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CN111668381B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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CN111668381B CN202010565660.XA CN202010565660A CN111668381B CN 111668381 B CN111668381 B CN 111668381B CN 202010565660 A CN202010565660 A CN 202010565660A CN 111668381 B CN111668381 B CN 111668381B
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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板，包括：位于驱动背板的平坦层上的多个具有平坦的中间部的第一电极，相邻两个第一电极之间具有暴露出平坦层的平坦表面的间隔槽；漏电截断层，位于所述第一电极层上，且位于相邻两个所述第一电极之间，所述漏电截断层开设有与所述间隔槽相对应且暴露出平坦层平坦表面的截断槽，所述漏电截断层搭接在至少一侧所述中间部的表面上；发光功能层，位于漏电截断层和第一电极层背离驱动背板的一侧。该显示基板，在一个像素发光时，电流不会通过空穴注入层传输到相邻的其它像素，避免了横向漏电和串扰的现象，提高了显示器的品质和色纯度。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
近年来，硅基有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)微型显示器作为近眼显示器常应用于虚拟现实(Virtual Reality，VR)/增强现实(AugmentedReality，AR)领域。硅基半导体工艺成熟、集成度高，可以实现超高PPI显示。
在使用中发现，硅基OLED微型显示器存在串色或串扰现象，影响了显示器的色域，降低了显示器的品质和色纯度。
发明内容
本公开实施例的目的是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决硅基OLED显示器串色或串扰的现象。
为了解决上述技术问题，本公开实施例提供一种显示基板，包括：
驱动背板，包括驱动结构层和覆盖所述驱动结构层的平坦层，所述平坦层为无机层，所述平坦层开设有过孔，所述过孔内填充有导电金属，所述平坦层在所述过孔之外位置具有平坦表面；
第一电极层，位于所述平坦层背离所述驱动结构层的一侧，所述第一电极层包括多个阵列分布的第一电极，相邻两个所述第一电极之间具有暴露出所述平坦层的平坦表面的间隔槽，所述第一电极包括平坦的中间部，所述第一电极通过所述过孔内的导电金属与所述驱动结构层电连接；
漏电截断层，位于所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧，所述漏电截断层位于相邻两个所述第一电极之间，所述漏电截断层开设有与所述间隔槽相对应且暴露出所述平坦层的平坦表面的截断槽，所述截断槽的深度大于或等于所述中间部的厚度，所述漏电截断层搭接在至少一侧所述中间部的背离所述驱动背板一侧的表面上；
发光功能层，位于所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧；
第二电极层，位于所述发光功能层背离所述驱动背板的一侧。
在一些可能的实现方式中，位于所述截断槽两侧的所述漏电截断层均搭接在对应的所述中间部的背离所述驱动背板一侧的表面上，所述漏电截断层覆盖所述第一电极的朝向所述间隔槽的侧面。
在一些可能的实现方式中，所述第一电极还包括围绕所述中间部的爬坡部，所述第二电极层包括多个与所述中间部对应设置的平缓部和位于相邻两个所述平缓部之间的连接部，在垂直于所述驱动背板的方向上，位于所述平缓部和所述中间部之间的发光功能层的厚度为d0，搭接在所述中间部上的漏电截断层的厚度与所述中间部的厚度之和的最小值为d1，d1与d0的比值为0.3至1。
在一些可能的实现方式中，在垂直于所述驱动背板的方向上，所述中间部的厚度与搭接在所述中间部上的漏电截断层的厚度的比值为2至4。
在一些可能的实现方式中，所述中间部的厚度为1000埃至1800埃，搭接在所述中间部表面上的漏电截断层的厚度为300埃至800埃。
在一些可能的实现方式中，在垂直于所述驱动背板方向上，所述中间部的厚度与所述第二电极层的平缓部的厚度的比值为7至13。
在一些可能的实现方式中，所述第一电极包括位于所述驱动背板表面上的复合导电层和位于所述复合导电层背离所述驱动背板一侧的保护导电层，所述保护导电层的外围与所述驱动背板的表面接触，所述保护导电层的材质包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种，
所述复合导电层包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层的材质包括钛，所述第二导电层的材质包括银和铝中的至少一种；或者，
所述复合导电层包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层的材质包括钛，所述第二导电层的材质包括银和铝中的至少一种，所述第三导电层的材质包括钛。
在一些可能的实现方式中，在平行于驱动背板的平面上，所述漏电截断层与所述中间部的搭接区域的宽度为0.05μm至0.3μm，搭接区域的宽度为搭接区域在与所述漏电截断层延伸方向相垂直方向上的尺寸。
在一些可能的实现方式中，所述截断槽的宽度为0.3μm至1.5μm，所述截断槽的宽度为所述截断槽在与所述截断槽的延伸方向相垂直方向上的尺寸。
在一些可能的实现方式中，位于所述截断槽两侧的所述漏电截断层均覆盖对应的所述第一电极的朝向所述截断槽一侧的表面。
在一些可能的实现方式中，所述截断槽的侧壁的坡度角为60°至120°，所述截断槽的侧壁的坡度角为所述截断槽的侧壁与所述截断槽的底壁之间的角度。
在一些可能的实现方式中，所述第一电极还包括围绕所述中间部的爬坡部，所述爬坡部的坡度角为70°至90°，所述爬坡部的坡度角为所述爬坡部与所述间隔槽的底壁之间的角度。
在一些可能的实现方式中，所述发光功能层包括自所述第一电极朝向所述第二电极层一侧叠层设置的空穴注入层、空穴传输层、第一发光层、第二发光层、中间层、第三发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，所述空穴注入层的厚度为70埃至130埃。
在一些可能的实现方式中，所述第一发光层为红光发光层，所述第二发光层为绿光发光层，所述第三发光层为蓝光发光层。
为了解决上述技术问题，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动结构层和覆盖所述驱动结构层的平坦层，所述平坦层为无机层，所述平坦层开设有过孔，所述过孔内填充有导电金属，所述平坦层在所述过孔之外位置具有平坦表面；
在所述平坦层背离所述驱动结构层的一侧表面上形成第一电极层，所述第一电极层包括多个阵列分布的第一电极，相邻两个所述第一电极之间具有暴露出所述平坦层的平坦表面的间隔槽，所述第一电极包括平坦的中间部，所述第一电极通过所述过孔内的导电金属与所述驱动结构层电连接；
在形成所述第一电极层的平坦层表面上形成漏电截断层，所述漏电截断层位于相邻两个所述第一电极之间，所述漏电截断层开设有与所述间隔槽相对应且暴露出所述平坦层的平坦表面的截断槽，所述截断槽的深度大于或等于所述中间部的厚度，所述漏电截断层搭接在至少一侧所述中间部的背离所述驱动背板一侧的表面上；
在所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧形成发光功能层；
在所述发光功能层背离驱动背板的一侧形成第二电极层。
在一些可能的实现方式中，在所述平坦层背离所述驱动结构层的一侧表面上形成第一电极层，包括：
在所述平坦层背离所述驱动结构层的一侧表面上涂覆胶层，对胶层进行掩膜曝光并显影，在所述第一电极位置形成完全曝光区域以去除胶层而暴露出所述平坦层的表面，在其它位置形成未曝光区域保留胶层；
在形成胶层图案的驱动背板上沉积复合导电薄膜，在完全曝光区域，所述复合导电薄膜沉积在所述平坦层表面上，在未曝光区域，所述复合导电薄膜沉积在胶层表面上；
去除未曝光区域的胶层以去除位于胶层表面上的复合导电薄膜，位于完全曝光区域的复合导电薄膜形成复合导电层；
在形成所述复合导电层的平坦层表面上沉积保护导电薄膜，采用包括干法刻蚀的图案化工艺对保护导电薄膜进行图案化处理，形成覆盖所述复合导电层的保护导电层，所述保护导电层的外围与所述平坦层的表面接触。
在一些可能的实现方式中，所述保护导电层的材质包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种，
所述复合导电层包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层的材质包括钛，所述第二导电层的材质包括银和铝中的至少一种；或者，
所述复合导电层包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层的材质包括钛，所述第二导电层的材质包括银和铝中的至少一种，所述第三导电层的材质包括钛。
为了解决上述技术问题，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示基板。
本公开实施例的显示基板，当整面蒸镀发光功能层时，发光功能层的空穴注入层可以被截断槽形成的深槽截断，使得位于漏电截断层的两侧的空穴注入层彼此断开。从而，在一个像素工作状态下(即一个像素发光)，电流就不会从第一电极通过空穴注入层传输到相邻的其它像素，避免了横向漏电，避免了伴随发光或串扰的现象，提高了显示器的色域，提高了显示器的品质和色纯度。
本公开技术方案的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开技术方案而了解。本公开技术方案的目的和优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为一种硅基OLED显示面板的结构示意图；
图2为本公开一个示例性实施例中显示基板的平面结构示意图；
图3为图2所示显示基板在一个示例性实施例中的A-A截面结构示意图；
图4为一种发光功能层的结构示意图；
图5a为显示基板中形成胶层图案后的结构示意图；
图5b为显示基板中沉积复合导电薄膜后的结构示意图；
图5c为显示基板中形成复合导电层后的结构示意图；
图6为显示基板中形成保护导电层后的结构示意图；
图7为显示基板的制备方法的示意图。
附图标记说明：
1、驱动背板；101、基底；102、有源区；103、栅绝缘层；104、栅极；105、第一绝缘层；106、第一走线层；107、第二绝缘层；108、第二走线层；109、平坦层；1091、过孔；2、第一电极层；21、第一电极；22、间隔槽；210、中间部；211、爬坡部；212、第一导电层；213、第二导电层；214、保护导电层；3、发光功能层；31、第一发光单元层；311、空穴注入层；312、空穴传输层；313、第一发光层；314、第二发光层；315、IL层；316、第三发光层；317、HBL层；318、电子传输层；319、电子注入层；4、第二电极层；41、平缓部；42、连接部；421、凹陷部；422、凸起部；5、第一封装层；6、彩膜层；7、透明盖板；8、漏电截断层；82、截断槽；9、第二封装层。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，可以是第一极为漏电极、第二极为源电极，或者可以是第一极为源电极、第二极为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
文中所说的“厚度”为膜层在垂直于驱动背板方向上的尺寸。
图1为一种硅基OLED显示面板的结构示意图。如图1所示，硅基OLED显示面板包括驱动背板1、第一电极层2、发光功能层3、第二电极层4、封装层5、彩膜层6和盖板7。驱动背板1可以为硅基背板。第一电极层2位于驱动背板1的一侧，第一电极层2可以包括多个阵列排布的第一电极21。发光功能层3位于第一电极层2背离驱动背板1的一侧。第二电极层4位于发光功能层3背离驱动背板1的一侧。封装层5位于第二电极层4背离驱动背板1的一侧。彩膜层6位于封装层5背离驱动背板1的一侧，盖板7位于彩膜层6背离驱动背板1的一侧。第一电极21与位于第一电极21上方的发光功能层3和第二电极层4可以形成一个像素。
硅基OLED显示面板尺寸小，可以实现超高PPI显示。硅基OLED显示面板中，相邻第一电极21之间的间隙仅有0.3μm至2μm。发光功能层3包括多个有机层，例如空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层等。硅基OLED显示面板中，制备发光功能层3时，采用整面蒸镀，即相邻像素间的有机层是连接的。空穴注入层导电性较好，在一个像素工作状态下(即一个像素发光)，电流会从第一电极21通过空穴注入层传输到相邻的其它像素，造成横向漏电。显示面板的像素是间隔排列的，当某一像素发光时，相邻的像素由于横向漏电也会有微弱的发光，导致伴随发光或串扰的现象，影响了显示器的色域，降低了显示器的品质和色纯度。
图2为本公开一个示例性实施例中显示基板的平面结构示意图，图2中只示出了第一电极层2和漏电截断层8的局部结构。图3为图2所示显示基板在一个示例性实施例中的A-A截面结构示意图。在一个示例性实施例中，如图3所示，显示基板包括驱动背板1、第一电极层2、漏电截断层8、发光功能层3、第二电极层4。
驱动背板1包括驱动结构层和覆盖驱动结构层的平坦层109。平坦层109可以为无机层，平坦层109的材质可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。平坦层109开设有供第一电极层2与驱动背板1连接的过孔1091，过孔1091内可以填充导电金属(例如钨等)。平坦层109在过孔1091之外位置具有平坦表面。第一电极层2位于平坦层109的表面上，且第一电极层2可通过填充在过孔1091内的导电金属与驱动背板1连接。
第一电极层2位于平坦层109背离驱动结构层的一侧，第一电极层2包括多个阵列分布的第一电极21。相邻两个第一电极21之间具有暴露出平坦层109的平坦表面的间隔槽22，第一电极21包括平坦的中间部210。第一电极21通过过孔内的导电金属与驱动结构层电连接。
漏电截断层8位于第一电极层2背离驱动背板1的一侧。漏电截断层8位于相邻两个第一电极21之间。漏电截断层8开设有与间隔槽22相对应的截断槽82，截断槽82暴露出平坦层109的平坦表面。截断槽82的深度大于或等于中间部210的厚度。漏电截断层8搭接在至少一侧第一电极21的中间部210的背离驱动背板一侧的表面上。截断槽82的深度为搭接在中间部210上的漏电截断层8的上表面与截断槽82底面之间的距离。
发光功能层3位于漏电截断层8和第一电极层2背离驱动背板的一侧。发光功能层3通过截断槽82与驱动背板表面接触。
第二电极层4位于发光功能层3背离驱动背板1的一侧，第二电极层4为连续膜层。
本领域技术人员可以理解，发光功能层包括位于第一电极21表面上的空穴注入层。
本公开实施例的显示基板，漏电截断层8搭接在至少一侧第一电极21的中间部210的背离驱动背板一侧的表面上，截断槽82设置在与间隔槽22对应的位置，并且截断槽82暴露出平坦层109的平坦表面，从而，截断槽82的位置可以形成一个深槽。从而，当整面蒸镀发光功能层3时，发光功能层3的空穴注入层311可以被截断槽82形成的深槽截断，使得位于漏电截断层8的两侧的空穴注入层311彼此断开。从而，在一个像素工作状态下(即一个像素发光)，电流就不会从第一电极通过空穴注入层传输到相邻的其它像素，避免了横向漏电，避免了伴随发光或串扰的现象，提高了显示器的色域，提高了显示器的品质和色纯度。
在一个示例性实施例中，如图2所示，第一电极21呈六边形形状。在其它实施例中，第一电极可以呈其它形状，例如，四边形、八边形或圆形等。第一电极的形状可以根据实际需要确定，在此不作限定。
在一个实施例性实施例中，如图2所示，截断槽82围绕所述第一电极21设置。这样的结构，截断槽82可以将被其围绕的第一电极与任意相邻的第一电极的空穴注入层均截断，避免了相邻像素间横向漏电。
如图3所示，第一电极21包括平坦的中间部210和围绕中间部210的爬坡部211。第二电极层4包括多个平缓部41和位于相邻两个平缓部41之间的连接部42。多个平缓部41阵列分布，且与第一电极21的中间部210一一对应设置。平缓部41在驱动背板上的正投影位于中间部210在驱动背板上的正投影范围内。平缓部41平行或大致平行于中间部210。
如图3所示，连接部42包括凹陷部421和位于凹陷部421两侧的凸起部422。凹陷部421相较于平缓部41朝向驱动背板的一侧凹陷，凸起部422连接凹陷部421和平缓部41，凸起部422相较于平缓部41朝向背离驱动背板的一侧凸起。
在一个示例性实施例中，如图3所示，位于截断槽82两侧的漏电截断层8均搭接在对应的第一电极21的背离驱动背板1一侧的表面上，也就是说，位于截断槽82两侧的漏电截断层8均搭接在对应的第一电极21的中间部210上。这样的结构，漏电截断层8不仅可以将相邻像素的空穴注入层断开，而且还可以将被断开的空穴注入层限定在对应的像素范围，保证像素出光面积均匀。
在一个示例性实施例中，如图3所示，漏电截断层8的两侧对称地搭接在对应的中间部210的背离驱动背板一侧的表面上。
在一个示例性实施例中，第二电极层4覆盖发光功能层3，可以向第一电极21和第二电极层4施加驱动信号，使得发光功能层3位于第一电极21和第二电极层4之间的部分发光。
在一个示例性实施例中，如图3所示，在垂直于驱动背板的方向上，位于平缓部41和中间部210之间的发光功能层3的厚度为d0。在垂直于驱动背板的方向上，搭接在中间部210上的漏电截断层8的厚度与中间部210的厚度之和的最小值为d1。d1与d0的比值范围为0.3至1。例如，d1与d0的比值可以为0.3至1中的任意一个数值。在一个示例性实施例中，d1与d0的比值可以为0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1中的一个数值。本领域技术人员可以理解，d1的值可以为截断槽82形成的深槽的深度。将深槽的深度与发光功能层的厚度之比设置在0.3至1范围，可以保证漏电截断层可以将空穴注入层截断，避免横向漏电。
在一个示例性实施例中，在垂直于驱动背板的方向上，中间部210的厚度与搭接在中间部210表面上的漏电截断层的厚度的比值为2至4。例如，中间部210的厚度与搭接在中间部210表面上的漏电截断层的厚度的比值可以为2、2.5、3、3.5、4中的一个数值。在一个示例性实施例中，中间部210的厚度为1000埃至1800埃，中间部210表面上的漏电截断层的厚度为300埃至800埃。例如，中间部210的厚度可以为1000埃、1100埃、1200埃、1300埃、1400埃、1500埃、1600埃、1700埃、1800埃中的一个数值，中间部210表面上的漏电截断层的厚度可以为300埃、400埃、500埃、600埃、700埃、800埃中的一个数值。在选择中间部的厚度和搭接在中间部表面上的漏电截断层的厚度时，要使得中间部210的厚度与搭接在中间部210表面上的漏电截断层的厚度的比值为2至3。
图3中，在漏电截断层8与中间部210搭接的区域，漏电截断层8的背离驱动背板一侧的表面呈平坦表面，但并不限定于平坦表面。在其它实施例中，在漏电截断层8与中间部210搭接的区域，漏电截断层8的背离驱动背板一侧的表面还可以呈非平坦表面，例如波浪面或弧形面等不规则表面。
在一个示例性实施例中，如图3所示，在平行于驱动背板的平面上，漏电截断层8与中间部210的搭接区域的宽度w1可以为0.05μm至0.3μm。例如，宽度w1可以为0.05μm、0.1μm、0.15μm、0.2μm、0.25μm、0.3μm中的一个数值。搭接区域的宽度为搭接区域在与漏电截断层延伸方向相垂直方向上的尺寸。本领域技术人员可以理解，在后续形成第二电极层时，第二电极层的凸起部422与搭接区域相对应。将漏电截断层8与中间部210搭接区域的宽度w1设置为0.05μm至0.3μm，可以保证凸起部422的平缓度，避免第二电极层出现断裂。
在一个示例性实施例中，如图3所示，截断槽82的宽度w2为0.3μm至1.5μm。截断槽82的宽度可以为0.3μm至1.5μm中的任意一个数值。本领域技术人员可以理解，在后续形成第二电极层时，第二电极层的凹陷部421与截断槽82所在位置相对应。将截断槽82的宽度设为.3μm至1.5μm，可以防止第二电极层在断裂。
本领域技术人员可以理解，第二电极层的凹陷部421与截断槽82位置的深槽相对应。在一个示例性实施例中，如图3所示，第一电极21的爬坡部211的坡度角θ为70°至90°，例如，爬坡部211的坡度角θ为70°、75°、80°、85°、90°中的一个数值。坡度角θ为爬坡部与间隔槽的底壁之间的角度。
在一个示例性实施例中，如图3所示，截断槽82的侧壁的坡度角β为60°至120°。例如，坡度角β为可以为60°、65°、70°、75°、80°、85°、90°、95°、100°、105°、110°、115°、120°中的一个数值。当坡度角β为60°至90°时，截断槽82自驱动背板朝向远离驱动背板的方向呈缩口状即截断槽82呈正梯形槽。当坡度角β为90°至120°，截断槽82自驱动背板朝向远离驱动背板的方向呈扩口状即截断槽82呈倒梯形槽。所述截断槽的侧壁的坡度角β为所述截断槽的侧壁与所述截断槽的底壁之间的角度。
本领域技术人员可以理解，θ和β可以决定截断槽82形成的深槽的侧壁的坡度角。将θ设置为70°至90°，β设置为60°至120°，可以保证深槽可以截断空穴注入层，并且可以保证凹陷部421的平缓度，避免第二电极层在凹陷部421出现断裂。
在一个示例性实施例中，如图3所示，第一电极21的侧面未通过截断槽82暴露出来，也就是说，位于截断槽82两侧的漏电截断层均覆盖对应的第一电极21朝向间隔槽的侧面。这样的结构，漏电截断层可以覆盖第一电极21朝向截断槽一侧的表面，减小相邻两个第一电极之间的耦合电容，有利于降低干扰。
在一个示例性实施例中，如图3所示，在垂直于驱动背板方向上，中间部210的厚度与第二电极层的平缓部41的厚度的比值为7至13。在一个示例性实施例中，第二电极层的材料可以包括镁、银中的至少一种，平缓部41的厚度为140埃至200埃，例如，平缓部41的厚度可以为140埃、150埃、160埃、170埃、180埃、190埃、200埃中的一个数值。在一个示例性实施例中，第二电极层的材料可以包括氧化铟锡、氧化铟锌等透明材料中的一种，平缓部的厚度可以大于1200埃。
在一个示例性实施例中，漏电截断层8的材质可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。在一个示例性实施例中，漏电截断层的材质可以为有机材料，例如，树脂材料等。
在一个示例性实施例中，如图3所示，第一电极21可以为多层结构。例如，第一电极21可以包括位于驱动背板表面上的复合导电层和位于复合导电层背离驱动背板一侧的保护导电层214。保护导电层214的外围以一定的坡度向驱动背板延伸，并与驱动背板的表面接触而形成爬坡部211。
在一个示例性实施例中，保护导电层214的材质可以包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一种。
在一个示例性实施例中，复合导电层可以包括自所述驱动背板1朝向所述发光功能层3依次叠层设置的第一导电层212和第二导电层213，所述第一导电层212的材质可以包括钛(Ti)，所述第二导电层213的材质可以包括银(Ag)和铝(Al)中的至少一种。
在一个示例性实施例中，复合导电层可以包括自所述驱动背板1朝向所述发光功能层3依次叠层设置的第一导电层212、第二导电层213和第三导电层(图中未示出)，所述第一导电层212的材质可以包括钛(Ti)，所述第二导电层213的材质可以包括银(Ag)和铝(Al)中的至少一种，所述第三导电层的材质可以包括钛。
保护导电层214的外围以一定的坡度向驱动背板延伸，并与驱动背板的表面接触，从而，保护导电层214可以将复合导电层包覆，对复合导电层中的第二导电层213(第二导电层可以用作反射层)进行保护。从而，在刻蚀过程中，可以防止刻蚀工艺对第二导电层产生影响。
在一个示例性实施例中，可以采用原子层沉积的方式在发光功能层3背离驱动背板的一侧沉积导电材料，来形成第二电极层，从而可以保证第二电极层4为连续的膜层。并且，采用原子层沉积的方式形成第二电极层4，不会对发光功能层造成损伤。
本领域技术人员可以理解，在漏电截断层8背离驱动背板的一侧整体蒸镀发光功能层3，在发光功能层3背离驱动背板的一侧沉积第二电极层4，所以，形成的发光功能层的形貌与漏电截断层和第一电极层的上表面形貌相匹配，第二电极层4的形貌与发光功能层的上表面形貌相匹配。因此，凹陷部421的形貌与截断槽82位置的形貌对应，凸起部422的形貌与漏电截断层与中间部搭接区域的形貌相对应。
在一个示例性实施例中，凹陷部421侧壁的坡度角α小于或等于65°。这样就可以保证凹陷部的平缓度，避免第二电极层在凹陷部断裂。
图3中示出的凹陷部的底面为平坦面，但凹陷部的底面并不限定于平坦面，凹陷部的底面可以为弧形面或凹凸面等形状，只要凹陷部整体上为朝向驱动背板方向凹陷即可。图3中示出的凸起部的顶面为平坦面，但凸起部的顶面并不限定于平坦面，凸起部的顶面可以为弧形面或凹凸面等形状，只要凸起部整体上为朝向背离驱动背板的方向凸起即可。
在一个示例性实施例中，发光功能层3可以包括由第一电极21朝向第二电极层方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
图4为一种发光功能层的结构示意图。在一个示例性实施例中，如图4所示，发光功能层3包括自第一电极21朝向第二电极层4依次叠层设置的空穴注入层311、空穴传输层312、第一发光层313、第二发光层314、中间层(IL层)315、第三发光层316、空穴阻挡层317、电子传输层318、电子注入层319。
在一个示例性实施例中，空穴注入层311的厚度可以为70埃至130埃，例如，空穴注入层311的厚度可以为70埃、80埃、90埃、100埃、110埃、120埃、130埃中的一个数值。
在一个示例性实施例中，空穴传输层312的厚度可以为70埃至130埃，例如，空穴传输层312的厚度可以为70埃、80埃、90埃、100埃、110埃、120埃、130埃中的一个数值。
在一个示例性实施例中，第一发光层313的厚度可以为70埃至130埃，例如，第一发光层313的厚度可以为70埃、80埃、90埃、100埃、110埃、120埃、130埃中的一个数值。
在一个示例性实施例中，第二发光层314的厚度可以为250埃至350埃，例如，第二发光层314的厚度可以为250埃、280埃、300埃、320埃、350埃中的一个数值。
在一个示例性实施例中，中间层315的厚度可以为30埃至100埃。例如，中间层315的厚度可以为30埃、40埃、50埃、60埃、70埃、80埃、90埃、100埃中的一个数值。
在一个示例性实施例中，第三发光层316的厚度可以为200埃至300埃，例如，第三发光层316的厚度可以为200埃、230埃、250埃、280埃、300埃中的一个数值。
在一个示例性实施例总，空穴阻挡层317的厚度可以为30埃至100埃。例如，空穴阻挡层317的厚度可以为30埃、40埃、50埃、60埃、70埃、80埃、90埃、100埃中的一个数值。
在一个示例性实施例中，电子传输层318的厚度可以为250埃至350埃，例如，电子传输层318的厚度可以为250埃、280埃、300埃、320埃、350埃中的一个数值。
在一个示例性实施例中，电子注入层319的厚度可以为800埃至1000埃，例如，电子注入层319的厚度可以为800埃、820埃、840埃、850埃、880埃、900埃、920埃、940埃、950埃、980埃、1000埃中的一个数值。
在一个示例性实施例中，第一发光层313可以为可以发出红光的发光层。第二发光层314可以为可以发出绿光的发光层。第三发光层16可以为可以发出蓝光的发光层。
在一个示例性实施例中，如图3所示，驱动背板1可以包括驱动结构层和覆盖驱动结构层的平坦层109。驱动结构层可以包括多个驱动晶体管，用于驱动各个发光器件发光，以显示图像。以一个顶栅结构的驱动晶体管为例，驱动背板1包括基底101、栅绝缘层103、栅极104、第一绝缘层105和第一走线层106。该基底101的材料可为单晶硅或多晶硅等，在此不做特殊限定。基底101可包括有源区102和位于有源区102两端的源极1021和漏极1022。栅绝缘层103覆盖有源区102。栅极104设于栅绝缘层103背离基底101的表面。第一绝缘层105覆盖栅极104和基底101，第一绝缘层105材料可包括氧化硅和氮化硅中至少一个。第一走线层106设于第一绝缘层105背离基底101的表面，第一走线层106包括多条金属走线。栅极104、源极1021和漏极1022均通过钨或其它金属填充的过孔与第一走线层106中对应的金属走线连接。在一个示例性实施例中，栅极104的材料可以为重掺杂的多晶硅。
此外，驱动背板1还可包括第二绝缘层107和第二走线层108，第二绝缘层107覆盖第一走线层106和第一绝缘层105，第二走线层108设于第二绝缘层107背离基底101的表面，第二走线层108的图案在此不做特殊限定，其可通过钨或其它金属填充的过孔与第一走线层106连接。
在一个示例性实施例中，如图3所示，平坦层109位于第二走线层108背离基底101的一侧。平坦层109可以为无机层，平坦层109的材质可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。平坦层109开设有供第一电极21与第二走线层108连接的过孔，过孔内可以填充导电金属(例如钨等)。平坦层109在过孔之外位置具有平坦表面。第一电极层2位于平坦层109背离基底101的表面，且第一电极21可通过填充在过孔内的导电金属与第二走线层108连接。在一个示例性实施例中，在第二走线层108背离基底101的一侧沉积无机薄膜后，可以采用抛光工艺形成平坦层109在过孔之外位置的平坦表面。
在一个示例性实施例中，如图3所示，显示基板还可以包括第一封装层5、彩膜层6、第二封装层9和透明盖板7。第一封装层5可以覆盖第二电极4。第一封装层5可以包括两层无机层和位于两层无机层之间的有机层。彩膜层6位于第一封装层5背离第二电极层4的一侧，且彩膜层6包括一一对应于各第一电极21的滤光区，滤光区的颜色有多种，例如红色、蓝色和绿色。第二封装层9可覆盖彩膜层6，第二封装层9结构可以与第一封装层5相同。透明盖板7可以覆盖第二封装层9，透明盖板7的材质可以是玻璃或其它透明材料。
在一个示例性实施例中，如图3，显示基板还可以包括位于第二电极层4与第一封装层5之间的光提取层(图中未示出)。光提取层可以与第第二电极层4的平缓部41对应设置。
下面通过显示基板的制备过程说明本公开实施例显示基板的结构。下文中用“图案化工艺”表示每次形成图案化的过程，对于无机材质(例如金属层、无机层等)，“图案化工艺”可以包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶处理；对于有机材质(例如光刻胶、有机树脂等)，“图案化工艺”可以包括掩膜曝光、显影处理。沉积可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成。膜层的“厚度”为膜层在垂直于驱动背板方向上的尺寸。
S1：提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动结构层和覆盖所述驱动结构层的平坦层109，所述平坦层109为无机层，所述平坦层开设有过孔1091，所述过孔1091内填充有导电金属，所述平坦层109在所述过孔1091之外位置具有平坦表面。
S2：在驱动背板的平坦层109的表面上形成第一电极层，第一电极层包括多个阵列分布的第一电极21，相邻两个所述第一电极21之间具有暴露出平坦层109的平坦表面的间隔槽22，所述第一电极21包括平坦的中间部，所述第一电极通过所述过孔内的导电金属与所述驱动结构层电连接。该步骤可以包括：
S21：在平坦层109背离驱动结构层的一侧表面(平坦层109的表面)上涂覆胶层，对胶层进行掩膜曝光并显影，在所述第一电极位置形成完全曝光区域以去除胶层而暴露出平坦层109的表面，在其它位置形成未曝光区域保留胶层。在一个示例性实施例中，胶层包括叠层设置的抗反射胶201和光刻胶202。S21步骤可以包括：
在平坦层109表面上依次涂覆抗反射胶(Barc胶)201和光刻胶202；对光刻胶202和Barc胶201进行掩膜曝光并显影，在第一电极位置形成完全曝光区域以去除胶层而暴露出平坦层109的表面，在其它位置形成未曝光区域，保留Barc胶和光刻胶而形成胶层图案，如图5a所示，图5a为显示基板中形成胶层图案后的结构示意图。
S22：在形成胶层图案的平坦层上沉积复合导电薄膜，在完全曝光区域，所述复合导电薄膜沉积在平坦层表面上，在未曝光区域，所述复合导电薄膜沉积在胶层表面上，如图5b所述，图5b为显示基板中沉积复合导电薄膜后的结构示意图。
在一个示例性实施例中，复合导电薄膜包括自所述驱动背板1朝向所述发光功能层3依次叠层设置的第一导电薄膜212’和第二导电薄膜213’，第一导电薄膜212’的材质包括钛，第二导电薄膜213’的材质包括银和铝中的至少一种。
在一个示例性实施例中，复合导电薄膜可以包括自所述驱动背板1朝向所述发光功能层3依次叠层设置的第一导电薄膜212’、第二导电薄膜213’和第三导电薄膜(图中未示出)，第一导电薄膜212’的材质包括钛，第二导电薄膜213’的材质包括银和铝中的至少一种，第三导电薄膜的材质可以包括钛。
在一个示例性实施例中，可以采用采用电子束蒸镀的方法形成第一导电薄膜、第二导电薄膜和第三导电薄膜。
S23：去除未曝光区域的胶层以去除位于胶层表面上的复合导电薄膜，位于完全曝光区域的复合导电薄膜形成复合导电层。S23步骤可以包括：剥离未曝光区域的光刻胶202，位于光刻胶上的复合导电薄膜随着光刻胶一同去除；采用显影工艺去除剩余的Barc胶201。从而，位于完全曝光区域的复合导电薄膜形成复合导电层，如图5c所示，图5c为显示基板中形成复合导电层后的结构示意图。
在一个示例性实施例中，如图5c所示，复合导电层可以包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层212和第二导电层213，所述第一导电层212的材质包括钛，所述第二导电层213的材质包括银和铝中的至少一种。
在一个示例性实施例中，所述复合导电层包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层的材质包括钛，所述第二导电层的材质包括银和铝中的至少一种，所述第三导电层的材质包括钛。
S24：在形成所述复合导电层的平坦层表面上沉积保护导电薄膜，采用包括干法刻蚀的图案化工艺对保护导电薄膜进行图案化处理，形成覆盖所述复合导电层的保护导电层，所述保护导电层的外围与所述驱动背板的表面接触。在一个示例性实施例中，S24可以包括：
在形成复合导电层的平坦层表面上沉积保护导电薄膜，在保护导电薄膜上涂覆光刻胶；对光刻胶进行掩膜曝光并显影，在第一电极位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，无光刻胶而暴露出保护导电薄膜；对暴露的保护导电薄膜进行干法刻蚀；剥离剩余的光刻胶，形成保护导电层214的图案。保护导电层214覆盖复合导电层。保护导电层214的外围朝向驱动背板延伸，并与平坦层109的表面接触，如图6所示，图6为显示基板中形成保护导电层后的结构示意图。
保护导电层214的外围朝向平坦层表面延伸，并与平坦层109的表面接触，从而，保护导电层214可以将复合导电层包覆，对复合导电层中的第二导电层213(第二导电层可以用作反射层)进行保护。在刻蚀过程中，可以防止刻蚀工艺对第二导电层产生影响。保护导电层314的材质可以包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一种。在一个示例性实施例中，可以采用电子束蒸镀的方法沉积保护导电薄膜。
如图6所示，相邻两个第一电极21之间具有暴露出平坦层109表面的间隔槽22。保护导电层214的外围以一定的坡度向平坦层109延伸，并与平坦层109的表面接触而形成爬坡部211。爬坡部211与间隔槽22底壁之间的角度为爬坡部211的坡度角θ。
形成复合导电层的过程中，未采用刻蚀工艺，形成保护导电层过程中采用干法刻蚀，这样形成第一电极层的方法，不再采用湿法刻蚀工艺，满足了显示面板高PPI的要求，并且，在形成第二导电层(金属银图案)过程中不再采用刻蚀工艺，克服了干法刻蚀金属银困难的问题。
S3：在形成第一电极层的平坦层表面上形成漏电截断层8，漏电截断层8位于相邻两个第一电极21之间。该步骤可以包括：在形成第一电极层的平坦层上形成漏电截断薄膜，通过图案化工艺对漏电截断薄膜进行图案化处理，形成位于相邻两个第一电极之间的漏电截断层8。漏电截断层8开设有与间隔槽22相对应的截断槽82，截断槽82暴露出平坦层的平坦表面，所述截断槽的深度大于或等于所述中间部的厚度，漏电截断层8搭接在至少一侧第一电极21的中间部的背离驱动背板一侧的表面上。如图3所示。在一个示例性实施例中，漏电截断层8的材质可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。在一个示例性实施例中，漏电截断层的材质可以为有机材料，例如，树脂材料等。
S4：在所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧形成发光功能层，所述发光功能层包括位于所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板一侧的空穴注入层，位于截断槽82两侧的空穴注入层彼此断开。可以采用本领域常规技术形成发光功能层，例如，可以采用大开口掩膜蒸镀的方法在驱动背板上蒸镀发光功能层的有机膜层。当采用大开口掩膜蒸镀空穴注入层时，截断槽82可以使位于其两侧的空穴注入层彼此断开。
S5：在发光功能层背离驱动背板的一侧形成第二电极层。可以采用本领域常规技术形成第二电极层，第二电极层为连续的膜层，也就是说，多个OLED发光器件的第二电极层为连续的一体结构膜层。在一个示例性实施例中，可以采用原子层沉积(ALD)的工艺形成第二电极层，从而可以防止第二电极层出现断裂，保证第二电极层为连续的膜层。
本领域技术人员可以理解，可以采用本领域常规技术在第二电极层上依次形成第一封装层5、彩膜层6、第二封装层9，在此不再赘述。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，如图7所示，图7为显示基板的制备方法的示意图。显示基板的制备方法，可以包括：
提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动结构层和覆盖所述驱动结构层的平坦层，所述平坦层为无机层，所述平坦层开设有过孔，所述过孔内填充有导电金属，所述平坦层在所述过孔之外位置具有平坦表面；
在所述平坦层背离所述驱动结构层的一侧表面上形成第一电极层，所述第一电极层包括多个阵列分布的第一电极，相邻两个所述第一电极之间具有暴露出所述平坦层的平坦表面的间隔槽，所述第一电极包括平坦的中间部，所述第一电极通过所述过孔内的导电金属与所述驱动结构层电连接；
在形成所述第一电极层的平坦层表面上形成漏电截断层，所述漏电截断层位于相邻两个所述第一电极之间，所述漏电截断层开设有与所述间隔槽相对应且暴露出所述平坦层的平坦表面的截断槽，所述截断槽的深度大于或等于所述中间部的厚度，所述漏电截断层搭接在至少一侧所述中间部的背离所述驱动背板一侧的表面上；
在所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧形成发光功能层；
在所述发光功能层背离驱动背板的一侧形成第二电极层。
关于显示基板的制备方法的详细过程已经在上文中说明，在此不再赘述。
本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括采用前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
驱动背板，包括驱动结构层和覆盖所述驱动结构层的平坦层，所述平坦层为无机层，所述平坦层开设有过孔，所述过孔内填充有导电金属，所述平坦层在所述过孔之外位置具有平坦表面；
第一电极层，位于所述平坦层背离所述驱动结构层的一侧，所述第一电极层包括多个阵列分布的第一电极，相邻两个所述第一电极之间具有暴露出所述平坦层的平坦表面的间隔槽，所述第一电极包括平坦的中间部，所述第一电极通过所述过孔内的导电金属与所述驱动结构层电连接；
漏电截断层，位于所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧，所述漏电截断层位于相邻两个所述第一电极之间，所述漏电截断层开设有与所述间隔槽相对应且暴露出所述平坦层的平坦表面的截断槽，所述截断槽的深度大于或等于所述中间部的厚度，所述漏电截断层搭接在至少一侧所述中间部的背离所述驱动背板一侧的表面上；搭接在至少一侧所述中间部的漏电截断层的厚度小于所述中间部的厚度；
发光功能层，位于所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧；
第二电极层，位于所述发光功能层背离所述驱动背板的一侧；
所述第一电极包括位于所述驱动背板表面上的复合导电层和位于所述复合导电层背离所述驱动背板一侧的保护导电层，所述保护导电层的外围与所述驱动背板的表面接触；
所述第二电极层包括多个与所述中间部对应设置的平缓部和位于相邻两个所述平缓部之间的连接部，连接部包括凹陷部和位于凹陷部两侧的凸起部。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，位于所述截断槽两侧的所述漏电截断层均搭接在对应的所述中间部的背离所述驱动背板一侧的表面上，所述漏电截断层覆盖所述第一电极的朝向所述间隔槽的侧面。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极还包括围绕所述中间部的爬坡部，在垂直于所述驱动背板的方向上，位于所述平缓部和所述中间部之间的发光功能层的厚度为d0，搭接在所述中间部上的漏电截断层的厚度与所述中间部的厚度之和的最小值为d1，d1与d0的比值为0.3至1。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述驱动背板的方向上，所述中间部的厚度与搭接在所述中间部上的漏电截断层的厚度的比值为2至4。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述中间部的厚度为1000埃至1800埃，搭接在所述中间部表面上的漏电截断层的厚度为300埃至800埃。
6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述驱动背板方向上，所述中间部的厚度与所述第二电极层的平缓部的厚度的比值为7至13。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述保护导电层的材质包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种，
所述复合导电层包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层的材质包括钛，所述第二导电层的材质包括银和铝中的至少一种；或者，
所述复合导电层包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层的材质包括钛，所述第二导电层的材质包括银和铝中的至少一种，所述第三导电层的材质包括钛。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在平行于驱动背板的平面上，所述漏电截断层与所述中间部的搭接区域的宽度为0.05μm至0.3μm，搭接区域的宽度为搭接区域在与所述漏电截断层延伸方向相垂直方向上的尺寸。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述截断槽的宽度为0.3μm至1.5μm，所述截断槽的宽度为所述截断槽在与所述截断槽的延伸方向相垂直方向上的尺寸。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，位于所述截断槽两侧的所述漏电截断层均覆盖对应的所述第一电极的朝向所述截断槽一侧的表面。
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述截断槽的侧壁的坡度角为60°至120°，所述截断槽的侧壁的坡度角为所述截断槽的侧壁与所述截断槽的底壁之间的角度。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极还包括围绕所述中间部的爬坡部，所述爬坡部的坡度角为70°至90°，所述爬坡部的坡度角为所述爬坡部与所述间隔槽的底壁之间的角度。
13.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光功能层包括自所述第一电极朝向所述第二电极层一侧叠层设置的空穴注入层、空穴传输层、第一发光层、第二发光层、中间层、第三发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，所述空穴注入层的厚度为70埃至130埃。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第一发光层为红光发光层，所述第二发光层为绿光发光层，所述第三发光层为蓝光发光层。
15.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动结构层和覆盖所述驱动结构层的平坦层，所述平坦层为无机层，所述平坦层开设有过孔，所述过孔内填充有导电金属，所述平坦层在所述过孔之外位置具有平坦表面；
在所述平坦层背离所述驱动结构层的一侧表面上形成第一电极层，所述第一电极层包括多个阵列分布的第一电极，相邻两个所述第一电极之间具有暴露出所述平坦层的平坦表面的间隔槽，所述第一电极包括平坦的中间部，所述第一电极通过所述过孔内的导电金属与所述驱动结构层电连接；
在形成所述第一电极层的平坦层表面上形成漏电截断层，所述漏电截断层位于相邻两个所述第一电极之间，所述漏电截断层开设有与所述间隔槽相对应且暴露出所述平坦层的平坦表面的截断槽，所述截断槽的深度大于或等于所述中间部的厚度，所述漏电截断层搭接在至少一侧所述中间部的背离所述驱动背板一侧的表面上；搭接在至少一侧所述中间部的漏电截断层的厚度小于所述中间部的厚度；
在所述漏电截断层和所述第一电极层背离所述驱动背板的一侧形成发光功能层；
在所述发光功能层背离驱动背板的一侧形成第二电极层；
所述第一电极包括位于所述驱动背板表面上的复合导电层和位于所述复合导电层背离所述驱动背板一侧的保护导电层，所述保护导电层的外围与所述驱动背板的表面接触；
所述第二电极层包括多个与所述中间部对应设置的平缓部和位于相邻两个所述平缓部之间的连接部。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述平坦层背离所述驱动结构层的一侧表面上形成第一电极层，包括：
在所述平坦层背离所述驱动结构层的一侧表面上涂覆胶层，对胶层进行掩膜曝光并显影，在所述第一电极位置形成完全曝光区域以去除胶层而暴露出所述平坦层的表面，在其它位置形成未曝光区域保留胶层；
在形成胶层图案的驱动背板上沉积复合导电薄膜，在完全曝光区域，所述复合导电薄膜沉积在所述平坦层表面上，在未曝光区域，所述复合导电薄膜沉积在胶层表面上；
去除未曝光区域的胶层以去除位于胶层表面上的复合导电薄膜，位于完全曝光区域的复合导电薄膜形成复合导电层；
在形成所述复合导电层的平坦层表面上沉积保护导电薄膜，采用包括干法刻蚀的图案化工艺对保护导电薄膜进行图案化处理，形成覆盖所述复合导电层的保护导电层，所述保护导电层的外围与所述平坦层的表面接触。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述保护导电层的材质包括氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种，
所述复合导电层包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层的材质包括钛，所述第二导电层的材质包括银和铝中的至少一种；或者，
所述复合导电层包括自所述驱动背板朝向所述发光功能层依次叠层设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层的材质包括钛，所述第二导电层的材质包括银和铝中的至少一种，所述第三导电层的材质包括钛。
18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至14中任意一项所述的显示基板。
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