CN111769362A - 天线模组以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种天线模组以及电子设备，属于天线技术领域。该天线模组包括：金属接地板；辐射器件，辐射器件与金属接地板相对设置并电性相连；耦合器件，耦合器件设置在辐射器件与金属接地板之间；信号馈线，信号馈线与耦合器电性相连，用于向耦合器件输入信号；耦合器件用于在信号馈线馈入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；耦合器件还用于在信号馈线馈入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；目标谐振模式不同于倒F谐振模式。通过向耦合器件输入不同频段的信号，在辐射器件内激励出不同模式的谐振方式，实现一个天线模组工作在不同的谐振频段下，避免在电子设备中设计多余的天线，提高了电子设备的空间利用率。

Description

天线模组以及电子设备

技术领域

本申请涉及天线技术领域，特别涉及一种天线模组以及电子设备。

背景技术

随着天线技术领域的快速发展，终端中不仅需要提供有语音通话服务的天线，还需要提供有网络连接等服务的天线。

目前，由于各个网络运营商所采用的网络制式和使用频段有所不同，使得终端在通信过程中需要支持各种频段的通信服务。在相关技术中，为了支持更多频段的通信服务，在终端的边框上会设置各种各样的天线，通过在终端中天线的馈电端或者枝节与接地板之间添加电路开关，通过切换使用不同的天线，从而实现终端中天线多频率的覆盖效果。

对于上述设计电路开关的技术方案，随着终端可工作的频段越来越多，终端中也需要设计更多的天线，容易造成终端中天线拥挤、终端空间的利用率低等问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种天线模组以及电子设备，可以避免在终端中设计多余的天线，降低天线数量，提高终端中空间的利用率。所述技术方案如下：

一个方面，本申请实施例提供了一种天线模组，所述天线模组包括：

金属接地板；

辐射器件，所述辐射器件与所述金属接地板相对设置并电性相连；

耦合器件，所述耦合器件设置在所述辐射器件与所述金属接地板之间；

信号馈线，所述信号馈线与所述耦合器电性相连，用于向所述耦合器件输入信号；

所述耦合器件用于在所述信号馈线馈入第一频段的信号时，激励所述辐射器件产生倒F谐振模式；

所述耦合器件还用于在所述信号馈线馈入第二频段的信号时，激励所述辐射器件产生目标谐振模式；所述目标谐振模式不同于所述倒F谐振模式。

另一方面，本申请实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括至少一个如上述一个方面所述的天线模组。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

本申请提供的天线模组包括耦合器件、辐射器件、金属接地板，耦合器件设置在辐射器件与金属接地板之间，并与信号馈线电性相连，利用信号馈线向耦合器件中输入信号，通过耦合器件与辐射器件之间相互耦合，激励辐射器件产生对应模式的谐振。其中包括：由信号馈线向耦合器件中输入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；以及由信号馈线向耦合器件中输入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；目标谐振模式不同于倒F谐振模式。本申请通过向耦合器件输入不同频段的信号，在辐射器件内激励出不同模式的谐振方式，实现了一个天线模组可以工作在不同的谐振频段下，避免了在终端的金属边框上设计多余的天线，减少了终端中设置天线的数量，提高了终端的空间利用率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一示例性实施例提供的一种电子设备传输数据的应用场景示意图；

图2是本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图；

图3是本申请一示例性实施例涉及图2的一种天线模组的侧视图；

图4是本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图；

图5是本申请一示例性实施例涉及的一种耦合器件的结构示意图；

图6是本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图；

图7是本申请一示例性实施例涉及的几种辐射缝隙的形状示意图；

图8是本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图；

图9是本申请一示例性实施例涉及的另一种天线模组的结构示意图；

图10是本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图；

图11是本申请一示例性实施例涉及的一种辐射器件产生四分之一波长的谐振频段的电流示意图；

图12是本申请一示例性实施例涉及的一种辐射器件产生二分之一波长的谐振频段的电流示意图；

图13是本申请一示例性实施例涉及的一种辐射器件产生八分之一波长的谐振频段的电流示意图；

图14是本申请一示例性实施例涉及图4的一种天线模组自身的反射系数的变化曲线图；

图15是本申请一示例性实施例涉及图4的一种天线模组自身的系统效率和辐射效率的变化曲线图；

图16是本申请一示例性实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

本申请提供的方案，可以用于在日常生活中使用的终端中，在设计终端中的天线时，考虑多频段应用的现实场景中，为了便于理解，下面首先对本申请实施例涉及的一些名词以及应用场景进行简单介绍。

MIMO(Multiple-Input Multiple-Output，多输入多输出)技术：是指在发射端和接收端分别使用多个发射天线和接收天线进行空间分集的技术，其采用的是分立式多天线，可以将通信链路分解成为许多并行的子信道，从而提高发送或者接收信号的容量。

在日常生活中，人们可以使用电子设备进行工作、学习、娱乐等。用户可以将各种数据通过电子设备中的天线进行传输，比如，用户可以将自身拍摄的照片、视频等信息发送给其他电子设备，或者，用户也可以与其他用户通过电子设备进行语音通话、视频通话等，传输语音数据或者视频数据。

请参考图1，其示出了本申请一示例性实施例提供的一种电子设备传输数据的应用场景示意图。如图1所示，其中包含了若干个电子设备110。

可选的，电子设备110是可以安装设计有用于传输信号的天线的终端。比如，该电子设备可以是手机、平板电脑、电子书阅读器、智能眼镜、智能手表、MP3播放器(MovingPicture Experts Group Audio Layer III，动态影像专家压缩标准音频层面3)、MP4(Moving Picture Experts Group Audio Layer IV，动态影像专家压缩标准音频层面4)播放器、笔记本电脑、膝上型便携计算机和台式计算机等等。

在上述图1所示的环境中，电子设备需要工作在各种各样的数据传输场景下，为了适应各种频段下的数据传输，电子设备中设计的天线可以相应的改变自身的工作状态，从而工作在对应的频段下。比如，电子设备可以利用自身的金属边框作为天线，并在金属边框上设置断缝，从而形成多个天线，利用多个天线传输数据(也可以看做是MIMO天线)。

目前，电子设备中设置的任意一个天线，该天线往往可以满足对应的谐振频段的需求，并且该天线满足的谐振频段是单一的，如果电子设备想要实现多种谐振频段的工作模式，则需要在电子设备中设置不同的天线来满足。由于电子设备中的空间有限，为设置不同的天线，难免会带来对电子设备空间的占用，造成电子设备内部空间利用率低的问题。

为了避免在电子设备中设计多余的天线，降低天线数量，提高电子设备中空间的利用率，本申请提供了一种解决方案，可以实现在不设置多余的天线模组的情况下，对电子设备中用于传输信号的天线覆盖多频段的效果。请参考图2，其示出了本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图。其中，本申请实施例提供的天线模组可以应用于上述图1所示的应用场景中的电子设备中。如图2所示，该天线模组中包括：耦合器件201、辐射器件202以及金属接地板203；

其中，辐射器件202与金属接地板203相对设置并电性相连。如图2所示，辐射器件202是通过接地体204与金属接地板203电性相连的，并且辐射器件202的第一表面与金属接地板203的第二表面相对。

可选地，耦合器件201设置在辐射器件202与金属接地板203之间，即，设置在辐射器件202的第一表面与金属接地板203的第二表面之间，耦合器件201与辐射器件202之间还存在耦合距离，耦合器件201用于与辐射器件202相互耦合。请参考图3，其示出了本申请一示例性实施例涉及图2的一种天线模组的侧视图。其中，图3所示的侧视图的侧视方向是图2中的箭头方向。如图3所示，其中包含了耦合器件301，辐射器件302，金属接地板303。由图3可知，耦合器件301与辐射器件302之间存在耦合距离304，该耦合距离304的大小可以根据实际工程的调试而定。

在图3中，还包括了信号馈线305和接地体306，耦合器件301与该信号馈线305电性相连，该信号馈线305用于向耦合器件301输入信号，从而使得天线模组工作。示例性的，信号馈线305贯穿金属接地板303将耦合器件301设置在辐射器件302与金属接地板303之间。辐射器件302通过接地体306与金属接地板303电性相连。

在信号馈线305向耦合器件301输入不同的信号时，辐射器件302可以激励出不同模式的谐振。可选地，在信号馈线馈入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F(Inverted-F Antenna，IFA)谐振模式；在信号馈线馈入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；其中，目标谐振模式不同于倒F谐振模式。

综上所述，本申请提供的天线模组包括耦合器件、辐射器件、金属接地板，耦合器件设置在辐射器件与金属接地板之间，并与信号馈线电性相连，利用信号馈线向耦合器件中输入信号，通过耦合器件与辐射器件之间相互耦合，激励辐射器件产生对应模式的谐振。其中包括：由信号馈线向耦合器件中输入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；以及由信号馈线向耦合器件中输入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；目标谐振模式不同于倒F谐振模式。本申请通过向耦合器件输入不同频段的信号，在辐射器件内激励出不同模式的谐振方式，实现了一个天线模组可以工作在不同的谐振频段下，避免了在电子设备的金属边框上设计多余的天线，减少了电子设备中设置天线的数量，提高了电子设备的空间利用率。

在一种可能实现的方式中，为了实现在对耦合器件输入的特定频段信号后，通过耦合器件与辐射器件之间的相互耦合，在辐射器件上产生对应波长的谐振频段，以终端中向耦合器件输入的第一频段为2.55GHz至2.65GHz的频段，第二频段是3.3GHz至3.36GHz的频段为例，使得辐射器件产生不同模式的谐振频段，实现天线模组工作在不同的谐振频段。下面以几种情况进行举例说明，对上述图2和图3所示的方案进行介绍。

请参考图4，其示出了本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图。其中，本申请实施例提供的天线模组可以应用于上述图1所示的应用场景中的电子设备中。如图4所示，该天线模组中包括：耦合器件401、辐射器件402以及金属接地板403；

其中，辐射器件402与金属接地板403相对设置并电性相连。如图4所示，辐射器件402中的第一边402a是通过接地体404与金属接地板403电性相连的，并且辐射器件402的第一表面与金属接地板403的第二表面相对，其中，辐射器件用于产生谐振频段。接地体404的高度也可以根据实际工程的调试而定，比如，接地体404的高度可以是2毫米。

可选地，耦合器件401设置在辐射器件402与金属接地板403之间，比如，设置在辐射器件402的第一表面与金属接地板403的第二表面之间，耦合器件401与辐射器件402之间还存在耦合距离，耦合器件401用于与辐射器件402相互耦合。耦合器件401与辐射器件402之间存在耦合距离。耦合距离的展示可以参照上述图3所示的侧视图，此处不再赘述。

在图4中，还包括有信号馈线405，耦合器件401与信号馈线405电性相连，类似的，信号馈线405贯穿金属接地板403将耦合器件401设置在辐射器件402与金属接地板403之间。信号馈线405用于向耦合器件401输入信号。其中，在信号馈线405向耦合器件401输入不同的信号时，辐射器件402可以激励出不同模式的谐振。可选地，耦合器件401用于在信号馈线405馈入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；耦合器件还用于在信号馈线馈入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；其中，目标谐振模式不同于倒F模式。

可选地，耦合器件401的中心在第一方向上相对于辐射器件402的中心具有第一偏置距离，耦合器件401还用于在信号馈线405馈入第一频段的信号时，在第一频段的信号经耦合器件401耦合至辐射器件402时，激励辐射器件402在第一方向上产生四分之一波长的倒F谐振模式。

在一种可能实现的方式中，上述第一频段是2.55GHz至2.65GHz的频段；上述第一边402a的长度为第一频段的电磁波波长的四分之一。耦合器件401用于在信号馈线405馈入第一频段的信号时，激励辐射器件402在第一方向上产生四分之一波长的倒F谐振模式。可选地，本申请中，可以将辐射器件402中连接金属接地板403的第一边402a的长度设置为第一频段中任意一个频段的电磁波波长的四分之一长度(比如，辐射器件的第一边402a的边长可以由实际工程的调试确定，上述第一边的长度为工作频点2.6GHz的电磁波波长的四分之一)，此时，如果信号馈线405向耦合器件401输入的信号是第一频段的信号，那么，耦合器件401与辐射器件402相互耦合后，可以使辐射器件402在第一方向上产生四分之一波长的谐振频段。

可选地，耦合器件401的中心在第二方向上相对于所辐射器件402的中心具有第二偏置距离，上述第二频段可以包括第一子频段，耦合器件401还用于在第一子频段的信号经耦合器件401耦合至辐射器件402时，激励辐射器件402在第二方向上产生二分之一波长的谐振模式；其中，第二方向垂直于第一方向。即，在第二频段是第一子频段时，辐射器件402上产生的目标谐振模式是第二方向上产生的二分之一波长的谐振模式。

在一种可能实现的方式中，第一子频段是3.3GHz至3.36GHz的频段；辐射器件402还包括第二边402b，辐射器件402的第二边402b与第一边402a垂直，且第二边402b的长度为第一子频段的电磁波波长的二分之一。类似的，本申请中，也可以将辐射器件402中第二边402b的长度设置为第一子频段中任意一个频段的电磁波波长的二分之一长度(比如，辐射器件402的第二边的长度为工作频点3.3GHz的电磁波波长的二分之一)。此时，如果信号馈线405向耦合器件401输入的信号是第一子频段的信号，那么，耦合器件401与辐射器件402相互耦合后，可以使辐射器件402在第二方向上产生二分之一波长的谐振频段。可选地，耦合器件401还可以在信号馈线405馈入第一子频段的信号时发生电压偏置，电压偏置的方向是沿着耦合器件与信号馈线的连接点指向耦合器件的末端。

请参考图5，其示出了本申请一示例性实施例涉及的一种耦合器件的结构示意图。如图5所示，其中包含了耦合器件与信号馈线的连接点501，耦合器件末端502，当耦合器件由信号馈线输入第一子频段的信号时，耦合器件被偏置，其产生的电压偏置的方向如图5中的箭头的方向，即电压偏置的方向是沿着耦合器件与信号馈线的连接点指向耦合器件的末端。在耦合器件被偏置后，偏置的耦合金属片可以与辐射器件相互耦合并使得辐射器件产生第二方向上的二分之一波长谐振模式。

综上所述，本申请提供的天线模组包括耦合器件、辐射器件、金属接地板，耦合器件设置在辐射器件与金属接地板之间，并与信号馈线电性相连，利用信号馈线向耦合器件中输入信号，通过耦合器件与辐射器件之间相互耦合，激励辐射器件产生对应模式的谐振。其中包括：由信号馈线向耦合器件中输入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；以及由信号馈线向耦合器件中输入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；目标谐振模式不同于倒F谐振模式。本申请通过向耦合器件输入不同频段的信号，在辐射器件内激励出不同模式的谐振方式，实现了一个天线模组可以工作在不同的谐振频段下，避免了在电子设备的金属边框上设计多余的天线，减少了电子设备中设置天线的数量，提高了电子设备的空间利用率。

在一种可能实现的方式中，上述辐射器件上包含有辐射缝隙，第二频段还包含第二子频段，在信号馈线向耦合器件中输入第二子频段(4.89GHz至5GHz的频段)时，耦合器件还可以与辐射器件相互耦合，激励辐射器件产生沿辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式。即，以终端中向耦合器件输入的第一频段为2.55GHz至2.65GHz的频段，第二频段是4.89GHz至5GHz的频段为例，使得辐射器件产生不同模式的谐振频段，实现天线模组工作在不同的谐振频段。下面以几种情况进行举例说明，对上述图2和图3所示的方案进行介绍。

请参考图6，其示出了本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图。其中，本申请实施例提供的天线模组可以应用于上述图1所示的应用场景中的电子设备中。如图6所示，该天线模组中包括：耦合器件601、辐射器件602以及金属接地板603；

其中，辐射器件602与金属接地板603相对设置并电性相连。如图6所示，辐射器件602中的第一边是通过接地体604与金属接地板603电性相连的，并且辐射器件402的第一表面与金属接地板403的第二表面相对，其中，辐射器件用于产生谐振频段。接地体604的高度也可以根据实际工程的调试而定，比如，接地体604的高度可以是2毫米。

可选地，耦合器件601设置在辐射器件602与金属接地板603之间，比如，设置在辐射器件402的第一表面与金属接地板403的第二表面之间，耦合器件601与辐射器件602之间还存在耦合距离，耦合器件601用于与辐射器件602相互耦合。耦合器件601与辐射器件602之间存在耦合距离。耦合距离的展示可以参照上述图3所示的侧视图，此处不再赘述。

可选地，耦合器件601的中心在第一方向上相对于辐射器件602的中心具有第一偏置距离，耦合器件601的中心在第二方向上相对于辐射器件602的中心具有第二偏置距离。

在图6中，辐射器件602上还设置有辐射缝隙606，耦合器件601在辐射器件602上的投影横跨辐射缝隙606，即，耦合器件601是横跨辐射缝隙606设置的。在本申请中，是耦合器件601的末端位于辐射器件602的边缘处的辐射缝隙的一侧，其中，耦合器件601的末端是指图6中处于辐射缝隙606正下方的那部分耦合器件，相应的，位于辐射器件602的边缘处的辐射缝隙可以是对应耦合器件601的末端正上方的那部分辐射缝隙。

可选地，辐射缝隙由辐射器件的边缘向辐射器件内部延伸，并且辐射缝隙的长度是输入的第二子频段的电磁波波长的八分之一。类似的，图6中，也可以将辐射缝隙606的长度设置为第二子频段中任意一个频段的电磁波波长的八分之一长度(比如，辐射缝隙606的长度为工作频点4.95GHz的电磁波波长的八分之一)。

可选地，辐射缝隙606的形状可以为L形、I形、波浪形等形状。请参考图7，其示出了本申请一示例性实施例涉及的几种辐射缝隙的形状示意图。如图7所示，在辐射器件701上，包含了L形辐射缝隙702，I形辐射缝隙703，波浪形辐射缝隙704，弧形辐射缝隙705。其中，图7中还包含了各个辐射缝隙的长度702a(其中，702a为702a1与702a2之和)，703a，704a，705a，即本申请中所涉及的辐射缝隙的长度是指图7中所示的辐射缝隙的长度，在图6中辐射缝隙形状为L形，那么该辐射缝隙的长度是4.95GHz工作频段的电磁波波长的八分之一便是指图7中L形辐射缝隙的长度701a的长度是4.95GHz工作频段的电磁波波长的八分之一。

在一种可能实现的方式中，图6中的L形辐射缝隙的设置方式如下，辐射缝隙606包括相互连接的第一缝隙段和第二缝隙段，第一缝隙段沿第一方向设置，并在辐射器件的靠近耦合器件的一侧形成有开口，第二缝隙段一端与第一缝隙段远离开口的一端连通，另一端沿垂直于第一方向的一侧延伸。

在图6中，还包括有信号馈线605，耦合器件601与信号馈线605电性相连，类似的，信号馈线605贯穿金属接地板603将耦合器件601设置在辐射器件602与金属接地板603之间。可选地，耦合器件601与信号馈线605连接的位置形成馈电点，馈电点位于第一缝隙段背离第二缝隙段的一侧。其中，信号馈线605用于向耦合器件601输入信号。其中，在信号馈线605向耦合器件601输入不同的信号时，辐射器件602可以激励出不同模式的谐振。可选地，耦合器件601用于在信号馈线馈入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；耦合器件还用于在信号馈线馈入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式，其中，目标谐振模式不同于倒F模式。

其中，在图6中，当信号馈线605向耦合器件601中输入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式可以参照上述图4所示的实施例中的相关描述，此处不再赘述。

在一种可能实现的方式中，当信号馈线605向耦合器件601中输入第二子频段的信号时，即4.89GHz至5GHz的频段。耦合器件601可以与辐射器件602相互耦合，在耦合器件601横跨辐射缝隙606的情况下，激励辐射器件602产生沿辐射缝隙606的八分之一波长的谐振模式。

综上所述，本申请提供的天线模组包括耦合器件、辐射器件、金属接地板，耦合器件设置在辐射器件与金属接地板之间，并与信号馈线电性相连，利用信号馈线向耦合器件中输入信号，通过耦合器件与辐射器件之间相互耦合，激励辐射器件产生对应模式的谐振。其中包括：由信号馈线向耦合器件中输入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；以及由信号馈线向耦合器件中输入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；目标谐振模式不同于倒F谐振模式。本申请通过向耦合器件输入不同频段的信号，在辐射器件内激励出不同模式的谐振方式，实现了一个天线模组可以工作在不同的谐振频段下，避免了在电子设备的金属边框上设计多余的天线，减少了电子设备中设置天线的数量，提高了电子设备的空间利用率。

在一种可能实现的方式中，为了实现在对耦合器件输入的特定频段信号后，通过耦合器件与辐射器件之间的相互耦合，在辐射器件上同时产生对应波长的谐振频段，使得辐射器件同时激励出不同模式的谐振频段，实现天线模组工作在不同的谐振频段。下面以几种情况进行举例说明，对上述图2和图3所示的方案进行介绍。

请参考图8，其示出了本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图。其中，本申请实施例提供的天线模组可以应用于上述图1所示的应用场景中的电子设备中。如图8所示，该天线模组中包括：耦合器件801、辐射器件802以及金属接地板803；

其中，辐射器件802与金属接地板803相对设置并电性相连。如图8所示，辐射器件802中的第一边802a是通过接地体804与金属接地板803电性相连的，并且辐射器件802的第一表面与金属接地板803的第二表面相对，其中，辐射器件用于产生谐振频段。接地体804的高度也可以根据实际工程的调试而定，比如，接地体804的高度可以是2毫米。

可选地，耦合器件801设置在辐射器件802与金属接地板803之间，比如，设置在辐射器件802的第一表面与金属接地板803的第二表面之间，耦合器件801与辐射器件802之间还存在耦合距离，耦合器件801用于与辐射器件802相互耦合。耦合器件801与辐射器件802之间存在耦合距离。耦合距离的展示可以参照上述图3所示的侧视图，此处不再赘述。

可选地，耦合器件801的中心在第一方向上相对于辐射器件802的中心具有第一偏置距离，耦合器件801的中心在第二方向上相对于所辐射器件802的中心具有第二偏置距离。

可选地，在图8中，还包括有信号馈线805，耦合器件801与信号馈线805电性相连，类似的，信号馈线805贯穿金属接地板803将耦合器件801设置在辐射器件802与金属接地板803之间。信号馈线805用于向耦合器件801输入信号。

在一种可能实现的方式中，图8中的天线模组包括至少两个耦合器件以及至少两个信号馈线；至少两个信号馈线用于向至少两个耦合器件提供不同的信号。其中，先以耦合器件和信号馈线的数量为2举例，上述图8中的耦合器件801包括第一耦合器件801a，第二耦合器件801b，信号馈线805包括第一信号馈线805a，第二信号馈线805b。其中，第一耦合器件801a与第一信号馈线805a电性相连，第二耦合器件801b与第二信号馈线805b电性相连。

即，第一信号馈线是至少两个信号馈线中的任意一个信号馈线，第二信号馈线是至少两个信号馈线中与第一信号馈线不同的另一个信号馈线，第一耦合器件是至少两个耦合器件中的任意一个耦合器件，第二耦合器件是至少两个耦合器件中与第一耦合器件不同的另一个耦合器件。

在一种可能实现的方式中，第一信号馈线805a用于向第一耦合器件801a输入第一频段的信号，第二信号馈线805b用于向第二耦合器件801b输入第二频段的信号。在图8中，由于第一耦合器件801a接收到第一信号馈线805a馈入第一频段的信号，可以激励辐射器件802产生倒F谐振模式，并且，由于第二耦合器件801b接收到第二信号馈线805b馈入第二频段的信号，可以激励辐射器件802产生目标谐振模式；其中，目标谐振模式不同于倒F模式。

对应上述第一频段是2.55GHz至2.65GHz的频段，第二频段是第一子频段(3.3GHz至3.36GHz的频段)，那么，在图8中，辐射器件可以同时在第一方向上产生四分之一波长的倒F谐振模式以及在第二方向上产生二分之一波长的谐振模式。

在一种可能实现的方式中，辐射器件上还包含有辐射缝隙，上述其中一个耦合器件横跨辐射缝隙设置。请参考图9，其示出了本申请一示例性实施例涉及的另一种天线模组的结构示意图。如图9所示，该天线模组中包括：耦合器件901、辐射器件902、金属接地板903以及信号馈线904。

其中，辐射器件902与金属接地板903的连接方式，耦合器件的设置方式均可以参考图8。在图9中，耦合器件901的数量为2(也包括第一耦合器件901a和第二耦合器件901b)，信号馈线904的数量为2(也包括第一信号馈线904a和第二信号馈线904b)，其中，第一耦合器件901a与第一信号馈线904a电性相连，第二耦合器件901b与第二信号馈线904b电性相连。辐射器件902上还包括辐射缝隙905，第一耦合器件901a横跨辐射缝隙905设置。在本申请中，是第一耦合器件901a的末端位于辐射器件902的边缘处的辐射缝隙的一侧，其中，耦合器件901的末端是指图9中处于辐射缝隙905正下方的那部分耦合器件，相应的，位于辐射器件902的边缘处的辐射缝隙可以是对应第一耦合器件901a的末端正上方的那部分辐射缝隙。

在一种可能实现的方式中，第一信号馈线904a用于向第一耦合器件901a输入第二频段的信号，第二信号馈线904b用于向第二耦合器件901b输入第一频段的信号。在图9中，由于第一耦合器件901a接收到第一信号馈线904a馈入第二频段的信号，可以激励辐射器件902产生沿辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式，并且，由于第二耦合器件901b接收到第二信号馈线904b馈入第一频段的信号，可以激励辐射器件902产生在第一方向上的倒F谐振模式。即，对应上述第一频段是2.55GHz至2.65GHz的频段，第二频段是第二子频段(4.89GHz至5GHz的频段)，那么，在图9中，辐射器件可以同时产生在第一方向上的四分之一波长的倒F谐振模式以及沿辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式。

在一种可能实现的方式中，上述图9中的第一信号馈线904a还可以用于向第一耦合器件901a输入第二子频段的信号，第二信号馈线904b还可以用于向第二耦合器件901b输入第一子频段的信号。在图9中，由于第一耦合器件901a接收到第一信号馈线904a馈入第二子频段的信号，可以激励辐射器件902产生沿辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式，并且，由于第二耦合器件901b接收到第二信号馈线904b馈入第一子频段的信号，可以激励辐射器件902在第二方向上产生二分之一波长的谐振模式。

对应上述第一子频段是3.3至3.36GHz的频段，第二子频段是4.89GHz至5GHz的频段，那么，在图9中，辐射器件可以同时产生沿辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式以及在第二方向上产生二分之一波长的谐振模式。

综上所述，本申请提供的天线模组包括耦合器件、辐射器件、金属接地板，耦合器件设置在辐射器件与金属接地板之间，并与信号馈线电性相连，利用信号馈线向耦合器件中输入信号，通过耦合器件与辐射器件之间相互耦合，激励辐射器件产生对应模式的谐振。其中包括：由信号馈线向耦合器件中输入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；以及由信号馈线向耦合器件中输入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；目标谐振模式不同于倒F谐振模式。本申请通过向耦合器件输入不同频段的信号，在辐射器件内激励出不同模式的谐振方式，实现了一个天线模组可以工作在不同的谐振频段下，避免了在电子设备的金属边框上设计多余的天线，减少了电子设备中设置天线的数量，提高了电子设备的空间利用率。

在一种可能实现的方式中，以本申请提供的天线模组中的辐射器件的形状为矩形举例，辐射器件的长度为2.6GHz工作频段的电磁波波长的四分之一，辐射器件的宽度为3.3GHz工作频段的电磁波波长的二分之一。并且，辐射器件上包含有辐射缝隙。

请参考图10，其示出了本申请一示例性实施例提供的一种天线模组的结构示意图。其中，本申请实施例提供的天线模组可以应用于上述图1所示的应用场景中的电子设备中。如图10所示，该天线模组中包括：耦合器件1001、辐射器件1002、金属接地板1003以及辐射缝隙1004；

其中，辐射器件1002与金属接地板1003的连接方式，耦合器件的设置方式均可以参考上述各个实施例，辐射缝隙1004的设置方式也可以参照上述图9中的辐射缝隙，此处不再赘述。

在本申请中，为了实现后续向耦合器件中输入2.55至2.65GHz的工作频段，3.3至3.36GHz的工作频段，4.89至5GHz的工作频段后，辐射器件可以与耦合器件通过耦合产生想要的波长的谐振频段，辐射器件的长度可以设置为2.6GHz工作频段的电磁波波长的四分之一，辐射器件的宽度可以设置为3.3GHz工作频段的电磁波波长的二分之一。需要说明的是，本申请中对辐射器件的形状并不限定，除了矩形之外，辐射器件的形状也可以是其他正多边形、圆形、半圆形等形状。

在一种可能实现的方式中，天线模组中包括了三个耦合器件以及三个信号馈线，三个耦合器件分别为第一耦合器件1001a、第二耦合器件1001b、第三耦合器件1001c，三个信号馈线1005分别为第一信号馈线1005a、第二信号馈线1005b、第三信号馈线1005c。

其中，第一耦合器件1001a与第一信号馈线1005a相连，第二耦合器件1001b与第二信号馈线1005b相连，第三耦合器件1001c与第三信号馈线1005c相连，且第三耦合器件1001c横跨辐射缝隙1004设置。

上述图10中，对于第三耦合器件1001c来说，第三耦合器件1001c的末端位于辐射器件的边缘处的辐射缝隙的一侧，其中，第三耦合器件1001c的末端是指图10中处于辐射缝隙正下方的那部分耦合器件，相应的，位于辐射器件的边缘处的辐射缝隙可以是对应第三耦合器件1001c的末端正上方的那部分辐射缝隙。

可选地，在图10中，与第三耦合器件1001c电性相连的第三信号馈线1005c可以向第三耦合器件1001c馈入不同频段的信号，并在辐射器件1002上激励出不同模式的谐振。即，上述第三信号馈线1005c可以用于向第三耦合器件1001c输入信号，在第三耦合器件1001c向第三耦合器件1001c输入不同的信号时，辐射器件相应的可以产生不同模式的谐振。

可选地，第三信号馈线1005c向第三耦合器件1001c输入的信号是第一频段的信号，辐射器件1002用于产生倒F谐振模式；即，如果第三信号馈线1005c向第三耦合器件1001c输入的信号是第一频段的信号，第三耦合器件1001c与辐射器件1002相互耦合后，可以使得辐射器件1002中产生在第一方向上的四分之一波长的倒F模式的谐振。其中，第一频段信号是2.55至2.65GHz的工作频段对应的频段信号。

请参考图11，其示出了本申请一示例性实施例涉及图10的一种辐射器件产生四分之一波长的谐振频段的电流示意图。如图11所示，其中包含了第三耦合器件1001c，辐射器件1002。在第三耦合器件1001c中输入第一频段的信号时，第三耦合器件1001c和辐射器件1002相互耦合，在辐射器件中产生图11所示的电流，激发在第一方向上的四分之一波长倒F模式的谐振。

可选地，第三信号馈线1005c向第三耦合器件1001c输入的信号是第一子频段的信号，第三耦合器件1001c通过电压偏置激励辐射器件产生第二方向上的二分之一波长的谐振模式。即，第三耦合器件1001c被输入的信号在第三方向上偏置，第三方向是沿着耦合器件与信号馈线的连接点指向耦合器件的末端的方向(如上述图5所示)。辐射器件402可以激励出在第二方向上的二分之一波长的谐振模式；即，如果第三信号馈线1005c向第三耦合器件1001c输入的信号是第一子频段的信号，通过第三耦合器件1001c的电压偏置，可以将使得辐射器件402产生第二方向上的二分之一波长的谐振模式。其中，第二频段信号是3.3至3.36GHz的工作频段对应的频段信号。

请参考图12，其示出了本申请一示例性实施例涉及图10的一种辐射器件产生二分之一波长的谐振频段的电流示意图。如图12所示，其中包含了第三耦合器件1001c，辐射器件1002。在第三耦合器件1001c中输入第一子频段的信号时，在辐射器件1002中产生图12所示的电流，激发二分之一波长的谐振模式。其中，辐射器件在长度方向上的两侧存在电流零点，在长度方向上的中间电流最大。

可选地，第三信号馈线1005c向第三耦合器件1001c输入的信号是第二子频段的信号，辐射器件402用于产生沿辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式；即，如果第三信号馈线1005c向第三耦合器件1001c输入的信号是第二子频段的信号，辐射器件402可以产生沿辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式。其中，第二子频段的信号是4.89至5GHz的工作频段对应的频段信号。

请参考图13，其示出了本申请一示例性实施例涉及图10的一种辐射器件产生八分之一波长的谐振频段的电流示意图。如图13所示，其中包含了第三耦合器件1001c，辐射器件1002。在第三耦合器件1001c中输入第二子频段的信号时，第三耦合器件1001c和辐射器件1002相互耦合，在辐射器件1002中产生图13所示的电流，激发沿辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式。

需要说明的是，对于上述图10中第一耦合器件1001a和第二耦合器件1001b，以及各自对应相连的第一信号馈线1005a和第二信号馈线1005b来说，由于在其对应的辐射器件上未包含辐射缝隙，因此，第一信号馈线1005a和第二信号馈线1005b可以向各自相连的耦合器件内传输第一频段的信号或者第一子频段的信号，从而激励辐射器件产生第一方向上四分之一波长的倒F谐振模式，或者，激励辐射器件产生第二方向上二分之一波长的谐振模式，此处不再赘述。

可选地，上述图10所示的天线模组中还包含匹配电路1006，匹配电路1006用于将耦合器件与信号馈线相连接；匹配电路1006还用于实现耦合器件与信号馈线之间的阻抗相匹配。即，通过在信号馈线上安装匹配电路，再与耦合器件相连接，可以使得耦合器件的阻抗与信号馈线的阻抗更加匹配，降低信号馈线传入耦合器件的信号的损失。对于图10来说，每个信号馈线上都可以有相应的匹配电路，并实现该线路上的耦合器件与信号馈线之间的阻抗相匹配。

在一种可能实现的方式中，对于上述图10中的三个信号馈线，这三个信号馈线可以向各自连接的耦合器件提供不同的频段信号。即，分别可以向第一耦合器件、第二耦合器件以及第三耦合器件输入不同的信号。即，在本申请提供的天线模组中，不同的耦合器件可以同时被输入不同的信号，并与同一个辐射器件进行耦合，使得同一个辐射器件同时产生不同模式的谐振，实现工作在不同的谐振频段的方式下。

在一种可能实现的方式中，第一信号馈线用于向第一耦合器件输入第一频段的信号(即上述2.55至2.65GHz的工作频段对应的频段信号)，第二信号馈线用于向第二耦合器件输入第一子频段的信号(即上述3.3至3.36GHz的工作频段对应的频段信号)，第三信号馈线用于向第三耦合器件输入第二子频段的信号(即上述4.89至5GHz的工作频段对应的频段信号)；相应的，第一耦合器件与辐射器件402相互耦合，第二耦合器件与辐射器件402相互耦合，第三耦合器件与辐射器件402相互耦合，在辐射器件402中不仅可以存在由于第一耦合器件与辐射器件相互耦合在辐射器件中产生的在第一方向上的四分之一波长的倒F模式的谐振，还可以存在第二方向上的二分之一波长的谐振模式，还可以存在由于第三耦合器件与辐射器件相互耦合在辐射器件中产生的沿辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式，实现在同一个天线模组工作在不同频段，提供四分之一波长的倒F谐振模式、二分之一波长的谐振模式以及八分之一波长的谐振模式的功能。

请参考图14，其示出了本申请一示例性实施例涉及图4的一种天线模组自身的反射系数的变化曲线图。如图14所示，其中包含了天线模组的信号馈线向第一耦合器件输入不同频段信号时天线模组的反射系数曲线1401，第一采样点1402，第二采样点1403，第三采样点1404，第四采样点1405，第五采样点1406，第六采样点1407。由第一采样点1402和第二采样点1403可知，在信号馈线向第一耦合器件内，输入上述第一频段信号时，天线模组的反射系数小于-2.9631分贝(dB)，由第三采样点1404和第四采样点1405可知，在信号馈线向第一耦合器件内，输入上述第二频段信号时，天线模组的反射系数小于-3.2845分贝(dB)，由第五采样点1406和第六采样点1407可知，在信号馈线向第一耦合器件内，输入上述第三频段信号时，天线模组的反射系数小于-2.9117分贝(dB)。

请参考图15，其示出了本申请一示例性实施例涉及图4的一种天线模组自身的系统效率和辐射效率的变化曲线图。如图15所示，其中包含了天线模组的信号馈线向第一耦合器件输入不同频段信号时天线模组的系统效率曲线1501，以及，天线模组的信号馈线向第一耦合器件输入不同频段信号时天线模组的辐射效率曲线1502。其中，在系统效率曲线1501上还包含了第一采样点1503，第二采样点1504，第三采样点1505，第四采样点1506，第五采样点1507，第六采样点1508。其中，由第一采样点1503和第二采样点1504可知，在信号馈线向第一耦合器件内，输入上述第一频段信号时，天线模组的辐射效率大于-3.2496分贝(dB)，由第三采样点1505和第四采样点1506可知，在信号馈线向第一耦合器件内，输入上述第二频段信号时，天线模组的反射系数大于-3.5781分贝(dB)，由第五采样点1507和第六采样点1508可知，在信号馈线向第一耦合器件内，输入上述第三频段信号时，天线模组的反射系数大于-3.0926分贝(dB)。

综上所述，本申请提供的天线模组包括耦合器件、辐射器件、金属接地板，耦合器件设置在辐射器件与金属接地板之间，并与信号馈线电性相连，利用信号馈线向耦合器件中输入信号，通过耦合器件与辐射器件之间相互耦合，激励辐射器件产生对应模式的谐振。其中包括：由信号馈线向耦合器件中输入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；以及由信号馈线向耦合器件中输入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；目标谐振模式不同于倒F谐振模式。本申请通过向耦合器件输入不同频段的信号，在辐射器件内激励出不同模式的谐振方式，实现了一个天线模组可以工作在不同的谐振频段下，避免了在电子设备的金属边框上设计多余的天线，减少了电子设备中设置天线的数量，提高了电子设备的空间利用率。

另外，本申请提供的天线模组，通过一个辐射器件可以与多个不同的耦合器件同时耦合，并产生不同的谐振频段，在一个天线模组中同时实现提供不同谐振频段的功能，也简化了天线中的电路设计，降低了天线中电路设计的复杂程度。

请参考图16，其示出了本申请一示例性实施例提供的一种电子设备的结构示意图。如图16所示，在电子设备1600中包含了第一天线模组1601，第二天线模组1602，第三天线模组1603和第四天线模组1604，多个天线模组可以共用同一个金属接地板1605。其中，该第一天线模组1601，第二天线模组1602，第三天线模组1603和第四天线模组1604均可以采用上述图2、图4、图6、图8、图9或者图10提供的天线模组。

可选的，电子设备在采用其中一个天线模组或者两个天线模组发送消息、视频等数据时，电子设备可以使自身与天线模组电性连接的功率放大器工作在对应的频段中，并通过天线模组中的信号馈线向天线模组中的至少一个耦合器件输入信号，天线模组中的辐射器件与输入了信号的耦合器件相互耦合，在辐射器件中产生对应波长的谐振频段。在电子设备需要发射多种谐振频段时，电子设备也可以向任何一个天线模组中的各个耦合器件输入多种信号，使得各个耦合器件与该天线模组中的辐射器件耦合，产生多种谐振频段，达到同时通过一个天线模组传输不同数据的效果。

在一种可能实现的方式中，电子设备需要采用第一天线模组向外发送第一波长的倒F模式的谐振频段的信号时，电子设备可以向第一天线模组中的第一耦合器件输入第一频段的信号，即2.55至2.65GHz的工作频段对应的频段信号，第一耦合器件与第一天线模组中的辐射器件相互耦合，在辐射器件中产生四分之一波长的倒F模式的谐振频段的信号，从而辐射出去。

或者，电子设备需要采用第一天线模组向外发送第二波长的偏置模式的谐振频段的信号时，电子设备可以向第一天线模组中的第一耦合器件输入第一子频段的信号，即3.3至3.36GHz的工作频段对应的频段信号，第一耦合器件与第一天线模组中的辐射器件相互耦合，在辐射器件中产生二分之一波长的谐振模式的信号，从而辐射出去。

或者，电子设备需要采用第一天线模组向外发送第三波长的缝隙模式的谐振频段的信号时，电子设备可以向第一天线模组中的第一耦合器件输入第二子频段的信号，即4.89GHz至5GHz的工作频段对应的频段信号，第一耦合器件与第一天线模组中的辐射器件相互耦合，在辐射器件中产生八分之一波长的谐振模式的信号，从而辐射出去。

在一种可能实现的方式中，电子设备需要向外发送四分之一波长的倒F模式的谐振频段的信号以及二分之一波长的谐振模式的信号时，电子设备可以向第一天线模组中的第一耦合器件输入第一频段的信号，即2.55至2.65GHz的工作频段对应的频段信号，并且向第一天线模组中的第二耦合器件输入第一子频段的信号，即3.3至3.36GHz的工作频段对应的频段信号，在第一天线模组中，第一耦合器件与第一天线模组中的辐射器件相互耦合，在辐射器件中产生四分之一波长的倒F谐振模式的信号，第二耦合器件与第一天线模组中的辐射器件相互耦合，在辐射器件中产生二分之一波长的谐振模式的信号，从而将两种天线信号都辐射出去。类似的，对于电子设备中的任意一个天线模组也可以实现相同的工作方式，使得电子设备不需要设计多余的天线，达到实现单个天线辐射不同谐振频段的效果。

在一种可能实现的方式中，电子设备包括金属后壳；第一天线模组中的辐射器件设置于金属后壳上，第一天线模组是至少一个天线模组中的任意一个天线模组。例如，在电子设备中，通过LDS(Laser Direct Structuring，激光直接成型)、PDS(PremisesDistribution System，综合布线系统)等工艺直接成型在金属后壳的内表面。或者，在电子设备中，通过粘贴柔性电路板的形式设置于金属后壳的内表面。

综上所述，本申请提供的天线模组包括耦合器件、辐射器件、金属接地板，耦合器件设置在辐射器件与金属接地板之间，并与信号馈线电性相连，利用信号馈线向耦合器件中输入信号，通过耦合器件与辐射器件之间相互耦合，激励辐射器件产生对应模式的谐振。其中包括：由信号馈线向耦合器件中输入第一频段的信号时，激励辐射器件产生倒F谐振模式；以及由信号馈线向耦合器件中输入第二频段的信号时，激励辐射器件产生目标谐振模式；目标谐振模式不同于倒F谐振模式。本申请通过向耦合器件输入不同频段的信号，在辐射器件内激励出不同模式的谐振方式，实现了一个天线模组可以工作在不同的谐振频段下，避免了在电子设备的金属边框上设计多余的天线，减少了电子设备中设置天线的数量，提高了电子设备的空间利用率。

应当理解的是，在本文中提及的“和/或”，描述案对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

以上所述仅为本申请可选的实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种天线模组，其特征在于，所述天线模组包括：

金属接地板；

辐射器件，所述辐射器件与所述金属接地板相对设置并电性相连；

耦合器件，所述耦合器件设置在所述辐射器件与所述金属接地板之间；

信号馈线，所述信号馈线与所述耦合器电性相连，用于向所述耦合器件输入信号；

所述耦合器件用于在所述信号馈线馈入第一频段的信号时，激励所述辐射器件产生倒F谐振模式；

所述耦合器件还用于在所述信号馈线馈入第二频段的信号时，激励所述辐射器件产生目标谐振模式；所述目标谐振模式不同于所述倒F谐振模式。

2.根据权利要求1所述的天线模组，其特征在于，所述耦合器件的中心在第一方向上相对于所述辐射器件的中心具有第一偏置距离；

所述耦合器件，还用于在所述第一频段的信号经所述耦合器件耦合至所述辐射器件时，激励所述辐射器件在所述第一方向上产生四分之一波长的倒F谐振模式。

3.根据权利要求2所述的天线模组，其特征在于，所述耦合器件的中心在第二方向上相对于所述辐射器件的中心具有第二偏置距离；

所述第二频段包括第一子频段；

所述耦合器件，还用于在所述第一子频段的信号经所述耦合器件耦合至所述辐射器件时，激励所述辐射器件在所述第二方向上产生二分之一波长的谐振模式；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

4.根据权利要求2或3所述的天线模组，其特征在于，所述辐射器件上设置有辐射缝隙，所述耦合器件在所述辐射器件上的投影横跨所述辐射缝隙；

所述第二频段包括第二子频段；

所述耦合器件，还用于在所述第二子频段的信号经所述耦合器件耦合至所述辐射器件时，激励所述辐射器件产生沿所述辐射缝隙的八分之一波长的谐振模式。

5.根据权利要求4所述的天线模组，其特征在于，所述辐射缝隙包括相互连接的第一缝隙段和第二缝隙段，所述第一缝隙段沿所述第一方向设置，并在所述辐射器件的靠近所述耦合器件的一侧形成有开口，所述第二缝隙段一端与所述第一缝隙段远离所述开口的一端连通，另一端沿垂直于所述第一方向的一侧延伸。

6.根据权利要求5所述的天线模组，其特征在于，所述耦合器件与所述信号馈线连接的位置形成馈电点，所述馈电点位于所述第一缝隙段背离所述第二缝隙段的一侧。

7.根据权利要求3所述的天线模组，其特征在于，所述辐射器件的第一边与所述金属接地板电性相连；所述第一边的长度为所述第一频段的电磁波波长的四分之一；

所述辐射器件的第二边与所述第一边垂直，且所述第二边的长度为所述第一子频段的电磁波波长的二分之一。

8.根据权利要求7所述的天线模组，其特征在于，

所述第一频段是2.55GHz至2.65GHz的频段；所述第一子频段是3.3GHz至3.36GHz的频段。

9.根据权利要求4所述的天线模组，其特征在于，所述辐射缝隙的长度是所述第二子频段的电磁波波长的八分之一。

10.根据权利要求9所述的天线模组，其特征在于，所述第二子频段是4.89GHz至5GHz的频段。

11.根据权利要求1所述的天线模组，其特征在于，所述天线模组包括至少两个耦合器件以及至少两个信号馈线；所述至少两个信号馈线用于向所述至少两个耦合器件提供不同的信号。

12.根据权利要求11所述的天线模组，其特征在于，所述至少两个信号馈线包括第一信号馈线和第二信号馈线，所述至少两个耦合器件包括第一耦合器件和第二耦合器件，所述第一信号馈线用于向第一耦合器件输入所述第一频段的信号，所述第二信号馈线用于向第二耦合器件输入所述第二频段的信号。

13.根据权利要求1所述的天线模组，其特征在于，所述天线模组中还包含匹配电路，所述匹配电路用于将所述耦合器件与所述信号馈线相连接；

所述匹配电路用于实现所述耦合器件与所述信号馈线之间的阻抗相匹配。

14.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括至少一个天线模组，所述天线模组是如权利要求1至13任意一项所述的天线模组。

15.根据权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括金属后壳；

第一天线模组中的辐射器件设置于所述金属后壳上，所述第一天线模组是所述至少一个天线模组中的任意一个天线模组。

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