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CN112235005B - 显示屏组件、天线组件及电子设备 - Google Patents

显示屏组件、天线组件及电子设备 Download PDF

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CN112235005B CN201910588888.8A CN201910588888A CN112235005B CN 112235005 B CN112235005 B CN 112235005B CN 201910588888 A CN201910588888 A CN 201910588888A CN 112235005 B CN112235005 B CN 112235005B
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Abstract

本申请提供了一种显示屏组件、天线组件及电子设备。所述显示屏组件，包括：显示屏本体及透波结构。所述显示屏本体对预设频段的射频信号具有第一透过率；所述透波结构承载于所述显示屏本体，并至少覆盖所述显示屏本体的部分区域；所述显示屏组件在所述透波结构对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。本申请提供的显示屏组件通过将所述透波结构承载于所述显示屏本体上，通过所述透波结构的作用使得对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述显示屏组件应用于电子设备中时，可降低显示屏组件对于设置于所述电子设备内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备的通信性能。

Description

显示屏组件、天线组件及电子设备
技术领域
本申请涉及电子设备领域，尤其涉及一种显示屏组件、天线组件及电子设备。
背景技术
随着移动通信技术的发展，传统的第四代移动通信技术(4th-Generationwireless systems，4G)已经不能够满足人们的要求。第五代移动通信技术(5th-Generation wireless systems，5G)由于具有较高的通信速度，可而备受用户青睐。比如，利用5G移动通信传输数据时的传输速度比4G移动通信传输数据的速度快数百倍。毫米波信号是实现5G移动通信技术的主要手段，然而，当毫米波天线应用于电子设备时，毫米波天线通常设置于电子设备内部的收容空间中，毫米波信号天线透过电子设备屏幕而辐射出去的透过率较低，达不到天线辐射性能的要求。或者，外部的毫米波信号穿透电子设备的屏幕的透过率较低。由此可见，现有技术中，5G毫米波信号的通信性能较差。
发明内容
为了解决传统的毫米波信号穿透电子设备的屏幕穿透率低的技术问题，本申请提供了一种显示屏组件、天线组件及电子设备。
第一方面，本申请提供了一种显示屏组件，包括：
显示屏本体，所述显示屏本体对预设频段的射频信号具有第一透过率；
透波结构，所述透波结构承载于所述显示屏本体，并至少覆盖所述显示屏本体的部分区域；
所述显示屏组件在所述透波结构对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。
第二方面，本申请提供了一种天线组件，所述天线组件包括天线模组及显示屏组件，所述天线模组用于在预设范围内收发预设频段的射频信号，所述显示屏组件中的透波结构至少部分位于所述预设范围内。
第三方面，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括所述天线组件。
第四方面，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
第一天线模组，所述第一天线模组用于在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号；
显示屏本体，所述显示屏本体与所述第一天线模组间隔设置，且至少部分所述显示屏本体位于所述第一预设方向范围内，对预设频段的射频信号具有第一透过率；
第一透波结构，所述第一透波结构承载于所述显示屏本体，并至少覆盖所述显示屏本体的部分区域，且所述第一透波结构的至少部分位于所述第一预设方向范围内，所述电子设备在所述第一透波结构对应的区域内，对所述第一频段的第一射频信号具有第二透过率，其中，所述第二透过率大于所述第一透过率。
本申请提供的显示屏组件通过将所述透波结构承载于所述显示屏本体上，通过所述透波结构的作用使得对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述显示屏组件应用于电子设备中时，可降低显示屏组件对设置于所述电子设备内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备的通信性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施方式提供的显示屏组件的结构示意图。
图2为本申请第二实施方式提供的显示屏组件的结构示意图。
图3为图2中的阵列基板的剖面结构示意图。
图4为本申请第三所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。
图5为本申请第四所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。
图6为本申请第五所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。
图7为本申请第五所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。
图8为本申请第六所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。
图9为本申请第七实施方式提供的显示屏组件的结构示意图。
图10为本申请第八实施方式所述的显示屏组件的结构示意图。
图11为本申请第九实施方式所述的显示屏组件的结构示意图。
图12为图11中的显示屏组件的剖面结构示意图。
图13为本申请第十实施方式所述的显示屏组件的结构示意图。
图14为图13中的显示屏组件的剖面结构示意图。
图15为本申请第十一实施方式所述的显示屏组件的结构示意图。
图16为本申请第十二实施方式所述的显示屏组件的结构示意图。
图17为本申请第一实施方式提供的透波结构的示意图。
图18为本申请第二实施方式提供的透波结构的示意图。
图19为本申请第三实施方式提供的透波结构的示意图。
图20为本申请第四实施方式提供的透波结构剖面结构示意图。
图21为本申请第四实施方式中提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。
图22为本申请第四实施方式中提供的透波结构中第二透波层的结构示意图。
图23为本申请第四实施方式提供的透波结构的等效电路图。
图24为本申请第五实施方式提供的透波结构中的第一透波层的示意图。
图25为本申请第六实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。
图26为本申请第七实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。
图27为本申请第八实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。
图28为本申请提供的天线组件的结构示意图。
图29为本申请第一实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图30为本申请第二实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图31为图30中沿III-III线的剖面结构示意图。
图32为本申请第三实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图33为图32中沿IV-IV线的剖面结构示意图。
图34为本申请一实施方式中的天线模组的剖面结构示意图。
图35为本申请另一实施方式中的天线模组的剖面结构示意图。
图36为本申请一实施方式中为M×N射频天线阵列示意图。
图37为本申请一实施方式中的天线模组组成射频天线阵列时的封装结构示意图。
图38为本申请第四实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图39为本申请第五实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图40为本申请第六实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图41为本申请第七实施方式提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请一并参阅图1，图1为本申请第一实施方式提供的显示屏组件的结构示意图。所述显示屏组件100包括：显示屏本体110及透波结构120。所述显示屏本体110对预设频段的射频信号具有第一透过率。所述透波结构120承载于所述显示屏本体110，并至少覆盖所述显示屏本体110的部分区域。所述显示屏组件100在所述透波结构120对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。
所述透波结构120可直接设置在所述显示屏本体110上，也可通过承载膜设置在所述显示屏本体110上，或者内嵌在所述显示屏本体110内。当所述透波结构120通过承载膜设置在所述显示屏本体110上时，所述承载膜可以为但不仅限于为塑料(Polyethyleneterephthalate，PET)薄膜、柔性电路板、印刷电路板等。所述PET薄膜可以为但不仅限于为彩色膜、防爆膜等。所述透波结构120可以覆盖所述显示屏本体110的部分区域，所述透波结构120也可覆盖所述显示屏本体110的全部区域。所述显示屏本体110包括相对设置的内表面及外表面，所述透波结构120可设置在所述显示屏本体110的内表面上，或者，设置在所述显示屏本体110的外表面上。
所谓显示屏本体110是指电子设备中执行显示功能的部件。所述显示屏本体110通常包括显示屏100a及与所述显示屏100a层叠设置的盖板100b。所述显示屏100a可以为液晶显示屏也可以为有机二极管发光显示屏。所述盖板100b设置在所述显示屏100a上，用于对所述显示屏100a进行保护。在本实施方式中，所述透波结构120设置于所述盖板100b上。所述透波结构120可设置在所述盖板100b靠近所述显示屏100a的表面；或者，所述透波结构120也可设置在所述盖板100b背离所述显示屏100a的表面；或者，所述透波结构120内嵌在所述盖板100b中。由于所述盖板100b为独立的部件，当所述透波结构120设置于所述盖板100b上且所述透波结构120设置在所述盖板100b靠近所述显示屏100的表面或者设置在所述盖板100b背离所述显示屏100a的表面时，可降低所述透波结构120与显示屏本体110结合的难度。在图1中以所述透波结构120覆盖于所述显示屏本体110的全部区域且以所述透波结构120直接设置在所述盖板100b靠近所述显示屏100a的表面为例进行示意。
所述透波结构120可以具有单频单极化、单频双极化、双频双极化、双频单极化、宽频单极化、宽频双极化等特性中的任意一种特性。相应地，所述透波结构120可以具有双频谐振响应，或者单频谐振响应，或者宽频谐振响应，或者多频谐振响应中的任意一种。所述透波结构120的材质可以为金属材质，也可以为非金属导电材质。
一方面，所述显示屏本体110上的透波结构120被所述预设频段的射频信号的激励，所述透波结构120根据所述预设频段的射频信号产生与所述预设频段同频段的射频信号，且穿透所述显示屏本体110并辐射至自由空间中。由于所述透波结构120被激励且产生与所述预设频段同频段的射频信号，因此，透过所述显示屏本体110并辐射至自由空间中的预设频段的射频信号的量增加，即通过设置所述透波结构120，提升了所述显示屏组件100对所述预设频段的射频信号的透过率。
另一方面，所述显示屏组件100包括了透波结构120及显示屏本体110，因此，所述显示屏组件100的介电常数可以等效为预设材料的介电常数，而所述预设材料的介电常数对所述预设频段的射频信号的透过率较高，且所述预设材料的等效波阻抗等于或者近似等于自由空间的等效波阻抗。
所述射频信号可以为但不仅限于为毫米波频段的射频信号或者太赫兹频段的射频信号。目前，在第五代移动通信技术(5th generation wireless systems，5G)中，根据3GPP TS 38.101协议的规定，5G新空口(new radio，NR)主要使用两段频率：FR1频段和FR2频段。其中，FR1频段的频率范围是450MHz～6GHz，又叫sub-6GHz频段；FR2频段的频率范围是24.25GHz～52.6GHz，属于毫米波(mm Wave)频段。3GPP Release 15版本规范了目前5G毫米波频段包括：n257(26.5～29.5GHz),n258(24.25～27.5GHz),n261(27.5～28.35GHz)和n260(37～40GHz)。
本申请提供的显示屏组件100通过将所述透波结构120承载于所述显示屏本体110上，通过所述透波结构120的作用使得对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述显示屏组件100应用于电子设备1中时，可降低显示屏组件100对设置于所述电子设备内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备1的通信性能。
进一步地，所述透波结构120的光透过率大于预设透过率，以使得所述显示屏本体110正常显示。所述预设透过率可以为但不仅限于为80％，由于所述透波结构120应用于所述显示屏本体110，所述透波结构120的光透过率大于预设透过率，从而使得设置了所述透波组件的显示屏组件100的透过率较高，对所述显示屏组件100的正常显示不会造成较大影响。
进一步地，请一并参阅图2及图3，图2为本申请第二实施方式提供的显示屏组件的结构示意图；图3为图2中的阵列基板的剖面结构示意图。为了方便示意，图中仅仅示意出来了其中的一个薄膜晶体管111b。所述显示屏本体110包括阵列基板111，所述阵列基板111包括基板111a以及设置在所述基板111a上阵列分布的多个薄膜晶体管111b。所述薄膜晶体管111b包括栅极510、栅极绝缘层520、沟道层530、源极540、及漏极550。所述栅极510设置在所述基板111a的一侧，所述栅极绝缘层520覆盖所述栅极510，所述沟道层530设置在栅极绝缘层520上且对应所述栅极510设置，所述源极540及所述漏极550间隔设置在所述沟道层530相对的两端且均与所述沟道层530相连。所述透波结构120为单层结构，且所述透波结构120与所述栅极510同层设置。
进一步地，所述薄膜晶体管111b还包括平坦层580。所述平坦层580覆盖所述源极540、及所述漏极550。
本申请的显示屏组件100通过设置透波结构120承载于所述显示屏本体110上，通过所述透波结构120的作用使得对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述显示屏组件100应用于电子设备1中时，可降低显示屏组件100对设置于所述电子设备内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备1的通信性能。进一步地，本申请的显示屏组件100通过将透波结构120与所述栅极510同层设置，因此，在制备的时候，所述透波结构120可和所述栅极510同道工序制备而成，从而减少了制备工序。
请参阅图4，图4为本申请第三所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。本实施方式提供的显示屏组件100与本申请第二实施方式提供的显示屏组件100的结构基本相同，不同之处在于，在本实施方式中，所述透波结构120与所述源极540及所述漏极550同层设置。
进一步地，所述薄膜晶体管111b还包括平坦层580。所述平坦层580覆盖所述源极540、所述漏极550、及所述透波结构120。
本申请的显示屏组件100通过设置透波结构120承载于所述显示屏本体110上，通过所述透波结构120的作用使得对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述显示屏组件100应用于电子设备1中时，可降低显示屏组件100对设置于所述电子设备内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备1的通信性能。进一步地，本申请的显示屏组件100通过将透波结构120与所述栅极510同层设置，因此，在制备的时候，所述透波结构120可和所述源极540、漏极550同道工序制备而成，从而减少了制备工序。
请参阅图5，图5为本申请第四所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。所述显示屏本体110包括阵列基板111，所述阵列基板111包括基板111a以及设置在所述基板111a上阵列分布的多个薄膜晶体管111b。所述薄膜晶体管111b包括栅极510、栅极绝缘层520、沟道层530、源极540、及漏极550。所述栅极510设置在所述基板111a的一侧，所述栅极绝缘层520覆盖所述栅极510，所述沟道层530设置在栅极绝缘层520上且对应所述栅极510设置。所述源极540及所述漏极550间隔设置在所述沟道层530相对的两端且均与所述沟道层530相连。所述透波结构120包括间隔层叠设置的第一透波层121及第二透波层122，所述第一透波层121与所述栅极510同层设置，且所述第二透波层122与所述源极540及所述漏极550同层设置。
本申请的显示屏组件100通过设置透波结构120承载于所述显示屏本体110上，通过所述透波结构120的作用使得对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述显示屏组件100应用于电子设备1中时，可降低显示屏组件100对设置于所述电子设备内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备1的通信性能。进一步地，本申请的显示屏组件100通过将透波结构120与所述栅极510同层设置，因此，在制备的时候，所述第一透波层121可和所述栅极510同道工序制备，所述第二透波层122可和所述源极540、漏极550同道工序制备而成，从而减少了制备工序。
请参阅图6，图6为本申请第五所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。所述显示屏本体110包括阵列基板111，所述阵列基板111包括基板111a以及设置在所述基板111a上阵列分布的多个薄膜晶体管111b。所述薄膜晶体管111b包括遮光层590、第一绝缘层560、沟道层530、源极540、漏极550、第二绝缘层570、栅极510、及平坦层580。所述遮光层590设置在所述基板111a的一侧，所述第一绝缘层560覆盖所述遮光层590，所述沟道层530设置在所述第一绝缘层560上且对应所述遮光层590设置，所述源极540及所述漏极550间隔设置在所述沟道层530相对的两端且均与所述沟道层530相连，所述第二绝缘层570覆盖所述源极540及所述漏极550，所述栅极510设置在所述第二绝缘层570上。所述透波结构120为单层结构：所述透波结构120与所述遮光层590同层设置。可以理解地，在其他实施方式中，所述透波结构120与所述栅极510同层设置。或者，在其他实施方式中，所述透波结构120与所述源极540及所述漏极550同层设置。进一步地，所述薄膜晶体管111b还包括平坦层580。所述平坦层580覆盖所述栅极510。在图中示意出来的是所述透波结构120与所述源极540及所述漏极550同层设置。
本申请的显示屏组件100通过设置透波结构120承载于所述显示屏本体110上，通过所述透波结构120的作用使得对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述显示屏组件100应用于电子设备1中时，可降低显示屏组件100对设置于所述电子设备内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备1的通信性能。所述透波结构120与所述栅极510同层设置，或者，所述透波结构120与所述源极540及所述漏极550同层设置以进一步减少制备工序。
请参阅图7，图7为本申请第五所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。所述显示屏本体110包括阵列基板111，所述阵列基板111包括基板111a以及设置在所述基板111a上阵列分布的多个薄膜晶体管111b。所述薄膜晶体管111b包括遮光层590、第一绝缘层560、沟道层530、源极540、漏极550、第二绝缘层570、栅极510、及平坦层580。所述遮光层590设置在所述基板111a的一侧，所述第一绝缘层560覆盖所述遮光层590，所述沟道层530设置在所述第一绝缘层560上且对应所述遮光层590设置。所述源极540及所述漏极550间隔设置在所述沟道层530相对的两端且均与所述沟道层530相连，所述第二绝缘层570覆盖所述源极540及所述漏极550，所述栅极510设置在所述第二绝缘层570上。所述透波结构120包括间隔层叠设置的第一透波层121及第二透波层122，所述第一透波层121及所述第二透波层122与所述遮光层590、所述栅极510、所述源极540中的任何两层同层设置。在图中以所述第一透波层121与所述遮光层590同层设置、所述第二透波层122与所述源极540及所述漏极550同层设置为例进行示意。
本申请的显示屏组件100通过设置透波结构120承载于所述显示屏本体110上，通过所述透波结构120的作用使得对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述显示屏组件100应用于电子设备1中时，可降低显示屏组件100对设置于所述电子设备内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备1的通信性能。进一步地，所述第一透波层121及所述第二透波层122与所述遮光层590、所述栅极510、所述源极540中的任何两层同层设置可减小制备工序。
进一步地，在其他实施方式中，当所述透波结构120包括相互间隔设置的第一透波层121及所述第二透波层122时，所述第一透波层121可以作为所述显示屏组件100的遮光层590。所述遮光层590用于防止自所述基板111a背离所述遮光层590表面的光线进入到所述沟道层530造成薄膜晶体管111b性能失常。
请参阅图8，图8为本申请第六所述方式提供的显示屏组件中的阵列基板的剖面结构示意图。所述显示屏本体110包括阵列基板111，所述阵列基板111包括基板111a以及设置在所述基板111a上阵列分布的多个薄膜晶体管111b。所述薄膜晶体管111b包括遮光层590、第一绝缘层560、沟道层530、源极540、漏极550、第二绝缘层570、栅极510、及平坦层580。所述遮光层590设置在所述基板111a的一侧，所述第一绝缘层560覆盖所述遮光层590，所述沟道层530设置在所述第一绝缘层560上且对应所述遮光层590设置，所述源极540及所述漏极550间隔设置在所述沟道层530相对的两端且均与所述沟道层530相连，所述第二绝缘层570覆盖所述源极540及所述漏极550，所述栅极510设置在所述第二绝缘层570上，所述透波结构120包括间隔层叠设置的第一透波层121、第二透波层122、及第三透波层123，所述第一透波层121与所述遮光层590同层设置，所述第二透波层122与所述源极540及所述漏极550同层设置，所述第三透波层123与所述栅极510同层设置。
请参阅图9，图9为本申请第七实施方式提供的显示屏组件的结构示意图。所述显示屏组件100包括阵列基板111、彩膜基板112、及液晶层113。所述阵列基板111与所述彩膜基板112相对且间隔设置，所述液晶层113设置在所述阵列基板111及所述彩膜基板112之间。所述阵列基板111包括像素电极610。所述像素电极610的材质为透明的金属氧化物半导体，所述透波结构120的至少部分和所述像素电极610同层设置且与所述像素电极610的材料相同。所述像素电极610电连接所述薄膜晶体管111b中的漏极550。所述像素电极610可结合到前面任意实施方式所述的薄膜晶体管111b中。在图14中以所述像素电极610结合到其中的一种薄膜晶体管111b中为例进行示意。
请参阅图10，图10为本申请第八实施方式所述的显示屏组件的结构示意图。所述显示面板包括阵列基板111及彩膜基板112，所述阵列基板111与所述彩膜基板112相对且间隔设置。所述透波结构120包括第一透波层121及第二透波层122，所述第一透波层设置于所述阵列基板111，所述第二透波层122设置于所述彩膜基板112。进一步地，所述显示屏组件100还包括液晶层113。所述阵列基板111与所述彩膜基板112相对且间隔设置，所述液晶层113设置在所述阵列基板111及所述彩膜基板112之间。
进一步地，所述彩膜基板112包括像素电极610，所述阵列基板111包括公共电极1121，所述第一透波层121与所述像素电极610同层设置，所述第二透波层122与所述公共电极1121同层设置。所述像素电极610和所述公共电极1121配合以控制所述液晶层113中的液晶分子的转向。
请一并参阅图11及图12，图11为本申请第九实施方式所述的显示屏组件的结构示意图；图12为图11中的显示屏组件的剖面结构示意图。所述显示屏本体110包括基板111a以及设置在所述基板111a上阵列分布的700。所述发光单元700包括第一电极710、发光层730、及第二电极720。所述第一电极710相较于所述发光层730及所述第二电极720邻近所述基板111a设置。所述发光层730设置在所述第一电极710背离所述基板111a的一侧，所述第二电极720设置在所述发光层730背离所述第一电极710的一侧。所述第一电极710用于加载第一电压，所述第二电极720用于加载第二电压，所述发光层730用于在所述第一电压及所述第二电压的作用下发光。所述透波结构120为单层结构，所述透波结构120与所述第一电极710或者第二电极720同层设置。在图中以所述透波结构120与所述第一电极710同层设置为例进行示意。
下面对所述发光单元700的工作原理进行介绍。在一实施方式中，所述第一电极710为阳极，所述第二电极720为阴极，此时，所述第一电极710用于产生空穴，所述第二电极720用于产生电子，所述第一电极710产生的空穴以及所述第二电极720产生的电子在所述发光层730中复合以产生光线。在另一实施方式中，所述第一电极710为阴极，所述第二电极720为阳极。进一步地，所述发光单元700还包括空穴注入及传输层740，及电子注入及传输层750。当所述第一电极710为阳极且所述第二电极720为阴极时，所述空穴注入及传输层740设置在所述第一电极710与所述发光层730之间，以将所述第一电极710产生的空穴传输至所述发光层730。所述电子注入及传输层750设置在所述第二电极720与所述发光层730之间，以将所述第二电极720产生的电子传输至所述发光层730。
请一并参阅图13及图14，图13为本申请第十实施方式所述的显示屏组件的结构示意图；图14为图13中的显示屏组件的剖面结构示意图。所述显示屏本体110包括基板111a以及设置在所述基板111a上阵列分布的发光单元700。所述发光单元700包括第一电极710、发光层730、及第二电极720。所述第一电极710相较于所述发光层730及所述第二电极720邻近所述基板111a设置。所述发光层730设置在所述第一电极710背离所述基板111a的一侧，所述第二电极720设置在所述发光层730背离所述第一电极710的一侧。所述第一电极710用于加载第一电压，所述第二电极720用于加载第二电压，所述发光层730用于在所述第一电压及所述第二电压的作用下发光。所述透波结构120包括第一透波层121及第二透波层122，所述第一透波层121与所述第一电极710同层设置，所述第二透波层122与所述第二电极720同层设置。
在一实施方式中，所述第一电极710为阳极，所述第二电极720为阴极。在另一实施方式中，所述第一电极710为阴极，所述第二电极720为阳极。进一步地，所述发光单元700还包括空穴注入及传输层740，及电子注入及传输层750。当所述第一电极710为阳极且所述第二电极720为阴极时，所述空穴注入及传输层740设置在所述第一电极710与所述发光层730之间，以将所述第一电极710产生的空穴传输至所述发光层730。所述电子注入及传输层750设置在所述第二电极720与所述发光层730之间，以将所述第二电极720产生的电子传输至所述发光层730。可以理解地，所述第一透波层121与所述第二透波层122之间设置有绝缘层761。
请参阅图15，图15为本申请第十一实施方式所述的显示屏组件的结构示意图。所述显示屏本体110包括屏幕主体410及自所述屏幕主体410周缘弯折延伸的延伸部420，所述透波结构120对应所述屏幕主体410设置。在本实施方式中，以所述显示屏本体110包括层叠设置的显示屏100a及盖板100b，且所述透波结构120设置在所述盖板100b面对所述显示屏100a的表面为例进行示意。
请参阅16，图16为本申请第十二实施方式所述的显示屏组件的结构示意图。本实施方式提供的显示屏组件100与本申请第十一方式提供的显示屏组件100的结构基本相同，不同之处在于，所述透波结构120对应所述延伸部420设置。
请一并参阅图17，图17为本申请第一实施方式提供的透波结构的示意图。在本实施方式中，所述透波结构120包括间隔设置且相互耦合的第一透波层121及第二透波层122。所述第一透波结构125具有通孔1251，所述第二透波结构126在所述第一透波结构125上的正投影落入所述通孔1251内。
可以理解地，当所述透波结构120包括间隔设置的第一透波层121及第二透波层122时，所述第一透波层121及所述第二透波层122相互耦合，以使得所述显示屏组件100在所述透波结构120对应的区域内对所述预设频段的射频信号的透过率相较于未设置透波结构120时有所提升。
请参阅图18，图18为本申请第二实施方式提供的透波结构的示意图。所述透波结构120可结合到前述任意实施方式提供的显示屏组件中所述透波结构120包括多个谐振单元120b，所述谐振单元120b周期性排布。
请参阅图19，图19为本申请第三实施方式提供的透波结构的示意图。所述透波结构120可结合到前述任意实施方式提供的显示屏组件中，所述透波结构120包括多个谐振单元120b，所述谐振单元120b非周期性排布。
请一并参阅20、图21及图22，图20为本申请第四实施方式提供的透波结构剖面结构示意图；图21为本申请第四实施方式中提供的透波结构中第一透波层的结构示意图；图22为本申请第四实施方式中提供的透波结构中第二透波层的结构示意图。所述透波结构120可以结合到前述任意实施方式提供的显示屏组件中。所述透波结构120包括间隔设置的第一透波层121、第二透波层122、及第三透波层123，所述第一透波层121与所述第二透波层122之间设置第一介质层111，所述第二透波层122与所述第三透波层123之间设置有第二介质层112，所述第一透波层121、所述第一介质层111、所述第二透波层122、所述第二介质层112、及所述第三透波层123依次层叠设置。所述第一透波层121包括阵列排布的多个第一贴片1211，所述第二透波层122包括周期性排布的网格结构1221，所述第三透波层123包括阵列排布的多个第二贴片1231。第一贴片1211或第二贴片1231的尺寸L1越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小。所述第二透波层122中网格结构1221的宽度W1越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽增大；所述透波结构120的周期P越大，所述预设频段往高频偏移，且带宽增大；所述透波结构120的厚度越大，所述预设频段往低频偏移，带宽减小；所述介质基板110的介电常数越大，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小。在本实施方式中，一个网格结构1221对应四个第一贴片1211，且一个网格接1221对应四个第三贴片1231，并作为透波结构1221的一个周期。
请一并参阅图23，图23为本申请第四实施方式提供的透波结构的等效电路图。在此等效电路图中忽略了对预设频段影响较小的因素，比如，第一透波层121层的电感量，所述第三透波层123的电感量，以及第二透波层122的电容量。其中，第一透波层121等效为电容C1，第二透波层122等效为电容C2，所述第一透波层121与所述第二透波层122的耦合电容等效为电容C3，第三透波层123等效为电感L。另外Z0表示自由空间的阻抗，Z1表示介质基板110的阻抗，其中，Z1＝Z0/(Dk)1/2，那么，所述预设频段的中心频率f0为：f0＝1/[2π/(LC)1/2]，带宽Δf/f0正比于(L/C)1/2。由此可见，所述第一贴片1211或第二贴片1231的尺寸越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小。所述第二透波层122中网格结构1221的宽度越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽增大；所述透波层120a的周期越大，所述预设频段往高频偏移，且带宽增大；所述透波层120a的厚度越大，所述预设频段往低频偏移，带宽减小；所述介质基板110的介电常数越大，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小。
当所述第一介质层111及所述第二介质层112的材质为玻璃时，所述玻璃的介电常数通常为6～7.6之间，当所述预设频段为20～35GHz范围的情况下，第一贴片1211的尺寸范围通常选择为0.5～0.8mm之间，第二透波结构128中网格中实体部分的宽度通常选择为0.1～0.5mm之间，一个周期通常为1.5～3.0mm，当所述透波结构120应用于电子设备的显示屏组件时，天线模组200的上表面到显示屏组件的内表面之间的间隙通常选择大于等于零即可，通常选择为0.5～1.2mm。
请参阅图24，图24为本申请第五实施方式提供的透波结构中的第一透波层的示意图。本实施方式提供的透波结构120与第四实施方式提供的透波结构120基本相同，不同之处在于，在第四实施方式中，第一贴片1211为矩形贴片，在本实施方式中，所述第一透波层121包括阵列排布的多个第一贴片1211，所述第一贴片1211为圆形。可选地，圆形的所述第一贴片1211的直径D的范围为0.5～0.8mm。
在本实施方式中，所述第三透波层123包括阵列排布的多个第二贴片1231，所述第二贴片1231为圆形。可选地，所述圆形的所述第二贴片1231的直径D的范围为0.5～0.8mm。可以理解地，所述第三透波层123的结构可与所述第一透波层121的结构相同。
请参阅图25，图25为本申请第六实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。本实施方式提供的透波结构120与第四实施方式提供的透波结构120基本相同，不同之处在于，在第四实施方式中，所述第一贴片1211为矩形贴片，在本实施方式中，所述第一透波层121包括阵列排布的多个第一贴片1211，所述第一贴片1211为圆环形。当所述第一贴片1211的材质为金属时，所述第一贴片1211为圆环形从而可以提升所述透波结构120的透明度。所述圆环形的第一贴片1211的尺寸的直径Do通常为0.5～0.8mm，圆环形的所述第一贴片1211的内径Di，通常而言，Do-Di的值越小，所述透波结构120的透明度越高，但是插入损耗越大。为了兼顾所述透波结构120的透明度及插入损耗，所述Do-Di的取值通常为：Do-Di≥0.5mm。可以理解地，所述第三透波层123的结构可与所述第一透波层121的结构相同。
请参阅图26，图26为本申请第七实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。本实施方式提供的透波结构120与第四实施方式提供的透波结构120基本相同，不同之处在于，在第四实施方式中，所述第一贴片1211为矩形贴片，在本实施方式中，所述第一透波层121包括阵列排布的多个第一贴片1211，所述第一贴片1211为正方形环状贴片。所述正方形的第一贴片1211的边长为Lo通常为0.5～0.8mm，正方形环状贴片的内变成为Li，通常而言，Lo-Li的值越小，透明度越高，但是插入损耗越大。为了兼顾所述透波结构120的透明度及插入损耗，所述Do-Di的取值通常为：Lo-Li≥0.5mm。可以理解地，所述第三透波层123的结构可与所述第一透波层121的结构相同。
请参阅图27，图27为本申请第八实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。本实施方式提供的透波结构120包括阵列排布的多个第一贴片1211，每个第一贴片1211均为正方形的金属网格贴片(mesh grid)。具体地，所述第一贴片1211包括多个第一分支1212以及多个第二分支1213，所述多个第一分支1212间隔排布，所述多个第二分支1213间隔排布，且所述第二分支1213与所述第一分支1212交叉设置且连接。可选地，所述第一分支1212沿着第一方向延伸且所述多个第一分支1212沿所述第二方向间隔排布。可选地，所述第二分支1213与所述第一分支1212垂直交叉。可选地，所述第一贴片1211的边长为：0.5～0.8mm。
请参阅图28，图28为本申请提供的天线组件的结构示意图。所述天线组件10包括天线模组200及前述任意实施方式中的显示屏组件100。所述天线模组200用于在预设范围内收发预设频段的射频信号，所述显示屏组件100中的透波结构120至少部分位于所述预设范围内。本实施方式所述的天线组件10中所包括的显示屏组件100以本申请第一实施方式提供的显示屏组件100为例进行示意。
请参阅图29，图29为本申请第一实施方式提供的电子设备的结构示意图。所述电子设备1包括所述天线组件10。所述天线组件10请参阅前面描述，在此不再赘述。
请一并参阅图30及图31，图30为本申请第二实施方式提供的电子设备的结构示意图；图31为图30中沿III-III线的剖面结构示意图。所述电子设备1包括天线组件10，所述天线组件10请参前面描述，在此不再赘述。所述显示屏本体110包括屏幕主体410及自所述屏幕主体410周缘弯曲延伸的延伸部420，所述透波结构120对应所述屏幕主体410设置。
请一并参阅图32及图33，图32为本申请第三实施方式提供的电子设备的结构示意图；图33为图32中沿IV-IV线的剖面结构示意图。所述电子设备1包括天线组件10，所述天线组件10请参前面描述，在此不再赘述。所述显示屏本体110包括屏幕主体410及自所述屏幕主体410周缘弯曲延伸的延伸部420，所述透波结构120对应所述延伸部420设置。
请参阅图34，图34为本申请一实施方式中的天线模组的剖面结构示意图。所述天线模组200包括射频芯片230、绝缘基板240、及一个或多个第一天线辐射体250。所述射频芯片230用于产生激励信号(也称为射频信号)。所述射频芯片230相较于所述一个或多个第一天线辐射体250背离所述带透波结构120设置，所述绝缘基板240用于承载所述一个或多个第一天线辐射体250，所述射频芯片230通过内嵌于所述绝缘基板240中的传输线与所述一个或多个第一天线辐射体250电连接。具体地，所述绝缘基板240包括相背的第一表面240a和第二表面240b，所述绝缘基板240用于承载所述一个或多个第一天线辐射体250包括所述绝缘基板240设置在所述第一表面240a，或者，所述一个或多个第一天线辐射体250内嵌于所述绝缘基板240内。在图34中以所述一个或多个第一天线辐射体250设置于所述第一表面240a，所述射频芯片230设置于所述第二表面240b为例进行示意。所述射频芯片230产生的所述激励信号通过内嵌于所述绝缘基板240中的传输线传输与所述一个或多个第一天线辐射体250电连接。所述射频芯片230可焊接在所述绝缘基板240上，以将所述激励信号经由内嵌于绝缘基板240中的传输线传输至第一天线辐射体250。所述第一天线辐射体250接收所述激励信号，并根据所述激励信号产生毫米波信号。所述第一天线辐射体250可以为但不仅限于为贴片天线。
进一步地，所述射频芯片230相较于所述第一天线辐射体250背离所述透波结构120，且所述射频芯片230输出所述激励信号的输出端位于所述绝缘基板240背离所述透波结构120的一侧。即，所述射频芯片230邻近所述绝缘基板240的第二表面240b而远离所述绝缘基板240的第一表面240a设置。
进一步地，每一个所述第一天线辐射体250包括至少一个馈电点251，每一个所述馈电点251均通过所述传输线与所述射频芯片230电连接，每一个所述馈电点251与所述馈电点251对应的第一天线辐射体250的中心之间的距离大于预设距离。调整所述馈电点251的位置可以改变所述第一天线辐射体250的输入阻抗，本实施方式中通过设置每一个所述馈电点251与对应的第一天线辐射体250的中心之间的距离大于预设距离，从而调整所述第一天线辐射体250的输入阻抗。调整所述第一天线辐射体250的输入阻抗以使得所述第一天线辐射体250的输入阻抗与所述射频芯片230的输出阻抗匹配，当所述第一天线辐射体250与所述射频芯片230的输出阻抗匹配时，所述射频信号产生的激励信号的反射量最小。
请参阅图35，图35为本申请另一实施方式中的天线模组的剖面结构示意图。本实施方式提供的天线模组200与第一实施方式中的天线模组200描述中提供的天线模组200基本相同。不同之处在于，在本实施方式中，所述天线模组200还包括第二天线辐射体260。即，在本实施方式中，所述天线模组200包括射频芯片230、绝缘基板240、一个或多个第一天线辐射体250、及第二天线辐射体260。所述射频芯片230用于产生激励信号。所述绝缘基板240包括相背设置的第一表面240a和第二表面240b，所述一个或多个第一天线辐射体250设置于所述第一表面240a，所述射频芯片230设置于所述第二表面240b。所述射频芯片230产生的所述激励信号经由内嵌于所述绝缘基板240中的传输线与所述一个或多个第一天线辐射体250电连接。所述射频芯片230可焊接在所述绝缘基板240上，以将所述激励信号经由内嵌于绝缘基板240中的传输线传输至第一天线辐射体250。所述第一天线辐射体250接收所述激励信号，并根据所述激励信号产生毫米波信号。
进一步地，所述射频芯片230相较于所述第一天线辐射体250背离所述透波结构120，且所述射频芯片230输出所述激励信号的输出端位于所述绝缘基板240背离所述透波结构120的一侧。
进一步地，每一个所述第一天线辐射体250包括至少一个馈电点251，每一个所述馈电点251均通过所述传输线与所述射频芯片230电连接，每一个所述馈电点251与所述馈电点251对应的第一天线辐射体250的中心之间的距离大于预设距离。
在本实施方式中，所述第二天线辐射体260内嵌在所述绝缘基板240内，所述第二天线辐射体260与所述第一天线辐射体250间隔设置，且所述第二天线辐射体260及所述第一天线辐射体250通过耦合作用而形成叠层天线。当所述第二天线辐射体260与所述第一天线辐射体250通过耦合作用而形成叠层天线时，所述第一天线辐射体250与所述射频芯片230电连接且所述第二天线辐射体260未与所述射频芯片230电连接，第二天线辐射体260耦合所述第一天线辐射体250辐射的毫米波信号，并且所述第二天线辐射体260根据耦合到的所述第一天线辐射体250辐射的毫米波信号而产生新的毫米波信号。
具体地，下面以所述天线模组200采用高密度互联工艺制备而成为例进行说明。所述绝缘基板240包括核心层241、以及多个层叠设置在所述核心层241相对两侧的布线层242。所述核心层241为绝缘层，各个布线层242之间通常设置绝缘层243。位于所述核心层241邻近所述透波结构120一侧且距离所述核心层241最远的布线层242的外表面构成所述绝缘基板240的第一表面240a。位于在所述核心层241背离所述透波结构120一侧且距离所述核心层241最远的布线层242的外表面构成所述绝缘基板240的第二表面240b。所述第一天线辐射体250设置于所述第一表面240a。所述第二天线辐射体260内嵌在所述绝缘基板240内，即，所述第二天线辐射体260可设置在其他的用于布局天线辐射体的布线层242上，且所述第二天线辐射体260未设置在所述绝缘基板240的表面。
在本实施方式中，以所述绝缘基板240为8层结构为例进行示意，可以理解地，在其他实施方式中，所述绝缘基板240也可以为其他层数。所述绝缘基板240包括核心层241以及第一布线层TM1、第二布线层TM2、第三布线层TM3、第四布线层TM4、第五布线层TM5、第六布线层TM6、第七布线层TM7、及第八布线层TM8。所述第一布线层TM1、所述第二布线层TM2、所述第三布线层TM3、及所述第四布线层TM4依次层叠设置在所述核心层241的同一表面，且所述第一布线层TM1相对于所述第四布线层TM4背离所述核心层241设置，所述第一布线层TM1背离所述核心层241的表面为所述绝缘基板240的第一表面240a。所述第五布线层TM5、所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8依次层叠在所述核心层241的同一表面，且所述第八布线层TM8相对于所述第五布线层TM5背离所述核心层241设置，所述第八布线层TM8背离所述核心层241的表面为所述绝缘基板240的第二表面240b。通常情况下，所述第一布线层TM1、所述第二布线层TM2、所述第三布线层TM3、及第四布线层TM4为可设置天线辐射体的布线层；所述第五布线层TM5为设置地极的地层；所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8为天线模组200中的馈电网络及控制线布线层。在本实施方式中，所述第一天线辐射体250设置在所述第一布线层TM1背离所述核心层241的表面，所述第二天线辐射体260设置在可设置在所述第三布线层TM3。在图中以第一天线辐射体250设置在所述第一布线层TM1的表面、所述第二天线辐射体260设置在所述第三布线层TM3为例进行示意。可以理解地，在其他实施方式中，所述第一天线辐射体250可设置在所述第一布线层TM1背离所述核心层241的表面，所述第二天线辐射体260可设置在所述第二布线层TM2，或者所述第二天线辐射体260可设置在所述第四布线层TM4。
进一步地，所述绝缘基板240中的第一布线层TM1、第二布线层TM2、第三布线层TM3、第四布线层TM4、所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8均电连接至所述第五布线层TM5中的地层。具体地，所述绝缘基板240中的第一布线层TM1、第二布线层TM2、第三布线层TM3、第四布线层TM4、所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8均开设通孔，通孔里设置金属材料以电连接所述第五布线层TM5中的地层，以将各个布线层242中设置的器件接地。
进一步地，所述第七布线层TM7及所述第八布线层TM8还设置有电源线271、及控制线272，所述电源线271及所述控制线272分别与所述射频芯片230电连接。所述电源线271用于为所述射频芯片230提供所述射频芯片230所需要的电能，所述控制线272用于传输控制信号至所述射频芯片230，以控制所述射频芯片230工作。
进一步地，请参阅图36，图36为本申请一实施方式中为M×N射频天线阵列示意图。所述电子设备1包括M×N个天线组件10构成的射频天线阵列，其中，M为正整数，N为正整数。在图中示意出来的是4×1个天线组件10构成的天线阵列。在在所述天线组件10中的所述天线模组200中，所述绝缘基板240还包括多个金属化过孔栅格244，所述金属化过孔栅格244围绕每一个所述第一天线辐射体250设置，以提升相邻的两个所述第一天线辐射体250之间的隔离度。请继续参阅图37，图37为本申请一实施方式中的天线模组组成射频天线阵列时的封装结构示意图。当所述金属化过孔栅格244用于在多个天线模组200形成射频天线阵列时，所述金属化过孔栅格244用于提升相邻天线模组200之间的隔离度，以减少甚至避免各个天线模组200产生的毫米波信号的干扰。
前面描述的天线模组200中以天线模组200为贴片天线、叠层天线为例进行描述，可以理解地，所述天线模组200还可以包括偶极子天线、磁电偶极子天线、准八木天线等。所述天线组件10可包括贴片天线、叠层天线、偶极子天线、磁电偶极子天线、准八木天线中的至少一种或者多种的组合。进一步地，所述M×N个天线组件10中的介质基板可相互连接为一体结构。
本申请还提供了一种电子设备1，请参阅图38，图38为本申请第四实施方式提供的电子设备的结构示意图。所述电子设备1包括第一天线模组210、显示屏本体110、及第一透波结构125。所述第一天线模组210用于在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号。所述显示屏本体110与所述第一天线模组210间隔设置，且至少部分所述显示屏本体110位于所述第一预设方向范围内，对预设频段的射频信号具有第一透过率。所述第一透波结构125承载于所述显示屏本体110，并至少覆盖所述显示屏本体110的部分区域，且所述第一透波结构125的至少部分位于所述第一预设方向范围内。所述电子设备1在所述第一透波结构125对应的区域内，对所述第一频段的第一射频信号具有第二透过率，其中，所述第二透过率大于所述第一透过率。
所述第一透波结构125可以为前述任意实施方式所述的透波结构。进一步地，所述电子设备1还包括中框80及电池盖90。所述中框80用于承载所述显示屏本体110，所述电池盖90与所述显示屏本体110相互配合以形成收容空间，以收容所述中框80及其他电子器件。
在图中，以所述显示屏本体110包括层叠设置的显示屏100a及盖板100b，且所述第一透波结构125设置在所述显示屏100a背离所述盖板100b的一侧为例进行示意。
请参阅图39，图39为本申请第五实施方式提供的电子设备的结构示意图。本实施方式提供的电子设备1与本申请第四实施方式提供的电子设备1基本相同，不同之处在于，在本实施方式中，所述电子设备1还包括第二天线模组220及第二透波结构126。所述第二天线模组220与所述第一天线模组210间隔设置且所述第二天线模组220位于所述第一预设方向范围之外，所述第二天线模组220用于在第二预设方向范围内收发第二频段的第二射频信号。所述显示屏本体110还与所述第二天线模组220间隔设置，至少部分所述显示屏本体110位于所述第二预设方向范围内，所述显示屏本体110位于所述第二预设方向范围内的部分对于所述第二频段的第二射频信号具有第三透过率。所述第二透波结构126被承载与所述显示屏本体110，且所述第二透波结构126的至少部分位于所述第二预设方向范围内，所述电子设备1在所述第二透波结构126对应的区域内，对所述第一频段的第二射频信号具有第四透过率，其中，所述第四透过率大于所述第三透过率。
所述第一透波结构125及所述第二透波结构126均可以为前述任意实施方式所述的透波结构。进一步地，所述显示屏本体110包括屏幕主体410和自所述屏幕主体410周缘弯曲延伸的延伸部420，其中，所述第一天线模组210及所述第二天线模组220均对应所述屏幕主体410设置。
请参阅图40，图40为本申请第六实施方式提供的电子设备的结构示意图。本实施方式中提供的电子设备1与本申请第五实施方式提供的电子设备1基本相同，不同之处在于，在本实施方式中，所述第一天线模组210及所述第二天线模组220均对应所述延伸部420设置。
请参阅图41，图41为本申请第七实施方式提供的电子设备的结构示意图。本实施方式中提供的电子设备1与本申请第五实施方式提供的电子设备1基本相同，不同之处在于，在本实施方式中，所述第一天线模组210对应所述屏幕主体410设置，所述第二天线模组220对应所述延伸部420设置。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (21)

1.一种显示屏组件，其特征在于，包括：
显示屏本体，所述显示屏本体对预设频段的射频信号具有第一透过率；
透波结构，所述透波结构承载于所述显示屏本体，并至少覆盖所述显示屏本体的部分区域，所述透波结构被所述预设频段的射频信号激励，并根据所述预设频段的射频信号产生与所述预设频段同频段的射频信号；
所述显示屏组件在所述透波结构对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。
2.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括层叠设置的显示屏及盖板，所述透波结构设置于所述盖板上。
3.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括阵列基板，所述阵列基板包括基板以及设置在所述基板上阵列分布的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极、及漏极，所述栅极设置在所述基板的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述沟道层设置在栅极绝缘层上且对应所述栅极设置，所述源极及所述漏极间隔设置在所述沟道层相对的两端且均与所述沟道层相连，所述透波结构为单层结构：所述透波结构与所述栅极同层设置；或者，所述透波结构与所述源极及所述漏极同层设置。
4.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括阵列基板，所述阵列基板包括基板以及设置在所述基板上阵列分布的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极、及漏极，所述栅极设置在所述基板的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述沟道层设置在栅极绝缘层上且对应所述栅极设置，所述源极及所述漏极间隔设置在所述沟道层相对的两端且均与所述沟道层相连，所述透波结构包括间隔层叠设置的第一透波层及第二透波层，所述第一透波层与所述栅极同层设置，所述第二透波层与所述源极及所述漏极同层设置。
5.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括阵列基板，所述阵列基板包括基板以及设置在所述基板上阵列分布的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括遮光层、第一绝缘层、沟道层、源极、漏极、第二绝缘层、栅极、及平坦层，所述遮光层设置在所述基板的一侧，所述第一绝缘层覆盖所述遮光层，所述沟道层设置在所述第一绝缘层上且对应所述遮光层设置，所述源极及所述漏极间隔设置在所述沟道层相对的两端且均与所述沟道层相连，所述第二绝缘层覆盖所述源极及所述漏极，所述栅极设置在所述第二绝缘层上，所述透波结构为单层结构：所述透波结构与所述遮光层同层设置；或者，所述透波结构与所述栅极同层设置；或者，所述透波结构与所述源极及所述漏极同层设置。
6.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括阵列基板，所述阵列基板包括基板以及设置在所述基板上阵列分布的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括遮光层、第一绝缘层、沟道层、源极、漏极、第二绝缘层、栅极、及平坦层，所述遮光层设置在所述基板的一侧，所述第一绝缘层覆盖所述遮光层，所述沟道层设置在所述第一绝缘层上且对应所述遮光层设置，所述源极及所述漏极间隔设置在所述沟道层相对的两端且均与所述沟道层相连，所述第二绝缘层覆盖所述源极及所述漏极，所述栅极设置在所述第二绝缘层上，所述透波结构包括间隔层叠设置的第一透波层及第二透波层，所述第一透波层及所述第二透波层与所述遮光层、所述栅极、所述源极中的任何两层同层设置。
7.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括阵列基板，所述阵列基板包括基板以及设置在所述基板上阵列分布的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括遮光层、第一绝缘层、沟道层、源极、漏极、第二绝缘层、栅极、及平坦层，所述遮光层设置在所述基板的一侧，所述第一绝缘层覆盖所述遮光层，所述沟道层设置在所述第一绝缘层上且对应所述遮光层设置，所述源极及所述漏极间隔设置在所述沟道层相对的两端且均与所述沟道层相连，所述第二绝缘层覆盖所述源极及所述漏极，所述栅极设置在所述第二绝缘层上，所述透波结构包括间隔层叠设置的第一透波层、第二透波层、及第三透波层，所述第一透波层与所述遮光层同层设置，所述第二透波层与所述栅极同层设置，所述第三透波层与所述源极同层设置。
8.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏组件包括阵列基板，所述阵列基板包括像素电极，所述像素电极的材质为透明的金属氧化物半导体，所述透波结构的至少部分和所述像素电极同层设置且与所述像素电极的材料相同。
9.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏组件包括阵列基板及彩膜基板，所述阵列基板与所述彩膜基板相对且间隔设置，所述透波结构包括第一透波层及第二透波层，所述第一透波层设置于所述阵列基板，所述第二透波层设置于所述彩膜基板。
10.如权利要求9所述的显示屏组件，其特征在于，所述彩膜基板包括像素电极，所述阵列基板包括公共电极，所述第一透波层与所述像素电极同层设置，所述第二透波层与所述公共电极同层设置。
11.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括基板以及设置在所述基板上阵列分布的发光单元，所述发光单元包括第一电极、发光层、及第二电极，所述第一电极相较于所述发光层及所述第二电极邻近所述基板设置，所述发光层设置在所述第一电极背离所述基板的一侧，所述第二电极设置在所述发光层背离所述第一电极的一侧，所述第一电极用于加载第一电压，所述第二电极用于加载第二电压，所述发光层用于在所述第一电压及所述第二电压的作用下发光，所述透波结构为单层结构，所述透波结构与所述第一电极或者第二电极同层设置。
12.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括基板以及设置在所述基板上阵列分布的发光单元，所述发光单元包括第一电极、发光层、及第二电极，所述第一电极相较于所述发光层及所述第二电极邻近所述基板设置，所述发光层设置在所述第一电极背离所述基板的一侧，所述第二电极设置在所述发光层背离所述第一电极的一侧，所述第一电极用于加载第一电压，所述第二电极用于加载第二电压，所述发光层用于在所述第一电压及所述第二电压的作用下发光，所述透波结构包括第一透波层及第二透波层，所述第一透波层与所述第一电极同层设置，所述第二透波层与所述第二电极同层设置。
13.如权利要求11或12所述的显示屏组件，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。
14.如权利要求4或6或9或12所述的显示屏组件，其特征在于，所述第一透波层具有通孔，所述第二透波层在所述第一透波层上的正投影落入所述通孔内。
15.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括相对设置的内表面及外表面，所述透波结构设置于所述内表面上。
16.如权利要求1所述的显示屏组件，其特征在于，所述显示屏本体包括屏幕主体及自所述屏幕主体周缘弯折延伸的延伸部，所述透波结构对应所述屏幕主体设置，或者，所述透波结构对应所述延伸部设置。
17.一种天线组件，其特征在于，所述天线组件包括天线模组及如权利要求1-16任意一项所述的显示屏组件，所述天线模组用于在预设范围内收发预设频段的射频信号，所述显示屏组件中的透波结构至少部分位于所述预设范围内。
18.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求17所述的天线组件。
19.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
第一天线模组，所述第一天线模组用于在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号；
显示屏本体，所述显示屏本体与所述第一天线模组间隔设置，且至少部分所述显示屏本体位于所述第一预设方向范围内，对预设频段的射频信号具有第一透过率；
第一透波结构，所述第一透波结构承载于所述显示屏本体，并至少覆盖所述显示屏本体的部分区域，且所述第一透波结构的至少部分位于所述第一预设方向范围内，所述电子设备在所述第一透波结构对应的区域内，对所述第一频段的第一射频信号具有第二透过率，其中，所述第二透过率大于所述第一透过率。
20.如权利要求19所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括：
第二天线模组，所述第二天线模组与所述第一天线模组间隔设置且所述第二天线模组位于所述第一预设方向范围之外，所述第二天线模组用于在第二预设方向范围内收发第二频段的第二射频信号；
所述显示屏本体还与所述第二天线模组间隔设置，至少部分所述显示屏本体位于所述第二预设方向范围内，所述显示屏本体位于所述第二预设方向范围内的部分对于所述第二频段的第二射频信号具有第三透过率；
第二透波结构，所述第二透波结构被承载与所述显示屏本体，且所述第二透波结构的至少部分位于所述第二预设方向范围内，所述电子设备在所述第二透波结构对应的区域内，对所述第一频段的第二射频信号具有第四透过率，其中，所述第四透过率大于所述第三透过率。
21.如权利要求20所述的电子设备，其特征在于，所述显示屏本体包括屏幕主体和自所述屏幕主体周缘弯曲延伸的延伸部，其中，所述第一天线模组及所述第二天线模组均对应所述屏幕主体设置；或者，所述第一天线模组及所述第二天线模组均对应所述延伸部设置；或者，所述第一天线模组对应所述屏幕主体设置，所述第二天线模组对应所述延伸部设置。
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