CN103472878B - 一种基准电流源 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及集成电路技术,具体的说是涉及一种基准电流源。本发明所述的一种基准电流源,其特征在于,包括相连接的基准电流产生电路和启动偏置电路,所述基准电流产生电路包括第一至第三PMOS管、第一至第四三极管、第六三极管、第一至第二电阻,所述启动偏置电路包括第五三极管和第三至第四电阻。本发明的有益效果为,具有结构简单、启动电压低以及易于集成的优点,同时还具有较高的精度和较低的启动电压,并降低了生产成本。本发明尤其适用于基准电流源。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术,具体的说是涉及一种基准电流源。
背景技术
在集成电路领域中,电流基准是一类非常重要的电路。随着集成电路规模的不断扩大,对芯片的性能要求也随之提高,这对电流基准源提供的电流精度要求越来越高。传统的电流基准的做法是产生一个精准带隙基准电压源Vref,再用带隙基准电压源Vref除以电阻得到所需要的电流值。带隙基准电压源Vref的产生的原理为:具有负温系数的Vbe和具有正温系数的ΔVbe按照一定的比例消除温度系数的一阶项。然而这种做法需要一个运放保证两节点电压相等,因而增加了电路复杂度,并加大了芯片的面积和增加了成本,同时这种基准源的启动电压高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题,就是针对上述问题,提出一种基准电流源。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种基准电流源,其特征在于,包括相连接的基准电流产生电路和启动偏置电路,所述基准电流产生电路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第六三极管Q6、第一电阻R1、第二电阻R2,所述启动偏置电路包括第五三极管Q5和第三电阻R3、第四电阻R4;
第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的源极、第一三极管Q1和第二三极管Q2的发射极以及第五三极管Q5的发射极均接电源VDD;
第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的栅极互连,其连接点接第一PMOS管M1的漏极和第六三极管Q6的集电极的连接点;
第二PMOS管M2的漏极与第一电阻R1的一端、第六三极管Q6的发射极和第三三极管Q3的发射极连接;
第三PMOS管M3的漏极为基准电流源的输出端Iref;
第一三极管Q1的集电极与第三三极管Q3的集电极和基极、第四三极管Q4的基极连接;
第一三极管Q1的基极与第二三极管Q2的基极、第五三极管Q5的集电极和第三电阻R3的一端连接;
第二三极管Q2的集电极与第六三极管Q6的基极、第四三极管Q4的集电极连接;
第四三极管Q4的发射极与第二电阻R2的一端连接;
第五三极管Q5的基极连接第三电阻R3的另一端和第四电阻R4的一端;
第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的另一端和第四电阻R4的另一端均接地。
具体的,所述第三三极管Q3和第四三极管Q4的发射极面积之比为8:1。
本发明的有益效果为,具有结构简单、启动电压低以及易于集成的优点,同时还具有较高的精度和较低的启动电压,并降低了生产成本。
附图说明
图1是本发明的基准电流源电路结构示意图;
图2是本发明的基准电流源工作原理示意图。
具体实施方式
下面结合附图,详细描述本发明的技术方案:
本发明所述的基准电流源,其特征在于,包括相连接的基准电流产生电路和启动偏置电路,所述基准电流产生电路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第六三极管Q6、第一电阻R1、第二电阻R2,所述启动偏置电路包括第五三极管Q5和第三电阻R3、第四电阻R4;
第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的源极、第一三极管Q1和第二三极管Q2的发射极以及第五三极管Q5的发射极均接电源VDD;
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第三PMOS管M3的漏极为基准电流源的输出端Iref;
第一三极管Q1的集电极与第三三极管Q3的集电极和基极、第四三极管Q4的基极连接;
第一三极管Q1的基极与第二三极管Q2的基极、第五三极管Q5的集电极和第三电阻R3的一端连接;
第二三极管Q2的集电极与第六三极管Q6的基极、第四三极管Q4的集电极连接;
第四三极管Q4的发射极与第二电阻R2的一端连接;
第五三极管Q5的基极连接第三电阻R3的另一端和第四电阻R4的一端;
第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的另一端和第四电阻R4的另一端均接地。
为了方便叙述,第一至第三PMOS管分别依次用M1、M2、M3代替,第一至第六三极管分别依次用Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6代替,第一至第四电阻分别依次用R1、R2、R3、R4代替,如图1所示,
本发明的基准电流源包括启动偏置电路和基准电流产生电路,电源电压VDD、接地端GND、基准电流输出端Iref;其中,
基准电流产生电路:M1、M2、M3的源极与电源电压VDD连接,M1、M2、M3三管的栅极连接在一起并且M1为二极管连接方式,M3的漏极为基准电流的输出Iref,M2的漏极、R1、Q6的发射极、Q3的发射极连接,M1的漏极与Q6的集电极连接,Q1、Q2的发射极与电源电压VDD连接,Q1、Q2的基极连接且与启动偏置电压电路中的Q5的集电极连接,Q1的集电极与二极管连接方式的Q3集电极连接,Q3、Q4的基极连接在一起,Q4的集电极、Q6的基极、Q2的集电极连接,Q4的发射极与电阻R2连接,R1、R2的另外一端与地连接。
启动偏置电路:Q5的发射极与电源电压VDD连接,Q5的集电极、R3、基准电流产生电路中的Q1、Q2的基极连接,Q5的基极与R3、R4连接,R4的另外一端与地连接。
本发明的工作原理为:
如图2所示,当VDD有一个很低的电压时启动偏置电路工作Q5导通,在B点产生一个电压引起Q1、Q2、Q3、Q4导通,从而整个基准电流产生电路正常工作。R3,R4是为了限制电流的作用。当电路正常工作后,Q1、Q2的基极电压相等,故Ic1=Ic2。由电路电气特性可得:Ic2=Ic4+Ib6,Ic1=Ic3+Ib,根据Ic1=Ic2可得Ic4+Ib6=Ic3+Ib,Ib为二倍的基极电流,由于Ic=βIb而β很大,故Ic3≈Ic4,Q6的作用就是减小了Ic3与Ic4的误差。
Q3与Q4的发射极面积之比为8:1关系,则有:
当R1与R2相等且为温度系数为正温系数时:
由于Ic3≈Ic4,故:
假设M3的W/L为M2、M3的W/L的两倍,M2、M3是镜像的M1,则:
并由:
可得:
其中IS为BJT反向饱和电流,则有:
综上所述采用R1、R2具有合适的正温系数工艺,使基准电流源Iref具有很好的精度,是一种结构简单、启动电压低的非常实用的基准电流源电路。
Claims (2)
1.一种基准电流源,其特征在于,包括相连接的基准电流产生电路和启动偏置电路,所述基准电流产生电路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第六三极管Q6、第一电阻R1、第二电阻R2,所述启动偏置电路包括第五三极管Q5和第三电阻R3、第四电阻R4;
第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的源极、第一三极管Q1和第二三极管Q2的发射极以及第五三极管Q5的发射极均接电源VDD;
第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的栅极互连,其连接点接第一PMOS管M1的漏极和第六三极管Q6的集电极的连接点;
第二PMOS管M2的漏极与第一电阻R1的一端、第六三极管Q6的发射极和第三三极管Q3的发射极连接;
第三PMOS管M3的漏极为基准电流源的输出端Iref;
第一三极管Q1的集电极与第三三极管Q3的集电极和基极、第四三极管Q4的基极连接;
第一三极管Q1的基极与第二三极管Q2的基极、第五三极管Q5的集电极和第三电阻R3的一端连接;
第二三极管Q2的集电极与第六三极管Q6的基极、第四三极管Q4的集电极连接;
第四三极管Q4的发射极与第二电阻R2的一端连接;
第五三极管Q5的基极连接第三电阻R3的另一端和第四电阻R4的一端;
第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的另一端和第四电阻R4的另一端均接地。
2.根据权利要求1所述的一种基准电流源,其特征在于,所述第三三极管Q3和第四三极管Q4的发射极面积之比为8:1。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5754577A (en) * | 1996-07-23 | 1998-05-19 | Broadband Communications Products, Inc. | Compensation for variations in temperature and aging of laser diode by use of small signal, square-law portion of transfer function of diode detection circuit |
US6489835B1 (en) * | 2001-08-28 | 2002-12-03 | Lattice Semiconductor Corporation | Low voltage bandgap reference circuit |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5754577A (en) * | 1996-07-23 | 1998-05-19 | Broadband Communications Products, Inc. | Compensation for variations in temperature and aging of laser diode by use of small signal, square-law portion of transfer function of diode detection circuit |
US6489835B1 (en) * | 2001-08-28 | 2002-12-03 | Lattice Semiconductor Corporation | Low voltage bandgap reference circuit |
CN201000586Y (zh) * | 2006-12-28 | 2008-01-02 | 东南大学 | Cmos基准源电路 |
US20100253314A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Bitting Ricky F | External regulator reference voltage generator circuit |
CN101995898A (zh) * | 2009-08-21 | 2011-03-30 | 深圳艾科创新微电子有限公司 | 一种高阶温度补偿电流基准源 |
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