CN110076953B - 封装的制造方法、发光装置的制造方法及封装、发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种将封装及发光装置减薄且简单地制造的制造方法以及薄型的封装及发光装置。封装的制造方法具有如下的工序:准备在封装的预定形成区域具有第一电极(10)、与第一电极(10)不同的第二电极(20)的引线框架(5);利用被上下分割的模制模型的上模和下模将第一电极(10)和第二电极(20)夹入;在夹入有第一电极(10)和第二电极(20)的模制模型内,从在该模制模型的封装的预定形成区域的外侧且第一电极(10)旁形成的注入口注入第一树脂;将被注入的第一树脂硬化或固化;在将第一树脂硬化或固化之后,从第一电极10旁将第一树脂的注入口的注入痕(155)切除。
Description
本申请是申请日为2015年09月29日,申请号为201510631823.9,发明名称为“封装的制造方法、发光装置的制造方法及封装、发光装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及封装的制造方法、发光装置的制造方法以及封装及发光装置。
背景技术
目前,具有引线框架的封装从背面侧注入热可塑性树脂而制造(例如参照专利文献1及2)。而且,在将树脂硬化之后,将引线框架弯折而形成发光装置。
另外,已知有使树脂流入成型模型的每一个引线框架的腔室内并硬化,将树脂成形体与各引线框架一体成型,从而形成封装(例如参照专利文献3)。另外,在专利文献3记载的封装的制造方法中,引线框架在设置于成型模型之前被预先弯折。
专利文献1:(日本)特开2010-186896号公报
专利文献2:(日本)特开2013-051296号公报
专利文献3:(日本)特开2013-077813号公报
在专利文献1及2记载的发光装置中,由于从引线框架的背面侧注入树脂,故而封装的厚度增厚。另外,使用了这样的封装的发光装置的厚度也变厚。另外,在现有的发光装置中,进行将封装的引线框架弯折等的加工耗费工序。
发明内容
因此,本发明的实施方式提供一种将封装及发光装置减薄且简单地制造的制造方法、以及薄型的封装及发光装置。
一种封装的制造方法,其具有如下的工序:
在封装的预定形成区域俯视下沿上下方向准备两组引线框架,该引线框架是以第一电极、与所述第一电极不同的第二电极、与所述第一电极连接的第一吊挂引线、与所述第二电极连接的第二吊挂引线为一组;
利用被上下分割的模制模型的上模和下模将两组所述引线框架夹入;
在夹入有两组所述引线框架的所述模制模型内,从在该模制模型的封装的预定形成区域的外侧且俯视下沿上下方向排列的两组所述第一吊挂引线之间或两组所述第二吊挂引线之间形成的注入口注入第一树脂,形成一个封装;
将所述注入的第一树脂硬化或固化;
在将所述第一树脂硬化或固化之后,从两组所述第一吊挂引线之间或两组所述第二吊挂引线之间将所述第一树脂的注入口的注入痕切除。
一种发光装置的制造方法,其具有:
上述封装的制造方法中的全部工序;
在将所述第一树脂硬化或固化之后将所述注入痕切除的工序之前或之后的任一时刻,将发光元件安装在两组所述第一电极中的任一个或两组所述第二电极中的任一个上的工序。
一种封装,其具有:
两组第一电极;
极性与两组所述第一电极不同的两组第二电极;
将两组所述第一电极及两组所述第二电极固定且构成底面的至少一部分由两组所述第一电极及两组所述第二电极构成的有底凹部的侧壁的壁部;
俯视下,从所述壁部向外侧方突出的凸缘部,
两组所述第一电极中的任一个及两组所述第二电极中的任一个的至少一方俯视下具有从所述壁部向外侧方突出的外引线部,
所述外引线部在前端具有第二凹部,
所述凸缘部在俯视下,在所述外引线部的两旁以与所述外引线部相同的厚度设置,
在所述第二凹部不设有所述凸缘部。
一种发光装置,其具有:
上述封装;
载置在所述封装的两组所述第一电极中的任一个及两组所述第二电极中的任一个的至少一方的发光元件。
本发明一方面的封装的制造方法具有如下的工序:准备在封装的预定形成区域具有第一电极和与所述第一电极不同的第二电极的引线框架;利用被上下分割的模制模型的上模和下模将所述第一电极和所述第二电极夹入;在夹入有所述第一电极和所述第二电极的所述模制模型内,从在该模制模型的封装的预定形成区域的外侧且所述第一电极旁形成的注入口注入第一树脂;将所述注入的第一树脂硬化或固化;在将所述第一树脂硬化或固化之后,从所述第一电极旁将所述第一树脂的注入口的注入痕切除。
另外,本发明另一方面的发光装置的制造方法具有:上述封装的制造方法中的全部工序;在将所述第一树脂硬化或固化之后将所述注入痕切除的工序之前或之后的任一时刻,将发光元件安装在所述第一电极或所述第二电极上的工序。
本发明又一方面的封装,其具有:第一电极;极性与所述第一电极不同的第二电极;将所述第一电极及所述第二电极固定且构成底面的至少一部分由所述第一电极及所述第二电极构成的有底凹部的侧壁的壁部;俯视下,从所述壁部向外侧方突出的凸缘部,所述第一电极及所述第二电极中的至少一方俯视下具有从所述壁部向外侧方突出的外引线部,所述外引线部在前端具有第二凹部,所述凸缘部在俯视下,在所述外引线部的两旁以与所述外引线部相同的厚度设置,在所述第二凹部不设有所述凸缘部。
本发明再一方面的发光装置具有所述封装、至少载置在所述封装的所述第一电极及所述第二电极的至少一方的发光元件。
本发明的封装及发光装置的制造方法将树脂的注入口设置在树脂的硬化或固化后无用的位置,故而在将树脂注入并使其硬化或固化之后将其切除,从而能够简单地制造薄型的封装及发光装置。
另外,本发明实施方式的封装及发光装置能够比以往更加薄型。
附图说明
图1是表示实施方式的封装的概略的图,是表示封装的整体的立体图;
图2是表示实施方式的封装的概略的图,为封装的俯视图;
图3是表示实施方式的封装的概略的图,是图2的III-III剖面向视图;
图4是表示实施方式的封装的概略的图,是封装的底面图;
图5是表示实施方式的封装的制造工序的概略的图,是引线框架的平面图;
图6是表示实施方式的封装的制造工序的概略的图,是图5的VI-VI剖面向视图;
图7是表示实施方式的封装的制造工序的概略的图,是示意性地表示在与图9的X-X线对应的位置上的引线框架和模制模型的配置的剖面图;
图8是表示实施方式的封装的制造工序的概略的图,是示意性地表示在与图9的XI-XI线对应的位置上的引线框架和模制模型的配置的剖面图;
图9是表示实施方式的封装的制造工序的概略的图,是被上模和下模夹持的引线框架的俯视图;
图10是表示实施方式的封装的制造工序的概略的图,是第一树脂注入后的图9的X-X剖面向视图;
图11是表示实施方式的封装的制造工序的概略的图,是第一树脂注入后的图9的XI-XI剖面向视图;
图12是表示实施方式的封装的制造工序的概略的图,是封装的概略平面图;
图13是表示实施方式的封装的制造工序的概略的图,是图12的XIII-XIII剖面向视图;
图14是表示实施方式的发光装置的概略的图,是表示发光装置的整体的立体图;
图15是表示其他实施方式的封装的概略的图,是表示封装的整体的立体图;
图16是表示其他实施方式的封装的制造工序的概略的图,是引线框架的平面图;
图17是表示其他实施方式的封装的制造工序的概略的图,是被上模和下模夹持的引线框架的俯视图;
图18是表示其他实施方式的封装的制造工序的概略的图,是第一树脂注入后的图17的XVIII-XVIII剖面向视图;
图19是表示其他实施方式的封装的制造工序的概略的图,是第一树脂注入后的图17的XIX-XIX剖面向视图;
图20是表示其他实施方式的发光装置的概略的图,是表示发光装置的整体的立体图。
具体实施方式
以下,对表示实施方式的一例的封装的制造方法及发光装置的制造方法、以及封装及发光装置进行说明。另外,以下的说明中参照的附图概略性地表示本实施方式,故而具有将各部件的比例尺或间隔、位置关系等夸大或将部件的一部分图示省略的情况。另外,在以下的说明中,同一名称及标记作为原则表示同一或同质的部件,适当省略详细说明。
<封装100的构成>
使用附图进行说明。图1是表示实施方式的封装的概略的图,是表示封装的整体的立体图。图2是表示实施方式的封装的概略的图,是封装的俯视图。图3是表示实施方式的封装的概略的图,是图2的III-III剖面向视图。图4是表示实施方式的封装的概略的图,是封装的底面图。
封装100的整体形状大致为长方体,形成为在上面具有凹部(腔室)的杯状。另外,封装100具有第一电极10、第二电极20及由第一树脂构成的树脂成形体30。
第一电极10具有第一外引线部11、第一内引线部12。第一外引线部11为位于树脂成形体30的壁部31外侧的引线部分。第一外引线部11的形状俯视看为矩形,但形状不限于此,也可以设有部分切口或凹部、贯通孔。
第一内引线部12为位于树脂成形体30的壁部31的内侧及壁部31下方的引线部分。第一内引线部12的形状俯视看为大致矩形,但形状不限于此,也可以设有部分切口或凹部、贯通孔。在封装100的背面观察下,从第一树脂露出的第一外引线部11的宽度W1在此比从第一树脂露出的第一内引线部12的宽度W2短。
第二电极20具有第二外引线部21和第二内引线部22。第二外引线部21为位于树脂成形体30的壁部31外侧的引线部分。第二外引线部21的形状俯视看为矩形,但形状不限于此,也可以设有部分切口或凹部、贯通孔。
第二内引线部22为位于树脂成形体30的壁部31的内侧及壁部31的下方的引线部分。第二内引线部22的形状俯视看大致为矩形,但形状不限于此,也可以设有部分切口或凹部、贯通孔。在封装100的背面观察下,从第一树脂露出的第二外引线部21的宽度W1在此比从第一树脂露出的第二内引线部22的宽度幅W2短。
第一电极10和第二电极20在封装100的底面向外侧露出而形成。封装100的底面的外侧为安装在外部的基板一侧的面。第一电极10和第二电极20分开配置,在第一电极10与第二电极20之间夹有树脂成形体30。在作为发光装置使用时,第一电极10和第二电极20分别相当于阳极、阴极,导电性各不相同。
第一电极10及第二电极20的长度、宽度、厚度没有特别限定,能够根据目的及用途而适当选择。第一电极10、第二电极20的材质例如优选为铜或铜合金,优选其最表面例如被银或铝等反射率高的金属材料覆盖。
树脂成形体30具有壁部31和凸缘部32。壁部31将成为矩形的四边形成在第一电极10及第二电极20之上。另外,壁部31通过矩形的相对的两边将第一电极10夹入而形成,并且将第二电极20夹入而形成。由此,壁部31能够将第一电极10及第二电极20固定。
壁部31以俯视看构成矩形的凹部的方式形成,其形状俯视看形成为矩形的环状。该壁部31的高度、长度、宽度不作特别限定,能够根据目的及用途而适当选择。
凸缘部32与第一外引线部11或第二外引线部21邻接而形成,在平面观察下,在此形成有四个凸缘部32。凸缘部32分别从壁部31向侧方突出,以与第一外引线部11及第二外引线部21相同的长度、相同的厚度而形成。第一外引线部11及第二外引线部21和凸缘部32两面均共面地形成。虽然在后文中记载,但在本实施方式中,将第一树脂的注入口设置在第一树脂的硬化或固化后成为无用的位置的第一电极10旁,故而若在将第一树脂注入并使其硬化或固化之后将其切除,则在第一电极10旁残留一个凸缘部32。树脂成形体30具有四个凸缘部32,但其个数只要为一个即可。在未设置凸缘部的情况下,壁部31的外侧面从上面到底面平面地形成。
作为树脂成形体30的材质,能够列举例如热可塑性树脂或热硬化性树脂。
在热可塑性树脂的情况下,例如能够使用聚邻苯二甲酰胺树脂、液晶聚合物、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、不饱和聚酯等。
在热硬化性树脂的情况下,例如能够使用环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂等。
为了在树脂成形体30的壁部31的内周面有效地反射光,也可以在树脂成形体30中含有反光部件。反光部件例如为氧化钛、玻璃填充剂、二氧化硅、氧化铝、氧化锌等白色填充剂等反光率高的材料。反射率优选为,可见光的反射率为70%以上或为80%以上为好。特别是,在发光元件的出射的波长区域,优选反射率为70%以上或为80%以上。氧化钛等的配合量只要为5重量%以上、50重量%以下即可,优选为10重量%~30重量%,但不限于此。
如以上说明地,封装100将树脂的注入口设置在树脂的硬化或固化后变得无用的位置,故而能够将封装的厚度减薄。特别是,能够使封装背面侧的厚度、即树脂成形体30的凸缘部32、第一电极10及第二电极20等的厚度比以往薄。因此,能够提高在封装100上搭载的发光元件等动作时的散热性。
<封装100的制造方法>
接着,参照图5~图13对封装100的制造方法进行说明。图5是引线框架的平面图。图6是图5的VI-VI剖面向视图。图7是示意性地表示与图9的X-X线对应的位置上的引线框架和模制模型的配置的剖面图。图8是示意性地表示与图9的XI-XI线对应的位置上的引线框架和模制模型的配置的剖面图。图9是被上模和下模夹持的引线框架的俯视图。图10是第一树脂注入后的图9的X-X剖面向视图。图11是第一树脂注入后的图9的XI-XI剖面向视图。图12是封装的概略平面图。图13是图12的XIII-XIII剖面向视图。
本实施方式的封装的制造方法具有如下(1)~(5)的工序。
(1)准备引线框架。
在该(1)工序中,准备将一部分切口的平板状的引线框架5。引线框架5在封装的预定形成区域600具有第一电极10、与第一电极10不同的第二电极20,在第一电极10与第二电极20之间设有间隙。该间隙具有与引线框架5的厚度相同或比其宽的宽度为好。第一电极10和第二电极20具有大致四边形的部分,并且具有比第一电极10的宽度、第二电极20的宽度窄的部分,另外,在封装的预定形成区域600的外侧连接。该引线框架5的切口能够通过冲裁、蚀刻等而形成。在此,封装的预定形成区域600为从引线框架5分离的、成为成型后的封装100的底面的外周的区域。另外,引线框架5中的第一电极10是指相当于成型后的第一电极10的部分,为单片化之前的状态。同样地,引线框架5中的第二电极20是指与成型后的第二电极20相当的部分,为单片化之前的状态。另外,为了简便,引线框架5作为具有一个封装的预定形成区域600的构成而进行说明,但其个数可以为多个。
引线框架5为板状的部件,在第一电极10及第二电极20的周围具有规定形状的间隙部,与第一电极10和第二电极20面对的部分分开。引线框架5具有将第一电极10及第二电极20的周围包围的框状的引线支承部7和吊挂引线8、9。
第一电极10通过吊挂引线8将与成型后的第一外引线部11相当的部分与引线支承部7连接。在引线框架5上,作为间隙部,将第一空间6a和第二空间6b形成在吊挂引线8的两旁。第一空间6a和第二空间6b形成在第一电极10的两旁。另外,如后述地,在本实施方式中,从第一空间6a注入第一树脂。
第二电极20通过吊挂引线9将与成型后的第二外引线部21相当的部分与引线支承部7连接。在引线框架5上,作为间隙部,将第三空间6c和第四空间6d形成在吊挂引线9的两旁。第三空间6c和第四空间6d形成在第二电极20的两旁。
(2)利用上模和下模将引线框架夹入。
在该工序中,利用被上下分割的模制模型500的上模550和下模560将引线框架5的第一电极10和第二电极20夹入。另外,为了便于说明,以引线框架5的下面和下模560分开的状态进行了表示,但引线框架5固定在下模560上。
模制模型500的上模550具有与在第一电极10及第二电极20上形成的树脂成形体30的壁部31相当的凹部501。另外,在设于上模550的凹部501注入第一树脂。该上模550的凹部501环状地连接。在与该凹部501不同的位置,俯视看在凹部501的外侧,在上模550形成有成为浇口555的贯通孔。以第一树脂不进入引线框架5与上模550、下模560的间隙的程度牢固地夹入。第一树脂进入引线框架5与上模550、下模560的间隙,在发光元件的安装区域的引线框架5的表面附着第一树脂的话,需要去毛刺的工序。
(3)将第一树脂注入模型。
模制模型500的上模550在封装的预定形成区域600的外侧具有浇口(注入口)555。在上模550的浇口555相当的部分配置有引线框架5的切口部分。浇口555在成为第一电极10的外侧的一引线支承部7侧形成。在此,在从浇口555注入的第一树脂中预先混合有反光部件。
在该工序中,在利用上模550和下模560将引线框架5夹入的模制模型500内,在俯视下,从第一电极10(第一外引线部11)旁的浇口555注入第一树脂。
从浇口555注入的第一树脂通过引线框架5的切口而被注入上模550的凹部501。在此,以一个来说明浇口555,但能够在上模550设置多个浇口。另外,虽然在上模550设有浇口555,但也能够在下模560设置浇口,从下模560侧注入第一树脂。
第一树脂的注入工序能够利用射出成形、传递模制、挤压成形等公知的成形方法。
(4)将注入的第一树脂硬化或固化。
在本实施方式中,作为一例,第一树脂例如为环氧树脂那样的热硬化性树脂。此时,将第一树脂注入的工序为传递模制。在传递模制中,将具有规定大小的颗粒状的热硬化性树脂(小块)预先放入与上模550连接的规定的容器内。对于传递模制的情况,以下对上述(2)的工序、上述(3)的工序及(4)的工序进行概略说明。
在传递模制的情况下,在上述(2)的工序中,引线框架5固定在被加热的下模560上,被同样地被加热的上模550和下模560夹入。在上述(3)的工序中,在与上模550连接的规定的容器中例如通过活塞施加压力,从而从规定的容器通过浇口555向上模550的凹部501注入溶融状态的热硬化性树脂(第一树脂)。在(4)的工序中,将被填充的热硬化性树脂(第一树脂)加热。而且,通过加热而硬化(临时硬化)的热硬化性树脂成为树脂成形体30。
另外,在第一树脂例如为聚邻苯二甲酰胺树脂那样的热可塑性树脂的情况下,能够由射出成形而成形。该情况下,只要使热可塑性树脂为高温而使其熔化,放入低温的模型中,通过冷却而固化即可。
这样被注入的第一树脂硬化或固化,形成与被上下分割的模制模型500的上模550具有的凹部501相当的壁部31。
(5)将第一树脂的注入口的注入痕切除。
在将第一树脂硬化或固化之后,将第一树脂的注入口的注入痕切除。另外,将第一树脂和引线框架5切断,将封装100单片化。在此,将吊挂引线8、9切断的夹具能够使用例如引线刀具。封装的预定形成区域600的矩形中的左右短边相当于引线框架5的吊挂引线8、9及树脂成形体30。在被切断的位置的引线框架5设有圆形、椭圆形状、多边形、大致多边形等的切口或贯通孔,也能够降低被切断的引线框架5的面积。
在本实施方式中,在由引线框架5将封装100单片化时,对应封装的预定形成区域600的短边而将吊挂引线8、9。在第一树脂的注入及硬化或固化后,在上模550的凹部501部分填充有树脂成形体30,故而树脂成形体30的端部分也同时被切断。
通过如上所述地将吊挂引线8、9切断,能够从第一电极10旁将第一树脂的浇口痕(注入痕)155切除。由此,在封装100的表面不残留浇口痕。进行该切断的时刻既可以是安装发光元件之前,也可以是安装了发光元件之后。通过上述(1)~(5)的工序,能够制造封装100。
另外,在现有方法中,从封装背面侧注入了树脂,但根据本实施方式的封装的制造方法,从封装的预定形成区域600的外侧且第一电极10旁注入树脂,将其浇口痕切除,故而能够将封装的厚度减薄。
另外,根据本实施方式的封装的制造方法,无需现有的封装制造方法中的将引线弯曲的工序,故而能够节省进行弯折加工的工序。
在现有的制造方法中,例如在准备的板状的引线框架中,将封装的预定形成区域二维阵列状地设有多个的情况下,其间隔设为考虑了将引线弯曲后的规定长度。对此,根据本实施方式的封装的制造方法,无需将引线弯曲,故而无需确保考虑了弯曲的引线的长度。即,不考虑弯曲,相应地能够将封装间隔堵塞,因此,能够使从相同的板状的引线框架取出的封装的个数比以往增加,能够有效地利用框架(材料)。
<发光装置1的构成>
接着,参照图14对发光装置1的构成进行说明。图14是表示实施方式的发光装置的概略的图,是表示发光装置的整体的立体图。
发光装置1具有封装100、发光元件200、电线250、由第二树脂构成的密封部件300。发光元件200被安装在封装100的第二电极20之上。在此使用的发光元件200不特别限定形状或大小等。作为发光元件200的发光色,能够根据用途选择任意波长的部件。例如,作为蓝色(波长430~490nm的光)的发光元件,能够使用GaN类或InGaN类。作为InGaN类,能够使用InXAlYGa1-X-YN(0≤X≤1、0≤Y≤1、X+Y≤1)等。
电线250是用于将发光元件200或保护元件等电子零件和第一电极10或第二电极20电连接的导电性的配线。作为电线250的材质,列举使用了Au(金)、Ag(银)、Cu(铜)、Pt(白金)、Al(铝)等金属及其合金,但特别是,使用导热率优良的Au为好。另外,电线250的粗细度没有特别限定,能够根据目的及用途适当选择。
密封部件300将在封装100中安装的发光元件200等覆盖。密封部件300保护发光元件200等不受外力、尘埃、水分等的影响,并且使发光元件200等的耐热性、耐气候性、耐光性良好而设置。作为密封部件300的材质,能够列举热硬化性树脂、例如硅树脂、环氧树脂、尿素树脂等透明的材料。在这样的材料的基础上,为了具有规定的功能,也能够含有荧光体或反光率高的物质等填充剂。
密封部件300通过例如混合荧光体而能够容易地进行发光装置1的色调调整。另外,作为荧光体,能够使用比重比密封部件300大,将来自发光元件200的光吸收并进行波长变换的部件。荧光体若比重比密封部件300大,则在第一电极10及第二电极20侧沉淀,故而优选。
具体地,例如能够列举YAG(Y3Al5O12:Ce)及硅酸盐等黄色荧光体、或者CASN(CAAlSiN3:Eu)及KSF(K2SiF6:MN)等红色荧光体。
作为密封部件300含有的填充剂,能够使用例如SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2、MgO等反光率高的物质。另外,以将所希望外的波长截断的目的,能够使用例如有机或无机的着色染料及着色颜料。
<发光装置1的制造方法>
(第一制造方法)
在发光装置1的第一制造方法中,在用于制造封装100的全部工序中,上述的(1)~(4)的工序之后,在(5)的工序之前,将发光元件200安装在封装100中。即,将发光元件200安装在不从引线框架5分离的封装100的第二电极20上。
发光元件200为在上面形成有一对n电极及p电极的单面电极构造的元件。该情况下,发光元件200利用绝缘性的接合部件将其背面接合在第二电极20上,上面的一电极通过电线250与第一电极20连接,上面的另一电极通过电线250与第二电极20连接。
然后,在被封装100的树脂成形体30的壁部31包围的凹部内涂敷密封部件300并将发光元件200密封。此时,将密封部件300滴下到树脂成形体30的凹部的上面。将密封部件300填充到树脂成形体30的凹部内的方法例如也能够使用射出、压缩或挤出等。通过滴下,能够将在树脂成形体30的凹部内残存的空气有效地排出,故而通过滴下进行填充为好。
(发光装置的第二制造方法)
另外,在发光装置1的第一制造方法中,将发光元件200预先安装到封装100中之后进行单片化而制造,但在第二制造方法中,可以在制造预先单片化的封装100的全部工序之后,将发光元件200安装在封装100上。即,在被单片化的封装100中安装发光元件200。
[变形例1]
在图5所示的引线框架5上,在吊挂引线8的两旁形成有第一空间6a和第二空间6b,但只要具有一个用于将第一树脂注入的空间即可,故而也能够仅设置第一空间6a和第二空间6b的一方。
在图9所示的模制模型500的上模550形成有一个浇口555,但也可以在第一电极10的两旁的位置形成两个浇口且从两个浇口注入第一树脂。
另外,不仅在第一电极10的旁边设置浇口,也能够在与第二电极20的一旁或两旁相当的位置也设置浇口,注入第一树脂。
[变形例2]
图5所示的引线框架5的形状为一例,例如既可以使第一电极10和第二电极20的尺寸相等,也可以形成为相互不同的形状。
也可以在图5中以矩形的假想线所示的封装的预定形成区域600中的左右的短边的中央设置贯通孔。在这样地构成的情况下,若将吊挂引线8、9切断,则将贯通孔的部位切断而成为齿形(キャスタレーション)。因此,在将封装例如焊接在外部的安装基板上时,能够观察焊脚。而且,在将吊挂引线8、9切断的工序中,也能够将例如引线刀具的刀片的寿命延长。
[变形例3]
也可以临时准备两个图1所示的封装100,制造具有利用树脂成形体30的没有凸缘部32的侧面相互连接的形状的双尺寸的双腔室封装。此时,成型后的封装俯视下,在上下方向上具有两个凹部(腔室)。该双腔室封装能够实现将封装100紧密地排列的高光输出。
该双腔室封装能够形成为与将两个不同规格的封装100紧密地排列等效的封装。也能够例如在树脂成形体的一凹部含有荧光体,在另一凹部不含有荧光体。或者,也能够在树脂成形体的一凹部含有第一荧光体,在另一凹部含有第二荧光体。在制造这样的双腔室封装时,只要准备如下的引线框架即可。
即,在图5所示的引线框架5中,改变间隙部的图案形状,在上下方向上准备两组由第一电极10及第二电极20构成的封装元件的组,在两个吊挂引线8之间配置第一空间6a,在两个吊挂引线9之间配置第三空间6c。此时,将在图5中由矩形的假想线所示的封装的预定形成区域600在上下方向上扩大而具有两组封装元件的区域形成为双腔室封装的预定形成区域。该情况下,对于图7及图8所示的模制模型500的上模550具有的凹部501,以与双腔室封装的树脂成形体的壁部对应的方式进行变形。
[变形例4]
在变形例3的双腔室封装中,也可以将树脂成形体的两个凹部之间的壁部除去而制造双尺寸的单一腔室封装。该情况下,成型后的封装具有树脂成形体的一个凹部(腔室),在该凹部中具有四个内引线部。因此,例如将三个内引线部作为阴极(第二电极),在各阴极安装分别与RGB对应的发光元件,将剩余的一个内引线部作为阳极(第一电极)。另外,也可以在未安装有发光元件的内引线部安装保护元件。在制造这样的单一腔室封装时,将图7及图8所示的模制模型500的上模550具有的凹部501以与单一腔室封装的树脂成形体的壁部对应的方式变形即可。
[其他的变形例]
发光元件200也可以是例如将n电极(或p电极)在元件基板的背面形成的相对电极构造(两面电极构造)的元件。另外,发光元件200不限于面朝上型,也可以为面朝下型。若使用面朝下型的发光元件,则能够无需电线。
发光元件200也能够代替第二电极20而安装在第一电极10上。在发光装置1具有例如两个发光元件200的情况下,也能够在第一电极10及第二电极20上分别安装发光元件200。也可以在未安装有发光元件的内引线部安装保护元件。
封装100的树脂成形体30的壁部31的俯视看的形状不限于图1示例的矩形的环状,例如,壁部31的形状也可以俯视看为圆环状或椭圆的环状。
<封装100B的构成>
使用附图对上述变形例2的封装进行说明。图15是表示其他实施方式的封装的概略的图,是表示封装的整体的立体图。另外,对与图1的封装100相同的构成标注相同的标记,适当省略说明。
封装100B具有在上方开口的有底凹部110、第一外侧面(以下,只要不断开,则称为“外侧面”)101、与第一外侧面101邻接的第二外侧面102、与第二外侧面102邻接且与第一外侧面101相对的第三外侧面103、与第一外侧面101和第三外侧面103邻接的第四外侧面104以及底面105。在此,底面105成为封装100B的安装面。该封装100B具有第一电极10B、极性极性与第一电极10B不同的第二电极20B、树脂成形体30B,由这些部件构成底面105。
第一电极10B具有俯视看从壁部31向外侧方(以下,只要不断开,则称为“外侧面”)突出的第一外引线部11。第一外引线部11从封装100B的第一外侧面101突出。如上所述地,也可以在第一外引线部11设有部分切口或凹部、贯通孔。因此,在本实施方式中,第一外引线部11在前端具有第二凹部50。第二凹部50为将封装100B侧面观察的构成。由此,在将第二凹部50例如焊接在外部的安装基板上时,能够形成焊脚。
在本实施方式中,第二电极20B具有俯视看从壁部31向外侧方突出的第二外引线部21。第二外引线部21从封装100B的第三外侧面103突出。如上所述地,也可以在第二外引线部21设有部分切口或凹部、贯通孔。因此,在本实施方式中,第二外引线部21在前端具有第二凹部50。另外,在封装100B中,可以仅使任一方的电极具有第二凹部50,或者也可以仅使任一方的电极具有外引线部。
如上所述地,第一电极10B及第二电极20B的最表面被例如银或铝等反射率高的金属材料覆盖为好。
因此,在本实施方式中,在为了制造封装100B而准备的引线框架上设有贯通孔等间隙部之后,对该引线框架实施例如银、铝、铜及金等镀敷。因此,对第一电极10B及第二电极20B实施镀敷。
在此,在第一电极10B,第一外引线部11除了第二凹部50的侧面51之外不将前端面镀敷。未被镀敷的理由为,第一外引线部11的侧面43为在将封装100B单片化时出现的剖切面。
另一方面,第一外引线部11将上面41和下面42及第二凹部50的侧面51镀敷,故而与焊料等导电性部件的接合强度增加。
同样地,在第二电极20B,第二外引线部21将上面41和下面42及第二凹部50的侧面51镀敷,除了第二凹部50的侧面51之外不将前端面镀敷。
另外,封装100B对第一电极10B的第一内引线部12、第二电极20B的第二内引线部22实施镀敷,故而在将发光元件安装到封装100B的有底凹部110而构成发光装置时,能够提高来自该发光元件的光的反射率。
树脂成形体30B具有壁部31和凸缘部32。壁部31和凸缘部32利用同一材料一体地形成。由于这样地一体成型,故而能够提高壁部31和凸缘部32的强度。
壁部31将第一电极10B及第二电极20B固定且构成有底凹部110的侧壁。有底凹部110成为在开口方向上扩展的形状。有底凹部110将底面110a的至少一部分由第一电极10B的第一内引线部12及第二电极20B的第二内引线部22构成。
凸缘部32俯视看从壁部31向外侧方突出。凸缘部32从封装100B的第一外侧面101突出。如上所述地,凸缘部32俯视看在第一外引线部11的两旁以与第一外引线部11相同的厚度T设置。该凸缘部32不设置在第一外引线部11的第二凹部50。
在本实施方式中,其他的凸缘部32从封装100B的第三外侧面103突出,俯视看在第二外引线部21的两旁以与第二外引线部21相同的厚度设置。该凸缘部32不设置在第二外引线部21的第二凹部50。另外,也可以仅在任一方的外引线部的两旁设有凸缘部。
在封装100B中,在第一外侧面101使第一电极10B突出,在第三外侧面103使第二电极20B突出,但在第二外侧面102及第四外侧面104不使第一电极10B及第二电极20B露出。即,第二外侧面102的全部及第四外侧面104的全部以与壁部31相同的材料形成。因此,在将封装100B例如焊接在外部的安装基板上时,能够降低焊料向第二外侧面102及第四外侧面104的泄漏。
在封装100B中,第二外侧面102及第四外侧面104的一部分凹陷。第一凹部33形成在第二外侧面102的下端部,与底面105连通。另外,另一个第一凹部33形成在第四外侧面104的下端部,与底面105连通。这些第一凹部33为在用于制造封装100B的引线框架上预先形成的两个悬吊引线的痕迹。在封装100B的制造使用了例如图16所示的引线框架705的情况下,第一凹部33的俯视形状与图16所示的悬吊引线711、712的形状同样地为梯形。该梯形的高度和第一凹部33的进深方向的长度相等。
另外,第一凹部33的厚度与第一及第二外引线部11、21相同。即,封装100B的上下方向上的第一凹部33的长度(高度H)与第一及第二外引线部11、21的厚度T相同。
<封装100B的制造方法>
以下,参照图16~图19对封装100B的制造方法进行说明。图16是表示其他实施方式的封装的制造工序的概略的图,是引线框架的平面图。图17是表示其他实施方式的封装的制造工序的概略的图,是被上模和下模夹持的引线框架的俯视图。图18是表示其他实施方式的封装的制造工序的概略的图,是第一树脂注入后的图17的XVIII-XVIII剖面向视图。图19是表示其他实施方式的封装的制造工序的概略的图,是第一树脂注入后的图17的XIX-XIX剖面向视图。
在封装100B的制造方法中,与将准备的引线框架、上模用于制造封装100的情况不同。本实施方式的封装的制造方法具有下述(1B)~(5B)的工序。
(1B)准备引线框架。
在该(1B)的工序中,准备将一部分切口的平板状的引线框架705。
准备引线框架705的工序优选的是具有:相对于板状部件形成在成为第一电极10B及第二电极20B的区域的周围具有贯通孔713、714的多个间隙部的工序;将形成有多个间隙部的板状部件镀敷的工序。
在此,在形成间隙部的工序中,能够在板状部件通过冲裁、蚀刻等而形成间隙部。
在镀敷的工序中,在设有贯通孔等间隙部的引线框架实施镀敷。具体地,通过电解镀敷例如使Ag附着在引线框架上。
上述被实施了镀敷的引线框架705在封装的预定形成区域600B具有第一电极10B和第二电极20B,在第一电极10B与第二电极20B之间设有间隙。在此,封装的预定形成区域600B是指从引线框架705分开的、成为成型后的封装100B的底面105的外周的区域。另外,引线框架705中的第一电极10B是指与成型后的第一电极10B相当的部分,为单片化之前的状态。同样地,引线框架705中的第二电极20B是指与成型后的第二电极20B相当的部分,为单片化之前的状态。另外,为了简便,引线框架705具有一个封装的预定形成区域600B而进行说明,但其个数可以为多个。
在引线框架705中,封装的预定形成区域600B俯视看为矩形,具有相对配置的第一电极10B及第二电极20B中,第一电极10B侧的外缘即第一缘部601、与第一缘部601邻接的第二缘部602、与第二缘部602邻接且与第一缘部601相对的第三缘部603以及与第一缘部601和第三缘部603邻接的第四缘部604。
引线框架705为板状的部件,在第一电极10B及第二电极20B的周围具有规定形状的间隙部,第一电极10B和第二电极20B面对的部分分开。引线框架705具有将第一电极10B及第二电极20B的周围包围的框状的引线支承部707、吊挂引线708、709及悬吊引线711、712。
引线支承部707为用于支承吊挂引线708、709和悬吊引线711、712的部位。
吊挂引线708、709为以从一方向(在图16中为水平方向)的两侧连接的状态支承成型后的封装100B用的部位,在进行单片化时,从第一电极10B及第二电极20B切离。
悬吊引线711、712为从与所述一方向正交的方向(图16中为垂直方向)的两侧夹持成型后的封装100B并进行支承的部位,并非被切断的部位。即,悬吊引线711、712并非从引线框架705分开的封装100B的构成元件。
具体地,第一电极10B通过吊挂引线708将与成型后的第一外引线部11相当的部分与引线支承部707连接。在引线框架705上,作为间隙部,在吊挂引线708的两旁形成有第一空间706a和第二空间706b。第一空间706a和第二空间706b形成在第一电极10B的两旁。另外,在本实施方式中,从第一空间706a注入第一树脂。
第二电极20B通过吊挂引线709将与成型后的第二外引线部21相当的部分与引线支承部707连接。在引线框架705上,作为间隙部,在吊挂引线709的两旁形成有第三空间706c和第四空间706d。第三空间706c和第四空间706d形成在第二电极20B的两旁。
在引线框架705,第一空间706a、第二空间706b、第三空间706c及第四空间706d与第一电极10B及第二电极20B周围的间隙部连通。
引线框架705俯视看具有从第二缘部602突出到封装的预定形成区域600B内的悬吊引线712、从第四缘部604突出到封装的预定形成区域600B内的悬吊引线711。
悬吊引线711、712的厚度与引线框架705的厚度相同。即,悬吊引线711、712的厚度与第一及第二外引线部11、21的厚度T相同。因此,封装100B的第一凹部33的高档H与第一及第二外引线部11、21的厚度T相同。
如上述(5)的工序(将注入痕切除的工序)说明地,能够在引线框架的被切断的位置设置圆形、椭圆形状、多边形、大致多边形等的贯通孔。因此,在本实施方式中,引线框架705在第一电极10B及第二电极20B的至少一方,在跨过封装的预定形成区域600B的外缘的位置具有贯通孔713、714。
具体地,在本实施方式中,引线框架705在封装的预定形成区域600B的第一缘部601具有在沿着第一缘部601的方向上伸长的长圆形的贯通孔713。另外,引线框架705在封装的预定形成区域600B的第三缘部603具有在沿着第三缘部603的方向上伸长的长圆形的贯通孔714。在该贯通孔713、714的内周面也实施镀敷。另外,贯通孔713、714独立,并非与第一空间706a等连通。
(2B)由上模和下模将引线框架夹入。
在该工序中,利用被上下分割的模制模型的上模550B和下模560将引线框架705的第一电极10B和第二电极20B夹入。上模550B具有与树脂成形体30B的壁部31相当的凹部501B和与该凹部501B邻接的平坦部。凹部501B环状地连接。引线框架705使封装的预定形成区域600B位于上模550B的凹部501B之下,并且使贯通孔713、714位于凹部501B的外侧而进行配置。
另外,在上模550B,在与引线框架705位置对齐时,在封装的预定形成区域600B的外侧设有第一空间706a的位置形成有成为浇口555B的贯通孔。
而且,如上所述地位置对齐,使与上模550B的凹部501B邻接的平坦部与引线支承部707的至少一部分、吊挂引线708、709及相当于成型后的第一及第二外引线部11、21的部分抵接。此时,以第一树脂不进入引线框架705与上模550B、下模560的间隙的程度牢固地夹入。
(3B)将第一树脂注入模型。
在该工序中,利用上模550B和下模560将引线框架705夹入的模制模型500内,在俯视下,从第一电极10B(第一外引线部11)旁的浇口555B注入第一树脂。从浇口555B注入的第一树脂通过引线框架5的第一空间706a而被注入上模550B的凹部501B。另外,第一树脂被注入到与引线框架705的第一空间706a连通的第二空间706b、第三空间706c及第四空间706d。
此时,如上述地,引线框架705以其贯通孔713、714位于上模550B的凹部501B的外侧的方式进行配置。另外,以使与上模550B的凹部501B邻接的平坦部与相当于成型后的第一及第二外引线部11、21的部分抵接的方式由上模550B和下模560将引线框架705夹入。另外,贯通孔713、714不与第一空间706a等连通。因此,第一树脂不进入引线框架705的贯通孔713、714。
(4B)将被注入的第一树脂硬化或固化。
通过引线框架705的贯通孔713、714以外的间隙部和上模550B具有的凹部501B形成树脂成形体30B的壁部31及凸缘部32。此时,在相当于成型后的第一及第二外引线部11、21的部分的两侧邻接并以与第一及第二外引线部11、21相同的厚度形成与成型后的凸缘部32相当的部分。另外,在该时刻,凸缘部32连续到浇口555B,但在将封装100B单片化时,从浇口555B将凸缘部32切离。
(5B)将第一树脂的注入口的注入痕切除。
在此,在将第一树脂硬化或固化之后,将第一树脂的注入口的注入痕切除。另外,将第一树脂和引线框架705切断,将封装100B单片化。此时,在引线框架705的封装的预定形成区域600B的外缘(第一缘部601及第三缘部603)将吊挂引线708、709切断。由此,将引线框架705的贯通孔713、714切断并在第一及第二外引线部11、21形成第二凹部50。另外,在单片化时,即使从引线框架705将第一电极10B及第二电极20B切离,由于由悬吊引线711、712将封装100B夹入,故而封装100B不脱离。
通过上述(1B)~(5B)的工序,能够制造封装100B。
在上述构成的封装100B中,凸缘部32俯视下在第一及第二外引线部11、21的两旁以与第一及第二外引线部11、21相同的厚度T设置。另外,在第一外引线部11及第二外引线部21具有第二凹部50。
该第二凹部50将准备的引线框架705在通过贯通孔713、714的位置切断而形成。通过引线框架705的切断表现出的端面未被镀敷,故而不附着焊料等导电性部件,无助于接合。
另一方面,在制造时,在将第一树脂注入的工序中,第一树脂并非进入引线框架705的贯通孔713、714,而是将贯通孔713、714的内周面的镀敷保持原样地残留。因此,在封装100B的第二凹部50不设置凸缘部32。而且,在第二凹部50的侧面51实施镀敷,故而附着焊料等导电性部件,有助于接合。因此,封装100B与没有第二凹部50的情况相比,能够提高焊料等导电性部件的接合强度。
另外,封装100B将第二凹部50的侧面51镀敷,故而如上述地,在外部的安装基板将封装100B的第二凹部50例如焊接时,能够观察焊脚。
另外,在封装100B,第一外引线部11及第二外引线部21将上面41及下面42镀敷,故而焊料等导电性部件从第二凹部50的侧面51到上面41及下面42接合,能够形成齿形(キャスタレーション)电极。
<发光装置1C的构成>
接着,参照图20对发光装置1C的构成进行说明。图20是表示其他实施方式的发光装置的概略的图,是表示发光装置的整体的立体图。
发光装置1C在使用了封装100C方面与图14的发光装置1不同。对与图14的发光装置1相同的构成标注相同的标记并省略说明。
封装100C在树脂成形体30C的形状上与封装100B不同。
树脂成形体30C具有壁部31和凸缘部32,在壁部31的一个顶点具有切口部120。该切口部120表现第一电极10B的极性,作为阴极标记或阳极标记而利用。切口部120的形状及大小是任意的。在此,切口部120例如为倒三角形的形状,跨越第一外侧面101和第二外侧面102而形成。
封装100C的制造方法与封装100B的制造方法相同,省略说明。关于切口部120,在用于制造封装100B的模制模型500中,例如将图17的上模550B的凹部501B的形状与树脂成形体30C的壁部31配合而变形的话,则能够制造。
发光装置1C的制造方法与发光装置1的制造方法相同,故而省略说明。
在图20的封装100C中,可以例如将切口部120的端点121延长到壁部31和凸缘部32的交点122而将切口部120增大而变得醒目。
另外,在发光装置1C,也可以代替封装100C而使用封装100B。
【产业上的可利用性】
本发明的实施方式的发光装置能够用于照明用装置、车载用发光装置等。
Claims (24)
1.一种封装的制造方法,其具有如下的工序:
在封装的预定形成区域俯视下沿上下方向准备两组引线框架,该引线框架是以第一电极、与所述第一电极不同的第二电极、与所述第一电极连接的第一吊挂引线、与所述第二电极连接的第二吊挂引线为一组;
利用被上下分割的模制模型的上模和下模将两组所述引线框架夹入;
在夹入有两组所述引线框架的所述模制模型内,从在该模制模型的封装的预定形成区域的外侧且俯视下沿上下方向排列的两组所述第一吊挂引线之间或两组所述第二吊挂引线之间形成的注入口注入第一树脂,形成一个封装;
将注入的所述第一树脂硬化或固化;
在将所述第一树脂硬化或固化之后,从两组所述第一吊挂引线之间或两组所述第二吊挂引线之间将所述第一树脂的注入口的注入痕切除。
2.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
在准备的两组所述引线框架上,在两组所述第一吊挂引线之间或两组所述第二吊挂引线之间形成有第一空间,从所述第一空间注入所述第一树脂。
3.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
准备的两组所述引线框架使两组所述第一电极和两组所述第二电极分开。
4.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
将所述注入痕切除的工序将两组所述引线框架和所述第一树脂同时切断。
5.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
所述模制模型具有与在两组所述第一电极及两组所述第二电极之上形成的壁部相当的凹部,将所述第一树脂向所述凹部注入。
6.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
所述模制模型还具有与在两组所述第一电极之间及两组所述第二电极之间形成的壁部相当的凹部,将所述第一树脂向所述凹部注入,形成具有两个凹部的封装。
7.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
使用所述模制模型成型的第一树脂具有:
壁部,其将两组所述第一电极及两组所述第二电极固定,并且构成底面的至少一部分由两组所述第一电极及两组所述第二电极构成的有底凹部的侧壁;
凸缘部,其从所述壁部向外侧方突出,
两组所述第一电极中的任一个及两组所述第二电极中的任一个的至少一方具有从所述壁部向外侧方突出的外引线部,
所述凸缘部在俯视下,在所述外引线部的两旁以与所述外引线部相同的厚度形成。
8.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
形成封装的工序为传递模制。
9.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
在所述第一树脂中混合有反光部件。
10.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
准备的所述引线框架在两组所述第一电极中的任一个及两组所述第二电极中的任一个的至少一方,在跨越所述封装的预定形成区域的外缘的位置具有贯通孔,
在将所述注入痕切除的工序中,在所述封装的预定形成区域的外缘将两组所述引线框架切断。
11.如权利要求10所述的封装的制造方法,其中,
准备两组所述引线框架的工序具有:
相对于板状部件,在成为两组所述第一电极及两组所述第二电极的区域的周围形成包含所述贯通孔的多个间隙部的工序;
将形成有所述多个间隙部的板状部件镀敷的工序。
12.如权利要求1所述的封装的制造方法,其中,
所述封装的预定形成区域俯视下为矩形,具有相对配置的两组所述第一电极及两组所述第二电极中位于两组所述第一电极侧的外缘即第一缘部、与所述第一缘部邻接的第二缘部、与所述第二缘部邻接且与所述第一缘部相对的第三缘部以及与所述第一缘部和所述第三缘部邻接的第四缘部,
准备的两组所述引线框架在俯视下,具有从所述第二缘部及所述第四缘部突出到所述封装的预定形成区域内的悬吊引线。
13.一种发光装置的制造方法,其具有:
权利要求1~12中任一项所述的封装的制造方法中的全部工序;
在将所述第一树脂硬化或固化之后将所述注入痕切除的工序之前或之后的任一时刻,将发光元件安装在两组所述第一电极中的任一个或两组所述第二电极中的任一个上的工序。
14.如权利要求13所述的发光装置的制造方法,其中,
在安装所述发光元件的工序之后,还具有涂敷第二树脂且将所述发光元件密封的工序。
15.一种封装,其具有:
两组第一电极;
极性与两组所述第一电极不同的两组第二电极;
将两组所述第一电极及两组所述第二电极固定且构成底面的至少一部分由两组所述第一电极及两组所述第二电极构成的有底凹部的侧壁的壁部;
俯视下,从所述壁部向外侧方突出的凸缘部,
两组所述第一电极中的任一个及两组所述第二电极中的任一个的至少一方俯视下具有从所述壁部向外侧方突出的外引线部,
所述外引线部在前端具有第二凹部,
所述凸缘部在俯视下,在所述外引线部的两旁以与所述外引线部相同的厚度设置,
在所述第二凹部不设有所述凸缘部。
16.如权利要求15所述的封装,其中,
在两组所述第一电极之间及两组所述第二电极之间还具有中央壁部,所述有底凹部被所述中央壁部分成两部分。
17.如权利要求15所述的封装,其中,
两组所述第一电极及两组所述第二电极均具有带所述第二凹部的外引线部,
任一外引线部在俯视下在两旁都具有所述凸缘部,
在所述第二凹部不具有所述凸缘部。
18.如权利要求15所述的封装,其中,
所述封装具有第一外侧面、与所述第一外侧面邻接的第二外侧面、与所述第二外侧面邻接且与所述第一外侧面相对的第三外侧面以及与所述第一外侧面和所述第三外侧面邻接的第四外侧面,
两组所述第一电极的外引线部从所述第一外侧面突出,
与两组所述第一电极相对,在所述第三外侧面的一侧具有两组所述第二电极,
所述第二外侧面及所述第四外侧面的一部分凹陷。
19.如权利要求18所述的封装,其中,
所述第二外侧面及所述第四外侧面的一部分的第一凹部的厚度与所述外引线部相同。
20.如权利要求18所述的封装,其中,
在所述第二外侧面及所述第四外侧面,两组所述第一电极及两组所述第二电极不露出。
21.如权利要求15所述的封装,其中,
所述壁部和所述凸缘部由同一材料一体地形成。
22.如权利要求15所述的封装,其中,
所述外引线部将上面和下面及所述第二凹部的侧面镀敷,前端面除了所述第二凹部的侧面之外未被镀敷。
23.一种发光装置,其具有:
权利要求15~22中任一项所述的封装;
载置在所述封装的两组所述第一电极中的任一个及两组所述第二电极中的任一个的至少一方的发光元件。
24.如权利要求23所述的发光装置,其中,
所述发光元件被第二树脂覆盖。
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DE102017123898A1 (de) * | 2017-10-13 | 2019-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
JP7164804B2 (ja) * | 2018-06-25 | 2022-11-02 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置およびそれらの製造方法 |
CN111148338A (zh) * | 2018-11-01 | 2020-05-12 | 邱昱维 | 在布局有电路的陶瓷基板上成形环绕壁的方法及该基板 |
JP7458809B2 (ja) * | 2020-02-08 | 2024-04-01 | 株式会社小糸製作所 | 射出成形品及びその成形方法と成形装置 |
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TWI765569B (zh) * | 2021-02-08 | 2022-05-21 | 健策精密工業股份有限公司 | 導線架結構及其製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5966128A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-14 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
EP0665584A1 (en) * | 1994-01-27 | 1995-08-02 | " 3P" Licensing B.V. | Method for encasing an electronic component with a hardening plastic, electronic components with plastic encasement obtained by this method, and mould for carrying out the method |
CN102612761A (zh) * | 2009-10-15 | 2012-07-25 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
CN203325962U (zh) * | 2011-09-30 | 2013-12-04 | 株式会社钟化 | 表面安装型发光装置用树脂成形体以及表面安装型发光装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5776748A (en) * | 1993-10-04 | 1998-07-07 | President And Fellows Of Harvard College | Method of formation of microstamped patterns on plates for adhesion of cells and other biological materials, devices and uses therefor |
US5784686A (en) | 1996-12-31 | 1998-07-21 | Lucent Technologies Inc. | IQ combiner technology in modulated backscatter system |
JPH10209192A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Apic Yamada Kk | 中空型半導体パッケージ成形方法 |
JP2003158234A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US7960819B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-06-14 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state emitting devices |
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US10431567B2 (en) * | 2010-11-03 | 2019-10-01 | Cree, Inc. | White ceramic LED package |
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KR101957884B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2019-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5966128A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-14 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
EP0665584A1 (en) * | 1994-01-27 | 1995-08-02 | " 3P" Licensing B.V. | Method for encasing an electronic component with a hardening plastic, electronic components with plastic encasement obtained by this method, and mould for carrying out the method |
CN102612761A (zh) * | 2009-10-15 | 2012-07-25 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
CN203325962U (zh) * | 2011-09-30 | 2013-12-04 | 株式会社钟化 | 表面安装型发光装置用树脂成形体以及表面安装型发光装置 |
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