CN112309807B - 等离子体刻蚀设备 - Google Patents
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Abstract
一种等离子体刻蚀设备包括：反应腔，反应腔包括反应腔顶部，反应腔顶部设有第一开口；下电极组件，位于反应腔内底部，下电极组件包括用于承载待处理基片的承载面；位于第一开口内的安装基板，安装基板与第一开口侧壁之间具有间隙；位于反应腔顶部外的固定部，固定部设有第二开口；连接部，连接部贯穿第二开口，连接部与第二开口侧壁之间具有间隙，连接部包括相对的第一端和第二端，第一端与安装基板连接；与第二端连接的驱动装置，驱动装置可驱动安装基板沿垂直于承载面方向上运动；包围连接部的第一波纹管，第一波纹管用于维持反应腔为密闭空间。所述等离子体刻蚀设备能够满足不同的工艺需求。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀设备。
背景技术
在半导体工艺中，对半导体材料进行刻蚀的工艺通常包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，其中，由于利用等离子体进行刻蚀的干法刻蚀工艺能有效地控制刻蚀开口的尺寸而成为目前最主流的刻蚀工艺。现有工艺通常利用辉光放电、射频信号、电晕放电等形成等离子体。其中，利用射频信号形成等离子体时，可以通过调控处理气体成分、射频功率的频率、射频功率的耦合模式、气压、温度等参数，控制形成的等离子体的密度和能量，从而优化等离子体处理效果。因此，在现有的半导体刻蚀装置中，通常采用射频信号形成等离子体，且利用射频信号在待处理基片上形成偏压，使得所述等离子体轰击待处理基片，对所述待处理基片进行刻蚀工艺。
现有的采用射频信号形成等离子体的刻蚀装置主要包括电感耦合等离子体(ICP)刻蚀装置、电容耦合等离子体(CCP)刻蚀装置和电子回旋加速振荡(ECR)刻蚀装置等，其中，电感耦合等离子体(ICP)刻蚀装置和电容耦合等离子体(CCP)刻蚀装置由于结构简单，较为便宜，广泛地运用到干法刻蚀领域。目前的电容耦合等离子体刻蚀装置通常包括射频功率源和偏置功率源，且所述电容耦合等离子体刻蚀装置具有上电极和下电极，所述射频功率源连接于上电极或下电极，对应的下电极或上电极接地，所述射频功率源产生的射频信号通过上电极和下电极形成的电容将反应气体等离子体化。所述偏置功率源连接于所述下电极，在所述下电极上的待处理基片上形成偏压。
然而，现有的电容耦合等离子体刻蚀装置上电极与下电极之间的距离固定，使得所述电容耦合等离子体刻蚀装置难以满足不同的工艺需求。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种等离子体刻蚀设备，以满足不同的工艺需求。
为解决上述技术问题，本发明提供一种等离子体刻蚀设备，包括：反应腔，所述反应腔包括反应腔顶部，所述反应腔顶部设有第一开口；下电极组件，位于所述反应腔内底部，所述下电极组件包括承载面，所述承载面用于承载待处理基片；位于所述第一开口内的安装基板，所述安装基板与第一开口的侧壁之间具有间隙；位于所述反应腔顶部外侧的固定部，所述固定部包围安装基板，所述固定部设有第二开口；连接部，所述连接部贯穿第二开口，且所述连接部与第二开口侧壁之间具有间隙，所述连接部包括相对的第一端和第二端，所述第一端与安装基板连接；与所述第二端连接的驱动装置连接，所述驱动装置通过所述连接部驱动所述安装基板沿垂直于承载面方向上做往复运动；包围所述连接部的第一波纹管，所述第一波纹管用于维持反应腔为密闭空间。
可选的，所述连接部的个数大于1个。
可选的，每一个所述连接部分别被一个第一波纹管包围。
可选的，多个所述连接部被同一个所述第一波纹管包围。
可选的，所述驱动装置包括：位于所述反应腔顶部外侧的动力装置和位于动力装置上的顶盖，所述顶盖与连接部第二端连接。
可选的，所述第一波纹管两端分别固定于顶盖和固定部上。
可选的，所述驱动装置包括：抓手，所述抓手与连接部第二端连接。
可选的，所述安装基板包括：底部平板、由底部平板两端向上延伸的延伸环、以及由延伸环向外延伸的控温环；所述第一端与控温环顶部连接。
可选的，所述第一波纹管两端分布固定于固定部和控温环上。
可选的，所述底部平板包括相对的第一面和第二面，所述第一面朝向反应腔内部；所述等离子体处理设备还包括：位于所述第一面的气体喷淋头；位于所述第二面的气体分布板；与所述气体分布板连通的气体管路，所述气体管路用于输送反应气体，所述固定部还包括第三开口，所述气体管路穿过第三开口，且所述气体管路与第三开口侧壁之间具有间隙；包围所述气体管路的第二波纹管，所述第一波纹管和第二波纹管用于维持反应腔为密闭空间。
可选的，所述气体管路的个数大于1个；每一个所述气体管路分别被一个第二波纹管包围。
可选的，所述气体管路的个数大于1个；多个所述气体管路被同一个第二波纹管包围。
可选的，所述安装基板的材料包括铝合金；所述连接部的材料包括：铝或镍或钛或铜；所述顶盖包括内部层和包裹于内部层外的第一抗氧化层；所述内部层的材料包括：铝或镍或钛或铜；所述第一抗氧化层的材料包括：金或银；所述反应腔顶部的材料包括：铝。
可选的，还包括：连接所述顶盖和反应腔顶部之间的导电带。
可选的，所述导电带包括导电层和包裹于所述导电层外的第二抗氧化层；所述导电层的材料包括：铝或镍或钛或铜；所述第二抗氧化层的材料包括：金或银。
可选的，还包括：位于所述控温环内的控温槽，所述控温槽用于容纳流体，所述流体用于控制安装基板的温度。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的等离子体刻蚀设备中，由于所述安装基板位于反应腔顶部的第一开口内，且所述安装基板与第一开口侧壁之间具有间隙，所述连接部穿过固定部的第二开口，且所述连接部与第二开口之间具有间隙，且所述连接部的第一端与安装基板连接，所述连接部第二端与驱动装置连接，则所述驱动装置通过连接部能够驱动所述安装基板沿垂直于承载面方向上移动，因此，可根据实际工艺需要，调节所述安装基板与下电极组件之间的距离，以满足不同的工艺需求。并且，所述第一波纹管包围所述连接部，则所述安装基板在移动的过程中仍能维持反应腔内的真空环境。
进一步，还包括：连接所述顶盖和反应腔顶部之间的导电带，有利于形成射频回路。
附图说明
图1是本发明提供的一种等离子体刻蚀设备的结构示意图；
图2是本发明提供的另一种等离子体刻蚀设备的结构示意图；
图3是本发明提供的又一种等离子体刻蚀设备的结构示意图。
具体实施方式
为了解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种等离子体刻蚀设备，其可以线性调节上电极组件和下电极组件之间的距离，以适应不同处理工艺的需要。具体而言，一种等离子体刻蚀设备，包括：反应腔，所述反应腔顶部具有第一开口；位于所述反应腔内底部的下电极组件，所述下电极组件包括承载面，所述承载面用于承载待处理基片；位于所述第一开口内的安装基板，所述安装基板与第一开口的侧壁之间具有间隙；位于所述反应腔顶部的固定部，所述固定部包围安装基板，且所述固定部具有第二开口；连接部，所述连接部贯穿第二开口，且所述连接部与第二开口侧壁之间具有间隙，所述连接部包括相对的第一端和第二端，所述第一端与安装基板连接；与所述第二端连接的驱动装置连接，所述驱动装置通过所述连接部驱动所述安装基板沿垂直于承载面方向上做往复运动；包围所述连接部的第一波纹管，所述第一波纹管用于维持反应腔为密闭空间。所述等离子体刻蚀设备能够满足不同的工艺需求。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明提供的一种等离子体刻蚀设备的结构示意图。
请参考图1，等离子体刻蚀设备包括由反应腔顶部200a和反应腔侧壁200b围成的反应腔200，反应腔顶部200a设有第一开口250；位于所述第一开口250内的安装基板202，所述安装基板202与第一开口250侧壁的反应腔顶部200a之间具有间隙；位于所述反应腔顶部200a的固定部203，所述固定部203包围安装基板202，且所述固定部203具有第二开口260；连接部204，所述连接部204贯穿第二开口260，且所述连接部204与第二开口260侧壁之间具有间隙，所述连接部204包括相对的第一端C和第二端D，所述第一端C与安装基板202连接；与所述第二端D连接的驱动装置210连接，所述驱动装置210通过所述连接部204可驱动所述安装基板202沿垂直于承载面A方向上运动；包围所述连接部204的第一波纹管211，所述第一波纹管211用于维持反应腔200为密闭空间。
在本实施例中，所述等离子体刻蚀设备为电容耦合等离子体刻蚀装置(CapacitorCoupled Plasma，CCP)。
所述反应腔200内用于对待处理基片进行等离子体处理。
反应腔200内的下游位置设置一下电极组件201，所述下电极组件201位于第一开口250下方，所述下电极组件201包括承载面A，所述承载面A用于承载待处理基片；所述下电极组件201包括：位于反应腔200底部的基座201a和位于基座201a表面的静电夹盘201b。所述基座201a用于承载静电夹盘201b，所述静电夹盘201b用于吸附和固定待处理基片。
所述安装基板202的材料包括：铝合金材料。
还包括：位于所述安装基板202下方的气体喷淋头209，所述气体喷淋头209朝向承载面A。
所述连接部204包括相对的第一端C和第二端D，所述第一端C与安装基板202连接，所述第二端D与驱动装置210连接。由于所述安装基板202位于所述第一开口250内，且所述安装基板202与第一开口250侧壁的反应腔顶部200a之间具有间隙，所述连接部204贯穿固定部203的第二开口260，且所述连接部204与第二开口260侧壁之间具有间隙，使得所述驱动装置210通过所述连接部204能够驱动所述安装基板202沿垂直于承载面A方向上做往复运动。由于所述安装基板202与气体喷淋头209位置相对固定，则安装基板202能够带动作为上电极的气体喷淋头209沿垂直于承载面A方向上进行移动，使得所述上电极与下电极组件之间的距离H能够连续地调节。由此可见，可根据实际工艺要求，调节所述距离H的大小，以适应不同的工艺需求。
在所述安装基板202沿垂直于承载面A方向上移动时，还需确保反应腔200内的真空环境，因此，在所述连接部204的外围设置第一波纹管211。
在本实施例中，所述驱动装置210包括：位于所述反应腔顶部200a外侧的动力装置和位于动力装置上的顶盖210a。
在其他实施例中，所述驱动装置包括：抓手，所述抓手与连接部第二端连接。
在本实施例中，所述第一波纹管211的两端分别固定于顶盖210a与固定部203上。
在本实施例中，以所述连接部204的个数为两个为例进行说明。在其他实施例中，所述连接部204的个数可以为两个以上。
在本实施例中，每一个所述第一波纹管211分别被一个所述第一波纹管211包围，使得所述每一个第一波纹管211与顶盖210a的接触面积较小。
在其他实施例中，多个所述连接部被同一个所述第一波纹管包裹。
由于所述第一波纹管211具有弹性和可伸缩的特性，将所述第一波纹管211的两端分别设置于顶盖210a和固定部203上，使得所述第一波纹管211在安装基板202沿垂直于承载面A的方向上进行移动时能够维持所述反应腔200内为密闭空间，有利于确保所述反应腔200内为真空环境，使所述反应腔200内能够进行半导体工艺处理。
在本实施例中，所述安装基板202包括底部平板202a、由底部平板202a两端向上延伸的延展环202b、以及由延展环202b向外延伸的控温环202c。所述连接部204的第一端C与控温环202c连接。所述控温环202c内设置有控温槽(图中未示出)，所述控温槽内用于容纳流体，所述流体用于控制安装基板202的温度。由于所述安装基板202与气体喷淋头209接触，因此，有利于控制所述气体喷淋头209的温度。
所述底部平板202a包括相对的第一面和第二面，所述第一面朝向反应腔200内部，所述等离子体处理设备还包括：位于第一面的气体喷淋头209、位于第二面对气体分布板206、以及与所述气体分布板206连接的气体管路207，所述气体管路207用于向气体分布板206内输入反应气体。
所述固定部203还具有第三开口270，所述气体管路207穿过所述第三开口270，且所述气体管路207与第三开口270侧壁的固定部203之间还具有间隙，则当驱动装置210通过连接部204驱动安装基板202沿垂直于承载面A方向上进行移动时，由于所述气体管路207与安装基板202固定连接，使得所述气体管路207也沿垂直于承载面A方向上移动。
在气体管路207沿垂直于承载面A方向上移动时，还需确保反应腔200内为真空环境，因此，在所述气体管路207的外围设置第二波纹管213。由于所述第二波纹管213具有弹性和可伸缩的特点，将所述第二波纹管213两端分别固定设置于所述固定部203和气体分布板206上，使得所述第二波纹管213在气体管路207沿垂直于承载面A的方向上进行移动时能够维持所述反应腔200内为密闭空间。
在本实施例中，以所述气体管路207的个数为两个为例进行说明。
在其他实施例中，所述气体管路的个数为1个或者大于两个。
在本实施例中，每一个气体管路207被一个第二波纹管213包裹，则所述第二波纹管213与固定部203的接触面积较小，而所述第一波纹管211的接触面积也较小，使得所述驱动装置210仅施加较小的力，即能够使所述安装基板202沿垂直于承载面A方向上移动，则所述上电极与下电极之间的距离H可根据实际需要进行调节，以满足不同的工艺要求。
所述连接部204的材料包括：铝或镍或钛或铜。
还包括：连接所述顶盖210a和反应腔顶部200a之间的导电带212。
所述顶盖205包括内部层和包裹于内部层表面的第一抗氧化层：所述内部层的材料包括：铝或镍或钛或铜，所述第一抗氧化层的材料包括金或银。所述导电带212包括导电层和包裹于导电层表面的第二抗氧化层；所述导电层的材料包括：铜；所述第二抗氧化层的材料包括：金或银。所述顶盖210a通过导电带212与反应腔顶部200a连接，有利于形成射频回路。
所述等离子体处理设备还包括：抽真空装置，用于使所述密闭空间为真空环境；施加于基座201a上的射频功率源，用于使所述密闭空间内为等离子体环境。
图2是本发明提供的另一种等离子体刻蚀设备的结构示意图。
请参考图2，所述第一波纹管211的两端分别固定于所述固定部203与安装基板202上。
由于所述安装基板202位于所述第一开口250内，且所述安装基板202与第一开口250侧壁的反应腔顶部200a之间具有间隙，所述连接部204贯穿固定部203的第二开口260，且所述连接部204与第二开口260侧壁之间具有间隙，使得所述驱动装置210通过所述连接部204能够驱动所述安装基板202沿垂直于承载面A方向上做往复运动。由于所述安装基板202与气体喷淋头209位置相对固定，则安装基板202能够带动作为上电极的气体喷淋头209沿垂直于承载面A方向上进行移动，使得所述上电极与下电极组件之间的距离H能够连续地调节。由此可见，可根据实际工艺要求，调节所述距离H的大小，以适应不同的工艺需求。并且，所述第一波纹管211和第二波纹管213有利于确保反应腔200内为真空环境。
在本实施例中，由于每一个所述连接部204分别被一个第一波纹管211包裹，使得所述第一波纹管211与安装基板202的接触面积较小；并且，每一个气体管路207分别被一个第二波纹管213包裹，使得所述第二波纹管213与固定部203的接触面积也较小，使得驱动装置210只需对连接部204施加较小的力，即可使所述安装基板202沿垂直于承载面A方向上进行移动，因此，有利于改变气体喷淋头209与下电极组件201之间的距离H，以满足不同的工艺需要。
图3是本发明提供的又一种等离子体刻蚀设备的结构示意图。
请参考图3，多个气体管路207被一个第二波纹管213包裹。
由于所述安装基板202位于所述第一开口250内，且所述安装基板202与第一开口250侧壁的反应腔顶部200a之间具有间隙，所述连接部204贯穿固定部203的第二开口260，且所述连接部204与第二开口260侧壁之间具有间隙，使得所述驱动装置210通过所述连接部204能够驱动所述安装基板202沿垂直于承载面A方向上做往复运动。由于所述安装基板202与气体喷淋头209位置相对固定，则安装基板202能够带动作为上电极的气体喷淋头209沿垂直于承载面A方向上进行移动，使得所述上电极与下电极组件之间的距离H能够连续地调节。由此可见，可根据实际工艺要求，调节所述距离H的大小，以适应不同的工艺需求。并且，所述第一波纹管211和第二波纹管213有利于确保反应腔200内为真空环境。
并且，由于每一个所述连接部204分别被一个第一波纹管211包裹，使得所述第一波纹管211与安装基板202的接触面积较小；并且，多个气体管路207被同一个第二波纹管213包裹，使得所述第二波纹管213与固定部203的接触面积较小，使得驱动装置210只需对连接部204施加较小的力，即可使所述安装基板202沿垂直于承载面A方向上进行移动，因此，有利于改变气体喷淋头209与下电极组件201之间的距离H，以满足不同的工艺需要。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (16)
1.一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括：
反应腔，所述反应腔包括反应腔顶部，所述反应腔顶部设有第一开口；
下电极组件，位于所述反应腔内底部，所述下电极组件包括承载面，所述承载面用于承载待处理基片；
位于所述第一开口内的安装基板，所述安装基板与第一开口的侧壁之间具有间隙，所述安装基板包括：底部平板、由底部平板两端向上延伸的延展环、以及由所述延展环向外延伸的控温环，所述安装基板下方设有一气体喷淋头；
位于所述反应腔顶部外侧的固定部，所述固定部包围安装基板，所述固定部设有第二开口；
连接部，所述连接部贯穿第二开口，且所述连接部与第二开口侧壁之间具有间隙，所述连接部包括相对的第一端和第二端，所述第一端与安装基板连接；
与所述第二端连接的驱动装置，所述驱动装置通过所述连接部可驱动所述安装基板并带动所述气体喷淋头沿垂直于承载面方向上运动；
包围所述连接部的第一波纹管，所述第一波纹管用于维持反应腔为密闭空间。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述连接部的个数大于1个。
3.如权利要求2所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，每一个所述连接部分别被一个第一波纹管包围。
4.如权利要求2所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，多个所述连接部被同一个所述第一波纹管包围。
5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述驱动装置包括：位于所述反应腔顶部外侧的动力装置和位于动力装置上的顶盖，所述顶盖与连接部第二端连接。
6.如权利要求5所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述第一波纹管两端分别固定于顶盖和固定部上。
7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述驱动装置包括：抓手，所述抓手与连接部第二端连接。
8.如权利要求1所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述第一端与所述控温环顶部连接。
9.如权利要求8所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述第一波纹管两端分布固定于固定部和控温环上。
10.如权利要求8所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述底部平板包括相对的第一面和第二面，所述第一面朝向反应腔内部；所述等离子体处理设备还包括：位于所述第一面的气体喷淋头；位于所述第二面的气体分布板；与所述气体分布板连通的气体管路，所述气体管路用于向气体分布板内输入反应气体，所述固定部还包括第三开口，所述气体管路穿过第三开口，且所述气体管路与第三开口侧壁之间具有间隙；包围所述气体管路的第二波纹管，所述第一波纹管和第二波纹管用于维持反应腔为密闭空间。
11.如权利要求10所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述气体管路的个数大于1个；每一个所述气体管路分别被一个第二波纹管包围。
12.如权利要求10所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述气体管路的个数大于1个；多个所述气体管路被同一个第二波纹管包围。
13.如权利要求5所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述安装基板的材料包括铝合金；所述连接部的材料包括：铝或镍或钛或铜；所述顶盖包括内部层和包裹于内部层外的第一抗氧化层：所述内部层的材料包括：铝或镍或钛或铜；所述第一抗氧化层的材料包括：金或银；所述反应腔顶部的材料包括：铝。
14.如权利要求13所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，还包括：连接所述顶盖和反应腔顶部之间的导电带。
15.如权利要求14所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述导电带包括导电层和包裹于所述导电层外的第二抗氧化层；所述导电层的材料包括：铝或镍或钛或铜；所述第二抗氧化层的材料包括：金或银。
16.如权利要求8所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，还包括：位于所述控温环内的控温槽，所述控温槽用于容纳流体，所述流体用于控制安装基板的温度。
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|---|---|---|---|---|
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5336355A (en) * | 1991-12-13 | 1994-08-09 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for confinement of a plasma etch region for precision shaping of surfaces of substances and films |
| JP2000173981A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Sony Corp | 局所真空処理装置 |
| WO2001050498A1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-07-12 | Lam Research Corporation | Linear drive system for use in a plasma processing system |
| JP2005056994A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Saginomiya Seisakusho Inc | プラズマ処理装置 |
| CN101047112A (zh) * | 2006-03-30 | 2007-10-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 |
| JP2008112589A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに記憶媒体 |
| CN102027574A (zh) * | 2008-02-08 | 2011-04-20 | 朗姆研究公司 | 等离子体处理室部件的保护性涂层及其使用方法 |
| CN102194664A (zh) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置 |
| KR20110126556A (ko) * | 2010-05-17 | 2011-11-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4173389B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2008-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR100978754B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2010-08-30 | 주식회사 테스 | 플라즈마 처리 장치 |
| US7732728B2 (en) * | 2007-01-17 | 2010-06-08 | Lam Research Corporation | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
| JP2009123934A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP5782226B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP5567392B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5809396B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| US20140138030A1 (en) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | Tokyo Electron Limited | Capacitively coupled plasma equipment with uniform plasma density |
| EP3563401B1 (en) * | 2016-12-27 | 2022-11-23 | Evatec AG | Rf capacitive coupled dual frequency etch reactor |
| WO2018186294A1 (ja) * | 2017-04-05 | 2018-10-11 | 株式会社Ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｏｕｌ | 電子線発生装置、および、電子線適用装置 |
| US11355321B2 (en) * | 2017-06-22 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode assembly for moving substrate |
-
2019
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-
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5336355A (en) * | 1991-12-13 | 1994-08-09 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for confinement of a plasma etch region for precision shaping of surfaces of substances and films |
| JP2000173981A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Sony Corp | 局所真空処理装置 |
| WO2001050498A1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-07-12 | Lam Research Corporation | Linear drive system for use in a plasma processing system |
| JP2005056994A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Saginomiya Seisakusho Inc | プラズマ処理装置 |
| CN101047112A (zh) * | 2006-03-30 | 2007-10-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 |
| JP2008112589A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに記憶媒体 |
| CN102027574A (zh) * | 2008-02-08 | 2011-04-20 | 朗姆研究公司 | 等离子体处理室部件的保护性涂层及其使用方法 |
| CN102194664A (zh) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置 |
| KR20110126556A (ko) * | 2010-05-17 | 2011-11-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
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