CN209471465U - 物料追踪用射频标签 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种物料追踪用射频标签,包括基材层、射频天线和芯片,射频天线包括小环耦合天线和偶极子辐射增益天线,小环耦合天线成“凹”字型,小环耦合天线的下端延伸形成左右对称的左、右天线,左、右天线共同构成偶极子辐射增益天线,左、右天线皆包括依次连接的三个平直段、两个弯折部和末端天线区以及从末端天线区向内侧且横向延伸出的第四平直段,第一、第二弯折部的周长差为第一弯折部的周长的15‑20%;第四平直段的长度为10±0.5mm,末端天线区的面积为81.2‑87.5mm2。本实用新型通过对射频天线的形状和尺寸的设计,在标签长度合适的情况下,保证天线的阻抗特性和谐振频率,并能拓展带宽,提高标签的使用范围和精度。
Description
技术领域
本实用新型属于RFID(射频识别)标签技术领域,特别涉及一种的射频标签。
背景技术
射频标签又称电子标签、应答器、数据载体;阅读器又称为读出装置、扫描器、读头、通信器、读写器(取决于电子标签是否可以无线改写数据)。电子标签与阅读器之间通过耦合元件实现射频信号的空间(无接触)耦合;在耦合通道内,根据时序关系,实现能量的传递和数据交换。
现有技术的射频识别标签一般包括:包括基材层、射频天线和芯片,射频天线设于基材层,芯片与射频天线连接;射频天线包括小环耦合天线和偶极子辐射增益天线,芯片通过导电胶粘接于所述小环耦合天线。射频标签的使用范围很广,不同的场合有不同的需求。
考量射频标签性能的标准主要是信号接收性能和承载信息的防伪跟踪性能等,信号接收性能表现在信号接收的稳定性和信号接收的距离,当然信号接收性能的发挥还需要考虑电子标签的使用场合和位置。现有技术的射频识别标签较长,主要由于信号电路上设有分支天线,通过分支天线的延伸来提高信号接收能力,这样又势必会加长射频识别标签的长度。而在很多场合,粘贴和使用标签的位置由于空间有限,无法粘贴下射频识别标签。
实用新型内容
本实用新型主要解决的技术问题是提供一种物料追踪用射频标签,通过对射频天线的形状和尺寸的设计,在标签长度合适的情况下,保证天线的阻抗特性和谐振频率,并能拓展带宽,提高标签的使用范围和精度。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种物料追踪用射频标签,包括基材层、射频天线和芯片,所述射频天线设于所述基材层,所述芯片与所述射频天线连接;
所述射频天线包括小环耦合天线和偶极子辐射增益天线,所述芯片通过导电胶粘接于所述小环耦合天线;
所述小环耦合天线成“凹”字型,所述小环耦合天线的长度为25.12±0.5mm,且宽度为5.93±0.1mm;
所述小环耦合天线的下端延伸形成左右对称的左天线和右天线,所述左天线和所述右天线共同构成所述偶极子辐射增益天线,所述左天线和所述右天线皆包括依次连接的第一平直段、第一弯折部、第二平直段、第二弯折部、第三平直段、末端天线区以及从所述末端天线区向内侧且横向延伸出的第四平直段,所述第一弯折部和所述第二弯折部均向上凸起,且所述第一弯折部的周长大于所述第二弯折部的周长,所述第一弯折部与所述第二弯折部之间的周长差为所述第一弯折部的周长的15-20%;
所述第四平直段的长度为10±0.5mm,所述末端天线区的面积为81.2-87.5mm2。
进一步地说,所述射频天线的长度为108±0.5mm且宽度为8±0.1mm。
进一步地说,所述芯片与所述小环耦合天线通过导电胶在180℃且7s的条件下热压粘接。
进一步地说,所述射频天线为厚度10±2微米的铝箔蚀刻而成的。
进一步地说,所述基材层的厚度为50±2微米。
进一步地说,所述基材层为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)层。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型包括基材层、射频天线和芯片,射频天线设于基材层,芯片与射频天线连接,射频天线的偶极子辐射增益天线包括左右对称的左天线和右天线,左天线和右天线皆具有两弯折部(第一、二弯折部),其中两个弯折部均向上凸起,且第一弯折部的周长比第二弯折部的周长长15-20%,通过上述两弯折部的设计,能够在保证天线谐振频率的基础上,有效减少天线的长度,扩大标签的使用范围,特别是用于小尺寸物体追踪时;
再者,本实用新型的左天线和右天线皆还可以包括末端天线区,即在左、右天线区的末端设置两块面积相对校大的末端天线区,通过采用末端加载的方式,起到改善天线阻抗和拓展带宽的作用,改善天线的精度和使用范围。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
附图中各部分标记如下:
基材层1、芯片3、小环耦合天线4、偶极子辐射增益天线5、左天线6、右天线7、第一平直段8、第一弯折部9、第二平直段10、第二弯折部11、第三平直段12、末端天线区13、第四平直段14、小环耦合天线的长度L1且宽度W1、所述第四平直段的长度L2、射频天线的长度L3且宽度W2。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本实用新型的具体实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本实用新型的优点及功效。本实用新型也可以其它不同的方式予以实施,即,在不背离本实用新型所揭示的范畴下,能予不同的修饰与改变。
实施例:一种物料追踪用射频标签,如图1所示(阴影部分只是用于表示射频天线,不用于表示剖视),包括基材层1、射频天线和芯片3,所述射频天线设于所述基材层,所述芯片与所述射频天线连接;
所述射频天线包括小环耦合天线4和偶极子辐射增益天线5,所述芯片通过导电胶粘接于所述小环耦合天线;
所述小环耦合天线成“凹”字型,所述小环耦合天线的长度L1为25.12±0.5mm,且宽度W1为5.93±0.1mm;
所述小环耦合天线的下端延伸形成左右对称的左天线6和右天线7,所述左天线和所述右天线共同构成所述偶极子辐射增益天线,所述左天线和所述右天线皆包括依次连接的第一平直段8、第一弯折部9、第二平直段10、第二弯折部11、第三平直段12、末端天线区13以及从末端天线区向内侧且横向延伸出的第四平直段14,所述第一弯折部和所述第二弯折部均向上凸起,且所述第一弯折部的周长大于所述第二弯折部的周长,所述第一弯折部与所述第二弯折部之间的周长差为所述第一弯折部的周长的15-20%;
所述第四平直段的长度L2为10±0.5mm,所述末端天线区的面积为81.2-87.5mm2。
本实施例中,所述射频天线的长度L3为108±0.5mm且宽度W2为8±0.1mm。
本实施例中,所述芯片与所述小环耦合天线通过导电胶在180℃且7s的条件下热压粘接。
所述射频天线为厚度10±2微米的铝箔蚀刻而成的,但不限于此。
所述基材层的厚度为50±2微米,但不限于此。
所述基材层为聚对苯二甲酸乙二酯层,但不限于此。
工作原理和工作过程:
本实施例中中的射频标签包括基材层、射频天线和芯片,射频天线设于基材层,芯片与射频天线连接,射频天线的偶极子辐射增益天线包括左右对称的左天线和右天线,左天线和右天线皆具有两弯折部(第一、二弯折部),其中两个弯折部均向上凸起,且第一弯折部的周长比第二弯折部的周长长15-20%,通过上述两弯折部的设计,能够在保证天线谐振频率的基础上,有效减少天线的长度,扩大标签的使用范围,特别是用于小尺寸物体追踪时;
左天线和右天线皆还可以包括末端天线区,即在左、右天线区的末端设置两块面积相对校大的末端天线区,通过采用末端加载的方式,相当于在天线的等效电路上增加一个电容,起到改善天线阻抗和拓展带宽的作用,改善天线的精度和使用范围。
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种物料追踪用射频标签,其特征在于:包括基材层(1)、射频天线和芯片(3),所述射频天线设于所述基材层,所述芯片与所述射频天线连接;
所述射频天线包括小环耦合天线(4)和偶极子辐射增益天线(5),所述芯片通过导电胶粘接于所述小环耦合天线;
所述小环耦合天线成“凹”字型,所述小环耦合天线的长度(L1)为25.12±0.5mm,且宽度(W1)为5.93±0.1mm;
所述小环耦合天线的下端延伸形成左右对称的左天线(6)和右天线(7),所述左天线和所述右天线共同构成所述偶极子辐射增益天线,所述左天线和所述右天线皆包括依次连接的第一平直段(8)、第一弯折部(9)、第二平直段(10)、第二弯折部(11)、第三平直段(12)、末端天线区(13)以及从所述末端天线区向内侧且横向延伸出的第四平直段(14),所述第一弯折部和所述第二弯折部均向上凸起,且所述第一弯折部的周长大于所述第二弯折部的周长,所述第一弯折部与所述第二弯折部之间的周长差为所述第一弯折部的周长的15-20%;
所述第四平直段的长度(L2)为10±0.5mm,所述末端天线区的面积为81.2-87.5mm2。
2.根据权利要求1所述物料追踪用射频标签,其特征在于:所述射频天线的长度(L3)为108±0.5mm且宽度(W2)为8±0.1mm。
3.根据权利要求1所述物料追踪用射频标签,其特征在于:所述芯片与所述小环耦合天线通过导电胶在180℃且7s的条件下热压粘接。
4.根据权利要求1所述物料追踪用射频标签,其特征在于:所述射频天线为厚度10±2微米的铝箔蚀刻而成的。
5.根据权利要求1所述物料追踪用射频标签,其特征在于:所述基材层的厚度为50±2微米。
6.根据权利要求1所述物料追踪用射频标签,其特征在于:所述基材层为聚对苯二甲酸乙二酯层。
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