CN113206243B - 一种金属氯化物-石墨插层化合物电极材料的制备方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于碳基材料制备技术领域,一种金属氯化物‑石墨插层化合物电极材料的制备方法及其应用,制备方法包括以下步骤:(1)将石墨粉、金属氯化物和磺酰氯混合置于反应釜中,反应完成后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗后抽滤,滤饼放入干燥箱烘干,得到金属氯化物‑石墨插层化合物;(2)取步骤1制得的金属氯化物‑石墨插层化合物,导电炭黑及聚偏氟乙烯加入到玛瑙研钵中并滴加N‑甲基吡咯烷酮研磨,再将研磨浆料涂覆在铜箔上并放入真空干燥箱中干燥,结束后用冲片机冲成圆片,制得金属氯化物‑石墨插层化合物目标材料电极。本发明制备的金属氯化物‑石墨插层化合物具有插层量大、石墨缺陷密度小等优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种金属氯化物-石墨插层化合物电极材料的制备方法及其应用,属于碳基材料制备技术领域。
背景技术
新型可再生能源的发展需要大规模能量存储系统的支持,在众多的能量储存技术中,二次电池具有适应性强、能量转换效率高以及维护简单等优点,是目前最有前景实现大规模电能存储的能量系统。钠在地壳中的储量排在第四位,具有资源丰富,容易提炼等优势,因此钠离子电池有望实现在大规模电能存储领域的应用。电极材料的研究是发展钠离子电池储能技术的关键,只有研制出具有稳定插/脱能力的电极材料,才能实现钠离子电池的实用性突破。石墨插层化合物是将客体物质插入石墨层间形成的一类新型材料,具有电导率高、层间物质易于扩散、吸附性强、比表面积大等优异的特性,在储能领域展现出独特的优势并具有良好的应用前景。其中,金属氯化物-石墨插层化合物具有较大的层间距和电子传递速率,有利于实现离子的可逆插层,近年来已经成为石墨插层化合物研究的一个热点领域。石墨插层化合物的制备方法主要有双室法、化学法、电化学法、混合法、加压法和熔盐法等。但通常金属氯化物在插层过程中需要添加额外的氯气,以加快插层反应速率,并帮助气相氯化物稳定存在。氯气具有很强的毒害性,使得这种制备方法存在较大的安全隐患。因此,建立一种操作简便、安全性高的方法来合成金属氯化物-石墨插层化合物意义重大。
发明内容
为了克服现有技术中存在的不足,本发明目的是提供一种金属氯化物-石墨插层化合物电极材料的制备方法及其应用。该方法工艺简单、操作安全,且利用该方法制备的金属氯化物-石墨插层化合物具有插层量大、石墨缺陷密度小、插层结构稳定等优点,探究了该复合材料作为钠离子电池的负极材料的电化学性能,在储能领域具有较大的应用潜力。
为了实现上述发明目的,解决已有技术中所存在的问题,本发明采取的技术方案是:一种金属氯化物-石墨插层化合物电极材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1、称取0.1-1g石墨粉和0.1-5g金属氯化物,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨3-7min后转移到反应釜中,并向反应釜加入0.05-2.25mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱取出,放入马弗炉中进行反应,反应温度从室温以5-15℃ min-1的升温速率升至100-450℃,恒温10-30h,反应结束后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗2-5次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中干燥8-12h,干燥温度控制在60-80℃,得到金属氯化物-石墨插层化合物,所述金属氯化物选自三氯化铋、五氯化钼或六氯化钨中的一种。
步骤2、取步骤1制得的金属氯化物-石墨插层化合物样品20-60mg,导电炭黑2.5-7.5m及聚偏氟乙烯2.5-7.5mg,加入到玛瑙研钵中,并滴加12-16滴N-甲基吡咯烷酮,研磨15-30min,再将研磨均匀的浆料涂覆在铜箔上,浆料厚度为50-200μm,然后将铜箔放入真空干燥箱中干燥8-14h,干燥温度控制在80-120℃,干燥后用冲片机冲成直径为13-15mm的圆片,最终制得金属氯化物-石墨插层化合物目标材料电极。
所述方法制备的金属氯化物-石墨插层化合物电极在钠离子电池中的应用。
本发明有益效果是:一种金属氯化物-石墨插层化合物电极材料的制备方法及其应用,其中制备方法包括以下步骤:(1)将石墨粉、金属氯化物和磺酰氯混合置于反应釜中,反应完成后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗后抽滤,滤饼放入真空干燥箱烘干,得到金属氯化物-石墨插层化合物样品;(2)取步骤1制得的金属氯化物-石墨插层化合物样品,导电炭黑及聚偏氟乙烯加入到玛瑙研钵中并滴加N-甲基吡咯烷酮研磨,再将研磨均匀的浆料涂覆在铜箔上并放入真空干燥箱中干燥,干燥结束后用冲片机冲成圆片,最终制得金属氯化物-石墨插层化合物目标材料电极。本发明方法工艺简单、操作安全,且制备的金属氯化物-石墨插层化合物具有插层量大、石墨缺陷密度小、插层结构稳定等优点。探究了金属氯化物-石墨插层化合物作为钠离子电池负极材料的电化学性能,用作钠离子电池的负极材料,展现出较高的能量密度和长循环寿命,在储能领域具有较大的应用潜力。
附图说明
图1是实施例1中制备的金属氯化物-石墨插层化合物的X射线衍射图。
图2是实施例2中制备的金属氯化物-石墨插层化合物的扫描电镜照片图。
图3是实施例4中制备的金属氯化物-石墨插层化合物的拉曼光谱图。
图4是实施例6中制备的金属氯化物-石墨插层化合物电极材料的循环伏安曲线图。
图5是实施例8中制备的金属氯化物-石墨插层化合物电极材料的循环寿命曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
称取0.2g石墨粉和1.0g三氯化铋,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨5min后转移到反应釜中,并向反应釜加入0.8mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱取出,放入马弗炉中进行反应,温度从室温以5℃ min-1的升温速率升至450℃,恒温24h,反应结束后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗3次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中,在80℃下干燥10h,得到三氯化铋-石墨插层化合物。其X射线衍射图,如图1所示,从中可以看出,相比于石墨的(002)晶面特征衍射峰,三氯化铋-石墨插层化合物出现了新的信号衍射峰,其中在2θ=7°的信号衍射峰对应于II阶插层的(001)晶面。2002、2003、2004对应于II阶插层(001)晶面的次级衍射峰。
实施例2
称取0.2g石墨粉和1.0g三氯化铋,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨5min后转移到反应釜中,并向反应釜加入1.5mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱取出,放入马弗炉中进行反应,温度从室温以5℃ min-1的升温速率升至200℃,恒温10h,反应结束后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗3次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中,在80℃下干燥10h,得到三氯化铋-石墨插层化合物。其扫描电镜照片图,如图2所示,从中可以看出,三氯化铋-石墨插层化合物显示出典型的片状结构,与前体石墨相类似,表明石墨的鳞片形态得到了较好的保留。
实施例3
称取0.5g石墨粉和2.5g六氯化钨,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨5min后转移到反应釜中,并向反应釜加入0.8mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱取出,放入马弗炉中进行反应,温度从室温以5℃ min-1的升温速率升至350℃,恒温10h,反应结束后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗5次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中,在80℃下干燥10h,得到六氯化钨-石墨插层化合物。
实施例4
称取0.5g石墨粉和2.5g五氯化钼,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨5min后转移到反应釜中,并向反应釜加入0.8mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱取出,放入马弗炉中进行反应,温度从室温以5℃ min-1的升温速率升至350℃,恒温10h,反应结束后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗5次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中,在80℃下干燥10h,得到五氯化钼-石墨插层化合物。其拉曼光谱图,如图3所示,从中可以看出,与石墨相比,五氯化钼-石墨插层化合物的G峰由1580cm-1偏移到了1614cm-1,证明五氯化钼成功插入石墨层间。此外,五氯化钼-石墨插层化合物的D峰强度几乎没有发生变化,表明五氯化钼的插层并不会破坏石墨的结构,得到的样品缺陷密度较小。
实施例5
称取0.2g石墨粉和1.0g三氯化铋,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨5min后转移到反应釜中,并向反应釜加入0.75mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱取出,放入马弗炉中进行反应,温度从室温以5℃ min-1的升温速率升至300℃,恒温10h,反应结束后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗3次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中,在80℃下干燥10h,得到三氯化铋-石墨插层化合物。
实施例6
称取0.2g石墨粉和1.0g三氯化铋,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨5min后转移到反应釜中,并向反应釜加入2.25mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱取出,放入马弗炉中进行反应,温度从室温以5℃ min-1的升温速率升至200℃,恒温10h,反应结束后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗3次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中,在80℃下干燥10h,得到三氯化铋-石墨插层化合物。取三氯化铋-石墨插层化合物32mg,导电炭黑4mg,聚偏氟乙烯4mg,加入到玛瑙研钵中,并滴加14滴N-甲基吡咯烷酮,研磨20min,再将研磨均匀的浆料涂覆在铜箔上,浆料厚度为100μm,将铜箔放入真空干燥箱中干燥12h,干燥温度为110℃,干燥后用冲片机冲成直径为14mm的圆片,最终制得三氯化铋-石墨插层化合物目标材料电极。将目标材料电极作为正极,金属钠作为负极,组装成钠离子电池,对其进行循环伏安曲线测试,所用电化学工作站为法国Bio-Logic VSP,电池壳为CR2016型扣式,以whatman GF/D为隔膜,1M六氟磷酸钠为电解液,电压窗口设置为0-3V,扫速为0.1mV/s。其循环伏安曲线图,如图4所示,从中可以看出,具有明显的氧化还原峰,表明钠离子在电极材料中发生了可逆的插层/脱出反应。
实施例7
称取0.2g石墨粉和1.0g三氯化铋,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨5min后转移到反应釜中,并向反应釜加入0.25mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱取出,放入马弗炉中进行反应,温度从室温以5℃ min-1的升温速率升至200℃,恒温20h,反应完成后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗3次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中,在80℃下干燥10h,得到三氯化铋-石墨插层化合物。
实施例8
称取0.5g石墨粉和2.5g五氯化钼,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨5min后转移到反应釜中,并向反应釜加入0.8mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱取出,放入马弗炉中进行反应,温度从室温以5℃ min-1的升温速率升至350℃,恒温10h,反应完成后,取出产物,用无水乙醇冲洗3次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中,在80℃下干燥10h,得到五氯化钼-石墨插层化合物。取五氯化钼-石墨插层化合物40mg,导电炭黑5mg,聚偏氟乙烯5mg,加入到玛瑙研钵中,并滴加16滴N-甲基吡咯烷酮,研磨20min。再将研磨均匀的浆料涂覆在铜箔上,浆料厚度为100μm。将铜箔放入真空干燥箱中干燥12h,干燥温度为110℃,干燥后用冲片机冲成直径为14mm的圆片,最终制得五氯化钼-石墨插层化合物目标材料电极。将目标材料电极作为正极,金属钠作为负极,组装成钠离子电池,对其进行循环寿命测试,所用电化学工作站为CT2001A蓝电电池测试系统。电池壳为CR2016型扣式,以whatman GF/D为隔膜,1M六氟磷酸钠为电解液,电流密度为1A/g。其循环寿命曲线图,如图5所示,从中可以看出,在1A/g的电流密度下,该电极材料可以稳定循环50圈,并且库伦效率基本保持在99%以上。
Claims (2)
1.一种金属氯化物-石墨插层化合物电极的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤1、称取0.1-1 g石墨粉和0.1-5 g金属氯化物,加入到玛瑙研钵中,均匀研磨3-7min后转移到反应釜中,并向反应釜加入0.05-2.25 mL磺酰氯,上述操作在手套箱中完成,然后将反应釜从手套箱中取出,放入马弗炉中进行反应,反应温度从室温以5-15 ℃ min-1的升温速率升至100-450 ℃,恒温10-30 h,反应结束后,取出产物,用无水乙醇反复冲洗2-5次后抽滤,滤饼放入真空干燥箱中干燥8-12 h,干燥温度控制在60-80 ℃,得到金属氯化物-石墨插层化合物,所述金属氯化物选自三氯化铋、五氯化钼或六氯化钨中的一种;
步骤2、取步骤1制得的金属氯化物-石墨插层化合物样品20-60 mg,导电炭黑2.5-7.5mg,聚偏氟乙烯2.5-7.5 mg,加入到玛瑙研钵中,并滴加12-16滴N-甲基吡咯烷酮,研磨15-30 min,再将研磨均匀的浆料涂覆在铜箔上,浆料厚度为50-200 μm,然后将铜箔放入真空干燥箱中干燥8-14 h,干燥温度控制在80-120 ℃,干燥后用冲片机冲成直径为13-15 mm的圆片,最终制得金属氯化物-石墨插层化合物电极。
2.根据权利要求1所述方法制备的金属氯化物-石墨插层化合物电极在钠离子电池中的应用。
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CN1426960A (zh) * | 2001-12-19 | 2003-07-02 | 希尔蒂股份公司 | 可膨胀石墨-嵌入化合物、其制备方法和其应用 |
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