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CN112151445B - 一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置 - Google Patents

一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置 Download PDF

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CN112151445B CN202011044909.9A CN202011044909A CN112151445B CN 112151445 B CN112151445 B CN 112151445B CN 202011044909 A CN202011044909 A CN 202011044909A CN 112151445 B CN112151445 B CN 112151445B
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Abstract

一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置，涉及但不限于显示技术领域，所述显示基板包括显示区域和位于显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括靠近显示区域的隔离区和位于所述隔离区的远离显示区域一侧的焊盘区；所述显示基板的制备方法包括：在基底的显示区域形成驱动结构层，在基底的绑定区域形成绑定结构层；在显示区域的驱动结构层上形成发光结构层，在所述隔离区的绑定结构层上形成隔离坝；在显示区域形成封装结构层，在绑定区域形成无机封装层，无机封装层包裹所述隔离坝；去除所述焊盘区的无机封装层。本公开实施例的显示基板的制备方法，在无机封装层的成膜过程中可不使用掩膜版，可节省生产成本。

Description

一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置。
背景技术
近些年随着有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示技术的兴起，市场对AMOLED显示装置的需求不断提升。由于有机发光二极管(OLED)显示产品采用有机发光材料自主发光的模式，因此在生产工艺中，需要考虑如何隔绝外部水氧侵入显示区域，避免外部水氧损坏有机发光材料而影响显示。一些技术中采用薄膜封装工艺将显示区域的OLED发光元件封装，以隔绝外部水氧，薄膜封装结构包括无机封装层和有机封装层，无机封装层在制备过程中采用化学气相沉积的方式制成，在化学气相沉积过程中需要配合使用掩膜版以将无机封装层形成在局部区域，这增加了生产成本。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置，在无机封装层制备过程中不需要使用掩膜版，可节约生产成本。
本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括靠近所述显示区域的隔离区和位于所述隔离区的远离显示区域一侧的焊盘区；所述制备方法包括：
在基底的显示区域形成驱动结构层，在基底的绑定区域形成绑定结构层；所述驱动结构层包括像素驱动电路；
在显示区域的驱动结构层上形成发光结构层，在所述隔离区的绑定结构层上形成隔离坝，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件；
在显示区域形成封装结构层，在绑定区域形成无机封装层，所述无机封装层包裹所述隔离坝；
去除所述焊盘区的无机封装层。
可选地，所述在显示区域形成封装结构层，在绑定区域形成无机封装层，包括：
在形成有所述发光结构层和所述隔离坝的基底的整个表面形成第一无机封装层；
在显示区域的第一无机封装层上形成有机封装层；
在形成有所述有机封装层的基底的整个表面形成第二无机封装层。
可选地，所述去除所述焊盘区的无机封装层之前，所述制备方法还包括：
在形成有所述第二无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成第一触控金属层，所述第一触控金属层包括设置在显示区域的连接桥；
在形成有所述第一触控金属层的基底的整个表面形成触控绝缘层；
所述去除所述焊盘区的无机封装层，包括：将焊盘区的所述触控绝缘层、所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除；
所述去除所述焊盘区的无机封装层之后，所述制备方法还包括：在所述触控绝缘层上形成第二触控金属层，所述第二触控金属层包括设置在显示区域的沿第一方向排列的多个第一触控电极，以及沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过所述触控绝缘层上设置的过孔与所述连接桥连接。
可选地，所述去除所述焊盘区的无机封装层之前，所述制备方法还包括：
在形成有所述第二无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成触控金属层，所述触控金属层包括设置在显示区域的多个触控电极；
所述去除所述焊盘区的无机封装层，包括：将焊盘区的所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除。
可选地，所述将焊盘区的所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除之后，所述制备方法还包括：形成覆盖所述触控金属层的覆盖层。
可选地，所述去除所述焊盘区的无机封装层之后，所述制备方法还包括：
在形成有所述封装结构层和所述无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成第一触控金属层，所述第一触控金属层包括设置在显示区域的连接桥；
在形成有所述第一触控金属层的基底的整个表面形成触控绝缘层；
将焊盘区的所述触控绝缘层和所述保护层去除；
在所述触控绝缘层上形成第二触控金属层，所述第二触控金属层包括设置在显示区域的沿第一方向排列的多个第一触控电极，以及沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过所述触控绝缘层上设置的过孔与所述连接桥连接。
可选地，所述去除所述焊盘区的无机封装层之后，所述制备方法还包括：
在形成有所述封装结构层和所述无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成触控金属层，所述触控金属层包括设置在显示区域的多个触控电极；
将焊盘区的所述保护层去除；
形成覆盖所述触控金属层的覆盖层。
本公开实施例还提供一种显示基板，采用任一实施例所述的显示基板的制备方法制成。
可选地，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括靠近所述显示区域的隔离区和位于所述隔离区的远离显示区域一侧的焊盘区；
所述显示区域包括叠设在基底上的驱动结构层、发光结构层和封装结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件；
所述绑定区域包括设置在基底上的绑定结构层，所述隔离区的绑定结构层上设置有隔离坝，所述绑定区域还包括无机封装层，所述无机封装层覆盖所述隔离区的所述绑定结构层并包裹所述隔离坝，所述无机封装层暴露出所述焊盘区的所述绑定结构层。
可选地，所述隔离区的所述绑定结构层包括设置在基底上的复合绝缘层，设置在所述复合绝缘层上的第一电源线和第二电源线，以及设置在所述复合绝缘层上的平坦层，所述第一电源线相较于所述第二电源线靠近所述显示区域，所述隔离坝设置在所述第二电源线上；
所述隔离区内，所述平坦层覆盖所述第一电源线，并暴露出所述第二电源线的远离所述基底的表面，以及暴露出所述隔离坝远离显示区域一侧的所述复合绝缘层的表面，所述无机封装层设置在所述平坦层上，并设置在所述隔离坝远离显示区域一侧的所述复合绝缘层上。
可选地，所述显示基板还包括在所述封装结构层上叠设的保护层、第一触控金属层、触控绝缘层和第二触控金属层，所述第一触控金属层包括设置在显示区域的连接桥，所述第二触控金属层包括设置在显示区域的沿第一方向排列的多个第一触控电极、沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过所述触控绝缘层上设置的过孔与所述连接桥连接。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。
本公开实施例的显示基板的制备方法，绑定区域的无机封装层在制备过程中，先在绑定区域的隔离区和焊盘区均形成无机封装层，然后将焊盘区的无机封装层去除，由此，在形成无机封装层过程中可不必使用掩膜版，相较于一些技术中采用化学气相沉积并配合使用掩膜版形成无机封装层的方式，可节约生产成本。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为本公开显示基板的一种平面结构示意图；
图2为在一些示例性实施例中图1的显示基板的A-A剖面结构的示意图；
图3为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成柔性基底图案后的示意图；
图4为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成驱动结构层和绑定结构层图案后的示意图；
图5为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成平坦层图案后的示意图；
图6为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成阳极图案后的示意图；
图7为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成像素定义层图案后的示意图；
图8为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成隔垫柱图案后的示意图；
图9为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成有机发光层和阴极图案后的示意图；
图10为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成复合封装薄膜后的示意图；
图11为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中对复合封装薄膜刻蚀后形成封装结构层后的示意图；
图12为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成保护薄膜、第一触控金属层和触控绝缘薄膜后的示意图；
图13为在一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成保护层、第一触控金属层和触控绝缘层后的示意图；
图14为在另一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成保护薄膜、第一触控金属层和触控绝缘薄膜后的示意图；
图15为在另一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成封装结构层、保护层、第一触控金属层和触控绝缘层后的示意图；
图16为在又一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成保护薄膜、触控金属层后的示意图；
图17为在又一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成保护层、触控金属层后的示意图；
图18为在又一些示例性实施例中在制备显示基板过程中形成覆盖层后的显示基板的结构示意图；
图19为在一些示例性实施例中显示基板的制备流程图。
附图标记:
1—玻璃载板； 10—柔性基底； 11—第一绝缘层；
12—第二绝缘层； 13—第三绝缘层； 14—第四绝缘层；
15—平坦层； 21—阳极； 22—像素定义层；
23—有机发光层； 24—阴极； 25—第一封装层；
26—第二封装层； 27—第三封装层； 30—平坦坝基；
31—第一坝基； 32—第二坝基； 33—隔垫柱；
51—保护层； 52—第一触控金属层； 53—触控绝缘层；
54—第二触控金属层； 55—覆盖层； 61—触控金属层；
100—显示区域； 101—驱动晶体管； 102—存储电容；
200—绑定区域； 201—隔离区； 202—焊盘区；
210—第一电源线； 220—第二电源线； 250—第一封装薄膜；
270—第三封装薄膜； 300—边缘区域； 410—第一隔离坝；
420—第二隔离坝； 510—保护薄膜； 530—触控绝缘薄膜；
550—覆盖薄膜。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本申请的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。
图1为本公开显示基板的平面结构示意图。如图1所示，本公开显示基板包括显示区域100和位于显示区域100周边的非显示区域，非显示区域包括位于显示区域100一侧的绑定区域200和位于显示区域100其它侧的边缘区域300，显示区域100至少包括规则排列的多个显示单元。绑定区域200包括靠近显示区域100的隔离区201和位于隔离区201的远离显示区域100一侧的焊盘区202。隔离区201至少包括隔离坝和将显示区域100的多个显示单元的信号线连接至焊盘区202的连接线。焊盘区202包括绑定焊盘，绑定焊盘配置为与外部的驱动集成电路(Integrated Circuit，IC)和/或柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)绑定连接，可通过绑定的IC和/或FPC向显示区域100的连接至焊盘区202的信号线提供信号，以驱动显示区域100进行显示。边缘区域300至少包括隔离坝和向多个显示单元传输电压信号的电源线，绑定区域200和边缘区域300的隔离坝形成环绕显示区域100的环形结构。
图2为本公开实施例的一种显示基板的结构示意图，为图1中的A-A剖面结构示意图。在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面方向，本公开显示基板包括显示区域100和绑定区域200，绑定区域200位于显示区域100的一侧。在垂直于显示基板的平面方向，显示区域100包括柔性基底10，设置在柔性基底10上的驱动结构层，设置在驱动结构层上的发光结构层，覆盖发光结构层的封装结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件。绑定区域200包括靠近显示区域100的隔离区201和位于隔离区201的远离显示区域100一侧的焊盘区202。绑定区域200包括柔性基底10和设置在柔性基底10上的绑定结构层，隔离区201的绑定结构层上设置有第一隔离坝410和第二隔离坝420，绑定区域200还包括无机封装层，无机封装层覆盖隔离区201的所述绑定结构层并包裹第一隔离坝410和第二隔离坝420，所述无机封装层暴露出焊盘区202的所述绑定结构层。
在一些示例性实施例中，如图2所示，显示区域100的驱动结构层包括形成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图2中以一个驱动晶体管101和一个存储电容102为例进行示意。显示区域100的驱动结构层包括：设置在柔性基底10上的第一绝缘层11，设置在第一绝缘层11上的有源层，覆盖有源层的第二绝缘层12，设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层，覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13，设置在第三绝缘层13上的第二栅金属层，覆盖第二栅金属层的第四绝缘层14，设置在第四绝缘层14上的源漏金属层，以及覆盖源漏金属层的平坦层15。第一栅金属层至少包括栅电极和第一电容电极，第二栅金属层至少包括第二电容电极，源漏金属层至少包括源电极和漏电极。有源层、栅电极、源电极和漏电极组成驱动晶体管101，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容102。发光结构层设置在平坦层15上，发光结构层包括阳极21、像素定义层22、有机发光层23和阴极24，阳极21、有机发光层23和阴极24组成发光元件，阳极21通过平坦层15上开设的过孔与驱动晶体管101的漏电极连接。封装结构层包括叠设的第一封装层25、第二封装层26和第三封装层27，有机材料的第二封装层26设置在无机材料的第一封装层25和第三封装层27之间。
在一些示例性实施例中，如图2所示，绑定区域200的绑定结构层包括设置在柔性基底10上并由多个无机绝缘层组成的复合绝缘层、设置在复合绝缘层上的第一电源线210和第二电源线220，以及设置在所述复合绝缘层上的平坦层15，第一电源线210相较于第二电源线220靠近显示区域100，第一隔离坝410和第二隔离坝420设置在第二电源线220上，第一隔离坝410相较于第二隔离坝420靠近显示区域100。隔离区201内，所述平坦层15覆盖所述第一电源线210，并暴露出所述第二电源线220的远离所述柔性基底10的表面，以及暴露出第二隔离坝420远离显示区域100一侧的所述复合绝缘层的表面，所述无机封装层设置在平坦层15上，并包裹第一隔离坝410和第二隔离坝420，所述无机封装层还设置在第二隔离坝420远离显示区域100一侧的所述复合绝缘层上。
在一些示例中，所述复合绝缘层包括在柔性基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。第一电源线210和第二电源线220设置在第四绝缘层14上，与显示区域100的源电极和漏电极同层设置，且通过同一次构图工艺形成。第一电源线210与显示区域100的高电压电源线连接，配置为向显示区域100的多个显示单元传输高电压信号，第二电源线220与边缘区域300的低电压电源线连接，被配置为向显示区域100的多个显示单元传输低电压信号。隔离区201的无机封装层包括叠设的第一封装层25和第三封装层27，无机材料的第一封装层25和第三封装层27将第一隔离坝410和第二隔离坝420包裹，并设置在第二隔离坝420远离显示区域100一侧的第四绝缘层14上。此外，隔离区201内邻近显示区域100的平坦层15上设置有像素定义层22，像素定义层22上设置有多个间隔设置的隔垫柱33，阴极24包裹多个隔垫柱33。
在一些实施方式中，在显示基板的封装结构层上还设置有触控结构，形成柔性多层覆盖表面式(Flexible Multi Layer On Cell，简称FMLOC)结构形式，将显示结构和触控结构集成在一起，具有轻薄、可折叠等优点，可以满足柔性折叠、窄边框等产品需求。如图2所示，所述显示基板还包括设置在所述显示区域100的封装结构层上的触控电极层，以及设置在绑定区域200的无机封装层上的触控走线层。
在一些示例性实施例中，触控结构可以采用互容式结构，如图2所示，显示区域100的触控电极层可以包括依次叠设在第三封装层27上的保护层51、第一触控金属层52、触控绝缘层53、第二触控金属层54和覆盖层55。第一触控金属层52包括多个连接桥，第二触控金属层54可以包括沿第一方向排列的多个第一触控电极，以及沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过触控绝缘层53上设置的过孔与所述连接桥连接，即连接桥将相邻的两个第二触控电极连接。绑定区域200的触控走线层可以包括与多个第一触控电极连接的多个第一触控连接线，与多个第二触控电极连接的多个第二触控连接线。在其他实施方式中，触控结构可采用自容式结构。
下面通过显示基板的制备过程的示例说明本公开显示基板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。
(1)在玻璃载板1上制备柔性基底10。本公开中，柔性基底10可以包括在玻璃载板1上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一柔性材料层、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机材料层、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一无机材料层、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在一示例性实施方式中，以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成柔性基底10的制备，如图3所示。本次工艺后，显示区域100和绑定区域200均包括柔性基底10。
(2)在柔性基底10上制备驱动结构层和绑定结构层。显示区域100的驱动结构层包括构成像素驱动电路的驱动晶体管101和存储电容102，绑定区域200的绑定结构层包括第一电源线210和第二电源线220。在一示例性实施方式中，驱动结构层的制备过程可以包括：
在柔性基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个柔性基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的有源层图案，有源层图案形成在显示区域100。本次构图工艺后，绑定区域200包括设置在柔性基底10上的第一绝缘层11。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案形成在显示区域100，至少包括栅电极和第一电容电极。本次构图工艺后，绑定区域200包括在柔性基底10叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层12。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层13，以及设置在第三绝缘层13上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案形成在显示区域100，至少包括第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。本次构图工艺后，绑定区域200包括在柔性基底10叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层14图案，第四绝缘层14上开设有两个第一过孔，两个第一过孔内的第四绝缘层14、第三绝缘层13和第二绝缘层12被刻蚀掉，暴露出有源层的表面。本次构图工艺后，绑定区域200包括在柔性基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层14上形成源漏金属层图案，源漏金属层包括位于显示区域100的源电极和漏电极、以及位于绑定区域200的第一电源线210和第二电源线220，源电极和漏电极分别通过第一过孔与有源层连接。
(3)在形成前述图案的柔性基底上涂覆有机材料的平坦薄膜，形成覆盖整个柔性基底10的平坦化(PLN)层15，通过掩膜、曝光、显影工艺，在显示区域100的平坦层15上形成第二过孔K2，在隔离区201内的第二电源线220上形成平坦坝基30图案。第二过孔内的平坦层15被显影掉，暴露出驱动晶体管101的漏电极的表面。平坦坝基30是第二隔离坝的坝基。隔离区201内平坦层15覆盖第一电源线210，并暴露出第二电源线220表面，以及隔离区201的远离显示区域100部分的复合绝缘层的表面，如图5所示。
本次构图工艺后，绑定区域200包括设置在柔性基底10上的复合绝缘层，设置在复合绝缘层上的第一电源线210和第二电源线220，设置在第一电源线210和第二电源线220上的平坦层15，隔离区201内平坦层15覆盖第一电源线210，并暴露出第二电源线220的表面，以及隔离区201的远离显示区域100部分的复合绝缘层的表面，第二电源线220上形成有平坦坝基30，平坦坝基30位于绑定区域200的隔离区201。
至此，在柔性基底10上制备完成显示区域100的驱动结构层和绑定区域200的绑定结构层图案，如图4所示。显示区域100的驱动结构层中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成驱动晶体管101，第一电容电极和第二电容电极存储电容102。绑定区域200的绑定结构层包括设置在柔性基底10上的复合绝缘层，设置在复合绝缘层上的第一电源线210和第二电源线220，以及设置在第一电源线210和第二电源线220上的平坦层15、以及设置在第二电源线220上的平坦坝基30。复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和第四绝缘层14。在示例性实施方式中，第一电源线210与第二电源线220之间的间距为50μm到100μm。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层。第一金属层、第二金属层和第三金属层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
(4)在形成前述图案的柔性基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极21图案，阳极21形成在显示区域100的平坦层15上，通过第二过孔K2与驱动晶体管101的漏电极连接，如图6所示。本次构图工艺后，绑定区域200的膜层结构没有变化。在示例性实施方式中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
(5)在形成前述图案的基底10上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义(PDL)层22、第一坝基31和第二坝基32图案，如图7所示。像素定义层22形成在显示区域100，以及隔离区201邻近显示区域100的部分区域，显示区域100的像素定义层22上开设有像素开口，像素开口内的像素定义层22被显影掉，暴露出阳极21的表面。第一坝基31和第二坝基32形成在绑定区域200的隔离区201内，第一坝基31形成在隔离区201内的第二电源线220上，第二坝基32形成在平坦坝基30上，第一坝基31与显示区域100的距离小于第二坝基32与显示区域100的距离。本公开中，第一坝基31是用于形成第一隔离坝，平坦坝基30和第二坝基32是用于形成第二隔离坝。在示例性实施方式中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
(6)在形成前述图案的柔性基底上涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成多个隔垫柱(PS)33图案，多个隔垫柱33分别形成在隔离区201的像素定义层22、第一坝基31和第二坝基32上，如图8所示。在示例性实施方式中，平坦坝基30、第一坝基31、第二坝基32和隔垫柱33的截面形状为梯形，第一坝基31和其上的隔垫柱33组成第一支撑坝410，平坦坝基30、第二坝基32和其上的隔垫柱33组成第二支撑坝420。第一支撑坝410的上端面与柔性基底10的距离小于第二支撑坝420的上端面与柔性基底10的距离，第一支撑坝410与显示区域100的距离小于第二支撑坝420与显示区域100的距离。在示例性实施方式中，第一支撑坝410与第二支撑坝420之间的间距为20μm到60μm。
(7)在形成前述图案的柔性基底上依次形成有机发光层23和阴极24，如图9所示。有机发光层23形成在显示区域100的像素开口内，实现有机发光层23与阳极21连接，阴极24形成在像素定义层22上，与有机发光层23连接，并包裹隔离区201内的像素定义层22上的多个隔垫柱33。在示例性实施方式中，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。在其他示例中，有机发光层23与阳极21之间还可以形成有空穴注入层和空穴传输层，有机发光层23与阴极24之间还可以形成有电子传输层和电子注入层。
(8)在形成前述图案的柔性基底10上形成复合封装薄膜，形成复合封装薄膜的过程包括：在形成前述图案的柔性基底10上整面沉积第一封装薄膜250，在显示区域100的第一封装薄膜250上形成第二封装层26，在形成前述图案的柔性基底10上整面沉积第三封装薄膜270。第一封装薄膜250和第三封装薄膜270均覆盖柔性基底10的全部表面，如图10所示。第一封装薄膜250和第三封装薄膜270均采用无机材料，第二封装层26采用有机材料。第二封装层26可以采用喷墨打印工艺制成。
(9)对复合封装薄膜进行刻蚀，将绑定区域200的焊盘区202内的第一封装薄膜250和第三封装薄膜270刻蚀掉，在显示区域100形成封装结构层，在绑定区域200的隔离区201形成无机封装层，焊盘区202的焊盘被暴露出，如图11所示。
显示区域100的封装结构层包括叠设的第一封装层25、第二封装层26和第三封装层27。隔离区201的无机封装层包括叠设的第一封装层25和第三封装层27。第一封装层25采用无机材料，在显示区域100覆盖阴极24，在隔离区201分别包裹多个隔垫柱33、第一支撑坝410和第二支撑坝420。第二封装层26采用有机材料，设置在显示区域100和隔离区201的隔垫柱33所在区域。第三封装层27采用无机材料，覆盖第一封装层25和第二封装层26。由于隔离区201内第二电源线220和位于第二隔离坝420远离显示区域100一侧的第四绝缘层14的表面被暴露，因而无机材料的第一封装层25和第三封装层27直接覆盖在暴露的第二电源线220和第四绝缘层14上，隔离区201的无机封装层可以保证外界水汽无法进入显示区域100，避免屏幕黑斑的产生，提高了封装效果和工艺质量。
一些技术中，第一封装层25和第三封装层27均采用化学气相沉积法并配合使用掩膜版的方式制成，沉积过程中掩膜版将焊盘区202的焊盘遮挡，避免了第一封装层25和第三封装层27沉积在焊盘上，但是，由于沉积过程中使用了掩膜版，这会增加生产成本。
本公开实施例中，在制备显示区域100的封装结构层和绑定区域200的无机封装层过程中，先在柔性基底10上整面沉积第一封装薄膜250，然后在显示区域100形成第二封装层26，然后在柔性基底10上整面沉积第三封装薄膜270，形成复合封装薄膜。之后，对复合封装薄膜进行刻蚀，将绑定区域200的焊盘区202内叠设的第一封装薄膜250和第三封装薄膜270刻蚀掉，使焊盘区202的焊盘被暴露出，从而在显示区域100形成封装结构层，在绑定区域200的隔离区201形成无机封装层。显示区域100的封装结构层包括叠设的第一封装层25、第二封装层26和第三封装层27。绑定区域200的隔离区201的无机封装层包括叠设的第一封装层25和第三封装层27。由于第一封装层25和第三封装层27均是先在柔性基底10上整面沉积封装薄膜，之后对封装薄膜刻蚀形成，而整面沉积封装薄膜过程不需要使用掩膜版，因此，第一封装层25和第三封装层27在制备过程中在成膜时不需要使用掩膜版。相较于一些技术中，第一封装层25和第三封装层27均采用化学气相沉积(CVD)法并配合使用相应掩膜版(Mask)的制备方法，本公开实施例中形成第一封装层25和第三封装层27的方法由于成膜过程不需要使用掩膜版，因此可节省生产成本。
在一些示例性实施例中，显示基板还包括设置在封装结构层的远离基底10一侧的功能膜层，比如触控结构层。上述步骤(9)对复合封装薄膜进行刻蚀，以将绑定区域200的焊盘区202的第一封装薄膜250和第三封装薄膜270刻蚀掉，使焊盘区202的焊盘被暴露出的工艺，可以在形成后续功能膜层之前进行，或者可以在形成后续功能膜层的过程中进行。
(10)在形成前述图案的柔性基底10上整面沉积保护薄膜510，然后，沉积第一触控金属薄膜，通过构图工艺对第一触控金属薄膜进行构图，形成第一触控金属层52，第一触控金属层52在显示区域100包括连接桥图案；然后，沉积触控绝缘薄膜530，绑定区域200的焊盘区202内包括叠设在复合绝缘层上的触控绝缘薄膜530和保护薄膜510，如图12所示。
(11)将绑定区域200的焊盘区202内的触控绝缘薄膜530和保护薄膜510刻蚀去除，形成保护层51、第一触控金属层52和触控绝缘层53。保护层51覆盖显示区域100和绑定区域200的隔离区201，并将绑定区域200的焊盘区202的焊盘暴露出。第一触控金属层52在显示区域100包括连接桥图案。触控绝缘层53设置在显示区域100和绑定区域200的隔离区201，覆盖第一触控金属层52，并将绑定区域200的焊盘区202的焊盘暴露出，如图13所示。在示例性实施例中，保护层51的材料可以是无机材料，可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种。触控绝缘层53的材料可以为有机树脂材料，例如亚克力胶，或者为无机材料，可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种。
(12)在形成前述图案的柔性基底10上沉积第二触控金属薄膜，通过构图工艺对第二触控金属薄膜进行构图，形成第二触控金属层54图案，第二触控金属层54在显示区域100包括沿第一方向排列的多个第一触控电极，沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，与第一触控电极连接的第一触控电极引线，以及与第二触控电极连接的第二触控电极引线，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第一触控电极在第二触控金属层54直接连接，相邻两个第二触控电极通过触控绝缘层53上开设的过孔与第一触控金属层52的连接桥连接，第二触控金属层54在绑定区域200包括与第一触控电极引线连接的第一触控连接线，与第二触控电极引线连接的第二触控连接线。
随后，在形成前述图案的基底10上涂覆覆盖薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成覆盖层55，覆盖层55形成在显示区域100和绑定区域200，覆盖第二触控金属层54，并暴露出焊盘区202的焊盘，如图2所示。覆盖层55的材料可以是有机材料，在其他示例中可以为无机材料。
上述实施例中，步骤(10)至(12)是在对复合封装薄膜进行刻蚀，形成显示区域100的封装结构层和绑定区域200的无机封装层之后，制备触控结构层。
在另一些示例性实施例中，对复合封装薄膜进行刻蚀，形成显示区域100的封装结构层和绑定区域200的无机封装层的工艺，在制备后续的触控结构层过程中进行。示例性地，在上述实施例的步骤(8)之后，后续触控结构层的制备过程可以包括如下步骤：
接前文步骤(8)，形成复合封装薄膜(如图10所示)之后，在形成前述图案的柔性基底10上整面沉积保护薄膜510，然后，沉积第一触控金属薄膜，通过构图工艺对第一触控金属薄膜进行构图，形成第一触控金属层52，第一触控金属层52在显示区域100包括连接桥图案；然后，沉积触控绝缘薄膜530。绑定区域200的焊盘区202内包括叠设在复合绝缘层上的第一封装薄膜250、第三封装薄膜270、保护薄膜510和触控绝缘薄膜530，如图14所示。
之后，将绑定区域200的焊盘区202内的第一封装薄膜250、第三封装薄膜270、保护薄膜510和触控绝缘薄膜530一并刻蚀去除，绑定区域200的焊盘区202的焊盘被暴露出。从而，在显示区域100形成封装结构层，在绑定区域200的隔离区201形成无机封装层，在第三封装层27上形成叠设的保护层51、第一触控金属层52和触控绝缘层53，如图15所示，可与前文实施例中图13的结构相同。本步骤中在对触控绝缘薄膜530进行刻蚀形成触控绝缘层53过程中，由于需要同时将焊盘区202内的第一封装薄膜250、第三封装薄膜270、保护薄膜510和触控绝缘薄膜530一并刻蚀去除，考虑到刻蚀过程中增加了对第一封装薄膜250和第三封装薄膜270的刻蚀，因此，在设计触控绝缘层53上的过孔尺寸时，需要对刻蚀过程中过孔减少的尺寸进行补偿设计。
最后，在形成前述图案的柔性基底10上沉积第二触控金属薄膜，通过构图工艺对第二触控金属薄膜进行构图，形成第二触控金属层54图案。随后，在形成前述图案的基底10上涂覆覆盖薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成覆盖层55，覆盖层55形成在显示区域100和绑定区域200，覆盖第二触控金属层54，并暴露出焊盘区202的焊盘，如图2所示。覆盖层55的材料可以是有机材料或无机材料。
前文实施例中，触控结构层包括两个金属层，分别为第一触控金属层52和第二触控金属层54，触控结构采用互容式结构。在另一些示例性实施例中，触控结构层可以包括一个金属层，触控结构采用自容式结构。示例性地，在前文实施例的步骤(8)之后，后续触控结构层的制备过程可以包括如下步骤：
接前文步骤(8)，形成复合封装薄膜(如图10所示)之后，在形成前述图案的柔性基底10上整面沉积保护薄膜510，然后，沉积触控金属薄膜，通过构图工艺对触控金属薄膜进行构图，形成触控金属层61。触控金属层61在显示区域100包括多个阵列排布的触控电极和与触控电极连接的触控电极引线，在绑定区域200包括与显示区域100的触控电极引线连接的触控连接线，如图16所示。
之后，将绑定区域200的焊盘区202内的保护薄膜510刻蚀去除，形成保护层51，保护层51将焊盘区202的焊盘暴露出，如图17所示。
最后，在形成前述图案的基底10上涂覆覆盖薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成覆盖层55，覆盖层55形成在显示区域100和绑定区域200，覆盖触控金属层61，并暴露出焊盘区202的焊盘，如图18所示。覆盖层55的材料可以是有机材料，在其他实施方式中可以为无机材料。
基于前文内容，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括靠近所述显示区域的隔离区和位于所述隔离区的远离显示区域一侧的焊盘区。如图19所示，所述制备方法包括如下步骤：
S1、在基底的显示区域形成驱动结构层，在基底的绑定区域形成绑定结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；
S2、在显示区域的驱动结构层上形成发光结构层，在所述隔离区的绑定结构层上形成隔离坝，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件；
S3、在显示区域形成封装结构层，在绑定区域形成无机封装层，所述无机封装层包裹所述隔离坝；
S4、去除所述焊盘区的无机封装层。
在一些示例性实施例中，所述在显示区域形成封装结构层，在绑定区域形成无机封装层，包括：
在形成有所述发光结构层和所述隔离坝的基底的整个表面形成第一无机封装层；
在显示区域的第一无机封装层上形成有机封装层；
在形成有所述有机封装层的基底的整个表面形成第二无机封装层。
在一些示例性实施例中，所述去除所述焊盘区的无机封装层之前，所述制备方法还包括：
在形成有所述第二无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成第一触控金属层，所述第一触控金属层包括设置在显示区域的连接桥；
在形成有所述第一触控金属层的基底的整个表面形成触控绝缘层；
所述去除所述焊盘区的无机封装层，包括：将焊盘区的所述触控绝缘层、所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除；
所述去除所述焊盘区的无机封装层之后，所述制备方法还包括：在所述触控绝缘层上形成第二触控金属层，所述第二触控金属层包括设置在显示区域的沿第一方向排列的多个第一触控电极，以及沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过所述触控绝缘层上设置的过孔与所述连接桥连接。
在一些示例性实施例中，所述去除所述焊盘区的无机封装层之前，所述制备方法还包括：
在形成有所述第二无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成触控金属层，所述触控金属层包括设置在显示区域的多个触控电极；
所述去除所述焊盘区的无机封装层，包括：将焊盘区的所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除。
在一些示例性实施例中，所述将焊盘区的所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除之后，所述制备方法还包括：形成覆盖所述触控金属层的覆盖层。
在一些示例性实施例中，所述去除所述焊盘区的无机封装层之后，所述制备方法还包括：
在形成有所述封装结构层和所述无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成第一触控金属层，所述第一触控金属层包括设置在显示区域的连接桥；
在形成有所述第一触控金属层的基底的整个表面形成触控绝缘层；
将焊盘区的所述触控绝缘层和所述保护层去除；
在所述触控绝缘层上形成第二触控金属层，所述第二触控金属层包括设置在显示区域的沿第一方向排列的多个第一触控电极，以及沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过所述触控绝缘层上设置的过孔与所述连接桥连接。
在一些示例性实施例中，所述去除所述焊盘区的无机封装层之后，所述制备方法还包括：
在形成有所述封装结构层和所述无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成触控金属层，所述触控金属层包括设置在显示区域的多个触控电极；
将焊盘区的所述保护层去除；
形成覆盖所述触控金属层的覆盖层。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述任一实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。

Claims (11)

1.一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括靠近所述显示区域的隔离区和位于所述隔离区的远离显示区域一侧的焊盘区；其特征在于，所述制备方法包括：
在基底的显示区域形成驱动结构层，在基底的绑定区域形成绑定结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；
在显示区域的驱动结构层上形成发光结构层，在所述隔离区的绑定结构层上形成隔离坝，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件；
在显示区域形成封装结构层，在绑定区域形成无机封装层，所述无机封装层包裹所述隔离坝；其中，所述在显示区域形成封装结构层，在绑定区域形成无机封装层，包括：在形成有所述发光结构层和所述隔离坝的基底的整个表面形成第一无机封装层；在显示区域的第一无机封装层上形成有机封装层；在形成有所述有机封装层的基底的整个表面形成第二无机封装层；
去除所述焊盘区的无机封装层。
2.如权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述去除所述焊盘区的无机封装层之前，所述制备方法还包括：
在形成有所述第二无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成第一触控金属层，所述第一触控金属层包括设置在显示区域的连接桥；
在形成有所述第一触控金属层的基底的整个表面形成触控绝缘层；
所述去除所述焊盘区的无机封装层，包括：将焊盘区的所述触控绝缘层、所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除；
所述去除所述焊盘区的无机封装层之后，所述制备方法还包括：在所述触控绝缘层上形成第二触控金属层，所述第二触控金属层包括设置在显示区域的沿第一方向排列的多个第一触控电极，以及沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过所述触控绝缘层上设置的过孔与所述连接桥连接。
3.如权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述去除所述焊盘区的无机封装层之前，所述制备方法还包括：
在形成有所述第二无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成触控金属层，所述触控金属层包括设置在显示区域的多个触控电极；
所述去除所述焊盘区的无机封装层，包括：将焊盘区的所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除。
4.如权利要求3所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述将焊盘区的所述保护层、所述第二无机封装层和所述第一无机封装层去除之后，所述制备方法还包括：形成覆盖所述触控金属层的覆盖层。
5.如权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述去除所述焊盘区的无机封装层之后，所述制备方法还包括：
在形成有所述封装结构层和所述无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成第一触控金属层，所述第一触控金属层包括设置在显示区域的连接桥；
在形成有所述第一触控金属层的基底的整个表面形成触控绝缘层；
将焊盘区的所述触控绝缘层和所述保护层去除；
在所述触控绝缘层上形成第二触控金属层，所述第二触控金属层包括设置在显示区域的沿第一方向排列的多个第一触控电极，以及沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过所述触控绝缘层上设置的过孔与所述连接桥连接。
6.如权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述去除所述焊盘区的无机封装层之后，所述制备方法还包括：
在形成有所述封装结构层和所述无机封装层的基底的整个表面形成保护层；
在所述保护层上形成触控金属层，所述触控金属层包括设置在显示区域的多个触控电极；
将焊盘区的所述保护层去除；
形成覆盖所述触控金属层的覆盖层。
7.一种显示基板，采用权利要求1-6任一项所述的显示基板的制备方法制成。
8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括靠近所述显示区域的隔离区和位于所述隔离区的远离显示区域一侧的焊盘区；
所述显示区域包括叠设在基底上的驱动结构层、发光结构层和封装结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件；
所述绑定区域包括设置在基底上的绑定结构层，所述隔离区的绑定结构层上设置有隔离坝，所述绑定区域还包括无机封装层，所述无机封装层覆盖所述隔离区的所述绑定结构层并包裹所述隔离坝，所述无机封装层暴露出所述焊盘区的所述绑定结构层。
9.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述隔离区的所述绑定结构层包括设置在基底上的复合绝缘层，设置在所述复合绝缘层上的第一电源线和第二电源线，以及设置在所述复合绝缘层上的平坦层，所述第一电源线相较于所述第二电源线靠近所述显示区域，所述隔离坝设置在所述第二电源线上；
所述隔离区内，所述平坦层覆盖所述第一电源线，并暴露出所述第二电源线的远离所述基底的表面，以及暴露出所述隔离坝远离显示区域一侧的所述复合绝缘层的表面，所述无机封装层设置在所述平坦层上，并设置在所述隔离坝远离显示区域一侧的所述复合绝缘层上。
10.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括在所述封装结构层上叠设的保护层、第一触控金属层、触控绝缘层和第二触控金属层，所述第一触控金属层包括设置在显示区域的连接桥，所述第二触控金属层包括设置在显示区域的沿第一方向排列的多个第一触控电极、沿第二方向间隔排列的多个第二触控电极，相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过所述触控绝缘层上设置的过孔与所述连接桥连接。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-10任一项所述的显示基板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111796718A (zh) 2020-07-06 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其制备方法、显示装置
CN112151445B (zh) * 2020-09-28 2024-06-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置
WO2022252230A1 (zh) * 2021-06-04 2022-12-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
KR20230027393A (ko) * 2021-08-18 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113838872B (zh) * 2021-09-26 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110165074A (zh) * 2019-04-30 2019-08-23 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法
CN111584603A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070043166A1 (en) * 2004-07-29 2007-02-22 Norihisa Hoshika Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device
KR101834792B1 (ko) * 2016-08-31 2018-03-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10743425B2 (en) * 2016-10-31 2020-08-11 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN112151445B (zh) * 2020-09-28 2024-06-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110165074A (zh) * 2019-04-30 2019-08-23 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法
CN111584603A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

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