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CN112805136B - 液晶化合物取向层转印用取向薄膜 - Google Patents

液晶化合物取向层转印用取向薄膜 Download PDF

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CN112805136B CN201980064549.8A CN201980064549A CN112805136B CN 112805136 B CN112805136 B CN 112805136B CN 201980064549 A CN201980064549 A CN 201980064549A CN 112805136 B CN112805136 B CN 112805136B
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Abstract

提供：使用廉价且机械强度优异的聚酯等的拉伸薄膜作为用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜，并且即使在层叠于转印用薄膜上的状态下，也能够评价设置于转印用薄膜上的液晶化合物取向层的取向状态等的转印用薄膜；降低转印后的液晶化合物取向层的取向方向的偏离的问题、能以符合设计的取向转印液晶化合物取向层、能防止显示器的漏光的问题的转印用薄膜；或有效地防止在薄膜上形成液晶化合物取向层的工序中薄膜的雾度的上升、薄膜中的异物的发生、能形成符合设计的取向的液晶化合物取向层的转印用薄膜。

Description

液晶化合物取向层转印用取向薄膜
技术领域
本发明涉及用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜。更详细而言，涉及：在制造层叠有由液晶化合物取向层形成的相位差层的圆偏光板等偏光板、相位差板时、制造具有由液晶化合物取向层形成的偏光层的偏光板时等能够使用的、用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜。
背景技术
以往，图像显示装置中，为了降低外来光的反射，在图像显示面板的观看者侧的面板面配置圆偏光板。该圆偏光板由直线偏光板与λ/4等相位差薄膜的层叠体构成，通过直线偏光板将面向图像显示面板的面板面的外来光转换为直线偏振光，然后，通过λ/4等相位差薄膜转换为圆偏振光。基于圆偏振光的外来光在图像显示面板的表面进行反射时偏光面的旋转方向倒转，该反射光相反地通过λ/4等相位差薄膜转换为由直线偏光板遮光的方向的直线偏振光，之后通过直线偏光板遮光，因此，可抑制对外部的出射。如此，圆偏光板使用的是，在偏光板上贴合有λ/4等相位差薄膜者。
作为相位差薄膜，使用有环状烯烃(参照专利文献1)、聚碳酸酯(参照专利文献2)、三乙酰纤维素的拉伸薄膜(参照专利文献3)等单独的相位差薄膜。另外，作为相位差薄膜，使用有在透明薄膜上具有由液晶化合物形成的相位差层的层叠体的相位差薄膜(参照专利文献4、5)。记载了上述中在设置由液晶化合物形成的相位差层时，可以将液晶化合物转印。
另外，专利文献6等中已知通过将由液晶化合物形成的相位差层转印至透明薄膜而制成相位差薄膜的方法。通过这种转印法，还已知在透明薄膜上设置由λ/4等的液晶化合物形成的相位差层而形成λ/4薄膜的方法(参照专利文献7、8)。
这些转印法中，作为转印用的基材，介绍了各种基材，其中，大量示例了聚酯、三乙酰纤维素、环状聚烯烃等透明树脂薄膜。三乙酰纤维素、环状聚烯烃等的未拉伸薄膜在无双折射性、以在薄膜基材上设有相位差层的状态检查(评价)相位差层的状态的方面优选，但这些薄膜不仅昂贵而且减薄薄膜时机械强度差，未必是最佳的薄膜。
另一方面，拉伸薄膜与未拉伸薄膜相比，机械强度优异，优选作为转印用的薄膜基材，但由于具有双折射性，因此，难以评价相位差层。特别是双轴拉伸聚酯薄膜较廉价，且具有优异的机械强度、耐热性，在这些方面，作为转印用的薄膜基材非常优选，但聚酯薄膜由于具有大的双折射性，因此，在薄膜基材上层叠了液晶化合物取向层(相位差层)的状态下，难以评价相位差层。
因此，在评价拉伸薄膜中的相位差层的情况下，需要转印至对象物(其他透明树脂薄膜、偏光板等)后进行评价、或剥离相位差层后仅以相位差层进行评价、或转印至玻璃等后进行评价。在转印至对象物后进行评价的方法中，如果相位差层存在问题，则必须将其与作为正常品的偏光板等一起以非标准品的身份处理掉，生产率差。剥离相位差层进行评价的方法中，存在如果相位差层变薄则无法评价的问题。另外，剥离进行评价的方法、转印至玻璃的方法都是抽取样品的评价，无法评价总量。
另外，拉伸薄膜与未拉伸薄膜相比，机械强度优异，优选作为转印用的薄膜基材，但转印后的相位差层的取向方向不成为符合设计的取向方向，经常产生偏离其的问题。而且，如果将这种具有偏离了设计的取向方向的相位差的偏光板用于显示器，则有时产生漏光等问题。特别是，双轴拉伸聚酯薄膜等拉伸聚酯薄膜较廉价，且具有优异的机械强度、耐热性，在这些方面，作为转印用的薄膜基材非常优选，但聚酯薄膜中，该取向方向的偏离、和由其导致的漏光的问题特别明显。
进而，双轴拉伸聚酯薄膜等聚酯薄膜较廉价，且具有优异的机械强度、耐热性，在这些方面，作为转印用的薄膜基材非常优选，但如果使用聚酯薄膜作为转印用的薄膜基材，则在其上形成相位差层(液晶化合物取向层)而制作层叠体的工序中，存在薄膜的雾度上升、或在薄膜中产生异物的问题。而且，由于这种上升了的雾度、异物而用于控制液晶化合物的取向的紫外线照射时偏振光会紊乱，存在不成为符合设计的取向方向的问题。
另外，还已知将在转印用薄膜上层叠的包含液晶化合物和二色性色素的偏光层(液晶化合物取向层)转印至保护膜而制造偏光板的方法，但该情况也存在与上述同样的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-56322号公报
专利文献2：日本特开2004-144943号公报
专利文献3：日本特开2004-46166号公报
专利文献4：日本特开2006-243653号公报
专利文献5：日本特开2001-4837号公报
专利文献6：日本特开平4-57017号公报
专利文献7：日本特开2014-071381号公报
专利文献8：日本特开2017-146616号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是以上述现有技术的课题作为背景而作出的。即，本发明的第一目的在于，想要提供：使用廉价且机械强度优异的聚酯等的拉伸薄膜作为用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜，并且即使在层叠于转印用薄膜上的状态下，也能够评价设置于转印用薄膜上的液晶化合物取向层(相位差层、偏光层)的取向状态等的转印用薄膜。
本发明的第二目的在于，想要提供：使用廉价且机械强度优异的聚酯等的拉伸薄膜作为用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜，并且降低转印后的相位差层、偏光层的取向方向的偏离的问题、能以符合设计的取向转印相位差层、偏光层、能防止显示器的漏光的问题的转印用薄膜。
本发明的第三目的在于，想要提供：使用廉价且机械强度优异的聚酯等的拉伸薄膜作为用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜，并且有效地防止在薄膜上形成相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)的工序中薄膜的雾度的上升、薄膜中的异物的发生、能形成符合设计的取向的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)的转印用薄膜。
用于解决问题的方案
本发明人为了达成第一目的而进行了深入研究，结果发现：通过使用如下取向薄膜，从而不会产生上述以往的问题，即使在将液晶化合物取向层层叠于取向薄膜上的状态下，也能够良好地进行相位差层的评价，所述取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度、或其取向方向跟与流动方向正交的方向之间的角度成为最大的部位也被控制为特定的角度以下。
本发明人为了达成第二目的，对使用以往的拉伸薄膜作为转印用的薄膜基材的情况下，转印后的相位差层、偏光层的取向方向不成为符合设计的取向方向的原因进行了研究。其结果发现：使液晶化合物在作为基材的拉伸薄膜上取向以形成相位差层、偏光层时的热处理会导致基材的拉伸薄膜以某种程度热收缩，但由于该热收缩的程度在拉伸薄膜的正交的2个方向上大幅不同，因此，在热收缩后的基材薄膜中产生畸变，而且该畸变对形成于基材薄膜上的相位差层、偏光层的取向方向造成不良影响，因此，相位差层、偏光层的取向方向会偏离符合设计的取向方向。而且，本发明人对有效地防止基材薄膜的该畸变的方法进行了深入研究，结果发现：通过使用如下作为基材薄膜的取向薄膜，从而不会产生上述以往的问题，能以符合设计的取向转印相位差层、偏光层，不产生漏光的问题，所述取向薄膜的流动方向(MD方向)跟与流动方向正交的方向(TD方向)之间即使有薄膜的热收缩率波动，其差也被控制为特定的范围内。
本发明人为了达成第三目的，对使用以往的拉伸聚酯薄膜作为转印用的薄膜基材的情况下，对在薄膜上形成相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)的工序中薄膜的雾度上升、或在薄膜中产生异物的原因进行了研究。其结果发现：构成聚酯薄膜的聚酯树脂必然含有酯环状三聚体(低聚物)作为其制造过程中的聚合时的反应的副产物，因此，使用聚酯薄膜作为转印用的基材薄膜的情况下，在其上涂布液晶化合物并加热形成液晶化合物取向层(相位差层、偏光层)的工序中，由于加热处理会导致这些低聚物在基材薄膜的表面发生析出，结果导致雾度的上升、异物的发生。而且，本发明人对有效地防止在转印用取向聚酯薄膜的加热处理时这种雾度的上升、异物的发生的方法进行了深入研究，结果发现：使用聚酯薄膜的低聚物析出量被控制为特定的范围内的取向薄膜，从而不会产上述以往的问题，能够形成符合设计的取向的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)。
即，用于达成第一目的的发明具有以下的(1)～(6)的构成。
(1)一种液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的取向薄膜，取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度、或取向薄膜的取向方向跟与流动方向正交的方向之间的角度以在薄膜的宽度方向上距离各端部的内侧位于5cm的地点的两端部、中央部、和位于中央部与两端部的中间的中间部这5处测定的值中的最大值计为14度以下。
(2)根据(1)所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜的宽度方向上的取向角的角度差为7度以下。
(3)根据(1)或(2)所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜为聚酯薄膜。
(4)一种液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，其为层叠有液晶化合物取向层与取向薄膜的层叠体，取向薄膜为(1)～(3)中任一项所述的取向薄膜。
(5)一种液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：使偏光板与(4)所述的层叠体的液晶化合物取向层面贴合而形成中间层叠体的工序；和，从中间层叠体剥离取向薄膜的工序。
(6)一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查(4)所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光，在液晶化合物取向层面侧进行光接收。
用于达成第二目的的发明具有以下的(1)～(6)的构成。
(1)一种液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的取向薄膜，取向薄膜的流动方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟取向薄膜的与流动方向正交的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4％以下。
(2)根据(1)所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，相对于取向薄膜的流动方向为45度的方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟相对于取向薄膜的流动方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4％以下。
(3)根据(1)或(2)所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜为聚酯薄膜。
(4)一种液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，其为层叠有液晶化合物取向层与取向薄膜的层叠体，取向薄膜为(1)～(3)中任一项所述的取向薄膜。
(5)一种液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：使偏光板与(4)所述的层叠体的液晶化合物取向层面贴合而形成中间层叠体的工序；和，从中间层叠体剥离取向薄膜的工序。
(6)一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查(4)所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光，在液晶化合物取向层面侧进行光接收。
用于达成第三目的的发明具有以下的(1)～(6)的构成。
(1)一种液晶化合物取向层转印用取向聚酯薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的取向聚酯薄膜，以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为1.0mg/m2以下。
(2)根据(1)所述的液晶化合物取向层转印用取向聚酯薄膜，其特征在于，构成取向聚酯薄膜的脱模面侧层的聚酯树脂中的酯环状三聚体的含量为0.7质量％以下。
(3)根据(1)或(2)所述的液晶化合物取向层转印用取向聚酯薄膜，在取向聚酯薄膜的脱模面设有防止酯环状三聚体的析出的涂层。
(4)一种液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，其为层叠有液晶化合物取向层与取向聚酯薄膜的层叠体，取向聚酯薄膜为(1)～(3)中任一项所述的取向聚酯薄膜。
(5)一种液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：使偏光板与(4)所述的层叠体的液晶化合物取向层面贴合而形成中间层叠体的工序；和，从中间层叠体剥离取向聚酯薄膜的工序。
(6)一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查(4)所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的取向聚酯薄膜面照射具有跟取向聚酯薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向聚酯薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光，在液晶化合物取向层面侧进行光接收。
发明的效果
根据第一发明，使用廉价且机械强度优异的聚酯等的拉伸薄膜，并且在层叠于取向薄膜的状态下，也能够评价设置于取向薄膜上的液晶化合物取向层(相位差层、偏光层)的取向状态等。
根据第二发明，使用廉价且机械强度优异的聚酯等的拉伸薄膜，并且可以以符合设计的取向转印相位差层、偏光层，可以防止显示器的漏光的问题。
根据第三发明，使用廉价且机械强度优异的聚酯拉伸薄膜，并且可以有效地防止薄膜的加热处理时雾度的上升、异物的发生，因此，可以形成符合设计的取向的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)。
具体实施方式
第一发明的取向薄膜的特征在于，其用于将液晶化合物取向层转印至对象物(其他透明树脂薄膜、偏光板等)，在取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度、或取向薄膜的取向方向跟与流动方向正交的方向之间的角度成为最大的部位为14度以下。
第二发明的取向薄膜的特征在于，其用于将液晶化合物取向层转印至对象物(其他透明树脂薄膜、偏光板等)，取向薄膜的流动方向(MD方向)上的150℃30分钟的热收缩率跟与取向薄膜的流动方向正交的方向(TD方向)上的150℃30分钟的热收缩率之差为4％以下。
第三发明的取向聚酯薄膜的特征在于，其用于将液晶化合物取向层转印至对象物(其他透明树脂薄膜、偏光板等)，以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为1.0mg/m2以下。需要说明的是，以下，有时将取向聚酯薄膜简称为取向薄膜。另外，在后述设置低聚物阻挡涂层、脱模层、平坦化涂层、易滑涂层、抗静电涂层等的情况下，包含这些层在内有时称为取向聚酯薄膜或取向薄膜。
作为取向薄膜中使用的树脂，优选具有双折射性者，更优选聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚丙烯、环状聚烯烃、三乙酰纤维素，进一步优选聚酯，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。
取向薄膜可以为单层也可以为基于共挤出的多层作为构成。多层的情况下，可以举出表层(脱模面的层A)/背面层(B)、A/中间层(C)/A(脱模面的层与背面层相同)、A/C/B等构成。
将薄膜拉伸的情况下，可以为单轴拉伸、弱双轴拉伸(沿双轴方向进行拉伸，但一个方向弱的拉伸)、双轴拉伸，均可，优选沿宽度方向以宽的范围能使取向方向恒定的面上为单轴拉伸或弱双轴拉伸。弱双轴拉伸的情况下，优选使主取向方向为后阶段的拉伸方向。单轴拉伸的情况下，拉伸方向可以为薄膜制造的流动方向(纵向)，也可以为与其正交的方向(横向)。
双轴拉伸的情况下，可以为同时双轴拉伸也可以为依次双轴拉伸。纵向的拉伸优选基于速度差不同的辊组的拉伸，横向的拉伸优选拉幅机拉伸。
转印用取向薄膜在工业上以卷绕薄膜而成的卷的形式供给。卷宽的下限优选30cm、更优选50cm、进一步优选70cm、特别优选90cm、最优选100cm。卷宽的上限优选5000cm、更优选4000cm、进一步优选3000cm。
卷长度的下限优选100m、更优选500m、进一步优选1000m。卷长度的上限优选100000m、更优选50000m、进一步优选30000m。
通常偏振片使用的是，将聚乙烯醇沿薄膜的流动方向拉伸，使其中吸收碘、有机系化合物的二色性色素而成者，偏振片的消光轴(吸收轴)成为薄膜的流动方向。圆偏光板的情况下，作为相位差层的λ/4层的慢轴(取向方向)相对于消光轴以45度层叠，或λ/4层与λ/2层沿倾斜方向(10～80度)层叠。另外，液晶显示器中使用的光学补偿层也相对于偏振片的消光轴沿倾斜方向层叠。
因此，相位差层的取向状态例如可以如下进行检查(评价)：从转印用取向薄膜侧向相位差层照射具有与薄膜的流动方向平行或与薄膜的流动方向垂直的振动方向的直线偏振光，对于在相位差层中成为椭圆偏振光的光，通过用于将椭圆偏振光恢复至直线偏振光的光接收侧相位差板、和设置于不通过由相位差板返回的直线偏振光的方向的光接收侧偏光板而用光接收元件进行检测，从而可以检查(评价)。对于设置于转印用取向薄膜上的相位差层为符合设计的相位差和取向方向的情况下，已知通过成为直线偏振光的光接收侧相位差板的光如果为消光状态，则成为符合设计的相位差层。相反地，已知如果有漏光，则偏离设计。
然而，转印用取向薄膜的取向方向偏离与取向薄膜的流动方向平行(MD)或垂直(TD)的情况下，通过转印用取向薄膜的直线偏振光成为椭圆偏振光，引起漏光，难以准确地评价相位差层。本发明通过将该偏离抑制为最低限度，从而能准确地评价相位差层。
本发明的转印用取向薄膜的MD或TD与取向方向之间的角度(最大部位)的下限优选0度。另外，本发明的转印用取向薄膜的MD或TD与取向方向之间的角度的上限以最大值计优选14度、更优选7度、进一步优选5度、特别优选4度、最优选3度。如果超过上述，则有时变得不易进行相位差层(液晶化合物取向层)的取向状态的评价。
本发明的转印用取向薄膜的总宽(宽度方向)上的取向角的角度差的下限优选0度。另外，本发明的转印用取向薄膜的总宽上的取向角的角度差的上限优选7度、更优选5度、进一步优选3度、特别优选2度。如果超过上述，则宽度方向上有时变得不易进行相位差层(液晶化合物取向层)的取向状态的评价。
在拉幅机内沿TD方向进行拉伸的情况下，拉伸区、热固定区中薄膜沿MD方向收缩的力发挥作用。薄膜的端部用夹具被固定，但由于中央部未被固定，因此，在拉幅机出口处出现变慢而成为弓形的弓曲(bowing)现象。其成为取向方向的畸变。
为了降低取向方向的畸变，达成上述特性，可以适宜调整拉伸温度、拉伸倍率、拉伸速度、热固定温度、松弛工序的温度、松弛工序的倍率、各温度的宽度方向的温度分布等。
另外，以制膜后的薄膜的总宽上取向方向不成为限定范围内的情况下，优选采用拉伸后的宽幅薄膜的中央部附近等成为上述特性范围内的部分。另外，如果增强向单轴方向的取向，则有取向方向的畸变变小的倾向，因此，采用弱双轴、单轴拉伸薄膜也是优选的方法。特别优选MD方向为主取向方向的弱双轴、单轴拉伸薄膜。
需要说明的是，本发明中，转印用取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向、或转印用取向薄膜的取向方向跟与流动方向正交的方向的角度、和薄膜的宽度方向上的取向角的角度差如以下确定。
首先，将薄膜从卷引出，在两端部(距离各端部的内侧为5cm的地点)、中央部、和位于中央部与两端部的中间的中间部这5处确定取向方向。位于中央部与两端部的中间的中间部处于将中央部与两端部的间隔2等分的位置。需要说明的是，取向方向设为用分子取向计求出的薄膜的慢轴方向。接着，考察了薄膜的整体的取向方向接近于流动方向(MD)还是接近于宽度方向(TD)。然后，薄膜的整体的取向方向接近于流动方向的情况下，在上述5处各自，求出取向方向与薄膜的流动方向之间的角度，采用成为最大的角度的部位处的值作为“取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度”的最大值。另一方面，薄膜的整体的取向方向接近于宽度方向的情况下，在上述5处各自，求出取向方向跟薄膜的与流动方向正交的方向之间的角度，采用成为最大的角度的部位处的值作为“取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的与流动方向正交的方向之间的角度”的最大值。
另外，将在上述5处求出的角度中、最大值与最小值之间的差作为“薄膜的宽度方向上的取向角的角度差”。
需要说明的是，角度如下：相对于长度方向或宽度方向，在与前述最大值相同的侧存在取向方向的情况下，记作正的值，相对于长度方向或宽度方向沿相反侧存在取向方向的情况下，记作负的值，区分正/负，评价最小值。
本发明的转印用取向薄膜的MD方向与TD方向的150℃30分钟的热收缩率差的下限优选0％。另外，本发明的转印用取向薄膜的MD方向与TD方向的150℃30分钟的热收缩率差的上限优选4％、更优选3％、进一步优选2％、特别优选1.5％、最优选1％。如果超过上述，则在液晶化合物的取向处理中需要高温的情况、层叠多个液晶化合物而温度的历程变多的情况下，液晶化合物的取向方向偏离设计，将偏光板用于显示器时会产生漏光等。
本发明的转印用取向薄膜的MD方向的150℃30分钟的热收缩率的下限优选-2％、更优选-0.5％、进一步优选-0.1％、特别优选0％、最优选0.01％。
如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用取向薄膜的MD方向的150℃30分钟的热收缩率的上限优选4％、更优选3％、进一步优选2.5％、特别优选2％、最优选1.5％。如果超过上述，则有时变得不易进行热收缩率差的调整。另外，平面性变差，作业性有时恶化。
本发明的转印用取向薄膜的TD方向的150℃30分钟的热收缩率的下限优选-2％、更优选-0.5％、进一步优选-0.1％、特别优选0％、最优选0.01％。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用取向薄膜的TD方向的150℃30分钟的热收缩率的上限优选4％、更优选2.5％、进一步优选2％、特别优选1.5％、最优选1％。如果超过上述，则有时变得不易进行热收缩率差的调整。另外，平面性变差，作业性有时恶化。
本发明的转印用取向薄膜的相对于MD方向为45度的方向与相对于MD方向为135度的方向的150℃30分钟的热收缩率差的下限优选0％。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用取向薄膜的相对于MD方向为45度的方向与相对于MD方向为135度的方向的150℃30分钟的热收缩率差的上限优选4％、更优选3％、进一步优选2％、特别优选1.5％、最优选1％。如果偏离上述范围，则液晶化合物的取向方向偏离设计，将偏光板用于显示器时会产生漏光等。
薄膜的热收缩特性可以以拉伸温度、拉伸倍率、热固定温度、松弛工序的倍率、松弛工序的温度等调节。另外，冷却工序中，也优选在薄膜的表面温度为100℃以上，从夹具开放并卷取。从夹具的开放可以为打开夹具的方法，也可以为使用刀具等将用夹具保持的端部切开的方法。另外，以离线进行加热处理(退火处理)也是有效的方法。
为了使本发明的转印用取向薄膜的150℃30分钟的热收缩特性为上述，转印用取向薄膜的原材料优选聚酯、特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。
本发明的转印用取向薄膜的95℃最大热收缩率的下限优选0％、更优选0.01％。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用取向薄膜的95℃最大热收缩率的上限优选2.5％、更优选2％、进一步优选1.2％、特别优选1％、最优选0.8％。如果超过上述，则将偏光板用于显示器时会产生漏光等。
本发明的转印用取向薄膜的最大热收缩率方向与MD或TD方向的角度的下限优选0度。另外，本发明的转印用取向薄膜的最大热收缩率方向与MD或TD方向的角度的上限优选20度、更优选15度、进一步优选10度、特别优选7度、最优选5度。如果超过上述，则液晶化合物的取向方向偏离设计，将偏光板用于显示器时会产生漏光等。
本发明的转印用取向薄膜的MD方向的弹性模量和TD方向的弹性模量的下限优选1GPa、更优选2GPa。如果低于上述，则各工序中伸长，有时不成为符合设计的取向方向。另外，本发明的转印用取向薄膜的MD方向的弹性模量和TD方向的弹性模量的上限优选8GPa、更优选7GPa。如果超过上述，则实际上可能难以达成数值。
本发明的转印用取向薄膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的情况下，以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量(以下，称为表面低聚物析出量(150℃90分钟))的下限优选0mg/m2、更优选0.01mg/m2。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。表面低聚物析出量(150℃90分钟)的上限优选1mg/m2、更优选0.7mg/m2、进一步优选0.5mg/m2、特别优选0.3mg/m2。如果超过上述，则在将液晶化合物取向层多层层叠的情况、需要高温下的取向处理的情况下，雾度上升或产生异物，或紫外线照射下的取向控制时偏振光紊乱，有时变得得不到符合设计的相位差层、偏光层。需要说明的是，本发明中，取向薄膜的“脱模面”是指，取向薄膜的表面中、意图设有取向薄膜的转印的液晶化合物取向层的表面。在设有低聚物阻挡涂层、平坦化涂层、脱模层等的情况下，如果在其上设置液晶化合物取向层，则这些低聚物阻挡涂层、平坦化层、脱模层等的表面(与液晶化合物取向层接触的面)为取向薄膜的“脱模面”。
为了降低表面低聚物析出量，优选在转印用取向薄膜的表面设置阻挡低聚物(酯环状三聚体)的析出的涂层(低聚物阻挡涂层)。
低聚物阻挡涂层优选包含Tg为90℃以上的树脂50重量％以上。作为上述树脂，优选三聚氰胺等氨基树脂、醇酸树脂、聚苯乙烯、丙烯酸类树脂等。树脂的Tg的上限优选200℃。
低聚物阻挡涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.03μm、进一步优选0.05μm。如果低于上述，则有时得不到充分的阻挡效果。低聚物阻挡涂层的厚度的上限优选10μm、更优选5μm、进一步优选2μm。如果超过上述，则效果有时变得饱和。
另外，为了降低表面低聚物析出量，也优选降低构成转印用取向薄膜的脱模面侧层的聚酯树脂中的低聚物(酯环状三聚体)的含量(以下，称为表层低聚物含量)。表层低聚物含量的下限优选0.3质量％、更优选0.33质量％、进一步优选0.35质量％。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。表层低聚物含量的上限优选0.7质量％、更优选0.6质量％、进一步优选0.5质量％。需要说明的是，本发明中，取向薄膜的“脱模面侧层”是指，构成取向薄膜的聚酯的各层中存在脱模面的层。此处，薄膜为单一的层的情况下，也有时称为脱模面侧层。该情况下，后述的背面侧层与脱模面侧层成为相同层。
为了降低表层低聚物含量，优选降低原料聚酯中的低聚物含量。原料聚酯中的低聚物含量的下限优选0.23质量％、更优选0.25质量％、进一步优选0.27质量％。原料聚酯中的低聚物含量的上限优选0.7质量％、更优选0.6质量％、进一步优选0.5质量％。原料聚酯中的低聚物含量通过固相聚合等对固体状态的聚酯在180℃以上且熔点以下的温度下进行加热处理，从而可以降低。也优选使聚酯的催化剂失活。
另外，为了降低表层低聚物析出量，缩短制膜时的熔融时间也是有效的。
本发明的转印用取向薄膜为聚酯薄膜的情况下，构成薄膜的聚酯的特性粘度(IVf)的下限优选0.45dl/g、更优选0.5dl/g、进一步优选0.53dl/g。如果低于上述，则薄膜的耐冲击性有时差。另外，变得不易进行制膜，或厚度的均匀性有时差。IVf的上限优选0.9dl/g、更优选0.8dl/g、进一步优选0.7dl/g。如果超过上述，则热收缩率有时变高。另外，有时变得不易进行制膜。
本发明的转印用取向薄膜的波长380nm下的透光率的下限优选0％。另外，本发明的转印用取向薄膜的波长380nm下的透光率的上限优选20％、更优选15％、进一步优选10％、特别优选5％。如果超过上述，则照射偏振紫外线从而形成特定的取向方向的情况下，由于来自背面的反射而取向层、液晶化合物取向层的方向均匀性有时变差。波长380nm下的透光率通过添加UV吸收剂而可以设为范围内。
本发明的转印用取向薄膜的雾度的下限优选0.01％、更优选0.1％。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用取向薄膜的雾度的上限优选3％、更优选2.5％、进一步优选2％、特别优选1.7％。如果超过上述，则照射偏振UV时偏振光紊乱，有时变得得不到符合设计的相位差层、偏光层。另外，检查相位差层、偏光层时由于漫反射而引起漏光，有时变得不易进行检查。
本发明的转印用取向薄膜的150℃90分钟加热后的雾度的上限、下限与上述同样。
本发明的转印用取向薄膜的150℃90分钟加热前后的雾度的变化量的下限优选0％。上限优选0.5％、更优选0.4％、进一步优选0.3％。
对于本发明的转印用取向薄膜，慢轴方向的折射率nx-快轴方向的折射率ny的下限优选0.005、更优选0.01、进一步优选0.02、特别优选0.03、最优选0.04、最期望为0.05。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，nx-ny的上限优选0.15、更优选0.13、进一步优选0.12。如果超过上述，则实际上可能难以达成数值。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的情况下，特别优选nx-ny的值为上述。
双轴拉伸的情况下，nx-ny的下限优选0.005、更优选0.01。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，双轴拉伸的情况下，nx-ny的上限优选0.05、更优选0.04、进一步优选0.03。如果超过上述，则实际上可能难以达成数值。
单轴拉伸的情况下，nx-ny的下限优选0.05、更优选0.06。如果低于上述，则单轴拉伸的优势有时弱。另外，单轴拉伸的情况下，nx-ny的上限优选0.15、更优选0.13。如果超过上述，则实际上可能难以达成数值。
本发明的转印用取向薄膜的快轴方向的折射率(ny)的下限优选1.55、更优选1.58、进一步优选1.57。另外，本发明的转印用取向薄膜的快轴方向的折射率(ny)的上限优选1.64、更优选1.63、进一步优选1.62。
本发明的转印用取向薄膜的慢轴方向的折射率(nx)的下限优选1.66、更优选1.67、进一步优选1.68。另外，本发明的转印用取向薄膜的慢轴方向的折射率(nx)的上限优选1.75、更优选1.73、进一步优选1.72、特别优选1.71。
本发明的转印用取向薄膜的抗静电性(表面电阻)的下限优选1×105Ω/□、更优选1×106Ω/□。即使低于上述，效果也饱和，有时得不到其以上的效果。另外，本发明的转印用取向薄膜的抗静电性(表面电阻)的上限优选1×1013Ω/□、更优选1×1012Ω/□、进一步优选1×1011Ω/□。如果超过上述，则产生静电所导致的排斥，或有时产生液晶化合物的取向方向的紊乱。抗静电性(表面电阻)可以通过如下方式等而设为上述范围内：在转印用取向薄膜中混炼抗静电剂；在脱模层的下层、相反面设置抗静电涂层；或在脱模层中添加抗静电剂。
作为在抗静电涂层、脱模层、转印用取向薄膜中添加的抗静电剂，可以举出聚苯胺、聚噻吩等导电性高分子、聚苯乙烯磺酸盐等离子性高分子、锡掺杂氧化铟、锑掺杂氧化锡等导电性细粒。
转印用取向薄膜上可以设置脱模层。但是，薄膜本身与相位差层、取向层等转印物的密合性低，在即使不设置脱模层也有充分的脱模性的情况下，也可以不设置脱模层。另外，密合性过低的情况下，可以对表面进行电晕处理等来调整密合性。脱模层可以使用公知的脱模剂而形成，可以举出醇酸树脂、氨基树脂、长链丙烯酸类丙烯酸酯系、有机硅树脂、氟树脂作为优选例。它们可以根据与转印物的密合性而适宜选择。
进而，本发明的转印用取向薄膜中，作为低聚物阻挡涂层、抗静电层、和脱模层的下层，可以设置易粘接层。
(脱模面粗糙度)
本发明的转印用取向薄膜的脱模面(A层表面)优选为平滑。
本发明的转印用取向薄膜的脱模面的三维算术平均粗糙度(SRa)的下限优选1nm、更优选2nm。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用取向薄膜的脱模面的SRa的上限优选30nm、更优选25nm、进一步优选20nm、特别优选15nm、最优选10nm。
本发明的转印用取向薄膜的脱模面的三维十点平均粗糙度(SRz)的下限优选5nm、更优选10nm、进一步优选13nm。另外，本发明的转印用取向薄膜的脱模面的SRz的上限优选200nm、更优选150nm、进一步优选120nm、特别优选100nm、最优选80nm。
本发明的转印用取向薄膜的脱模面的最大高度(SRy：脱模面最大峰高度SRp+脱模面最大谷深度SRv)的下限优选10nm、更优选15nm、进一步优选20nm。另外，本发明的转印用取向薄膜的脱模面的SRy的上限优选300nm、更优选250nm、进一步优选150nm、特别优选120nm、最优选100nm。
本发明的转印用取向薄膜的脱模面的0.5μm以上的突起的数量的上限优选5个/m2、更优选4个/m2、进一步优选3个/m2、特别优选2个/m2、最优选1个/m2。
脱模面的粗糙度如果超过上述，则在本发明的转印用取向薄膜上形成的液晶化合物取向层的微少部分中不成为符合设计的取向状态、相位差，有时产生针孔状、刮痕状的坏点。如果为取向层，则凸部分的取向层在刷磨时被剥离，凸部分的山角部、凹部分的刷磨变得不充分被认为是原因。另外，脱模面层中包含颗粒的情况下，颗粒在刷磨时脱落而划伤表面被认为是原因。另外，无论是刷磨取向层还是光取向层，在设有取向层的状态下进行卷取时，认为均与背面层发生摩擦，因此凸部分的取向层中会有空穴，因压力而取向紊乱等被。在取向层上设置液晶化合物取向层时，这些取向层的缺陷在其微少部分中不引起液晶化合物的取向被认为是原因。
如果为液晶化合物取向层，则涂覆液晶化合物时，液晶化合物取向层的厚度在凸部分处变薄、或厚度在凹部分处变薄等，因该理由，得不到符合设计的相位差也被认为是原因。
为了使脱模面(A)的粗糙度为上述范围，本发明的转印用取向薄膜为拉伸薄膜的情况下，可以举出以下的方法。
·使薄膜坯料的脱模面侧层(表层)不含颗粒。
·薄膜坯料的脱模面侧层(表层)包含颗粒的情况下，使其为粒径小的颗粒。
·薄膜坯料的脱模面侧层(表层)包含颗粒的情况下，设置平坦化涂层。
另外，除上述以外，如以下那样使原料、制造工序保持清洁也是重要的。
·对聚合时的颗粒浆料施行过滤。在小片化前施行过滤。
·清洁小片化冷却水。使小片输送、制膜机投入为止的环境保持清洁。
·制膜时，对熔融树脂施行过滤，将聚集颗粒、异物去除。
·对涂布剂施行过滤，将异物去除。
·制膜、涂布、干燥时在清洁环境下进行。
表层为了平滑化而优选实质上不含颗粒。实质上不含颗粒是指，颗粒含量低于50ppm、优选低于30ppm。
为了提高表面的滑动性，表层可以包含颗粒。包含颗粒的情况下，表层颗粒含量的下限优选0ppm、更优选50ppm、进一步优选100ppm。另外，表层颗粒含量的上限优选20000ppm、更优选10000ppm、进一步优选8000ppm、特别优选6000ppm。如果超过上述，则有时无法使表层的粗糙度为优选的范围内。
表层粒径的下限优选0.005μm、更优选0.01μm、进一步优选0.02μm。另外，表层粒径的上限优选3μm、更优选1μm、进一步优选0.5μm、特别优选0.3μm。如果超过上述，则有时无法使表层的粗糙度为优选的范围内。
即使在表层不含颗粒的情况、形成粒径小的颗粒的情况下，有时其下层包含颗粒时，由于下层的颗粒的影响也会使脱模面层的粗糙度变高。这种情况下，优选采用增大脱模面层的厚度、或设置不含颗粒的下层(中间层)等方法。
表层厚度的下限优选0.1μm、更优选0.5μm、进一步优选1μm、特别优选3μm、最优选5μm。另外，表层厚度的上限相对于转印用取向薄膜的总厚度，优选97％、更优选95％、进一步优选90％。
不含颗粒的中间层是指实质上不含颗粒的含义，颗粒的含量低于50ppm、优选低于30ppm。相对于转印用取向薄膜的总厚度，中间层的厚度的下限优选10％、更优选20％、进一步优选30％。上限优选95％、更优选90％。
转印用取向薄膜的表层的粗糙度高的情况下，可以设置平坦化涂层。作为平坦化涂层中使用的树脂，可以举出聚酯、丙烯酸类、聚氨酯、聚苯乙烯、聚酰胺等通常用作涂布剂的树脂者。也优选使用三聚氰胺、异氰酸酯、环氧树脂、噁唑啉化合物等交联剂。它们作为溶解或分散于有机溶剂、水的涂布剂进行涂覆并使其干燥。或丙烯酸类的情况下，可以以无溶剂涂覆，在辐射线下使其固化。平坦化涂层可以为低聚物阻挡涂层。利用涂布来设置脱模层的情况下，可以加厚脱模层本身。
表面平坦化涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.1μm、进一步优选0.2μm、特别优选0.3μm。如果低于上述，则平坦化的效果有时变得不充分。另外，表面平坦化涂层的厚度的上限优选10μm、更优选7μm、进一步优选5μm、特别优选3μm。即使超过上述，有时也得不到其以上的平坦化效果。
平坦化涂层可以在制膜过程中以在线涂布设置，也可以另行以离线设置。
(背面侧粗糙度)
另外，即使使本发明的转印用取向薄膜的脱模面为平滑，在液晶化合物取向层中也有时产生坏点，已知这是由于，转印用取向薄膜事先被卷取为卷状，表面与背面接触，因此，背面的粗糙度转印至表面(向脱模层转印背面的凸部而形成凹部)。对于设有液晶化合物取向层的转印用取向薄膜，为了保护液晶化合物取向层，也有时贴合并卷取掩蔽薄膜，但为了降低成本，直接卷取的情况也多。认为，在如此设有取向层的状态下进行卷取的情况下，取向层由于背面的凸部而凹陷，或会有空穴，或引起取向层的取向紊乱的现象。另外，认为，设置液晶化合物取向层后，由于背面的凸部而使液晶化合物取向层会有空穴，引起取向紊乱的现象。特别是在卷芯部处压力高，容易引起这些现象。基于以上的见解可知，可以通过使脱模面的相反面表面(背面)为特定的粗糙度而防止上述坏点。
本发明的转印用取向薄膜的背面的三维算术平均粗糙度(SRa)的下限优选1nm、更优选2nm、进一步优选3nm、特别优选4nm、最优选5nm。另外，本发明的转印用取向薄膜的背面的SRa的上限优选50nm、更优选45nm、进一步优选40nm。如果超过上述，则坏点有时变多。
本发明的转印用取向薄膜的背面的三维十点平均粗糙度(SRz)的下限优选7nm、更优选10nm、进一步优选15nm、特别优选20nm、最优选25nm。另外，本发明的转印用取向薄膜的背面的SRz的上限优选1500nm、更优选1200nm、进一步优选1000nm、特别优选700nm、最优选500nm。如果超过上述，则坏点有时变多。
本发明的转印用取向薄膜的背面的最大高度(SRy：背面最大峰高度SRp+背面最大谷深度SRv)的下限优选15nm、更优选20nm、进一步优选25nm、特别优选30nm、最优选40nm。另外，本发明的转印用取向薄膜的背面的最大高度SRy的上限优选2000nm、更优选1500nm、进一步优选1200nm、特别优选1000nm、最优选700nm。如果超过上述，则坏点有时变多。
本发明的转印用取向薄膜的背面的2μm以上的突起的数量的上限优选5个/m2、更优选4个/m2、进一步优选3个/m2、特别优选2个/m2、最优选1个/m2。如果超过上述，则坏点有时变多。
本发明的转印用取向薄膜的背面的粗糙度如果低于上述范围，则薄膜的滑动性变差，薄膜以卷输送时、卷取时等变得不易滑动，有时变得容易带来刮痕。另外，本发明的转印用取向薄膜的背面的粗糙度如果超过上述，则变得容易产生上述坏点。
为了使背面的粗糙度为上述范围，本发明的转印用取向薄膜为拉伸薄膜的情况下，可以举出以下的方法。
·使薄膜坯料的背面侧层(背面层)包含特定的颗粒。
·薄膜坯料的中间层使用包含颗粒的层，以背面层侧(背面层)中不含颗粒的方式减薄厚度。
·薄膜坯料的背面侧层(背面层)的粗糙度大的情况下，设置平坦化涂层。
·薄膜坯料的背面侧层(背面层)不含颗粒的情况、粗糙度小的情况下，设置易滑涂层(含颗粒涂层)。
背面层粒径的下限优选0.01μm、更优选0.05μm、进一步优选0.1μm。如果低于上述，则滑动性变差，有时引起卷取不良。另外，背面层粒径的上限优选5μm、更优选3μm、进一步优选2μm。如果超过上述，则背面有时过度变粗糙。
背面包含颗粒的情况下，优选50ppm、更优选100ppm。如果低于上述，则有时得不到添加颗粒所产生的滑动性的效果。另外，背面层颗粒含量的上限优选10000ppm、更优选7000ppm、进一步优选5000ppm。如果超过上述，则背面有时变得过度粗糙。
背面层厚度的下限优选0.1μm、更优选0.5μm、进一步优选1μm、特别优选3μm、最优选5μm。另外，背面层厚度的上限相对于转印用取向薄膜的总厚度，优选95％、更优选90％、进一步优选85％。
也优选中间层中包含颗粒，背面层不含颗粒而减薄，从而控制背面的粗糙度。通过取这种形态，从而可以边防止颗粒的脱落边确保背面的粗糙度。
作为中间层的颗粒的粒径、添加量，与背面层的颗粒同样。该情况下的背面层的厚度的下限优选0.5μm、更优选1μm、进一步优选2μm。厚度的上限优选30μm、更优选25μm、进一步优选20μm。
坯料薄膜的背面粗糙的情况下，也优选设置平坦化涂层。平坦化涂层可以同样使用表面的平坦化涂层中列举者。
背面平坦化涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.03μm、进一步优选0.05μm。如果低于上述，则平坦化的效果有时变小。另外，背面平坦化涂层的厚度的上限优选10μm、更优选5μm、进一步优选3μm。即使超过上述，平坦化的效果也会饱和。
可以使坯料薄膜的背面侧不含颗粒，或可以在背面中设置含有颗粒的易滑涂层。另外，坯料薄膜的背面的粗糙度小的情况下，也可以设置易滑涂层。
背面易滑涂层的粒径的下限优选0.01μm、更优选0.05μm。如果低于上述，则有时得不到易滑性。另外，背面易滑涂层的粒径的上限优选5μm、更优选3μm、进一步优选2μm、特别优选1μm。如果超过上述，则背面的粗糙度有时过高。
背面易滑涂层的颗粒含量的下限优选0.1质量％、更优选0.5质量％、进一步优选1质量％、特别优选1.5质量％、最优选2质量％。如果低于上述，则有时得不到易滑性。另外，背面易滑涂层的颗粒含量的上限优选20质量％、更优选15质量％、进一步优选10质量％。如果超过上述，则背面的粗糙度有时过高。
背面易滑涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.03μm、进一步优选0.05μm。另外，背面易滑涂层的厚度的上限优选10μm、更优选5μm、进一步优选3μm、特别优选2μm、最优选1μm。
(转印用取向薄膜的制造方法)
以下，对本发明的转印用取向薄膜为拉伸薄膜时的转印用取向薄膜的制造方法进行说明。
进行MD拉伸的情况下，MD倍率的下限优选1.5倍。上限优选6倍、更优选5.5倍、进一步优选5倍。另外，进行TD拉伸的情况下，TD倍率的下限优选1.5倍。TD倍率的上限优选6倍、更优选5.5倍、进一步优选5倍。
HS温度的下限优选150℃、更优选170℃。如果低于上述，则热收缩率有时不降低。另外，HS温度的上限优选240℃、更优选230℃。如果超过上述，则有时成为树脂劣化。
TD松弛率的下限优选0.1％、更优选0.5％。如果低于上述，则热收缩率有时不降低。另外，TD松弛率的上限优选8％、更优选6％、进一步优选5％。如果超过上述，则由于松弛而平面性变差，或厚度有时变得不均匀。
退火处理优选将薄膜卷出并在烘箱中并通过而卷取的方法。
退火温度的下限优选80℃、更优选90℃、进一步优选100℃。如果低于上述，则有时得不到退火效果。另外，退火温度的上限优选200℃、更优选180℃、进一步优选160℃。如果超过上述，则平面性降低，或热收缩有时变高。
退火时间的下限优选5秒、更优选10秒、进一步优选15秒。如果低于上述，则有时得不到退火效果。另外，退火时间的上限优选10分钟、更优选5分钟、进一步优选3分钟、特别优选1分钟。如果超过上述，则不仅效果饱和，而且需要大的烘箱，或生产率有时差。
退火处理中，可以采用以卷出速度与卷取速度的圆周速度差来调节松弛率、调整卷取张力来调节松弛率等方法。松弛率的下限优选0.5％。如果低于上述，则有时得不到退火效果。另外，松弛率的上限优选8％、更优选6％、进一步优选5％。如果超过上述，则平面性降低，或有时引起卷取不良。
(液晶化合物取向层转印用层叠体)
接着，对本发明的液晶化合物取向层转印用层叠体进行说明。
本发明的液晶化合物取向层转印用层叠体具有层叠有液晶化合物取向层与本发明的转印用取向薄膜的结构。液晶化合物取向层必须涂覆于转印用取向薄膜上并取向。作为取向的方法，有如下方法：对液晶化合物取向层的下层(脱模面)进行刷磨处理等而赋予取向控制功能的方法；涂布液晶化合物后照射偏振紫外线等直接使液晶化合物取向的方法。
(取向控制层)
另外，也优选在转印用取向薄膜上设置取向控制层，在该取向控制层上设置液晶化合物取向层的方法。需要说明的是，本发明中，不是液晶化合物取向层单独而也有时将取向控制层与液晶化合物取向层一并统称为液晶化合物取向层。作为取向控制层，只要可以使液晶化合物取向层为期望的取向状态就可以为任意取向控制层，可以举出对树脂的涂覆膜经刷磨处理的刷磨处理取向控制层、通过偏振光的光照射而使分子取向产生取向功能的光取向控制层作为适合的例子。
(刷磨处理取向控制层)
作为通过刷磨处理形成的取向控制层中使用的聚合物材料，优选使用聚乙烯醇和其衍生物、聚酰亚胺和其衍生物、丙烯酸类树脂、聚硅氧烷衍生物等。
以下，对刷磨处理取向控制层的形成方法进行说明。首先，将包含上述聚合物材料的刷磨处理取向控制层涂布液涂布于取向薄膜的脱模面上后，进行加热干燥等，得到刷磨处理前的取向控制层。取向控制层涂布液可以具有交联剂。
作为刷磨处理取向控制层涂布液的溶剂，只要使聚合物材料溶解就可以没有限制地使用。作为具体例，可以举出水、甲醇、乙醇、乙二醇、异丙醇、丙二醇、溶纤剂等醇；乙酸乙酯、乙酸丁酯、γ-丁内酯等酯系溶剂；丙酮、甲乙酮、环戊酮、环己酮等酮系溶剂；甲苯或二甲苯等芳香族烃溶剂；四氢呋喃或二甲氧基乙烷等醚系溶剂等。这些溶剂可以单独使用，也可以组合。
刷磨处理取向控制层涂布液的浓度可以根据聚合物的种类、想要制造的取向控制层的厚度而适宜调节，以固体成分浓度表示，优选设为0.2～20质量％，特别优选0.3～10质量％的范围。作为涂布的方法，可以采用凹版涂覆法、模涂法、棒涂法和涂抹器法等涂布法、柔印法等印刷法等公知的方法。
加热干燥温度还取决于转印用取向薄膜，但在PET的情况下，优选30℃～170℃的范围、更优选50～150℃、进一步优选70～130℃。干燥温度低的情况下，产生取较长的干燥时间的必要，生产率有时差。干燥温度过高的情况下，转印用取向薄膜由于热而伸长，或热收缩变大，变得无法达成符合设计的光学功能，或平面性有时变差。加热干燥时间例如只要为0.5～30分钟即可，更优选1～20分钟、进一步更优选2～10分钟。
刷磨处理取向控制层的厚度优选0.01～10μm、进一步优选0.05～5μm、特别优选0.1μm～1μm。
接着，实施刷磨处理。刷磨处理通常可以通过用纸、布沿恒定方向摩擦聚合物层的表面而实施。通常使用尼龙、聚酯、丙烯酸类等纤维的起毛布的刷磨辊，对取向控制层表面进行刷磨处理。为了设置相对于长尺寸状的薄膜的长度方向沿倾斜的规定方向取向的液晶化合物取向控制层，取向控制层的刷磨方向也需要设为符合其的角度。角度的调整可以以刷磨辊与取向薄膜的角度调整、取向薄膜的输送速度与辊的转速的调整来符合。
需要说明的是，也可以对转印用取向薄膜的脱模面直接进行刷磨处理，使转印用取向薄膜表面具有取向控制功能，该情况下，也包含于本发明的技术范围。
(光取向控制层)
光取向控制层是指如下取向膜：将包含具有光反应性基团的聚合物或单体且包含溶剂的涂覆液涂布于取向薄膜，照射偏振光、优选偏振紫外线，从而赋予取向限制力。光反应性基团是指，通过光照射而产生液晶取向能力的基团。具体而言，产生通过照射光而产生的分子的取向诱导或异构化反应、二聚化反应、光交联反应、或光分解反应那样的、成为液晶取向能力的起源的光反应。该光反应性基团中，在取向性优异、保持液晶化合物取向层的近晶型液晶状态的方面，优选引起二聚化反应或光交联反应的基团。作为能产生以上的反应的光反应性基团，优选不饱和键、特别是双键，特别优选具有选自由C＝C键、C＝N键、N＝N键、C＝O键组成的组中的至少一者的基团。
作为具有C＝C键的光反应性基团，例如可以举出乙烯基、多烯基、二苯乙烯基(stilbene)、芪唑基、偶氮茋鎓基、查耳酮基和肉桂酰基等。作为具有C＝N键的光反应性基团，可以举出具有芳香族Schiff碱和芳香族腙等结构的基团。作为具有N＝N键的光反应性基团，可以举出偶氮苯基、偶氮萘基、芳香族杂环偶氮基、双偶氮基和甲瓒基等、以氧化偶氮基苯为基本结构的基团。作为具有C＝O键的光反应性基团，可以举出二苯甲酮基、香豆素基、蒽醌基和马来酰亚胺基等。这些基团可以具有烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、氰基、烷氧基羰基、羟基、磺酸基和卤代烷基等取代基。
其中，优选能引起光二聚化反应的光反应性基团，肉桂酰基和查耳酮基的光取向所需的偏振光照射量较少、且容易得到热稳定性、经时稳定性优异的光取向层，故优选。进一步而言，作为具有光反应性基团的聚合物，特别优选具有该聚合物侧链的末端部成为桂皮酸结构的肉桂酰基。作为主链的结构，可以举出聚酰亚胺、聚酰胺、(甲基)丙烯酸类、聚酯等。
作为具体的取向控制层，例如可以举出日本特开2006-285197号公报、日本特开2007-76839号公报、日本特开2007-138138号公报、日本特开2007-94071号公报、日本特开2007-121721号公报、日本特开2007-140465号公报、日本特开2007-156439号公报、日本特开2007-133184号公报、日本特开2009-109831号公报、日本特开2002-229039号公报、日本特开2002-265541号公报、日本特开2002-317013号公报、日本特表2003-520878号公报、日本特表2004-529220号公报、日本特开2013-33248号公报、日本特开2015-7702号公报、日本特开2015-129210号公报中记载的取向控制层。
作为光取向控制层形成用涂覆液的溶剂，只要使具有光反应性基团的聚合物和单体溶解就可以没有限制地使用。作为具体例，可以示例刷磨处理取向控制层的形成方法中列举者。也优选在光取向控制层形成用涂覆液中添加光聚合引发剂、阻聚剂、各种稳定剂。另外，也可以加入具有光反应性基团的聚合物和单体以外的聚合物、不具有能跟具有光反应性基团的单体共聚的光反应性基团的单体。
光取向控制层形成用涂覆液的浓度、涂布方法、干燥条件也可以示例刷磨处理取向控制层的形成方法中列举者。厚度也与刷磨处理取向控制层的优选的厚度同样。
偏振光优选从取向前的光取向控制层面的方向照射。相对于转印用取向薄膜的取向方向，使光取向控制层的取向方向平行或垂直的情况下，可以透过转印用取向薄膜而照射。
偏振光的波长优选具有光反应性基团的聚合物或单体的光反应性基团能吸收光能的波长区域。具体而言，优选波长250～400nm的范围的紫外线。作为偏振光的光源，可以举出氙灯、高压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯、KrF、ArF等紫外光激光等，优选高压汞灯、超高压汞灯和金属卤化物灯。
偏振光例如可以通过使来自前述光源的光通过偏振片而得到。通过调整前述偏振片的偏振角，从而可以调整偏振光的方向。前述偏振片可以举出偏振滤光片、葛兰-汤普生、格兰-泰勒等的偏光棱镜、线栅型的偏振片。偏振光优选实质上为平行光。
通过调整照射的偏振光的角度，从而可以任意调整光取向控制层的取向限制力的方向。
照射强度根据聚合引发剂、树脂(单体)的种类、量而不同，例如以365nm基准计、优选10～10000mJ/cm2、进一步优选20～5000mJ/cm2。
(液晶化合物取向层)
液晶化合物取向层只要使液晶化合物取向就没有特别限制。作为具体例，可以举出包含液晶化合物和二色性色素的偏光膜(偏振片)、包含棒状、盘状液晶化合物的相位差层。
(偏光膜)
偏光膜具有使仅单向的偏振光通过的功能，且包含二色性色素。
(二色性色素)
二色性色素是指，分子的长轴方向上的吸光度与短轴方向上的吸光度具有不同性质的色素。
二色性色素优选在300～700nm的范围内具有吸收极大波长(λMAX)者。这种二色性色素例如可以举出吖啶色素、噁嗪色素、菁色素、萘色素、偶氮色素和蒽醌色素等，其中，优选偶氮色素。偶氮色素可以举出单偶氮色素、双偶氮色素、三偶氮色素、四偶氮色素和茋偶氮色素等，优选双偶氮色素和三偶氮色素。二色性色素可以单独也可以组合，为了调整(无彩色)色调，优选将2种以上组合。特别优选组合3种以上。特别优选组合3种以上的偶氮化合物。
作为优选的偶氮化合物，可以举出日本特开2007-126628号公报、日本特开2010-168570号、日本特开2013-101328号、日本特开2013-210624号中记载的色素。
二色性色素也优选在丙烯酸类等聚合物的侧链中导入的二色性色素聚合物。作为这些二色性色素聚合物，可以示例日本特开2016-4055号中列举的聚合物、日本特开2014-206682号的[化6]～[化12]的化合物进行聚合而成的聚合物。
对于偏光膜中的二色性色素的含量，从使二色性色素的取向良好的观点出发，在偏光膜中，优选0.1～30质量％、更优选0.5～20质量％、进一步优选1.0～15质量％、特别优选2.0～10质量％。
偏光膜中，优选还包含聚合性液晶化合物以改善膜强度、偏光度、膜均质性。需要说明的是，此处聚合性液晶化合物也包含作为膜聚合后的物质。
(聚合性液晶化合物)
聚合性液晶化合物是指，具有聚合性基团、且体现液晶性的化合物。
聚合性基团是指，参与聚合反应的基团，优选光聚合性基团。此处，光聚合性基团是指，通过由后述的光聚合引发剂产生的活性自由基、酸等而能发生聚合反应的基团。作为聚合性基团，可以举出乙烯基、乙烯氧基、1-氯乙烯基、异丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、环氧乙烷基、氧杂环丁烷基等。其中，优选丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯氧基、环氧乙烷基和氧杂环丁烷基，更优选丙烯酰氧基。体现液晶性的化合物可以为热致性液晶也可以为溶致液晶，另外，可以为热致液晶中的向列型液晶也可以为近晶型液晶。
在得到更高的偏光特性的方面，聚合性液晶化合物优选近晶型液晶化合物，更优选高阶近晶型液晶化合物。聚合性液晶化合物形成的液晶相如果为高阶近晶型相，则可以制造取向秩序度更高的偏光膜。
作为具体的优选聚合性液晶化合物，例如可以举出日本特开2002-308832号公报、日本特开2007-16207号公报、日本特开2015-163596号公报、日本特表2007-510946号公报、日本特开2013-114131号公报、WO2005/045485号公报、Lub et al.Recl.Trav.Chim.Pays-Bas，115，321-328(1996)等中记载的物质。
对于偏光膜中的聚合性液晶化合物的含有比率，从提高聚合性液晶化合物的取向性的观点出发，在偏光膜中，优选70～99.5质量％、更优选75～99质量％、进一步优选80～97质量％、特别优选83～95质量％。
偏光膜可以通过涂覆偏光膜组合物涂料而设置。偏光膜组合物涂料可以包含溶剂、聚合引发剂、敏化剂、阻聚剂、流平剂和聚合性非液晶化合物、交联剂等。
作为溶剂，优选使用作为取向层涂布液的溶剂列举者。
聚合引发剂只要使聚合性液晶化合物聚合就没有限定，优选通过光而产生活性自由基的光聚合引发剂。作为聚合引发剂，例如可以举出苯偶姻化合物、二苯甲酮化合物、烷基苯酮化合物、酰基氧化膦化合物、三嗪化合物、碘鎓盐和锍盐等。
敏化剂优选光敏化剂。例如可以举出氧杂蒽酮化合物、蒽化合物、吩噻嗪、红荧烯等。
作为阻聚剂，可以举出氢醌类、邻苯二酚类、苯硫酚类。
作为聚合性非液晶化合物，优选跟聚合性液晶化合物共聚者，例如聚合性液晶化合物具有(甲基)丙烯酰氧基的情况下，可以举出(甲基)丙烯酸酯类。(甲基)丙烯酸酯类可以为单官能也可以为多官能。通过使用多官能的(甲基)丙烯酸酯类，从而可以改善偏光膜的强度。使用聚合性非液晶化合物的情况下，在偏光膜中优选设为1～15质量％、进一步优选设为2～10质量％、特别优选设为3～7质量％。如果超过15质量％，则偏光度有时降低。
作为交联剂，可以举出能跟聚合性液晶化合物、聚合性非液晶化合物的官能团反应的化合物，可以举出异氰酸酯化合物、三聚氰胺、环氧树脂、噁唑啉化合物等。
将偏光膜组合物涂料直接涂覆于转印用取向薄膜上或取向控制层上后，根据需要进行干燥、加热、固化，从而设置偏光膜。
对于涂覆方法，作为涂布的方法，可以采用凹版涂覆法、模涂法、棒涂法和涂抹器法等涂布法、柔印法等印刷法等公知的方法。
涂覆后的转印用取向薄膜被导入至热风干燥机、红外线干燥机等，在30～170℃、更优选50～150℃、进一步优选70～130℃下进行干燥。干燥时间优选0.5～30分钟、更优选1～20分钟、进一步更优选2～10分钟。
可以进行加热以使偏光膜中的二色性色素和聚合性液晶化合物更牢固地取向。加热温度优选设为聚合性液晶化合物形成液晶相的温度范围。
偏光膜组合物涂料中包含聚合性液晶化合物的情况下，优选进行固化。作为固化方法，可以举出加热和光照射，优选光照射。可以以通过固化而使二色性色素取向的状态进行固定。固化优选以聚合性液晶化合物中形成液晶相的状态进行，可以在体现液晶相的温度下进行光照射而固化。作为光照射中的光，可以举出可见光、紫外光和激光。在容易操作的方面，优选紫外光。
照射强度根据聚合引发剂、树脂(单体)的种类、量而不同，例如以365nm基准计、优选100～10000mJ/cm2、进一步优选200～5000mJ/cm2。
对于偏光膜，将偏光膜组合物涂料涂布于取向控制层上，从而色素随着取向层的取向方向而取向，其结果，变得具有规定方向的偏振光透光轴，但在直接涂覆于转印用取向薄膜而不设置取向控制层的情况下，照射偏振光使偏光膜形成用组合物固化，从而也可以使偏光膜取向。此时，照射相对于转印用取向薄膜的长尺寸方向成为期望的方向的偏振光(例如倾斜方向的偏振光)。进一步优选之后进行加热处理，从而使二色性色素随着高分子液晶的取向方向而牢固地取向。
偏光膜的厚度为0.1～5μm、优选0.3～3μm、更优选0.5～2μm。
(相位差层)
相位差层可以举出：设置于液晶显示装置的偏振片与液晶单元之间以进行光学补偿的层、圆偏光板的λ/4层、λ/2层等为代表性的层。作为液晶化合物，根据目的而可以使用正、负的A板、正、负的C板、O板等棒状液晶化合物、盘状液晶化合物等。
用作液晶显示装置的光学补偿的情况下，相位差的程度可以根据液晶单元的类型、单元中使用的液晶化合物的性质而适宜设定。例如，TN方式的情况下，优选使用利用了盘状液晶的O板。VA方式、IPS方式的情况下，优选使用利用了棒状液晶化合物、盘状液晶化合物的C板、A板。另外，圆偏光板的λ/4相位差层、λ/2相位差层的情况下，优选使用利用棒状化合物而形成A板。这些相位差层不仅可以为单层，也可以组合形成多层而使用。
作为这些相位差层中使用的液晶化合物，在可以固定取向状态的方面，优选具有双键等聚合性基团的聚合性液晶化合物。
作为棒状液晶化合物的例子，可以举出日本特开2002-030042号公报、日本特开2004-204190号公报、日本特开2005-263789号公报、日本特开2007-119415号公报、日本特开2007-186430号公报、和日本特开平11-513360号公报中记载的具有聚合性基团的棒状液晶化合物。
作为具体的化合物，可以举出：
CH2＝CHCOO-(CH2)m-O-Ph1-COO-Ph2-OCO-Ph1-O-(CH2)n-OCO-CH＝CH2
CH2＝CHCOO-(CH2)m-O-Ph1-COO-NPh-OCO-Ph1-O-(CH2)n-OCO-CH＝CH2
CH2＝CHCOO-(CH2)m-O-Ph1-COO-Ph2-OCH3
CH2＝CHCOO-(CH2)m-O-Ph1-COO-Ph1-Ph1-CH2CH(CH3)C2H5
式中，m、n为2～6的整数，
Ph1、Ph2为1,4-苯基(Ph2的2位可以为甲基)，
NPh为2,6-萘基。
这些棒状液晶化合物由BASF株式会社制并作为LC242等被市售，可以利用它们。
这些棒状液晶化合物可以以任意比率组合多种而使用。
另外，作为盘状液晶化合物，可以举出苯衍生物、Truxene衍生物、环己烷衍生物、氮杂冠醚系、苯乙炔系大环等，记载有日本特开2001-155866号公报中的各种物质，适合使用它们。
其中，作为盘状化合物，优选使用下述通式(1)所示的具有三亚苯基环的化合物。
Figure BDA0002999973810000331
式中、R1～R6各自独立地为氢、卤素、烷基、或-O-X所示的基(此处，X为烷基、酰基、烷氧基苄基、环氧改性烷氧基苄基、丙烯酰氧基改性烷氧基苄基、丙烯酰氧基改性烷基)。R1～R6优选为下述通式(2)所示的丙烯酰氧基改性烷氧基苄基(此处，m为4～10)。
Figure BDA0002999973810000332
相位差层可以通过涂覆相位差层用组合物涂料而设置。相位差层用组合物涂料可以包含溶剂、聚合引发剂、敏化剂、阻聚剂、流平剂和聚合性非液晶化合物、交联剂等。它们可以使用取向控制层、液晶偏振片的部分中说明的物质。
将相位差层用组合物涂料涂覆于取向薄膜的脱模面或取向控制层上后，进行干燥、加热、固化，从而设置相位差层。
这些条件也使用取向控制层、液晶偏振片的部分中说明的条件作为优选条件。
有时设置多个相位差层，但该情况下，可以在1个转印用取向薄膜上设置多个相位差层，将其转印至对象物，也可以准备在1个转印用取向薄膜上设有单一的相位差层的材料多种，将它们依次转印至对象物。
另外，可以在1个转印用取向薄膜上设置偏光层与相位差层，将其转印至对象物。进而，有时在偏振片与相位差层之间设置保护层，或在相位差层上、相位差层之间设置保护层。这些保护层也可以与相位差层、偏光层一起设置于转印用取向薄膜上并转印至对象物。
作为保护层，可以举出透明树脂的涂覆层。作为透明树脂，不特别限定于聚乙烯醇、乙烯乙烯醇共聚物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚苯乙烯、丙烯酸类树脂、环氧树脂等。可以在这些树脂中加入交联剂而形成交联结构。另外，也可以为硬涂层那样的使丙烯酸类等的光固化性的组合物固化而成者。另外，可以在取向薄膜上设置保护层后，对保护层进行刷磨处理，在其上设置液晶化合物取向层而不设置取向层。
(液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法)
接着，对本发明的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法进行说明。
本发明的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法包括如下工序：使偏光板与本发明的液晶化合物取向层转印用层叠体的液晶化合物取向层面贴合而形成中间层叠体的工序；和，从中间层叠体剥离取向薄膜的工序。
以下，以液晶化合物取向层为圆偏光板中使用的液晶化合物取向层的情况为例进行说明。圆偏光板的情况下，作为相位差层(转印用层叠体中，被称为液晶化合物取向层)，使用有λ/4层。λ/4层的正面延迟量优选100～180nm。进一步优选120～150nm。仅使用λ/4层作为圆偏光板的情况下，λ/4层的取向轴(慢轴)与偏振片的透光轴优选35～55度、更优选40度～50度、进一步优选42～48度。与聚乙烯醇的拉伸薄膜的偏振片组合使用的情况下，偏振片的吸收轴通常成为长尺寸偏振片薄膜的长度方向，因此，在长尺寸的转印用取向薄膜上设置λ/4层的情况下，优选使液晶化合物取向使得相对于长尺寸的转印用取向薄膜的长度方向成为上述范围。需要说明的是，偏振片的透光轴的角度不同于上述的情况下，考虑到偏振片的透光轴的角度，使液晶化合物取向成为上述关系。
通过将层叠有λ/4层与取向薄膜的转印用层叠体中的λ/4层转印至偏光板，从而制成圆偏光板。具体而言，使偏光板与转印用层叠体的λ/4层面贴合而形成中间层叠体，从该中间层叠体剥离取向薄膜。偏光板可以在偏振片的两面设有保护膜，优选仅在单面设有保护膜。如果为仅在单面设有保护膜的偏光板，则优选使保护膜的相反面(偏振片面)与相位差层贴合。如果在两面设有保护膜，则相位差层优选贴合于假定图像单元侧的面。假定图像单元侧的面是指，低反射层、防反射层、防眩层等通常设置于可视侧的未经表面加工的面。贴合相位差层的一侧的保护膜优选为TAC、丙烯酸类、COP等无相位差的保护膜。
作为偏振片，可以举出：将PVA系的薄膜单独拉伸而制成的偏振片；在聚酯、聚丙烯等未拉伸基材上涂覆PVA、连同基材一起进行拉伸而制成偏振片，将该偏振片转印至偏振片保护膜而成者；在偏振片保护膜上涂覆或转印由液晶化合物和二色性色素形成的偏振片而成者；等，均优选使用。
作为粘附的方法，可以使用粘接剂、粘合剂等以往已知的物质。作为粘接剂，优选使用聚乙烯醇系粘接剂、丙烯酸类、环氧等紫外线固化型粘接剂、环氧、异氰酸酯(氨基甲酸酯)等热固化型粘接剂。粘合剂可以举出丙烯酸类、氨基甲酸酯系、橡胶系等的粘合剂。另外，也优选使用无丙烯酸类基材的光学用透明粘合剂片。
使用转印型的偏振片作为偏振片的情况下，可以在转印用层叠体的相位差层(液晶化合物取向层)上转印偏振片，之后，将偏振片和相位差层转印至对象物(偏振片保护膜)。
作为跟设置相位差层的一侧相反侧的偏振片保护膜，可以使用TAC、丙烯酸类、COP、聚碳酸酯、聚酯等通常已知者。其中，优选TAC、丙烯酸类、COP、聚酯。聚酯优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。聚酯的情况下，优选面内延迟量100nm以下、特别是50nm以下的零延迟量薄膜、或3000nm～30000nm的高延迟量薄膜。
使用高延迟量薄膜的情况下，出于防止戴上偏光太阳镜而观察图像时的眩晕、着色的目的，偏振片的透光轴与高延迟量薄膜的慢轴的角度优选30～60度的范围、进一步优选35～55度的范围。为了降低在裸眼下从角度小的倾斜方向观察时的虹斑等，偏振片的透光轴与高延迟量薄膜的慢轴的角度设为10度以下、进一步设为7度以下，或优选设为80～100度、进一步优选设为83～97度。
在相反侧的偏振片保护膜上可以设有防眩层、防反射层、低反射层、硬涂层等。
(复合相位差层)
对于单独λ/4层，遍及可见光区域宽的范围地不成为λ/4而有时产生着色。因此，有时将λ/4层与λ/2层组合而使用。λ/2层的正面延迟量优选200～360nm。进一步优选240～300nm。
该情况下，优选配置为将λ/4层与λ/2层合并成为λ/4的角度。具体而言，λ/2层的取向轴(慢轴)与偏振片的透光轴的角度(θ)优选5～20度、更优选7度～17度。λ/2层的取向轴(慢轴)与λ/4的取向轴(慢轴)的角度优选2θ+45度±10度的范围、更优选2θ+45度±5度的范围、进一步优选2θ+45度±3度的范围。
该情况下，与聚乙烯醇的拉伸薄膜的偏振片组合而使用时，也通常偏振片的吸收轴成为长尺寸偏振片薄膜的长度方向，因此，在长尺寸的转印用取向薄膜上设有λ/2层、λ/4层的情况下，优选的是使液晶化合物取向使得相对于长尺寸的转印用取向薄膜的长度方向或长度的垂直方向成为上述范围。需要说明的是，偏振片的透光轴的角度不同于上述的情况下，考虑到偏振片的透光轴的角度，使液晶化合物取向成为上述关系。
作为这些方法、相位差层的例子，可以将日本特开2008-149577号公报、日本特开2002-303722号公报、WO2006/100830号公报、日本特开2015-64418号公报等作为参考。
进而，为了降低从斜向观察时的着色的变化等，在λ/4层上设置C板层也是优选的方式。根据λ/4层、λ/2层的特性，C板层使用正或负的C板层。
作为它们的层叠方法，例如，如果为λ/4层与λ/2层的组合，则可以采用：
·通过转印在偏振片上设置λ/2层，进一步在其上通过转印设置λ/4层。
·在转印用取向薄膜上依次设置λ/4层和λ/2层，将其转印至偏振片上。
·在转印用取向薄膜上依次设置λ/4层、λ/2层和偏光层，将其转印至对象物。
·在转印用取向薄膜上依次设置λ/2层和偏光层，将其转印至对象物，进一步在其上转印λ/4层。
等各种方法。
另外，层叠C板的情况下，可以采用：在设置于偏振片上的λ/4层上转印C板层的方法、在取向薄膜上设置C板层、进一步在其上设置λ/4层或λ/2层和λ/4层并将其转印的方法等各种方法。
如此得到的圆偏光板的厚度优选120μm以下。更优选100μm以下、进一步优选90μm以下、特别优选80μm以下、最优选70μm以下。
(液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法)
接着，对本发明的液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法进行说明。
本发明的液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法包括如下工序：从层叠体的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光，在液晶化合物取向层面侧进行光接收的工序；和，检查光接收后的光的消光状态的有无的工序。如此，本发明中，对于液晶化合物取向层转印用层叠体，即使液晶化合物取向层为相位差层，在层叠于转印用取向薄膜的状态下也可以检查其光学特性。
为了检查相位差层的光学状态，照射相对于转印用取向薄膜的取向方向为平行或垂直的直线偏振光，用设置于层叠体的相反面的光接收器检测其偏振状态的变化。相对于转印用取向薄膜的取向方向为平行是指，优选
-10～+10度、更优选-7～7度、进一步优选-5～5度、特别优选-3～3度、最优选
-2～2度。相对于转印用取向薄膜的取向方向为垂直是指，优选80～100度、更优选83～97度、进一步优选85～95度、特别优选87～93度、最优选88～92度。如果超过上述范围，则照射到相位差层的偏振光、或通过的偏振光受到基材的相位差的影响而紊乱，有时变得无法进行准确的评价。
需要说明的是，可以根据转印用取向薄膜的取向方向每次调整照射的直线偏振光的角度，但检查变得复杂。因此，也优选照射的直线偏振光相对于转印用取向薄膜的流动方向固定为平行或垂直而进行检查。此处平行或垂直的范围与上述相同。
优选在光接收器与液晶化合物取向层(相位差层)转印用层叠体(检查对象薄膜)之间设置偏振滤光片。另外，优选在液晶化合物取向层(相位差层)转印用层叠体与偏振滤光片之间设置相位差板，所述相位差板用于将通过液晶化合物取向层(相位差层)转印用层叠体的相位差层成为椭圆偏振光的光在符合设计的椭圆偏振光的情况下转换为直线偏振光。例如可知，通过设为这种构成，相位差层符合设计的情况下，用光接收器检测到的光为消光状态，但有漏光的情况下，相位差层偏离设计。设置多种所设置的偏振滤光片的角度、相位差板的角度、相位差稍不同的光接收器，也可以检测相位差层的相位差、取向方向在哪个方向上偏离了多少。
(偏光层的检查)
液晶化合物取向层为偏光层的情况下，照射自然光(非偏振光)，使透过的光隔着偏振滤光片进行光接收，从而可以检查偏光层。另外，隔着偏振滤光片对转印用层叠体照射成为直线偏振光的光，将其透射光进行光接收，从而可以进行检查。这些情况下，偏振滤光片的设置于转印用取向薄膜的偏光层变得符合设计的情况下设定为消光的角度。
需要说明的是，设置多种偏振滤光片的角度稍不同的光接收器，也可以检测取向方向在哪个方向上偏离了多少。
另外，这些情况下，前述照射自然光的情况下，从转印用取向薄膜面侧照射后者的直线偏振光的情况下，优选从偏光层面进行照射。
实施例
以下，参照实施例，对本发明更具体地进行说明，但本发明不限定于下述实施例，在能符合本发明的主旨的范围内也可以适宜加以变更而实施，这些均包含于本发明的技术的范围内。需要说明的是，实施例中的物性的评价方法如以下所述。
(1)转印用取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度、或转印用取向薄膜的取向方向跟与流动方向正交的方向之间的角度、和薄膜的宽度方向上的取向角的角度差
首先，将薄膜从卷引出，在两端部(距离各端部的内侧为5cm的地点)、中央部、和位于中央部与两端部的中间的中间部这5处确定取向方向。位于中央部与两端部的中间的中间部处于将中央部与两端部的间隔2等分的位置。需要说明的是，取向方向设为使用分子取向计(王子计测器株式会社制、MOA-6004型分子取向计)而求出的薄膜的慢轴方向。接着，考察了薄膜的整体的取向方向是接近于流动方向(MD)、还是接近于宽度方向(TD)。然后，薄膜的整体的取向方向接近于流动方向的情况下，在上述5处分别求出取向方向与薄膜的流动方向之间的角度，采用成为最大的角度的部位处的值作为“取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度”的最大值。另一方面，薄膜的整体的取向方向接近于宽度方向的情况下，在上述5处分别求出取向方向跟与薄膜的流动方向正交的方向之间的角度，采用成为最大的角度的部位处的值作为“取向薄膜的取向方向跟与取向薄膜的流动方向正交的方向之间的角度”的最大值。
另外，将在上述5处求出的角度中、最大值与最小值之间的差作为“薄膜的宽度方向上的取向角的角度差”。
需要说明的是，角度如下：相对于长度方向或宽度方向，与前述最大值相同的侧存在取向方向的情况下，设为正的值，相对于长度方向或宽度方向，在相反侧存在取向方向的情况下，设为负的值，区分正/负，评价最小值。
(2)转印用取向薄膜的折射率
以上述(1)中求出的慢轴方向与长边成为平行的方式，切成4cm×2cm的长方形，作为测定用样品。对于该样品，利用阿贝折射率计(Atago公司制、NAR-4T、测定波长589nm)求出正交的双轴的折射率(慢轴方向的折射率：nx、快轴方向(与慢轴方向正交的方向)的折射率：ny)、和厚度方向的折射率(nz)。
(3)转印用取向薄膜的MD方向、TD方向、相对于MD方向为45度的方向、或相对于MD方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率
依据JIS C 2318-1997 5.3.4(尺寸变化)而测定。具体而言，沿应测定的方向(MD方向、TD方向、相对于MD方向为45度的方向、相对于MD方向为135度的方向)，将薄膜切成宽度10mm、长度250mm，在该样品上以200mm间隔标注二个标记，在5gf的恒定张力下，测定二个标记之间的间隔(A)。接着，将薄膜放入150℃的气氛中的烘箱，在无载荷下、以150±3℃进行30分钟加热处理后，在5gf的恒定张力下，测定二个标记之间的间隔(B)。根据以下式子求出热收缩率。
热收缩率(％)＝(A-B)/A×100
(4)95℃最大热收缩率
将从分切卷的各切出部切出的转印用取向薄膜切成一边21cm的正方形状，在23℃、65％RH的气氛中放置2小时以上。绘制以该薄膜的中央为中心的直径80mm的圆，使用二维图像测定机(MITUTOYO制QUICK IMAGE)，使薄膜的流动方向为0度，以1度间隔测定直径。此处，使薄膜流动方向为0度，在薄膜上表面，将顺时针方向(右转)设定为正的角度、逆时针方向(左转)设定为负的角度。为了测定直径，以-90度～89度的范围的测定，对全部方向进行测定。接着，对该薄膜以95℃、在热水中进行加热处理30分钟后，在23℃、65％RH的气氛中放置2小时以上。之后，与上述同样地以1度间隔测定圆的直径。将热处理前的直径设为Lo、热处理后的同一方向的直径设为L，依据下述式子，求出各方向的热收缩率，将全部方向上的热收缩率中成为最大的值作为最大热收缩率。另外，求出具有最大热收缩率的方向与MD或TD的角度(值变小者)。
热收缩率(％)＝((L0-L)/L0)×100
(5)弹性模量：依据JIS C-2318而测定。样品从距离中央部分切而得到的分切卷的宽度方向的中央切出。
(6)波长380nm下的透光率
使用分光光度计(日立制作所制、U-3500型)，将空气层作为标准，测定转印用取向薄膜的波长300～500nm区域的透光率，求出波长380nm下的透光率。
(7)特性粘度
使树脂试样0.2g溶解于苯酚/1,1,2,2-四氯乙烷(60/40(重量比))的混合溶剂50ml中，在30℃下使用奥斯特瓦尔德粘度计进行测定。需要说明的是，对于表面层A的试样，制作A层单独挤出的薄膜样品，将其作为试样。
(8)漏光
在以使用了黄色荧光体的白色LED为光源的面发光光源之上放置下侧偏光板，在其上放置转印用取向薄膜上设有相位差层(液晶化合物取向层)的样品层叠体，使得偏光板的消光轴方向(吸收轴方向)与样品层叠体的长边方向成为平行。进一步在其上放置由环状聚烯烃的拉伸薄膜形成的λ/4薄膜，使得取向主轴与下侧偏光板的消光轴成为45度的方向，在其上放置上侧偏光板，使得上侧偏光板的消光轴与下侧偏光板的消光轴成为平行。在该状态下，观察消光状态。具体而言，以以下基准评价样品层叠体中、最明亮的部分的消光状态。需要说明的是，去除样品层叠体和λ/4薄膜，将使下侧偏光板和上侧偏光板处于交叉棱镜的状态的消光状态作为消光状态。
◎：没有感到明亮的部位，整体为消光状态。
○：确认到比消光状态稍少的透射光。
△：确认到透射光，但能评价相位差状态。
×：透射光多，难以评价相位差状态。
(9)亮度均匀性
在与上述(8)相同的状态下，以以下基准评价样品层叠体内的消光状态的均匀性。需要说明的是，去除样品层叠体和λ/4薄膜，将使下侧偏光板与上侧偏光板处于交叉棱镜的状态的消光状态作为消光状态。
◎：在样品层叠体整个区域基本为相同的亮度。
○：稍有亮度的差异。
△：有小的亮度的差异。
×：亮度的差异大。
(10)相位差层的加热取向方向错位
将样品层叠体在烘箱中、以120℃加热处理20分钟，在冷却至室温的样品层叠体的相位差层面侧贴合市售的光学用粘合片，进一步使粘合片粘附于玻璃板后，将取向薄膜剥离，将相位差层转印至玻璃板上。以在玻璃板上层叠有相位差层的状态，在配置于交叉棱镜的偏光板之间配置玻璃板/相位差层层叠体，求出消光的方向。求出消光的方向与取向薄膜的长边方向的角度差，将该角度差与45度之差作为加热取向方向错位，算出进行了5次的值的平均值，以以下基准进行评价。
◎：为1度以内。
○：超过1度且为2度以下。
△：超过2度且为3度以下。
×：超过3度。
(11)酯环状三聚体的含量
将聚酯薄膜的构成脱模面侧层的聚酯树脂用切刀切去，较细地冷冻粉碎。使该粉碎后的树脂0.1g溶解于六氟异丙醇(HFIP)/氯仿(2/3(容量比))的混合溶剂3ml。在得到的溶液中加入氯仿20ml将其均匀混合。在得到的混合液中加入甲醇10ml，使线状聚酯再沉淀。接着，将该混合液过滤，将沉淀物用氯仿/甲醇(2/1(容量比))的混合溶剂30ml进行清洗，进一步进行过滤。将得到的滤液在旋转蒸发仪中进行浓缩干固。在浓缩干固物中加入二甲基甲酰胺10ml，形成酯环状三聚体测定溶液，通过液相色谱法求出酯环状三聚体的含量。
(测定条件)
装置：L-7000(日立制作所制)
柱：μ-Bondasphere C18 5μ100埃3.9mm×15cm(Waters制)
溶剂：洗脱液A：2％乙酸/水(v/v)
洗脱液B：乙腈
梯度B％：10→100％(0→55分钟)
流速：0.8ml/分钟
温度：30℃
检测器：UV-258nm
(12)薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量
将聚酯薄膜切成15cm×15cm，在烘箱中、以150℃加热90分钟。之后，将进行了热处理的薄膜放置于15cm×15cm的不锈钢板上，使脱模面向上，在其上载置在中央部开有10cm×10cm孔的15cm×15cm有机硅片(厚度5mm)，进一步重叠与有机硅片为同一形状(厚度2mm)的不锈钢板，用夹具固定周边部。接着，在中央的孔中放入DMF(二甲基甲酰胺)4ml，放置3分钟后，将DMF回收。通过液相色谱法求出回收后的DMF中的酯环状三聚体的量。该值除以接触了DMF的薄膜面积，作为薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量(mg/m2)。
(测定条件)
装置：ACQUITY UPLC(Waters制)
柱：BEH-C18 2.1×150mm(Waters制)
流动相：洗脱液A：0.1％甲酸(v/v)
洗脱液B：乙腈
梯度B％：10→98→98％(0→25→30分钟)
流速：0.2ml/分钟
柱温度：40℃
检测器：UV-258nm
(13)热处理前后的雾度的增加量(△雾度)评价
将薄膜切成50mm×75mm见方，依据JIS K 7105“塑料的光学特性试验方法”雾度(雾值)，测定热处理前的初始的雾度(加热前雾度)。测定器使用日本电色工业株式会社制NDH-300A型浊度计。为了测定加热后雾度，用辊在试样薄膜片的加热处理前未经雾度评价者的面(背面)上以气泡不进入的方式密合保护膜(藤森工业制PC-T073)。在粘附了保护膜的状态下，将薄膜安装于加热至150℃的烘箱内，经过90分钟后取出薄膜。之后剥离保护膜，对于薄膜，利用与上述同样的方法测定雾度，得到加热后雾度。将其加热前后的雾度差作为△雾度。
Δ雾度(％)＝(加热后雾度)-(加热前雾度)
(14)聚酯薄膜的表面电阻值(Ω/sq)
基于JIS K 6911，使用表面电阻测定器(Takeda Riken Co.,Ltd.制)，在23℃、40％RH的气氛下、在施加电压500V下，测定表面电阻值(Ω)。
(15)高速涂覆适合性
用凹版涂布机在转印用取向薄膜的非涂覆面、或低聚物阻挡涂层面上涂布相位差层形成用溶液并使其干燥。之后，观察转印用取向薄膜的卷芯附近(距离开始为450m附近)处的膜质的状态，以以下基准进行评价。
○：为均匀的涂膜。
×：确认到认为基于静电的排斥。
(16)三维表面粗糙度SRa、SRz、SRy
使用触针式三维粗糙度计(SE-3AK、株式会社小阪研究所社制)，在针的半径2μm、载荷30mg的条件下，沿薄膜的长度方向，以取样长度0.25mm、遍及测定长1mm地以针的送入速度0.1mm/秒进行测定，以2μm间距分割成500个点，由三维粗糙度解析装置(SPA-11)收集各点的高度。对于薄膜的宽度方向，以2μm间隔连续地进行150次与此同样的操作，即遍及薄膜的宽度方向0.3mm进行，由解析装置收集数据。然后，用解析装置求出中心面平均粗糙度(SRa)、十点平均粗糙度(SRz)、最大高度(SRy)。
(17)脱模面高低差0.5μm以上(脱模面)、2.0μm(背面)以上的突起数
沿薄膜长度方向切出宽度100mm、长度100mm的试验片，将其夹入到2张偏光板之间，从而形成交叉棱镜状态，以保持了淬火位置的状态安装。在该状态下，用Nikon万能投影机V-12(测定条件：投影透镜50倍、透过照明光束切换旋钮50倍、透射光检查)，使光透射，检测看上去闪亮的部分(刮痕、异物)的长径为50μm以上者。从试验片切成适当的大小，使用三维形状测定装置(Ryoka System Co.,Ltd.制、Micromap TYPE550；测定条件：波长550nm、WAVE模式、物镜10倍)，从相对于薄膜面为垂直方向，对如此检测到的部分进行观察并测定。此时，从相对于薄膜面为垂直方向进行观察时接近于50μm以内的凹凸是将假定覆盖相同的刮痕、异物的长方形、并将该长方形的长度和宽度视作刮痕、异物的长度和宽度。关于该刮痕、异物，使用截面影像(SURFACE PROFILE DISPLAY)，定量坏点数。需要说明的是，测定对20张的试验片进行，换算为每1m2的坏点数。在脱模面中，计数高低差(最高处与低处之差)为0.5μm以上者的坏点数，在背面计数高低差2.0μm以上者的坏点数。
＜转印用取向薄膜用聚酯树脂的制造＞
(聚酯树脂(PET(X-m))的制造)
将酯化反应釜升温，在达到200℃的时刻，投入对苯二甲酸86.4质量份和乙二醇64.6质量份，边搅拌边投入作为催化剂的三氧化锑0.017质量份、乙酸镁四水合物0.064质量份、三乙胺0.16质量份。接着，进行加压升温，在表压0.34MPa、240℃的条件下进行加压酯化反应后，将酯化反应釜恢复至常压，添加磷酸0.014质量份。进而，用15分钟升温至260℃，添加磷酸三甲酯0.012质量份。接着，15分钟后，用高压分散机进行分散处理，15分钟后，将得到的酯化反应产物转移至缩聚反应釜，在280℃、减压下进行缩聚反应。
缩聚反应结束后，用95％截止直径为5μm的纳斯纶制过滤器进行过滤处理，从喷嘴以股线状挤出，用预先进行了过滤处理(孔径：1μm以下)的冷却水进行冷却、固化，切割成粒料状，得到聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET(X-m))。PET(X-m)的特性粘度为0.62dl/g，实质上不含有非活性颗粒和内部析出颗粒。
(聚酯树脂(PET(Y)的制备)
将干燥后的紫外线吸收剂(2,2’-(1，4-亚苯基)双(4H-3,1-苯并噁嗪-4-酮)10质量份与PET(X-m)(特性粘度为0.62dl/g)90质量份进行混合，使用混炼挤出机，得到含有紫外线吸收剂的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET(Y))。
(低聚物量聚酯(X-s)的制造)
将聚酯树脂(PET(X-m))在减压下、以160℃进行干燥，接着，使含水量经湿度调节至15.3g/Nm3的氮气以每粗制聚酯1kg、每小时300升流通，在230℃下进行12小时加热处理。得到的聚酯的特性粘度为0.617dl/g，环状三聚体的含量为0.29质量％。
＜易粘接层成分的制造＞
(聚氨酯树脂D-1的制造)
按照如下步骤制造以脂肪族系聚碳酸酯多元醇为构成成分的聚氨酯树脂D-1。在具备搅拌机、蛇形冷凝器、氮气导入管、硅胶干燥管和温度计的四口烧瓶中，投入4,4-二苯基甲烷二异氰酸酯43.75质量份、二羟甲基丁酸12.85质量份、数均分子量2000的聚六亚甲基碳酸酯二醇153.41质量份、二月桂酸二丁基锡0.03质量份、和作为溶剂的丙酮84.00质量份，在氮气气氛下、在75℃下搅拌3小时，确认反应液达到规定的胺当量。接着，将该反应液降温至40℃后，添加三乙胺8.77质量份，得到聚氨酯预聚物溶液。接着，在具备能进行高速搅拌的均质分配器的反应容器中，添加水450g，调整为25℃，边以2000分钟-1进行搅拌混合，边添加聚氨酯预聚物溶液进行水分散。之后，在减压下，将丙酮和水的一部分去除，从而制备固体成分浓度35质量％的水溶性聚氨酯树脂(D-1)。得到的聚氨酯树脂(D-1)的玻璃化转变温度为-30℃。
(噁唑啉系交联剂E-1的制造)
在具备温度计、氮气导入管、回流冷凝器、滴液漏斗和搅拌机的烧瓶中，投入作为水性介质的离子交换水58质量份与异丙醇58质量份的混合物、和聚合引发剂(2,2’-偶氮双(2-脒基丙烷)·二盐酸盐)4质量份。另一方面，在滴液漏斗中，投入作为具有噁唑啉基的聚合性不饱和单体的2-异丙烯基-2-噁唑啉16质量份、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯(乙二醇的平均加成摩尔数·9摩尔、新中村化学制)32质量份、和甲基丙烯酸甲酯32质量份的混合物，在氮气气氛下、以70℃经1小时进行滴加。滴加结束后，将反应溶液搅拌9小时并冷却，从而得到固体成分浓度40质量％的具有噁唑啉基的水溶性树脂(E-1)。
(易粘接层用涂布液的制备)
将下述涂剂混合制成易粘接层用涂布液。
Figure BDA0002999973810000471
(转印用取向薄膜卷1的制造)
将作为转印用取向薄膜的中间层用的原料的PET(X-m)树脂粒料90质量份与含有紫外线吸收剂的PET(Y)树脂粒料10质量份以135℃减压干燥(1Torr)6小时后，供给至挤出机2(中间层II层用)。另外，将作为转印用取向薄膜的外层用的原料的PET(X-m)通过常规方法干燥，供给至挤出机1(外层(I层、III层)用)，以285℃溶解。将该2种聚合物分别用不锈钢烧结体的滤材(公称过滤精度10μm颗粒95％截止)过滤，用2种3层合流块进行层叠，从喷嘴形成片状并挤出后，使用静电施加浇铸法，缠绕于表面温度30℃的浇铸鼓并冷却固化，制作未拉伸薄膜。此时，调整各挤出机的排出量使得I层、II层、III层的厚度之比成为10：80：10。
接着，通过逆转辊法，在该未拉伸PET薄膜的单面涂布易粘接用涂布液使得干燥后的涂布量成为0.08g/m2后，导入至干燥机，以80℃干燥20秒。
将形成有该涂布层的未拉伸薄膜导入至拉幅机拉伸机，边将薄膜的端部用夹具固定边导入至温度125℃的热风区，沿宽度方向拉伸至4.0倍。接着，保持沿宽度方向拉伸的幅度不变地，在温度210℃、10秒下进行热固定处理，进一步进行3.0％的松弛处理。之后，将冷却后的薄膜的两端部切断，以0.4kg/mm2的张力卷取，得到薄膜厚度50μm的单轴取向PET薄膜(幅1800cm、转印用取向薄膜1)。
将得到的薄膜的中央部以50cm宽分切，形成长度约500m的薄膜卷(分切薄膜1-c)。
将距离得到的薄膜的中央部为右侧50cm宽分切，形成长度约500m的薄膜卷(1-r1)。
将得到的薄膜的右侧端部50cm宽分切，形成长度约500m的薄膜卷(1-r2)。
(转印用取向薄膜卷2的制造)
用加热后的辊组和红外线加热器，将通过与转印用取向薄膜1同样的方法制作的未拉伸薄膜(完成了易粘接层涂覆)加热至105℃，之后用有圆周速度差的辊组沿行进方向拉伸3.3倍后，导入至温度135℃的热风区，沿宽度方向拉伸3.5倍，使热固定温度为225℃，除此之外，利用与转印用取向薄膜1同样的方法得到转印用取向薄膜2。
将得到的薄膜的中央部分切成50cm宽，形成长度约500m的薄膜卷(2-c)。
将距离得到的薄膜的中央部为右侧50cm宽分切，形成长度约500m的薄膜卷(2-r1)。
将得到的薄膜的右侧一半的中央部50cm宽分切，形成长度约500m的薄膜卷(2-r2)。
将得到的薄膜的右侧端部50cm宽分切，形成长度约500m的薄膜卷(2-r3)。
(转印用取向薄膜卷3-c的制造)
将薄膜卷1-c卷出，使其通过130℃的加热烘箱并卷取，进行退火处理，得到转印用取向薄膜卷3-c。烘箱的通过时间设为20秒。
(转印用取向薄膜卷4-c的制造)
如表1所示改变松弛处理条件，除此之外，与转印用取向薄膜1同样地进行，得到转印用取向薄膜卷4-c。将中央部分分切。
(转印用取向薄膜卷5-c的制造)
如表1所示改变热固定温度，除此之外，与转印用取向薄膜1同样地进行，得到转印用取向薄膜卷5-c。将中央部分分切。
(转印用取向薄膜卷6-c的制造)
如表1所示改变宽度方向的拉伸倍率，除此之外，与转印用取向薄膜1同样地进行，得到转印用取向薄膜卷6-c。将中央部分分切。
(转印用取向薄膜卷7-c的制造)
对转印用取向薄膜卷6-c进行退火处理，得到转印用取向薄膜卷7-c。
(转印用取向薄膜卷8-c的制造)
用加热后的辊组和红外线加热器，将通过与转印用取向薄膜1同样的方法制作的未拉伸薄膜(完成了易粘接层涂覆)加热至105℃，之后用有圆周速度差的辊组沿行进方向拉伸2.0倍后，导入至温度135℃的热风区，沿宽度方向拉伸4.0倍，利用与转印用取向薄膜1同样的方法得到转印用取向薄膜卷8-c。将中央部分分切。
(转印用取向薄膜卷9-c的制造)
使热固定温度为170℃，不进行松弛处理，以0.6kg/mm2的张力进行卷取，除此之外，与转印用取向薄膜1同样地得到转印用取向薄膜卷9-c。将中央部分分切。
(转印用取向薄膜卷10-c的制造)
用加热后的辊组和红外线加热器，将通过与转印用取向薄膜1同样的方法制作的未拉伸薄膜(完成了易粘接层涂覆)加热至105℃，之后用有圆周速度差的辊组沿行进方向拉伸4.0倍后，在干燥机内、以温度225℃、10秒进行处理，利用圆周速度差，进行3.0％的松弛处理，得到转印用取向薄膜卷10-c。将中央部分分切。
需要说明的是，上述转印用取向薄膜卷1～10-c中，使用未涂覆易粘接层的面(非易粘接涂层面)作为脱模面。
(转印用取向薄膜卷11-c的制造)
对转印用取向薄膜卷1(1-c)的非易粘接涂布面进行电晕处理，涂布下述低聚物阻挡涂布剂，在加热烘箱中、以150℃干燥3分钟，得到转印用取向薄膜卷11-c。涂布层的厚度为150nm。
Figure BDA0002999973810000501
需要说明的是，使用低聚物阻挡涂层面作为脱模面。
(转印用取向薄膜卷12-c的制造)
使用下述涂剂(低聚物阻挡涂布剂)代替单面的易粘接层用涂布液，在另一面使用下述的涂剂中不含二氧化硅颗粒者，除此之外，与转印用取向薄膜1同样地进行，得到转印用取向薄膜卷12-c。将中央部分分切。
Figure BDA0002999973810000511
(溶剂：甲苯/MEK＝1/1)
需要说明的是，使用不含二氧化硅颗粒的低聚物阻挡涂层面作为脱模面。
(转印用取向薄膜卷13-c的制造)
使用PET(X-s)代替PET(X-m)，除此之外，与转印用取向薄膜卷11-c同样地进行，得到转印用取向薄膜卷13-c。将中央部分分切。
需要说明的是，使用低聚物阻挡涂层面作为脱模面。
(转印用取向薄膜卷14-c的制造)
使用下述涂剂作为易粘接层用涂布液，除此之外，与转印用取向薄膜1同样地进行，得到具有抗静电能力的转印用取向薄膜卷14-c。
Figure BDA0002999973810000512
Figure BDA0002999973810000521
需要说明的是，使用非易粘接涂层面作为脱模面。
(转印用取向薄膜卷15-c的制造)
在转印用取向薄膜卷1(1-c)的易粘接涂布面涂布用MEK使Peltron C-4402(锑掺杂氧化锡颗粒)成为固体成分浓度5％而成者，在加热烘箱中、以80℃干燥3分钟，设置厚度100nm的抗静电涂层。另一方面，在非易粘接涂布面与转印用取向薄膜11-c同样地设置低聚物阻挡涂层，得到具有抗静电能力的转印用取向薄膜卷15-c。
需要说明的是，使用低聚物阻挡涂层面作为脱模面。
表1中示出上述转印用取向薄膜卷的各自的制造条件和特性。
[表1]
Figure BDA0002999973810000531
实验例1A
(刷磨处理取向控制层的形成)
将转印用取向薄膜卷1-c卷出，切成长度30cm，用棒涂机将下述组成的刷磨处理取向控制层用涂料涂布于非易粘接涂布面，以80℃干燥5分钟，形成厚度200nm的膜。接着，对得到的膜的表面用卷绕有尼龙制的起毛布的刷磨辊进行处理，得到层叠有刷磨处理取向控制层的转印用取向薄膜。刷磨以相对于切出的长方形的短边成为45度的方式进行。
完全皂化型聚乙烯醇(重均分子量800) 2质量份
离子交换水 100质量份
表面活性剂 0.5质量份
接着，通过棒涂法在实施了刷磨处理的面，涂布下述组成的相位差层(液晶化合物取向层)形成用溶液。以110℃干燥3分钟，照射紫外线使其固化，在转印用取向薄膜1-c上形成作为相位差层(液晶化合物取向层)的λ/4层，制造液晶化合物取向层转印用层叠体。
棒状液晶化合物(BASF株式会社制的LC242) 75质量份
下述化合物 20质量份
Figure BDA0002999973810000541
Figure BDA0002999973810000542
实验例2A、3A、6A～21A、实验例2B
如表2所示改变转印用取向薄膜的种类，除此之外，与实验例1A同样地制造实验例2A、3A、6A～21A、实验例2B的液晶化合物取向层转印用层叠体。
实验例4A、5A、实验例1B
将转印用取向薄膜卷1-r2切成长度约30cm，由切出的薄膜调整形状为尽量大的面积的长方形，使得薄膜的取向轴与长边的方向所呈的角度成为6度、9度、15度。使用该薄膜，除此之外，与实验例3A同样地制造实验例4A、5A、实验例1B的液晶化合物取向层转印用层叠体。
表2中示出实验例1A～21A、1B、2B的液晶化合物取向层转印用层叠体的评价结果。需要说明的是，表2的实验例4A、5A、实验例1B的“MD与取向方向的角度或TD与取向方向的角度(最大部位度)”的项目的数值表示长方形样品的长边与取向轴所呈的角度。
[表2]
Figure BDA0002999973810000561
由表2表明，满足第一发明的特征的实验例1A～21A中，漏光均为◎、○或△，在将相位差层(液晶化合物取向层)层叠于取向薄膜上的状态下评价相位差状态成为可能，亮度均匀性也均优异。与此相对，取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度、或取向薄膜的取向方向跟与流动方向正交的方向之间的角度过大的实验例1B和实验例2B中，漏光均为×，在将相位差层(液晶化合物取向层)层叠于取向薄膜上的状态下均难以评价相位差状态。
另外，由表2表明，满足第二发明的特征的实验例1A～3A、6A～14A、16A～21A中，相位差层的取向角度偏离均为◎、○或△。与此相对，取向薄膜的流动方向(MD方向)跟与流动方向正交的方向(TD方向)之间的150℃热收缩率的差过大的实验例15A中，相位差层的取向角度偏离为×。实验例15A的情况、后续工序等中进一步施加热的情况、设置相位差层时的温度等变高的情况均存在相位差层的取向方向偏离、变得无法在对象物上设置符合设计的取向的相位差层的担心。
表3中示出与实验例1A比较的实验例17A～21A的液晶化合物取向层转印用层叠体的低聚物阻挡涂层的效果、和抗静电层的效果。
[表3]
Figure BDA0002999973810000581
由表3表明，满足第三发明的特征的实验例17A～19A中，Δ雾度(热处理前后的雾度的增加量)均小，热处理所导致的雾度的增加均被充分抑制。特别是使用低聚物量的聚酯作为构成取向薄膜的聚酯树脂的实验例19A中，表层低聚物含量少，因此，表面低聚物析出量也少，作为结果，Δ雾度比其他实施例显著小，热处理所导致的雾度的增加极充分被抑制。与此相对，表面低聚物析出量大的实验例1A中，Δ雾度大，由于热处理而雾度会大幅增加。另外，设有抗静电涂层的实验例21A、和在易粘接层中添加有抗静电剂的实验例20A中，与不进行这种操作的实验例1A相比，薄膜的表面电阻均充分低，抗静电性均优异。
表4中示出作为代表的实验例1A的薄膜的表面粗糙度。需要说明的是，相位差层的评价中，确认不到针孔状、刮痕状的坏点。
[表4]
实验例1A
转印用取向薄膜卷编号 1-c
脱模面粗糙度SRa(nm) 2
脱模面粗糙度SRz(nm) 28
脱模面粗糙度SRy(nm) 24
脱模面高度差0.5μm以上的突起数(个/m2) 0
背面粗糙度SRa(nm) 6
背面粗糙度SRz(nm) 185
背面粗糙度SRy(nm) 282
2μm以上的突起数(个/m2) 0
实验例22A
(作为液晶化合物取向层层叠偏光板的具体例的圆偏光板的制造)
使用特性粘度0.63dl/g的聚对苯二甲酸乙二醇酯作为热塑性树脂基材，制成厚度100μm的未拉伸薄膜，在该未拉伸薄膜的单面涂布聚合度2400、皂化度99.9摩尔％的聚乙烯醇的水溶液并干燥，形成PVA层。
将得到的层叠体以120℃在圆周速度不同的辊之间沿长度方向拉伸至2倍进行卷取。接着，将得到的层叠体在4％的硼酸水溶液中进行30秒的处理后，在碘(0.2％)与碘化钾(1％)的混合水溶液中浸渍60秒进行染色，接着，在碘化钾(3％)与硼酸(3％)的混合水溶液中进行30秒处理。
进而，将该层叠体在72℃的硼酸(4％)与碘化钾(5％)混合水溶液中沿长度方向进行单轴拉伸，接着，在4％碘化钾水溶液中利用清洗、气刀去除水溶液后，在80℃的烘箱中进行干燥，将两端部分切后进行卷取，得到宽度30cm、长度1000m的基材层叠偏振片。总计的拉伸倍率为6.5倍、偏振片的厚度为5μm。需要说明的是，厚度如下：将基材层叠偏振片包埋于环氧树脂后切成切片，用光学显微镜进行观察并读取。
使用紫外线固化型粘接剂，使上述基材层叠偏振片的偏振片面贴合于超双折射聚酯薄膜(Cosmoshine(R)SRF厚度80μm东洋纺株式会社制)后，将基材层叠偏振片的基材剥离。进一步在其偏振片面层叠市售的光学粘合剂片。将粘合剂片的脱模薄膜剥离，使实验例1A的液晶化合物取向层转印用层叠体的液晶化合物取向层面与粘合剂层贴合，之后，将实验例1A的层叠体中的取向薄膜剥离，得到圆偏光板。得到的圆偏光板具有高的防反射功能。需要说明的是，Cosmoshine(R)SRF的慢轴与偏振片的消光轴成为垂直，Cosmoshine(R)SRF的MD方向与实验例1A的层叠体中的取向薄膜的MD方向成为平行。
产业上的可利用性
对于本发明的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，在液晶化合物取向层层叠于取向薄膜上的状态下，能够适当地评价设置于取向薄膜上的液晶化合物取向层(相位差层、偏光层)的取向状态等。另外，本发明的液晶化合物取向层转印用取向薄膜可以使用廉价且机械强度优异的聚酯等的拉伸薄膜，并且以符合设计的取向转印相位差层、偏光层，可以防止显示器的漏光的问题。进而，本发明的液晶化合物取向层转印用取向薄膜可以使用廉价且机械强度优异的聚酯等的拉伸薄膜，并且有效地防止薄膜的加热处理时的雾度的上升、异物的发生，因此，可以形成符合设计的取向的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)。因此，根据本发明，可以以高品质、稳定地制造圆偏光板等相位差层层叠偏光板。

Claims (57)

1.一种液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的取向薄膜，取向薄膜用于通过以下（A1）~（D1）中的任一方法使液晶化合物取向层进行取向，
（A1）对取向薄膜进行刷磨处理，使设置在取向薄膜的刷磨处理面的液晶化合物取向层通过刷磨处理面的取向控制力而取向；
（B1）在取向薄膜上涂布液晶化合物层并对液晶化合物层照射偏振光，由此进行取向；
（C1）在取向薄膜上设置取向控制层并对取向控制层进行刷磨处理，使设置在取向控制层上的液晶化合物取向层通过刷磨处理面的取向控制力而取向；
（D1）在取向薄膜上设置取向控制层并对取向控制层照射偏振光，使设置在取向控制层上的液晶化合物取向层通过取向控制层的取向控制力而取向，
取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度、或取向薄膜的取向方向跟与流动方向正交的方向之间的角度以在薄膜的宽度方向上距离各端部的内侧位于5cm的地点的两端部、中央部、和位于中央部与两端部的中间的中间部这5处测得的值中的最大值计为14度以下。
2.根据权利要求1所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其中，液晶化合物取向层沿相对于取向薄膜的流动方向为倾斜的方向取向。
3.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，将所述取向薄膜的慢轴方向的折射率设为nx，将快轴方向的折射率设为ny时，所述ny为1.58以上且1.62以下，所述nx为1.68以上且1.71以下。
4.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的在所述5处测得的值中的最大值为3度以下。
5.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的宽度方向上的取向角的角度差为7度以下。
6.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的宽度方向上的取向角的角度差为2度以下。
7.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的流动方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟取向薄膜的与流动方向正交的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4%以下。
8.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的流动方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟取向薄膜的与流动方向正交的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为1%以下。
9.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，相对于所述取向薄膜的流动方向为45度的方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟相对于取向薄膜的流动方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4%以下。
10.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，相对于所述取向薄膜的流动方向为45度的方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟相对于取向薄膜的流动方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为1%以下。
11.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜的95℃最大热收缩率为0%以上且0.8%以下。
12.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的表面电阻为1×105Ω/□以上且1×1013Ω/□以下。
13.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的脱模面的三维算术平均粗糙度SRa为1nm以上且10nm以下，三维十点平均粗糙度SRz为5nm以上且80nm以下，最大高度SRy为10nm以上且100nm以下。
14.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的背面的三维算术平均粗糙度SRa为2nm以上且40nm以下，三维十点平均粗糙度SRz为25nm以上且500nm以下，最大高度SRy为40nm以上且700nm以下。
15.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜为聚酯薄膜。
16.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，将取向薄膜以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为1.0mg/m2以下。
17.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，将取向薄膜以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为0.3mg/m2以下。
18.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，构成取向聚酯薄膜的脱模面侧层的聚酯树脂中的酯环状三聚体的含量为0.7质量%以下。
19.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，在取向聚酯薄膜的脱模面设有防止酯环状三聚体的析出的涂层，将取向薄膜以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为0.3mg/m2以下。
20.一种液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，其为层叠有液晶化合物取向层与取向薄膜的层叠体，
取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度、或取向薄膜的取向方向跟与流动方向正交的方向之间的角度以在薄膜的宽度方向上距离各端部的内侧位于5cm的地点的两端部、中央部、和位于中央部与两端部的中间的中间部这5处测得的值中的最大值计为14度以下，
层叠体由下述（A2）~（D2）中的任一方法得到，
（A2）依次包括以下工序的方法：
对取向薄膜进行刷磨处理而赋予取向控制功能的工序、和
在赋予了取向控制功能的取向薄膜上设置液晶化合物取向层的工序；
（B2）依次包括以下工序的方法：
在取向薄膜上涂布液晶化合物的工序、和
对液晶化合物照射偏振光而使液晶化合物取向，从而制成液晶化合物取向层的工序；
（C2）依次包括以下工序的方法：
准备取向薄膜的工序、
在取向薄膜上设置取向控制层的工序、
对取向控制层进行刷磨处理而赋予取向控制功能的工序、和
在取向控制层上设置液晶化合物取向层的工序；
（D2）依次包括以下工序的方法：
准备取向薄膜的工序、
在取向薄膜上设置取向控制层的工序、
对取向控制层照射偏振光而赋予取向控制功能的工序、和
在取向控制层上设置液晶化合物取向层的工序。
21.根据权利要求20所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其中，所述液晶化合物取向层沿相对于取向薄膜的流动方向为倾斜的方向取向。
22.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，将所述取向薄膜的慢轴方向的折射率设为nx，将快轴方向的折射率设为ny时，所述ny为1.58以上且1.62以下，所述nx为1.68以上且1.71以下。
23.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜的在所述5处测得的值中的最大值为3度以下。
24.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜的宽度方向上的取向角的角度差为7度以下。
25.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜的宽度方向上的取向角的角度差为2度以下。
26.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜的流动方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟取向薄膜的与流动方向正交的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4%以下。
27.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜的流动方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟取向薄膜的与流动方向正交的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为1%以下。
28.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，相对于所述取向薄膜的流动方向为45度的方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟相对于取向薄膜的流动方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4%以下。
29.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，相对于所述取向薄膜的流动方向为45度的方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟相对于取向薄膜的流动方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为1%以下。
30.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，取向薄膜的95℃最大热收缩率为0%以上且0.8%以下。
31.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜的表面电阻为1×105Ω/□以上且1×1013Ω/□以下。
32.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜的脱模面的三维算术平均粗糙度SRa为1nm以上且10nm以下，三维十点平均粗糙度SRz为5nm以上且80nm以下，最大高度SRy为10nm以上且100nm以下。
33.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜的背面的三维算术平均粗糙度SRa为2nm以上且40nm以下，三维十点平均粗糙度SRz为25nm以上且500nm以下，最大高度SRy为40nm以上且700nm以下。
34.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，取向薄膜为聚酯薄膜。
35.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，将取向薄膜以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为1.0mg/m2以下。
36.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，将取向薄膜以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为0.3mg/m2以下。
37.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，构成取向聚酯薄膜的脱模面侧层的聚酯树脂中的酯环状三聚体的含量为0.7质量%以下。
38.根据权利要求20或21所述的液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，在取向聚酯薄膜的脱模面设有防止酯环状三聚体的析出的涂层，将取向薄膜以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为0.3mg/m2以下。
39.一种液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
准备取向薄膜的工序，所述取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度、或取向薄膜的取向方向跟与流动方向正交的方向之间的角度以在薄膜的宽度方向上距离各端部的内侧位于5cm的地点的两端部、中央部、和位于中央部与两端部的中间的中间部这5处测得的值中的最大值计为14度以下；
通过下述（A3）~（D3）中的任一方法得到液晶化合物取向层转印用层叠体的工序；
使偏光板与液晶化合物取向层转印用层叠体的液晶化合物取向层侧面贴合而形成中间层叠体的工序；和，
从中间层叠体剥离取向薄膜的工序，
（A3）依次包括以下工序的方法：
对取向薄膜进行刷磨处理而赋予取向控制功能的工序、和
在赋予了取向控制功能的取向薄膜上设置液晶化合物取向层的工序；
（B3）依次包括以下工序的方法：
在取向薄膜上涂布液晶化合物的工序、和
对取向薄膜上的液晶化合物照射偏振光而使液晶化合物取向，从而制成液晶化合物取向层的工序；
（C3）依次包括以下工序的方法：
准备取向薄膜的工序、
在取向薄膜上设置取向控制层的工序、
对取向控制层进行刷磨处理而赋予取向控制功能的工序、和
在取向控制层上设置液晶化合物取向层的工序；
（D3）依次包括以下工序的方法：
准备取向薄膜的工序、
在取向薄膜上设置取向控制层的工序、
对取向控制层照射偏振光而赋予取向控制功能的工序、和
在取向控制层上设置液晶化合物取向层的工序。
40.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，将所述取向薄膜的慢轴方向的折射率设为nx，将快轴方向的折射率设为ny时，所述ny为1.58以上且1.62以下，所述nx为1.68以上且1.71以下。
41.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜的在所述5处测得的值中的最大值为3度以下。
42.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜的宽度方向上的取向角的角度差为7度以下。
43.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜的宽度方向上的取向角的角度差为2度以下。
44.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜的流动方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟取向薄膜的与流动方向正交的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4%以下。
45.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜的流动方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟取向薄膜的与流动方向正交的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为1%以下。
46.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，相对于所述取向薄膜的流动方向为45度的方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟相对于取向薄膜的流动方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4%以下。
47.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，相对于所述取向薄膜的流动方向为45度的方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟相对于取向薄膜的流动方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为1%以下。
48.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，取向薄膜的95℃最大热收缩率为0%以上且0.8%以下。
49.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜的表面电阻为1×105Ω/□以上且1×1013Ω/□以下。
50.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜的脱模面的三维算术平均粗糙度SRa为1nm以上且10nm以下，三维十点平均粗糙度SRz为5nm以上且80nm以下，最大高度SRy为10nm以上且100nm以下。
51.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜的背面的三维算术平均粗糙度SRa为2nm以上且40nm以下，三维十点平均粗糙度SRz为25nm以上且500nm以下，最大高度SRy为40nm以上且700nm以下。
52.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，取向薄膜为聚酯薄膜。
53.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，将取向薄膜以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为1.0mg/m2以下。
54.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，将取向薄膜以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为0.3mg/m2以下。
55.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，构成取向聚酯薄膜的脱模面侧层的聚酯树脂中的酯环状三聚体的含量为0.7质量%以下。
56.根据权利要求39所述的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，所述取向薄膜为取向聚酯薄膜，在取向聚酯薄膜的脱模面设有防止酯环状三聚体的析出的涂层，将取向薄膜以150℃加热90分钟后的取向聚酯薄膜的脱模面的表面的酯环状三聚体的析出量为0.3mg/m2以下。
57.一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查权利要求20或21所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光，在液晶化合物取向层面侧进行光接收。
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