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CN1546477A - 电子传输/空穴阻挡材料及其电致红光器件的制备方法 - Google Patents

电子传输/空穴阻挡材料及其电致红光器件的制备方法 Download PDF

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CN1546477A
CN1546477A CNA2003101090825A CN200310109082A CN1546477A CN 1546477 A CN1546477 A CN 1546477A CN A2003101090825 A CNA2003101090825 A CN A2003101090825A CN 200310109082 A CN200310109082 A CN 200310109082A CN 1546477 A CN1546477 A CN 1546477A
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维 黄
黄维
朱旭辉
赵平
李佳
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Fudan University
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Fudan University
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  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
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Abstract

一类电子传输/空穴阻挡材料及电致红光器件的制备方法。本发明以含有噁二唑基团的化合物为原料,通过有机金属催化反应,合成了一系列非支化的共轭齐聚物;并制备了含有上述电子传输/空穴阻挡材料和DCJTB发光材料的掺杂型红色电致发光器件,器件由电极、空穴传输层、客体发光材料/主体材料层、电子传输/空穴阻挡层、电子传输层组成。制成的电致发光器件在亮度、电流密度以及高电流密度下的效率方面获得了令人满意的结果,比相应的使用BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲,商业化材料,在电致发光器件中广为应用)作为电子传输/空穴阻挡材料的器件的综合性能优越。

Description

电子传输/空穴阻挡材料及其电致红光器件的制备方法
技术领域
本发明涉及一类电子传输/空穴阻挡材料及其电致红光器件的制备方法,尤其涉及一类2-(4-联苯基)-5-(-4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)衍生物的合成与应用、以及相关红光器件的制备工艺,属于电致发光新材料与技术领域。
技术背景
在过去十几年中,有机电致发光二极管(OLEDs)由于其在新一代显示器和照明技术中的潜在应用而引起广泛注意。然而,现在仍存在一些重要的挑战,包括外量子效率(EQE)的提高,色纯度更高的新材料的设计与合成等。一般来说,造成器件EQE低的一个主要原因,是由于发光材料的电荷注入与传输不平衡引起的。由于很多有机材料能有效地传输空穴,所以为了提高器件的发光效率,在很多情况下,往往在阴极一侧额外加一层电子传输/空穴阻挡层,以阻挡空穴传输,把载流子复合限制在发光层区域。
BCP即2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲是一种广泛应用于电致发光器件中的电子传输/空穴阻挡材料,但其在器件中稳定性有待进一步提高。
1,3,4-噁二唑(OXD)缺电子,具有非常低的空穴亲和性,不利于空穴传输,所以OXD及其衍生物是最先被广泛研究的一类理想的电子传输/空穴阻挡材料。其中最典型的是2-(4-联苯基)-5-(-4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)。由于PBD熔点低(138℃),蒸镀薄膜经过一段时间后容易再结晶,破坏了膜的均匀性,从而导致有机发光器件性能的衰减。将PBD掺杂在惰性聚合物基质中能在一定程度上抑制其再结晶,但掺杂技术不能完全保证形态的稳定性,所以为了克服再结晶问题,进一步提高其电荷传输性能,一般要采用高熔点或玻璃化温度较高的堆积性强电子传输/空穴阻挡材料。
发明内容
本发明的目的在于合成一种熔点高、电子传输能力强的电子传输/空穴阻挡材料的制备方法,以及采用此材料的红光器件的制备方法。
本发明采用有机金属催化反应合成了一类电子传输/空穴阻挡材料,化合物的分子结构如下:
Figure A20031010908200061
其中,X=O,Y=Z=N;Ar为苯基;
R’,R”分别选自下列基团:R’=R1Ar1,R”=R2Ar2
Ar1和Ar2分别为芳基。
R1和R2分别为含有卤代烷基、芳基、卤代芳基、卤素、芴基、或者烷基芳烃的基团。
上述化合物合成方法如下:
以2,5-二-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑为模块,Na2CO3为碱,催化量的Pd(PPh3)4,通过Suzuki反应,与芳基硼酸偶合(硼酸∶溴代物摩尔比=2.0~3.0∶1),经柱层析分离或重结晶,得到高纯目标产物。
上述化合物包括下列任一种衍生物:
2,5-双-4’-(4”-三氟甲基联苯基)-1,3,4-噁二唑
2,5-双-4’-(4”-氟联苯基)-1,3,4-噁二唑
2,5-双-4’-[4”-(2,4-二氟苯基)-苯基]-1,3,4-噁二唑
2,5-双-4’-[4”-(五氟苯基)-苯基]-1,3,4-噁二唑
2,5-双-4’-[4”-(四氢吡喃-2-氧)-联苯基]-1,3,4-噁二唑
2,5-双-4’-[4”-(9,9-二芳基芴)-苯基]-1,3,4-噁二唑
2,5-双-4’-[4”-螺环芴-苯基]-1,3,4-噁二唑
上述衍生物的合成方法如下:
以2,5-二-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑为模块,Na2CO3为碱,催化量的Pd(PPh3)4,通过Suzuki反应,与芳基硼酸偶合(硼酸∶溴代物摩尔比=2.0~3.0∶1),经柱层析分离或重结晶,得到相应产物。芳基硼酸分别为:4-三氟甲基苯硼酸;4-氟苯硼酸;2,4-二氟苯硼酸;五氟代苯硼酸;4-(四氢吡喃-2-氧)-苯硼酸;9,9-二芳基芴-2-硼酸,螺环芴-2-硼酸。
本发明的Suzuki反应是一种用金属钯作为催化剂,在碱性条件下,芳基溴和芳基硼酸之间发生的碳-碳键偶联反应。
本发明中还提供了一种运用本发明化合物的红光器件的制备方法,首先是第一层导电层,然后在导电层上真空蒸镀空穴传输材料,再蒸镀掺杂的发光层,然后蒸镀上本发明中的化合物作电子传输/空穴阻挡层,接着蒸镀一层电子传输层,最后蒸镀第二层导电层。
第一层导电层制作在衬底上,衬底一般为玻璃或塑料。
第一层导电层为阳极,第二层导电层为阴极。阴极最好由能产生反射的金属或者半透明导体构成,一般为钙、镁、铝、银、或合金。阳极最好由氧化铟锡(ITO)或透明导电聚合物(如聚苯胺,PANI)构成。
在第一层导电层和发光层之间有一层空穴传输层;电子传输/空穴阻挡层与第二层导电层之间有一层电子传输层;发光层介于空穴传输层与电子传输/空穴阻挡层之间,为红光染料与AlQ(八羟基喹啉铝)的掺杂体。
本发明中的器件阳极由ITO或聚苯胺(PANI)通过蒸镀到玻璃或塑料等透明衬底上制成。阴极可以由钙、镁、铝、银、或合金构成,厚度为10~200nm。
为了提高阳极的空穴注入和传输、以及阴极的电子注入和传输,并使电荷能在发光层很好地复合,本发明采用包括空穴传输层、电子传输、和电子传输/空穴阻挡层的多层器件结构。
空穴传输层薄膜的厚度为30~200nm,可以通过真空热蒸发技术在阳极上成膜,然后通过热蒸发法将发光层沉积到空穴传输层上。
电子传输/空穴阻挡层为本发明中合成的化合物,薄膜的厚度为10~200nm,通过热蒸发技术沉积到发光层上。
发光层的薄膜厚度为10~100nm。
电子传输层的薄膜厚度为10~200nm,最好是20~150nm,可以通过热蒸发将其沉积到电子传输/空穴阻挡层上。
本发明采用有机金属催化反应合成了一类PBD衍生物,并用此化合物作电子传输/空穴阻挡材料制成了掺杂的红光器件。相对于PBD,本发明中涵盖的材料共轭长度增加,熔点大为提高;最重要的是,电子传输能力显著增强,从而提高了电致发光器件的综合性能。在用于电致红光器件时,制成的器件在亮度、电流密度以及高电流密度下的效率方面获得了令人满意的结果,其中一种的综合性能明显优于目前广泛应用的BCP,从而获得了一种性能优良的电子传输/空穴阻挡材料和红光器件。
附图说明
图1是用本发明中合成的几种化合物及BCP作电子传输/空穴阻挡材料制成的红光器件的电流-电压关系比较图。
图2是用本发明中合成的几种化合物及BCP作电子传输/空穴阻挡材料制成的红光器件的亮度-电压关系比较图。
图3是用本发明中合成的几种化合物及BCP作电子传输/空穴阻挡材料制成的红光器件在启动电压后的电流效率-电流关系比较图。
图4是DCJTB(红光染料)结构式图。
图5是BCP(电子传输/空穴阻挡材料)的结构式图。
具体实施方式
实施例
为了更好地理解本发明专利的内容,下面通过具体的实例和图例来进一步说明本发明的技术方案。
实例按以下步骤进行:
例1、2,5-双-4’-(4”-三氟甲基联苯基)-1,3,4-噁二唑的制备
4-溴苯甲酸乙酯(20mL)和水合肼(27.5mL)在甲醇(124mL)中回流反应16个小时后,冷却至室温结晶,得到针状白色晶体4-溴苯甲酰肼25.3g,(产率为87%)。1H NMR(500MHz,DMSO,ppm):δ7.7(d,2H),δ7.6(d,2H),δ9.8(s,1H),δ4.54(s,2H)。
4-溴苯甲酰氯(11g)和4-溴苯甲酰肼(10.5g)在事先蒸馏好的吡啶(200mL)中回流反应约10h(反应过程中通氮气),使溶液冷却至室温,结晶出片状的白色晶体,抽滤后得到产品4-溴苯甲酸-N-(4-溴苯甲酰基)肼14.5g,(产率为97%)。1H NMR(500MHz,CDCl3,ppm):δ10.64(s,2H),δ7.85(d,4H),δ7.76(d,4H)。
4-溴苯甲酸-N-(4-溴苯甲酰基)肼(6.6g)和POCl3(11mL)回流反应约10小时,反应结束后将反应液到入冰水中,抽滤,得到白色晶体2,5-二-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑(6.2g),(产率为98%)。1H NMR(500MHz,CDCl3,ppm):δ8.00(d,4H),δ7.68(d,4H)。
2,5-二-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑(0.5g)和4-(三氟甲基)-苯基硼酸(0.62g)在30ml甲苯中搅拌加热,并通入N2,约30min后,加入催化剂Pd(PPh3)4(催化剂量)和K2CO3溶液4mL(2mol/L),回流过夜。
反应混合物加适量水洗,油层用无水MgSO4干燥后旋蒸,得褐色固体,柱层析分离得白色固体产物0.54克,产率80%。F.W.510,m.p.258.2℃,1H NMR(400MHz,CDCl3,ppm):δ7.74(d,4H),δ7.77(d,4H),δ7.96(m,4H),δ8.26(m,4H)。
例2、2,5-双-4’-(4”-氟联苯基)-1,3,4-噁二唑的制备
2,5-二-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑(0.5克)和4-氟苯基硼酸(0.45克)在35mL甲苯中搅拌加热,并通入N2保护,加入催化剂Pd(PPh3)4(催化剂量)和K2CO3溶液3mL(2mol/L),回流过夜。
反应混合物加适量水洗,油层用无水MgSO4干燥后旋蒸,经重结晶,得白色固体产物0.46克,产率85%。F.W.410,m.p.259.3℃,1H NMR(400MHz,CDCl3,ppm):δ7.18(d,4H),δ7.62(m,4H),δ7.72(d,4H),δ8.22(d,4H)。
例3、2,5-双-4’-[4”-(四氢吡喃-2-氧)-联苯基]-1,3,4-噁二唑的制备
对溴苯酚(4g)和对甲苯磺酸(0.3g),加入二氯甲烷(20mL)中(氮气保护),用冰水浴冷却,搅拌15min后用针筒加入3,4-二氢吡喃(3.7g)。反应8小时后,用水洗涤,旋蒸除去二氯甲烷,然后进行柱层析分离,得到白色粉末状固体对溴苯酚四氢吡喃醚5.6g,产率为82%。
对溴苯酚四氢吡喃醚(4.6g),用针筒注入无水无氧四氢呋喃(40mL),在-78℃下,用注射器注入n-BuLi(约14.5mL),待反应进行30分钟后注入硼酸甲酯(约8mL),在-80℃下反应约2小时,然后在室温下使反应继续进行约10小时。反应结束后,水解约8小时,然后加入二氯甲烷直到出现明显的两相,水层用二氯甲烷洗涤,有机层用无水硫酸镁干燥,抽滤后蒸干,得到白色固体苯酚硼酸四氢吡喃醚1.3g,产率为49%。1H NMR(500MHz,CD3COCD3,ppm):δ1.58-1.69(m,3H),δ1.81-1.86(m,2H),δ1.99-2.03(m,1H),δ2.79-2.85(d,2H),δ3.57-3.60(m,1H),δ3.83-3.88(m,1H),δ5.49(t,1H),δ6.90-7.20(m,4H),δ6.90-7.20(m,4H),δ7.40-7.90(d,2H)。
苯酚硼酸四氢吡喃醚(1.34g)和2,5-二-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑(0.84g)在甲苯(40mL)中搅拌溶解,通氮气15分钟后,加入四-[(三苯基)膦]钯(催化剂量)、以及4mL碳酸钾水溶液(2mol/L),反应回流24小时。反应液分液,将甲苯层旋蒸后进行柱层析分离,得到白色粉末状固体产物0.83g,产率为67%。F.W.550,1H NMR(500MHz,CDCl3,ppm):δ1.50-1.75(m,6H),δ1.81-1.90(m,6H),δ3.62-3.66(d,2H),δ3.90-3.95(t,2H),δ5.50(s,2H),δ7.15-7.19(d,4H),δ7.57-7.62(d,4H),δ7.71-7.75(d,4H),δ8.17-8.21(d,4H)。
例4、2,5-双-4’-[4”-(2,4-二氟苯基)-苯基]-1,3,4-噁二唑的制备
2,5-二-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑(0.5克)和2,4-二氟苯基硼酸(0.59g)在40mL甲苯中搅拌加热,并通入N2,约30min后,加入催化剂Pd(PPh3)4(0.09g)和K2CO3溶液4mL(2mol/L),回流过夜。
反应混合物加适量水洗,油层用无水MgSO4干燥后旋蒸,得褐色固体,柱层析分离得白色固体产物0.24克,产率40%。m.p.215.7℃,1H NMR(400MHz,CDCl3,ppm):δ6.94~7.25(m,4H),δ7.47(m,2H),δ7.61(d,4H),δ8.23(d,4H)。
例5、2,5-双-4’-[4”-螺环芴-苯基]-1,3,4-噁二唑的制备
2-溴芴(10.0g)和Triton B(5mL,40%甲醇溶液)溶于吡啶(50mL)中,通空气,室温下搅拌过夜。反应混合物用乙酸酸化后,减压蒸馏除去醋酸和吡啶,残留物中加水,然后用乙醇重结晶得亮黄色产品2-溴芴酮。
2-溴代联苯(6.26g)和无水THF(40mL)的混合液滴入放有镁(0.63g)的烧瓶中,保持微沸30min。将2-溴芴酮(6.5g)用THF溶解后加入制备好的格氏试剂中,然后搅拌回流过夜。反应液冷却至室温后,水解,分液,水层用乙醚萃取,有机层合并后用无水MgSO4干燥,旋蒸后,柱层析分离得到纯的水解产物(6.3g)。将此产物溶于热的冰醋酸中,加数滴浓盐酸,回流三小时,然后过滤,用乙醇洗涤晶,得白色晶体2-溴螺环芴(6.0g)。1H NMR(400MHz,CDCl3,ppm):δ7.80~7.86(m,3H),δ7.70(d,1H),δ7.48(m,1H),δ7.36~7.40(m,3H),δ7.13(m,3H),δ6.84(d,1H),δ6.72(m,3H)。
2-溴螺环芴(1.2g)溶于无水无氧THF中,-78℃下加入n-BuLi(3mL,1.6M in hexane),搅拌反应30min后,加入B(OMe)3(1.5mL),反应过夜;然后加入盐酸(2M,25mL)室温下继续反应8h。反应结束后,水层用乙醚萃取有机层合并,用无水MgSO4干燥,旋蒸,柱层析分离得产物合成螺环芴-2-硼酸0.65g,产率57%。
螺环芴-2-硼酸(0.6g)和2,5-双-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑(0.25g)溶解在30mL甲苯中,并通入N2保护,约30min后,加入Pd(PPh3)4(0.046g)和K2CO3(3mL,2mol/L)。回流过夜。反应混合物加适量水分液,水层用乙醚萃取,有机层用无水MgSO4干燥后旋蒸,然后柱层析分离得白色固体产物0.26克,产率47%。m.p 376.3℃,1H NMR(400MHz,CDCl3,ppm):δ8.04(d,2H),δ7.95(d,1H),δ7.88~7.93(m,3H),δ7.86(d,1H),δ7.68(d,2H),δ7.56(m,3H),δ7.15(m,3H),δ7.00(s,1H),δ6.79(d,2H),δ6.74(d,1H)。
例6、电致发光器件的制备
电子传输/空穴阻挡层的薄膜厚度为40nm。发光层为Alq3:DCJTB掺杂材料,厚度为20nm。在发光层与阳极(ITO)之间有一层厚度为80nm的空穴传输层(NPB)。电子传输层介于电子传输/空穴阻挡层与阴极之间,所用材料为AlQ,薄膜厚度为50nm。所有材料均采用真空热蒸发技术涂膜。器件的结构为:ITO/NPB/AlQ:DCJTB/电子传输/空穴阻挡层/Alq3/LiF/Al。

Claims (12)

1.一种分子式如下所示的化合物:
Figure A2003101090820002C1
其中,X=O,Y=Z=N;Ar为苯基;
R’,R”分别选自下列基团:R’=R1Ar1,R”=R2Ar2
Ar1和Ar2分别为芳基;
R1和R2分别为含有卤代烷基、芳基、卤代芳基、卤素、芴基、或者烷基芳烃的基团。
2.如权利要求1所说的化合物的合成方法如下:
以2,5-二-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑为模块,Na2CO3即碳酸钠为碱,催化量的Pd(PPh3)4,即四-(三苯基磷)钯,通过Suzuki反应,与芳基硼酸偶合,其中硼酸∶溴代物摩尔比=2.0~3.0∶1,经柱层析分离或重结晶,得到高纯目标产物。
3.如权利要求1、2所述的化合物,其特征是它们是含有下列基团任一种的化合物:
2,5-双-4’-(4”-三氟甲基联苯基)-1,3,4-噁二唑
2,5-双-4’-(4”-氟联苯基)-1,3,4-噁二唑
2,5-双-4’-[4”-(2,4-二氟苯基)-苯基]-1,3,4-噁二唑
2,5-双-4’-[4”-(五氟苯基)-苯基]-1,3,4-噁二唑
Figure A2003101090820003C2
2,5-双-4’-[4”-(四氢吡喃-2-氧)-联苯基]-1,3,4-噁二唑
Figure A2003101090820003C3
2,5-双-4’-[4”-(9,9-二芳基芴)-苯基]-1,3,4-噁二唑
R3=H,F,CF3;Ar3=苯基
2,5-双-4’-[4”-螺环芴-苯基]-1,3,4-噁二唑
4.如权利要求3所述化合物的制备方法,其特征是以2,5-二-(4-溴苯基)-1,3,4-噁二唑为模块,Na2CO3为碱,催化量的Pd(PPh3)4,通过Suzuki反应,与芳基硼酸偶合,其中硼酸∶溴代物摩尔比=2.0~3.0∶1,经柱层析分离或重结晶,得到相应产物;芳基硼酸分别为以下任一种:4-三氟甲基苯硼酸;4-氟苯硼酸;2,4-二氟苯硼酸;五氟代苯硼酸;4-(四氢吡喃-2-氧)-苯硼酸;9,9-二芳基芴-2-硼酸,螺环芴-2-硼酸。
5.如权利要求1、2、3所述化合物材料的电致红光器件的制备方法,其特征是在基材上蒸镀导电层,然后在导电层上真空蒸镀空穴传输材料,再蒸镀掺杂的发光层,然后蒸镀权利要求1~3任何一种化合物作为电子传输/空穴阻挡层,接着蒸镀电子传输层,最后蒸镀第二层导电层。
6.如权利要求5所述的红光器件,其特征是第一层导电层镀于透明基质上,所用基质为玻璃或塑料。
7.如权利要求5所述的红光器件,其特征是第一层导电层为阳极,第二层导电层为阴极。
8.如权利要求7所述的红光器件,其特征是阳极由ITO即氧化铟锡或PANI即聚苯胺构成。
9.如权利要求项5所述的红光器件,其特征是阴极由能产生反射的金属或者半透明导体构成,阴极为钙、镁、铝、银、或合金材料
10.如权利要求5所述的红光器件,其特征是发光层为红光材料DCJTB,即4-(二氰基次甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-乙烯基)-4H-吡喃与AlQ即八羟基喹啉铝的掺杂体。
11.如权利要求项5所述的红光器件,其特征是空穴传输层为NPB,即N,N’-双(1-萘基)-N,N’-双苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺。
12.如权利要求项5所述的红光器件,其特征是电子传输层为AlQ。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100341869C (zh) * 2005-11-21 2007-10-10 中国科学院长春应用化学研究所 菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用
CN101274916B (zh) * 2008-05-06 2010-06-02 武汉大学 一种多功能双极载流子传输材料及其应用
CN1954446B (zh) * 2003-11-27 2010-07-21 默克专利有限公司 有机电致发光元件
JP2010235511A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd オキサジアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、照明装置、および電子機器
CN101262044B (zh) * 2007-03-07 2010-12-22 索尼株式会社 有机电致发光器件及显示装置
CN104119290A (zh) * 2013-04-25 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件
CN101578719B (zh) * 2007-02-15 2015-03-04 三菱化学株式会社 有机电致发光元件和有机器件的制造方法
CN106543172A (zh) * 2015-11-10 2017-03-29 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 有机电子传输材料
CN106549103A (zh) * 2015-11-10 2017-03-29 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 仅电子有机半导体二极管器件
CN106848077A (zh) * 2017-01-11 2017-06-13 山东师范大学 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示屏
JP2018111709A (ja) * 2008-09-05 2018-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 化合物
WO2020232770A1 (zh) * 2019-05-21 2020-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光材料及其制备方法、有机发光器件

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1954446B (zh) * 2003-11-27 2010-07-21 默克专利有限公司 有机电致发光元件
CN100341869C (zh) * 2005-11-21 2007-10-10 中国科学院长春应用化学研究所 菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用
CN101578719B (zh) * 2007-02-15 2015-03-04 三菱化学株式会社 有机电致发光元件和有机器件的制造方法
CN101262044B (zh) * 2007-03-07 2010-12-22 索尼株式会社 有机电致发光器件及显示装置
CN101274916B (zh) * 2008-05-06 2010-06-02 武汉大学 一种多功能双极载流子传输材料及其应用
JP2018111709A (ja) * 2008-09-05 2018-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 化合物
US10243151B2 (en) 2008-09-05 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor material and light-emitting element, light-emitting device, lighting system, and electronic device using the same
JP2010235511A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd オキサジアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、照明装置、および電子機器
CN104119290A (zh) * 2013-04-25 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件
CN106549103A (zh) * 2015-11-10 2017-03-29 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 仅电子有机半导体二极管器件
WO2017080446A1 (zh) * 2015-11-10 2017-05-18 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 仅电子有机半导体二极管器件
CN106543172B (zh) * 2015-11-10 2019-02-26 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 有机电子传输材料
CN106543172A (zh) * 2015-11-10 2017-03-29 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 有机电子传输材料
CN106549103B (zh) * 2015-11-10 2019-05-14 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 仅电子有机半导体二极管器件
CN106848077A (zh) * 2017-01-11 2017-06-13 山东师范大学 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示屏
CN106848077B (zh) * 2017-01-11 2018-08-28 山东师范大学 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示屏
WO2020232770A1 (zh) * 2019-05-21 2020-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光材料及其制备方法、有机发光器件
US11387416B2 (en) 2019-05-21 2022-07-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting material, preparation method thereof, and organic light emitting device

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