CN111413815A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置,用以将感应天线集成到显示面板上,避免将感应天线设置在显示面板的背面挤占其他天线的设置空间。显示面板包括位于衬底基板的相同侧的数据线、感应天线和数据驱动电路。衬底基板的非显示区包括位于显示区的相对两侧的第一子和第二子非显示区。数据线在衬底基板所在平面的正投影位于显示区。数据驱动电路在衬底基板所在平面的正投影位于第一子非显示区。感应天线包括感应线圈,感应线圈包括由中心至边缘依次设置的多匝环状结构;部分环状结构包括电连接的第一和第二部分,第一和第二部分在衬底基板所在平面的正投影分别位于显示区和第二子非显示区,二者由不同的导电膜层图案化形成。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
【背景技术】
移动通讯设备中装设有用于接收、发射信号用的各种感应天线,例如移动通信主天线、无线充电线圈、近场通讯天线等。目前,多种感应天线均设置于移动通讯设备的背面,导致具有不同功能的各个天线的设置空间也受到了压缩。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种显示面板和显示装置,用以将感应天线集成到显示面板上,能避免使感应天线设置在显示面板的背面挤占其他天线的设置空间。
一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
衬底基板,包括显示区和非显示区;所述非显示区至少包括第一子非显示区和第二子非显示区;沿第一方向,所述第一子非显示区和所述第二子非显示区位于所述显示区的相对两侧;
数据线,位于所述衬底基板的一侧;所述数据线在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述显示区;
数据驱动电路,与所述数据线电连接;所述数据驱动电路在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述第一子非显示区;
感应天线,与所述数据线位于所述衬底基板的相同侧;所述感应天线包括感应线圈,所述感应线圈包括由中心至边缘依次设置的多匝环状结构;至少部分所述环状结构包括电连接的第一部分和第二部分,所述第一部分在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述显示区,所述第二部分在所述衬底基板所在平面的正投影至少部分位于所述第二子非显示区;所述第一部分和所述第二部分由不同的导电膜层图案化形成。
另一方面,本发明实施例提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明实施例提供的显示装置,通过将感应天线与数据线设置在衬底基板的相同侧,即,将感应天线集成到显示面板中,不仅能够提高产品的竞争力,还能避免使感应天线设置在显示面板的背面挤占其他天线的设置空间。
而且,本发明实施例将感应天线中的感应线圈所包括的环状结构设计为包括至少两部分,将其中第一部分对应显示区设置,将第二部分对应非显示区设置。即,使第一部分在衬底基板所在平面的正投影位于显示区,第二部分在衬底基板所在平面的正投影至少部分位于非显示区。如此设置,能够兼顾显示面板窄边框高屏占比的设计,避免出现将感应天线全部设置在非显示区时所可能出现的已有的非显示区的面积较小不足以设计符合面积要求的感应天线的情况,也能避免出现将感应天线全部设置在显示区所导致的显示区中子像素开口率受到影响以及工艺难度较大的问题。
除此之外,在对应非显示区设置第二部分时,本发明实施例通过将第二部分设置在不包括数据驱动电路的第二子非显示区,能够避免感应天线中第二部分的设置对位于第一子非显示区中的走线及电子器件的影响。由于第一子非显示区中需要设置连接数据驱动电路和数据线的扇出(fan out)走线,而且扇出走线的数量一般较多且排布紧密,因此,本发明实施例通过将感应天线的第二部分避开扇出走线所在的第一子非显示区,能够避免第二部分的设置对扇出走线产生不良影响,而且能够避免感应天线与扇出走线搭接短路,保证扇出走线所传输数据信号的准确性,保证显示面板的正常显示。
另外,本发明实施例通过将第一部分和第二部分设置在不同的膜层,可以使第一部分的膜层设置位置兼顾显示区中已有的膜层来设计,使第二部分的膜层设置位置兼顾第二子非显示区中已有的膜层来设计。例如,可以将第一部分和第二部分分别与显示面板中的部分已有走线设置为同层,能够避免增加新的膜层来做感应天线,不仅能够简化包括感应天线的显示面板的制备工艺,降低显示面板的制作成本。而且也能避免增加显示面板的厚度,有利于显示面板的薄型化设计。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板中感应天线的一种分布示意图;
图3为本发明实施例提供的显示面板中的感应天线的一种放大示意图;
图4为图3沿BB’的一种截面示意图;
图5为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的截面示意图;
图6为本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管的截面示意图;
图7为本发明实施例提供的一种液晶显示面板中除感应天线外的其他结构的俯视示意图;
图8为图7所示的液晶显示面板的一种截面示意图;
图9为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的截面示意图;
图10为图7所示的液晶显示面板的另一种截面示意图;
图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视示意图;
图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视示意图;
图13为本发明实施例提供的另一种感应线圈的截面示意图;
图14为本发明实施例提供的显示面板中的感应天线的另一种放大示意图;
图15为图7所示的液晶显示面板的另一种截面示意图;
图16为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解,尽管在本发明实施例中可能采用术语第一部分、第二部分等来描述位于不同位置处的感应天线,这些术语仅用来将位于不同位置处的感应天线彼此区分开。例如,在不脱离本发明实施例范围的情况下,第一部分也可以被称为第二部分,类似地,第二部分也可以被称为第一部分。
本发明实施例提供了一种显示面板,该显示面板包括衬底基板,以及位于衬底基板的相同侧的子像素、数据线、扫描线、数据驱动电路、栅极驱动电路和感应天线。具体的,如图1、图2、图3和图4所示,图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图,其中,为了图示画面的简洁未示出感应天线。图2为本发明实施例提供的显示面板中感应天线的一种分布示意图,图3为本发明实施例提供的显示面板中的感应天线的一种放大示意图,图4为图3沿BB’的一种截面示意图,其中,子像素(图1未示出)、数据线20、扫描线30、数据驱动电路21、栅极驱动电路31和感应天线4位于衬底基板1的相同侧。
示例性的,衬底基板1包括显示区AA和非显示区NA。非显示区NA至少包括第一子非显示区NA1、第二子非显示区NA2和第三子非显示区NA3。其中,第一子非显示区NA1和第二子非显示区NA2沿第一方向y分设于显示区AA和第三子非显示区NA3两侧。第三子非显示区NA3和显示区AA沿第二方向x排列。
子像素、数据线20、扫描线30在衬底基板1所在平面的正投影均位于显示区AA。数据驱动电路21在衬底基板1所在平面的正投影位于第一子非显示区NA1。栅极驱动电路31在衬底基板1所在平面的正投影位于第三子非显示区NA3。数据驱动电路21与数据线20电连接,栅极驱动电路31通过扫描线30与位于同一行的子像素相连。在显示面板进行显示时,在栅极驱动电路31所传输的扫描控制信号的控制下,数据驱动电路21输出的数据电压通过数据线20传输至相应行的子像素以使子像素显示。示例性的,如图1所示,数据线20沿第一方向y延伸,多条数据线20沿第二方向x排列,扫描线30沿第二方向x延伸,多条扫描线30沿第一方向y排列。其中,第一方向y与第二方向x交叉。
结合图2和图3所示,感应天线4包括感应线圈40,感应线圈40包括由中心至边缘依次设置的多匝环状结构400(图2中以感应线圈40包括八匝环状结构400作为示意)。在显示面板中布置感应天线4时,本发明实施例将至少部分环状结构400设置为包括电连接的第一部分401和第二部分402。令其中第一部分401在衬底基板1所在平面的正投影位于显示区AA,令其中第二部分402在衬底基板1所在平面的正投影至少部分位于非显示区NA。具体的,如图1和图2所示,其中第二部分402在衬底基板1所在平面的正投影至少部分位于非显示区NA中的第二子非显示区NA2。可以理解的是,第二部分402在衬底基板1所在平面的正投影至少部分位于第二子非显示区NA2可以为第二部分402在衬底基板1所在平面的正投影全部位于第二子非显示区NA2,也可以为部分位于第二子非显示区NA2,本发明实施例对此并不做限定。
如图4所示,感应天线4中对应显示区AA设置的第一部分401和对应第二子非显示区NA2设置的第二部分402由不同的导电膜层图案化形成。
本发明实施例提供的显示面板,通过将感应天线4与数据线20设置在衬底基板1的相同侧,即,将感应天线4集成到显示面板中,不仅能够提高产品的竞争力,还能避免使感应天线4设置在显示面板的背面挤占其他天线的设置空间。
而且,本发明实施例将感应天线4中的感应线圈40所包括的环状结构400设计为包括至少两部分,将其中第一部分401对应显示区AA1设置,将第二部分402对应非显示区NA设置。即,使第一部分401在衬底基板1所在平面的正投影位于显示区AA,第二部分402在衬底基板1所在平面的正投影至少部分位于非显示区NA。如此设置,能够兼顾显示面板窄边框高屏占比的设计,避免出现将感应天线4全部设置在非显示区NA时所可能出现的已有的非显示区NA的面积较小不足以设计符合面积要求的感应天线4的情况,也能避免出现将感应天线4全部设置在显示区AA所导致的显示区AA中子像素开口率受到影响以及工艺难度较大的问题。例如,以将感应线圈40设计为图3所示的四边形,感应天线4的面积要求在1200mm2~1400mm2范围内,第二子非显示区NA2的宽度在0.8mm~1mm之间,第三子非显示区NA3的宽度在0.7mm~0.9mm之间为例,在满足感应线圈40面积大小的情况下,本发明实施例可以将其中三边集成在非显示区NA,将其中一边集成在显示区AA,以降低对显示区AA的影响。
除此之外,在对应非显示区NA设置第二部分402时,本发明实施例通过将第二部分402设置在不包括数据驱动电路21的第二子非显示区NA2,能够避免感应天线4中第二部分402的设置对位于第一子非显示区NA1中的走线及电子器件的影响。由于第一子非显示区NA1中需要设置连接数据驱动电路21和数据线20的扇出(fan out)走线22,而且扇出走线22的数量一般较多且排布紧密,因此,本发明实施例通过将感应天线4的第二部分402避开扇出走线22所在的第一子非显示区NA1,能够避免第二部分402的设置对扇出走线22产生不良影响,而且能够避免感应天线4与扇出走线22搭接短路,保证扇出走线22所传输数据信号的准确性,保证显示面板的正常显示。
另外,本发明实施例通过将第一部分401和第二部分402设置在不同的膜层,可以使第一部分401的膜层设置位置兼顾显示区AA中已有的膜层来设计,使第二部分402的膜层设置位置兼顾第二子非显示区NA2中已有的膜层来设计。例如,可以将第一部分401和第二部分402分别与显示面板中的部分已有走线设置为同层,能够避免增加新的膜层来做感应天线4,不仅能够简化包括感应天线4的显示面板的制备工艺,降低显示面板的制作成本。而且也能避免增加显示面板的厚度,有利于显示面板的薄型化设计。
示例性的,上述感应天线4可以为近场通讯(Near Field Communication,以下简称NFC)天线,或无线射频辨识(Radio Frequency Identification,以下简称RFID)天线,或具有其他功能的天线,本发明实施例对此不作限定。以其为NFC天线为例,当在不同的终端中搭载NFC天线时,这些终端可以基于NFC天线进行通信,能够实现身份验证以及支付等多种功能。
示例性的,图2和图3所示的四边形形状的感应线圈仅为示意,在实际的显示面板的设计过程中,在保证感应线圈与其他走线之间绝缘的情况下,可以将感应线圈的形状设计为圆形或其他多边形,本发明实施例对此不作限定。
示例性的,本发明实施例提供的显示面板的显示区AA和非显示区NA还包括多个晶体管。可选的,该晶体管可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下简称TFT)。薄膜晶体管可以参与形成分别位于显示区AA和非显示区NA的具有不同功能的电路。如图5所示,图5为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的截面示意图,其中,薄膜晶体管5包括栅极51、源极52、漏极53和有源结构54。在形成如图5所示结构的薄膜晶体管时,一般是按照如下步骤进行:
首先,在衬底衬底基板1的一侧形成缓冲层55。缓冲层55可以是二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)膜、氮氧化硅(SiOxNy)膜中的一种或多种。
然后,在缓冲层55远离衬底基板1的一侧形成有源层56。有源层56可以是非晶硅(a-Si)膜或多晶硅(Poly-Si)膜。可选的,可以选取具有高载流子迁移率的多晶硅膜来形成有源层56。
然后,在有源层56远离衬底基板1的一侧形成第一绝缘层57。第一绝缘层57可以是二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)膜、氮氧化硅(SiOxNy)膜中的一种或多种。
然后,在第一绝缘层57远离衬底基板1的一侧形成第一金属层M1,并对第一金属层M1图案化以薄膜晶体管5的栅极51,其中,栅极51与前述有源层56交叠。此时,在显示区AA中可以同时形成与其中部分薄膜晶体管5的栅极51电连接的扫描线30。
然后,利用栅极51作为掩膜在有源层56中掺杂以形成源极区和漏极区,其中,源极区和漏极区形成在有源层56的与栅极51不交叠的区域中,作为有源结构54的沟道区被限定在源漏区之间(图5所示的截面图中沟道区以不同的填充图案与源漏区区分)。
然后,第二绝缘层58被形成在第一金属层M1远离衬底基板1的一侧,并在第二绝缘层58中形成过孔,以暴露有源层56的源极区和漏极区。
然后,在第二绝缘层58远离衬底基板1的一侧形成第二金属层M2,并对第二金属层M2图案化以形成薄膜晶体管5的源极52和漏极53,其中源极52与有源层56的源极区电连接,漏极53与有源层56的漏极区电连接。与此同时,也可在显示区AA中形成与其中至少部分薄膜晶体管5的源极52或漏极53电连接的数据线20。其中,数据线20和扫描线30的延伸方向不同,二者相互交叉限定出子像素的位置。其中,第二金属层M2的材料可以为钛铝钛合金或钼铝钼合金,以提高数据线20和源极52、漏极53的导电性。
如上所述,本文中出现的源极52和漏极53指的是与薄膜晶体管5的源极区和漏极区分别连接的金属电极,其中,源极区和漏极区为经过掺杂的有源层56中的区域,其分别与源、漏金属电极相连,接收并传输源、漏金属电极传输的外接信号。有源结构54对应沟道区,其为有源层56中与薄膜晶体管5的栅极51对应的部分,栅极51上施加的电压信号可以控制位于沟道区的有源结构51的导通或截止,从而以实现薄膜晶体管5的开关功能。
示例性的,如图5所示,该显示面板还可以包括位于衬底基板1和有源结构54之间的遮光层6。遮光层6和有源结构54在衬底基板1所在平面的正投影至少部分交叠。本发明实施例通过设置遮光层6,能够避免有源结构54受到外界环境光或背光源的光照,从而避免出现在有源结构54中产生光生载流子所引起的漏流问题,从而能够保证薄膜晶体管5的电学性能。可选的,遮光层6的材料可以为钼。
如6所示,图6为本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管的截面示意图,其中,该薄膜晶体管为底栅(Bottom Gate)结构,此时栅极51可以复用为遮光层6。
在本发明实施例中,该显示面板可以为包括液晶材料的液晶显示(LiquidCrystal Display,以下简称LCD)面板,或者也可以为采用自发光技术的显示面板。例如,该显示面板可以为有机发光(Organic Light-Emitting Diode,以下简称OLED)显示面板、量子点发光(Quantum Dot Light Emitting Diodes,以下简称QLED)显示面板或微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,以下简称Micro-LED)显示面板中的任意一种。
在本发明实施例提供的显示面板中,非显示区NA中设置有包括栅极驱动电路31在内的多种周边电路。以栅极驱动电路31为例,栅极驱动电路31包括多个与扫描线30电连接的移位寄存单元。每个移位寄存单元均包括存储电容以及多个薄膜晶体管。在显示区AA中,在该显示面板为LCD时,示例性的,如图7和图8所示,图7为本发明实施例提供的液晶显示面板中除感应天线外的其他结构的俯视示意图,图8为图7所示的液晶显示面板的一种截面示意图,上述子像素包括像素电极71、公共电极72(图7未示出)和薄膜晶体管5,液晶70、像素电极71、公共电极72与感应天线4(图7未示出)位于衬底基板1的相同侧;且,液晶70、像素电极71和公共电极72在衬底基板1所在平面的正投影均位于显示区AA。薄膜晶体管5的栅极51与扫描线30电连接,且二者采用同一道构图工艺形成。薄膜晶体管5的源极52和漏极53分别与数据线20和像素电极71相连。源极52、漏极53与数据线20采用同一道构图工艺形成。公共电极72和像素电极71可采用透明金属氧化物,如氧化铟锡、氧化铟锌或铟镓锌氧化物等来形成。具体的,在本发明实施例中,构图工艺可以包括成膜、曝光、显影、刻蚀等形成特定图形的工艺过程。
在液晶显示面板进行显示时,栅极驱动电路31发出的扫描控制信号通过扫描线30控制相应行的子像素开启,数据驱动电路21向数据线20提供的数据电压传输至像素电极71,在像素电极71和公共电极72之间的压差的作用下,液晶70发生相应程度的偏转,以实现子像素的不同灰阶的显示。
在该显示面板为OLED显示面板时,如图9所示,图9为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的截面示意图,其中,子像素包括有机发光器件81和像素驱动电路82。有机发光器件81、像素驱动电路82与感应天线4位于衬底基板1的相同侧。且,有机发光器件81、像素驱动电路82在衬底基板1所在平面的正投影位于显示区AA。如图9所示,有机发光器件81包括第一电极811、发光结构813和第二电极812。像素驱动电路82包括存储电容和多个薄膜晶体管5。例如,像素驱动电路82可以采用包括7个薄膜晶体管以及1个存储电容的7T1C结构,当然也可以为其他,本发明实施例对此不作限定。其中,第一电极811与其中一个薄膜晶体管5的源极52或漏极53电连接(图9中仅示出了与有机发光器件81直接连接的一个薄膜晶体管5作为示意)。如图9所示,第一电极811位于源极52远离衬底基板1的一侧,发光结构813位于第一电极811远离衬底基板1的一侧,第二电极812位于发光结构813远离衬底基板1的一侧。
在OLED显示面板进行显示时,栅极驱动电路31发出的扫描控制信号通过扫描线30控制相应行的子像素开启,数据驱动电路21向数据线20提供的数据电压传输至有机发光器件81的第一电极811,在第一电极811和第二电极812之间的压差的作用下,发光结构81发光,以使显示面板显示。
示例性的,结合图2和图3所示,感应天线4还包括第一连接线41和第二连接线42。显示面板还包括向感应天线4提供驱动信号以及接收感应天线4所反馈的感应信号的天线驱动电路43。可选的,可以将天线驱动电路43与数据驱动电路21集成设置在同一驱动芯片IC中。
如图2和图3所示,感应线圈40的一端通过第一连接线41与天线驱动电路43相连,感应线圈40的另一端通过第二连接线42与天线驱动电路43相连。在感应天线4工作时,可以通过第一连接线41和第二连接线42分别传输驱动信号和感应信号。
继续参照图2,第一连接线41和第二连接线42在衬底基板1所在平面的正投影位于第三子非显示区NA3。且,第一连接线41与栅极驱动电路31采用不同的导电膜层图案化形成,第二连接线42与栅极驱动电路31采用不同的导电膜层图案化形成。如前所述,栅极驱动电路31可以包括存储电容和多个薄膜晶体管,第一连接线41和第二连接线42与栅极驱动电路31采用不同的导电膜层图案化形成指的是第一连接线41与栅极驱动电路31中的存储电容和薄膜晶体管分别位于不同膜层,第二连接线42与栅极驱动电路31中的存储电容和薄膜晶体管分别位于不同膜层,以避免第一连接线41和第二连接线42的设置挤占栅极驱动电路31的设置空间。示例性的,第一连接线41和第二连接线42可以采用相同的导电膜层图案化形成。
在设置对应显示区AA的第一部分401时,如图8和图9所示,本发明实施例可以使第一部分401与扫描线30和栅极51采用同一道构图工艺形成。以简化显示面板的制备工序,并减薄显示面板的厚度。
示例性的,如图2所示,在采用同一道构图工艺形成第一部分401和扫描线30时,本发明实施例可以将第一部分401也设置为沿第二方向x延伸,即,令第一部分401与扫描线30平行设置,并保持第一部分401与扫描线3之间的距离使二者绝缘。如此设置以使第一部分401与对应第二子非显示区NA2设置的第二部分402围成感应线圈40。
示例性的,在采用同一道构图工艺形成第一部分401与扫描线30时,可以令对应显示区AA设置的相邻两条第一部分401之间的间距(pitch)与相邻两条扫描线30之间的间距保持一致。
或者,如图10所示,图10为图7所示的液晶显示面板的另一种截面示意图,本发明实施例还可以令第一部分401与遮光层6采用同一道构图工艺形成。此时,如图10所示,第一部分401在衬底基板1所在平面的正投影与薄膜晶体管5的有源结构54在衬底基板1所在平面的正投影不交叠,如此设置以避免第一部分401所传输的天线信号对有源结构54中的载流子产生影响,在简化显示面板的制备工艺,减薄显示面板的厚度的基础上,保证薄膜晶体管5的电学性能不受影响。
如图8、图9和图10所示,在设置对应第二子非显示区NA2的第二部分402时,本发明实施例可以将第二部分402设置在显示面板所包括的薄膜晶体管的源极52远离衬底基板1的一侧,以避免第二部分402的设置挤占由薄膜晶体管8所组成的各个电路的空间。如前所述,由于窄边框的设计需求,目前显示面板的边框区域的宽度都比较小。而且,由于第二子非显示区NA2中还设置有诸如静电防护电路等周边电路9(俯视图未示出),其中包括多个薄膜晶体管5,因此,在第一金属层M1和第二金属层M2中对应第二子非显示区NA2的位置都很有限。基于此考虑,本发明实施例通过将对应第二子非显示区NA2设置的第二部分402设置在源极52远离衬底基板的一侧,可以避免对周边电路9中的薄膜晶体管5的设置造成影响。而且,如此设置,也可以将第二部分402在衬底基板1所在平面的正投影与周边电路9在衬底基板1所在平面的正投影设置为交叠,以避免增大第二子非显示区NA2的宽度。
而且,本发明实施例通过将第二部分402避开薄膜晶体管5所在膜层设置,在保证属于不同感应线圈40的相邻两个第二部分402互不接触的前提下,可以灵活调整第二部分402之间的间距而不受显示区AA中相邻两行子像素间距的限定。此外,本发明实施例如此设置,能够避免整个感应线圈40都利用第一金属层M1或第二金属层M2来设置,能够避免感应线圈40的总电阻过大。
可选的,如图9所示,在该显示面板为OLED显示面板时,可以令第二部分402与第一电极811采用同一道构图工艺形成。由于第一电极811仅对应显示区AA设置,因此第一电极811所在膜层在对应第二子非显示区NA2的位置处空间较为充足,采用同一道构图工艺形成第二部分402与第一电极811时可以充分利用第一电极811所在的膜层位置,且工艺难度较小。
另外,本发明实施例提供的显示面板还可以为具有触控功能的触控显示面板。具体的,如图11所示,图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视示意图,该显示面板还包括触控电极11,以及用于连接触控电极11和触控芯片13的触控信号线12,其中,触控信号线12所在的第三金属层M3位于源极52远离衬底基板1的一侧,触控信号线12在衬底基板1所在平面的正投影位于显示区AA。
以该触控显示面板为LCD面板为例,结合图8、图10和图11所示,其中公共电极72可以复用为触控电极11。公共电极72分别与触控信号线12和显示信号线(未图示)电连接。具体地,当显示面板处于显示模式时,公共电极72通过显示信号线接收显示信号,像素电极71和公共电极72之间形成电场,驱动液晶70翻转,以实现正常显示。当显示面板处于触控模式时,触控芯片13通过触控信号线12向公共电极72提供触控信号,当手指触摸显示屏时,手指所在位置处的公共电极72的耦合电容会发生变化,触控芯片13进而根据触控信号线12所传输的检测信号,对手指的触摸位置进行确定。
可选的,本发明实施例可以令第二部分402可以与触控信号线12采用同一道构图工艺形成。如图8和图10所示,其中,触控信号线12对应显示区AA设置,触控信号线12所在的第三金属层M3中对应第二子非显示区NA2的位置空间较大,因此本发明实施例通过采用同一道构图工艺形成第二部分402和触控信号线12,在使显示面板兼具触控功能和天线通信这多个功能的基础上,也能避免使显示面板的制备工序复杂化。
或者,如图12所示,图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视示意图,其中,该显示面板还可以采用包括触控驱动电极111和触控感应电极112互电容式结构,其中,公共电极72可以复用为触控驱动电极14或者触控感应电极15中的任意一种。此时触控信号线12包括连接触控驱动电极111和触控芯片13的第一触控信号线121,以及连接触控感应电极112和触控芯片13的第二触控信号线122。如图12所示,此时触控驱动电极111和触控感应电极112可以均设置为条状结构,以减少第一触控信号线121和第二触控信号线122的数量。而且,如图12所示,此时第一触控信号线121和第二触控信号线122均不经过第二子非显示区NA2,因此,本发明实施例可以采用同一道构图工艺形成第二部分402与触控信号线,降低显示面板的制备难度。
或者,本发明实施例也可以单独设置触控电极层,即,不令触控电极复用为公共电极,例如,可以将触控电极设置为金属网格(Metal Mesh),以提高触控电极的导电性,从而提高触控灵敏度。示例性的,金属网格中的网孔对应子像素设置,以在提高触控电极的电导率的基础上,使子像素的出射光线能够经网孔射出,保证了显示面板的正常显示效果不受影响。可选的,在将触控电极设置为金属网格时,可以将触控电极设置在源极52远离衬底基板1的一侧,并且,仅对应显示区AA设置触控电极,以在第二子非显示区NA2中,在触控电极所在膜层设置第二部分402。即,采用同一道构图工艺形成第二部分402与触控电极,减薄显示面板的厚度,并简化显示面板的制备工序。
示例性的,在对应第三子非显示区NA3设置第一连接线41和第二连接线42时,本发明实施例可以采用同一道构图工艺形成第一连接线41、第二连接线42和第二部分402,即,令三者都位于第三金属层M3。
可选的,在位于第三金属层M3的第二连接线42和位于第一金属层M1或遮光层6的第一部分401电连接时,如图13所示,图13为本发明实施例提供的另一种感应线圈的截面示意图,其中,可以通过对位于二者之间的绝缘层进行打孔,以使第一部分401和第二连接线42通过过孔连接。
示例性的,如图8、图9和图10所示,显示面板还包括磁性层44,磁性层44位于衬底基板1远离感应天线4的一侧;磁性层44和感应线圈40在衬底基板1所在平面的正投影至少部分交叠。磁性层44的设置能够增加感应线圈40的电磁强度。示例性的,磁性层44的材料包括铁氧体。
可选的,本发明实施例可以将第一部分401和/或第二部分402设置为至少包括并联连接的第一子部和第二子部,以减小第一部分401和/或第二部分402的电阻,提高感应天线的导电性能。如图14所示,图14为本发明实施例提供的显示面板中的感应天线的另一种放大示意图,其中,第一部分401包括并联连接的第一子部4011和第二子部4012,第二部分402包括并联连接的第一子部4021和第二子部4022。
可以理解的是,图14仅是以将感应线圈40设置为包括并联连接的两重线圈为例进行的示意,实际上,可以将感应线圈40中的每匝环状结构均设置为包括更多重线圈并联的结构,本发明实施例对此不作限定。例如,可以将环状结构400的并联线圈的重数设置在2~64范围内。
示例性的,如图14所示,在将第一部分401和/或第二部分402设置为包括并联连接的第一子部和第二子部时,可以令第一部分401中的第一子部4011和第二子部4012采用同一道构图工艺形成。令第二部分402中的第一子部4021和第二子部4022采用同一道构图工艺形成,以减薄显示面板的厚度,并简化显示面板的生产工序。
或者,在本发明实施例中,还可以令第一部分401中的第一子部4011和第二子部4012由不同的导电膜层图案化形成。令第二部分402中的第一子部4021和第二子部4022由不同的导电膜层图案化形成,即,将第一部分401和第二部分402设置为在显示面板的厚度方向上并联连接。
例如,以该显示面板为液晶显示面板为例,可以将第二部分402所包括的第一子部4021和第二子部4022中的其中一者与像素电极71和/或公共电极72采用同一道构图工艺形成。示例性的,如图15所示,图15为图7所示的液晶显示面板的另一种截面示意图,其中以采用同一道构图工艺形成第二子部4022作为示意。
可选的,第二部分402中第一子部4021和第二子部4022的材料可以包括诸如氧化铟锡、氧化铟锌或铟镓锌氧化物等透明金属氧化物材料。
如图15所示,第二部分402还包括连接第一子部4021和第二子部4022的金属4023。示例性的,该金属4023可以选用银,以提高第二部分302的导电性能。
需要说明的是,在本发明实施例提供的显示面板为液晶显示面板时,其还包括彩膜、背光源、偏光片等结构,具体结构和作用原理与现有技术相同,在此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置,如图16所示,图16为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图,其中,该显示装置包括上述的显示面板100。其中,显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明,此处不再赘述。当然,图16所示的显示装置仅仅为示意说明,该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
本发明实施例提供的显示装置,通过将感应天线与数据线设置在衬底基板的相同侧,即,将感应天线集成到显示面板中,不仅能够提高产品的竞争力,还能避免使感应天线设置在显示面板的背面挤占其他天线的设置空间。
而且,本发明实施例将感应天线中的感应线圈所包括的环状结构设计为包括至少两部分,将其中第一部分对应显示区设置,将第二部分对应非显示区设置。即,使第一部分在衬底基板所在平面的正投影位于显示区,第二部分在衬底基板所在平面的正投影至少部分位于非显示区。如此设置,能够兼顾显示面板窄边框高屏占比的设计,避免出现将感应天线全部设置在非显示区时所可能出现的已有的非显示区的面积较小不足以设计符合面积要求的感应天线的情况,也能避免出现将感应天线全部设置在显示区所导致的显示区中子像素开口率受到影响以及工艺难度较大的问题。
除此之外,在对应非显示区设置第二部分时,本发明实施例通过将第二部分设置在不包括数据驱动电路的第二子非显示区,能够避免感应天线中第二部分的设置对位于第一子非显示区中的走线及电子器件的影响。由于第一子非显示区中需要设置连接数据驱动电路和数据线的扇出(fan out)走线,而且扇出走线的数量一般较多且排布紧密,因此,本发明实施例通过将感应天线的第二部分避开扇出走线所在的第一子非显示区,能够避免第二部分的设置对扇出走线产生不良影响,而且能够避免感应天线与扇出走线搭接短路,保证扇出走线所传输数据信号的准确性,保证显示面板的正常显示。
另外,本发明实施例通过将第一部分和第二部分设置在不同的膜层,可以使第一部分的膜层设置位置兼顾显示区中已有的膜层来设计,使第二部分的膜层设置位置兼顾第二子非显示区中已有的膜层来设计。例如,可以将第一部分和第二部分分别与显示面板中的部分已有走线设置为同层,能够避免增加新的膜层来做感应天线,不仅能够简化包括感应天线的显示面板的制备工艺,降低显示面板的制作成本。而且也能避免增加显示面板的厚度,有利于显示面板的薄型化设计。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。
Claims (17)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板,包括显示区和非显示区;所述非显示区至少包括第一子非显示区和第二子非显示区;沿第一方向,所述第一子非显示区和所述第二子非显示区位于所述显示区的相对两侧:
数据线,位于所述衬底基板的一侧;所述数据线在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述显示区;
数据驱动电路,与所述数据线电连接;所述数据驱动电路在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述第一子非显示区;
感应天线,与所述数据线位于所述衬底基板的相同侧;所述感应天线包括感应线圈,所述感应线圈包括由中心至边缘依次设置的多匝环状结构;至少部分所述环状结构包括电连接的第一部分和第二部分,所述第一部分在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述显示区,所述第二部分在所述衬底基板所在平面的正投影至少部分位于所述第二子非显示区;所述第一部分和所述第二部分由不同的导电膜层图案化形成。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括栅极驱动电路和天线驱动电路:
所述感应天线还包括第一连接线和第二连接线,所述感应线圈的一端通过所述第一连接线与所述天线驱动电路相连,所述感应线圈的另一端通过所述第二连接线与所述天线驱动电路相连;
所述非显示区还包括位于所述第一子非显示区和所述第二子非显示区之间的第三子非显示区;
所述栅极驱动电路在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述第三子非显示区;
所述第一连接线和所述第二连接线在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述第三子非显示区,且,所述第一连接线与所述栅极驱动电路采用不同的导电膜层图案化形成,所述第二连接线与所述栅极驱动电路采用不同的导电膜层图案化形成。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第一连接线、所述第二连接线和所述第二部分采用同一道构图工艺形成。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
所述显示面板还包括与所述栅极驱动电路电连接的扫描线;
所述扫描线在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述显示区;
所述第一部分与所述扫描线采用同一道构图工艺形成。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括晶体管;所述晶体管与所述感应天线位于所述衬底基板的相同侧;所述晶体管包括栅极、源极、漏极和有源结构;
所述第二部分位于所述源极远离所述衬底基板的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括触控信号线,所述触控信号线位于所述源极远离所述衬底基板的一侧,所述触控信号线在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述显示区;
所述第二部分与所述触控信号线采用同一道构图工艺形成。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括有机发光器件,所述有机发光器件与所述感应天线位于所述衬底基板的相同侧;且,所述有机发光器件在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述显示区;
所述有机发光器件包括第一电极、发光结构和第二电极;其中,所述第一电极与所述源极或漏极电连接,所述第一电极位于所述源极远离所述衬底基板的一侧,所述发光结构位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,所述第二电极位于所述发光结构远离所述衬底基板的一侧;
所述第二部分与所述第一电极采用同一道构图工艺形成。
8.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括遮光层,所述遮光层位于所述衬底基板和所述有源结构之间,所述遮光层和所述有源结构在所述衬底基板所在平面的正投影至少部分交叠;
所述第一部分与所述栅极或所述遮光层采用同一道构图工艺形成。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括磁性层,所述磁性层位于所述衬底基板远离所述感应天线的一侧;所述磁性层和所述感应线圈在所述衬底基板所在平面的正投影至少部分交叠。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,
所述磁性层的材料包括铁氧体。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一部分和/或所述第二部分至少包括并联连接的第一子部和第二子部。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,
所述第一部分中,所述第一子部和所述第二子部采用同一道构图工艺形成,
所述第二部分中,所述第一子部和所述第二子部采用同一道构图工艺形成。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,
所述第一部分中,所述第一子部和所述第二子部由不同的导电膜层图案化形成,
所述第二部分中,所述第一子部和所述第二子部由不同的导电膜层图案化形成。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括液晶、像素电极和公共电极,所述液晶、所述像素电极和所述公共电极与所述感应天线位于所述衬底基板的相同侧;且,所述液晶、所述像素电极和所述公共电极在所述衬底基板所在平面的正投影均位于所述显示区;
所述第二部分中,所述第一子部和所述第二子部中的其中一者与所述像素电极和/或所述公共电极采用同一道构图工艺形成。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,
所述第二部分中,所述第一子部和所述第二子部的材料包括透明金属氧化物;
所述第二部分还包括连接所述第一子部和所述第二子部的金属。
17.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-16任一项所述的显示面板。
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---|---|
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112255846A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Lcd显示模组及其制作方法 |
CN112462560A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-03-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示基板、显示面板和显示装置 |
CN112631036A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-09 | 江西兴泰科技有限公司 | 一种电子纸显示装置 |
CN112783372A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-05-11 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112785927A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-05-11 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示模组 |
CN112860122A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示装置和显示系统 |
CN112927616A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112927620A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112927614A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112927613A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示模组 |
CN112927617A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN113437093A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法与显示装置 |
CN114327146A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN114664237A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-06-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示装置及其驱动方法 |
CN114725074A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-07-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示模组及显示终端 |
WO2023206650A1 (zh) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及终端设备 |
WO2024040574A1 (zh) * | 2022-08-26 | 2024-02-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108806513A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-13 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US20190051670A1 (en) * | 2018-06-29 | 2019-02-14 | Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Array substrate and display panel |
CN109857279A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US20190371879A1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | Wuhan Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
-
2020
- 2020-04-08 CN CN202010268740.9A patent/CN111413815B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190371879A1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | Wuhan Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
CN108806513A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-13 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US20190051670A1 (en) * | 2018-06-29 | 2019-02-14 | Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Array substrate and display panel |
CN109857279A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112255846A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Lcd显示模组及其制作方法 |
CN112462560A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-03-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示基板、显示面板和显示装置 |
CN112631036A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-09 | 江西兴泰科技有限公司 | 一种电子纸显示装置 |
WO2022161396A1 (zh) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示模组 |
CN112927616B (zh) * | 2021-01-28 | 2023-03-14 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112785927A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-05-11 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示模组 |
CN112927616A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112927620A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112927614A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112927613A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示模组 |
CN112927617A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112783372A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-05-11 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
WO2022161333A1 (zh) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
WO2022161351A1 (zh) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示模组 |
WO2022161311A1 (zh) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备及显示装置 |
CN112860122A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示装置和显示系统 |
CN112860122B (zh) * | 2021-03-17 | 2024-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示装置和显示系统 |
CN113437093A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法与显示装置 |
CN113437093B (zh) * | 2021-06-24 | 2024-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法与显示装置 |
CN114327146A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN114327146B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-10-20 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN114664237A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-06-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示装置及其驱动方法 |
CN114664237B (zh) * | 2022-03-22 | 2023-07-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示装置及其驱动方法 |
CN114725074A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-07-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示模组及显示终端 |
WO2023206650A1 (zh) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及终端设备 |
WO2024040574A1 (zh) * | 2022-08-26 | 2024-02-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111413815B (zh) | 2022-06-17 |
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