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CN110610972B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

一种显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

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CN110610972B CN201910884563.4A CN201910884563A CN110610972B CN 110610972 B CN110610972 B CN 110610972B CN 201910884563 A CN201910884563 A CN 201910884563A CN 110610972 B CN110610972 B CN 110610972B
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Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板的制备方法包括：在基底上形成控制结构层；在控制结构层上形成第一平坦层；在第一平坦层上形成支撑结构，支撑结构的材质包括负性光敏聚合物；在形成支撑结构的第一平坦层上形成包覆支撑结构的保护层；在保护层上形成第二平坦层；在第二平坦层上形成第一电极，第一电极穿过第二平坦层、保护层和第一平坦层与控制结构层电连接。该方法，形成了包覆支撑结构的保护层，杜绝了水汽通过支撑结构侵入，有效隔绝了水汽，避免了后续形成的发光层被腐蚀的问题，另外，第一电极在保护层之后形成，从而形成保护层的过程不会对第一电极产生影响，保证了显示基板的显示性能。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示 装置。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)蒸镀过程中， 为了使得掩膜板与基板之间保持一定的距离，通常需要在待蒸镀基板上设置 支撑结构，以保持掩膜板与基板之间的距离。
制作支撑结构经常应用到的两种材料包括正性胶(例如，正性光刻胶) 和负性胶(例如，负性光刻胶)，正性光刻胶是高分子聚合物，负性光刻胶 是小分子成分。相较于采用正性光刻胶制作的支撑结构，采用负性光刻胶制 作的支撑结构对掩膜板的支撑效果更好。但是，负性光刻胶是小分子成分， 其致密性没有正性光刻胶好，而且负性光刻胶的吸水性和透气性也很高，因 此，当采用负性光刻胶制作支撑结构时，虽然提高了支撑效果，但不能有效 隔绝水汽，导致发光层易被腐蚀，影响发光器件的寿命。
发明内容
本发明实施例的目的是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置， 以避免水汽通过支撑结构侵入显示基板内部。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法， 包括：
在基底上形成控制结构层；
在所述控制结构层上形成第一平坦层；
在所述第一平坦层上形成支撑结构，所述支撑结构的材质包括负性光敏 聚合物；
在形成所述支撑结构的第一平坦层上形成包覆所述支撑结构的保护层；
在所述保护层上形成第二平坦层；
在所述第二平坦层上形成第一电极，所述第一电极穿过所述第二平坦层、 所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接。
可选地，所述在基底上形成控制结构层包括：
在基底上形成有源层和栅电极；
在形成有所述有源层和所述栅电极的基底上形成源电极和漏电极，所述 源电极和漏电极分别与所述有源层电连接。
可选地，所述在所述保护层上形成第二平坦层，包括：
在所述保护层上形成中间金属层，所述中间金属层穿过所述保护层和所 述第一平坦层与所述控制结构层电连接；
在形成所述中间金属层的基底上形成第二平坦层，所述第二平坦层上开 设有暴露所述中间金属层的第四过孔，所述第一电极通过所述第四过孔与所 述中间金属层电连接。
可选地，所述第一平坦层的材质包括正性聚酰亚胺。
可选地，所述方法还包括：
在所述第一电极上形成像素界定层，所述像素界定层上开设有暴露所述 第一电极的子像素开口；
通过蒸镀工艺在所述子像素开口形成发光层。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供一种显示基板，包括：
基底；
控制结构层，设置在所述基底上；
第一平坦层，设置在所述控制结构层上；
支撑结构，设置在所述第一平坦层上，所述支撑结构的材质包括负性光 敏聚合物；
保护层，设置在形成有所述支撑结构的第一平坦层上，所述保护层包覆 所述支撑结构；
第二平坦层，设置在所述保护层上，以及，
第一电极，设置在所述第二平坦层上，所述第一电极穿过所述第二平坦 层、所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接。
可选地，所述支撑结构在垂直于所述基底方向上的截面呈倒梯形，所述 支撑结构的背离所述基底一侧的顶边的宽度大于朝向所述基底一侧的底边的 宽度。
可选地，所述支撑结构的侧面与所述支撑结构的朝向所述基底一侧的底 面之间的角度为90°～130°。
可选地，所述支撑结构在垂直于所述基底方向上的尺寸为1.0μm～1.5μ m。
可选地，所述保护层的厚度为3000埃～5000埃。
可选地，所述第一平坦层的材质包括正性聚酰亚胺。
可选地，所述显示基板还包括设置在所述保护层与所述第二平坦层之间 的中间金属层，所述中间金属层穿过所述保护层和所述第一平坦层与所述控 制结构层电连接，所述第一电极穿过所述第二平坦层与所述中间金属层电连 接。
可选地，所述显示基板还包括设置在所述第一电极上的像素界定层，所 述像素界定层上开设有暴露所述第一电极的子像素开口，所述子像素开口内 设置有发光层。
可选地，所述显示基板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像 素，所述支撑结构设置在相邻两个像素单元之间。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括以 上所述的显示基板。
本发明实施例显示基板的制备方法，在支撑结构上形成了包覆支撑结构 的保护层，保护层可以杜绝水汽通过支撑结构侵入，有效隔绝了水汽，避免 了后续形成的发光层被腐蚀的问题。另外，相比于图3所示的显示基板，本 发明实施例显示基板的制备方法，形成第一电极的工艺在形成保护层的工艺 之后，从而可以避免形成保护层的工艺对第一电极产生影响，保证了显示基 板的显示性能。再者，在第一平坦层上形成支撑结构，保证了多个支撑结构 形成在同一平坦表面上，进而保证了多个支撑结构的顶面的平坦性，保证了蒸镀工艺中掩膜板与基板的间隙，提高了蒸镀效果。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说 明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优 点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获 得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部 分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明 技术方案的限制。
图1a～图1d是一种显示基板的制备过程示意图；
图2为另一个实施例中显示基板的结构示意图；
图3为一种方案中显示基板的结构示意图；
图4为本发明第一实施例中形成第一平坦层后的结构示意图；
图5为本发明第一实施例中形成支撑结构后的结构示意图；
图6为本发明第一实施例中形成保护层后的结构示意图；
图7为本发明第一实施例中形成第二平坦层后的结构示意图；
图8为本发明第一实施例中形成第一电极后的结构示意图；
图9为本发明第一实施例中形成发光层后的结构示意图。
附图标记说明：
10—玻璃基底； 11—柔性基底； 12—缓冲层；
20—控制结构层； 21—有源层； 22—第一绝缘层；
23—第一栅电极； 24—第二绝缘层； 25—第二栅电极；
26—第三绝缘层； 271—源电极； 272—漏电极；
31—钝化层； 32—第一平坦层； 321—子过孔；
33—中间金属层； 34—第二平坦层； 341—第四过孔；
35—第一电极； 36—像素界定层； 37—支撑结构；
38—发光层； 40—保护层； 401—第三过孔。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图 对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申 请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
图1a～图1d是一种显示基板的制备过程示意图，参照图1a～1d，该显示 基板的制备过程如下：
如图1a所示，在玻璃基底10上形成柔性基底11；在柔性基底11上形成 缓冲层12；在缓冲层12上形成有源层21；在有源层21上形成第一绝缘层22； 在第一绝缘层22上形成第一栅电极23；在第一栅电极23上形成第二绝缘层 24；在第二绝缘层24上形成第二栅电极25。其中，柔性基底11的材质可以 为聚酰亚胺(PI)；缓冲层12、第一绝缘层22和第二绝缘层24可以用氮化 硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层；栅电极可以采用铂Pt、钌Ru、 金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种 或多种；有源层21的材质可以为多晶硅(p-Si)。
如图1b所示，在形成第二栅电极25的玻璃基底10上形成第三绝缘层26， 第三绝缘层26上开设有暴露有源层21的第一过孔和第二过孔；在第三绝缘 层26上形成源电极271和漏电极272，源电极271和漏电极272分别通过第 一过孔和第二过孔与有源层21电连接。其中，第三绝缘层26可以采用氮化 硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。
如图1c所示，在形成源电极271和漏电极272的玻璃基底10上依次形 成钝化层31和第一平坦层32，钝化层31和第一平坦层32上开设有暴露漏电 极272的第三过孔；在第一平坦层32上形成中间金属层33，中间金属层33 通过第三过孔与漏电极272电连接；在中间金属层33上形成第二平坦层34， 第二平坦层34上开设有暴露中间金属层33的第四过孔。
如图1d所示，在第二平坦层34上形成第一电极35，第一电极35通过第 四过孔与中间金属层33电连接，第一电极35通常为OLED器件的阳极，第 一电极35位于子像素区域；在形成有第一电极35的第二平坦层34上形成像 素界定层36，像素界定层36上开设有暴露第一电极35的子像素开口以及暴 露第二平坦层34的支撑开口；在像素界定层36上涂覆一层光刻胶薄膜，对 光刻胶薄膜进行曝光并显影后，形成位于支撑开口位置的支撑结构37，支撑 结构37的底面与第二平坦层34接触，支撑结构37的顶面高于像素界定层36 的顶面；通过蒸镀工艺，形成位于子像素开口位置的发光层38。容易理解的 是，在图1a～图1d中，只示出了一个子像素，容易理解的是，一个像素单元 可以包括三个子像素，例如，R子像素、G子像素和B子像素，每个子像素 都具有对应的薄膜晶体管。
在图1d中，形成支撑结构37的光刻胶为正性光刻胶。正性光刻胶是高 分子聚合物，在曝光过程中，其被光照射的部分可以分解成小分子，并可以 通过显影过程去除，遮挡的部分由于没有被光线照射而保留下来。在正性光 刻胶曝光过程中，遮挡侧部会产生衍射光，衍射光照射到光刻胶材料后被吸 收，使得对应的光刻胶材料曝光，从而，保留下来的部分形成锐角坡度角， 使得形成的支撑结构的形貌类似正梯形。因此，在图1d中，支撑结构37的 截面形貌为正梯形。在蒸镀形成发光层38时，支撑结构37可以用来支撑掩 膜板，以保证掩膜板与带蒸镀基板之间的距离，提高蒸镀效果。
图2为另一个实施例中显示基板的结构示意图。在图1d中，支撑结构37 呈正梯形，支撑结构37与掩膜板的接触面(支撑结构37的顶面)较小，支 撑效果较差，为了提高支撑结构37对掩膜板的支撑效果，在另一个实施例中， 与图1a～1d不同的是，如图2所示，形成支撑结构的光刻胶为负性光刻胶。 负性光刻胶与正性光刻胶的性质相反，负性光刻胶是小分子成分，在曝光过 程中，遮挡的部分由于没有被光线照射而被显影去除，其被光照射的部分吸 收光的能量变成高分子聚合物而保留下来。在负性光刻胶曝光过程中，遮挡 侧部会产生衍射光，衍射光照射到光刻胶材料后被吸收，使得对应的光刻胶 材料变成高分子聚合物，从而，保留下来的部分形成钝角坡度角，使得形成 的支撑结构的形貌类似倒梯形。因此，在图2中，形成的支撑结构37的截面 形貌为倒梯形。从支撑效果来看，倒梯形的形貌使得支撑结构与掩膜板的接 触面积更大，从而支撑效果更好。但是，负性光刻胶是小分子成分，其致密 性没有正性光刻胶好，而且负性光刻胶的吸水性和透气性也很高。因此，当 采用负性光刻胶制作支撑结构时，虽然提高了支撑效果，但不能有效隔绝水 汽，导致发光层易被腐蚀，影响发光器件的寿命。
图3为一种方案中显示基板的结构示意图。为了有效隔绝水汽，发明人 提出一种显示基板的结构，如图3所示，与图2所示显示基板相比，图3所 示显示基板还包括包覆支撑结构37的保护层40。为了保证蒸镀效果，保护层 40在支撑结构37之外区域的上表面不能高于像素界定层36的上表面，因此， 保护层40形成在第一电极35上。因此，形成保护层40的大致过程为，在第 二平坦层34上形成支撑结构37和第一电极35后，形成覆盖支撑结构37和第一电极35的保护薄膜，为了起到隔绝水汽的作用，保护薄膜的材质可以包 括氮化硅SiNx或/和氧化硅SiOx；通过曝光、显影后，采用干刻工艺形成保 护层40的图案。采用干刻工艺形成保护层40的过程中，干刻工艺会损伤第 一电极35，进而影响显示基板的显示性能，因此，图3所示的显示基本结构 存在一定的显示缺陷。
为了解决以上技术问题，本发明实施例提出了一种显示基板的制备方法。 该显示基板的制备方法，包括：在基底上形成控制结构层；在所述控制结构 层上形成第一平坦层；在所述第一平坦层上形成支撑结构，所述支撑结构的 材质包括负性光敏聚合物；在形成所述支撑结构的第一平坦层上形成包覆所 述支撑结构的保护层；在所述保护层上形成第二平坦层；在所述第二平坦层 上形成第一电极，所述第一电极穿过所述第二平坦层、所述保护层和所述第 一平坦层与所述控制结构层电连接。
本发明实施例显示基板的制备方法，在支撑结构上形成了包覆支撑结构 的保护层，保护层可以杜绝水汽通过支撑结构侵入，有效隔绝了水汽，避免 了后续形成的发光层被腐蚀的问题。另外，相比于图3所示的显示基板，本 发明实施例显示基板的制备方法，形成第一电极的工艺在形成保护层的工艺 之后，从而可以避免形成保护层的工艺对第一电极产生影响，保证了显示基 板的显示性能。再者，在第一平坦层上形成支撑结构，保证了多个支撑结构 形成在同一平坦表面上，进而保证了多个支撑结构的顶面的平坦性，保证了蒸镀工艺中掩膜板与基板的间隙，提高了蒸镀效果。
下面将通过具体的实施例详细介绍本发明的技术内容。
第一实施例：
本发明第一实施例提出一种显示基板的制备方法，该显示基板的制备方 法包括：
S1：在基底1上形成控制结构层20；
S2：在控制结构层20上形成第一平坦层32；
S3：在第一平坦层32上形成支撑结构37，支撑结构37的材质包括负性 光敏聚合物；
S4：在形成支撑结构37的第一平坦层32上形成包覆支撑结构37的保护 层40；
S5：在保护层40上形成第二平坦层34；
S6：在第二平坦层34上形成第一电极35，第一电极35穿过第二平坦层 34、保护层40和第一平坦层32与控制结构层20电连接。
本发明实施例显示基板的制备方法，在支撑结构37上形成了包覆支撑结 构37的保护层40，保护层40可以杜绝水汽通过支撑结构37侵入，有效隔绝 了水汽，避免了后续形成的发光层被腐蚀的问题。另外，相比于图3所示的 显示基板，本发明实施例显示基板的制备方法，形成第一电极35的工艺在形 成保护层40的工艺之后，从而可以避免形成保护层40的工艺对第一电极35 产生影响，保证了显示基板的显示性能。再者，在第一平坦层32上形成支撑 结构37，保证了多个支撑结构37形成在同一平坦表面上，进而保证了多个支 撑结构37的顶面的平坦性，保证了蒸镀工艺中掩膜板与蒸镀基板的间隙，提 高了蒸镀效果。
在一个实施例中，控制结构层20包括形成在基底上的薄膜晶体管，因此， 在基底上形成控制结构层，可以包括：
在基底上形成有源层和栅电极；
在形成有所述有源层和所述栅电极的基底上形成源电极和漏电极，所述 源电极和漏电极分别与所述有源层电连接。
从而，第一平坦层32便形成在源电极和漏电极上。保护层40可以采用 氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。这样的方法，相比于图 1a～图1d的显示基板的制备方法，相当于将形成钝化层31的工艺和形成第一 平坦层32的工艺顺序调换，并将支撑结构37形成在第一平坦层32和钝化层 32之间，将钝化层用作保护层40，从而，不仅形成了包覆支撑结构37的保 护层40，而且还不会增加显示基板的掩膜次数，降低了成本，提高了产能。
容易理解的是，在不考虑掩膜次数和工艺成本情况下，可以在源电极和 漏电极上形成钝化层，在钝化层上形成第一平坦层，在第一平坦层上形成支 撑结构，然后形成包覆支撑结构的保护层。
在一个实施例中，在所述保护层上形成第二平坦层，可以包括：
在所述保护层上形成中间金属层，所述中间金属层穿过所述保护层和所 述第一平坦层与所述控制结构层电连接；
在形成所述中间金属层的基底上形成第二平坦层，所述第二平坦层上开 设有暴露所述中间金属层的第四过孔，所述第一电极通过所述第四过孔与所 述中间金属层电连接。
在一个实施例中，显示基板的制备方法还可以包括：
在所述第一电极上形成像素界定层，所述像素界定层上开设有暴露所述 第一电极的子像素开口；
通过蒸镀工艺在所述子像素开口形成发光层。
下面通过显示基板的制备过程详细介绍本发明实施例的技术方案。其中， 实施例中所说的“构图工艺”包括沉积薄膜、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、 刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、 化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的 方法，在此不做具体的限定。“厚度”为膜层在垂直于基底方向上的尺寸。
S1：在基底上形成控制结构层20。在一个实施例中，控制结构层20包 括形成在基底上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和 漏电极。容易理解的是，薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底 栅型薄膜晶体管，还可以为双栅型薄膜晶体管。在本实施例中，以双栅型薄 膜晶体管为例，说明形成控制结构层20的具体步骤，在基底上形成控制结构 层20，包括：
S11：参考图1a，在玻璃基底10上形成柔性基底11，柔性基底11的材 质可以包括聚酰亚胺(PI)。基底包括玻璃基底10和形成在玻璃基底10上的 柔性基底11。其中，柔性基底11的材质可以为聚酰亚胺(PI)。
S12：参考图1a，在柔性基底11上形成缓冲层12；在缓冲层12上通过 构图工艺形成有源层21；在有源层21上形成第一绝缘层22；在第一绝缘层 22上通过构图工艺形成第一栅电极23；在第一栅电极23上形成第二绝缘层 24；在第二绝缘层24上通过构图工艺形成第二栅电极25。其中，缓冲层12、 第一绝缘层22和第二绝缘层24可以用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或 SiNx/SiOx的复合层；栅电极可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、 铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种；有源层21的材质 可以为多晶硅(p-Si)。
S13：参考图1b，在形成第二栅电极25的玻璃基底10上形成第三绝缘层 26；在第三绝缘层26上涂覆一层光刻胶，对光刻胶进行掩膜曝光并显影，去 除第一过孔和第二过孔位置的光刻胶而暴露出第三绝缘层，保留其它位置的 光刻胶；对第三绝缘层26、第二绝缘层24和第一绝缘层22进行刻蚀，形成 暴露有源层21的第一过孔和第二过孔；在第三绝缘层26上通过构图工艺形 成源电极271和漏电极272，源电极271和漏电极272分别通过第一过孔和第 二过孔与有源层21电连接。其中，第三绝缘层26可以采用氮化硅SiNx、氧 化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层，源/漏电极可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、 银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。
S2：在控制结构层20上形成第一平坦层32，第一平坦层32上开设有暴 露漏电极272的子过孔321，具体包括：在形成有源电极和漏电极的基底上涂 覆聚合物薄膜；对聚合物薄膜进行掩膜曝光并显影，形成第一平坦层32，第 一平坦层32上开设有暴露漏电极272的子过孔321，如图4所示，图4为本 发明第一实施例中形成第一平坦层后的结构示意图。
S3：在第一平坦层32上形成支撑结构37，支撑结构37的材质包括负性 光敏聚合物，具体包括：在第一平坦层32上涂覆负性光敏聚合物薄膜，对负 性光敏聚合物薄膜进行掩膜曝光并显影，形成支撑结构37，如图5所示，图 5为本发明第一实施例中形成支撑结构后的结构示意图。其中，支撑结构37 侧边371的坡度角为钝角，也就是说，支撑结构37的侧边371与支撑结构37 的底边的角度为钝角。在一个实施例中，支撑结构37侧边371与支撑结构37 的底边之间的角度θ范围为90°～130°，支撑结构37的高度d(即支撑结构 在垂直于基底方向上的尺寸)为1.0μm～1.5μm。支撑结构37和第一平坦层 32均通过曝光显影工艺形成，为了避免形成支撑结构37的过程中对第一平坦 层32产生影响，在一个实施例中，第一平坦层32的材质包括正性光敏聚合 物，例如正性聚酰亚胺等，从而，在通过曝光显影工艺形成支撑结构时，不 会影响第一平坦层32，保证了第一平坦层32的性能和表面平坦性。在具体实 施中，可以通过控制曝光的强度和时间获得符合要求的θ值。
S4：在形成支撑结构37的第一平坦层32上形成包覆支撑结构37的保护 层40，具体包括：在形成有支撑结构37的基底上采用沉积方法形成保护薄膜， 保护薄膜包覆支撑结构37；在保护薄膜上涂覆一层光刻胶，对光刻胶进行曝 光并显影，去除位于子过孔321位置的光刻胶，保留其它位置的光刻胶；对 保护薄膜进行刻蚀，在子过孔321位置形成暴露漏电极272的第三过孔401， 从而形成保护层40，保护层40包覆支撑结构37，如图6所示，图6为本发明第一实施例中形成保护层后的结构示意图。其中，保护层40可以采用氮化 硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。保护层40包覆支撑结构37， 因此，保护层40可以杜绝水汽通过支撑结构37侵入，有效隔绝了水汽，避 免了后续形成的发光层被腐蚀的问题，提高显示基板的显示性能。保护层40 的材质与钝化层材质相同，因此，保护层还可以起到钝化层的作用，不再需 要单独制作钝化层。相比于图1a～图1d的显示基板的制备方法，本发明实施例显示基板的制备方法，不仅形成了包覆支撑结构37的保护层40，而且保护 层40同时用作钝化层，不会增加显示基板的掩膜次数，降低了成本，提高了 产能。
在一个实施例中，保护层40的厚度为3000埃～5000埃。这样的厚度，不 仅可以保证保护层40完全包覆支撑结构37，而且还可以避免最终形成的显示 基板在支撑结构37位置处高度过大。
S5：在保护层40上形成第二平坦层34，具体可以包括：
S51：在保护层40上通过构图工艺形成中间金属层33，中间金属层33 通过第三过孔401与漏电极272电连接。其中，中间金属层33可以采用铂Pt、 钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中 的一种或多种。
S52：在形成中间金属层33的基底上涂覆聚合物薄膜；对聚合物薄膜进 行掩膜曝光并显影，形成第二平坦层34，第二平坦层34上开设有暴露中间金 属层33的第四过孔341，如图7所示，图7为本发明第一实施例中形成第二 平坦层后的结构示意图。其中，由于支撑结构37的高度较大，从而，第二平 坦层34在支撑结构37位置的上表面高于其它位置的上表面，因此，位于支 撑结构37位置的第二平坦层34可以在后续蒸镀工艺中起到支撑掩膜板的作 用。在一个实施例中，第二平坦层34的材质包括正性光敏聚合物，例如正性 聚酰亚胺等。
S6：在第二平坦层34上形成第一电极35，第一电极35穿过第二平坦层 34、保护层40和第一平坦层32与控制结构层20电连接，具体包括：在第二 平坦层34上透过构图工艺形成第一电极35，第一电极35通常为阳极，第一 电极35通过第四过孔341与中间金属层33电连接，如图8所示，图8为本 发明第一实施例中形成第一电极后的结构示意图。其中，中间金属层33通过 第三过孔401与漏电极电连接，这样就实现了第一电极35穿过第二平坦层34、保护层40和第一平坦层32与控制结构层20电连接。第一电极35通过中间 金属层33与漏电极电连接，可以避免第一电极35直接穿过第二平坦层34、 保护层40和第一平坦层32与漏电极电连接，从而降低了第一电极35与漏电 极电连接的连接电阻，提高显示基板的性能。
在一个实施例中，显示基板为OLED显示基板，显示基板的制备方法还 可以包括：
S7：在形成有第一电极35的第二平坦层34上形成像素界定层36，像素 界定层36上开设有暴露第一电极35的子像素开口。由于支撑结构37的高度 较大，从而，像素界定层36在支撑结构37位置的上表面高于其它位置的上 表面，因此，位于支撑结构37位置的像素界定层36可以在蒸镀工艺中起到 支撑掩膜板的作用。在一个实施例中，像素界定层36的材质包括正性光敏聚 合物，例如正性聚酰亚胺等。
S8：采用蒸镀工艺在子像素开口位置形成发光层38，如图9所示，图9 为本发明第一实施例中形成发光层后的结构示意图。在蒸镀过程中，位于支 撑结构37位置的像素界定层36可以用来支撑掩膜板，保证掩膜板与基板之 间的间隙，提高发光层的蒸镀质量。
第二实施例：
基于上述实施例的发明构思，本发明第二实施例提出了一种显示基板， 如图9所示，该显示基板包括基底、设置在基底上的控制结构层20、设置在 控制结构层20上的第一平坦层32以及设置在所述第一平坦层32上的支撑结 构37。显示基板还包括保护层40，保护层40设置在形成有支撑结构37的第 一平坦层32上，保护层40包覆支撑结构37。保护层40上设置有第二平坦层 34，第二平坦层34上设置有第一电极35，第一电极35穿过第二平坦层34、 40保护层和第一平坦层32与控制结构层20电连接。
在一个实施例中，支撑结构37在垂直于所述基底方向上的截面呈倒梯形， 所述支撑结构37的背离所述基底一侧的顶边的宽度大于朝向所述基底一侧的 底边的宽度。
在一个实施例中，所述支撑结构的侧面与所述支撑结构的朝向所述基底 一侧的底面之间的角度为90°～130°。
在一个实施例中，所述支撑结构37在垂直于所述基底方向上的尺寸为 1.0μm～1.5μm。
在一个实施例中，所述保护层的厚度为3000埃～5000埃。
在一个实施例中，所述第一平坦层的材质包括正性聚酰亚胺。
在一个实施例中，所述显示基板还包括设置在所述保护层40与所述第二 平坦层34之间的中间金属层33，所述中间金属层33穿过所述保护层40和所 述第一平坦层32与所述控制结构层20电连接，所述第一电极35穿过所述第 二平坦层34与所述中间金属层33电连接。由于第一电极与控制结构层20之 间的绝缘层较厚，通过设置中间金属层33，可以降低第一电极35与控制结构 层20之间的连接电阻，提高显示基板的性能。
在一个实施例中，所述显示基板还包括设置在所述第一电极35上的像素 界定层36，所述像素界定层36上开设有暴露所述第一电极35的子像素开口， 所述子像素开口内设置有发光层38。
该显示基板可以为OLED显示基板，OLED显示基板包括多个像素单元， 每个像素单元包括R子像素、G子像素和B子像素。支撑结构37可以设置在 相邻两个像素单元之间。
在一个实施例中，沿显示基板的俯视方向看，支撑结构为条状结构，支 撑结构设置在相邻两列或相邻两行像素单元之间。
在另一个实施例中，沿显示基板的俯视方向看，支撑结构包括多个依次 等间隔设置的支撑柱，支撑结构设置在相邻两列或相邻两行像素单元之间。 每个支撑柱设置在相邻两个像素单元之间。
第三实施例：
基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该 显示装置包括采用前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电 脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能 的产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、 “前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置 关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描 述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方 位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定， 术语“连接”应做广义理解，例如，可以是电连接；可以是直接相连，也可以 通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技 术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明 而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人 员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细 节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利 要求书所界定的范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成控制结构层；
在所述控制结构层上形成第一平坦层；
在所述第一平坦层上形成支撑结构，所述支撑结构的材质包括负性光敏聚合物；
在形成所述支撑结构的第一平坦层上形成包覆所述支撑结构的保护层；
在所述保护层上形成第二平坦层；
在所述第二平坦层上形成第一电极，所述第一电极穿过所述第二平坦层、所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接；
在形成有所述第一电极的所述第二平坦层上形成像素界定层，所述像素界定层在所述支撑结构位置的上表面高于其它位置的上表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基底上形成控制结构层包括：
在基底上形成有源层和栅电极；
在形成有所述有源层和所述栅电极的基底上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与所述有源层电连接。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述保护层上形成第二平坦层，包括：
在所述保护层上形成中间金属层，所述中间金属层穿过所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接；
在形成所述中间金属层的基底上形成第二平坦层，所述第二平坦层上开设有暴露所述中间金属层的第四过孔，所述第一电极通过所述第四过孔与所述中间金属层电连接。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一平坦层的材质包括正性聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述像素界定层上开设有暴露所述第一电极的子像素开口；
通过蒸镀工艺在所述子像素开口形成发光层。
6.一种显示基板，其特征在于，包括：
基底；
控制结构层，设置在所述基底上；
第一平坦层，设置在所述控制结构层上；
支撑结构，设置在所述第一平坦层上，所述支撑结构的材质包括负性光敏聚合物；
保护层，设置在形成有所述支撑结构的第一平坦层上，所述保护层包覆所述支撑结构；
第二平坦层，设置在所述保护层上，以及，
第一电极，设置在所述第二平坦层上，所述第一电极穿过所述第二平坦层、所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接；
像素界定层，设置在设有第一电极的所述第二平坦层上，所述像素界定层在所述支撑结构位置的上表面高于其它位置的上表面。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述支撑结构在垂直于所述基底方向上的截面呈倒梯形，所述支撑结构的背离所述基底一侧的顶边的宽度大于朝向所述基底一侧的底边的宽度。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述支撑结构的侧面与所述支撑结构的朝向所述基底一侧的底面之间的角度为90°～130°。
9.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述支撑结构在垂直于所述基底方向上的尺寸为1.0μm～1.5μm。
10.根据权利要求6～9中任意一项所述的显示基板，所述保护层的厚度为3000埃～5000埃。
11.根据权利要求6～9中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一平坦层的材质包括正性聚酰亚胺。
12.根据权利要求6～9中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述保护层与所述第二平坦层之间的中间金属层，所述中间金属层穿过所述保护层和所述第一平坦层与所述控制结构层电连接，所述第一电极穿过所述第二平坦层与所述中间金属层电连接。
13.根据权利要求6～9中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述像素界定层上开设有暴露所述第一电极的子像素开口，所述子像素开口内设置有发光层。
14.根据权利要求6～9中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素，所述支撑结构设置在相邻两个像素单元之间。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6～14中任意一项所述的显示基板。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111312743A (zh) * 2020-03-19 2020-06-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 微发光二极管阵列基板及其制备方法

Family Cites Families (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208484A (ja) * 2001-01-12 2002-07-26 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法
TWI253870B (en) * 2003-10-30 2006-04-21 Au Optronics Corp Active organic electroluminescence display and fabricating method thereof
US7753751B2 (en) * 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
JP4917833B2 (ja) * 2005-06-29 2012-04-18 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法
TWI460851B (zh) * 2005-10-17 2014-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US7576364B2 (en) * 2007-02-15 2009-08-18 Chi Mei Optoelectronics Corp. Display device and method of manufacturing the same
KR100937865B1 (ko) * 2008-03-18 2010-01-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US20120228603A1 (en) * 2009-11-17 2012-09-13 Sharp Kabushiki Kaisha Organic el display
KR101920374B1 (ko) * 2011-04-27 2018-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
KR102105287B1 (ko) * 2012-08-01 2020-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US20140346468A1 (en) * 2013-05-27 2014-11-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device having a channel in pixel defining layer
KR102080008B1 (ko) * 2013-07-12 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102207563B1 (ko) * 2013-10-29 2021-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법
US9508778B2 (en) * 2014-04-25 2016-11-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
KR102369088B1 (ko) * 2015-01-29 2022-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102394433B1 (ko) * 2015-06-29 2022-05-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20170040425A (ko) * 2015-10-02 2017-04-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102460407B1 (ko) * 2015-10-30 2022-10-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
CN105428389B (zh) * 2015-11-30 2018-12-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示装置及制造方法
KR102560317B1 (ko) * 2015-12-29 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102478223B1 (ko) * 2016-02-02 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102653000B1 (ko) * 2016-03-04 2024-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10439165B2 (en) * 2016-07-29 2019-10-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
KR102519678B1 (ko) * 2016-08-01 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102648401B1 (ko) * 2016-09-30 2024-03-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6870950B2 (ja) * 2016-10-05 2021-05-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102676050B1 (ko) * 2016-11-30 2024-06-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102604310B1 (ko) * 2016-12-30 2023-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102696807B1 (ko) * 2017-02-06 2024-08-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102344877B1 (ko) * 2017-03-30 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
WO2018179308A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
CN107170782A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其制备方法、显示装置及其制备方法
US10529788B2 (en) * 2017-06-05 2020-01-07 Samsung Display Co., Ltd. Pattern structure for display device and manufacturing method thereof
KR102300028B1 (ko) * 2017-06-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
CN109216407B (zh) * 2017-06-30 2022-08-26 昆山国显光电有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN109427846B (zh) * 2017-08-28 2021-07-27 上海和辉光电股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
KR102369730B1 (ko) * 2017-08-31 2022-03-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107579168B (zh) * 2017-08-31 2023-11-03 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板以及封装方法
KR102427667B1 (ko) * 2017-09-26 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2019064548A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 表示デバイス、露光装置、表示デバイスの製造方法
KR102418967B1 (ko) * 2017-10-26 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
KR102524429B1 (ko) * 2017-10-31 2023-04-20 엘지디스플레이 주식회사 투명 디스플레이 장치
KR102423799B1 (ko) * 2017-11-07 2022-07-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102508251B1 (ko) * 2017-11-28 2023-03-08 엘지디스플레이 주식회사 폴더블 표시장치
KR102485295B1 (ko) * 2017-11-30 2023-01-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102548119B1 (ko) * 2017-12-05 2023-06-27 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치
KR102436813B1 (ko) * 2017-12-08 2022-08-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그 제조방법
KR102578544B1 (ko) * 2017-12-11 2023-09-13 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102468861B1 (ko) * 2017-12-22 2022-11-18 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
KR102518748B1 (ko) * 2018-01-05 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 권취형 표시 장치
CN111602190B (zh) * 2018-01-18 2022-04-15 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置
JP6983080B2 (ja) * 2018-01-19 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102603869B1 (ko) * 2018-02-08 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10734459B2 (en) * 2018-03-08 2020-08-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN108461525A (zh) * 2018-03-14 2018-08-28 京东方科技集团股份有限公司 显示母板、显示基板及显示装置
KR102536116B1 (ko) * 2018-04-12 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102521879B1 (ko) * 2018-04-12 2023-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102639567B1 (ko) * 2018-05-14 2024-02-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102606941B1 (ko) * 2018-05-31 2023-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN108766994B (zh) * 2018-06-20 2021-03-16 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和有机发光显示装置
CN109037470A (zh) * 2018-07-16 2018-12-18 云谷（固安）科技有限公司 显示屏、显示装置
KR102607270B1 (ko) * 2018-07-17 2023-11-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109148522B (zh) * 2018-08-10 2020-09-01 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
KR102661469B1 (ko) * 2018-09-11 2024-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN109192765A (zh) * 2018-09-17 2019-01-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
CN109188751B (zh) * 2018-09-29 2021-11-05 武汉天马微电子有限公司 显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法
KR102624165B1 (ko) * 2018-10-12 2024-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102588594B1 (ko) * 2018-10-16 2023-10-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109473568B (zh) * 2018-11-08 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
KR102607212B1 (ko) * 2018-11-22 2023-11-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
CN110164916B (zh) * 2018-12-05 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及制造显示面板的方法
CN109599426B (zh) * 2018-12-11 2021-03-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板和显示装置
KR20200073349A (ko) * 2018-12-13 2020-06-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109585690B (zh) * 2018-12-29 2021-03-16 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
KR20200108145A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200110505A (ko) * 2019-03-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200113048A (ko) * 2019-03-20 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법
KR20200121957A (ko) * 2019-04-16 2020-10-27 삼성디스플레이 주식회사 폴딩 가능한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN110212113B (zh) * 2019-05-31 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示基板及其制备方法、电致发光显示装置
US20210028388A1 (en) * 2019-07-22 2021-01-28 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Oled display panel
KR20210027715A (ko) * 2019-09-02 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN110597421B (zh) * 2019-09-29 2022-12-06 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
US11963401B2 (en) * 2019-10-30 2024-04-16 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same, and display device

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