CN102318547B - 霍山石斛试管苗的架空栽培方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种霍山石斛种苗的架空栽培方法，本方法包括以下步骤：平整土地、建棚、摆设立体架(苗床)、大棚消毒、种植基质的摆放、种苗定植、肥水管理及采收。首先进行基地基础设施建设，大棚建设完毕后摆放立体架并进行种苗移栽前的大棚消毒，上述步骤完成后在立体栽培架上方摆放含有种植基质的栽培容器或在栽培架的网状物上直接铺设种植基质，在棚内温度达到10℃以上时进行种苗定植，种苗移栽后按要求进行肥水管理，2年后可以采收。该栽培方法既能显著提高霍山石斛试管苗移栽成活率又能有效防止病虫害，缩短了生产周期，使产品品质均匀一致，且该发明方法操作简单，易于开展霍山石斛种苗的规模化生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种霍山石斛(Dendrobium huoshanense C.Z.Tang et S.J.Cheng)试管苗的栽培方法，特别涉及一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，属于药用植物栽培领域。
背景技术
霍山石斛(Dendrobium huoshanense C.Z.Tang et S.J.Cheng)在霍山当地俗称米斛，是我国古代中药典籍《本草纲目拾遗》和《百草镜》中有明确记载的石斛类中药材，被誉为“中华仙草”之首，是霍山县独有的、拥有原产地地理标志的名贵中药材，尤其是其富含的石斛多糖具有极高的保健和医疗作用。
自20世纪80年代以来，霍山石斛由于分布面积狭小，生境狭窄，繁殖系数较低，产量极少，加上长期过度采挖导致资源枯竭，霍山石斛物种濒临灭绝。霍山石斛组织培养和栽培技术的研究与报道虽较多，但试管苗移栽成活率低，生长周期长等原因使试管苗无法真正大规模应用于生产。目前市场销售的冠以“霍山石斛”的产品的原植物多为霍山产其他种类石斛。当前，业内人士对保护霍山石斛资源及发展霍山石斛产业的前景已达成了共识，这对保护濒危物种和药用资源，发展中医药事业、发展医药经济等方面都有十分重大的意义。因此，运用现代农业生物技术，尽快实现霍山石斛规模化、集约化栽培及产业化开发具有显著的经济效益、社会效益和生态效益。鉴于上述原因，本发明将霍山石斛试管苗适时移栽到含有层级结构的基质中，采用架空培养的方式进行规模化栽培技术的探索，使试管苗移栽成活率达到96％以上。
发明内容
本发明的目的在于提供了一种既能显著提高霍山石斛试管苗移栽成活率又能有效防止病虫害的架空栽培方法，从而缩短生产周期，使产品品质均匀一致。
本发明采用的技术方案如下：
一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)平整土地：除去土地上的杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；
(2)建棚：在基地上架设塑料大棚，在大棚内、外各铺设一层遮光率为60-80％的遮阴网，内、外遮阴网均可根据阳光强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的外围四周围设40-60目防虫网，在棚内铺设或架设自动或手动喷淋设备，用于调节棚内空气湿度和给石斛浇水；
(3)摆设立体栽培架：在大棚内依次摆放立体栽培架，在摆放时预留通道，立体架上方铺设有可承载种植基质或含有种植基质的栽培容器的网状物；
(4)大棚消毒：在种苗种植前的6-7天内，清理干净棚内的杂草，并按照10-50kg/667m2的要求在棚内均匀地撒上生石灰粉或喷洒消毒液消毒；
(5)种植基质的摆放：种植基质直接摆放在栽培架的网状物上面，或先摆放于栽培容器内，再将栽培容器置于栽培架的网状物上；
(6)种苗定植：在棚内温度达到10℃以上时，将试管栽培的种苗移栽到基质里；
(7)肥水管理：从种苗移栽后到根开始生长前，通过浇水或喷雾保持基质的湿润状态；在栽种的种苗的根开始生长后的5-30天内，向基质表面施有机肥，以后的栽培期间以3-6个月施肥一次；叶面喷洒无机肥，喷洒频率为每星期喷施一次；生长期间将大棚内空气相对湿度控制在60-90％范围之间；
(8)采收：按照上述方法栽培生长2年后，开始采收部分石斛，以后每年采收一部分，生长达到5年后全部采收完毕。
所述的立体栽培架大小为长(2-30)m×宽(1-2)m×高(0.2-1.5)m；所述的栽培容器为种植框或穴盘或杯状物，种植框大小为长(20-50)cm×宽(20-50)cm×高(4-15)cm；穴盘或杯状物直径为3-20cm；
所述的基质由上下两层组成，上层为具有保水性能的基质材料选自木屑、刨花、碎木块、小石子中的一种或多种混合物，上层基质厚度为5-15cm；下层基质为颗粒状固体材料选自碎红砖块、小石子、碎木块中的一种或多种，下层基质厚度为2-20cm。
种苗移栽时，要求株距、行距分别为4-30cm；
选择移栽种苗的标准：苗高2-5cm，有2-5片叶，有3-7条根。
本发明的有益效果：
(1)有效防止病虫害：本发明方法将种苗栽种在立体栽培架上，使霍山石斛种苗与地面隔离，能有效地防止杂草和土地滋生的病虫害危害种苗，另外，采用栽培容器种植种苗能有效防止病虫害在种苗间蔓延，降低了农药的使用量，在节省成本的同时还可大大提高食用安全性。
(2)基质成份配置合理：下层颗粒状固体基质成分为霍山石斛种苗的生长提供了一个良好的排水透气的根部生长环境，上层采用木屑等基质成分又能起到保水和为植株给予营养的作用，且基质成分简单易得，成本低廉。
(3)缩短了生产周期：利用本发明方法栽培的霍山石斛植株在栽培2.0年后就可以采收，而野生的霍山石斛生长到2年时植株数量极少，而且几乎均处于生长缓慢和维持生长的状态，不能满足采摘要求；
(4)提高了产量：由于人工架空栽培方式为霍山石斛提供了适宜的生长条件和环境，不仅可以提高栽培密度，而且还促进了生长发育，因此，利用本发明方法可以大幅度提高霍山石斛的产量。
具体实施方式
以下实施例是对本发明的进一步说明，不是对本发明的限制。
实施例1
该实施例以霍山石斛种苗的非架空栽培方法为对照，在实施中选取三种本发明方法的栽培基质开展了霍山石斛种苗移栽后的成活率研究，具体步骤如下：
1.种苗的获得
选取生长健壮的霍山石斛开花株，通过人工授粉得到果实，然后将果实中的种子播种在种子萌发培养基上进行培养，在种子萌发成原球茎并进一步分化成小苗后，再将小苗用试管开花培养基培养，待所培养的植株开花后在无菌条件下进行人工授粉，在人工培养基上培养到果实成熟后，再进行无菌播种，待种子萌发后长成小植株，最后将小植株在壮苗培养基上培养成可出瓶种植的种苗。
2.利用本发明方法栽培种苗
2.1种苗移栽前的硬件设施准备
(1)平整土地：去除杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；
(2)建棚：在基地上建设夏季可通风降温、冬季可保温的5米宽，2.5米高的薄膜大棚，在所述薄膜大棚内外各铺设一层遮光率为60-80％的遮阴网，内外网均可根据光照强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的四周围设40-60目防虫网；
(3)摆设立体架(苗床)：在大棚内依次摆放长30.0m×宽1.5m×高1.0m立体栽培架，在摆放时预留通道，立体架上方铺设可承载种植基质的网状物，摆放含有基质的种植框，种植框大小为长50cm×宽50cm×高15cm；栽培容器尺寸不宜过大，保证一旦由于特殊原因发生病虫害，栽有已感染种苗的种植框或穴盘容易被隔离，防止此类病虫害在种苗间快速扩散，降低种苗感染的数量和几率；
(4)架设喷淋设备：在棚内铺设或架设自动或手动喷淋设备，用于增加湿度和浇水，自动化喷淋设备采用不锈钢水管架设在距苗床1.0米高处，每间隔1.5米配不锈钢防滴漏喷嘴一个，苗床两侧平行架设2条不锈钢水管，喷嘴水平从两边向中间的喷水，水压控制在1300帕斯卡；
(5)大棚消毒：在种苗种植前7天内，清理干净棚内的杂草，并按照10-50kg/667m2的要求在棚内均匀地撒上生石灰粉或喷洒消毒液消毒；
(6)准备种植基质：应用本发明方法分别铺设以下3种种植基质，每种种植基质上移栽上述种苗的获得方法获得的种苗640株。
第①种种植基质组成：下层铺设粒径为2-6cm的碎红砖块，厚度为15-20cm，再在碎红砖块上面铺设新鲜木屑，厚度为10-15cm；碎红砖块在使用前用清水洗干净，采取自然光暴晒的方法对碎红砖块进行消毒杀菌，铺在上层的新鲜木屑用清水浸泡30分钟后沥干多余水分后使用。
第②种种植基质组成：下层铺设粒径为2-7cm的小石子，厚度为6-10cm，再在小石子上面铺设粒径≤4cm的碎木块，厚度为5-7cm；小石子和碎木块在使用前用清水反复冲洗，直至去除小石子和碎木块上附着的杂物，采取自然光暴晒的方法将小石子和碎木块晾干。
第③种种植基质组成：下层铺设粒径为0.5-5cm的碎木块，厚度为4-8cm，再在碎木块上面铺设新鲜刨花，厚度0.5-3.5cm；碎木块在使用前用清水反复冲洗，直至去除木块上附着的杂物，然后采取自然光暴晒的方法将碎木块晾干，铺在上层的新鲜木屑用清水浸泡30分钟后沥干水分备用。
(7)种植基质的摆放：将准备好的种植基质先摆放于种植框内，再将种植框置于栽培架上。
2.2种苗移栽
(1)种苗定植：在棚内温度达到10℃以上时，将种苗栽植于已经铺设完上述三种基质的种植框中，种植框大小为长50cm×宽50cm×高15cm；种苗选择标准：苗高2-5cm，有2-5片叶，有3-7条根；
移栽方法：用长镊子轻轻地从培养瓶中取出霍山石斛试管苗，在清水中将附着的培养基清洗干净，将苗摊薄、阴干，待根系发白后每2株为一丛，每丛间隔10cm移栽至含有基质的种植框中，每种基质中移栽640株，每个种植框中移栽32株。
(2)肥水管理：从种苗移栽后到根开始生长前，通过浇水或喷雾保持基质的湿润状态；在栽种的种苗根开始生长后的5-30天内，向基质喷洒有机肥，以后的栽培期间以3-6个月施肥一次；叶面肥喷洒无机肥，肥料选择花多多N∶P∶K为9∶45∶15稀释3000倍液进行叶面喷洒，喷洒频率为每星期喷施一次；生长期间将大棚内空气相对湿度控制在60-90％范围内。
对比例以非架空模式栽培种苗
3.1试管苗移栽前的硬件设施准备：
(1)平整土地：去除杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；
(2)建棚：建棚方法与本发明方法相同，在基地上建设夏季可通风降温、冬季可保温的钢架结构大棚，大棚宽5米，2.5米高，覆盖单层薄膜防雨；另在所述薄膜大棚内外各铺设一层遮光率为60-80％的遮阴网，内外网均可根据光照强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的四周围设40-60目防虫网。
(3)土地铺设：在已经平整完的土地上铺设高于地面的宽1.5m，长30m的三个种植区，此三个种植区域分别铺设不同的种植基质，相邻种植区域间预留排水通道；栽培基质在使用前进行预处理，预处理方法与上述预处理方法相同。具体铺设方法为：
①自下而上依次为：厚度为2cm的生石灰分层、粒径为2-6cm的碎红砖块，厚度为15-20cm，再在碎红砖块上面铺设新鲜木屑，厚度为10-15cm；
②自下而上依次为：厚度为2cm的生石灰分层、粒径为2-7cm的小石子，厚度为6-10cm，再在小石子上面铺设粒径≤4cm的碎木块，厚度为5-7cm；
③自下而上依次为：厚度为2cm的生石灰分层、下层铺设粒径为0.5-5cm的碎木块，厚度为4-8cm，再在碎木块上面铺设新鲜刨花，厚度0.5-3.5cm。
(4)棚内喷淋装置搭建：在棚内铺设或架设自动喷淋设备，用于增加湿度和浇水，自动化喷淋设备采用不锈钢水管架设在种植区1.2米高处，每间隔1.5米配不锈钢防滴漏喷嘴一个，种植区两侧平行架设2条不锈钢水管，喷嘴倾斜向下从两边向中间的种植区域喷水，水压控制在1300帕斯卡。
3.2种苗移栽
(1)种苗定植：在棚内温度达到10℃以上时，将种苗栽植于已经铺设完上述三种基质的种植区域。
种苗选择标准：苗高2-5cm，有2-5片叶，有3-7条根；
移栽方法：用长镊子轻轻地从培养瓶中取出霍山石斛试管苗，在清水中将附着的培养基清洗干净，将苗摊薄、阴干，待根系发白后每2株为一丛，每丛间隔10cm，每种基质中移栽640株。
(5)肥水管理(与实施例1相同)
4.移栽种苗成活率统计
在上述种苗移栽到含有基质的栽培容器和种植区域后，培养后3个月、6个月、12个月统计移栽苗的成活率，结果参见表1。由统计数据看出，应用本发明方法移栽的种苗的成活率较非架空栽培的高，并且在培养过程中观察发现，应用本发明方法移栽的种苗的生长状态较好。
表1不同栽培方式对霍山石斛种苗成活率的影响
实施例2
1.种苗的获得
种苗的获得方法与实施例1中的获得方法相同。
2.种苗移栽前的设施准备
按照本发明方法进行平整土地、建棚、摆放立体架、架设喷淋设备及在种植前7天大棚消毒，具体步骤如下：
(1)平整土地：去除杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；
(2)建棚：在基地上建设夏季可通风降温、冬季可保温的5米宽，2.5米高的薄膜大棚，在所述薄膜大棚内外各铺设一层遮光率为60-80％的遮阴网，内外网均可根据光照强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的四周围设40-60目防虫网。
(3)摆设立体架(苗床)：在大棚内依次摆放长10.0m×宽1.0m×高1.5m立体栽培架，在摆放时预留通道，立体架上方铺设可承载种植基质的网状物，摆放含有基质的种植框，种植框大小为长50cm×宽50cm×高10cm。
(4)架设喷淋设备：在棚内铺设或架设自动或手动喷淋设备，用于增加湿度和浇水，自动化喷淋设备采用不锈钢水管架设在距苗床1.0米高处，每间隔1.5米配不锈钢防滴漏喷嘴一个，苗床两侧平行架设2条不锈钢水管，喷嘴水平从两边向中间的喷水，水压控制在1300帕斯卡。
(5)大棚消毒：在种苗种植前7天内，清理干净棚内的杂草，并按照10-50kg/667m2的原则均匀的撒上生石灰粉或喷洒消毒液消毒。
3.种植基质的准备
第①种基质组成：下层铺设粒径为2-6cm的碎红砖块，厚度为6cm，再在碎红砖块上面铺设粒径≤2cm的碎木块，厚度为4cm；
第②种基质组成：首先将粒径为2-6cm的碎红砖块和粒径≤2cm的碎木块混合搅拌均匀，然后再将上述碎红砖块和碎木块的混合物铺在种植框内，厚度为10cm；第③种基质组成：下层铺设下层铺设粒径为2-6cm的小石子，厚度为6cm，再在小石子上面铺设新鲜木屑，厚度4cm；
第④种基质组成：首先将粒径为2-6cm的小石子与新鲜木屑混合搅拌均匀，然后再将上述小石子与新鲜木屑的混合物铺在种植框内，厚度为10cm；
第⑤种基质组成：将粒径为2-6cm的小石子与新鲜木屑混合搅拌均匀备用，先在种植框内铺设粒径为2-6cm的小石子，厚度为6cm，再在这些小石子上面铺设已经搅拌均匀的小石子和木屑的混合物，厚度为4cm
第⑥种基质组成：以新鲜木屑为种植基质铺设在种植框内，厚度为10cm；
第⑦种基质组成：以粒径为2-6cm的小石子为种植基质铺设在种植框内，厚度为10cm；
以上七种基质材料中所用的小石子、碎红砖块、新鲜木屑、碎木块在使用前均经过处理，处理方法与实施例1中相同。
(7)种植基质的摆放：将准备好的种植基质先摆放于种植框内，再将种植框置于栽培架上。
4.种苗移栽
(1)种苗定植：
在棚内温度达到10℃以上时，将种苗栽植于已经铺设完上述六种基质的种植框中，种植框大小为长50cm×宽50cm×高10cm；
种苗选择标准：苗高2-5cm，有2-5片叶，有3-7条根；
移栽方法：用长镊子轻轻地从培养瓶中取出霍山石斛试管苗，在清水中将附着的培养基清洗干净，将苗摊薄、阴干，待根系发白后每2株一丛，每丛间隔10cm移栽至含有基质的种植框中，每种基质中移栽640株，每个种植框中移栽32株。
(2)肥水管理：从种苗移栽后到根开始生长前，通过浇水或喷雾保持基质的湿润状态；在栽种的种苗根开始生长后的5-30天内，向基质喷洒有机肥，以后的栽培期间以3-6个月施肥一次；叶面肥喷洒无机肥，肥料选择花多多N∶P∶K为9∶45∶15稀释3000倍液进行叶面喷洒，喷洒频率为每星期喷施一次；生长期间将大棚内空气相对湿度控制在60-90％范围内。
5.移栽种苗成活率统计
在上述种苗移栽到含有基质的种植框后，培养后3个月、6个月分别统计移栽苗的成活率，结果见表2。将霍山石斛种苗分别移栽到七种栽培基质中培养6个月，发现在①、③及⑤号基质上栽培的种苗的成活率最低达到95.16％，而且长势较好。由此可见，基质组成宜采用分层结构，且上层使用保水量较好的基质材料或混合物，例如粒径较小的碎木块、新鲜木屑等，或采用木屑和小石子等颗粒状固体的混合物，而下层宜采用排水性和透气性较好的颗粒状固体作为基质材料，例如小石子、碎红砖块等。
表2不同栽培种植基质对霍山石斛种苗成活率的影响
Claims (1)
1.一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）、种苗的获得
选取生长健壮的霍山石斛开花株，通过人工授粉得到果实，然后将果实中的种子播种在种子萌发培养基上进行培养，在种子萌发成原球茎并进一步分化成小苗后，再将小苗用试管开花培养基培养，待所培养的植株开花后在无菌条件下进行人工授粉，在人工培养基上培养到果实成熟后，再进行无菌播种，待种子萌发后长成小植株，最后将小植株在壮苗培养基上培养成可出瓶种植的种苗；
（2）、 种苗移栽前的设施准备
按照平整土地、建棚、摆放立体架、架设喷淋设备及在种植前7天大棚消毒步骤进行，具体步骤如下：
1）平整土地：去除杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；
2）建棚：在基地上建设夏季能通风降温、冬季能保温的5米宽，2.5米高的薄膜大棚，在所述薄膜大棚内外各铺设一层遮光率为60-80%的遮阴网，内外网均根据光照强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的四周围设40-60目防虫网；
3）摆设立体架：在大棚内依次摆放长10.0m×宽1.0m×高1.5 m立体栽培架，在摆放时预留通道，立体架上方铺设能承载种植基质的网状物，摆放含有基质的种植框，种植框大小为长50cm×宽50cm×高10cm；
4）架设喷淋设备：在棚内铺设或架设自动或手动喷淋设备，用于增加湿度和浇水，自动化喷淋设备采用不锈钢水管架设在距苗床1.0米高处，每间隔1.5米配不锈钢防滴漏喷嘴一个，苗床两侧平行架设2条不锈钢水管，喷嘴水平从两边向中间喷水，水压控制在1300帕斯卡；
5）大棚消毒：在种苗种植前7天内，清理干净棚内的杂草，并按照10-50kg/667m2的原则均匀的撒上生石灰粉或喷洒消毒液消毒；
（3）、 种植基质的准备
基质组成：下层铺设粒径为2-6cm的小石子，厚度为6cm，再在小石子上面铺设新鲜木屑，厚度4cm；所述的小石子在使用前用清水反复冲洗，直至去除小石子上附着的杂物，采取自然光暴晒的方法将小石子晾干，所述的新鲜木屑用清水浸泡30分钟后沥干多余水分后使用；
种植基质的摆放：将准备好的种植基质先摆放于种植框内，再将种植框置于栽培架上；
（4）、 种苗移栽
1）种苗定植：
在棚内温度达到10℃以上时，将种苗栽植于已经铺设完上述种植基质的种植框中，种植框大小为长50cm×宽50cm×高10cm；
种苗选择标准：苗高2-5cm，有2-5片叶，有3-7条根；
移栽方法：用长镊子轻轻地从培养瓶中取出霍山石斛试管苗，在清水中将附着的培养基清洗干净，将苗摊薄、阴干，待根系发白后每2株一丛，每丛间隔10cm移栽至含有基质的种植框中，在上述种植基质中移栽640株，每个种植框中移栽32株；
2）肥水管理：从种苗移栽后到根开始生长前，通过浇水或喷雾保持基质的湿润状态；在栽种的种苗根开始生长后的5-30天内，向基质喷洒有机肥，以后的栽培期间以3-6个月施肥一次；叶面肥喷洒无机肥，肥料选择花多多N:P:K为9:45:15稀释3000倍液进行叶面喷洒，喷洒频率为每星期喷施一次；生长期间将大棚内空气相对湿度控制在60-90%范围内。
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