Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN113075533B - 芯片检测方法及芯片检测装置 - Google Patents

芯片检测方法及芯片检测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113075533B
CN113075533B CN202110318148.XA CN202110318148A CN113075533B CN 113075533 B CN113075533 B CN 113075533B CN 202110318148 A CN202110318148 A CN 202110318148A CN 113075533 B CN113075533 B CN 113075533B
Authority
CN
China
Prior art keywords
power pump
chip
working mode
region
light signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110318148.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113075533A (zh
Inventor
周舰波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN202110318148.XA priority Critical patent/CN113075533B/zh
Publication of CN113075533A publication Critical patent/CN113075533A/zh
Priority to PCT/CN2021/109267 priority patent/WO2022198870A1/zh
Priority to US17/603,493 priority patent/US11862266B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN113075533B publication Critical patent/CN113075533B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/021Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in voltage or current generators
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/308Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G01R31/311Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of integrated circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及集成电路失效分析技术领域,尤其涉及一种芯片检测方法及芯片检测装置。所述芯片检测方法包括如下步骤:提供待测试的芯片,所述芯片中包括动力泵区域,所述动力泵区域中包括多个动力泵结构;探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号;判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配,若否,则确认所述动力泵区域存在缺陷,所述动力泵工作模式包括所述动力泵区域中所述动力泵结构的工作状态。本发明不仅检测过程操作简单,而且通过微光信号可以快速、直观的反映出动力泵区域的动力泵结构工作状态,在节约检测成本的同时,能够极大的提高检测准确度。

Description

芯片检测方法及芯片检测装置
技术领域
本发明涉及集成电路失效分析技术领域,尤其涉及一种芯片检测方法及芯片检测装置。
背景技术
动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构,其由多个存储单元构成,每个存储单元通常包括晶体管和电容器。晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接,字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭,从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息,或者将数据信息写入到电容器中。
DRAM中依靠动力泵(Power Pump)为字线供电。当DRAM中的字线处于开启状态时,由于芯片的负载较大,通常需要多个动力泵同时作动来给字线供电;而当DRAM中的字线处于关闭状态时,芯片的负载较小,通常只需要一个动力泵作动来给字线供电。因此,动力泵是否能正常工作对DRAM中字线信号的传输至关重要。当前对动力泵性能的检测存在检测准确度低、耗时费力等缺点。
因此,如何提高动力泵性能检测的准确性,同时避免耗费过多的人力、物力和时间,是当前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种芯片检测方法和芯片检测装置,用于解决现有技术在检测芯片中动力泵的性能时准确度较低、检测成本较高的问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种芯片检测方法,包括如下步骤:
提供待测试的芯片,所述芯片中包括动力泵区域,所述动力泵区域中包括多个动力泵结构;
探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号;
判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配,若否,则确认所述动力泵区域存在缺陷,所述动力泵工作模式包括所述动力泵区域中所述动力泵结构的工作状态。
可选的,探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号的具体步骤包括:
将所述芯片正面朝上放置于透明载物台上,并使得一微光探测镜头朝向所述透明载物台的背面放置;
自所述芯片的背面探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号。
可选的,所述动力泵结构包括CMOS管;
所述微光探测镜头能够探测波长为700nm~1400nm范围的微光。
可选的,所述微光探测镜头为InGaAs镜头。
可选的,所述预设工作模式包括运行工作模式;探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号的具体步骤包括:
自测试机台向所述芯片传输第一测试信号,使得所述芯片处于运行工作模式;
探测所述芯片处于运行工作模式时所述动力泵区域发出的第一微光信号。
可选的,所述动力泵区域包括第一子区域,所述第一子区域中包括多个动态运作动力泵结构;判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配的具体步骤包括:
判断所述第一微光信号是否为所述第一子区域中的多个动态运作动力泵结构共同发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
可选的,所述预设工作模式包括预充电工作模式;探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号的具体步骤包括:
自测试机台向所述芯片传输第二测试信号,使得所述芯片处于预充电工作模式;
探测所述芯片处于预充电工作模式时所述动力泵区域发出的第二微光信号。
可选的,所述动力泵区域包括第二子区域,所述第二子区域中包括多个静态动力泵结构;判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配的具体步骤包括:
判断所述第二微光信号是否仅为所述第二子区域中的1个静态动力泵结构发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
为了解决上述问题,本发明还提供了一种芯片检测装置,包括:
测试模块,用于向待测试的芯片传输测试信号,使得所述芯片处于预设工作模式,所述芯片中包括动力泵区域,所述动力泵区域中包括多个动力泵结构;
探测模块,用于探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号;
判断模块,用于判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配,若否,则确认所述动力泵区域存在缺陷,所述动力泵工作模式包括所述动力泵区域中所述动力泵结构的工作状态。
可选的,所探测模块包括透明载物台和微光探测镜头,所述芯片正面朝上放置于所述透明载物台上;所述微光探测镜头朝向所述透明载物台的背面放置,使得所述微光探测镜头能够自所述芯片的背面探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号。
可选的,所述动力泵结构包括CMOS管;
所述微光探测镜头能够探测波长为700nm~1400nm范围的微光。
可选的,所述微光探测镜头为InGaAs镜头。
可选的,所述预设工作模式包括运行工作模式;
所述测试模块用于向所述芯片传输第一测试信号,使得所述芯片处于运行工作模式;
所述探测模块用于探测所述芯片处于运行工作模式时所述动力泵区域发出的第一微光信号。
可选的,所述动力泵区域包括第一子区域,所述第一子区域中包括多个动态运作动力泵结构;
所述判断模块用于判断所述第一微光信号是否为所述第一子区域中的多个动态运作动力泵结构共同发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
可选的,所述预设工作模式包括预充电工作模式;
所述测试模块用于向所述芯片传输第二测试信号,使得所述芯片处于预充电工作模式;
所述探测模块用于探测所述芯片处于预充电工作模式时所述动力泵区域发出的第二微光信号。
可选的,所述动力泵区域包括第二子区域,所述第二子区域中包括多个静态动力泵结构;
所述判断模块用于判断所述第二微光信号是否仅为所述第二子区域中的一个静态动力泵结构发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
本发明提供的芯片检测方法及芯片检测装置,通过驱动芯片处于特定的工作模式下,并利用微光探测的方式来检测动力泵区域在芯片特定工作模式下的微光信号,通过微光信号来判断芯片的工作模式与动力泵的工作模式是否匹配来判断动力泵区域是否存在缺陷,不仅检测过程操作简单,而且通过微光信号可以快速、直观的反映出动力泵区域的动力泵结构工作状态,在节约检测成本的同时,能够极大的提高检测准确度。
附图说明
附图1是本发明具体实施方式中芯片的检测方法流程图;
附图2是本发明具体实施方式中动力泵区域的结构示意图;
附图3是本发明具体实施方式在对芯片检测时芯片与微光镜头之间的相对位置关系图;
附图4是本发明具体实施方式中芯片处于运行状态时探测到的动力泵区域正常的第一微光信号示意图;
附图5是本发明具体实施方式中在芯片处于预充电状态时探测到的动力泵区域正常的第二微光信号示意图;
附图6是本发明具体实施方式中在芯片处于预充电状态时探测到的动力泵区域异常的第二微光信号示意图;
附图7是本发明具体实施方式中芯片检测装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的芯片检测方法及芯片检测装置的具体实施方式做详细说明。
当前对于DRAM中动力泵性能的检测一般采用两种方法:第一种方法是,通过理论上的电路模拟进行仿真验证以及电性推测;第二种方法是,通过PFA FIB手法,即利用聚焦GA正离子束轰击冲开芯片的目标信号对应的钝化层,使得用于传导目标信号的金属层暴露出来,引出动力泵检测信号,通过示波器探针探测波形信号来判断动力泵当前所处的状态。第一种方法虽然可以快速检测动力泵的工作状态,但是由于没有考虑到实际制程中的诸多因素,造成理论与实际之间存在差异,检测结果的准确性较低。第二种方法虽然可以较为准确的判断动力泵的工作状态,但是耗费过多的人力、物力和时间。
本具体实施方式提供了一种芯片检测方法,附图1是本发明具体实施方式中芯片的检测方法流程图,附图2是本发明具体实施方式中动力泵区域的结构示意图,附图3是本发明具体实施方式在对芯片检测时芯片与微光镜头之间的相对位置关系图。如图1-图3所示,本具体实施方式提供的芯片检测方法,包括如下步骤:
步骤S11,提供待测试的芯片32,所述芯片32中包括动力泵区域20,所述动力泵区域20中包括多个动力泵结构。
所述芯片32可以是DRAM芯片,也可以其他需要动力泵结构供电的芯片。以所述芯片为DRAM芯片为例,所述芯片中包括存储区域和位于所述存储区域外部的动力泵区域20,所述存储区域中具有用于传输栅极信号的字线,所述动力泵区域20中的所述动力泵结构用于向所述字线供电。所述动力泵结构的具体类型,本领域技术人员可以根据实际需要进行选择,例如是包括CMOS管的电路结构,只要所述动力泵结构在启动后能够发射出微光信号即可。
步骤S12,探测所述芯片32处于预设工作模式时所述动力泵区域20发出的微光信号。
具体来说,通过向所述芯片32传输特定的测试信号,使得所述芯片32处于所述预设工作模式下,并利用微光探测器件检测所述芯片32处于所述预设工作模式下时所述动力泵区域20发出的微光信号。举例来说,在所述芯片32设计过程中,为了满足后续对所述芯片32性能测试的需要,会在所述芯片32中设置DFT(Design For Test,可测试性设计)。所述DFT中包括多个测试模式,以便于后续能够驱动所述芯片32处于不同的工作模式下,从而能够对所述芯片32的多种性能或者多个结构进行测试,以判断所述芯片32是否满足设计需求或者为后续芯片的技术改进提供参考。如图3所示,本具体实施方式可以将所述芯片32置于探测机台30内,并通过线缆33将所述芯片32与位于所述探测机台30外部的测试机台31电连接。通过所述测试机台31向所述芯片32传输测试信号,启动所述DFT中的特定测试模式,从而使得所述芯片32处于所述预设工作模式。本具体实施方式中所述的多个是指两个及两个以上。
步骤S13,判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配,若否,则确认所述动力泵区域存在缺陷,所述动力泵工作模式包括所述动力泵区域20中所述动力泵结构的工作状态。
所述动力泵区域20中所述动力泵结构的工作状态包括所述动力泵区域20中每个所述动力泵结构的工作状态。所述动力泵结构的工作状态包括开启状态和关闭状态。所述动力泵结构在开启时会发射特定波长的微光信号,在关闭时则不会发射微光信号。具体来说,可以预先设置于多种所述预设工作模式一一对应的多种所述动力泵工作模式。以所述芯片32为DRAM芯片为例,所述预设工作模式包括运行工作模式和预充电工作模式。在所述运行工作模式下,所述芯片32中的字线处于开启状态,所述芯片32的负载较大,需要所述动力泵区域20中的多个所述动力泵结构向所述字线供电。因此,与所述运行工作模式对应的动力泵工作模式为所述动力泵区域20中的多个所述动力泵结构启动。在所述预充电工作模式下,所述芯片32中的字线处于关闭状态,所述芯片32的负载较小,只需要所述动力泵区域20中的一个所述动力泵结构向所述字线供电。因此,与所述预充电工作模式对应的动力泵工作模式为所述动力泵区域20中的1个所述动力泵结构启动。当所述芯片32为其他类型的芯片时,所述预设工作模式可以根据所述芯片32中信号线的开启和关闭状态进行设置。
可选的,探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域20发出的微光信号的具体步骤包括:
将所述芯片32正面朝上放置于透明载物台302上,并使得一微光探测镜头301朝向所述透明载物台302的背面3022放置;
自所述芯片32的背面探测所述芯片32处于预设工作模式时所述动力泵区域20发出的微光信号。
具体来说,所述芯片32包括相对分布的所述芯片32的正面321和所述芯片32的背面,所述芯片32朝向所述透明载物台302的表面为所述芯片32的背面。所述透明载物台302包括相对分布的透明载物台的正面3021和透明载物台的背面3022,所述透明载物台302朝向所述芯片32的表面为所述透明载物台的正面3021。本具体实施方式可以将所述芯片32的正面321朝上放置于所述探测机台30内部的所述透明载物台302的正面3021上,并使得用于探测微光信号的所述微光探测镜头301朝向所述透明载物台302的背面3022,从而可以及时、准确的对所述动力泵区域20因漏电发出的微光信号进行探测。所述微光探测镜头301探测到的微光信号能够直观的反映出所述动力泵区域20中发射微光的位置以及所述动力泵区域20中出现微光信号的数量。
可选的,所述动力泵结构包括CMOS管;
所述微光探测镜头301能够探测波长为700nm~1400nm范围的微光。
可选的,所述微光探测镜头301为InGaAs镜头。
具体来说,CMOS管在工作时会有大量的电子与空穴复合,电子的动能转化为光能,从而产生波段为1100nm左右的微光信号。InGaAs镜头包括近红外光电探测器,能够捕捉到波长为700nm~1400nm范围内的微光信号,因此,通过InGaAs镜头能够捕捉到启动的动力泵结构发射的微光信号。
可选的,所述预设工作模式包括运行工作模式;探测所述芯片32处于预设工作模式时所述动力泵区域20发出的微光信号的具体步骤包括:
自测试机台31向所述芯片32传输第一测试信号,使得所述芯片31处于运行工作模式;
探测所述芯片32处于运行工作模式时所述动力泵区域20发出的第一微光信号212。
可选的,所述动力泵区域包括第一子区域21,所述第一子区域21中包括多个动态运作动力泵结构(active pump)211;判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配的具体步骤包括:
判断所述第一微光信号212是否为所述第一子区域21中的多个动态运作动力泵结构211共同发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
附图4是本发明具体实施方式中芯片处于运行状态时探测到的动力泵区域正常的第一微光信号示意图。举例来说,当通过位于探测机台30外部的测试机台31向所述芯片32传输第一测试信号,使得所述芯片32处于运行状态时,为了满足所述芯片32的高负载要求,需要所述动力泵区域20中的所述第一子区域21中的三个所述动态运作动力泵结构211启动。此时,若所述微光探测镜头301自所述芯片32的背面探测到的所述第一微光信号212仅位于所述第一子区域21中,且所述第一微光信号212的数量为3个(如图4所示),则确认在所述芯片32处于运行状态时所述动力泵区域20的动力泵结构工作正常。所述运行状态下所述动力泵区域20中理论上应启动的动态运动动力泵结构211的数量和位置可以根据实际需要预先设置。所述测试机台31的具体类型本领域技术人员可以根据实际需要进行选择,只要能向所述芯片32传输测试信号,使得所述芯片32处于运行状态即可。
可选的,所述预设工作模式包括预充电工作模式;探测所述芯片32处于预设工作模式时所述动力泵区域20发出的微光信号的具体步骤包括:
自测试机台31向所述芯片32传输第二测试信号,使得所述芯片32处于预充电工作模式;
探测所述芯片32处于预充电工作模式时所述动力泵区域20发出的第二微光信号222。
可选的,所述动力泵区域包括第二子区域22,所述第二子区域22中包括多个静态动力泵结构(standby pump)221;判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配的具体步骤包括:
判断所述第二微光信号222是否仅为所述第二子区域22中的一个静态动力泵结构221发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
附图5是本发明具体实施方式中在芯片处于预充电状态时探测到的动力泵区域正常的第二微光信号示意图,附图6是本发明具体实施方式中在芯片处于预充电状态时探测到的动力泵区域异常的第二微光信号示意图。举例来说,当通过位于探测机台30外部的测试机台31向所述芯片32传输第二测试信号,使得所述芯片32处于预充电状态时,由于所述芯片32的负载较低,只需要所述动力泵区域20中的所述第二子区域22中的一个所述静态动力泵结构212启动。此时,若所述微光探测镜头301探测到的所述第二微光信号222仅位于所述第二子区域22中,且所述第二微光信号222的数量仅为1个(如图5所示),则确认所述芯片32处于所述预充电状态时所述动力泵区域20的动力泵结构工作正常。当所述微光探测镜头301探测到的所述第二微光信号222位于所述第一子区域21中和/或所述第二微光信号222的数量大于1个时(如图6所示),则确认所述动力泵区域20存在缺陷。所述预充电状态下所述动力泵区域20中理论上应启动的静态动力泵结构221的数量和位置可以根据实际需要预先设置。
本领域技术人员可以根据实际需要通过所述测试机台31向所述芯片32仅传输所述第一测试信号,从而检测所述第一子区域21中的所述动态运作动力泵结构211在所述芯片32处于运行状态时的工作状况是否正常;或者,通过所述测试机台31向所述芯片32仅传输所述第二测试信号,从而检测所述第二子区域22中的所述静态动力泵结构221在所述芯片32处于预充电状态时的工作状况是否正常。本领域技术人员还可以根据实际需要先后验证所述芯片32在运行状态和预充电状态时所述动力泵区域20的工作状况是否正常,以实现对所述动力泵区域20性能的全面检测。举例来说,可以先通过所述测试机台31向所述芯片32传输所述第一测试信号,在验证所述第一子区域21中的所述动态运作动力泵结构211在所述芯片32处于运行状态时的工作状况正常之后,再通过所述测试机台31向所述芯片32传输所述第二测试信号,以验证所述第二子区域22中的所述静态动力泵结构221在所述芯片32处于预充电状态时的工作状况是否正常。
不仅如此,本具体实施方式还提供了一种芯片检测装置,附图7是本发明具体实施方式中芯片检测装置的结构示意图。本具体实施方式提供的芯片检测装置可以采用如图1-图6所示的芯片检测方法对芯片进行检测。如图1-图7所示,本具体实施方式提供的芯片检测装置,包括:
测试模块70,用于向待测试的芯片32传输测试信号,使得所述芯片32处于预设工作模式,所述芯片32中包括动力泵区域20,所述动力泵区域20中包括多个动力泵结构;
探测模块71,用于探测所述芯片32处于预设工作模式时所述动力泵区域20发出的微光信号;
判断模块72,用于判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配,若否,则确认所述动力泵区域20存在缺陷,所述动力泵工作模式包括所述动力泵区域20中所述动力泵结构的工作状态。
可选的,探测模块71包括透明载物台302和微光探测镜头301,所述芯片32正面朝上放置于所述透明载物台302上;所述微光探测镜头301朝向所述透明载物台302的背面放置,使得所述微光探测镜头301能够自所述芯片32的背面探测所述芯片32处于预设工作模式时所述动力泵区域20发出的微光信号。
可选的,所述动力泵结构包括CMOS管;
所述微光探测镜头301能够探测波长为700nm~1400nm范围的微光。
可选的,所述微光探测镜头301为InGaAs镜头。
可选的,所述预设工作模式包括运行工作模式;
所述测试模块70用于向所述芯片32传输第一测试信号,使得所述芯片32处于运行工作模式;
所述探测模块71用于探测所述芯片32处于运行工作模式时所述动力泵区域20发出的第一微光信号。
可选的,所述动力泵区域20包括第一子区域21,所述第一子区域21中包括多个动态运作动力泵结构211;
所述判断模块72用于判断所述第一微光信号是否为所述第一子区域21中的多个动态运作动力泵结构211共同发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
可选的,所述预设工作模式包括预充电工作模式;
所述测试模块70用于向所述芯片32传输第二测试信号,使得所述芯片32处于预充电工作模式;
所述探测模块71用于探测所述芯片32处于预充电工作模式时所述动力泵区域20发出的第二微光信号。
可选的,所述动力泵区域20包括第二子区域22,所述第二子区域22中包括多个静态动力泵结构221;
所述判断模块72用于判断所述第二微光信号是否仅为所述第二子区域22中的一个静态动力泵结构221发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
本具体实施方式提供的芯片检测方法及芯片检测装置,通过驱动芯片处于特定的工作模式下,并利用微光探测的方式来检测动力泵区域在芯片特定工作模式下的微光信号,通过微光信号来判断芯片的工作模式与动力泵的工作模式是否匹配来判断动力泵区域是否存在缺陷,不仅检测过程操作简单,而且通过微光信号可以快速、直观的反映出动力泵区域的动力泵结构工作状态,在节约检测成本的同时,能够极大的提高检测准确度。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种芯片检测方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供待测试的芯片,所述芯片中包括动力泵区域,所述动力泵区域中包括多个动力泵结构;
探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号;
判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配,若否,则确认所述动力泵区域存在缺陷,所述动力泵工作模式包括所述动力泵区域中所述动力泵结构的工作状态。
2.根据权利要求1所述的芯片检测方法,其特征在于,探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号的具体步骤包括:
将所述芯片正面朝上放置于透明载物台上,并使得一微光探测镜头朝向所述透明载物台的背面放置;
自所述芯片的背面探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号。
3.根据权利要求2所述的芯片检测方法,其特征在于,所述动力泵结构包括CMOS管;
所述微光探测镜头能够探测波长为700nm~1400nm范围的微光。
4.根据权利要求3所述的芯片检测方法,其特征在于,所述微光探测镜头为InGaAs镜头。
5.根据权利要求1所述的芯片检测方法,其特征在于,所述预设工作模式包括运行工作模式;探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号的具体步骤包括:
自测试机台向所述芯片传输第一测试信号,使得所述芯片处于运行工作模式;
探测所述芯片处于运行工作模式时所述动力泵区域发出的第一微光信号。
6.根据权利要求5所述的芯片检测方法,其特征在于,所述动力泵区域包括第一子区域,所述第一子区域中包括多个动态运作动力泵结构;判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配的具体步骤包括:
判断所述第一微光信号是否为所述第一子区域中的多个动态运作动力泵结构共同发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
7.根据权利要求1所述的芯片检测方法,其特征在于,所述预设工作模式包括预充电工作模式;探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号的具体步骤包括:
自测试机台向所述芯片传输第二测试信号,使得所述芯片处于预充电工作模式;
探测所述芯片处于预充电工作模式时所述动力泵区域发出的第二微光信号。
8.根据权利要求7所述的芯片检测方法,其特征在于,所述动力泵区域包括第二子区域,所述第二子区域中包括多个静态动力泵结构;判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配的具体步骤包括:
判断所述第二微光信号是否仅为所述第二子区域中的一个静态动力泵结构发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
9.一种芯片检测装置,其特征在于,包括:
测试模块,用于向待测试的芯片传输测试信号,使得所述芯片处于预设工作模式,所述芯片中包括动力泵区域,所述动力泵区域中包括多个动力泵结构;
探测模块,用于探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号;
判断模块,用于判断所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式是否匹配,若否,则确认所述动力泵区域存在缺陷,所述动力泵工作模式包括所述动力泵区域中所述动力泵结构的工作状态。
10.根据权利要求9所述的芯片检测装置,其特征在于,所述探测模块包括透明载物台和微光探测镜头,所述芯片正面朝上放置于所述透明载物台上;所述微光探测镜头朝向所述透明载物台的背面放置,使得所述微光探测镜头能够自所述芯片的背面探测所述芯片处于预设工作模式时所述动力泵区域发出的微光信号。
11.根据权利要求10所述的芯片检测装置,其特征在于,所述动力泵结构包括CMOS管;
所述微光探测镜头能够探测波长为700nm~1400nm范围的微光。
12.根据权利要求11所述的芯片检测装置,其特征在于,所述微光探测镜头为InGaAs镜头。
13.根据权利要求9所述的芯片检测装置,其特征在于,所述预设工作模式包括运行工作模式;
所述测试模块用于向所述芯片传输第一测试信号,使得所述芯片处于运行工作模式;
所述探测模块用于探测所述芯片处于运行工作模式时所述动力泵区域发出的第一微光信号。
14.根据权利要求13所述的芯片检测装置,其特征在于,所述动力泵区域包括第一子区域,所述第一子区域中包括多个动态运作动力泵结构;
所述判断模块用于判断所述第一微光信号是否为所述第一子区域中的多个动态运作动力泵结构共同发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
15.根据权利要求9所述的芯片检测装置,其特征在于,所述预设工作模式包括预充电工作模式;
所述测试模块用于向所述芯片传输第二测试信号,使得所述芯片处于预充电工作模式;
所述探测模块用于探测所述芯片处于预充电工作模式时所述动力泵区域发出的第二微光信号。
16.根据权利要求15所述的芯片检测装置,其特征在于,所述动力泵区域包括第二子区域,所述第二子区域中包括多个静态动力泵结构;
所述判断模块用于判断所述第二微光信号是否仅为所述第二子区域中的一个静态动力泵结构发出,若否,则确认所述微光信号与所述预设工作模式下对应的动力泵工作模式不匹配。
CN202110318148.XA 2021-03-25 2021-03-25 芯片检测方法及芯片检测装置 Active CN113075533B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110318148.XA CN113075533B (zh) 2021-03-25 2021-03-25 芯片检测方法及芯片检测装置
PCT/CN2021/109267 WO2022198870A1 (zh) 2021-03-25 2021-07-29 nbvcx芯片检测方法及芯片检测装置
US17/603,493 US11862266B2 (en) 2021-03-25 2021-07-29 Chip detection method and chip detection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110318148.XA CN113075533B (zh) 2021-03-25 2021-03-25 芯片检测方法及芯片检测装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113075533A CN113075533A (zh) 2021-07-06
CN113075533B true CN113075533B (zh) 2021-12-17

Family

ID=76610146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110318148.XA Active CN113075533B (zh) 2021-03-25 2021-03-25 芯片检测方法及芯片检测装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11862266B2 (zh)
CN (1) CN113075533B (zh)
WO (1) WO2022198870A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113075533B (zh) * 2021-03-25 2021-12-17 长鑫存储技术有限公司 芯片检测方法及芯片检测装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6650130B1 (en) * 1999-08-31 2003-11-18 International Business Machines Corporation Integrated circuit device defect detection method and apparatus employing light emission imaging
CN102129026A (zh) * 2011-01-04 2011-07-20 苏州瀚瑞微电子有限公司 一种芯片失效定位的方法
CN103197224A (zh) * 2013-04-22 2013-07-10 上海交通大学 基于Howland电流泵的多路OLED寿命测试系统
CN108318800A (zh) * 2017-12-30 2018-07-24 北京工业大学 一种GaN基半导体激光芯片检测装置与方法
CN108387838A (zh) * 2018-03-07 2018-08-10 天津芯海创科技有限公司 芯片测试方法、装置、芯片及设计芯片的方法
CN110892517A (zh) * 2017-07-18 2020-03-17 浜松光子学株式会社 半导体晶圆
CN110914964A (zh) * 2017-07-18 2020-03-24 浜松光子学株式会社 半导体晶圆

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5504431A (en) * 1991-12-09 1996-04-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device for and method of evaluating semiconductor integrated circuit
JP2004327773A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Renesas Technology Corp 故障解析装置
JP2006209861A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路およびそのテスト手法
US8742782B2 (en) * 2011-07-27 2014-06-03 International Business Machines Corporation Noncontact electrical testing with optical techniques
CN103389307A (zh) 2012-05-11 2013-11-13 上海华虹Nec电子有限公司 用于背面emmi失效分析的装置及失效分析方法
CN107888810B (zh) * 2017-11-13 2024-03-01 合肥美亚光电技术股份有限公司 InGaAs红外相机及控制方法
CN113075533B (zh) 2021-03-25 2021-12-17 长鑫存储技术有限公司 芯片检测方法及芯片检测装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6650130B1 (en) * 1999-08-31 2003-11-18 International Business Machines Corporation Integrated circuit device defect detection method and apparatus employing light emission imaging
CN102129026A (zh) * 2011-01-04 2011-07-20 苏州瀚瑞微电子有限公司 一种芯片失效定位的方法
CN103197224A (zh) * 2013-04-22 2013-07-10 上海交通大学 基于Howland电流泵的多路OLED寿命测试系统
CN110892517A (zh) * 2017-07-18 2020-03-17 浜松光子学株式会社 半导体晶圆
CN110914964A (zh) * 2017-07-18 2020-03-24 浜松光子学株式会社 半导体晶圆
CN108318800A (zh) * 2017-12-30 2018-07-24 北京工业大学 一种GaN基半导体激光芯片检测装置与方法
CN108387838A (zh) * 2018-03-07 2018-08-10 天津芯海创科技有限公司 芯片测试方法、装置、芯片及设计芯片的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113075533A (zh) 2021-07-06
US20230056149A1 (en) 2023-02-23
US11862266B2 (en) 2024-01-02
WO2022198870A1 (zh) 2022-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110706732B (zh) 存储器芯片的失效分析方法
US6825682B2 (en) Test configuration for the functional testing of a semiconductor chip
CN100538378C (zh) 获取单粒子现象截面与重离子线性能量转移关系的方法
US5248936A (en) Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same
CN113075533B (zh) 芯片检测方法及芯片检测装置
KR20140123342A (ko) 기판의 결함 검출 방법
WO2022198882A1 (zh) 芯片检测方法及芯片检测装置
JP3004830B2 (ja) 半導体集積回路の評価装置及び評価方法
CN110780180A (zh) 芯片测试装置及系统
CN111477262B (zh) 半导体器件的失效分析方法
CN104751875A (zh) 应用于nvm芯片的失效位图分析方法
JP2002228608A (ja) 半導体素子の電気的欠陥検査装置、これを用いた半導体素子の電気的欠陥検査方法
WO2007013386A1 (ja) 半導体装置の検査方法、半導体装置、半導体集積回路、半導体集積回路のテスト方法およびテスト装置
US20220310186A1 (en) Chip detection method and device
Yingqi et al. SEE Characteristics of COTS Devices by 1064nm Pulsed Laser Backside Testing
CN104793129A (zh) 利用emmi检测芯片静态漏电的辅助电路的设计方法
TW202111307A (zh) 缺陷分析方法與記憶體晶片
JP2006275835A (ja) 故障検出回路および故障検出方法
US11899065B2 (en) System and method to weight defects with co-located modeled faults
KR100936057B1 (ko) 외장형 메모리 카드용 실장검사 장치
Asquith et al. A Case Study of High SRAM Low Power Mode Current
US6396752B2 (en) Method of testing a memory cell having a floating gate
CN114005482A (zh) 一种存储阵列中浮栅缺陷的高效检测方法、系统及存储介质
CN116825171A (zh) 一种测试方法及测试装置
Kwon et al. Application of Advanced Dynamic Photon Emission Microscopy with Programmable Tester for Functional Failure Analysis of DRAM Devices

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant