CN112599563A

CN112599563A - 显示装置

Info

Publication number: CN112599563A
Application number: CN202010997306.4A
Authority: CN
Inventors: 李成九; 金彬
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2019-10-01
Filing date: 2020-09-21
Publication date: 2021-04-02
Also published as: KR20210039160A; US20210098551A1; US11462604B2

Abstract

提供了一种显示装置。显示装置包括沿第一方向依次设置的第一像素的第一子像素的第一电极、第一像素的第二子像素的第一电极、第二像素的第一子像素的第一电极和第二像素的第二子像素的第一电极。该显示装置还包括：1‑1焊接电极，其连接至第一像素的第一子像素的第一电极；1‑2焊接电极，其连接至第一像素的第二子像素的第一电极；2‑1焊接电极，其连接至第二像素的第一子像素的第一电极；以及2‑2焊接电极，其连接至第二像素的第二子像素的第一电极。该显示装置还包括：第一竖直修复线，其与1‑1焊接电极和2‑1焊接电极部分地交叠；以及第二竖直修复线，其与1‑2焊接电极和2‑2焊接电极部分地交叠。第一竖直修复线和第二竖直修复线由透明导电材料形成。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月1日提交韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2019-0121638号的优先权，其公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开内容涉及一种可修复的透明显示装置。

背景技术

正在开发能够减轻被认为是阴极射线管的缺点的重量和体积的各种显示装置。这样的显示装置可以被实现为液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示装置(OLED)等。

在这些平板显示装置中，有机发光显示装置是激发有机化合物发光的自发光显示装置。不需要在LCD中使用的背光的有机发光显示装置的优点在于，可以将其制造得又轻又薄并且可以简化工艺。此外，有机发光显示装置可以在低温下制造，具有1ms或更小的高速响应速度，并且呈现出诸如低功耗、宽视角和高对比度的特性，从而有机光发光显示装置被广泛使用。

有机发光显示装置包括将电能转换成光能的有机发光二极管。有机发光二极管包括阳极、阴极以及设置在它们之间的有机发光层。从阳极和阴极注入的空穴和电子在发光层中耦合以形成激子，并且所形成的激子从激发态下降至基态以发光，从而有机发光二极管显示装置显示图像。

最近，正在积极研究透明显示装置。透明显示装置是指如下显示装置，其允许用户不仅识别在显示面板的前表面上实现的视觉信息，而且还识别位于显示面板的后表面处的物体。为此，透明显示装置包括发光区域和透射区域，在发光区域中设置有驱动元件以实现输入图像，在透射区域中外部光被透射。

在透明显示装置中，需要充分确保透射区域所占据的面积，以允许用户更清楚和可见地识别位于显示面板的后表面处的背景信息。还需要充分确保由发光区域占据的面积以确保所需的开口率。因此，为了令人满意地执行透明显示装置的功能，需要在有限的空间中适当地分配发光区域和透射区域。

同时，显示装置包括用于修复缺陷子像素的修复结构，从而提高产量。在这种情况下，需要单独分配用于形成修复结构的修复区域。然而，如上所述，在透明显示装置中，难以分配除了发光区域和透射区域以外的单独的区域，从而难以在有限的空间中简单地引入修复结构。

发明内容

本公开内容的目的是提供一种透明显示装置，该透明显示装置包括用于修复缺陷子像素的修复结构。

根据本公开内容的一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括沿第一方向依次设置的第一像素的第一子像素的第一电极、第一像素的第二子像素的第一电极、第二像素的第一子像素的第一电极和第二像素的第二子像素的第一电极。该显示装置还包括：1-1焊接电极，其连接至第一像素的第一子像素的第一电极；1-2焊接电极，其连接至第一像素的第二子像素的第一电极；2-1焊接电极，其连接至第二像素的第一子像素的第一电极；以及2-2焊接电极，其连接至第二像素的第二子像素的第一电极。该显示装置还包括：第一竖直修复线，其与1-1焊接电极和2-1焊接电极部分地交叠；以及第二竖直修复线，其与1-2焊接电极和2-2焊接电极部分地交叠。第一竖直修复线和第二竖直修复线由透明导电材料形成。

根据本公开内容的另一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括相对于在第一方向上延伸的假想轴线彼此对称并且设置为在与第一方向相交的第二方向上彼此相邻的第一像素和第五像素。该显示装置还包括用于在第一像素与第五像素之间进行修复的焊接电极和修复线。第一像素包括第一像素的第一子像素的第一电极和第一像素的第二子像素的第一电极，第一像素的第二子像素的第一电极被设置为在第一方向上与第一像素的第一子像素的第一电极相邻。第五像素包括：设置为沿第二方向与第一像素的第一子像素的第一电极相邻的第五像素的第一子像素的第一电极；和设置为在第一方向上与第五像素的第一子像素的第一电极相邻，并且在第二方向上与第一像素的第二子像素的第一电极相邻的第五像素的第二子像素的第一电极。焊接电极包括连接至第一像素的第一子像素的第一电极的1-1焊接电极、连接至第一像素的第二子像素的第一电极的1-2焊接电极、连接至第五像素的第一子像素的第一电极的5-1焊接电极、并且连接至第五像素的第二子像素的第一电极的5-2焊接电极。修复线包括与1-1焊接电极和5-1焊接电极部分地交叠的第一水平修复线以及与1-2焊接电极和5-2焊接电极部分地交叠的第二水平修复线。第一水平修复线和第二水平修复线的至少一部分由透明导电材料形成。

根据本公开内容，显示装置包括用于修复缺陷子像素的修复结构，从而可以提高产品产量。

此外，根据本公开内容，用于修复的修复线由透明导电材料形成，从而可以将对应区域分配给透射区域。因此，在配备修复结构的同时可以确保足够的开口率和透射率，从而可以提供具有良好质量的透明显示装置。

因此，根据本公开内容，可以选择性地修复设置在不同方向上的多个像素，从而可以有效地提高改善缺陷子像素的比例。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：

图1是有机发光显示装置的示意性框图；

图2是子像素的示意性电路图；

图3是子像素的详细电路图；

图4是示意性地示出本公开内容的第一实施方式的图1的部分A的平面图；

图5是沿图4的线I-I’截取的截面图；

图6A和图6B是示出沿着图4的线II-II’和III-III’截取的第一修复线和对应的焊接电极的连接关系的截面图；

图7A和图7B是示出沿着图4的线IV-IV’和V-V’截取的第二修复线和对应的焊接电极的连接关系的截面图；

图8是用于说明根据本公开内容的第一实施方式的修复处理的子像素及其结构的示意性电路图；

图9是示意性地示出本公开内容的第二实施方式的图1的部分A的平面图；

图10A和图10B是示出沿图9的线VI-VI’和VII-VII’截取的第一辅助修复线和对应的辅助焊接电极的连接关系的截面图；

图11是示意性地示出本公开内容的第三实施方式的图1的部分A的平面图；

图12是示意性地示出本公开内容的第四实施方式的图1的部分A的平面图；以及

图13是示意性地示出本公开内容的第五实施方式的图1的部分A的平面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述本公开内容的示例性实施方式。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当确定相关的已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开内容的要点模糊时，则不提供该详细描述。在示例性实施方式的描述中，将在开始时代表性地描述相同的部件，并且在其他示例性实施方式中将不再描述。

包括普通数字的术语，例如第一和第二，用于描述各种构成要素，但是构成要素不受这些术语的限制。以上术语仅用于使一个部件区别于另一部件。

根据本公开内容的显示装置是其中显示元件形成在基板上方的显示装置。该显示装置可以被实现为有机发光显示装置、液晶显示装置、电泳显示装置等，并且在下文中，为了便于描述，将有机发光显示装置作为示例进行描述。

图1是有机发光显示装置的示意性框图。图2是子像素的示意性电路图。图3是子像素的详细电路图。

如图1所示，有机发光显示装置包括图像处理器110、定时控制器120、数据驱动器130、扫描驱动器140和显示面板150。

图像处理器110输出数据使能信号DE以及从外部提供的数据信号DATA。除了数据使能信号DE之外，图像处理器110还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个，并且为了方便起见，将省略这些信号的描述。

从图像处理器110向定时控制器120提供数据信号DATA以及包括数据使能信号DE或垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号的驱动信号。定时控制器120基于该驱动信号输出用于控制扫描驱动器140的操作定时的栅极定时控制信号GDC和用于控制数据驱动器130的操作定时的数据定时控制信号DDC。

数据驱动器130响应于从定时控制器120提供的数据定时控制信号DDC，对从定时控制器120提供的数据信号DATA进行采样和锁存，以将数据信号转换为伽马参考电压并输出经转换的伽马参考电压。数据驱动器130通过数据线DL1至DLn输出数据信号DATA。数据驱动器130可以形成为集成电路(IC)。

扫描驱动器140响应于从定时控制器120提供的栅极定时控制信号GDC而输出扫描信号。扫描驱动器140通过栅极线GL1至GLm输出扫描信号。扫描驱动器140可以形成为集成电路(IC)或以板内栅极方式形成在显示面板150中。

显示面板150响应于从数据驱动器130和扫描驱动器140提供的数据信号DATA和扫描信号来显示图像。显示面板150包括用于显示图像的子像素SP。

如图2所示，在一个子像素中，包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和有机发光二极管OLED。

开关晶体管SW执行开关操作，使得响应于通过第一栅极线GL1提供的扫描信号，将通过数据线DL提供的数据信号作为数据电压存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR根据存储在电容器Cst中的数据电压进行操作，以使驱动电流在电源线EVDD(高电位电压)与阴极电源线EVSS(低电位电压)之间流动。有机发光二极管OLED根据由驱动晶体管DR形成的驱动电流进行操作以发光。

补偿电路CC是添加在子像素中以补偿驱动晶体管DR的阈值电压的电路。补偿电路CC由一个或更多个晶体管构成。补偿电路CC根据外部补偿方法具有各种配置，因此将在下面描述其示例。

如图3所示，补偿电路CC包括感测晶体管ST和感测线VREF(或参考线)。感测晶体管ST连接在驱动晶体管DR的源电极与有机发光二极管OLED的阳极电极(在下文中，称为感测节点)之间。感测晶体管ST可以操作以将通过感测线VREF发送的初始化电压(或感测电压)提供至驱动晶体管DR的感测节点，或者感测驱动晶体管DR的感测节点或感测线VREF的电压或电流。

开关晶体管SW的漏电极连接至第一数据线DL1，并且其源电极连接至驱动晶体管DR的栅电极。驱动晶体管DR的漏电极连接至电源线EVDD，并且其源电极连接至有机发光二极管OLED的阳极电极。电容器Cst的第一电容器电极连接至驱动晶体管DR的栅电极，并且第二电容器电极连接至有机发光二极管OLED的阳极电极。有机发光二极管OLED的阳极电极连接至驱动晶体管DR的源电极，并且其阴极电极连接至第二电源线EVSS。感测晶体管ST的漏电极连接至感测线VREF，并且其源电极连接至作为感测节点的有机发光二极管OLED的阳极电极和驱动晶体管DR的源电极。上面已经描述了晶体管被实现为n型晶体管，但是不限于此。

根据外部补偿算法(或补偿电路的配置)，感测晶体管ST的操作时间可以与开关晶体管SW相似/相同，或者可以与开关晶体管SW不同。例如，开关晶体管SW的栅电极连接至第一栅极线GL1，并且感测晶体管ST的栅电极可以连接至第二栅极线GL2。在这种情况下，扫描信号Scan被发送至第一栅极线GL1，并且感测信号Sense被发送至第二栅极线GL2。作为另一示例，连接至开关晶体管SW的栅电极的第一栅极线GL1和连接至感测晶体管ST的栅电极的第二栅极线GL2可以被连接以共享。

感测线VREF可以连接至数据驱动器。在这种情况下，数据驱动器可以在图像的非显示时段或N帧时段(N为1或更大的整数)期间实时地感测子像素的感测节点并生成感测结果。同时，开关晶体管SW和感测晶体管ST可以在相同的定时导通。在这种情况下，可以基于数据驱动器的时分方法将通过感测线VREF的感测操作和输出数据信号的数据输出操作彼此分开(区分)。

另外，根据感测结果要补偿的对象可以是数字型数据信号、模拟型数据信号或伽马信号。此外，基于感测结果生成补偿信号(或补偿电压)的补偿电路可以在数据驱动器内部或定时控制器内部实现或通过单独的电路实现。

在图3中，已经描述了具有3T(晶体管)1C(电容器)结构的子像素，其包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、有机发光二极管OLED和感测晶体管ST。然而，当添加补偿电路CC时，子像素可以由3T2C、4T2C、5T1C和6T2C构成。在下文中，为了便于描述，将描述子像素具有3T1C结构的示例。

<第一实施方式>

图4是示意性地示出本公开内容的第一实施方式的图1的部分A的平面图。图5是沿图4的线I-I’截取的截面图。

参照图4，根据本公开内容的第一实施方式的显示装置包括具有发光区域EA、修复区域RA和透射区域TA的显示区域(或有源区域)。

发光区域EA可以是其中实际发射实现输入图像的光的区域。发光区域EA包括具有晶体管和有机发光二极管(或发光二极管)的子像素PXL。透射区域TA可以是其中透射外部光以允许用户识别位于显示装置的后表面处的物体的区域。

修复区域RA可以是其中当子像素PXL中出现缺陷时执行修复处理的区域。修复区域RA包括具有焊接电极WE和修复线RL的修复结构。可以将大部分修复区域RA分配给透射区域TA，这将在下面描述。

发光区域EA包括像素。像素可以沿着彼此相交的第一方向(例如，Y轴方向)和第二方向(例如，X轴方向)设置。像素包括子像素PXL。子像素PXL可以沿着彼此相交的第一方向和第二方向设置。像素包括红色R子像素PXL、绿色G子像素PXL、蓝色B子像素PXL、白色W子像素PXL，但不限于此。在下文中，为了便于描述，将以像素包括红色R子像素PXL、绿色G子像素PXL、蓝色B子像素PXL、白色W子像素PXL的配置为例进行描述。

更具体地，发光区域EA包括在第一方向上彼此相邻的第一像素和第二像素。第一像素包括1-1子像素PXL1-1、1-2子像素PXL1-2、1-3子像素PXL1-3和1-4子像素PXL1-4。这里，1-1子像素PXL1-1是第一像素的第一子像素的具体示例。1-2子像素PXL1-2是第一像素的第二子像素的具体示例。1-3子像素PXL1-3是第一像素的第三子像素的具体示例。1-4子像素PXL1-4是第一像素的第四子像素的具体示例。第二像素包括2-1子像素PXL2-1、2-2子像素PXL2-2、2-3子像素PXL2-3和2-4子像素PXL2-4。这里，2-1子像素PXL2-1是第二像素的第一子像素的具体示例。2-2子像素PXL2-2是第二像素的第二子像素的具体示例。2-3子像素PXL2-3是第二像素的第三子像素的具体示例。2-4子像素PXL2-4是第二像素的第四子像素的具体示例。1-1子像素PXL1-1和2-1子像素PXL2-1发射具有相同第一颜色的光。1-2子像素PXL1-2和2-2子像素PXL2-2发射具有相同第二颜色的光。1-3子像素PXL1-3和2-3子像素PXL2-3发射具有相同第三颜色的光。1-4子像素PXL1-4和2-4子像素PXL2-4发射具有相同第四颜色的光。可以将第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分配为红色R、绿色G、蓝色B和白色W中的任何一个。

如图所示，设置在一个像素中的子像素PXL可以设置为四方型。

1-1子像素PXL1-1、1-2子像素PXL1-2、2-1子像素PXL2-1和2-2子像素PXL2-2可以沿着第一方向依次设置。1-3子像素PXL1-3、1-4子像素PXL1-4、2-3子像素PXL2-3和2-4子像素PXL2-4可以沿着第一方向依次设置。

1-1子像素PXL1-1和1-3子像素PXL1-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。1-2子像素PXL1-2和1-4子像素PXL1-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。2-1子像素PXL2-1和2-3子像素PXL2-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。2-2子像素PXL2-2和2-4子像素PXL2-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。

发射相同颜色的子像素PXL沿第一方向设置。即，1-1子像素PXL1-1和2-1子像素PXL2-1沿着第一方向设置，1-2子像素PXL1-2和2-2子像素PXL2-2沿着第一方向设置，1-3子像素PXL1-3和2-3子像素PXL2-3沿着第一方向设置，并且1-4子像素PXL1-4和2-4子像素PXL2-沿第一方向设置。

在这种情况下，发射不同颜色的光的两个子像素PXL沿第一方向交替依次设置。即，发射具有第一颜色的光的1-1子像素PXL1-1、发射具有第二颜色的光的1-2子像素PXL1-2、发射具有第一颜色的光的2-1子像素PXL2-1、以及发射具有第二颜色的光的2-2子像素PXL2-2沿着第一方向依次设置。此外，发射具有第三颜色的光的1-3子像素PXL1-3、发射具有第四颜色的光的1-4子像素PXL1-4、发射具有第三颜色的光的2-3子像素PXL2-3、以及发射具有第四颜色的光的2-4子像素PXL2-4沿着第一方向依次设置。

子像素PXL中的每个包括设置在基板上方的晶体管和电连接至该晶体管的有机发光二极管。

例如，进一步参照图5，遮光层LS设置在基板SUB上方。遮光层LS阻挡外部光入射以抑制晶体管中光电流的产生。缓冲层BUF位于遮光层LS上方。缓冲层BUF用于保护在随后的工艺中形成的薄膜晶体管不受从遮光层LS泄漏的诸如碱离子的杂质的影响。缓冲层BUF可以是硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx或它们的多层。

驱动晶体管DR的半导体层A位于缓冲层BUF上方，并且电容器下电极LCst被设置为与半导体层A分开。半导体层A和电容器下电极LCst可以由硅半导体或氧化物半导体形成。硅半导体可以包括非晶硅或结晶的多晶硅。氧化物半导体可以包括基于IZO(InZnO)、基于IGO(InGaO)、基于ITO(InSnO)、基于IGZO(InGaZnO)、基于IGZTO(InGaZnSnO)、基于GZTO(GaZnSnO)、基于GZO(GaZnO)和基于ITZO(InSnZnO)的氧化物半导体材料，但不限于此。半导体层A包括包含p型或n型杂质的漏极区域和源极区域以及在漏极区域与源极区域之间形成的沟道。电容器下电极LCst掺杂有杂质以导电。

栅极绝缘层GI位于半导体层A上方。栅极绝缘层GI可以是硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx或它们的多层。栅电极G位于栅绝缘层GI的与半导体层A的预定区域相对应的位置(即当注入杂质时的沟道)上方。栅电极G由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、和铜(Cu)或它们的合金构成的组中的任何一种形成。此外，栅电极G可以是由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们的合金构成的组中的任何一种形成的多层。例如，栅电极G可以是钼/铝-钕或钼/铝的双层。

使栅电极G绝缘的层间绝缘层ILD位于栅电极G和电容器下电极LCst上方。层间绝缘层ILD可以是硅氧化物SiOx膜、硅氮化物SiNx膜或它们的多层。源电极S和漏电极D设置在层间绝缘层ILD上方。源电极S和漏电极D通过使半导体层A的源极区和漏极区露出的接触孔连接至半导体层A。源电极S和漏电极D可以由单层或多层形成。当源电极S和漏电极D为单层时，源电极S和漏电极D可以由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们的合金构成的组中的任何一种形成。此外，当源电极S和漏电极D为多层时，源电极S和漏电极D可以由钼/铝-钕的双层或钛/铝/钛、钼/铝/钼、或钼/铝-钕/钼的三层形成。因此，可以构成包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D的驱动晶体管DR。此外，源电极S可以用作电容器上电极以与电容器下电极LCst一起构成电容器Cst。

钝化层PAS位于包括驱动晶体管DR和电容器Cst的基板SUB上。钝化层PAS是保护其下方的元件的绝缘层，并且可以是硅氧化物SiOx层、硅氮化物SiNx层或它们的多层。外覆层OC位于钝化层PAS上方。外覆层OC可以是减轻其下面的结构的台阶的平坦化层，并且可以由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂或丙烯酸酯的有机材料形成。外覆层OC可以通过诸如玻璃上旋涂(SOG)的方法形成，该方法以液体形式涂覆有机材料然后使有机材料固化。在外覆层OC的部分区域中，定位有使钝化层PAS露出以使源电极S露出的像素接触孔PH。

有机发光二极管OLED包括彼此相对的第一电极E1、有机发光层OL和第二电极E2。

第一电极E1可以是阳极。第一电极E1通过穿过外覆层OC和钝化层PAS的像素接触孔PH连接至驱动晶体管DR的源电极S。根据所采用的发光方法，第一电极E1可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或锌氧化物(ZnO)的透明导电材料形成以用作透射电极，或者可以包括反射层以用作反射电极。反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或它们的合金形成，并且可以期望地由APC(银/钯/铜合金)形成。

堤层BN设置在形成有第一电极E1的基板SUB上方。堤层BN可以由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂或丙烯酸酯的有机材料形成。堤层BN包括使第一电极E1的大部分露出的开口。堤层BN设置为使第一电极E1的中心部分露出并覆盖第一电极E1的侧边缘。

有机发光层OL设置在其上形成有堤层BN的基板SUB上方。其中电子和空穴复合以发光的有机发光层OL包括发光层EML，并且还包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的任何一个或更多个。

第二电极E2设置在有机发光层OL上方。第二电极E2可以宽广地形成在基板SUB的整个表面上方。根据所采用的发光方法，第二电极E2可以用作透射电极或反射电极。当第二电极E2是透射电极时，第二电极E2可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成，并且可以由其厚度薄到足以透射光的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或它们的合金形成。

修复区域RA包括焊接电极WE和修复线RL。

焊接电极WE连接至对应的子像素PXL的第一电极E1。焊接电极WE可以是从子像素PXL的第一电极E1分支的部分。由于在修复处理期间将修复线RL与焊接电极WE焊接在一起，所以焊接电极形成为具有该处理所需的预定面积。

一个子像素可以被分配至少一个焊接电极WE。1-1焊接电极WE1-1连接至1-1子像素PXL1-1的第一电极。1-2焊接电极WE1-2连接至1-2子像素PXL1-2的第一电极。1-3焊接电极WE1-3连接至1-3子像素PXL1-3的第一电极。1-4焊接电极WE1-4连接至1-4子像素PXL1-4的第一电极。2-1焊接电极WE2-1连接至2-1子像素PXL2-1的第一电极。2-2焊接电极WE2-2连接至2-2子像素PXL2-2的第一电极。2-3焊接电极WE2-3连接至2-3子像素PXL2-3的第一电极。2-4焊接电极WE2-4连接至2-4子像素PXL2-4的第一电极。

修复线RL可以在第一方向上延伸。在第一方向上延伸的修复线RL可以被称为竖直修复线RL。修复线RL的一端和另一端被设置为与发射相同颜色的光的子像素PXL的焊接电极WE交叠。第一修复线RL1的一端与1-1焊接电极WE1-1交叠，另一端与2-1焊接电极WE2-1交叠。第二修复线RL2的一端与1-2焊接电极WE1-2交叠，另一端与2-2焊接电极WE2-2交叠。第三修复线RL3的一端与1-3焊接电极WE1-3交叠，另一端与2-3焊接电极WE2-3交叠。第四修复线RL4的一端与1-4焊接电极WE1-4交叠，另一端与2-4焊接电极WE2-4交叠。同时，第一修复线RL1可被称为第一竖直修复线。第二修复线RL2可被称为第二竖直修复线。第三修复线RL3可被称为第三竖直修复线。第四修复线RL4可被称为第四竖直修复线。

修复线RL的一端和另一端的与焊接电极WE交叠的部分可以被称为交叠单元OV，并且连接交叠单元OV的部分可以被称为连接单元LN(如图6A和图6B所示)。这里，交叠单元OV和连接单元LN可以由不同的材料形成。具体地，连接单元LN可以由透明导电材料形成，这将在下面描述。

交叠单元OV与焊接电极WE交叠以在修复处理期间与焊接电极WE焊接在一起，使得交叠单元OV形成为具有该处理所需的预定面积。焊接电极WE和交叠单元OV可以具有相同的面积，但是不限于此。

在第一实施方式中，修复线RL的一端和另一端中的任何一端连接至对应的焊接电极WE，而另一端不连接至对应的焊接电极WE。例如，如图所示，第一修复线RL1的一端与1-1焊接电极WE1-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第一修复线RL1的另一端可以连接至2-1焊接电极WE2-1。第二修复线RL2的一端与1-2焊接电极WE1-2通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第二修复线RL2的另一端可以连接至2-2焊接电极WE2-2。第三修复线RL3的一端与1-3焊接电极WE1-3通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第三修复线RL3的另一端可以连接至2-3焊接电极WE2-3。第四修复线RL4的一端与1-4焊接电极WE1-4通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第四修复线RL4的另一端可以连接至2-4焊接电极WE2-4。在下文中，为了便于描述，将仅以附图中示出的配置为例进行描述。

当在检查处理期间检测到缺陷子像素PXL时，将分开的修复线RL和对应的焊接电极WE焊接以电连接。例如，当在检查处理期间确定1-1子像素PXL1-1有缺陷时，通过切断处理来切断施加至1-1子像素PXL1-1的信号并且通过焊接处理将分开的第一修复线RL1的一端和1-1焊接电极WE1-1连接。因此，可以将1-1子像素PXL1-1的第一电极和2-1子像素PXL2-1的第一电极电连接。

修复线RL的连接单元LN由透明导电材料形成。该透明导电材料可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟镓锌氧化物(IGZO)中的任何一种，但不限于此。在本公开内容的第一实施方式中，由于修复线RL具有预定的透射率，因此修复区域RA中设置有修复线RL的区域也可以被分配给透射区域TA。因此，根据本公开内容，无论修复线RL的位置如何，都可以在确保发光区域EA的所需面积的同时充分地确保透射区域TA的面积，从而可以提供具有高质量的透明显示装置。

在下文中，将参照图6A、图6B和图7A、图7B描述修复线和焊接电极的连接关系。图6A和图6B分别是示出沿着图4的线II-II’和III-III’截取的第一修复线和对应的焊接电极的连接关系的截面图。图7A和7B分别是示出沿着图4的线IV-IV’和V-V’截取的第二修复线和对应的焊接电极的连接关系的截面图。

参照图6A和图6B以及图4，第一修复线RL1的连接单元LN可以由与晶体管的半导体层A相同的材料形成在与晶体管的半导体层A相同的层上。即，第一修复线RL1的连接单元LN可以设置在缓冲层BUF上方。

例如，第一修复线RL1的连接单元LN可以与半导体层A同时形成。第一修复线RL1的连接单元LN被形成为在使得半导体层A的源极区和漏极区导电的步骤期间一起导电以具有导电性。在这种情况下，不需要形成第一修复线RL1的连接单元LN的单独工艺，因此有利于改进制造成本和工艺产量。

尽管在图中未示出，但是第一修复线RL1的连接单元LN也可以形成在与晶体管的源电极S/漏电极D相同的层上。可替代地，第一修复线RL1的连接单元LN可以形成在与晶体管的遮光层LS相同的层上。同样在这种情况下，第一修复线RL1的连接单元LN由透明导电材料形成。

第一修复线RL1的交叠单元OV可以形成在与晶体管的源电极S/漏电极D相同的层上。尽管在图中未示出，但是第一修复线RL1的交叠单元OV也可以形成在与晶体管的遮光层LS相同的层上。第一修复线RL1的交叠单元OV和连接单元LN可以通过穿过置于它们之间的绝缘层的通孔VH连接。通孔VH可以设置为使其不与焊接区域交叠。

参照图6A，与第一修复线RL1的一端即交叠单元OV交叠的1-1焊接电极WE1-1形成在与第一电极相同的层上。即，1-1焊接电极WE1-1被设置在外覆层OC上方。1-1焊接电极WE1-1可以是从1-1子像素PXL1-1的第一电极分支的部分。第一修复线RL1的交叠单元OV和1-1焊接电极WE1-1通过置于它们之间的至少一个绝缘层彼此电隔离。

这里，可以在外覆层OC上形成使钝化层PAS的一部分露出的1-1开孔OH1-1。在这种情况下，1-1焊接电极WE1-1的至少一部分位于穿过外覆层OC的1-1开孔OH1-1中的钝化层PAS上方。形成1-1开孔OH1-1的区域与照射激光的区域交叠。根据本公开内容，具有预定厚度的外覆层OC被预先从执行焊接处理的区域去除，使得可以容易地执行焊接处理而不会由于绝缘层的厚度而导致处理失败。尽管在图中未示出，但是1-1开孔OH1-1也可以形成为穿过外覆层OC和钝化层PAS，以使层间绝缘层ILD的一部分露出。

参照图6B，与第一修复线RL1的另一端即交叠单元OV交叠的2-1焊接电极WE2-1形成在与第一电极相同的层上。即，2-1焊接电极WE2-1被设置在外覆层OC上方。2-1焊接电极WE2-1可以是从2-1子像素PXL2-1的第一电极分支的部分。

使第一修复线RL1的另一端即交叠单元OV的一部分露出的2-1开孔OH2-1可以形成在外覆层OC、钝化层PAS和层间绝缘层ILD中。2-1开孔OH2-1穿过外覆层OC、钝化层PAS和层间绝缘层ILD。2-1焊接电极WE2-1的至少一部分可以通过2-1开孔OH2-1与第一修复线RL1直接接触。

参照图7A和图7B以及图4，第二修复线RL2的连接单元LN可以由与晶体管的半导体层A相同的材料形成在与晶体管的半导体层A相同的层上。即，第二修复线RL2的连接单元LN可以设置在缓冲层BUF上方。

例如，第二修复线RL2的连接单元LN可以与半导体层A同时形成。第二修复线RL2的连接单元LN被形成为在使得半导体层A的源极区和漏极区导电的步骤期间一起导电以具有导电性。在这种情况下，不需要形成第二修复线RL2的连接单元LN的单独工艺，因此有利于改进制造成本和工艺产量。

尽管在图中未示出，但是第二修复线RL2的连接单元LN也可以形成在与晶体管的源电极S/漏电极D相同的层上。可替代地，第二修复线RL2的连接单元LN可以形成在与晶体管的遮光层LS相同的层上。同样在这种情况下，第二修复线RL2的连接单元LN由透明导电材料形成。

第二修复线RL2的交叠单元OV可以形成在与晶体管的源电极S/漏电极D相同的层上。尽管在图中未示出，但是第二修复线RL2的交叠单元OV也可以形成在与晶体管的遮光层LS相同的层上。第二修复线RL2的交叠单元OV和连接单元LN可以通过穿过置于它们之间的绝缘层的通孔VH连接。通孔VH可以设置为不与焊接区域交叠。

参照图7A，与第二修复线RL2的一端即交叠单元OV交叠的1-2焊接电极WE1-2形成在与第一电极相同的层上。即，1-2焊接电极WE1-2被设置在外覆层OC上方。1-2焊接电极WE1-2可以是从1-2子像素PXL1-2的第一电极分支的部分。第二修复线RL2的交叠单元OV和1-2焊接电极WE1-2通过置于它们之间的至少一个绝缘层彼此电隔离。

例如，可以在外覆层OC上形成使钝化层PAS的一部分露出的1-2开孔OH1-2。在这种情况下，1-2焊接电极WE1-2的至少一部分位于穿过外覆层OC的1-2开孔OH1-2中的钝化层PAS上方。形成1-2开孔OH1-2的区域与照射激光的区域交叠。根据本公开内容，具有预定厚度的外覆层OC被预先从执行焊接处理的区域去除，使得可以容易地执行焊接处理而不会由于绝缘层的厚度而导致处理失败。尽管在图中未示出，但是1-2开孔OH1-2也可以形成为穿过外覆层OC和钝化层PAS，以使层间绝缘层ILD的一部分露出。

参照图7B，与第二修复线RL2的另一端即交叠单元OV交叠的2-2焊接电极WE2-2形成在与第一电极相同的层上。即，2-2焊接电极WE2-2被设置在外覆层OC上方。2-2焊接电极WE2-2可以是从2-2子像素PXL2-2的第一电极分支的部分。

使第二修复线RL2的另一端即交叠单元OV的一部分露出的2-2开孔OH2-2可以形成在外覆层OC、钝化层PAS和层间绝缘层ILD中。2-2开孔OH2-2穿过外覆层OC、钝化层PAS和层间绝缘层ILD。2-2焊接电极WE2-2的至少一部分可以通过2-2开孔OH2-2与第二修复线RL2直接接触。

尽管在图中未示出，但是也可以如图6A和6B所示构造第三修复线RL3的连接结构，并且可以如图7A和7B所示构造第四修复线RL4的连接结构。

图8是根据本公开内容的第一实施方式的用于说明修复处理的子像素及其结构的示意性电路图。

根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示装置包括执行修复处理的修复结构。修复处理可以包括：检测子像素PXL是否缺陷检查处理；切断要施加至被确定为缺陷子像素的子像素PXL的信号的切断处理；以及焊接处理，其将彼此相邻的子像素PXL和缺陷子像素PXL连接，以向缺陷子像素PXL施加相邻子像素PXL的信号。

参照图8，1-1子像素PXL1-1和2-1子像素PXL2-1是发射具有相同颜色的光的子像素PXL。当在检处理期间将1-1子像素PXL1-1确定为缺陷子像素时，执行切断处理以切断要施加至1-1子像素PXL1-1的信号。例如，切断处理可以包括在驱动晶体管DR的源电极与有机发光二极管OLED的第一电极之间切断的处理，以及在感测晶体管ST的源电极与有机发光二极管OLED的第一电极之间的切断处理。

接下来，执行焊接处理以将1-1子像素PXL1-1的第一电极和2-1子像素PXL2-1的第一电极连接。在第一实施方式中，修复线RL电连接至1-1子像素PXL1-1的第一电极和2-1子像素PXL2-1的第一电极中的任何一个。因此，在焊接处理期间，可以仅执行将修复线RL电连接至1-1子像素PXL1-1的第一电极和2-1子像素PXL2-1的第一电极中的另一个的处理。

<第二实施方式>

图9是示意性地示出本公开内容的第二实施方式的图1的部分A的平面图。图10A和图10B是分别示出沿图9的线VI-VI’和VII-VII’截取的第一辅助修复线和对应的辅助焊接电极的连接关系的截面图。在本公开内容的第二实施方式的描述中，可以省略与第一实施方式基本相同的配置的描述。

参照图9，根据本公开内容的第二实施方式的显示装置包括具有发光区域EA、修复区域RA和透射区域TA的显示区域。

修复区域RA可以是其中当子像素PXL中发生缺陷时执行修复处理的区域。修复区域RA包括具有焊接电极WE和修复线RL的修复结构。可以将大部分修复区域RA分配给透射区域TA，这将在下面描述。

更具体地，发光区域EA包括在第一方向上彼此相邻的第一像素、第二像素、第三像素和第四像素。在第一方向上相邻的两个像素可以形成一对。即，第一像素和第二像素形成第一对，并且第三像素和第四像素形成第二对。

第一像素包括1-1子像素PXL1-1、1-2子像素PXL1-2、1-3子像素PXL1-3和1-4子像素PXL1-4。这里，1-1子像素PXL1-1是第一像素的第一子像素的具体示例。1-2子像素PXL1-2是第一像素的第二子像素的具体示例。1-3子像素PXL1-3是第一像素的第三子像素的具体示例。1-4子像素PXL1-4是第一像素的第四子像素的具体示例。第二像素包括2-1子像素PXL2-1、2-2子像素PXL2-2、2-3子像素PXL2-3和2-4子像素PXL2-4。这里，2-1子像素PXL2-1是第二像素的第一子像素的具体示例。2-2子像素PXL2-2是第二像素的第二子像素的具体示例。2-3子像素PXL2-3是第二像素的第三子像素的具体示例。2-4子像素PXL2-4是第二像素的第四子像素的具体示例。

第三像素包括3-1子像素PXL3-1、3-2子像素PXL3-2、3-3子像素PXL3-3和3-4子像素PXL3-4。这里，3-1子像素PXL3-1是第三像素的第一子像素的具体示例。3-2子像素PXL3-2是第三像素的第二子像素的具体示例。3-3子像素PXL3-3是第三像素的第三子像素的具体示例。3-4子像素PXL3-4是第三像素的第四子像素的具体示例。第四像素包括4-1子像素PXL4-1、4-2子像素PXL4-2、4-3子像素PXL4-3和4-4子像素PXL4-4。这里，4-1子像素PXL4-1是第四像素的第一子像素的具体示例。4-2子像素PXL4-2是第四像素的第二子像素的具体示例。4-3子像素PXL4-3是第四像素的第三子像素的具体示例。4-4子像素PXL4-4是第四像素的第四子像素的具体示例。

1-1子像素PXL1-1、2-1子像素PXL2-1、3-1子像素PXL3-1以及4-1子像素PXL4-1发射具有相同第一颜色的光。1-2子像素PXL1-2、2-2子像素PXL2-2、3-2子像素PXL3-2以及4-2子像素PXL4-2发射具有相同第二颜色的光。1-3子像素PXL1-3、2-3子像素PXL2-3、3-3子像素PXL3-3以及4-3子像素PXL4-3发射具有相同第三颜色的光。1-4子像素PXL1-4、2-4子像素PXL2-4、3-4子像素PXL3-4以及4-4子像素PXL4-4发射具有相同第四颜色的光。可以将第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分配为红色R、绿色G、蓝色B和白色W中的任何一个。

1-1子像素PXL1-1、1-2子像素PXL1-2、2-1子像素PXL2-1、2-2子像素PXL2-2、3-1子像素PXL3-1、3-2子像素PXL3-2、4-1子像素PXL4-1、4-2子像素PXL4-2可以沿着第一方向依次设置。1-3子像素PXL1-3、1-4子像素PXL1-4、2-3子像素PXL2-3、2-4子像素PXL2-4、3-3子像素PXL3-3、3-4子像素PXL3-4、4-3子像素PXL4-3和4-4子像素PXL4-4可以沿着第一方向依次设置。

1-1子像素PXL1-1和1-3子像素PXL1-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。1-2子像素PXL1-2和1-4子像素PXL1-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。2-1子像素PXL2-1和2-3子像素PXL2-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。2-2子像素PXL2-2和2-4子像素PXL2-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。3-1子像素PXL3-1和3-3子像素PXL3-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。3-2子像素PXL3-2和3-4子像素PXL3-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。4-1子像素PXL4-1和4-3子像素PXL4-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。4-2子像素PXL4-2和4-4子像素PXL4-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。

修复区域RA包括焊接电极WE、修复线RL、辅助焊接电极AWE和辅助修复线ARL。

一个子像素可以被分配至少一个焊接电极WE。

1-1焊接电极WE1-1连接至1-1子像素PXL1-1的第一电极。1-2焊接电极WE1-2连接至1-2子像素PXL1-2的第一电极。1-3焊接电极WE1-3连接至1-3子像素PXL1-3的第一电极。1-4焊接电极WE1-4连接至1-4子像素PXL1-4的第一电极。2-1焊接电极WE2-1连接至2-1子像素PXL2-1的第一电极。2-2焊接电极WE2-2连接至2-2子像素PXL2-2的第一电极。2-3焊接电极WE2-3连接至2-3子像素PXL2-3的第一电极。2-4焊接电极WE2-4连接至2-4子像素PXL2-4的第一电极。

3-1焊接电极WE3-1连接至3-1子像素PXL3-1的第一电极。3-2焊接电极WE3-2连接至3-2子像素PXL3-2的第一电极。3-3焊接电极WE3-3连接至3-3子像素PXL3-3的第一电极。3-4焊接电极WE3-4连接至3-4子像素PXL3-4的第一电极。4-1焊接电极WE4-1连接至4-1子像素PXL4-1的第一电极。4-2焊接电极WE4-2连接至4-2子像素PXL4-2的第一电极。4-3焊接电极WE4-3连接至4-3子像素PXL4-3的第一电极。4-4焊接电极WE4-4连接至4-4子像素PXL4-4的第一电极。

修复线RL可以用于在形成一对的像素的子像素之间修复。修复线RL可以在第一方向上延伸。在第一方向上延伸的修复线RL可以被称为竖直修复线RL。修复线RL的一端和另一端被设置为与发射相同颜色的光的子像素PXL的焊接电极WE交叠。

第一修复线RL1的一端与1-1焊接电极WE1-1交叠，另一端与2-1焊接电极WE2-1交叠。第二修复线RL2的一端与1-2焊接电极WE1-2交叠，另一端与2-2焊接电极WE2-2交叠。第三修复线RL3的一端与1-3焊接电极WE1-3交叠，另一端与2-3焊接电极WE2-3交叠。第四修复线RL4的一端与1-4焊接电极WE1-4交叠，另一端与2-4焊接电极WE2-4交叠。同时，第一修复线RL1可被称为第一竖直修复线。第二修复线RL2可被称为第二竖直修复线。第三修复线RL3可被称为第三竖直修复线。第四修复线RL4可被称为第四竖直修复线。

第五修复线RL5的一端与3-1焊接电极WE3-1交叠，另一端与4-1焊接电极WE4-1交叠。第六修复线RL6的一端与3-2焊接电极WL3-2交叠，另一端与4-2焊接电极WE4-2交叠。第七修复线RL7的一端与3-3焊接电极WE3-3交叠，另一端与4-3焊接电极WE4-3交叠。第八修复线RL8的一端与3-4焊接电极WE3-4交叠，另一端与4-4焊接电极WE4-4交叠。同时，第五修复线RL5可被称为第五竖直修复线。第六修复线RL6可被称为第六竖直修复线。第七修复线RL7可被称为第七竖直修复线。第八修复线RL8可被称为第八竖直修复线。

修复线RL的一端和另一端的与焊接电极WE交叠的部分可以被称为交叠单元OV。交叠单元OV与焊接电极WE交叠以在修复处理期间与焊接电极WE焊接在一起，使得交叠单元OV形成为具有该处理所需的预定面积。焊接电极WE和交叠单元OV可以具有相同的面积，但是不限于此。

在第二实施方式中，修复线RL的一端和另一端中的任何一端连接至对应的焊接电极WE，而另一端不连接至对应的焊接电极WE。

例如，第一修复线RL1的一端与1-1焊接电极WE1-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第一修复线RL1的另一端可以连接至2-1焊接电极WE2-1。第二修复线RL2的一端与1-2焊接电极WE1-2通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第二修复线RL2的另一端可以连接至2-2焊接电极WE2-2。第三修复线RL3的一端与1-3焊接电极WE1-3通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第三修复线RL3的另一端可以连接至2-3焊接电极WE2-3。第四修复线RL4的一端与1-4焊接电极WE1-4通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第四修复线RL4的另一端可以连接至2-4焊接电极WE2-4。

第五修复线RL5的一端与3-1焊接电极WE3-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第五修复线RL5的另一端可以连接至4-1焊接电极WE4-1。第六修复线RL6的一端与3-2焊接电极WE3-2通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第六修复线RL6的另一端可以连接至4-2焊接电极WE4-2。第七修复线RL7的一端与3-3焊接电极WE3-3通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第七修复线RL7的另一端可以连接至4-3焊接电极WE4-3。第八修复线RL8的一端与3-4焊接电极WE3-4通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第八修复线RL8的另一端可以连接至4-4焊接电极WE4-4。

当在检查处理期间检测到缺陷子像素PXL时，将分开的修复线RL和对应的焊接电极WE焊接以电连接。例如，当在检查处理期间确定1-1子像素PXL1-1为缺陷子像素时，通过切断处理来切断施加至1-1子像素PXL1-1的信号，并且通过焊接处理将分开的第一修复线RL1的一端和1-1焊接电极WE1-1连接。

如上所述，根据本公开内容的第二实施方式，可以使用修复线RL来允许形成一对的像素的子像素PXL之间的修复。

另外，根据本公开内容的第二实施方式，可以允许形成不同对的像素的子像素PXL之间的修复。为此，根据本公开内容的第二示例性实施方式的显示装置还可以包括辅助焊接电极AWE和辅助修复线ARL。即，辅助焊接电极AWE和辅助修复线ARL可以用于在形成不同对的像素的子像素之间修复。在下文中，为了便于描述，仅以构成第一对的第二像素与构成第二对的第三像素之间的修复结构为例进行描述。

辅助焊接电极AWE连接至对应的子像素PXL的第一电极。辅助焊接电极AWE可以是从子像素PXL的第一电极分支的部分。辅助焊接电极AWE可以是从连接至子像素PXL的第一电极的焊接电极WE分支的部分。由于在修复处理期间辅助焊接电极AWE与辅助修复线ARL焊接在一起，所以辅助焊接电极形成为具有该处理所需的预定面积。

一个子像素可以被分配至少一个辅助焊接电极AWE。例如，2-1辅助焊接电极AWE2-1连接至2-1子像素PXL2-1的第一电极。2-2辅助焊接电极AWE2-2连接至2-2子像素PXL2-2的第一电极。2-3辅助焊接电极AWE2-3连接至2-3子像素PXL2-3的第一电极。2-4辅助焊接电极AWE2-4连接至2-4子像素PXL2-4的第一电极。3-1辅助焊接电极AWE3-1连接至3-1子像素PXL3-1的第一电极。3-2辅助焊接电极AWE3-2连接至3-2子像素PXL3-2的第一电极。3-3辅助焊接电极AWE3-3连接至3-3子像素PXL3-3的第一电极。3-4辅助焊接电极AWE3-4连接至3-4子像素PXL3-4的第一电极。

辅助修复线ARL可以在第一方向上延伸。

第一辅助修复线ARL1的一端与2-1辅助焊接电极AWE2-1交叠，另一端与3-1辅助焊接电极AWE3-1交叠。第二辅助修复线ARL2的一端与2-2辅助焊接电极AWE2-2交叠，另一端与3-2辅助焊接电极AWE3-2交叠。第三辅助修复线ARL3的一端与2-3辅助焊接电极AWE2-3交叠，另一端与3-3辅助焊接电极AWE3-3交叠。第四辅助修复线ARL4的一端与2-4辅助焊接电极AWE2-4交叠，另一端与3-4辅助焊接电极AWE3-4交叠。

辅助修复线ARL的一端和另一端的与辅助焊接电极AWE交叠的部分可以被称为辅助交叠单元AOV。即，辅助修复线ARL的一端和另一端可以被称为辅助交叠单元AOV，并且连接辅助交叠单元AOV的部分可以被称为辅助连接单元ALN。这里，辅助交叠单元AOV和辅助连接单元ALN可以由不同的材料形成。具体地，辅助连接单元ALN可以由透明导电材料形成，这将在下面描述。例如，辅助交叠单元AOV可以由与交叠单元OV相同的材料形成在与交叠单元OV相同的层上，并且辅助连接单元ALN可以由与连接单元LN相同的材料形成在与连接单元LN相同的层上。

辅助交叠单元AOV与辅助焊接电极AWE交叠以在修复处理期间与辅助焊接电极AWE焊接在一起，从而辅助交叠单元AOV形成为具有该处理所需的预定面积。辅助焊接电极AWE和辅助交叠单元AOV可以具有相同的面积，但是不限于此。

在第二实施方式中，辅助修复线ARL的一端和另一端中的任一端连接至对应的辅助焊接电极AWE，而另一端不连接至对应的辅助焊接电极AWE。

例如，第一辅助修复线ARL1的一端与2-1辅助焊接电极AWE2-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第一辅助修复线ARL1的另一端可以连接至3-1辅助焊接电极AWE3-1。第二辅助修复线ARL2的一端与2-2辅助焊接电极AWE2-2通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第二辅助修复线ARL2的另一端可以连接至3-2辅助焊接电极AWE3-2。第三辅助修复线ARL3的一端与2-3辅助焊接电极AWE2-3通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第三辅助修复线ARL3的另一端可以连接至3-3辅助焊接电极AWE3-3。第四辅助修复线ARL4的一端与2-4辅助焊接电极AWE2-4通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第四辅助修复线ARL4的另一端可以连接至3-4辅助焊接电极AWE3-4。

进一步参照图10A，与第一辅助修复线ARL1的一端即辅助交叠单元AOV交叠的2-1辅助焊接电极AWE2-1形成在与第一电极相同的层上。即，2-1辅助焊接电极AWE2-1被设置在外覆层OC上方。2-1辅助焊接电极AWE2-1可以是从2-1子像素PXL2-1的第一电极分支的部分。第一辅助修复线ARL1的辅助交叠单元AOV和2-1辅助焊接电极AWE2-1通过置于它们之间的至少一个绝缘层彼此电隔离。

例如，可以在外覆层OC上方形成使钝化层PAS的一部分露出的1-1辅助开孔AOH1-1。在这种情况下，2-1辅助焊接电极AWE2-1的至少一部分位于穿过外覆层OC的1-1辅助开孔AOH1-1中的钝化层PAS上方。形成1-1辅助开孔AOH1-1的区域与照射激光的区域交叠。根据本公开内容，具有预定厚度的外覆层OC被预先从执行焊接处理的区域去除，使得可以容易地执行焊接处理而不会由于绝缘层的厚度而导致处理失败。尽管在图中未示出，但是1-1辅助开孔AOH1-1也可以形成为穿过外覆层OC和钝化层PAS，以使层间绝缘层ILD的一部分露出。

进一步参照图10B，与第一辅助修复线ARL1的另一端即辅助交叠单元AOV交叠的3-1辅助焊接电极AWE3-1形成在与第一电极相同的层上。即，3-1辅助焊接电极AWE3-1被设置在外覆层OC上方。3-1辅助焊接电极AWE3-1可以是从3-1子像素PXL3-1的第一电极分支的部分。

使第一辅助修复线ARL1的另一端即辅助交叠单元AOV的一部分露出的2-1辅助开孔AOH2-1可以形成在外覆层OC、钝化层PAS和层间绝缘层ILD中。2-1辅助开孔AOH2-1穿过外覆层OC、钝化层PAS和层间绝缘层ILD。3-1辅助焊接电极AWE3-1的至少一部分可以通过2-1辅助开孔AOH2-1与第一辅助修复线ARL1的辅助交叠单元AOV直接接触。

当在检查处理期间检测到缺陷子像素PXL时，将分开的辅助修复线ARL和对应的辅助焊接电极AWE焊接以电连接。例如，当在检查处理期间将2-1子像素PXL2-1确定为缺陷子像素时，通过切断处理来切断要施加至2-1子像素PXL2-1的信号，并且通过焊接处理将分开的第一辅助修复线ARL1的一端和2-1辅助焊接电极AWE2-1连接。

如上所述，根据本公开内容的第二实施方式，可以使用辅助修复线ARL来允许形成不同对的像素的子像素PXL之间的修复。

根据本公开内容的第二实施方式，不仅可以允许在形成一对的像素的子像素PXL之间进行修复，而且可以允许在形成不同对的像素的子像素PXL之间进行修复。可以选择性地执行修复处理。即，可以通过选择使用修复线RL的处理和使用辅助修复线ARL的处理中的任何一个处理来执行修复处理。

例如，当在检查处理期间将2-1子像素PXL2-1确定为缺陷子像素时，执行切断处理以切断要施加至2-1子像素PXL2-1的信号。当选择使用修复线RL的处理时，通过焊接处理将分开的第一修复线RL1的一端与1-1焊接电极WE1-1连接，以电连接2-1子像素PXL2-1的第一电极和1-1子像素PXL1-1的第一电极。相反，当选择使用辅助修复线ARL的处理时，通过焊接处理将分开的第一辅助修复线ARL1的一端与2-1辅助焊接电极AWE2-1连接，以电连接2-1子像素PXL2-1的第一电极和3-1子像素PXL3-1的第一电极。

如上所述，根据本公开内容的第二实施方式，与第一实施方式不同，允许在形成不同对的像素的子像素PXL之间进行修复。因此，即使在形成一对的像素中所有发射具有相同颜色的光的子像素PXL均是有缺陷的，仍可以提高相应的子像素PXL的质量。因此，本公开内容的第二实施方式有利于显著提高显示装置的制造产量。

在本公开内容的第二实施方式中，辅助修复线ARL的辅助连接单元ALN由透明导电材料形成。辅助修复线ARL的辅助连接单元ALN可以由与修复线RL的连接单元LN相同的材料形成在与修复线RL的连接单元LN相同的层上。透明导电材料可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟镓锌氧化物(IGZO)中的任何一种，但不限于此。在本公开内容的第二实施方式中，由于辅助修复线ARL具有预定的透射率，因此修复区域RA中设置有修复线RL和辅助修复线ARL的区域也可以被分配给透射区域TA。因此，根据本公开内容，无论修复线RL和辅助修复线ARL的位置如何，都可以在确保发光区域EA的所需面积的同时充分地确保透射区域TA的面积，从而可以提供具有高质量的透明显示装置。

<第三实施方式>

图11是示意性地示出本公开内容的第三实施方式的图1的部分A的平面图。在本公开内容的第三实施方式的描述中，可以省略与第一实施方式基本相同的配置的描述。

参照图11，根据本公开内容的第三实施方式的显示装置包括具有发光区域EA、修复区域RA和透射区域TA的显示区域。

修复区域RA可以是其中当子像素PXL中发生缺陷时执行修复处理的区域。修复区域RA包括具有焊接电极WE和修复线RL’的修复结构。可以将大部分修复区域RA分配给透射区域TA，这将在下面描述。

发光区域EA包括像素。像素可以沿着彼此相交的第一方向(例如，Y轴方向)和第二方向(例如，X轴方向)设置。像素包括子像素PXL。子像素PXL可以沿着彼此相交的第一方向和第二方向设置。像素包括红色R子像素PXL、绿色G子像素PXL、蓝色B子像素PXL、白色W子像素PXL，但不限于此。在下文中，为了便于描述，将以像素包括红色R子像素PXL、绿色G子像素PXL、蓝色B子像素PXL、白色W子像素PXL的配置为例进行描述。子像素PXL中的每个包括设置在基板上方的晶体管和电连接至该晶体管的有机发光二极管。

更具体地，发光区域EA包括在第二方向上彼此相邻的第一像素和第五像素。第一像素和第五像素可以彼此对称。即，第一像素和第五像素可以相对于在第一方向上穿过第一像素和第五像素之间的假想轴线具有线对称关系。

第一像素包括1-1子像素PXL1-1、1-2子像素PXL1-2、1-3子像素PXL1-3和1-4子像素PXL1-4。这里，1-1子像素PXL1-1是第一像素的第一子像素的具体示例。1-2子像素PXL1-2是第一像素的第二子像素的具体示例。1-3子像素PXL1-3是第一像素的第三子像素的具体示例。1-4子像素PXL1-4是第一像素的第四子像素的具体示例。第五像素包括5-1子像素PXL5-1、5-2子像素PXL5-2、5-3子像素PXL5-3和5-4子像素PXL5-4。这里，5-1子像素PXL5-1是第五像素的第一子像素的具体示例。5-2子像素PXL5-2是第五像素的第二子像素的具体示例。5-3子像素PXL5-3是第五像素的第三子像素的具体示例。5-4子像素PXL5-4是第五像素的第四子像素的具体示例。

1-1子像素PXL1-1和5-1子像素PXL5-1发射具有相同第一颜色的光。1-2子像素PXL1-2和5-2子像素PXL5-2发射具有相同第二颜色的光。1-3子像素PXL1-3和5-3子像素PXL5-3发射具有相同第三颜色的光。1-4子像素PXL1-4和5-4子像素PXL5-4发射具有相同第四颜色的光。可以将第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分配为红色R、绿色G、蓝色B和白色W中的任何一个。

1-1子像素PXL1-1和1-2子像素PXL1-2可以被设置为在第一方向上彼此相邻。5-1子像素PXL5-1和5-2子像素PXL5-2可以被设置为在第一方向上彼此相邻。1-3子像素PXL1-3和1-4子像素PXL1-4可以被设置为在第一方向上彼此相邻。5-3子像素PXL5-3和5-4子像素PXL5-4可以被设置为在第一方向上彼此相邻。

1-1子像素PXL1-1和1-3子像素PXL1-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。1-2子像素PXL1-2和1-4子像素PXL1-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。5-1子像素PXL5-1和5-3子像素PXL5-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。5-2子像素PXL5-2和5-4子像素PXL5-4可被设置为在第二方向上彼此相邻。

1-3子像素PXL1-3、1-1子像素PXL1-1、5-1子像素PXL5-1和5-3子像素PXL5-3可以沿着第二方向依次设置。这里，第一像素和第五像素具有对称关系，使得在第二方向上彼此相邻的第一像素的1-1子像素PXL1-1和第五像素的5-1子像素PXL5-1可以发射具有相同颜色的光。

1-4子像素PXL1-4、1-2子像素PXL1-2、5-2子像素PXL5-2和5-4子像素PXL5-4可以沿着第二方向依次设置。这里，第一像素和第五像素具有对称的关系，使得在第二方向上彼此相邻的第一像素的1-2子像素PXL1-2和第五像素的5-2子像素PXL5-2可以发射具有相同颜色的光。

修复区域RA包括焊接电极WE和修复线RL’。

焊接电极WE连接至对应的子像素PXL的第一电极E1。焊接电极WE可以是从子像素PXL的第一电极E1分支的部分。由于在修复处理期间将修复线RL’与焊接电极WE焊接在一起，所以焊接电极形成为具有该处理所需的预定面积。

一个子像素可以被分配至少一个焊接电极WE。

1-1焊接电极WE1-1连接至1-1子像素PXL1-1的第一电极。1-2焊接电极WE1-2连接至1-2子像素PXL1-2的第一电极。1-3焊接电极WE1-3连接至1-3子像素PXL1-3的第一电极。1-4焊接电极WE1-4连接至1-4子像素PXL1-4的第一电极。

5-1焊接电极WE5-1连接至5-1子像素PXL5-1的第一电极。5-2焊接电极WE5-2连接至5-2子像素PXL5-2的第一电极。5-3焊接电极WE5-3连接至5-3子像素PXL5-3的第一电极。5-4焊接电极WE5-4连接至5-4子像素PXL5-4的第一电极。

修复线RL’可以在第二方向上延伸。在第二方向上延伸的修复线RL’可以被称为水平修复线RL’。修复线RL’的一端和另一端被设置为与发射相同颜色的光的子像素PXL的焊接电极WE交叠。第一’修复线RL1’的一端与1-1焊接电极WE1-1交叠，另一端与5-1焊接电极WE5-1交叠。第二’修复线RL2’的一端与1-2焊接电极WE1-2交叠，另一端与5-2焊接电极WE5-2交叠。同时，第一’修复线RL1’可被称为第一水平修复线。第二’修复线RL2’可被称为第二水平修复线。

修复线RL’的一端和另一端的与焊接电极WE交叠的部分可以被称为交叠单元OV。交叠单元OV与焊接电极WE交叠以在修复处理期间与焊接电极WE焊接在一起，使得交叠单元OV形成为具有该处理所需的预定面积。焊接电极WE和交叠单元OV可以具有相同的面积，但是不限于此。

在第三实施方式中，修复线RL’的一端和另一端中的任何一端连接至对应的焊接电极WE，而另一端不连接至对应的焊接电极WE。例如，第一’修复线RL1’的一端与1-1焊接电极WE1-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第一’修复线RL1’的另一端可以连接至5-1焊接电极WE5-1。第二’修复线RL2’的一端与1-2焊接电极WE1-2通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第二’修复线RL2’的另一端可以连接至5-2焊接电极WE5-2。在下文中，为了便于描述，将仅以附图中示出的配置为例进行描述。

当在检查处理期间检测到缺陷子像素PXL时，将分开的修复线RL’和对应的焊接电极WE焊接以电连接。例如，当在检查处理期间确定1-1子像素PXL1-1有缺陷时，通过切断处理来切断施加至1-1子像素PXL1-1的信号并且通过焊接处理将分开的第一’修复线RL1’的一端和1-1焊接电极WE1-1连接。因此，可以将1-1子像素PXL1-1的第一电极和5-1子像素PXL5-1的第一电极电连接。

修复线RL’的连接单元LN由透明导电材料形成。透明导电材料可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟镓锌氧化物(IGZO)中的任何一种，但不限于此。在本公开内容的第三实施方式中，由于修复线RL’具有预定的透射率，因此修复区域RA中设置有修复线RL’的区域也可以被分配给透射区域TA。因此，根据本公开内容，无论修复线RL’的位置如何，都可以在确保发光区域EA的所需面积的同时充分地确保透射区域TA的面积，从而可以提供具有高质量的透明显示装置。

<第四实施方式>

图12是示意性地示出本公开内容的第四实施方式的图1的部分A的平面图。本公开内容的第四实施方式可以是其中第一实施方式的结构和第三实施方式的结构组合的结构。在本公开内容的第四实施方式的描述中，可以省略与第一实施方式和第三实施方式基本相同的配置的描述。

参照图12，根据本公开内容的第四实施方式的显示装置包括具有发光区域EA、修复区域RA和透射区域TA的显示区域。

修复区域RA可以是其中当子像素PXL中发生缺陷时执行修复处理的区域。修复区域RA包括具有焊接电极WE和修复线RL和RL’的修复结构。可以将大部分修复区域RA分配给透射区域TA，这将在下面描述。例如，在修复区域RA中，可以至少将设置有修复线RL和RL’的区域分配给透射区域TA。因此，透射区域TA可以是其中没有设置发光区域EA的元件以及修复区域RA的焊接电极WE的整个区域。

发光区域EA包括像素。像素可以沿着彼此相交的第一方向(例如，Y轴方向)和第二方向(例如，X轴方向)设置。像素包括子像素PXL。子像素PXL可以沿着彼此相交的第一方向和第二方向设置。像素可以包括红色R子像素PXL、绿色G子像素PXL、蓝色B子像素PXL、白色W子像素PXL，但不限于此。在下文中，为了便于描述，将以像素包括红色R子像素PXL、绿色G子像素PXL、蓝色B子像素PXL、白色W子像素PXL的配置为例进行描述。子像素PXL中的每个包括设置在基板上方的晶体管和电连接至该晶体管的有机发光二极管。

更具体地，发光区域EA包括第一像素、第二像素、第五像素和第六像素。第一像素和第二像素被设置为在第一方向上彼此相邻。第五像素和第六像素被设置为在第一方向上彼此相邻。第一像素和第五像素被设置为在第二方向上彼此相邻。第二像素和第六像素被设置为在第二方向上彼此相邻。

第一像素和第五像素可以彼此对称。即，第一像素和第五像素可以相对于在第一方向上穿过第一像素与第五像素之间的假想轴线具有线对称关系。第二像素和第六像素可以彼此对称。即，第二像素和第六像素可以相对于在第一方向上穿过第二像素与第六像素之间的假想轴线具有线对称关系。

第一像素包括1-1子像素PXL1-1、1-2子像素PXL1-2、1-3子像素PXL1-3和1-4子像素PXL1-4。这里，1-1子像素PXL1-1是第一像素的第一子像素的具体示例。1-2子像素PXL1-2是第一像素的第二子像素的具体示例。1-3子像素PXL1-3是第一像素的第三子像素的具体示例。1-4子像素PXL1-4是第一像素的第四子像素的具体示例。第二像素包括2-1子像素PXL2-1、2-2子像素PXL2-2、2-3子像素PXL2-3和2-4子像素PXL2-4。这里，2-1子像素PXL2-1是第二像素的第一子像素的具体示例。2-2子像素PXL2-2是第二像素的第二子像素的具体示例。2-3子像素PXL2-3是第二像素的第三子像素的具体示例。2-4子像素PXL2-4是第二像素的第四子像素的具体示例。第五像素包括5-1子像素PXL5-1、5-2子像素PXL5-2、5-3子像素PXL5-3和5-4子像素PXL5-4。这里，5-1子像素PXL5-1是第五像素的第一子像素的具体示例。5-2子像素PXL5-2是第五像素的第二子像素的具体示例。5-3子像素PXL5-3是第五像素的第三子像素的具体示例。5-4子像素PXL5-4是第五像素的第四子像素的具体示例。第六像素包括6-1子像素PXL6-1、6-2子像素PXL6-2、6-3子像素PXL6-3和6-4子像素PXL6-4。这里，6-1子像素PXL6-1是第六像素的第一子像素的具体示例。6-2子像素PXL6-2是第六像素的第二子像素的具体示例。6-3子像素PXL6-3是第六像素的第三子像素的具体示例。6-4子像素PXL6-4是第六像素的第四子像素的具体示例。

1-1子像素PXL1-1、2-1子像素PXL2-1、5-1子像素PXL5-1和6-1子像素PXL6-1发射具有相同的第一颜色的光。1-2子像素PXL1-2、2-2子像素PXL2-2、5-2子像素PXL5-2和6-2子像素PXL6-2发射具有相同的第二颜色的光。1-3子像素PXL1-3、2-3子像素PXL2-3、5-3子像素PXL5-3和6-3子像素PXL6-3发射具有相同的第三颜色的光。1-4子像素PXL1-4、2-4子像素PXL2-4、5-4子像素PXL5-4和6-4子像素PXL6-4发射具有相同的第四颜色的光。可以将第一颜色、第二颜色、第三颜色和第四颜色分配为红色R、绿色G、蓝色B和白色W中的任何一个。

1-1子像素PXL1-1、1-2子像素PXL1-2、2-1子像素PXL2-1和2-2子像素PXL2-2可以沿着第一方向依次设置。1-3子像素PXL1-3、1-4子像素PXL1-4、2-3子像素PXL2-3和2-4子像素PXL2-4可以沿着第一方向依次设置。5-1子像素PXL5-1、5-2子像素PXL5-2、6-1子像素PXL6-1和6-2子像素PXL6-2可以沿第一方向依次设置。5-3子像素PXL5-3、5-4子像素PXL5-4、6-3子像素PXL6-3和6-4子像素PXL6-4可以沿第一方向依次设置。

1-1子像素PXL1-1和1-3子像素PXL1-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。1-2子像素PXL1-2和1-4子像素PXL1-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。5-1子像素PXL5-1和5-3子像素PXL5-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。5-2子像素PXL5-2和5-4子像素PXL5-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。

2-1子像素PXL2-1和2-3子像素PXL2-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。2-2子像素PXL2-2和2-4子像素PXL2-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。6-1子像素PXL6-1和6-3子像素PXL6-3可以被设置为在第二方向上彼此相邻。6-2子像素PXL6-2和6-4子像素PXL6-4可以被设置为在第二方向上彼此相邻。

2-3子像素PXL2-3、2-1子像素PXL2-1、6-1子像素PXL6-1和6-3子像素PXL6-3可以沿着第二方向依次设置。这里，第二像素和第六像素具有对称关系，使得在第二方向上彼此相邻的第二像素的2-1子像素PXL2-1和第六像素的6-1子像素PXL6-1可以发射具有相同颜色的光。

2-4子像素PXL2-4、2-2子像素PXL2-2、6-2子像素PXL6-2和6-4子像素PXL6-4可以沿着第二方向依次设置。这里，第二像素和第六像素具有对称关系，使得在第二方向上彼此相邻的第二像素的2-2子像素PXL2-2和第六像素的6-2子像素PXL6-2可以发射具有相同颜色的光。

修复区域RA包括焊接电极WE以及修复线RL和RL’。

焊接电极WE连接至对应的子像素PXL的第一电极E1。焊接电极WE可以是从子像素PXL的第一电极E1分支的部分。由于在修复处理期间将修复线RL和RL’与焊接电极WE焊接在一起，所以焊接电极形成为具有该处理所需的预定面积。

一个子像素可以被分配至少一个焊接电极WE。

2-1焊接电极WE2-1连接至2-1子像素PXL2-1的第一电极。2-2焊接电极WE2-2连接至2-2子像素PXL2-2的第一电极。2-3焊接电极WE2-3连接至2-3子像素PXL2-3的第一电极。2-4焊接电极WE2-4连接至2-4子像素PXL2-4的第一电极。

6-1焊接电极WE6-1连接至6-1子像素PXL6-1的第一电极。6-2焊接电极WE6-2连接至6-2子像素PXL6-2的第一电极。6-3焊接电极WE6-3连接至6-3子像素PXL6-3的第一电极。6-4焊接电极WE6-4连接至6-4子像素PXL6-4的第一电极。

修复线RL和RL’可以在第一方向和第二方向上延伸。修复线RL和RL’的一端和另一端被设置为与发射相同颜色的光的子像素PXL的焊接电极WE交叠。在第一方向上延伸的修复线RL可以被称为竖直修复线RL。在第二方向上延伸的修复线RL’可以被称为水平修复线RL’。

第九修复线RL9的一端与5-1焊接电极WE5-1交叠，另一端与6-1焊接电极WE6-1交叠。第十修复线RL10的一端与5-2焊接电极WE5-2交叠，另一端与6-2焊接电极WE6-2交叠。第十一修补线RL11的一端与5-3焊接电极WE5-3交叠，另一端与6-3焊接电极WE6-3交叠。第十二修复线RL12的一端与5-4焊接电极WE5-4交叠，另一端与6-4焊接电极WE6-4交叠。同时，第九修复线RL9可被称为第九竖直修复线。第十修复线RL10可被称为第十竖直修复线。第十一修复线RL11可被称为第十一竖直修复线。第十二修复线RL12可被称为第十二竖直修复线。

第一’修复线RL1’的一端与1-1焊接电极WE1-1交叠，另一端与5-1焊接电极WE5-1交叠。第二’修复线RL2’的一端与1-2焊接电极WE1-2交叠，另一端与5-2焊接电极WE5-2交叠。同时，第一’修复线RL1’可被称为第一水平修复线。第二’修复线RL2’可被称为第二水平修复线。

第三’修复线RL3’的一端与2-1焊接电极WE2-1交叠，另一端与6-1焊接电极WE6-1交叠。第四’修复线RL4’的一端与2-2焊接电极WE2-2交叠，另一端与6-2焊接电极WE6-2交叠。同时，第三’修复线RL3’可被称为第三水平修复线。第四’修复线RL2’可被称为第四水平修复线。

修复线RL和RL’的一端和另一端的与焊接电极WE交叠的部分可以被称为交叠单元OV。交叠单元OV与焊接电极WE交叠以在修复处理期间与焊接电极WE焊接在一起，使得交叠单元OV形成为具有该处理所需的预定面积。焊接电极WE和交叠单元OV可以具有相同的面积，但是不限于此。

在第四实施方式中，修复线RL和RL’的一端和另一端中的任何一端连接至对应的焊接电极WE，而另一端不连接至对应的焊接电极WE。

例如，如图所示，第一修复线RL1的一端与1-1焊接电极WE1-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第一修复线RL1的另一端可以连接至2-1焊接电极WE2-1。第二修复线RL2的一端与1-2焊接电极WE1-2通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第二修复线RL2的另一端可以连接至2-2焊接电极WE2-2。第三修复线RL3的一端与1-3焊接电极WE1-3通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第三修复线RL3的另一端可以连接至2-3焊接电极WE2-3。第四修复线RL4的一端与1-4焊接电极WE1-4通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第四修复线RL4的另一端可以连接至2-4焊接电极WE2-4。

第九修复线RL9的一端与5-1焊接电极WE5-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第九修复线RL9的另一端可以连接至6-1焊接电极WE6-1。第十修复线RL10的一端与5-2焊接电极WE5-2通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第十修复线RL10的另一端可以连接至6-2焊接电极WE6-2。第十一修复线RL11的一端与5-3焊接电极WE5-3通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第十一修复线RL11的另一端可以连接至6-3焊接电极WE6-3。第十二修复线RL12的一端与5-4焊接电极WE5-4通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第十二修复线RL12的另一端可以连接至6-4焊接电极WE6-4。

第一’修复线RL1’的一端与1-1焊接电极WE1-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第一’修复线RL1’的另一端连接至5-1焊接电极WE5-1。第二’修复线RL2’的一端与1-2焊接电极WE1-2通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第二’修复线RL2’的另一端连接至5-2焊接电极WE5-2。

第三’修复线RL3’的一端与2-1焊接电极WE2-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第三’修复线RL3’的另一端可以连接至6-1焊接电极WE6-1。第四’修复线RL4’的一端与2-2焊接电极WE2-2通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第四’修复线RL4’的另一端可以连接至6-2焊接电极WE6-2。

在一个区域中，在第一方向上延伸的竖直修复线RL和在第二方向上延伸的水平修复线RL’可以彼此连接。例如，在6-2焊接电极WE6-2所处的区域中，第十修复线RL10的另一端和第四’修复线RL4’的另一端可以彼此连接并且可以通过一个接触点连接至6-2焊接电极WE6-2。

当在检查处理期间检测到缺陷子像素PXL时，将分开的修复线RL和RL’和对应的焊接电极WE焊接以电连接。

例如，当在检查处理期间确定1-1子像素PXL1-1有缺陷时，通过切断处理来切断施加至1-1子像素PXL1-1的信号并且通过焊接处理将分开的第一修复线RL1的一端和1-1焊接电极WE1-1连接。因此，可以将1-1子像素PXL1-1的第一电极和2-1子像素PXL2-1的第一电极电连接。可替代地，通过切断处理来切断要施加至1-1子像素PXL1-1的信号，并且通过焊接处理将分开的第一’修复线RL1’的一端和1-1焊接电极WE1-1连接。因此，1-1子像素PXL1-1的第一电极和5-1子像素PXL5-1的第一电极可以电连接。

如上所述，根据本公开内容的第四实施方式，可以选择性地修复在第一方向上相邻的像素的子像素PXL。因此，本公开内容的第四实施方式有利于显著提高显示装置的制造产量。

修复线RL和RL’的连接单元LN由透明导电材料形成。透明导电材料可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟镓锌氧化物(IGZO)中的任何一种，但不限于此。在本公开内容的第四实施方式中，由于修复线RL和RL’具有预定的透射率，因此修复区域RA中设置有修复线RL或RL’的区域也可以被分配给透射区域TA。因此，根据本公开内容，无论修复线RL或RL’的位置如何，都可以在确保发光区域EA的所需面积的同时充分地确保透射区域TA的面积，从而可以提供具有高质量的透明显示装置。

<第五实施方式>

图13是示意性地示出本公开内容的第五实施方式的图1的部分A的平面图。本公开内容的第五实施方式可以是其中第二实施方式的结构和第四实施方式的结构组合的结构。在本公开内容的第五实施方式的描述中，可以省略与第二实施方式和第四实施方式基本相同的配置的描述。

参照图13，根据本公开内容的第五实施方式的显示装置包括具有发光区域EA、修复区域RA和透射区域TA的显示区域。

更具体地，发光区域EA包括第一像素、第二像素、第三像素、第四像素、第五像素和第六像素、第七像素和第四’像素。第一像素、第二像素、第三像素、第四像素可以沿第一方向依次设置。第五像素和第六像素、第七像素和第八像素可以沿第一方向依次设置。

在第一方向上相邻的两个像素可以形成一对。即，第一像素和第二像素形成第一对，并且第三像素和第四像素形成第二对。此外，第五像素和第六像素形成第一’对，并且第七像素和第八像素形成第二’对。

第一像素和第五像素设置为在第二方向上彼此相邻。第二像素和第六像素设置为在第二方向上彼此相邻。第三像素和第七像素设置为在第二方向上彼此相邻。第四像素和第八像素设置为在第二方向上彼此相邻。

第一像素和第五像素可以彼此对称。即，第一像素和第五像素可以相对于在第一方向上穿过第一像素与第五像素之间的假想轴线具有线对称关系。第二像素和第六像素可以彼此对称。即，第二像素和第六像素可以相对于在第一方向上穿过第二像素与第六像素之间的假想轴线具有线对称关系。第三像素和第七像素可以彼此对称。即，第三像素和第七像素可以相对于在第一方向上穿过第三像素与第七像素之间的假想轴线具有线对称关系。第四像素和第八像素可以彼此对称。即，第四像素和第八像素可以相对于在第一方向上穿过第四像素与第八像素之间的假想轴线具有线对称关系。

第五像素包括5-1子像素PXL5-1、5-2子像素PXL5-2、5-3子像素PXL5-3和5-4子像素PXL5-4。这里，5-1子像素PXL5-1是第五像素的第一子像素的具体示例。5-2子像素PXL5-2是第五像素的第二子像素的具体示例。5-3子像素PXL5-3是第五像素的第三子像素的具体示例。5-4子像素PXL5-4是第五像素的第四子像素的具体示例。第六像素包括6-1子像素PXL6-1、6-2子像素PXL6-2、6-3子像素PXL6-3和6-4子像素PXL6-4。这里，6-1子像素PXL6-1是第六像素的第一子像素的具体示例。6-2子像素PXL6-2是第六像素的第二子像素的具体示例。6-3子像素PXL6-3是第六像素的第三子像素的具体示例。6-4子像素PXL6-4是第六像素的第四子像素的具体示例。

如图所示，设置在一个像素中的子像素PXL可以设置为四方型。如图所示，每个像素中的子像素PXL的布置可以对应于第二实施方式和第四实施方式的组合结构。因此，将省略其详细描述。

在下文中，将仅以第一像素的1-1子像素PXL1-1、第二像素的2-1子像素PXL2-1、第三像素的3-1子像素PXL3-1、第六像素的6-1子像素PXL6-1的修复结构为例进行描述。第一像素的1-1子像素PXL1-1、第二像素的2-1子像素PXL2-1、第三像素的3-1子像素PXL3-1以及第六像素的6-1子像素PXL6-1是发射具有相同颜色的光的子像素PXL。

修复区域RA包括焊接电极WE、修复线RL和RL’、辅助焊接电极AWE以及辅助修复线ARL。

焊接电极WE连接至对应的子像素PXL的第一电极E1。焊接电极WE可以是从子像素PXL的第一电极E1分支的部分。

例如，1-1焊接电极WE1-1连接至1-1子像素PXL1-1的第一电极。2-1焊接电极WE2-1连接至2-1子像素PXL2-1的第一电极。

竖直修复线RL可以用于在沿第一方向彼此相邻的像素之中，在形成一对的像素的子像素PXL之间进行修复。为此，第一修复线RL1的一端可以设置为与1-1焊接电极WE1-1交叠，另一端与2-1焊接电极WE2-1交叠。

竖直修复线RL的一端和另一端中的任何一端连接至对应的焊接电极WE，另一端不连接至对应的焊接电极WE。例如，第一修复线RL1的一端与1-1焊接电极WE1-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第一修复线RL1的另一端连接至2-1焊接电极WE2-1。

水平修复线RL’可以用于在第二方向上彼此相邻的像素的子像素PXL之间进行修复。为此，第三’修复线RL3’的一端可以设置为与2-1焊接电极WE2-1交叠，另一端与6-1焊接电极WE6-1交叠。

水平修复线RL’的一端和另一端中的任何一端连接至对应的焊接电极WE，另一端不连接至对应的焊接电极WE。例如，第三’修复线RL3’的一端与2-1焊接电极WE2-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第三’修复线RL3’的另一端连接至6-1焊接电极WE6-1。

辅助焊接电极AWE连接至对应的子像素PXL的第一电极。辅助焊接电极AWE可以是从子像素PXL的第一电极分支的部分。辅助焊接电极AWE可以是从连接至子像素PXL的第一电极的焊接电极WE分支的部分。

一个子像素可以被分配至少一个辅助焊接电极AWE。例如，2-1辅助焊接电极AWE2-1连接至2-1子像素PXL2-1的第一电极。3-1辅助焊接电极AWE3-1连接至3-1子像素PXL3-1的第一电极。

辅助修复线ARL可以在第一方向上延伸。辅助修复线ARL可以用于在沿第一方向彼此相邻的像素之中，在形成不同对的像素的子像素PXL之间进行修复。为此，第一辅助修复线ARL1的一端与2-1辅助焊接电极AWE2-1交叠，另一端与3-1辅助焊接电极AWE3-1交叠。

辅助修复线ARL的一端和另一端中的任一端连接至对应的辅助焊接电极AWE，另一端不连接至对应的辅助焊接电极AWE。例如，第一辅助修复线ARL1的一端与2-1辅助焊接电极AWE2-1通过它们之间的至少一个绝缘层分开，并且第一辅助修复线ARL1的另一端连接至3-1辅助焊接电极AWE3-1。

可以如下选择性地执行修复处理。

例如，当在检查处理期间确定2-1子像素PXL2-1有缺陷时，通过切断处理来切断要施加至2-1子像素PXL2-1的信号，并且通过焊接处理将分开的第一修复线RL1的一端和1-1焊接电极WE1-1连接。因此，可以将1-1子像素PXL1-1的第一电极和2-1子像素PXL2-1的第一电极电连接。

可替代地，通过切断处理来切断要施加至2-1子像素PXL2-1的信号，并且通过焊接处理将分开的第三’修复线RL3’的一端与2-1焊接电极WE2-1连接。因此，可以将2-1子像素PXL2-1的第一电极和6-1子像素PXL6-1的第一电极电连接。

可替代地，通过切断处理来切断要施加至2-1子像素PXL2-1的信号，并且通过焊接处理将分开的第一辅助修复线ARL1的一端和2-1辅助焊接电极AWE2-1连接。因此，可以将2-1子像素PXL2-1的第一电极和3-1子像素PXL3-1的第一电极电连接。

如上所述，根据本公开内容的第五实施方式，可以在沿第一方向彼此相邻的像素之中形成一对的像素之间，在第一方向彼此相邻的像素之中形成不同对的像素之间，以及在第二方向上彼此相邻的像素之间选择性地执行修复。因此，本公开内容的第五实施方式有利于显著提高显示装置的制造产量。

修复线RL和RL’的连接单元LN和辅助修复线ARL的辅助连接单元ALN由透明导电材料形成。透明导电材料可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟镓锌氧化物(IGZO)中的任何一种，但不限于此。在本公开内容的第五实施方式中，由于修复线RL和RL’具有预定的透射率，因此修复区域RA中设置有修复线RL或RL’以及辅助修复线ARL的区域也可以被分配给透射区域TA。因此，根据本公开内容，无论修复线RL和RL’以及辅助修复线ARL的位置如何，都可以在确保发光区域EA的所需面积的同时充分地确保透射区域TA的面积，从而可以提供具有高质量的透明显示装置。

本公开内容的示例性实施方式还可以被描述如下：

第一竖直修复线可以与1-1焊接电极和2-1焊接电极通过第一竖直修复线与1-1焊接电极和2-1焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且第一竖直修复线通过穿过至少一个绝缘层的开孔连接至1-1焊接电极和2-1焊接电极中的任意一个。

第二竖直修复线可以与1-2焊接电极和2-2焊接电极通过第二竖直修复线与1-2焊接电极和2-2焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且第二竖直修复线通过穿过至少一个绝缘层的开孔连接至1-2焊接电极和2-2焊接电极中的任意一个。

第一竖直修复线和第二竖直修复线可以设置在同一层上。

第一像素的第一子像素和第二像素的第一子像素可以发射具有第一颜色的光，并且第二像素的第二子像素和第二像素的第二子像素可以发射具有与第一颜色不同的第二颜色的光。

显示装置还可以包括：第三像素的第一子像素的第一电极，其被设置为沿第一方向与第二像素的第二子像素的第一电极相邻；2-1辅助焊接电极，其连接至第二像素的第一子像素的第一电极；3-1辅助焊接电极，其连接至第三像素的第一子像素的第一电极；以及与2-1辅助焊接电极和3-1辅助焊接电极部分地交叠的辅助修复线。辅助修复线的至少一部分可以由透明导电材料形成。

2-1辅助焊接电极可以是从2-1焊接电极分支的部分。

辅助修复线可以与2-1辅助焊接电极和3-1辅助焊接电极通过辅助修复线与2-1辅助焊接电极和3-1辅助焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且辅助修复线通过穿过至少一个绝缘层的开孔连接至2-1辅助焊接电极和3-1辅助焊接电极中的任意一个。

第一竖直修复线、第二竖直修复线和辅助修复线可以设置在同一层上。

第一像素的第一子像素、第二像素的第一子像素、第三像素的第一子像素可以发射具有第一颜色的光，并且第一像素的第二子像素和第二像素的第二子像素可以发射具有与第一颜色不同的第二颜色的光。

显示装置还可以包括：第五像素的第一子像素的第一电极，其被设置为在与第一方向相交的第二方向上与第一像素的第一子像素的第一电极相邻；第五像素的第二子像素的第一电极，其被设置为沿第一方向与第五像素的第一子像素的第一电极相邻并且沿第二方向与第一像素的第二子像素的第一电极相邻；5-1焊接电极，其连接至第五像素的第一子像素的第一电极；5-2焊接电极，其连接至第五像素的第二子像素的第一电极；与1-1焊接电极和5-1焊接电极部分地交叠的第一水平修复线；以及与1-2焊接电极和5-2焊接电极部分地交叠的第二水平修复线。第一水平修复线和第二水平修复线的至少一部分可以由透明导电材料形成。

第一水平修复线可以与1-1焊接电极和5-1焊接电极通过第一水平修复线与1-1焊接电极和5-1焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且第一水平修复线通过穿过至少一个绝缘层的开孔连接至1-1焊接电极和5-1焊接电极中的任意一个。

第二水平修复线可以与1-2焊接电极和5-2焊接电极通过第二水平修复线与1-2焊接电极和5-2焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且第二水平修复线通过穿过至少一个绝缘层的开孔连接至1-2焊接电极和5-2焊接电极中的任意一个。

第一竖直修复线、第二竖直修复线、第一水平修复线和第二水平修复线可以设置在同一层上。

第一像素的第一子像素和第五像素的第一子像素可以发射具有第一颜色的光，并且第一像素的第二子像素和第五像素的第二子像素可以发射具有与第一颜色不同的第二颜色的光。

第一竖直修复线可以包括：交叠单元，其与1-1焊接电极和2-1焊接电极交叠；以及连接单元，其连接交叠单元并且由透明导电材料形成。交叠单元和连接单元可以通过通孔彼此连接，通孔穿过置于交叠单元与连接单元之间的绝缘层。

通孔可以不与焊接区域交叠。

辅助修复线可以包括：辅助交叠单元，其与2-1辅助焊接电极和3-1辅助焊接电极交叠；以及辅助连接单元，其连接辅助交叠单元并且由透明导电材料形成。辅助交叠单元和辅助连接单元可以通过通孔彼此连接，通孔穿过置于辅助交叠单元与辅助连接单元之间的绝缘层。

显示装置还可以包括：第二像素，其沿着第一方向与第一像素相邻。第二像素可以包括：设置为沿第一方向与第一像素的第二子像素的第一电极相邻的第二像素的第一子像素的第一电极，和设置为沿第一方向与第二像素的第一子像素的第一电极相邻的第二像素的第二子像素的第一电极。焊接电极可以包括连接至第二像素的第一子像素的第一电极的2-1焊接电极和连接至第二像素的第二子像素的第一电极的2-2焊接电极。修复线可以包括：与1-1焊接电极和2-1焊接电极部分地交叠的第一竖直修复线，和与1-2焊接电极和2-2焊接电极部分地交叠的第二竖直修复线。第一竖直修复线和第二竖直修复线的至少一部分可以由透明导电材料形成。

显示装置还可以包括：第三像素，其沿第一方向与第二像素相邻；和用于在第二像素与第三像素之间进行修复的辅助焊接电极和辅助修复线。第三像素可以包括被设置为沿第一方向与第二像素的第二子像素的第一电极相邻的第三像素的第一子像素的第一电极。辅助焊接电极可以包括：连接至第二像素的第一子像素的第一电极的2-1辅助焊接电极，和连接至第三像素的第一子像素的第一电极的3-1辅助焊接电极。辅助修复线可以包括与2-1辅助焊接电极和3-1辅助焊接电极部分地交叠的辅助修复线。辅助修复线的至少一部分可以由透明导电材料形成。

第一像素的第一子像素、第五像素的第一子像素、第二像素的第一子像素和第三像素的第一子像素可以发射具有相同颜色的光。

第一水平修复线可以包括：交叠单元，其与1-1焊接电极和5-1焊接电极交叠；和连接单元，其连接交叠单元并由透明导电材料形成。交叠单元和连接单元可以通过通孔彼此连接，通孔穿过置于交叠单元与连接单元之间的绝缘层。

根据本公开内容的又一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括多个像素，每个像素包括发射不同颜色的光的多个子像素，每个子像素具有第一电极。该显示装置还包括修复结构，其包括多个焊接电极和多条修复线。多个焊接电极分别连接到多个像素中包括的多个子像素的第一电极。多条修复线沿第一方向和/或与第一方向相交的第二方向与相邻像素中的发射相同颜色的光的子像素的焊接电极部分地交叠。多条修复线的至少一部分由透明导电材料形成。

通过以上描述，本领域技术人员可以在不脱离本公开内容的技术精神的情况下进行各种修改和改变。因此，本公开内容的技术领域不限于在说明书的详细描述中描述的技术领域，而是可以由权利要求书确定。

Claims

1.一种显示装置，包括：

沿着第一方向依次设置的第一像素的第一子像素的第一电极、第一像素的第二子像素的第一电极、第二像素的第一子像素的第一电极和第二像素的第二子像素的第一电极；

连接至所述第一像素的第一子像素的第一电极的1-1焊接电极、连接至所述第一像素的第二子像素的第一电极的1-2焊接电极、连接至所述第二像素的第一子像素的第一电极的2-1焊接电极、以及连接至所述第二像素的第二子像素的第一电极的2-2焊接电极；以及

与所述1-1焊接电极和所述2-1焊接电极部分地交叠的第一竖直修复线，和与所述1-2焊接电极和所述2-2焊接电极部分地交叠的第二竖直修复线，

其中，所述第一竖直修复线和所述第二竖直修复线由透明导电材料形成。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一竖直修复线与所述1-1焊接电极和所述2-1焊接电极通过所述第一竖直修复线与所述1-1焊接电极和所述2-1焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述第一竖直修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述1-1焊接电极和所述2-1焊接电极中的任意一个，

其中，所述第二竖直修复线与所述1-2焊接电极和所述2-2焊接电极通过所述第二竖直修复线与所述1-2焊接电极和所述2-2焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述第二竖直修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述1-2焊接电极和所述2-2焊接电极中的任意一个，以及

其中，所述第一竖直修复线和所述第二竖直修复线设置在同一层上。

3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

第三像素的第一子像素的第一电极，所述第三像素的第一子像素的第一电极被设置为沿所述第一方向与所述第二像素的第二子像素的第一电极相邻；

2-1辅助焊接电极，其连接至所述第二像素的第一子像素的第一电极；

3-1辅助焊接电极，其连接至所述第三像素的第一子像素的第一电极；以及

与所述2-1辅助焊接电极和所述3-1辅助焊接电极部分地交叠的辅助修复线，

其中，所述辅助修复线的至少一部分由透明导电材料形成。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述2-1辅助焊接电极是从所述2-1焊接电极分支的部分。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述辅助修复线与所述2-1辅助焊接电极和所述3-1辅助焊接电极通过所述辅助修复线与所述2-1辅助焊接电极和所述3-1辅助焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述辅助修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述2-1辅助焊接电极和所述3-1辅助焊接电极中的任意一个，以及

其中，所述第一竖直修复线、所述第二竖直修复线和所述辅助修复线设置在同一层上。

6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一像素的第一子像素、所述第二像素的第一子像素、所述第三像素的第一子像素发射具有第一颜色的光，并且所述第一像素的第二子像素和所述第二像素的第二子像素发射具有与所述第一颜色不同的第二颜色的光。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，还包括：

第五像素的第一子像素的第一电极，所述第五像素的第一子像素的第一电极设置为在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一像素的第一子像素的第一电极相邻；

第五像素的第二子像素的第一电极，所述第五像素的第二子像素的第一电极设置为沿所述第一方向与所述第五像素的第一子像素的第一电极相邻并且沿所述第二方向与所述第一像素的第二子像素的第一电极相邻；

5-1焊接电极，其连接至所述第五像素的第一子像素的第一电极；

5-2焊接电极，其连接至所述第五像素的第二子像素的第一电极；

与所述1-1焊接电极和所述5-1焊接电极部分地交叠的第一水平修复线；以及

与所述1-2焊接电极和所述5-2焊接电极部分地交叠的第二水平修复线，

其中，所述第一水平修复线和所述第二水平修复线的至少一部分由透明导电材料形成。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一水平修复线与所述1-1焊接电极和所述5-1焊接电极通过所述第一水平修复线与所述1-1焊接电极和所述5-1焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述第一水平修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述1-1焊接电极和所述5-1焊接电极中的任意一个，

其中，所述第二水平修复线与所述1-2焊接电极和所述5-2焊接电极通过所述第二水平修复线与所述1-2焊接电极和所述5-2焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述第二水平修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述1-2焊接电极和所述5-2焊接电极中的任意一个，以及

其中，所述第一竖直修复线、所述第二竖直修复线、所述第一水平修复线和所述第二水平修复线设置在同一层上。

9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一像素的第一子像素、所述第二像素的第一子像素和所述第五像素的第一子像素发射具有第一颜色的光，并且所述第一像素的第二子像素、所述第二像素的第二子像素和所述第五像素的第二子像素发射具有与所述第一颜色不同的第二颜色的光。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一竖直修复线包括：

交叠单元，其与所述1-1焊接电极和所述2-1焊接电极交叠；以及

连接单元，其连接所述交叠单元并且由所述透明导电材料形成，以及

其中，所述交叠单元和所述连接单元通过通孔彼此连接，所述通孔穿过置于所述交叠单元与所述连接单元之间的绝缘层。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述通孔不与焊接区域交叠。

12.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述辅助修复线包括：

辅助交叠单元，其与所述2-1辅助焊接电极和所述3-1辅助焊接电极交叠；以及

辅助连接单元，其连接所述辅助交叠单元并且由所述透明导电材料形成，以及

其中，所述辅助交叠单元和所述辅助连接单元通过通孔彼此连接，所述通孔穿过置于所述辅助交叠单元与所述辅助连接单元之间的绝缘层。

13.一种显示装置，包括：

第一像素和第五像素，所述第一像素和所述第五像素相对于在第一方向上延伸的假想轴线彼此对称，并且设置为在与所述第一方向相交的第二方向上彼此相邻；以及

用于在所述第一像素与所述第五像素之间进行修复的焊接电极和修复线，

其中，所述第一像素包括：

第一像素的第一子像素的第一电极和设置成在所述第一方向上与所述第一像素的第一子像素的第一电极相邻的第一像素的第二子像素的第一电极，

所述第五像素包括：

设置为沿着所述第二方向与所述第一像素的第一子像素的第一电极相邻的第五像素的第一子像素的第一电极，和设置为在所述第一方向上与所述第五像素的第一子像素的第一电极相邻以及在所述第二方向上与所述第一像素的第二子像素的第一电极相邻的第五像素的第二子像素的第一电极，

所述焊接电极包括：

连接至所述第一像素的第一子像素的第一电极的1-1焊接电极、连接至所述第一像素的第二子像素的第一电极的1-2焊接电极、连接至所述第五像素的第一子像素第一电极的5-1焊接电极、以及连接至所述第五像素的第二子像素的第一电极的5-2焊接电极；

所述修复线包括：

与所述1-1焊接电极和所述5-1焊接电极部分地交叠的第一水平修复线，和与所述1-2焊接电极和所述5-2焊接电极部分地交叠的第二水平修复线，以及

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一水平修复线与所述1-1焊接电极和所述5-1焊接电极通过所述第一水平修复线与所述1-1焊接电极和所述5-1焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述第一水平修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述1-1焊接电极和所述5-1焊接电极中的任意一个，以及

其中，所述第二水平修复线与所述1-2焊接电极和所述5-2焊接电极通过所述第二水平修复线与所述1-2焊接电极和所述5-2焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述第二水平修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述1-2焊接电极和所述5-2焊接电极中的任意一个。

15.根据权利要求13所述的显示装置，还包括：

第二像素，其沿着所述第一方向与所述第一像素相邻，

其中，所述第二像素包括：

设置为沿所述第一方向与所述第一像素的第二子像素的第一电极相邻的所述第二像素的第一子像素的第一电极，和设置为沿所述第一方向与所述第二像素的第一子像素的第一电极相邻的所述第二像素的第二子像素的第一电极，

所述焊接电极包括：

连接至所述第二像素的第一子像素的第一电极的2-1焊接电极和连接至所述第二像素的第二子像素的第一电极的2-2焊接电极，

所述修复线包括：

与所述1-1焊接电极和所述2-1焊接电极部分地交叠的第一竖直修复线，和与所述1-2焊接电极和所述2-2焊接电极部分地交叠的第二竖直修复线，以及

其中，所述第一竖直修复线和所述第二竖直修复线的至少一部分由透明导电材料形成。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一竖直修复线与所述1-1焊接电极和所述2-1焊接电极通过所述第一竖直修复线与所述1-1焊接电极和所述2-1焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述第一竖直修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述1-1焊接电极和所述2-1焊接电极中的任意一个，以及

其中，所述第二竖直修复线与所述1-2焊接电极和所述2-2焊接电极通过所述第二竖直修复线与所述1-2焊接电极和所述2-2焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述第二竖直修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述1-2焊接电极和所述2-2焊接电极中的任意一个。

17.根据权利要求15所述的显示装置，还包括：

第三像素，其沿所述第一方向与所述第二像素相邻；和

用于在所述第二像素与所述第三像素之间进行修复的辅助焊接电极和辅助修复线，

其中，所述第三像素包括：

被设置为沿所述第一方向与所述第二像素的第二子像素的第一电极相邻的第三像素的第一子像素的第一电极；

所述辅助焊接电极包括：

连接至所述第二像素的第一子像素的第一电极的2-1辅助焊接电极，和连接至所述第三像素的第一子像素的第一电极的3-1辅助焊接电极，

所述辅助修复线包括：

与所述2-1辅助焊接电极和所述3-1辅助焊接电极部分地交叠的辅助修复线，以及

其中，所述辅助修复线的至少一部分由透明导电材料形成。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述辅助修复线与所述2-1辅助焊接电极和所述3-1辅助焊接电极通过所述辅助修复线与所述2-1辅助焊接电极和所述3-1辅助焊接电极之间的至少一个绝缘层而设置在不同的层上，并且所述辅助修复线通过穿过所述至少一个绝缘层的开孔连接至所述2-1辅助焊接电极和所述3-1辅助焊接电极中的任意一个。

19.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一水平修复线包括：

交叠单元，其与所述1-1焊接电极和所述5-1焊接电极交叠；和

连接单元，其连接所述交叠单元并由所述透明导电材料形成，并且

20.一种显示装置，包括：

多个像素，每个像素包括发射不同颜色的光的多个子像素，每个子像素具有第一电极；以及修复结构，包括多个焊接电极和多条修复线，

其中，所述多个焊接电极分别连接到所述多个像素中包括的多个子像素的第一电极，

其中，所述多条修复线沿第一方向和/或与第一方向相交的第二方向与相邻像素中的发射相同颜色的光的子像素的焊接电极部分地交叠，以及

其中，所述多条修复线的至少一部分由透明导电材料形成。