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CN110892257A - 摄影装置、凸块检查装置以及摄影方法 - Google Patents

摄影装置、凸块检查装置以及摄影方法 Download PDF

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CN110892257A
CN110892257A CN201780093282.6A CN201780093282A CN110892257A CN 110892257 A CN110892257 A CN 110892257A CN 201780093282 A CN201780093282 A CN 201780093282A CN 110892257 A CN110892257 A CN 110892257A
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irradiation
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light
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亚历山大·朱克
亚兰·罗斯
宫坂隆史
塚本刚也
菊田重哉
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Nidec Read Corp
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Abstract

本发明的凸块检查装置1用于对平行地配设有长条形状的多个凸块BP1的晶片W进行摄影，所述凸块BP1是沿着沿基板面的第一方向A延伸，且所述凸块检查装置1包括：激光光源4，对基板面在倾斜的照射方向上照射激光光L；照相机5，对经激光光L照射的基板面进行摄影；以及方向调节部92，以使第一方向A相对于激光光L的照射方向在俯视时倾斜的方式，调节激光光L的照射方向与晶片W的朝向的相对配置关系；并且照相机5在第一方向A相对于所述照射方向在俯视时倾斜的状态下对晶片W进行摄影。

Description

摄影装置、凸块检查装置以及摄影方法
技术领域
本发明涉及一种摄影装置、凸块检查装置以及摄影方法。
背景技术
以前以来，已知如下检查装置，所述检查装置对在表面上以XY方向的矩阵状形成有芯片的半导体晶片照射俯视时为X方向或Y方向的检查光，并检测其反射光，由此进行检查(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2012-253274号公报(段落0013、图1、图7)
发明内容
此外，有时在晶片等基板的表面上形成有被称为所谓凸块的突起状电极。凸块的形状也有各种，以长条状突出的形状的凸块被广泛应用。此种长条形状的凸块通常是使其长条方向与沿着方形芯片的边延伸的方向的X方向或Y方向一致。另外，在配置有多个此种长条形状的凸块时，在与所述长条方向正交的方向上彼此平行地并排。
然而，近年来基板的微细化进步，例如在将X方向上长条的多个凸块在Y方向上平行地并排的情形时，所述凸块的排列间距变窄。因此，在利用所述检查装置照射俯视时为Y方向的检查光时，若凸块的间隔窄，则照射于凸块与凸块之间的检查光在凸块间发生多重反射。若此种经多重反射的检查光被检测到，则有时会错误地认识到似乎在凸块的间隔部分也存在凸块而邻接的凸块相连。
关于本发明的目的，其目的在于提供一种摄影装置、凸块检查装置以及摄影方法，所述摄影装置在对平行地配设有多个凸块的基板进行摄影的情形时，容易以可识别凸块的间隔部分的方式摄影。
根据本发明的一方面的摄影装置用于对平行地配设有长条形状的多个凸块的基板进行摄影，所述凸块是沿着沿基板面的规定的第一方向延伸，且所述摄影装置包括：光照射部，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；摄影部，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及方向调节部，以使所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且所述摄影部在所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的状态下对所述基板进行摄影。
另外，根据本发明的一方面的摄影方法用于对平行地配设有长条形状的多个凸块的基板进行摄影，所述凸块是沿着沿基板面的既定的第一方向延伸，并且所述摄影方法包括：(A)光照射步骤，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；(B)摄影步骤，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及(C)方向调节步骤，以使所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且在所述摄影步骤(B)中，在所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的状态下对所述基板进行摄影。
另外，根据本发明的一方面的摄影装置用于对在基板面的与格子的交点相对应的位置分别配设有凸块的基板进行摄影，且所述摄影装置包括：光照射部，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；摄影部，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及方向调节部，以使连结所述格子的对角位置的对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且所述摄影部在所述对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的状态下对所述基板进行摄影。
另外，根据本发明的一方面的摄影方法用于对在基板面的与格子的交点相对应的位置分别配设有凸块的基板进行摄影，且所述摄影方法包括：(A)光照射步骤，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；(B)摄影步骤，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及(C)方向调节步骤，以使连结所述格子的对角位置的对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且在所述摄影步骤(B)中，在所述对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的状态下对所述基板进行摄影。
另外，根据本发明的一方面的凸块检查装置包括所述摄影装置及检查控制部，所述检查控制部根据通过所述摄影部所摄影的图像进行所述多个凸块的检查。
附图说明
图1为概念性地表示使用本发明的第一实施方式的摄影装置的凸块检查装置的构成的一例的说明图。
图2为作为检查对象的晶片的上视图。
图3为将形成于图2所示的晶片的一个芯片放大表示的局部放大图。
图4为表示图1所示的凸块检查装置的运行的一例的流程图。
图5为表示俯视载置于图1所示的检查平台上的晶片的一部分的说明图。
图6为用以说明方向调节步骤的效果的说明图。
图7为用以说明方向调节步骤的效果的说明图。
图8为用以说明方向调节步骤的效果的说明图。
图9表示通过凸块检查装置(摄影装置)所摄影的图像的一例。
图10表示对凸块在沿第二方向的方向上照射激光光的情形时摄影的图像的一例。
图11为自基板面的垂直方向俯视作为摄影装置的摄影对象、即凸块检查装置的检查对象的晶片的各芯片上形成的凸块的说明图。
图12为表示本发明的第一实施方式的凸块检查装置的运行的一例的流程图。
图13为俯视沿对角方向对晶片照射激光光的状态的说明图。
图14为图13的XIV-XIV端面图。
图15为图13的XV-XV端面图。
图16为图11所示的凸块配置的另一例的说明图。
具体实施方式
以下，根据附图对本发明的实施方式进行说明。再者，各图中标注相同符号的构成表示相同构成，省略其说明。
(第一实施方式)
图1为概念性地表示使用本发明的第一实施方式的摄影装置的凸块检查装置的构成的一例的说明图。
图1所示的凸块检查装置1为对作为基板的一例的半导体晶片W上形成的凸块进行检查的检查装置。再者，作为检查对象的基板不限于半导体晶片。基板例如也可为印刷配线基板、玻璃环氧基板、可挠性基板、陶瓷多层配线基板、液晶显示器或电激发光(Electro-Luminescence，EL)显示器等显示器用的电极板、触摸屏用等的透明导电板、及半导体封装用的封装基板或载膜(film carrier)、半导体晶片或半导体芯片或芯片尺寸封装(Chipsize package，CSP)等半导体基板等各种基板。
图1所示的凸块检查装置1包括检查平台2、旋转台3、激光光源4(光照射部)、照相机5(摄影部)、朝向检测部6、平台驱动机构7、马达8及控制部9。对于凸块检查装置1，预先设定有在水平面内彼此正交的X轴与Y轴。
图2为作为检查对象的晶片W的上视图。晶片W具有圆盘状的形状，在其上表面以矩阵状形成有大致方形的多个芯片T。图3为将形成于图2所示的晶片W的一个芯片T放大表示的局部放大图。
在芯片T将长条形状的多个凸块BP1并排地平行配设于与第一方向A正交的第二方向B上，所述凸块BP1是沿着沿晶片W的基板面的第一方向A延伸。进而，在芯片T将长条形状的多个凸块BP2并排地平行配设于第一方向A上，所述凸块BP2是沿着沿晶片W的基板面的第二方向B延伸。
在图3所示的例中，芯片T的彼此平行的两边在沿第一方向A的方向上延伸，其余两边在沿第二方向B的方向上延伸。另外，在图2所示的例中，沿着第一方向A与第二方向B将多个芯片T配置成矩阵状。在晶片W的外周部的一处形成有凹口N。由此，通过检测凹口N，可检测晶片W的朝向。再者，在晶片W也可形成有定向平面(orientation flat)代替凹口N。
旋转台3具有大致圆板状的形状，可在其上表面载置作为检查对象的晶片W。朝向检测部6对载置于旋转台3的晶片W的凹口N进行检测，并将其检测信号作为表示晶片W的朝向的信息而向控制部9输出。朝向检测部6例如是使用电荷耦合器件(Charge CoupledDevice，CCD)照相机或光传感器等而构成。
再者，朝向检测部6只要可检测旋转台3上的晶片W的朝向即可，其检测方法并无限定。朝向检测部6例如也可通过定向平面而检测晶片W的朝向，也可将形成于基板表面的凸块或图案的图像作为表示基板的朝向的信息而向控制部9输出。
马达8例如为步进马达(stepping motor)，根据来自控制部9的控制信号使旋转台3旋转。由此，可使载置于旋转台3的上表面的晶片W以相对于晶片W的基板面垂直的旋转轴为中心而旋转。
检查平台2具有大致圆板状的形状，可在其上表面上载置作为检查对象的晶片W。在旋转台3上设定了朝向的晶片W通过省略图示的搬送机构于保持所述朝向的状态下平行移动，被搬送至检查平台2的上表面。
在检查平台2的上方配设有激光光源4及照相机5。激光光源4对载置于检查平台2的晶片W的上表面照射激光光L。激光光源4例如对晶片W的表面以45度的角度照射激光光L，且自垂直于晶片W的基板面的方向观看的俯视时，所述激光光L是沿着例如X轴方向。在所述情形时，俯视照射方向所得的方向成为X轴方向。
再者，作为光照射部的一例而示出了激光光源，但光照射部只要具有可对规定的照射方向照射光的指向性即可，未必限于激光光源。例如也可将光源与透镜或凹面镜等光学系统组合而构成光照射部。
另外，光照射部也可照射带状的光，即对与照射方向正交的方向照射宽幅的光。在所述情形时，可扩大用以通过光扫描基板面的移动间距，故可缩短光的扫描时间。
平台驱动机构7使检查平台2在X轴方向与Y轴方向上依次移动，由此利用激光光L以面状扫描晶片W的表面。
照相机5例如是使用CCD而构成。照相机5对经激光光L以面状扫描的晶片W的表面进行摄影。照相机5例如根据经平台驱动机构7驱动的检查平台2的位置(晶片W的位置)、与所摄影的激光光L的反射光的图像的位置关系，生成晶片W的表面的三维图像。
控制部9例如是包括执行规定的逻辑运算的中央处理器(Central ProcessingUnit，CPU)、暂且存储数据的随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、存储规定的控制程序等的非易失性存储部、及所述构件的周边电路等所构成。而且，控制部9通过执行规定的控制程序而作为搬送控制部91、方向调节部92、摄影控制部93及检查控制部94发挥功能。
从凸块检查装置1中去掉检查控制部94而剩的部分相当于本发明的一实施方式的摄影装置10。
搬送控制部91例如控制省略图示的搬送机构的运行，由此将作为检查对象的晶片W搬送至旋转台3上，并使通过旋转台3调节了朝向的晶片W在保持所述朝向的状态下平行移动至检查平台2上。搬送机构可使用各种搬送构件，例如可使用机械臂。
方向调节部92根据自朝向检测部6输出的表示晶片W的朝向的信息而控制马达8的旋转，并使旋转台3旋转，来以晶片W的第一方向A相对于X轴方向的倾斜角度实质上成为45度的方式调节晶片W的朝向，所述X轴方向为对激光光照射方向自垂直于晶片W的基板面的方向观看而俯视所得的方向。由于通过旋转台3调节了朝向的晶片W是通过省略图示的搬送机构以保持所述朝向的状态平行移动至检查平台2上，因此通过方向调节部92，以第一方向A相对于激光光L的照射方向的倾斜角度在自垂直于晶片W的基板面的方向观看的俯视时实质上成为45度的方式，调节照射方向与晶片W的朝向的相对配置关系。
再者，所谓实质上45度，是指相对于45度而包含方向调节部92的控制误差等容许范围，例如是指正负10％的范围(40.5度～49.5度)的角度范围。
摄影控制部93一面通过平台驱动机构7使检查平台2移动一面通过激光光源4对载置于检查平台2上的晶片W照射激光光L，由此利用激光光L以面状扫描晶片W的表面，利用照相机5对经所述激光光L扫描的晶片W的表面图像进行摄影。
检查控制部94根据通过照相机5所摄影的图像进行凸块BP1、凸块BP2的检查。
继而，对如上所述那样构成的凸块检查装置1的运行的一例进行说明。图4为表示图1所示的凸块检查装置1的运行的一例的流程图。首先，搬送控制部91通过省略图示的搬送机构将作为检查对象的晶片W搬送至旋转台3上(步骤S1)。
继而，方向调节部92根据朝向检测部6的检测结果，以晶片W的第一方向A相对于凸块检查装置1的X轴方向的倾斜角度实质上成为45度的方式调节晶片W的朝向(步骤S2)。凸块检查装置1的X轴方向为与俯视激光光照射方向所得的方向相同的方向。
继而，搬送控制部91通过省略图示的搬送机构使旋转台3上的晶片W在保持其朝向的状态下平行移动至检查平台2上(步骤S3)。步骤S2、步骤S3相当于方向调节步骤(C)的一例。
然后，摄影控制部93通过激光光源4对检查平台2上的晶片W照射激光光L(步骤S4：光照射步骤(A))。
图5为表示俯视载置于图1所示的检查平台2上的晶片W的一部分的状态的说明图。如图5所示，对通过旋转台3调节了朝向并载置于检查平台2的晶片W照射的激光光L在俯视时，相对于凸块BP1、凸块BP2的长条方向即第一方向A及第二方向B而倾斜45度。即，第一方向A相对于激光光L的照射方向的倾斜角度与第二方向B相对于激光光L的照射方向的倾斜角度实质上相等。再者，所谓实质上相等，是指包含误差等而例如为正负10％的范围内。
通过步骤S2、步骤S3，以对凸块BP1、凸块BP2以此种角度照射激光光L的方式，调节激光光L的照射方向与晶片W的朝向的相对配置关系。
再者，示出了第一方向A及第二方向B相对于照射方向的倾斜角度为45度的例子，但只要第一方向A及第二方向B相对于照射方向的倾斜角度实质上相等即可，倾斜角度不限于45度。例如在第一方向A与第二方向B以60度倾斜的情形时，第一方向A及第二方向B相对于照射方向的倾斜角度也可为30度。
另外，未必限于第一方向A及第二方向B相对于照射方向的倾斜角度彼此相等的例子。然而，第一方向A及第二方向B相对于照射方向的倾斜角度彼此相等的情况下，在以下方面而言更优选：使凸块BP1的摄影精度与凸块BP2的摄影精度均一化，甚至使凸块BP1的检查精度与凸块BP2的检查精度均一化。
另外，不限于在晶片W形成有长条方向不同的两种凸块BP1、BP2的例子，也可仅沿第一方向A形成有长条的凸块BP1。而且，也可设为照射相对于第一方向A而倾斜的照射方向的激光光L的构成。更优选为也可设为照射相对于第一方向A而实质上倾斜45度的照射方向的激光光L的构成。
继而，摄影控制部93通过平台驱动机构7使检查平台2移动并利用激光光L以面状扫描晶片W的表面，利用照相机5对经所述激光光L扫描的晶片W的表面图像进行摄影(步骤S5：摄影步骤(B))。
图6、图7、图8为用以说明步骤S2、步骤S3的方向调节步骤(C)的效果的说明图。如图6所示，在以相对于第一方向A而倾斜的照射方向照射激光光L的情形时，邻接的两个凸块BP1间的激光光L的俯视路径长D1比凸块BP1的邻接间隔长。另一方面，在如背景技术那样以相对于第一方向A正交而不倾斜的照射方向照射激光光L的情形时，邻接的两个凸块BP1间的激光光L的俯视路径长D2与凸块BP1的邻接间隔相等。
即，凸块检查装置1通过使第一方向A相对于激光光L的照射方向在俯视时倾斜，而实质上获得与扩大凸块BP1的邻接间隔相同的效果。同样地，对于凸块BP2，也通过使第二方向B相对于激光光L的照射方向在俯视时倾斜，而实质上获得与扩大凸块BP2的邻接间隔相同的效果。其结果，即便在对平行地配设有多个凸块的基板进行摄影的情形时，也容易以可识别凸块的间隔部分的方式摄影。
另外，即便在凸块BP1、凸块BP2的宽度细的情形时，与在俯视时与第一方向A、第二方向B相同的方向上照射激光光L的情形相比，也通过使激光光L相对于第一方向A、第二方向B在俯视时倾斜，而实质上获得与将凸块BP1、凸块BP2的宽度增粗相同的效果。其结果，即便微细化发展而凸块BP1、凸块BP2的宽度细的情形时，也通过使激光光L相对于第一方向A、第二方向B在俯视时倾斜，而容易获得宽度细的凸块BP1、凸块BP2的图像。
图7为沿着沿激光光L的照射方向的VII-VII线将图6所示的凸块BP1切断的端面图。图8为沿着沿第二方向B的VIII-VIII线将图6所示的凸块BP1切断的端面图。图9与图7相对应，表示通过凸块检查装置1(摄影装置10)所摄影的图像的一例。图10与图8相对应，表示如背景技术所示那样，对凸块BP1在沿第二方向B的方向上照射激光光(P)的情形时摄影的图像的一例。
参照图3、图8，图中表示以下情形：如背景技术那样，符号(P)所表示的激光光(P)是以相对于第一方向A在俯视时正交而非倾斜的照射方向照射。在所述情形时，在邻接的凸块BP1间发生多重反射的反射光朝向俯视时照射方向的延长方向、即配置照相机5的方向。因此，经多重反射的反射光被照相机5摄影，如图10所示，可能错误地摄影到似乎邻接的凸块BP1相连。
另一方面，参照图3、图7，在使第一方向A相对于激光光L的照射方向在俯视时倾斜的情形时，经凸块BP1的侧面反射的激光光L不易在邻接的凸块BP1间发生多重反射，另外即便在发生了多重反射的情形时，也容易朝向自俯视时照射方向的延长方向即配置有照相机5的方向偏离的方向。其结果，减少错误地摄影到似乎邻接的凸块BP1相连的可能性。如图7所示，若照射至邻接的凸块BP1间的激光光L朝向自配置有照相机5的方向偏离的方向，则如阴影那样摄影，故如图9示那样获得将邻接的凸块BP1间以阴影分离的图像。
同样地，对于凸块BP2，也使第二方向B相对于激光光L的照射方向在俯视时倾斜，故而减少错误地摄影到似乎邻接的凸块BP2相连的可能性。即，在对平行地配设有多个凸块BP1、BP2的基板进行摄影的情形时，容易以可识别凸块BP1、凸块BP2的间隔部分的方式摄影。
继而，检查控制部94根据通过照相机5所摄影的图像进行凸块BP1、凸块BP2的检查(步骤S6：检查步骤)。检查控制部94例如可将通过照相机5所摄影的图像、与预先利用正常晶片W摄影的基准图像相比较，由此判定凸块BP1、凸块BP2是否正常。
在所述情形时，即便在晶片W的微细化发展而凸块BP1、凸块BP2的间隔变窄的情形时，根据凸块检查装置1也容易以可识别凸块BP1、凸块BP2的间隔部分的方式摄影，结果容易提高凸块BP1、凸块BP2的检查精度。
再者，平台驱动机构7使检查平台2能够以相对于检查平台2的上表面垂直的旋转轴为中心而转动，也可包括与朝向检测部6相同的对载置于检查平台2的晶片W的朝向进行检测的朝向检测部。而且，方向调节部92也可针对经旋转台3调节了朝向的晶片W的朝向，以在检查平台2上再次使第一方向A及第二方向B相对于照射方向的倾斜角度成为45度的方式使检查平台2转动。由此，晶片W的朝向的调节精度提高。
另外，凸块检查装置1也可设定为以下构成：不包括旋转台3，通过使检查平台2转动而使第一方向A及第二方向B相对于照射方向倾斜。另外，示出了将来自激光光源4的激光光L的照射方向固定且调节晶片W的朝向的例子，但也可固定晶片W的朝向而调节激光光L的照射方向，也可使晶片W的朝向与激光光L照射方向两者变化而进行调节。
另外，凸块检查装置1也可不包括检查控制部94而构成为对基板进行摄影的摄影装置10。
(第二实施方式)
继而，对使用本发明的第二实施方式的摄影装置10a的凸块检查装置1a进行说明。凸块检查装置1a及摄影装置10a是与凸块检查装置1及摄影装置10同样地示于图1中。凸块检查装置1a及摄影装置10a与凸块检查装置1及摄影装置10中，方向调节部92a的运行、作为检查对象的晶片W上形成的凸块的形状或配置等不同。其它构成与凸块检查装置1及摄影装置10相同，故省略其说明，以下对本实施方式的特征点进行说明。
图11为自基板面的垂直方向俯视凸块BP3的说明图，所述凸块BP3是形成于作为摄影装置10a的摄影对象、即凸块检查装置1a的检查对象的晶片W的各芯片T。凸块BP3配置于与虚线所示的格子K的各交点相对应的位置。在图11所示的例子中，格子K在第一方向A上延伸的多条框架线与在第二方向B上延伸的多条框架线交叉而形成。
凸块BP3例如可为圆柱状、棱柱状、前端部凸起的蘑菇形状、球状、半球状等各种形状。再者，图11中列举4×5的格子为例进行说明，但不限于此，排列凸块的格子只要为2×2以上即可。
方向调节部92a以使连结格子K的对角位置的对角方向D与激光光L的照射方向在俯视时实质上一致的方式，调节所述照射方向与晶片W的朝向的相对配置关系。再者，所谓实质上一致，是指对角方向D与激光光L的照射方向所成的角度包含方向调节部92的控制误差等容许范围，例如成为正负10度的范围(-10度～+10度)的角度范围。
以下，对利用本发明的第二实施方式的摄影方法的凸块检查装置1a的运行进行说明。图12为表示凸块检查装置1a的运行的一例的流程图。对与图4所示的流程图相同的运行标注相同的步骤编号而省略其说明。
首先，执行步骤S1之后，方向调节部92a根据朝向检测部6的检测结果，以与俯视激光光照射方向所得的方向相同的方向即凸块检查装置1a的X轴方向、与晶片W的对角方向D在俯视时实质上一致的方式，使旋转台3旋转，调节晶片W的朝向(步骤S2a)。凸块检查装置1a的X轴方向为与俯视激光光照射方向所得的方向相同的方向。
继而，在步骤S3中将晶片W移动至检查平台2上之后，在步骤S4中对检查平台2上的晶片W沿对角方向D照射激光光L。
图13为俯视沿对角方向D对晶片W照射激光光L的状态的说明图。图14为图13的XIV-XIV端面图。图15为图13的XV-XV端面图。如图13、图14所示，在沿对角方向D照射激光光L的情形时，两个凸块BP3间的激光光L的俯视路径长D1比沿格子框架线的凸块BP3的邻接间隔长。另一方面，在如图13、图15所示的背景技术那样沿第二方向B照射激光光(P)的情形时，邻接的两个凸块BP3间的激光光L的俯视路径长D2与沿格子框架线的凸块BP3的邻接间隔相等。
即，凸块检查装置1a通过使激光光L的照射方向与对角方向D实质上一致，而实质上获得与扩大凸块BP3的邻接间隔相同的效果。
在如背景技术那样沿第二方向B照射激光光(P)的情形时，如图15所示，若激光光(P)发生多重反射之后被照相机5摄影，则与图10所示的情形同样地，可能错误地摄影到似乎邻接的凸块BP3相连。另一方面，在沿对角方向D照射激光光L的情形时，凸块BP3的邻接间隔实质上扩大，故如图14所示，在凸块BP3的间隔部分中激光光L在晶片W的表面发生反射而容易被照相机5摄影。在所述情形时，凸块BP3的间隔部分中的晶片W的表面被正确地摄影。其结果，容易以可识别凸块BP3的间隔部分的方式摄影。
凸块BP3例如也可如图16所示那样配置。
另外，在所述各实施方式中使旋转台旋转而使晶片W旋转，由此调整照射方向与晶片W的朝向的相对配置关系，但不限于此。具体而言，例如也可通过使激光光源旋转而调整照射方向与晶片W的朝向的相对配置关系。
即，根据本发明的一方面的摄影装置用于对平行地配设有长条形状的多个凸块的基板进行摄影，所述凸块是沿着沿基板面的规定的第一方向延伸，且所述摄影装置包括：光照射部，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；摄影部，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及方向调节部，以使所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且所述摄影部在所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的状态下对所述基板进行摄影。
另外，根据本发明的一方面的摄影方法用于对平行地配设有长条形状的多个凸块的基板进行摄影，所述凸块是沿着沿基板面的既定的第一方向延伸，并且所述摄影方法包括：(A)光照射步骤，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；(B)摄影步骤，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及(C)方向调节步骤，以使所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且在所述摄影步骤(B)中，在所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的状态下对所述基板进行摄影。
根据所述构成，在对平行地配设有沿着沿基板面的规定第一方向延伸的长条形状的多个凸块的基板进行摄影的情形时，以使凸块的长条方向相对于光的照射方向在俯视时倾斜的方式，调节所述照射方向与基板的朝向的相对配置关系。其结果，对凸块在俯视时相对于其长条方向倾斜的方向上照射光，并对其反射光进行摄影。如此，邻接的两个凸块间的光的俯视路径长比凸块的邻接间隔长，而实质上获得与扩大凸块的邻接间隔相同的效果。其结果，即便在对平行地配设有多个凸块的基板进行摄影的情形时，也容易以可识别凸块的间隔部分的方式摄影。
另外，优选为在所述基板面上进而平行地配设有沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸的长条形状的多个凸块，所述方向调节部以所述第一方向相对于所述照射方向的倾斜角度与所述第二方向相对于所述照射方向的倾斜角度在俯视时实质上相等的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系。
根据所述构成，对第一方向上长条的凸块与第二方向上长条的凸块此两种凸块以俯视时实质上相等的倾斜角度照射光。其结果，容易对第一方向上长条的凸块与第二方向上长条的凸块此两种凸块以可识别凸块的间隔部分的方式摄影，且使第一方向上长条的凸块的摄影精度与第二方向上长条的凸块的摄影精度均一化。
另外，优选为所述第一方向与所述第二方向为彼此正交的方向，所述方向调节部以所述第一方向相对于所述照射方向的倾斜角度在俯视时实质上成为45度的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系。
根据所述构成，对第一方向上长条的凸块与第二方向上长条的凸块此两种凸块照射俯视时实质上倾斜45度的光，并对其反射光进行摄影。
另外，根据本发明的一方面的摄影装置用于对在基板面的与格子的交点相对应的位置分别配设有凸块的基板进行摄影，且所述摄影装置包括：光照射部，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；摄影部，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及方向调节部，以使连结所述格子的对角位置的对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且所述摄影部在所述对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的状态下对所述基板进行摄影。
另外，根据本发明的一方面的摄影方法用于对在基板面的与格子的交点相对应的位置分别配设有凸块的基板进行摄影，且所述摄影方法包括：(A)光照射步骤，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；(B)摄影步骤，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及(C)方向调节步骤，以使连结所述格子的对角位置的对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且在所述摄影步骤(B)中，在所述对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的状态下对所述基板进行摄影。
根据所述构成，在对在基板面的与格子的交点相对应的位置分别配设有凸块的基板进行摄影的情形时，以使连结格子的对角位置的对角方向与光的照射方向在俯视时实质上一致的方式，调节所述照射方向与基板的朝向的相对配置关系。其结果，对配置于格子的交点位置的凸块在俯视时与所述格子的对角方向大致一致的方向上照射光，并对其反射光进行摄影。如此，邻接的两个凸块间的光的俯视路径长比在格子上彼此邻接的凸块的邻接间隔长，而实质上获得与扩大凸块的间隔相同的效果。其结果，即便在对在与格子的交点相对应的位置分别配设有凸块的基板进行摄影的情形时，也容易以可识别凸块的间隔部分的方式摄影。
另外，优选为更包括使所述基板以相对于所述基板面垂直的旋转轴为中心而旋转的旋转台，所述方向调节部通过利用所述旋转台使所述基板旋转而调节所述相对配置关系。
根据所述构成，可通过利用旋转台使基板旋转，而以使作为凸块的长边方向的第一方向相对于光的照射方向在俯视时倾斜的方式，调节照射方向与基板的朝向的相对配置关系，故而容易调节配置关系。
另外，所述光优选为在所述照射方向上延伸的带状的光。
根据所述构成，一次可照射光的范围扩大，故而基板的摄影效率提高。
另外，所述光优选为激光光。
根据所述构成，容易获得可在照射方向上照射的指向性高的光。
另外，根据本发明的一方面的凸块检查装置包括所述摄影装置及检查控制部，所述检查控制部根据通过所述摄影部所摄影的图像进行所述多个凸块的检查。
根据所述构成，由于根据以可识别凸块的间隔部分的方式摄影的图像来进行多个凸块的检查，故而凸块的检查精度提高。
此种构成的摄影装置、凸块检查装置以及摄影方法在对平行地配设有多个凸块的基板进行摄影的情形时，容易以可识别凸块的间隔部分的方式摄影。
本申请是以2017年7月19日提出申请的日本专利申请特愿2017-140202号为基础，且其内容包含在本申请中。此外，具体实施方式一项中的具体的实施方式或实施例归根结底是使本发明的技术内容明确，本发明不应仅限定于此种具体例而狭义地解释。
符号的说明
1、1a：凸块检查装置
2：检查平台
3：旋转台
4：激光光源(光照射部)
5：照相机(摄影部)
6：朝向检测部
7：平台驱动机构
8：马达
9：控制部
10、10a：摄影装置
91：搬送控制部
92：方向调节部
93：摄影控制部
94：检查控制部
A：第一方向
B：第二方向
BP1、BP2：凸块
D1、D2：路径长
L：激光光
N：凹口
T：芯片
W：晶片

Claims (10)

1.一种摄影装置，用于对平行地配设有长条形状的多个凸块的基板进行摄影，所述凸块是沿着沿基板面的规定的第一方向延伸，且所述摄影装置包括：
光照射部，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；
摄影部，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及
方向调节部，以使所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且
所述摄影部在所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的状态下对所述基板进行摄影。
2.根据权利要求1所述的摄影装置，其中在所述基板面上进而平行地配设有沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸的长条形状的多个凸块，
所述方向调节部以所述第一方向相对于所述照射方向的倾斜角度与所述第二方向相对于所述照射方向的倾斜角度在俯视时实质上相等的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系。
3.根据权利要求2所述的摄影装置，其中所述第一方向与所述第二方向为彼此正交的方向，
所述方向调节部以所述第一方向相对于所述照射方向的倾斜角度在俯视时实质上成为45度的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系。
4.一种摄影装置，用于对在基板面的与格子的交点相对应的位置分别配设有凸块的基板进行摄影，且所述摄影装置包括：
光照射部，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；
摄影部，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及
方向调节部，以使连结所述格子的对角位置的对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且
所述摄影部在所述对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的状态下对所述基板进行摄影。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄影装置，还包括旋转台，所述旋转台使所述基板以相对于所述基板面垂直的旋转轴为中心而旋转，
所述方向调节部通过利用所述旋转台使所述基板旋转而调节所述相对配置关系。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄影装置，其中所述光为在所述照射方向上延伸的带状的光。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的摄影装置，其中所述光为激光光。
8.一种凸块检查装置，包括：
根据权利要求1至7中任一项所述的摄影装置；以及
检查控制部，根据通过所述摄影部所摄影的图像进行所述多个凸块的检查。
9.一种摄影方法，用于对平行地配设有长条形状的多个凸块的基板进行摄影，所述凸块是沿着沿基板面的规定的第一方向延伸，且所述摄影方法包括：
(A)光照射步骤，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；
(B)摄影步骤，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及
(C)方向调节步骤，以使所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且
在所述摄影步骤(B)中，在所述第一方向相对于所述照射方向在俯视时倾斜的状态下对所述基板进行摄影。
10.一种摄影方法，用于对在基板面的与格子的交点相对应的位置分别配设有凸块的基板进行摄影，且所述摄影方法包括：
(A)光照射步骤，对所述基板面在倾斜的照射方向上照射光；
(B)摄影步骤，对经所述光照射的所述基板面进行摄影；以及
(C)方向调节步骤，以使连结所述格子的对角位置的对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的方式，调节所述照射方向与所述基板的朝向的相对配置关系；并且
在所述摄影步骤(B)中，在所述对角方向与所述照射方向在俯视时实质上一致的状态下对所述基板进行摄影。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11423526B2 (en) * 2020-11-13 2022-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical inspection of a wafer
DE112021007975T5 (de) * 2021-09-01 2024-05-08 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Werkstückhöhenmessvorrichtung und prüfvorrichtung für bestückte leiterplatten, die diese verwendet

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020162979A1 (en) * 2001-05-02 2002-11-07 Lasertec Corporation Optically scanning apparatus and defect inspection system
US20090209061A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor package
JP2010096596A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Nikon Corp 評価装置
JP2011149951A (ja) * 2004-06-16 2011-08-04 Nikon Corp 表面検査装置および表面検査方法
US20160204041A1 (en) * 2015-01-09 2016-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of inspecting semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11148807A (ja) 1997-07-29 1999-06-02 Toshiba Corp バンプ高さ測定方法及びバンプ高さ測定装置
JP3272998B2 (ja) * 1997-09-30 2002-04-08 イビデン株式会社 バンプ高さ良否判定装置
JP3341739B2 (ja) * 1999-10-28 2002-11-05 日本電気株式会社 バンプ頂点検出方法並びにこれを用いたバンプ高さ測定方法及び装置
JP2001298036A (ja) 2000-02-08 2001-10-26 Toshiba Corp バンプ高さ測定方法、バンプ位置測定方法およびバンプ高さ測定装置、バンプ位置測定装置ならびに半導体装置の製造方法、半導体装置の実装方法
WO2004015366A1 (ja) * 2002-08-09 2004-02-19 Toray Engineering Co., Ltd. 表面形状測定方法およびその装置
WO2006011852A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Agency For Science, Technology And Research An inspection system
JP2006090918A (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Toshiba Corp バンプ検査方法
JP4611782B2 (ja) 2005-03-28 2011-01-12 シチズンホールディングス株式会社 ３次元形状測定方法及び測定装置
JP5201350B2 (ja) * 2006-07-14 2013-06-05 株式会社ニコン 表面検査装置
JP4931728B2 (ja) * 2007-08-08 2012-05-16 シーケーディ株式会社 三次元計測装置及び基板検査機
JP2009130074A (ja) 2007-11-22 2009-06-11 Toshiba Corp 半導体装置
JP5231927B2 (ja) 2008-10-06 2013-07-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微小突起物検査装置
JP5945386B2 (ja) 2011-02-11 2016-07-05 名古屋電機工業株式会社 印刷半田検査装置
JP2012253274A (ja) 2011-06-06 2012-12-20 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置のデータ分配方法及び検査装置
US9507232B2 (en) 2011-09-14 2016-11-29 View, Inc. Portable defect mitigator for electrochromic windows

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020162979A1 (en) * 2001-05-02 2002-11-07 Lasertec Corporation Optically scanning apparatus and defect inspection system
JP2011149951A (ja) * 2004-06-16 2011-08-04 Nikon Corp 表面検査装置および表面検査方法
US20090209061A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor package
JP2010096596A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Nikon Corp 評価装置
US20160204041A1 (en) * 2015-01-09 2016-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of inspecting semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same

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