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TWI765569B - 導線架結構及其製造方法 - Google Patents

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TWI765569B TW110104828A TW110104828A TWI765569B TW I765569 B TWI765569 B TW I765569B TW 110104828 A TW110104828 A TW 110104828A TW 110104828 A TW110104828 A TW 110104828A TW I765569 B TWI765569 B TW I765569B
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虞晉瑞
王俊雄
林煒棋
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健策精密工業股份有限公司
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Abstract

本揭露係關於一種導線架結構。導線架結構包括底板以及擋牆。底板具有第一導電部與第二導電部。第一導電部與第二導電部分開。第一導電部與第二導電部配置以電性連接光源。擋牆位於底板上，且擋牆圍繞出一開口。第一導電部與第二導電部從開口裸露。第一導電部與第二導電部各具有延伸部。延伸部沿水平方向延伸而超出擋牆的外表面。

Description

導線架結構及其製造方法
本揭露係關於一種導線架結構及一種導線架結構的製造方法。
一般而言，用於發光二極體(LED)的導線架結構可包括電極及電極上的擋牆。當LED設置於電極上時，擋牆可圍繞LED。擋牆可用環氧樹脂形成。在製作前述的導線架結構時，由於水平切割與垂直切割的原因，導線架結構的電極的側面通常齊平於其上方的環氧樹脂的側面，使導線架結構的外側面為平面。此外，在組裝導線架結構與電路板時，導線架結構下方會塗佈接合層。接合層位於導線架結構與電路板之間，以穩固導線架結構於電路板上。然而，當接合層夾於導線架結構與電路板之間時，檢測人員無法目測觀察導線架結構下方的接合層，因此檢測人員無法得知接合層是否均勻塗佈於導線架結構與電路板之間，造成導線架結構在封裝應用時產生缺陷，降低了導線架結構之產品的良率。
本揭露之一技術態樣為一種導線架結構。
根據本揭露一實施方式，一種導線架結構包括底板以及擋牆。底板具有第一導電部與第二導電部。第一導電部與第二導電部分開。第一導電部與第二導電部配置以電性連接光源。擋牆位於底板上，且擋牆圍繞出一開口。第一導電部與第二導電部從開口裸露。第一導電部與第二導電部各具有延伸部。延伸部沿水平方向延伸而超出擋牆的外表面。
在本揭露一實施方式中，上述底板具有絕緣部。絕緣部位於第一導電部與第二導電部之間。
在本揭露一實施方式中，上述第一導電部與第二導電部之兩延伸部各具有遠離擋牆的外側面，且兩延伸部的兩外側面各具有凹部。
在本揭露一實施方式中，上述第一導電部與第二導電部之兩延伸部各具有遠離擋牆的外側面，且兩延伸部的兩外側面各具有凸部。
在本揭露一實施方式中，上述第一導電部與第二導電部之兩延伸部各具有遠離擋牆的外側面，且兩延伸部的兩外側面皆整個為平面。
在本揭露一實施方式中，上述第一導電部之延伸部的底面以及第二導電部之延伸部的底面配置以塗佈接合層。
在本揭露一實施方式中，上述第一導電部之延伸部的底面與第二導電部之延伸部的底面各具有凹部。
在本揭露一實施方式中，上述第一導電部之延伸部的底面的凹部及第二導電部之延伸部的底面的凹部配置以塗佈接合層。
在本揭露一實施方式中，上述底板還具有第三導電部。絕緣部延伸至第二導電部與第三導電部之間。第三導電部具有延伸部。第三導電部的延伸部沿水平方向延伸而超出擋牆的外表面。
在本揭露一實施方式中，上述底板還具有第四導電部。絕緣部延伸至第一導電部與第四導電部之間。第四導電部具有延伸部。第四導電部的延伸部沿水平方向延伸而超出擋牆的外表面。
本揭露之一技術態樣為一種導線架結構的製造方法。
根據本揭露一實施方式，一種導線架結構的製造方法包括：形成具有第一導電部與第二導電部的底板，其中第一導電部與第二導電部分開，第一導電部與第二導電部各具有延伸部；以及使用遮蔽兩延伸部的模具在底板上形成擋牆，使延伸部沿水平方向延伸而超出擋牆的外表面，其中擋牆圍繞出一開口，且第一導電部與第二導電部從開口裸露。
在本揭露一實施方式中，上述方法更包括：蝕刻第一導電部之延伸部的底面與第二導電部之延伸部的底面，使第一導電部之延伸部的底面與第二導電部之延伸部的底面各具有凹部。
在本揭露上述實施方式中，由於導線架結構的第一導電部與第二導電部具有延伸部，且第一導電部與第二導電部的延伸部沿水平方向延伸而超出其上方之擋牆的外表面，因此當接合層塗佈於導線架結構下方而與電路板接合後，受擠壓的接合層可從延伸部溢出，使接合層易於觀察。如此一來，檢測人員便可藉由觀察位於延伸部的接合層來確保接合層已均勻填滿導線架結構下方，以降低導線架結構的缺陷並提高導線架結構之產品的良率，使導線架結構可應用於後續封裝製程中。
以下揭示之實施方式內容提供了用於實施所提供的標的之不同特徵的許多不同實施方式，或實例。下文描述了元件和佈置之特定實例以簡化本案。當然，該等實例僅為實例且並不意欲作為限制。此外，本案可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複係用於簡便和清晰的目的，且其本身不指定所論述的各個實施方式及/或配置之間的關係。
諸如「在……下方」、「在……之下」、「下部」、「在……之上」、「上部」等等空間相對術語可在本文中為了便於描述之目的而使用，以描述如附圖中所示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。空間相對術語意欲涵蓋除了附圖中所示的定向之外的在使用或操作中的裝置的不同定向。裝置可經其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)並且本文所使用的空間相對描述詞可同樣相應地解釋。
第1圖繪示根據本揭露一實施方式之導線架結構100的立體圖。請參照第1圖，導線架結構100包括底板110以及擋牆120。導線架結構100的底板110具有第一導電部112與第二導電部114。底板110的第一導電部112與第二導電部114分開。底板110的第一導電部112與第二導電部114配置以電性連接光源130。舉例來說，光源130可為發光二極體，其底面(例如正極)電性連接第一導電部112，其頂面(例如負極)利用導線電性連接第二導電部114。導線架結構100的擋牆120位於底板110上，且擋牆120圍繞出一開口122。擋牆120的開口122圍繞光源130，可用於遮光或反射用途。底板110的第一導電部112與第二導電部114從擋牆120的開口122中裸露。底板110的第一導電部112與第二導電部114皆具有延伸部118。第一導電部112與第二導電部114的延伸部118沿水平方向D1延伸而超出擋牆120的外表面124。在一些實施方式中，導線架結構100之擋牆120的材質可包括環氧樹脂，可利用模製方式形成。
在一些實施方式中，第一導電部112與第二導電部114的延伸部118具有遠離擋牆120的外側面119。並且，第一導電部112與第二導電部114的延伸部118的外側面119具有凹部119a。舉例來說，延伸部118的凹部119a可位於延伸部118的外側面119的中間處。此外，導線架結構100的底板110具有絕緣部116。底板110的絕緣部116位於底板110的第一導電部112與第二導電部114之間，以間隔第一導電部112與第二導電部114，避免短路。並且，底板110的絕緣部116從擋牆120圍繞出的開口122中裸露。
第2圖繪示第1圖中導線架結構100的下視圖。第3圖繪示第1圖的導線架結構100塗佈接合層140且與電路板200接合後的上視圖。同時參照第2圖與第3圖，在一些實施方式中，第一導電部112與第二導電部114的延伸部118的底面117可塗佈接合層140。舉例來說，接合層140可為錫膏，但並不以此為限。當導線架結構100塗佈接合層140與電路板200接合後，接合層140可讓導線架結構100穩固於電路板200上，還可讓導線架結構100的第一導電部112與第二導電部114電性連接電路板200。
具體而言，由於導線架結構100的第一導電部112與第二導電部114具有延伸部118，且第一導電部112與第二導電部114的延伸部118沿水平方向D1延伸而超出其上方之擋牆120的外表面124，因此當接合層140塗佈於導線架結構100下方而與電路板200接合後，受擠壓的接合層140可從延伸部118的凹部119a溢出，使接合層140易於觀察。如此一來，檢測人員便可藉由觀察位於延伸部118的接合層140來確保接合層140已均勻填滿導線架結構100下方，以降低導線架結構100的缺陷並提高導線架結構100之產品的良率，使導線架結構100可應用於後續封裝製程中。
應理解到，已敘述的元件連接關係與功效將不重覆贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明其他形式的延伸部。
第4圖繪示根據本揭露另一實施方式之導線架結構100a的下視圖。導線架結構100a包括底板110以及擋牆120。導線架結構100a的底板110具有第一導電部112與第二導電部114。與第2圖之實施方式不同地方在於，除了延伸部118的外側面119具有凹部119a外，第一導電部112與第二導電部114之延伸部118的底面117還具有凹部117a。在一些實施方式中，凹部117a在水平方向D1的深度較凹部119a深。也就是說，凹部117a較凹部119a靠近絕緣部116。位於延伸部118的底面117的凹部117a可藉由蝕刻製程所形成。舉例來說，可在延伸部118的底面117蝕刻延伸部118的一半厚度以形成凹部117a。延伸部118的凹部117a具有較大的容納空間，使第3圖中的接合層140(見第3圖)可位於其中，以提高穩固效果。當接合層140塗佈於導線架結構100a下方時，延伸部118的凹部117a可容納較多的接合層140。因此，延伸部118的凹部117a可加強穩固導線架結構100a與電路板200(見第3圖)之間的位置關係。
第5圖繪示根據本揭露再一實施方式之導線架結構100b的上視圖。導線架結構100b包括底板110以及擋牆120。導線架結構100b的底板110具有第一導電部112與第二導電部114。第一導電部112與第二導電部114的延伸部118具有遠離擋牆120的外側面119。與第3圖之實施方式不同地方在於，延伸部118的外側面119具有凸部119b。由於延伸部118的外側面119具有凸部119b，且凸部119b沿水平方向D1延伸而超出其上方之擋牆120的外表面124，因此當接合層140塗佈於導線架結構100b下方而導線架結構100b與電路板200接合後，受擠壓的接合層140可從延伸部118的外側面119及凸部119b溢出，使接合層140易於觀察。如此一來，檢測人員便可藉由觀察位於延伸部118的接合層140來確保接合層140已均勻填滿導線架結構100b下方，以降低導線架結構100b的缺陷，使導線架結構100b可應用於後續封裝製程中。
第6圖繪示根據本揭露又一實施方式之導線架結構100c的上視圖。導線架結構100c包括底板110以及擋牆120。導線架結構100c的底板110具有第一導電部112與第二導電部114。第一導電部112與第二導電部114之延伸部118具有遠離擋牆120的外側面119。與第3圖之實施方式不同地方在於，延伸部118的外側面119整個為平面。由於第一導電部112與第二導電部114的延伸部118的外側面119整個為平面，因此當接合層 140塗佈於導線架結構100c下方而與電路板200接合後，受擠壓的接合層140可從延伸部118的外側面119溢出，使接合層140易於觀察。如此一來，檢測人員便可藉由觀察位於延伸部118之外側面119的接合層140來確保接合層140已均勻填滿導線架結構100c下方，以降低導線架結構100c的缺陷並提高導線架結構100c之產品的良率。
第7圖繪示根據本揭露又一實施方式之導線架結構100d的上視圖。導線架結構100d包括底板110以及擋牆120。導線架結構100d的底板110具有第一導電部112與第二導電部114。與第3圖之實施方式不同地方在於，導線架結構100d的底板110還具有第三導電部113，且導線架結構100d的絕緣部116延伸至第二導電部114與第三導電部113之間。底板110的第三導電部113具有延伸部118。第三導電部113的延伸部118沿水平方向D1延伸而超出擋牆120的外表面124。並且，導線架結構100d的絕緣部116延伸至第二導電部114的延伸部118與第三導電部113的延伸部118之間，以提供絕緣效果。第一導電部112、第二導電部114以及第三導電部113的延伸部118皆具有遠離擋牆120的外側面119，且延伸部118的外側面119具有凹部119a。
第8圖繪示根據本揭露又一實施方式之導線架結構100e的上視圖。導線架結構100e包括底板110以及擋牆120。導線架結構100e的底板110具有第一導電部112、第二導電部114以及第三導電部113。與第7圖之實施方式不同地方在於，導線架結構100e的底板110還具有第四導電部115，且導線架結構100e的絕緣部116延伸至第一導電部112與第四導電部115之間。底板110的第四導電部115具有延伸部118。第四導電部115的延伸部118沿水平方向D1延伸而超出擋牆120的外表面124。並且，導線架結構100e的絕緣部116延伸至第一導電部112的延伸部118與第四導電部115的延伸部118之間，以提供絕緣效果。第一導電部112、第二導電部114、第三導電部113以及第四導電部115的延伸部118皆具有遠離擋牆120的外側面119，且延伸部118的外側面119具有凹部119a。
在以下敘述中，將說明導線架結構的製造方法。
第9圖繪示根據本揭露一實施方式之導線架結構的製造方法的流程圖。導線架結構的製造方法包括下列步驟。首先在步驟S1中，形成具有第一導電部與第二導電部的底板，其中第一導電部與第二導電部分開，第一導電部與第二導電部各具有延伸部。接著在步驟S2中，使用遮蔽兩延伸部的模具在底板上形成擋牆，使延伸部沿水平方向延伸而超出擋牆的外表面，其中擋牆圍繞出一開口，且第一導電部與第二導電部從開口裸露。
在步驟S1中，可在第一導電部與第二導電部之間設置絕緣部，以分開第一導電部與第二導電部。
在步驟S2後，可將光源設置於第一導電部上，且光源可為發光二極體，便可得到第1圖的結構。
在一些實施方式中，導線架結構的製造方法更包括蝕刻第一導電部之延伸部的底面與第二導電部之延伸部的底面，使第一導電部之延伸部的底面與第二導電部之延伸部的底面各具有凹部，如第4圖所示。詳細來說，可在延伸部的底面蝕刻延伸部的一半厚度以形成凹部。位於延伸部之底面的凹部可塗佈接合層。接合層可接合導線架結構與電路板，使導線架結構穩固於電路板上。
前述概述了幾個實施方式的特徵，使得本領域技術人員可以更好地理解本揭露的態樣。本領域技術人員應當理解，他們可以容易地將本揭露用作設計或修改其他過程和結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式相同的目的和/或實現相同的優點。本領域技術人員還應該認識到，這樣的等效構造不脫離本揭露的精神和範圍，並且在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下，它們可以在這裡進行各種改變，替換和變更。
100,100a,100b,100c,100d,100e:導線架結構 110:底板 112:第一導電部 113:第三導電部 114:第二導電部 115:第四導電部 116:絕緣部 117:底面 117a:凹部 118:延伸部 119:外側面 119a:凹部 119b:凸部 120:擋牆 122:開口 124:外表面 130:光源 140:接合層 200:電路板 D1:水平方向
當結合隨附諸圖閱讀時，得自以下詳細描述最佳地理解本揭露之一實施方式。應強調，根據工業上之標準實務，各種特徵並未按比例繪製且僅用於說明目的。事實上，為了論述清楚，可任意地增大或減小各種特徵之尺寸。 第1圖繪示根據本揭露一實施方式之導線架結構的立體圖。 第2圖繪示第1圖中導線架結構的下視圖。 第3圖繪示第1圖的導線架結構塗佈接合層且與電路板接合後的上視圖。 第4圖繪示根據本揭露另一實施方式之導線架結構的下視圖。 第5圖繪示根據本揭露再一實施方式之導線架結構的上視圖。 第6圖繪示根據本揭露又一實施方式之導線架結構的上視圖。 第7圖繪示根據本揭露又一實施方式之導線架結構的上視圖。 第8圖繪示根據本揭露又一實施方式之導線架結構的上視圖。 第9圖繪示根據本揭露一實施方式之導線架結構的製造方法的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:導線架結構
110:底板
112:第一導電部
114:第二導電部
116:絕緣部
118:延伸部
119:外側面
119a:凹部
120:擋牆
122:開口
124:外表面
130:光源
D1:水平方向

Claims (11)

  1. 一種導線架結構，包含：一底板，具有一第一導電部與一第二導電部，且該第一導電部與該第二導電部分開，該第一導電部與該第二導電部配置以電性連接一光源；以及一擋牆，位於該底板上，且該擋牆圍繞出一開口，該第一導電部與該第二導電部從該開口裸露，其中該第一導電部與該第二導電部各具有一延伸部，且該延伸部沿一水平方向延伸而超出該擋牆的外表面，其中該第一導電部之該延伸部的一底面以及該第二導電部之該延伸部的一底面配置以塗佈接合層。
  2. 如請求項1所述之導線架結構，其中該底板具有一絕緣部，且該絕緣部位於該第一導電部與該第二導電部之間。
  3. 如請求項1所述之導線架結構，其中該第一導電部與該第二導電部之該兩延伸部各具有遠離該擋牆的一外側面，且該兩延伸部的該兩外側面各具有凹部。
  4. 如請求項1所述之導線架結構，其中該第一導電部與該第二導電部之該兩延伸部各具有遠離該擋牆的一外側面，且該兩延伸部的該兩外側面各具有凸部。
  5. 如請求項1所述之導線架結構，其中該第一導電部與該第二導電部之該兩延伸部各具有遠離該擋牆的一外側面，且該兩延伸部的該兩外側面皆整個為平面。
  6. 如請求項1所述之導線架結構，其中該第一導電部之該延伸部的該底面與該第二導電部之該延伸部的該底面各具有一凹部。
  7. 如請求項6所述之導線架結構，其中該第一導電部之該延伸部的該底面的該凹部及該第二導電部之該延伸部的該底面的該凹部配置以塗佈接合層。
  8. 如請求項2所述之導線架結構，其中該底板還具有一第三導電部，且該絕緣部延伸至該第二導電部與該第三導電部之間，且該第三導電部具有一延伸部，該第三導電部的該延伸部沿該水平方向延伸而超出該擋牆的該外表面。
  9. 如請求項8所述之導線架結構，其中該底板還具有一第四導電部，且該絕緣部延伸至該第一導電部與該第四導電部之間，且該第四導電部具有一延伸部，該第四導電部的該延伸部沿該水平方向延伸而超出該擋牆的該外表面。
  10. 一種導線架結構的製造方法，包含：形成具有一第一導電部與一第二導電部的一底板，其中該第一導電部與該第二導電部分開，該第一導電部與該第二導電部各具有一延伸部；以及使用遮蔽該兩延伸部的一模具在該底板上形成一擋牆，使該延伸部沿水平方向延伸而超出該擋牆的外表面，其中該擋牆圍繞出一開口，且該第一導電部與該第二導電部從該開口裸露。
  11. 如請求項10所述之方法，更包含：蝕刻該第一導電部之該延伸部的一底面與該第二導電部之該延伸部的一底面，使該第一導電部之該延伸部的該底面與該第二導電部之該延伸部的該底面各具有凹部。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200705716A (en) * 2005-04-19 2007-02-01 Koninkl Philips Electronics Nv Illumination system comprising a red-emitting ceramic luminescence converter
CN203026354U (zh) * 2013-01-17 2013-06-26 威力磁电子股份有限公司 变压器导线架结构
US20130187260A1 (en) * 2012-01-20 2013-07-25 Intersil Americas LLC Packaged semiconductor devices, and related methods and systems
TW201616697A (zh) * 2014-10-29 2016-05-01 一詮精密工業股份有限公司 發光二極體的導線架結構
US20180212118A1 (en) * 2017-01-26 2018-07-26 Maven Optronics Co., Ltd. Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4572312B2 (ja) * 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
KR100780236B1 (ko) 2006-04-27 2007-11-27 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
CN101507004B (zh) * 2006-12-28 2011-04-20 日亚化学工业株式会社 发光装置、封装体、发光装置的制造方法、封装体的制造方法以及封装体制造用模具
KR101488448B1 (ko) 2007-12-06 2015-02-02 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
DE102008019667A1 (de) * 2008-04-18 2009-10-22 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung
JP5217800B2 (ja) * 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2012028699A (ja) 2010-07-27 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法
JP5834467B2 (ja) * 2011-04-27 2015-12-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
JP6484396B2 (ja) * 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6262578B2 (ja) 2014-03-18 2018-01-17 スタンレー電気株式会社 発光装置
US9640743B2 (en) * 2014-09-29 2017-05-02 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
JP6260593B2 (ja) * 2015-08-07 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
JP6337873B2 (ja) * 2015-11-30 2018-06-06 日亜化学工業株式会社 パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法
JP6332251B2 (ja) 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
US10366948B2 (en) * 2016-03-17 2019-07-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6394634B2 (ja) 2016-03-31 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200705716A (en) * 2005-04-19 2007-02-01 Koninkl Philips Electronics Nv Illumination system comprising a red-emitting ceramic luminescence converter
US20130187260A1 (en) * 2012-01-20 2013-07-25 Intersil Americas LLC Packaged semiconductor devices, and related methods and systems
CN203026354U (zh) * 2013-01-17 2013-06-26 威力磁电子股份有限公司 变压器导线架结构
TW201616697A (zh) * 2014-10-29 2016-05-01 一詮精密工業股份有限公司 發光二極體的導線架結構
US20180212118A1 (en) * 2017-01-26 2018-07-26 Maven Optronics Co., Ltd. Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same

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