CN111788773A - 复合基板以及压电元件 - Google Patents
复合基板以及压电元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111788773A CN111788773A CN201980016389.XA CN201980016389A CN111788773A CN 111788773 A CN111788773 A CN 111788773A CN 201980016389 A CN201980016389 A CN 201980016389A CN 111788773 A CN111788773 A CN 111788773A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- piezoelectric
- composite substrate
- support substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/875—Further connection or lead arrangements, e.g. flexible wiring boards, terminal pins
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
本公开的复合基板具备:压电基板,具有第1面以及与第1面对置的第2面;支承基板,具有与所述第2面相接的第3面以及与该第3面对置的第4面;以及贯通孔,从所述第1面贯通至所述第4面。所述贯通孔具有从所述第1面起朝向所述第4面而直径减少的锥形形状,在所述支承基板内具有直径减少的台阶面。本公开的压电元件具备所述复合基板和位于所述贯通孔内的导电体。
Description
技术领域
本公开涉及将压电基板与支承基板贴合而得的构造的复合基板、以及具备该复合基板的压电元件。
背景技术
近年来,不断要求在便携式电话等通信设备中使用的声表面波元件等压电元件的小型化、高性能化。作为小型且高性能的压电元件,存在如下元件,其是经由在将压电基板与支承基板贴合而构成的复合基板中贯通的贯通孔内形成的导电体,对在压电基板上形成的元件电极供给电信号的结构的元件。
作为这样的压电元件用复合基板,在专利文献1中,提出了一种在贴合两基板而得的复合基板中形成了贯通孔的复合基板。在专利文献2、3中,提出了一种在两基板形成孔之后进行贴合的复合基板。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-130385号公报
专利文献2:日本特开2003-37471号公报
专利文献3:日本特开2010-50539号公报
发明内容
本公开的复合基板具备:压电基板,具有第1面以及与第1面对置的第2面;支承基板,具有与所述第2面相接的第3面以及与该第3面对置的第4面;以及贯通孔,从所述第1面贯通至所述第4面。所述贯通孔具有直径从所述第1面起朝向所述第4面而减少的锥形形状,在所述支承基板内具有直径减少的台阶面。本公开的压电元件具备所述复合基板和位于所述贯通孔内的导电体。
附图说明
图1是表示本公开的复合基板的一例的概略剖视图。
具体实施方式
参照附图对本公开的复合基板以及压电元件进行说明。
<复合基板>
在图1中示出本公开的复合基板1的概略剖视图。本公开的复合基板1具备:压电基板2,具有第1面2a以及与第1面2a对置的第2面2b;支承基板3,具有与第2面2b相接的第3面3a以及与第3面3a对置的第4面3b;以及贯通孔1c,从第1面2a贯通至第4面3b。贯通孔1c具有直径从第1面2a起朝向第4面3b而减少的锥形形状。贯通孔1c在支承基板3内具有贯通孔1c的直径减少的台阶面3d。在图1中,示出了台阶面3d与第3面3a大致平行的例子。贯通孔1c的与贯通方向垂直的截面形状没有特别限制。贯通孔1c的与贯通方向垂直的截面形状例如是圆形。关于复合基板1的尺寸,例如直径为4英寸~8英寸,支承基板3的厚度为0.08mm~1.5mm,压电基板2的厚度为0.1μm~50μm。
<压电元件>
本公开的复合基板1被用作表面声波元件等压电元件用的复合基板1。在1块复合基板1形成多个压电元件。在压电基板2的第1面2a形成元件电极。在支承基板3的第4面3b形成外部电极。在贯通孔1c的内部形成包括铜等导电性材料的导电体。该导电体与第1面2a的元件电极以及第4面3b的外部电极连接。导电体通过蒸镀、溅射等方法形成在贯通孔1c的内部。
本公开的复合基板1以及压电元件具有贯通孔1c。贯通孔1c是直径从第1面2a起朝向第4面3b而变小的锥形形状,在支承基板3内具有直径减少的台阶面3d。本公开的复合基板1以及压电元件通过这样的结构,贯通孔1c的内表面与导电体的密接力高。位于台阶面3d的导电体具有弯曲的部分(弯曲部),但不位于第2面2b以及第3面3a的贴合面。因此,难以产生第2面2b与第3面3a的贴合面的剥离。由于台阶面3d位于支承基板3,因此压电基板2的元件电极(压电元件)不会破损。因此,本公开的复合基板1以及压电元件的可靠性优异,能够长期使用。
关于贯通孔1c,台阶面3d以及比台阶面3d更靠第1面2a侧的区域的算术平均粗糙度Ra还可以小于比台阶面3d更靠第4面3b侧的区域的算术平均粗糙度Ra。
在满足这样的结构时,压电基板2破损的可能性小,施加于弯曲部的应力集中被抑制,比台阶面3d更靠第4面3b侧的区域的密接力高。因此,复合基板1以及压电元件的可靠性提高。
在贯通孔1c中,台阶面3d以及比台阶面3d更靠第1面2a侧的区域是算术平均粗糙度Ra小,应力难以集中的表面性状。因此,压电基板2破损的可能性小,施加于弯曲部的应力集中被抑制。
在贯通孔1c中,比台阶面3d更靠第4面3b侧的区域的密接力变高是基于锚定效应。
<压电基板与支承基板>
压电基板2包括钽酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、氧化锌、水晶等具有压电性的材料。支承基板3包括机械强度比压电基板2高的材质。支承基板3例如包括蓝宝石、硅、碳化硅、LN、氧化铝等各种陶瓷。其中,蓝宝石的机械强度、绝缘性、散热性优异,适合作为支承基板3的材质。
<制造方法>
以下示出本公开的复合基板1的制造方法的一例。
首先,准备具有第1面2a和与第1面2a对置的第2面2b的压电基板2、以及具有第3面3a和与第3面3a对置的第4面3b的支承基板3。
接下来,进行形成从支承基板3的第3面3a侧向第4面3b侧贯通的锥状的第1孔3c的加工。
接下来,将设置了第1孔3c的支承基板3的第3面3a与压电基板2的第2面2b贴合。
最后,进行形成从压电基板2的第1面2a侧向第2面2b侧贯通的锥状的第2孔2c的加工。此时,以使第2面2b处的第2孔2c的孔径比贴合时的第3面3a处的孔径大地进行加工,以使第3面3a侧(第1孔3c的压电基板2侧)的孔径比贴合时直径变大地进行加工。
孔的形成能够通过激光加工、喷射加工、钻孔加工等进行。在使用蓝宝石作为支承基板3,通过激光加工形成第1孔3c的情况下,优选利用了YAG激光等高次谐波的短脉冲UV激光器。若对支承基板3进行激光加工,则在加工中从加工区域飞散的碎屑附着于支承基板3的表面以及加工面。碎屑对以后的制造工序以及产品特性产生不良影响。因此,通过蚀刻等方法去除碎屑。为了去除包括蓝宝石的支承基板3的碎屑,例如,使用基于加热至室温或者沸点以下的温度的盐酸、硝酸、氢氟酸、磷酸、四硼酸钠熔融液、KOH熔融液、NaOH熔融液的蚀刻处理即可。
压电基板2与支承基板3的贴合通过不使用粘接材料的直接接合、或者使用了粘接材料的粘接来进行。在直接接合中,将压电基板2和支承基板3在真空中、大气中或者给定的气氛中进行加热以及(或者)加压而接合。由贴合时的温度以及压电基板2与支承基板3的热膨胀率差引起,在压电基板2与支承基板3产生应力,可能成为破损、加工精度不良的原因。为了减小这样的应力,优选贴合温度低。因此,可以通过等离子体处理等方法对压电基板2的第2面2b和支承基板3的第3面3a实施活性化处理后,进行接合。
在将压电基板2与支承基板3贴合之后,形成第2孔2c。也可以使用研磨装置等对压电基板2的第1面2a进行磨削,使压电基板2的厚度变薄之后,形成第2孔2c。
一般而言,压电材料的机械强度低。因此,向压电基板2的第2孔2c的形成方法优选基于湿蚀刻、干蚀刻等化学处理的加工。若压电基板2的材质为LT或者LN,则可以通过基于光刻技术的掩模形成和使用了CF4等卤素化合物气体的反应式离子蚀刻的组合来形成。
一般而言,蚀刻加工面的表面粗糙度比激光加工面小。表面粗糙度例如能够用算术平均粗糙度Ra表示。若通过激光加工形成贯通孔1c中的第1孔3c,并通过蚀刻加工形成台阶面3d和第2孔2c,则在贯通孔1c中,台阶面3d以及比台阶面3d更靠第1面2a侧(压电基板2侧)的区域相比于比台阶面3d更靠第4面3b侧(支承基板3侧)的区域,表面粗糙度能够减小。
关于本公开的复合基板以及压电元件,从基板的一个面(压电基板的第1面)起朝向另一个面(支承基板的第4面)直径减少的锥形形状的贯通孔在支承基板内具有直径减少的台阶面。因此,贯通孔的内表面与导电体的密接力变高,不易引起基板的贴合面的剥离、向不存在台阶面的压电基板的应力集中。因此,能够提供可靠性优异的复合基板以及压电元件。
在复合基板1的制造方法中,可列举出以下的方法。例如,首先,在将压电基板2与支承基板3贴合之后形成直径小的贯通孔。然后,进行将压电基板2以及支承基板3中的压电基板2侧的小的贯通孔的直径扩大的加工,来形成贯通孔3c。
或者,首先,在压电基板2形成锥形形状的第2孔2c,在支承基板3形成整体形状为锥形形状且具有台阶部3d的第1孔3c。然后,可以通过将压电基板2与支承基板3贴合,从而形成将第2孔2c与第1孔3c相连的贯通孔3c。
以上,对本公开的实施方式进行了说明,但本公开并不受限于上述的实施方式,在权利要求书中记载的范围内,也可以进行各种改良以及变更。
-符号说明-
1:复合基板
1c:贯通孔
2:压电基板
2a:第1面
2b:第2面
2c:第2孔
3:支承基板
3a:第3面
3b:第4面
3c:第1孔
3d:台阶面。
Claims (7)
1.一种复合基板,其中,
所述复合基板具备:
压电基板,具有第1面以及与第1面对置的第2面;
支承基板,具有与所述第2面相接的第3面以及与该第3面对置的第4面;以及
贯通孔,从所述第1面贯通至所述第4面,
所述贯通孔具有直径从所述第1面起朝向所述第4面而减少的锥形形状,并在所述支承基板内具有直径减少的台阶面。
2.根据权利要求1所述的复合基板,其中,
所述压电基板是钽酸锂基板或者铌酸锂基板。
3.根据权利要求1或者2所述的复合基板,其中,
所述支承基板是蓝宝石基板。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的复合基板,其中,
关于所述贯通孔,所述台阶面以及比所述台阶面更靠所述第1面侧的区域的算术平均粗糙度Ra小于比所述台阶面更靠所述第4面侧的区域的算术平均粗糙度Ra。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的复合基板,其中,
所述台阶面与所述第3面大致平行。
6.一种压电元件,其中,
具备:权利要求1~5中的任一项所述的复合基板;以及位于所述贯通孔内的导电体。
7.根据权利要求6所述的压电元件,其中,
所述压电元件是表面声波元件。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-037267 | 2018-03-02 | ||
JP2018037267 | 2018-03-02 | ||
PCT/JP2019/007206 WO2019167918A1 (ja) | 2018-03-02 | 2019-02-26 | 複合基板、および圧電素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111788773A true CN111788773A (zh) | 2020-10-16 |
CN111788773B CN111788773B (zh) | 2024-09-10 |
Family
ID=67804962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980016389.XA Active CN111788773B (zh) | 2018-03-02 | 2019-02-26 | 复合基板以及压电元件 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210083650A1 (zh) |
EP (1) | EP3761506A4 (zh) |
JP (1) | JP6994102B2 (zh) |
CN (1) | CN111788773B (zh) |
TW (1) | TWI682630B (zh) |
WO (1) | WO2019167918A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6898265B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2021-07-07 | 京セラ株式会社 | 複合基板の製造方法 |
JP2021034746A (ja) * | 2019-08-13 | 2021-03-01 | 太陽誘電株式会社 | 電子デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
CN113690365B (zh) * | 2021-07-23 | 2024-02-13 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 压电器件及其制作方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007318058A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
JP2008252351A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
US20100320872A1 (en) * | 2008-02-18 | 2010-12-23 | Masashi Numata | Piezoelectric vibrator manufacturing method, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled watch |
JP2011019043A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及び複合基板の製造方法 |
CN102098021A (zh) * | 2009-12-09 | 2011-06-15 | 精工爱普生株式会社 | 压电装置 |
KR20110083451A (ko) * | 2010-01-14 | 2011-07-20 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터와 탄성 표면파 공진기 |
CN102197588A (zh) * | 2008-08-27 | 2011-09-21 | 精工电子有限公司 | 压电振动器、振荡器、电子设备和电波钟以及压电振动器的制造方法 |
US20140009032A1 (en) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Lamb wave device and manufacturing method thereof |
CN105229924A (zh) * | 2013-05-21 | 2016-01-06 | 日本碍子株式会社 | 压电设备的制造方法、压电设备以及压电自立基板 |
JP2017059669A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 大日本印刷株式会社 | 貫通孔形成基板、貫通電極基板、及び基板。 |
JP2017079439A (ja) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 複合基板の製造方法 |
US20170250669A1 (en) * | 2016-02-29 | 2017-08-31 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic device |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08186467A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-16 | Murata Mfg Co Ltd | 拡がり振動型圧電振動子およびその製造方法 |
JP4059406B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2008-03-12 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミックス多層基板の製造方法 |
JP3709802B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2005-10-26 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の製造方法 |
JP3772702B2 (ja) | 2001-07-23 | 2006-05-10 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
JP3922079B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2007-05-30 | 株式会社村田製作所 | キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法 |
TW200644757A (en) * | 2005-04-19 | 2006-12-16 | Tdk Corp | Multilayer ceramic substrate and production method thereof |
US8263878B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-09-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board |
JP4638530B2 (ja) | 2008-08-19 | 2011-02-23 | 日本電波工業株式会社 | 圧電部品及びその製造方法 |
JP5056837B2 (ja) | 2009-12-21 | 2012-10-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスの製造方法 |
JP2011223234A (ja) * | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子、圧電デバイス、貫通電極構造、半導体装置、半導体パッケージ |
JP5855905B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2016-02-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板及びその製造方法 |
KR20150053592A (ko) * | 2013-11-08 | 2015-05-18 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법 |
CN106464232B (zh) * | 2014-06-27 | 2019-09-27 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
US9397053B2 (en) * | 2014-10-15 | 2016-07-19 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | Molded device with anti-delamination structure providing multi-layered compression forces |
CN206878791U (zh) * | 2014-12-08 | 2018-01-12 | 株式会社村田制作所 | 压电设备 |
JP2016201780A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP6315716B2 (ja) | 2016-03-17 | 2018-04-25 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
-
2019
- 2019-02-26 CN CN201980016389.XA patent/CN111788773B/zh active Active
- 2019-02-26 EP EP19761155.1A patent/EP3761506A4/en active Pending
- 2019-02-26 WO PCT/JP2019/007206 patent/WO2019167918A1/ja unknown
- 2019-02-26 JP JP2020503510A patent/JP6994102B2/ja active Active
- 2019-02-26 US US16/971,782 patent/US20210083650A1/en active Pending
- 2019-02-27 TW TW108106803A patent/TWI682630B/zh active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007318058A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
JP2008252351A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
US20100320872A1 (en) * | 2008-02-18 | 2010-12-23 | Masashi Numata | Piezoelectric vibrator manufacturing method, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled watch |
CN102197588A (zh) * | 2008-08-27 | 2011-09-21 | 精工电子有限公司 | 压电振动器、振荡器、电子设备和电波钟以及压电振动器的制造方法 |
JP2011019043A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及び複合基板の製造方法 |
CN102098021A (zh) * | 2009-12-09 | 2011-06-15 | 精工爱普生株式会社 | 压电装置 |
KR20110083451A (ko) * | 2010-01-14 | 2011-07-20 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터와 탄성 표면파 공진기 |
US20140009032A1 (en) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Lamb wave device and manufacturing method thereof |
CN105229924A (zh) * | 2013-05-21 | 2016-01-06 | 日本碍子株式会社 | 压电设备的制造方法、压电设备以及压电自立基板 |
JP2017059669A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 大日本印刷株式会社 | 貫通孔形成基板、貫通電極基板、及び基板。 |
JP2017079439A (ja) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 複合基板の製造方法 |
US20170250669A1 (en) * | 2016-02-29 | 2017-08-31 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6994102B2 (ja) | 2022-01-14 |
JPWO2019167918A1 (ja) | 2021-03-11 |
TW201939890A (zh) | 2019-10-01 |
CN111788773B (zh) | 2024-09-10 |
EP3761506A4 (en) | 2021-12-01 |
WO2019167918A1 (ja) | 2019-09-06 |
TWI682630B (zh) | 2020-01-11 |
EP3761506A1 (en) | 2021-01-06 |
US20210083650A1 (en) | 2021-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111788773B (zh) | 复合基板以及压电元件 | |
US20170309709A1 (en) | Substrate structure with embedded layer for post-processing silicon handle elimination | |
US9263300B2 (en) | Etch back processes of bonding material for the manufacture of through-glass vias | |
JP4630110B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
TWI614207B (zh) | 電子裝置及電子裝置的製造方法 | |
JP4548799B2 (ja) | 半導体センサー装置 | |
KR102228131B1 (ko) | 전자 디바이스 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
JP6898265B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
CN111883646A (zh) | 一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法 | |
JP2006245990A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
JP2003100422A (ja) | 箔状の抵抗発熱素子及び面状セラミックスヒーター | |
JP2008124348A (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
US20230372970A1 (en) | Transducer device and method of manufacture | |
US20230381815A1 (en) | Transducer device and method of manufacture | |
JP2015080108A (ja) | パッケージの製造方法 | |
JP2002217666A (ja) | 弾性表面波素子およびその製造方法 | |
JP2011211331A (ja) | 複合圧電基板、弾性表面波素子 | |
JP2011124628A (ja) | 複合圧電チップ及び複合圧電チップの製造方法 | |
JP4439126B2 (ja) | 静電吸着装置 | |
JP2010171325A (ja) | 立体配線構造体およびその製造方法 | |
JP2009246189A (ja) | 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体基板を用いた圧電デバイス | |
JP2006050591A (ja) | 高周波フィルタ及びその製造方法 | |
JP2007048626A (ja) | チップ型避雷器及びその製造方法 | |
JP2012156313A (ja) | 電子装置 | |
JP2015086109A (ja) | セラミック体と金属体との接合体、およびセラミック体と金属体との接合体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |