栅极绝缘层50和栅极60在所述衬底101的正投影完全交叠，栅极绝缘层50可以与栅极60通过同一构图工艺制备而成。有源层40在所述衬底101的正投影均位于栅极绝缘层50和栅极60在所述衬底101的正投影中。

图5为本公开实施例显示背板的剖视图四。图5为显示背板在垂直于衬底方向的截面示意图。在一些示例性实施例中，如图5所示，栅极绝缘层50和栅极60在所述衬底101的正投影完全交叠，栅极绝缘层50可以与栅极60通过同一构图工艺制备而成。栅极绝缘层50和栅极60在所述衬底101的正投影均位于有源层40在所述衬底101的正投影中。

图6为本公开实施例显示背板的剖视图五。图6为显示背板在垂直于衬底方向的截面示意图。在一些示例性实施例中，如图6所示，栅极绝缘层50覆盖第二电极30和有源层40，第一电极10在所述衬底101的正投影、第二电极30在所述衬底101的正投影以及所述有源层40在所述衬底101的正投影均位于所述栅极绝缘层50在所述衬底的正投影中。有源层40在所述衬底101的正投影位于栅极60在所述衬底101的正投影中。

图7为本公开实施例显示背板的剖视图六。图7为显示背板在垂直于衬底方向的截面示意图。在一些示例性实施例中，如图7所示，栅极绝缘层50覆盖第二电极30和有源层40，第一电极10在所述衬底101的正投影、第二电极30在所述衬底101的正投影以及所述有源层40在所述衬底101的正投影均位于所述栅极绝缘层50在所述衬底的正投影中。栅极60在所述衬底101的正投影位于有源层40在所述衬底101的正投影中。

下面参照图8a至图8d对显示背板的制备方法进行示例性说明。

本公开实施例所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在衬底基板上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

本公开实施例显示背板的制备方法包括：

S1、在衬底101的一侧形成第一电极10，如图8a所示；

S2、在所述第一电极10远离衬底101一侧形成绝缘层20，绝缘层20将第一电极10覆盖，如图8a所示；

S3、在所述绝缘层20远离衬底101一侧形成第二电极30，如图8a所示；

S4、在所述绝缘层20远离衬底101一侧形成覆盖第二电极30的光学胶层13，如图8b所示；

S5、采用刻蚀工艺，在所述光学胶层13中形成刻蚀孔14，所述刻蚀孔14沿着垂直于衬底101方向延伸，刻蚀孔14将光学胶层13贯穿；在该刻蚀过程中，第二电极30没有被刻蚀，刻蚀孔14暴露出所述第二电极30一侧的侧壁以及部分表面，且刻蚀孔14暴露出绝缘层20的部分表面；刻蚀孔14与第一电极10在衬底101的正投影存在交叠，如图8c所示；

S6、将所述第二电极30和所述光学胶层13一起作为硬掩膜版，采用刻蚀工艺，通过所述刻蚀孔14，将所述绝缘层20暴露的部分去除，在所述绝缘层20中形成第一过孔91；其中，所述第一过孔91暴露出所述第一电极10的至少部分表面，由于第二电极30没有被刻蚀，第二电极30位于所述第一过孔91的一侧，如图8d所示；

S7、去除所述光学胶层13，将第二电极30、绝缘层20和第一过孔91暴露，如图1所示。

在一些示例性实施例中，该显示背板的制备方法，在去除所述光学胶层之后，还包括：

形成有源层，所述有源层的部分与所述第一电极暴露的表面搭接，所述有源层的部分与所述第二电极搭接。

在一些示例性实施例中，该显示背板的制备方法，在去除所述光学胶层之后，还包括：

去除所述第二电极；

形成有源层，所述有源层的部分与所述第一电极暴露的表面搭接，所述有源层的部分设置在所述绝缘层远离所述衬底一侧，作为第二电极。

在一些示例性实施例中，该显示背板的制备方法，在形成有源层之后，还包括：

在所述有源层远离所述衬底一侧形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层远离所述衬底一侧形成栅极，所述栅极与所述有源层在所述衬底的正投影存在交叠；

在所述栅极远离所述衬底一侧形成介质层；

在所述第二电极远离所述衬底一侧形成第二过孔，所述第二过孔暴露出所述第二电极的至少部分表面，所述第二过孔均与所述栅极和所述有源层在所述衬底的正投影不交叠；

在所述介质层上形成连接电极，所述连接电极通过所述第二过孔与所述第二电极暴露的表面连接。

在一些示例性实施例中，该显示背板的制备方法，在所述有源层远离所述衬底一侧形成栅极绝缘层包括：

在所述衬底101的一侧依次形成半导体薄膜和栅极绝缘薄膜；

通过同一构图工艺，使所述半导体薄膜和所述栅极绝缘薄膜分别形成所述有源层40和所述栅极绝缘层50，栅极绝缘层50与有源层40在所述衬底101的正投影完全交叠，如图3所示。

在一些示例性实施例中，该显示背板的制备方法，在所述有源层远离所述衬底一侧形成栅极绝缘层包括：

在所述衬底101的一侧依次形成栅极绝缘薄膜和栅极薄膜；

通过同一构图工艺，使所述栅极绝缘薄膜和栅极薄膜分别形成所述栅极绝缘层和所述栅极，栅极绝缘层50和栅极60在所述衬底101的正投影完全交叠，且有源层40在所述衬底101的正投影均位于栅极绝缘层50和栅极60在所述衬底101的正投影中，如图4所示。

在一些示例性实施例中，该显示背板的制备方法，在所述有源层上形成栅极绝缘层包括：

在所述衬底101上依次形成栅极绝缘薄膜和栅极薄膜；

通过同一构图工艺，使所述栅极绝缘薄膜和栅极薄膜分别形成所述栅极绝缘层和所述栅极，栅极绝缘层50和栅极60在所述衬底101的正投影完全交叠，且栅极绝缘层50和栅极60在所述衬底101的正投影均位于有源层40在所述衬底101的正投影中，如图5所示。

在一些示例性实施例中，该显示背板的制备方法，在所述有源层上形成栅极绝缘层包括：

在所述衬底上形成栅极绝缘薄膜；

使所述栅极绝缘薄膜形成所述栅极绝缘层50，所述第一电极在所述衬底的正投影、所述第二电极在所述衬底的正投影以及所述有源层在所述衬底的正投影均位于所述栅极绝缘层在所述衬底的正投影中，且有源层40在所述衬底101的正投影位于栅极60在所述衬底101的正投影中，如图6所示。

在一些示例性实施例中，该显示背板的制备方法，在所述有源层上形成栅极绝缘层包括：

在所述衬底上形成栅极绝缘薄膜；

使所述栅极绝缘薄膜形成所述栅极绝缘层50，所述第一电极在所述衬底的正投影、所述第二电极在所述衬底的正投影以及所述有源层在所述衬底的正投影均位于所述栅极绝缘层在所述衬底的正投影中，且栅极60在所述衬底101的正投影位于有源层40在所述衬底101的正投影中，如图7所示。

本发明实施例还提供了一种虚拟显示装置，包括前面任一所述的显示背板。该显示装置可以为VR显示装置或AR显示装置等。本申请实施例对上述虚拟显示装置的具体形式不做特殊限制。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。

Claims (14)

1.一种显示背板，其特征在于，包括：

衬底；

第一电极，设置在所述衬底的一侧；

绝缘层，设置在所述第一电极远离所述衬底一侧；

第一过孔，贯穿所述绝缘层，所述第一过孔延伸至所述第一电极的表面，所述第一过孔包括侧壁；

第二电极，设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二电极位于所述第一过孔的一侧，所述第二电极侧壁的至少部分与所述第一过孔的部分侧壁位于同一平面。

2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第二电极在所述衬底正投影的形状包括L形、圆弧状和V形中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第一过孔还包括底壁，所述第一过孔的底壁为所述第一电极的表面，所述第一过孔的侧壁与所述第一电极的底壁形成的夹角为90度至140度。

4.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第二电极与所述第一电极在所述衬底的正投影存在交叠。

5.根据权利要求1至4任一所述的显示背板，其特征在于，还包括有源层，所述有源层的部分与所述第一电极的至少部分表面搭接，所述有源层的部分与所述第二电极搭接。

6.根据权利要求5所述的显示背板，其特征在于，还包括：

栅极绝缘层，设置在所述有源层远离所述衬底一侧；

栅极，设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底一侧，所述栅极与所述有源层在所述衬底的正投影存在交叠；

介质层，设置在所述栅极远离所述衬底一侧；

第二过孔，位于所述第二电极远离所述衬底一侧，所述第二过孔延伸至所述第二电极的表面，所述第二过孔均与所述栅极和所述有源层在所述衬底的正投影不交叠；

连接电极，设置在所述介质层远离所述衬底一侧，所述连接电极通过所述第二过孔与所述第二电极的表面连接。

7.根据权利要求6所述的显示背板，其特征在于，还包括第一走线，所述第一走线与所述栅极连接，所述第一走线沿着第一方向延伸，所述第一走线在第二方向的长度小于所述栅极在所述第二方向的长度，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述衬底，且互相交叉。

8.根据权利要求6所述的显示背板，其特征在于，所述第一过孔在所述衬底的正投影位于所述栅极在所述衬底的正投影中。

9.根据权利要求6所述的显示背板，其特征在于，所述栅极绝缘层与所述有源层在所述衬底的正投影完全交叠。

10.根据权利要求6所述的显示背板，其特征在于，所述栅极绝缘层与所述栅极在所述衬底的正投影完全交叠。

11.根据权利要求10所述的显示背板，其特征在于，所述栅极在所述衬底的正投影位于所述有源层在所述衬底的正投影中。

12.根据权利要求10所述的显示背板，其特征在于，所述有源层在所述衬底的正投影位于所述栅极在所述衬底的正投影中。

13.根据权利要求6所述的显示背板，其特征在于，所述第一电极在所述衬底的正投影、所述第二电极在所述衬底的正投影以及所述有源层在所述衬底的正投影均位于所述栅极绝缘层在所述衬底的正投影中。

14.一种虚拟显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至13任一所述的显示背板。