CN103235455A - 一种液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种液晶显示面板及其制造方法，其包括：位于基板上纵横交叉的数据线和扫描线，所述数据线和扫描线交叉限定像素区域内的像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内还包括与所述像素电极一起构成储存电容的透明公共电极；所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，本液晶显示面板还包括与透明公共电极一起形成的半导体层，且所述半导体层与透明公共电极均位于基板上。本发明由于制程中限制不多，可以形成相邻像素之间透明公共电极的直接连接，减小了透明公共电极上的阻抗，公共电极上电压分布更加均匀，且本发明是一种节省mask的制程方式，可以将带有透明存储电容的液晶面板制造方法缩减至5道或4道光罩，可以提高产能，节约成本。

Description

一种液晶显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器之分辨率持续提升，但环保节能的需求亦提升，为了符合前述趋势，需要提升开口率，目前已有利用透明电极作为存储电极的设计。

京东方专利CN200910078374.4中提出了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其是在阵列基板的像素区域中增加一层ITO、以及像素电极ITO形成存储电容，由于ITO是透明薄膜，在形成存储电容的时候不会影响到像素区的透过率，从而提高开口率和显示亮度，从整体上提高了显示质量。这样虽然可以形成较大存储电容，减小回踢电压和漏电。但由于像素区域中ITO层为双层结构，就需要增加一道光罩，光罩数较多（6道），且其ITO形成的公共电极由于像素设计限制，需要用接触孔将各个像素之间公共电极相连，众所周知，接触孔形成的电阻很大，在百欧数量级，对公共电极层上电压的均匀性来说考验较大。

发明内容

本发明揭示一种利用IGZO在形成半导体层的时候同时形成透明公共电极的液晶显示面板及其制造方法，本发明节约光罩mask制程。

本发明提供一种液晶显示面板，其包括：位于基板上纵横交叉的数据线和扫描线，所述数据线和扫描线交叉限定像素区域内的像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内还包括与所述像素电极一起构成储存电容的透明公共电极；所述薄膜晶体管包括与扫描线一起形成的栅极、与数据线电性连接的源极、以及与像素电极电性连接的漏极，本液晶显示面板还包括与透明公共电极一起形成的半导体层，且所述半导体层与透明公共电极均位于基板上。

本发明还提供一种液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：第一步：在基板上溅射形成一层IGZO层，形成半导体层和透明公共电极；第二步：在形成上述第一步图案的基础上形成第一绝缘膜；再在第一绝缘膜上溅射形成第一金属层，即形成扫描线和与扫描线连接的栅极；再通过刻蚀形成第一绝缘层与第一金属层的叠层图案，该叠层的第一绝缘层和栅极在半导体层上位于预定TFT沟道区；第三步：在形成上述第二步图案的基础上用离子注入，使得未被第一绝缘层和栅极遮住的IGZO层成为导体，即：形成具有导体特性的源漏极、以及透明公共电极；第四步：在形成上述第三步图案的基础上先覆盖形成第二绝缘膜，再在第二绝缘膜上溅射形成与扫描线空间垂直的数据线；第五步：在形成上述第四步图案的基础上又先覆盖第三绝缘膜，再在第三绝缘膜相应的位置形成若干接触孔，并定义靠近源极的数据线上的接触孔为第一接触孔、位于源极上的接触孔为第二接触孔、以及位于漏极上的接触孔为第三接触孔；第六步：在形成上述第五步图案的基础上形成ITO层，形成通过第三接触孔连接漏极的像素电极、以及通过第一接触孔和第二接触孔连接源极和数据线的连接部。

本发明还提供一种液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：第一步：在基板上溅射形成一层IGZO层，形成半导体层和透明公共电极；第二步：在形成上述第一步图案的基础上形成第一绝缘膜；再在第一绝缘膜上溅射形成第一金属层，即形成扫描线和与扫描线连接的栅极；再通过刻蚀形成第一绝缘层与第一金属层的叠层图案，该叠层的第一绝缘层和栅极在半导体层上位于预定TFT沟道区；第三步：在形成第二步图案的基础上溅射一层Al膜，再将Al膜在高温氧气的气氛下高温退火1小时左右，使得未被第一绝缘层和栅极遮住的IGZO层成为导体，即：形成具有导体的源漏极、以及透明公共电极具有导电性，并形成一层Al₂O₃保护膜保护IGZO半导体层；第四步：在形成上述第三步图案的基础上先覆盖形成第二绝缘膜，再在第二绝缘膜上溅射形成与扫描线空间垂直的数据线；第五步：在形成上述第四步图案的基础上又先覆盖第三绝缘膜，再在第三绝缘膜相应的位置形成若干接触孔，并定义靠近源极的数据线上的接触孔为第一接触孔、位于源极上的接触孔为第二接触孔、以及位于漏极上的接触孔为第三接触孔；第六步：在形成上述第五步图案的基础上形成ITO层，形成通过第三接触孔连接漏极的像素电极、以及通过第一接触孔和第二接触孔连接源极和数据线的连接部。

本发明还提供一种液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：第一步：在基板上溅射形成一层IGZO层，形成半导体层和透明公共电极；第二步：在形成上述第一步图案的基础上形成第一绝缘膜；再在第一绝缘膜上溅射形成第一金属层，即形成扫描线和与扫描线连接的栅极；再通过刻蚀形成第一绝缘层与第一金属层的叠层图案，该叠层的第一绝缘层和栅极在半导体层上位于预定TFT沟道区；第三步：在形成上述第二步图案的基础上用离子注入，使得未被第一绝缘层和栅极遮住的IGZO层成为导体，即：形成具有导体特性的源漏极、以及透明公共电极；第四步：在形成上述第三步图案的基础上先覆盖第二绝缘膜，再在第二绝缘膜相应的位置形成若干接触孔，定义位于源极上的接触孔为第一接触孔、以及位于漏极上的接触孔为第二接触孔；第五步：在形成上述第四步的基础上，先形成通过第一接触孔和第二接触孔连接源极和漏极的ITO层，再在其上溅射形成第二金属层，最后在其上形成光刻胶；第六步：在形成上述第五步的基础上，用半色调掩模进行曝光，该半色调掩模在位于预定数据线的位置为不透光部分、位于预定像素电极的位置为半透光部分、其余位置都是透光部分，通过半色调掩模曝光、显影、刻蚀，使得位于预定数据线的位置仍保留ITO层、第二金属层、以及光刻胶，使得位于预定像素电极的位置的光刻胶被刻蚀薄一些，使得位于其余位置的ITO层、第二金属层、以及光刻胶都被刻蚀掉；第七步：在形成上述第六步的基础上，继续对半色调掩模进行灰化处理，使得位于预定像素电极的位置的光刻胶全部被剥离掉，使得位于预定数据线的位置的光刻胶被刻蚀薄一些；第八步：在形成上述第七步的基础上，通过刻蚀工艺，将位于预定像素电极的位置上覆盖的第二金属层刻蚀掉，露出ITO像素电极；第九步：在形成上述第八步的基础上，将第二金属层上余留的光刻胶剥离掉。

本发明还提供一种液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：第一步：在基板上溅射形成一层IGZO层，形成半导体层和透明公共电极；第二步：在形成上述第一步图案的基础上形成第一绝缘膜；再在第一绝缘膜上溅射形成第一金属层，即形成扫描线和与扫描线连接的栅极；再通过刻蚀形成第一绝缘层与第一金属层的叠层图案，该叠层的第一绝缘层和栅极在半导体层上位于预定TFT沟道区；第三步：在形成第二步图案的基础上溅射一层Al膜，再将Al膜在高温氧气的气氛下高温退火1小时左右，使得未被第一绝缘层和栅极遮住的IGZO层成为导体，即：形成具有导体的源漏极、以及透明公共电极具有导电性，并形成一层Al₂O₃保护膜保护IGZO半导体层；第四步：在形成上述第三步图案的基础上先覆盖第二绝缘膜，再在第二绝缘膜相应的位置形成若干接触孔，定义位于源极上的接触孔为第一接触孔、以及位于漏极上的接触孔为第二接触孔；第五步：在形成上述第四步的基础上，先形成通过第一接触孔和第二接触孔连接源极和漏极的ITO层，再在其上溅射形成第二金属层，最后在其上形成光刻胶；第六步：在形成上述第五步的基础上，用半色调掩模进行曝光，该半色调掩模在位于预定数据线的位置为不透光部分、位于预定像素电极的位置为半透光部分、其余位置都是透光部分，通过半色调掩模曝光、显影、刻蚀，使得位于预定数据线的位置仍保留ITO层、第二金属层、以及光刻胶，使得位于预定像素电极的位置的光刻胶被刻蚀薄一些，使得位于其余位置的ITO层、第二金属层、以及光刻胶都被刻蚀掉；第七步：在形成上述第六步的基础上，继续对半色调掩模进行灰化处理，使得位于预定像素电极的位置的光刻胶全部被剥离掉，使得位于预定数据线的位置的光刻胶被刻蚀薄一些；第八步：在形成上述第七步的基础上，通过刻蚀工艺，将位于预定像素电极的位置上覆盖的第二金属层刻蚀掉，露出ITO像素电极；第九步：在形成上述第八步的基础上，将第二金属层上余留的光刻胶剥离掉本发明液晶显示面板及其制造方法，由于制程中限制不多，可以形成相邻像素之间透明公共电极的直接连接，减小了透明公共电极上的阻抗，公共电极上电压分布更加均匀，且本发明是一种节省mask的制程方式，可以将带有透明存储电容的液晶面板制造方法缩减至5道或4道光罩，可以提高产能，节约成本。

附图说明

图1A所示为本发明第一实施例液晶显示面板的结构示意图；

图1B是图1A的局部剖视图；

图2A所示为本发明第三实施例液晶显示面板的结构示意图；

图2B是图2A的局部剖视图；

图3A所示为图1A液晶显示面板的第一步的制造步骤的示意图；

图3B是图3A的局部剖视图；

图4A所示为图1A液晶显示面板的第二步的制造步骤的示意图；

图4B是图4A的局部剖视图；

图5A所示为图1A液晶显示面板的第三步的制造步骤的示意图；

图5B是图5A的局部剖视图；

图6A所示为图1A液晶显示面板的第四步的制造步骤的示意图；

图6B是图6A的局部剖视图；

图7A所示为图1A液晶显示面板的第五步的制造步骤的示意图；

图7B是图7A的局部剖视图；

图8A所示为图1A液晶显示面板的第六步的制造步骤的示意图；

图8B是图8A的局部剖视图；

图9所示为第二实施例液晶显示面板的的第三步的制造步骤的示意图；

图10A所示为图2A液晶显示面板的第四步的制造步骤的示意图；

图10B是图10A的局部剖视图；

图11A所示为图2A液晶显示面板的第五步的制造步骤的示意图；

图11B是图11A的局部剖视图；

图12A所示为图2A液晶显示面板的第六步的制造步骤的示意图；

图12B是图12A的局部剖视图；

图13A所示为图2A液晶显示面板的第七步的制造步骤的示意图；

图13B是图13A的局部剖视图；

图14A所示为图2A液晶显示面板的第八步的制造步骤的示意图；

图14B是图14A的局部剖视图；

图15A所示为图2A液晶显示面板的第九步的制造步骤的示意图；

图15B是图15A的局部剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

本发明涉及一种液晶显示面板，其包括：位于基板上纵横交叉的数据线和扫描线，所述数据线和扫描线交叉限定像素区域内的像素电极、薄膜晶体管、以及半导体层，所述薄膜晶体管包括与扫描线一起形成的栅极、与数据线电性连接的源极、以及与像素电极电性连接的漏极，所述像素区域内还包括与所述像素电极一起构成储存电容的透明公共电极，所述半导体层、透明公共电极、源极、以及漏极均位于基板上由IGZO同时形成。

本发明半导体层、透明公共电极、源极、以及漏极形成方式、以及数据线和像素电极的形成方式有不同的实施例，以下详细叙述。

如图1A和图1B所示为本发明液晶显示面板第一实施例的结构示意图，本发明涉及一种液晶显示面板，本液晶显示面板通过IGZO形成透明公共电极，其包括：位于基板100上的IGZO半导体层10、IGZO透明公共电极层12；在IGZO半导体层10的之上的第一绝缘膜20，以及第一绝缘膜20之上的金属栅极层（金属栅极层包括连接在一起的扫描线31栅极32），其中第一绝缘膜20和金属栅极层为同1次光罩形成，也就是形成相同的形状；再通过离子注入方式使得半导体层10没有被第一绝缘层20和栅极32覆盖的两端成为具有导体的源漏极11、以及透明公共电极12具有良好的导电性；在金属栅极层之上形成第二绝缘膜40，这是本实施例的第2次光罩；在第二绝缘膜40之上形成第二金属层50，该第二金属层形成像素的数据线走线，这是本实施例的第3次光罩；在第二金属层50之上形成第三绝缘膜60，并在第三绝缘膜60上形成接触孔，这是本实施例的第4次光罩；在第三绝缘膜60之上形成与漏极连接的ITO像素电极80、以及通过ITO连接源极和数据线50，这是本实施例的第5次光罩。

通过上述六个步骤完成本液晶显示面板的制造步骤，其优点是：一种节省mask的制程方式，可以将带有透明存储电容的液晶面板制造方法缩减至5道光罩，可以提高产能，节约成本，且本发明由于制程中限制不多，可以形成相邻像素之间透明公共电极的直接连接，减小了透明公共电极上的阻抗，公共电极上电压分布更加均匀。

如图9所示为本发明液晶显示面板第二实施例的结构示意图，本第二实施例与上述第一实施例区别点是：上述第一实施例形成源漏极和使得透明公共电极12具有良好的导电性是通过离子注入的方式，本第二实施例是通过Al膜来使得IGZO暴露出来部分导电特性增强，成为导体；并会在Al完全氧化为Al₂O₃保护膜后形成较致密的钝化层，隔绝水汽，对IGZO半导体沟道也有很好的保护。

如图2A和图2B所示为本发明液晶显示面板第三实施例的结构示意图，本第三实施例也是通过IGZO形成透明公共电极的液晶显示面板，本第三实施例与上述第一实施例主要区别点在于：第1次光罩和第2次光罩是相同的，上述实施例的第3至第5次光罩的三次光罩在本第三实施例中至需要两次光罩，其具体方式如下：在第二绝缘膜40'相应的位置形成若干接触孔，定义位于源极上的接触孔为第一接触孔41'、以及位于漏极上的接触孔为第二接触孔42'；在第二绝缘膜40'之上形成ITO层80'和第二金属层50'，再采用用半色调掩模（half tone mask）90'使ITO层80'形成像素电极80'、、第二金属层50'形成像素的数据线50'。

本第三实施例通过半色调掩模（half tone mask）的技术，将mask光罩制成减少，只需要4道光罩，节约成本的同时缩短生产时间，提高生产节拍，提高产能。

本发明三个实施例都是通过IGZO形成的透明公共电极层，IGZO在形成透明公共电极层时在形状上没有特别限制，可以根据实际需要形成特定的形状，如圆形，矩形，菱形，三角形等，像素间的公共电极连接线宽度也没有特别的限制，若需要公共电极与Data走线之间寄生电容小就可设计更窄的公共电极连接线宽度；若需要公共电极上的阻抗较小就可设计较宽的公共电极连接线宽度。

以下图3A至图8B为本发明液晶显示面板的第一实施例的制造步骤：

第一步：如图3A和图3B所示，在基板100上溅射形成一层IGZO层，形成半导体层10和透明公共电极12，该IGZO层的厚度为45nm-55nm，最好为50nm。

第二步：如图4A和图4B所示，在形成上述第一步图案的基础上形成第一绝缘膜20；再在第一绝缘膜20上溅射形成第一金属层，即形成扫描线31和与扫描线连接的栅极32；再先通过湿刻或干刻工艺形成第一金属层图案（即形成扫描线31栅极32图案），接着通过干刻工艺形成第一绝缘层20图案。

通过刻蚀后形成的第一绝缘层20和第一金属层的叠层图案，该第一绝缘层20和栅极32的叠层图案在半导体层10上时位于预定TFT沟道区，且第一绝缘层20和栅极32宽度基本相同，位于半导体层10中间部位的第一绝缘层20和栅极32使得半导体层10两侧露出部分距离，该露出的两侧分别为源漏极11；栅极32图案刚好覆盖在第一绝缘层20之上，且栅极层30与第一绝缘层20的两端刚好对齐。

所述第一绝缘膜20的材料是SiO₂或SiNx，其膜厚250-350nm，最好为300nm，由于第一绝缘膜20是非金属材料制成的，故需要通过干刻工艺进行刻蚀；栅极层的材料为Mo、Al、或Ti等金属，其膜厚350-450nm，最好为400nm。

第三步：如图5A和图5B所示，在形成上述第二步图案的基础上用离子注入，使得未被第一绝缘层20和栅极32遮住的IGZO层成为导体，即：半导体层10没有被第一绝缘层20和栅极32覆盖的两端成为具有导体的源漏极11、以及透明公共电极12具有良好的导电性。

第四步：如图6A和图6B所示，在形成上述第三步图案的基础上先覆盖形成第二绝缘膜40，再在第二绝缘膜40上溅射形成与扫描线31空间垂直的数据线50。

其中，第二绝缘膜40的材料为SiO₂或SiNx，其膜厚为250-350nm，最好为300nm；数据线50的材料为Ti/Al/Ti合成金属，其膜厚也为250-350nm，最好为300nm。

第五步：如图7A和图7B所示，在形成上述第四步图案的基础上又先覆盖第三绝缘膜60，再在第三绝缘膜60相应的位置形成若干接触孔，定义靠近源极的数据线50上的接触孔为第一接触孔61、位于源极上的接触孔为第二接触孔62、以及位于漏极上的接触孔为第三接触孔63。

其中，第三绝缘膜60的材料为SiO₂或SiNx，其膜厚为250-350nm，最好为300nm。

第六步：如图8A和图8B所示，在形成上述第五步图案的基础上形成ITO层，形成通过第三接触孔63连接漏极的像素电极80、以及通过第一接触孔61和第二接触孔62连接源极和数据线50的连接部70。

图9本发明液晶显示面板第二实施例的制造步骤，本第二实施例与上述第一实施例区别点是：上述实施例的第三步也可以通过其他方法使得半导体层10没有被第一绝缘层20和栅极32覆盖的两端成为具有导体的源漏极11、以及透明公共电极12具有良好的导电性，本第二实施例的第三步的步骤如下：

第三步：如图9示，在形成第二步图案的基础上溅射一层Al膜，该Al膜的厚度约为5nm；再将Al膜在300℃氧气的气氛下高温退火1小时左右，在半导体层10没有被第一绝缘层20和栅极32覆盖的两端成为具有导体的源漏极11、以及透明公共电极12具有良好的导电性，并形成一层Al₂O₃保护膜保护IGZO半导体特性。

图10A至图15B是本发明液晶显示面板第三实施例的制造步骤，本第三实施例与上述两实施例区别点是：上述两实施例的第四至第六步可以通过其他方法制成，本第三实施例的第四至第六步的步骤如下：

第四步：如图10A和图10B所示，在形成上述第三步图案的基础上先覆盖第二绝缘膜40'，再在第二绝缘膜40'相应的位置形成若干接触孔，定义位于源极上的接触孔为第一接触孔41'、以及位于漏极上的接触孔为第二接触孔42'。

其中，第二绝缘膜40'的材料为SiO₂或SiNx，其膜厚为250-350nm，最好为300nm。

第五步：如图11A和图11B所示，在形成上述第四步的基础上，先形成通过第一接触孔41'和第二接触孔42'连接源极和漏极的ITO层80'，再在其上溅射形成第二金属层50'，最后在其上形成光刻胶60'。

其中，ITO层80'的膜厚为55-65nm，最好为60nm；第二金属层50'的材料为Ti/Al/Ti合成金属制成，其膜厚为250-350nm，最好为300nm。

第六步：如图12A和图12B所示，在形成上述第五步的基础上，用半色调掩模（half tone mask）90'进行曝光，该半色调掩模90'在位于预定数据线的位置为不透光部分91'、位于预定像素电极的位置为半透光部分93'、其余位于都是透光部分92'，由于图12A是图12B的局部剖视图，故图12A的半色调掩模（halftone mask）90'由不透光部分91'、透光部分92'、半透光部分93'、透光部分92'、不透光部分91'、透光部分92'组成。

通过半色调掩模90'曝光、显影、刻蚀，使得预定数据线的位置仍保留ITO层80'、第二金属层50'、以及光刻胶60'，使得预定像素电极的位置的光刻胶60'被刻蚀薄一些，使得其余位置的ITO层80'、第二金属层50'、以及光刻胶60'都被刻蚀掉，即形成源极和漏极之间形成沟道区、ITO像素电极与两侧的数据线部分形成空隙。

第七步：如图13A和图13B所示，在形成上述第六步的基础上，继续对半色调掩模90'灰化处理，使得位于预定像素电极的位置的光刻胶60'全部被剥离掉，使得位于预定数据线的位置的光刻胶60'被刻蚀薄一些。

第八步：如图14A和图14B所示，在形成上述第七步的基础上，通过刻蚀工艺，将像素电极上覆盖的第二金属层50'刻蚀掉，露出ITO像素电极。

由于第二金属层50'由Ti/Al/Ti合成金属制成，而Ti的刻蚀需要由干刻工艺，故本步骤的刻蚀工艺为干刻、湿刻、干刻连续的刻蚀工艺。

第九步：如遇15A和图15B，在形成上述第八步的基础上，将第二金属层50'上余留的光刻胶剥离掉。

第一、第二实施例的第四至第六步虽然由新的第四至第九步替换，但通过半色调掩模（half tone mask）的技术，将光罩制成减少，只需要4道光罩，节约成本的同时缩短生产时间，提高生产节拍，提高产能。

Claims (10)

1.一种液晶显示面板，其包括：位于基板上纵横交叉的数据线和扫描线，所述数据线和扫描线交叉限定像素区域内的像素电极和薄膜晶体管，其特征在于：所述像素区域内还包括与所述像素电极一起构成储存电容的透明公共电极；所述薄膜晶体管包括与扫描线一起形成的栅极、与数据线电性连接的源极、以及与像素电极电性连接的漏极，本液晶显示面板还包括与透明公共电极一起形成的半导体层，且所述半导体层与透明公共电极均位于基板上。

2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：所述源极和漏极也均与透明公共电极及半导体层同时形成，且源极和漏极、透明公共电极表面均设有离子成为导体。

3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：所述源极和漏极也均与透明公共电极及半导体层同时形成，且源极和漏极、透明公共电极表面均通过高温退火成为导体。

4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：所述数据线下方还设有形成像素电极的ITO层。

5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：扫描线和栅极下面设有第一绝缘膜，该第一绝缘膜与扫描线和栅极是层叠结构，且第一绝缘膜具有与扫描线和栅极相同的形状。

6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于：第一绝缘层和栅极的层叠结构在半导体层上位于预定TFT沟道区。

7.一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板上溅射形成一层IGZO层，形成半导体层和透明公共电极；

第二步：在形成上述第一步图案的基础上形成第一绝缘膜；再在第一绝缘膜上溅射形成第一金属层，即形成扫描线和与扫描线连接的栅极；再通过刻蚀形成第一绝缘层与第一金属层的叠层图案，该叠层的第一绝缘层和栅极在半导体层上位于预定TFT沟道区；

第三步：在形成上述第二步图案的基础上用离子注入，使得未被第一绝缘层和栅极遮住的IGZO层成为导体，即：形成具有导体特性的源漏极、以及透明公共电极；

第四步：在形成上述第三步图案的基础上先覆盖形成第二绝缘膜，再在第二绝缘膜上溅射形成与扫描线空间垂直的数据线；

第五步：在形成上述第四步图案的基础上又先覆盖第三绝缘膜，再在第三绝缘膜相应的位置形成若干接触孔，并定义靠近源极的数据线上的接触孔为第一接触孔、位于源极上的接触孔为第二接触孔、以及位于漏极上的接触孔为第三接触孔；

第六步：在形成上述第五步图案的基础上形成ITO层，形成通过第三接触孔连接漏极的像素电极、以及通过第一接触孔和第二接触孔连接源极和数据线的连接部。

8.一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板上溅射形成一层IGZO层，形成半导体层和透明公共电极；

第二步：在形成上述第一步图案的基础上形成第一绝缘膜；再在第一绝缘膜上溅射形成第一金属层，即形成扫描线和与扫描线连接的栅极；再通过刻蚀形成第一绝缘层与第一金属层的叠层图案，该叠层的第一绝缘层和栅极在半导体层上位于预定TFT沟道区；

第三步：在形成第二步图案的基础上溅射一层Al膜，再将Al膜在高温氧气的气氛下高温退火1小时左右，使得未被第一绝缘层和栅极遮住的IGZO层成为导体，即：形成具有导体的源漏极、以及透明公共电极具有导电性，并形成一层Al₂O₃保护膜保护IGZO半导体层；

第四步：在形成上述第三步图案的基础上先覆盖形成第二绝缘膜，再在第二绝缘膜上溅射形成与扫描线空间垂直的数据线；

第五步：在形成上述第四步图案的基础上又先覆盖第三绝缘膜，再在第三绝缘膜相应的位置形成若干接触孔，并定义靠近源极的数据线上的接触孔为第一接触孔、位于源极上的接触孔为第二接触孔、以及位于漏极上的接触孔为第三接触孔；

第六步：在形成上述第五步图案的基础上形成ITO层，形成通过第三接触孔连接漏极的像素电极、以及通过第一接触孔和第二接触孔连接源极和数据线的连接部。

9.一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板上溅射形成一层IGZO层，形成半导体层和透明公共电极；

第二步：在形成上述第一步图案的基础上形成第一绝缘膜；再在第一绝缘膜上溅射形成第一金属层，即形成扫描线和与扫描线连接的栅极；再通过刻蚀形成第一绝缘层与第一金属层的叠层图案，该叠层的第一绝缘层和栅极在半导体层上位于预定TFT沟道区；

第三步：在形成上述第二步图案的基础上用离子注入，使得未被第一绝缘层和栅极遮住的IGZO层成为导体，即：形成具有导体特性的源漏极、以及透明公共电极；

第四步：在形成上述第三步图案的基础上先覆盖第二绝缘膜，再在第二绝缘膜相应的位置形成若干接触孔，定义位于源极上的接触孔为第一接触孔、以及位于漏极上的接触孔为第二接触孔；

第五步：在形成上述第四步的基础上，先形成通过第一接触孔和第二接触孔连接源极和漏极的ITO层，再在其上溅射形成第二金属层，最后在其上形成光刻胶；

第六步：在形成上述第五步的基础上，用半色调掩模进行曝光，该半色调掩模在位于预定数据线的位置为不透光部分、位于预定像素电极的位置为半透光部分、其余位置都是透光部分，通过半色调掩模曝光、显影、刻蚀，使得位于预定数据线的位置仍保留ITO层、第二金属层、以及光刻胶，使得位于预定像素电极的位置的光刻胶被刻蚀薄一些，使得位于其余位置的ITO层、第二金属层、以及光刻胶都被刻蚀掉；

第七步：在形成上述第六步的基础上，继续对半色调掩模进行灰化处理，使得位于预定像素电极的位置的光刻胶全部被剥离掉，使得位于预定数据线的位置的光刻胶被刻蚀薄一些；

第八步：在形成上述第七步的基础上，通过刻蚀工艺，将位于预定像素电极的位置上覆盖的第二金属层刻蚀掉，露出ITO像素电极；

第九步：在形成上述第八步的基础上，将第二金属层上余留的光刻胶剥离掉。

10.一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板上溅射形成一层IGZO层，形成半导体层和透明公共电极；

第二步：在形成上述第一步图案的基础上形成第一绝缘膜；再在第一绝缘膜上溅射形成第一金属层，即形成扫描线和与扫描线连接的栅极；再通过刻蚀形成第一绝缘层与第一金属层的叠层图案，该叠层的第一绝缘层和栅极在半导体层上位于预定TFT沟道区；第三步：在形成第二步图案的基础上溅射一层Al膜，再将Al膜在高温氧气的气氛下高温退火1小时左右，使得未被第一绝缘层和栅极遮住的IGZO层成为导体，即：形成具有导体的源漏极、以及透明公共电极具有导电性，并形成一层Al₂O₃保护膜保护IGZO半导体层；

第四步：在形成上述第三步图案的基础上先覆盖第二绝缘膜，再在第二绝缘膜相应的位置形成若干接触孔，定义位于源极上的接触孔为第一接触孔、以及位于漏极上的接触孔为第二接触孔；

第五步：在形成上述第四步的基础上，先形成通过第一接触孔和第二接触孔连接源极和漏极的ITO层，再在其上溅射形成第二金属层，最后在其上形成光刻胶；

第六步：在形成上述第五步的基础上，用半色调掩模进行曝光，该半色调掩模在位于预定数据线的位置为不透光部分、位于预定像素电极的位置为半透光部分、其余位置都是透光部分，通过半色调掩模曝光、显影、刻蚀，使得位于预定数据线的位置仍保留ITO层、第二金属层、以及光刻胶，使得位于预定像素电极的位置的光刻胶被刻蚀薄一些，使得位于其余位置的ITO层、第二金属层、以及光刻胶都被刻蚀掉；

第七步：在形成上述第六步的基础上，继续对半色调掩模进行灰化处理，使得位于预定像素电极的位置的光刻胶全部被剥离掉，使得位于预定数据线的位置的光刻胶被刻蚀薄一些；

第八步：在形成上述第七步的基础上，通过刻蚀工艺，将位于预定像素电极的位置上覆盖的第二金属层刻蚀掉，露出ITO像素电极；

第九步：在形成上述第八步的基础上，将第二金属层上余留的光刻胶剥离掉。

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