CN203165886U - 一种影像传感器结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及影像传感器制造领域，具体涉及一种影像传感器结构。包括逻辑晶圆和器件晶圆,逻辑晶圆上设有有逻辑晶圆二氧化硅层,之上覆盖有逻辑晶圆顶层顶层金属,顶层金属上设有键合氧化物层,之上设有器件晶圆顶层金属，之上设有器件晶圆二氧化硅层,之上为器件晶圆,器件晶圆二氧化硅层上设有沟槽，沟槽底部为器件晶圆顶层金属，器件晶圆顶层金属上设有键合层深通孔，键合层深通孔底部为逻辑晶圆金属层，键合层深通孔与沟槽之中布满铜。在通过使原来的结构中三阶台阶变为二阶台阶，简化了结构致使减少了制作流程中的步骤，进而减少了生产成本，增加了器件晶圆顶层金属与开口中铜的接触面积增大，提高了导电效果，进而提高影像传感器的性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及影像传感器制造领域，具体涉及一种影像传感器结构。
背景技术
在背照式影像传感器工艺流程中，硅基底蚀刻后会暴露在空气中，极易受到污染，需要淀积氧化层进行保护，但是淀积的氧化物需要使用光刻及刻蚀打开氧化物层进而刻蚀硅刻蚀之下的区域。现有工艺在器件晶圆与逻辑晶圆键合后，最终刻蚀出三阶台阶结构，结构复杂，所需成本较高，并且由于顶层金属在二阶台阶出，由于工艺尺寸所致，填充金属与顶层金属接触面较小，电阻大而导致的导电性能不佳。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种影像传感器结构来解决现有技术中影像传感器结构复杂，所需成本高，导电性不佳的问题。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种影像传感器结构，包括逻辑晶圆和器件晶圆,所述逻辑晶圆上设有有逻辑晶圆二氧化硅层,所述逻辑晶圆二氧化硅层上覆盖有逻辑晶圆顶层顶层金属,所述逻辑晶圆顶层金属上设有键合氧化物层,所述键和氧化层上设有器件晶圆顶层金属，所述器件晶圆顶层金属上设有器件晶圆二氧化硅层,所述器件晶圆器件晶圆二氧化硅层上为器件晶圆,所述器件晶圆二氧化硅层上设有沟槽，所述沟槽底部为器件晶圆顶层金属，所述器件晶圆顶层金属上设有键合层深通孔，所述键合层深通孔底部为逻辑晶圆金属层，所述键合层深通孔与沟槽之中布满铜。
本实用新型的有益效果是：在通过使原来的结构中三阶台阶变为二阶台阶，简化了结构致使减少了制作流程中的步骤，进而减少了生产成本，增加了器件晶圆顶层金属与开口中铜的接触面积增大，提高了导电效果，进而提高影像传感器的性能。
在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
进一步，所述器件晶圆顶层金属与键和氧化层之间设有阻挡层；
进一步，所述逻辑晶圆顶层金属与键和氧化层之间设有阻挡层；
进一步，所述沟槽与键合层深通孔与布满其中的铜之间设有阻挡层。
采用上述进一步方案的有益效果是防止填充的金属铜向沟槽附近扩散，从而影响器件的性能，进一步提高了影像传感器的质量。
附图说明
图1为本实用新型影像传感器结构图；
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、器件晶圆，2、逻辑晶圆，3、器件晶圆二氧化硅层，4、逻辑晶圆二氧化硅层，5、器件晶圆顶层金属，6、逻辑晶圆顶层金属，7、键合氧化物层，8、键合层深通孔，9、沟槽。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示，包括逻辑晶圆2和器件晶圆1,所述逻辑晶圆2上设有有逻辑晶圆二氧化硅层4,所述逻辑晶圆二氧化硅层4上覆盖有逻辑晶圆顶层金属6,所述逻辑晶圆顶层金属6上设有键合氧化物层7,所述键和氧化层7上设有器件晶圆顶层金属5，所述器件晶圆顶层金属5上设有器件晶圆二氧化 硅层3,所述器件晶圆器件晶圆二氧化硅层3上为器件晶圆1,所述器件晶圆二氧化硅层3上设有沟槽9，所述沟槽9底部为器件晶圆顶层金属5，所述器件晶圆顶层金属5上设有键合层深通孔8，所述键合层深通孔8底部为逻辑晶圆金属层6，所述键合层深通孔8与沟槽9之中布满铜。
所述键合层通孔8和沟槽9与其中布满的铜之间设有一层阻挡层，所述逻辑晶圆顶层金属6与键和氧化物层7之间设有阻挡层，所述器件晶圆顶层金属5与键和氧化物层7之间设有阻挡层，所述阻挡层为氮化钛阻挡层。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种影像传感器结构,其特征是:包括逻辑晶圆和器件晶圆,所述逻辑晶圆上设有有逻辑晶圆二氧化硅层,所述逻辑晶圆二氧化硅层上覆盖有逻辑晶圆顶层顶层金属,所述逻辑晶圆顶层金属上设有键合氧化物层,所述键和氧化层上设有器件晶圆顶层金属，所述器件晶圆顶层金属上设有器件晶圆二氧化硅层,所述器件晶圆器件晶圆二氧化硅层上为器件晶圆,所述器件晶圆二氧化硅层上设有沟槽，所述沟槽底部为器件晶圆顶层金属，所述器件晶圆顶层金属上设有键合层深通孔，所述键合层深通孔底部为逻辑晶圆金属层，所述键合层深通孔与沟槽之中布满铜。
2.根据权利要求1所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述键合层通孔和沟槽与其中布满的铜之间设有一层阻挡层。
3.根据权利要求1所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述逻辑晶圆顶层金属与键和氧化层之间设有阻挡层。
4.根据权利要求1所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述器件晶圆顶层金属与键和氧化层之间设有阻挡层
5.根据权利要求2至4任一所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述阻挡层为氮化钛阻挡层。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103066093A (zh) * | 2013-01-14 | 2013-04-24 | 陆伟 | 一种用深槽隔离制造影像传感器的方法及影像传感器结构 |
| CN106449580A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-02-22 | 南通沃特光电科技有限公司 | 一种晶圆键合结构 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103066093A (zh) * | 2013-01-14 | 2013-04-24 | 陆伟 | 一种用深槽隔离制造影像传感器的方法及影像传感器结构 |
| CN103066093B (zh) * | 2013-01-14 | 2015-12-09 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种用深槽隔离制造影像传感器的方法及影像传感器结构 |
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