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CN109148705B - 一种oled基板的制备方法及oled基板 - Google Patents

一种oled基板的制备方法及oled基板 Download PDF

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED基板的制备方法及OLED基板，在所述OLED基板的上表面上覆盖一层坡面材料层，向所述坡面材料层中加入添加剂，在基板不同区域表面上的坡面材料层内加入的添加剂比率不同，对所述坡面材料层进行固化处理，直至所述坡面材料层稳定固化并在基板表面形成一个坡面结构；所述坡面材料层固化稳定后形成的上表面积比原OLED基板的上表面积大，因此可以在所述坡面材料层上设置更多的薄膜晶体管、电容、连线等电子器件，提高屏幕的像素解析度并降低生产成本。

Description

一种OLED基板的制备方法及OLED基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED基板的制备方法及OLED基板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术具有自发光、广视角、相对较高的对比度、较低耗电和反应速度快等优点，已经被应用于各种电子产品中。
随着虚拟现实显示技术(virtual reality，VR)以及手机设备的不断发展，其对显示屏幕的分辨率(Pixels per inch，PPI)要求也在不断的提高，PPI数值越高，像素解析度越高，即代表显示屏能够以越高的密度显示图像。当然，显示的密度越高，画面的拟真度就越高，画面的细节就会越丰富细腻，用户体验也会越好。现在OLED技术用于VR设备的屏幕可以做到的PPI在600左右，在VR设备里经过放大后，投射出的画面像素颗粒感大，画质差。若要生产这种高PPI的显示屏幕，对现有的制造技术和加工设备也有更高的要求。然而由于现在的制造机台、材料、所需芯片、以及检测设备等技术发展仍有许多技术瓶颈存在，使得现生产的产品的良率一直很低，并且生产成本较高，无法满足市场需求，不能很好的将高PPI显示设备推广到市场。
综上所述，现有的生产设备和技术的瓶颈限制了高像素解析度产品的制备，以及制备产品成本较高等问题，需要提出进一步完善和改进方案。
发明内容
本发明提供一种OLED基板的制备方法及OLED基板，以解决现有技术水平中制造高像素解析度产品所需较高性能生产设备和制造成本大，并且生产产品良率低的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案如下：
根据本公开实施例的第一方面，提供了一种OLED基板的制备方法；
所述方法包括：
在所述OLED基板的上表面上覆盖一层坡面材料层；
向所述坡面材料层中加入添加剂，在所述OLED基板不同区域表面上的所述坡面材料层中加入的所述添加剂比率不同；
对所述坡面材料层进行固化处理，直至所述坡面材料层稳定固化并在所述OLED基板上表面形成一个坡面结构。
根据本发明一优选实施例，所述坡面材料处理的方法包括烘烤或者以光线照射。
根据本公开实施例的第二方面，提供了一种OLED基板，
一坡面材料层覆盖于所述OLED基板的上表面，所述坡面材料层还包括添加剂，所述坡面材料层在所述OLED基板的所述上表面的不同区域中的所述添加剂的添加比率不同；
其中，对所述坡面材料层进行固化处理后，所述坡面材料层在所述OLED基板上形成一个坡面结构，所述坡面材料层的上表面设置有可呈现画面的光学器件或电子器件。
根据本发明一优选实施例，所述坡面材料层的上表面与所述OLED基板的所述上表面的夹角界于0度至90度之间；
根据本发明一优选实施例，所述坡面材料层的上表面所设置的光学器件或电子器件所呈现的画面全部投影在所述OLED基板的所述上表面内；
根据本发明一优选实施例，所述坡面材料层的上表面面积大于所述OLED基板的所述上表面面积；
根据本发明一优选实施例，所述坡面材料层的上表面顶端最高处距离所述OLED基板的所述上表面的最短距离为100-200μm；
根据本发明一优选实施例，所述坡面材料层的上表面的光学器件或电子器件包括薄膜晶体管、电容及连线；
根据本发明一优选实施例，所述坡面材料层为分子式结构中主链为C-C或C-Si的材料；
根据本发明一优选实施例，所述OLED基板为触控基板或显示基板。
综上所述，本发明的有益效果为：
通过对现有显示器中的基板进行改进，在其表面覆盖一层坡面材料层，所述坡面材料层在基板上表面各区域内的添加剂比率不同，经过加热处理后，由于各区域内的添加剂比率不同，使它能在基板上表面形成一坡面结构，然后再在所述坡面材料层上布置显示器中的其他部件。由所述工艺生产制造的高解析度屏幕在现有的设备和技术条件下能够很容易实现，并且生产良率好。解决了在现有技术的条件下增加屏幕的像素解析度的难题，并且降低了高解析度屏幕的生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明制备OLED基板的方法流程图；
图2为本发明中OLED基板上表面坡面材料层尚未完成固化处理状态的示意图；
图3为本发明中OLED基板上表面坡面材料层完成固化处理后的示意图；
图4为本发明OLED基板示意图；
图5为本发明OLED基板的截面图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示，本发明制备OLED基板的具体方法包括下列步骤：
步骤S10；在所述OLED基板的上表面上覆盖一层坡面材料；
步骤S11；向所述坡面材料中加入添加剂，在基板不同区域表面上的坡面材料内加入的添加剂比率不同；
步骤S12；对所述坡面材料进行固化处理，直至所述坡面材料稳定固化并在基板表面形成一个坡面结构。
于实际中，所述坡面材料的固化处理可以是经过烘烤或者以光线照射等处理制程，处理制程的目的是使覆盖于所述OLED基板上的坡面材料能够在所述OLED基板上稳定存在，并且能在基板上形成一个坡面结构。
如图2所示，图2为本发明中OLED基板上表面材料尚未完成固化处理状态的示意图。OLED基板202上表面覆盖的坡面材料后形成的一坡面材料层201，所使用的坡面材料的化学性质稳定、耐高温且绝缘性高，坡面材料可以是分子式结构中的主链为C-C或C-Si的材料，坡面材料层201中需要加入添加剂，其中，在OLED基板202的各个区域表面上的坡面材料所加入的添加剂比率不同，使所述坡面材料在经过固化处理后能够稳定存在于OLED基板202的上表面上，并且能在OLED基板202上形成一个坡面结构。
如图3所示，图3为坡面材料层201经过固化处理后形成的示意图。由于不同的添加剂比率，在经过固化处理后，在OLED基板202的各个区域表面上坡面材料层201的变形程度与厚度不同，因此，当覆盖的坡面材料成型稳定后，就形成了一个具有一定角度的坡面结构。所述坡面材料层201的固化处理可以是经过烘烤或者以光线照射等处理制程。
如图4所示，坡面材料层201的上表面401与OLED基板202的上表面402形成的夹角为β，所述夹角β界于0°至90°之间，这样才能使坡面材料层201上的光学器件所呈现的画面可以全部投影在基板的上表面402；坡面材料层201的上表面401的顶端最高处距离OLED基板202上表面402最短距离为h，所述距离h为100-200μm；坡面材料层201的斜面边长为L。由投影原理可知，若坡面材料层201的上表面401上光学器件所呈现的画面长度为A，在OLED基板202的上表面402上的投影画面长度为A乘以cosβ，因此在相同面积的条件下，在OLED基板202的上表面402可呈现的画面像素数量比坡面材料层201的上表面401上所呈现的画面像素数量更多，也就是说，在OLED基板202的上表面402的像素分辨率会比在坡面材料层201的上表面401的像素分辨率更高。
如图5所示，图5为OLED基板202和坡面材料层201的截面图。由于所述坡面材料层201的上表面401的表面积要比OLED基板202的上表面402的表面积更大，因此，能够将更多的薄膜晶体管(Thin Field Transistor，TFT)、电容、连线等光学器件或电子器件501设置在所述坡面材料层201的上表面401上，经过投影后，坡面材料层201的上表面401上的光学器件或电子器件所呈现的画面能够完全的投影在OLED基板202的上表面402上，这样就可以使显示器的解析度提高，显示效果更好。
在具体实施时，上述OLED基板可以是触控基板或者是显示基板。基于同一发明构思，本发明提供的一种OLED基板可以应用于VR显示设备、手机、电脑、电视、显示器等任何具有显示功能的产品或者部件。
从上述实施例可以看出，本设计发明的一种OLED基板的制备方法及OLED基板，能够在现有制造设备和制造工艺的基础上，通过在OLED基板上覆盖一层坡面材料，对所述材料进行处理，使材料在基板上表面形成一坡面结构，新形成的坡面结构的上表面面积比原始OLED基板的上表面面积大,就能够将更多的薄膜晶体管、电容、连线等电子器件布置在所述的坡面材料层上，在经过显示器投射后,有效的提高了显示屏幕的像素解析度，同时还降低了高像素解析度面板的制造成本。
以上对本发明实施例所提供的一种OLED基板的制备方法及OLED基板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，所述OLED基板的制备方法包括以下步骤：
S10：在所述OLED基板的上表面上覆盖一层坡面材料层；
S11：向所述坡面材料层中加入添加剂，在所述OLED基板不同区域表面上的所述坡面材料层中加入的所述添加剂比率不同；
S12：对所述坡面材料层进行固化处理，直至所述坡面材料层稳定固化并在所述OLED基板上表面形成一个坡面结构；以及
在所述坡面结构上布置光学器件或电子器件，使所述光学器件或所述电子器件所呈现的画面全部投影在所述OLED基板的上表面内。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述坡面材料层固化处理的方法包括烘烤或者以光线照射。
3.一种OLED基板，其特征在于，所述OLED基板包括：
一坡面材料层覆盖于所述OLED基板的上表面，所述坡面材料层还包括添加剂，所述坡面材料层在所述OLED基板的所述上表面的不同区域中的所述添加剂的添加比率不同；
其中，对所述坡面材料层进行固化处理后，所述坡面材料层在所述OLED基板上形成一个坡面结构，所述坡面材料层的上表面设置有可呈现画面的光学器件或电子器件；以及
所述光学器件或所述电子器件所呈现的画面全部投影在所述OLED基板的所述上表面内。
4.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述坡面材料层的上表面与所述OLED基板的所述上表面的夹角界于0度至90度之间。
5.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述坡面材料层的上表面面积大于所述OLED基板的上表面面积。
6.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述坡面材料层的上表面顶端最高处距离所述OLED基板的所述上表面的最短距离为100-200μm。
7.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述坡面材料层的上表面的光学器件或电子器件包括薄膜晶体管、电容及连线。
8.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述坡面材料层为分子式结构中主链为C-C或C-Si的材料。
9.根据权利要求3至8中任一项所述的OLED基板，其特征在于，所述OLED基板为触控基板或显示基板。
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